WO2013051329A1 - 太陽電池の製造方法 - Google Patents

太陽電池の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2013051329A1
WO2013051329A1 PCT/JP2012/069445 JP2012069445W WO2013051329A1 WO 2013051329 A1 WO2013051329 A1 WO 2013051329A1 JP 2012069445 W JP2012069445 W JP 2012069445W WO 2013051329 A1 WO2013051329 A1 WO 2013051329A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
silicon substrate
metal ions
aqueous solution
solar cell
hydrofluoric acid
Prior art date
Application number
PCT/JP2012/069445
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
熊谷　晃
Original Assignee
株式会社ジェイ・イー・ティ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社ジェイ・イー・ティ filed Critical 株式会社ジェイ・イー・ティ
Priority to CN201280048866.9A priority Critical patent/CN103918090B/zh
Priority to KR1020147011341A priority patent/KR101442461B1/ko
Priority to SG11201401113RA priority patent/SG11201401113RA/en
Priority to TW101128542A priority patent/TWI489646B/zh
Publication of WO2013051329A1 publication Critical patent/WO2013051329A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a solar cell, and more particularly to a method for forming a porous layer on the surface of a silicon substrate.
  • Textures An infinite number of fine irregularities (hereinafter referred to as “textures”) having a role of effectively taking in sunlight are formed on the surface of the solar cell.
  • the texture of the pyramid structure can be easily obtained by etching the Si (100) surface using an alkaline solution.
  • polycrystalline silicon since various crystal orientations appear on the surface of the silicon substrate, it is difficult to form a uniform texture on the entire surface of the silicon substrate like single crystal silicon.
  • a porous layer is formed on the surface of the silicon substrate by immersing the silicon substrate in a mixed aqueous solution of an oxidant and hydrofluoric acid containing metal ions.
  • a forming method (for example, Patent Document 1) is disclosed.
  • a second step of forming a texture by dipping in a mixed acid mainly composed of hydrofluoric acid and nitric acid to form a texture (for example, Patent Document 2) is disclosed.
  • the silicon substrate having a texture formed by the method of Patent Document 1 has a problem that the surface of the silicon substrate is discolored although the reflectance is low, and as a result, the characteristics of the solar cell are greatly deteriorated.
  • the surface of the silicon substrate that has undergone the same process as in Patent Document 1 is immersed in a mixed acid mainly composed of hydrofluoric acid and nitric acid to form a texture.
  • a clean silicon surface can be obtained while maintaining the effect of reducing the reflectance, and the metal at the bottom of the hole can be removed. It is described in Document 2.
  • Patent Documents 1 and 2 have a problem that it is difficult to form a texture having a uniform size and density on the surface of the silicon substrate.
  • an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a solar cell capable of more uniformly forming a texture on the surface of a silicon substrate.
  • the method for manufacturing a solar cell according to claim 1 of the present invention is the method for manufacturing a solar cell in which a porous layer is formed on the surface of a silicon substrate by etching using metal ions.
  • metal ions are attached to the surface of the silicon substrate prior to the formation of the porous layer by etching.
  • the metal ions can be more uniformly attached to the surface of the silicon substrate than in the conventional case where the metal ions are attached and etched simultaneously.
  • a porous layer was formed on the surface of the silicon substrate by the catalytic reaction of the metal ions.
  • the size of the holes formed by the catalytic reaction can be controlled by controlling the immersion time of the silicon substrate and the ratio of hydrofluoric acid and hydrogen peroxide solution. Therefore, a texture having a more uniform size and density can be formed on the surface of the silicon substrate.
  • FIG. 1 It is a perspective view which shows the whole structure of the solar cell which concerns on this embodiment. It is a flowchart which shows the manufacturing method of the solar cell which concerns on this embodiment. It is a SEM image of the silicon substrate surface to which the metal ion was made to adhere. In the manufacturing method which concerns on this embodiment, it is a SEM image of the silicon substrate surface which shows the Example which formed the porous layer. In the manufacturing method which concerns on this embodiment, it is a SEM image of the texture formed in the silicon substrate surface by etching a porous layer with the mixed acid which mainly has a hydrofluoric acid. It is a SEM image of the silicon substrate surface which shows the comparative example by the conventional preparation methods. FIG.
  • FIG. 7A is a photograph of the surface of a silicon substrate etched by changing the amount of hydrogen peroxide added to hydrofluoric acid
  • FIG. 7A shows the result of 0 ml
  • FIG. 7B shows 100 ml
  • FIG. 7C shows 200 ml
  • FIG. It is a photograph. It is a graph which shows the result of having measured the reflectance of the silicon substrate shown in FIG.
  • a solar cell 1 shown in FIG. 1 includes a silicon substrate 2 that performs photoelectric conversion and a porous layer 3 in which the surface of the silicon substrate 2 is processed into a textured shape, and is incident from a light receiving surface on which the porous layer 3 is formed. Light is converted into electrical energy in the silicon substrate 2.
  • the porous layer 3 light incident on the surface of the silicon substrate 2 is repeatedly transmitted and reflected, and as a result, more light is guided into the silicon substrate 2 than on the flat silicon substrate surface. It is generally known that the fine texture formed in the porous layer 3 can efficiently confine incident light when the height and density are uniform rather than nonuniform.
  • the solar cell 1 according to the present embodiment is characterized in that a fine texture is uniformly formed in the porous layer 3 as compared with the conventional one, and the other configuration is the same as the conventional one.
  • the solar cell 1 has a diffusion layer, an antireflection film, and a grid electrode sequentially formed on the light receiving surface side where the porous layer 3 is formed with respect to the p-type silicon substrate. An electric field layer and a back electrode are formed in this order.
  • the antireflection film is formed on the surface of the porous layer 3 in order to suppress light reflection.
  • the antireflection film is composed of, for example, a single layer structure of a titanium oxide (TiO 2 ) film or a silicon nitride (SiN) film formed by a chemical vapor deposition (CVD) method or the like.
  • the concentration is mass%.
  • step SP1 the silicon substrate 2 is immersed in a first aqueous solution containing hydrofluoric acid, and the natural oxide film on the surface of the silicon substrate 2 is removed.
  • the first aqueous solution is intended only to remove the natural oxide film on the surface of the silicon substrate 2, and therefore does not contain metal ions.
  • step SP2 the silicon substrate 2 is immersed in a second aqueous solution containing metal ions, and the metal ions are adhered to the surface of the silicon substrate 2 by electroless plating.
  • the metal ions for example, Ag ions can be applied.
  • the second aqueous solution can be generated using AgNO 3 as the metal ion-containing agent.
  • the electroless plating conditions can be, for example, an immersion time of 300 seconds and a temperature of the second aqueous solution of 26 degrees.
  • the electroless plating is performed while measuring the concentration of metal ions contained in the second aqueous solution and controlling the metal ion concentration to be constant.
  • the concentration of metal ions can be measured, for example, by an electric resistance method. Note that the second aqueous solution is only for attaching metal ions to the surface of the silicon substrate 2 and not for forming the porous layer 3 on the surface of the silicon substrate 2, so that the oxidizing agent and hydrofluoric acid are used. Does not contain.
  • the second aqueous solution contains metal ions but does not contain an oxidizing agent and hydrofluoric acid, so that the concentration of metal ions alone can be measured. Therefore, the manufacturing method according to this embodiment can measure the metal ion concentration more easily than the conventional method using an aqueous solution containing an oxidizing agent and hydrofluoric acid in addition to metal ions. Thus, by controlling the metal ion concentration contained in the second aqueous solution, the amount of metal ions attached to the surface of the silicon substrate 2 can be controlled more reliably.
  • the electrical resistance value is the sum of the resistance values of the metal ions, oxidant, and hydrofluoric acid. It was difficult to measure the concentration of a single metal ion because the resistance value of the metal ion alone could not be measured directly.
  • the second aqueous solution is not shown, but a storage tank storing the second aqueous solution and a plating tank for performing electroless plating are connected by two pipes, and the second aqueous solution is connected to the storage tank and the plating tank by a pump. May be circulated (hereinafter also referred to as “pump circulator”). Further, the second aqueous solution may be stirred with a stirrer in the plating tank, although not shown. As described above, in this embodiment, by performing electroless plating while flowing the second aqueous solution, metal ions can be more reliably attached to the surface of the silicon substrate 2 with a uniform density.
  • step SP3 the silicon substrate 2 is immersed in a third aqueous solution containing hydrofluoric acid and hydrogen peroxide.
  • the hydrogen reduction reaction of hydrogen peroxide solution proceeds by the catalytic action of the metal ions attached to the surface.
  • electrons are extracted from the surface of the silicon substrate 2 in contact with the metal ions in order to compensate for the increase in the amount of electron consumption.
  • holes are generated in the silicon substrate 2 and cause oxidative dissolution of the silicon substrate.
  • the porous layer 3 is formed by the holes (concave) and the portions (convex) where no holes are formed.
  • H 2 O 400 ml to 4000 ml: 400 ml to 2000 ml: 10000 ml to 20000 ml.
  • the concentration of the hydrogen peroxide solution in the third aqueous solution is preferably suppressed to a concentration that does not suppress the etching of metal ions in order to form the porous layer 3 more reliably.
  • the concentration of the hydrogen peroxide solution is preferably 25 to 50% with respect to the concentration of hydrofluoric acid. Since the hydrogen peroxide solution has a stronger ability to take electrons from the silicon substrate than the metal ions, if the concentration of the hydrogen peroxide solution is higher than 50%, the etching rate by the hydrogen peroxide solution is higher than the etching rate by the catalytic action of the metal ions. As a result, the entire surface of the silicon substrate is oxidized and becomes a mirror surface, and the porous layer is not formed. Further, when the concentration with respect to hydrofluoric acid is outside the above range, that is, when the concentration with respect to hydrofluoric acid is higher than 50%, and when the concentration with respect to hydrofluoric acid is less than 25%, The reflectance cannot be reduced.
  • the silicon substrate 2 is immersed in the second aqueous solution containing metal ions, and the silicon substrate 2 Metal ions were allowed to adhere to the surface.
  • the metal ions can be uniformly attached to the surface of the silicon substrate 2 as compared with the conventional case where the metal ions are attached and etched simultaneously.
  • the second aqueous solution contains metal ions, it does not contain oxidant and hydrofluoric acid as in the prior art, so that the concentration of metal ions can be measured more easily. Therefore, in this embodiment, by controlling the concentration of the metal ions contained in the second aqueous solution more reliably, the metal ions can be uniformly attached to the surface of one silicon substrate 2 and the same first Even when the aqueous solution of 2 is used for the plurality of silicon substrates 2, the metal ions can be uniformly attached to the surfaces of the plurality of silicon substrates 2, so that variation in the adhesion amount of the metal ions can be suppressed as a whole.
  • the silicon substrate 2 is immersed in a third aqueous solution containing hydrofluoric acid and hydrogen peroxide solution, and the catalyst for the metal ions is obtained.
  • the porous layer 3 was formed on the surface of the silicon substrate 2 by the reaction. In this way, by controlling the immersion time of the silicon substrate 2 and the ratio of hydrofluoric acid and hydrogen peroxide solution, the size of the holes formed by the catalytic reaction can be controlled. Therefore, in the present embodiment, a texture having a uniform height can be formed on the surface of the silicon substrate 2.
  • the silicon substrate 2 After attaching metal ions to the surface of the silicon substrate 2, the silicon substrate 2 is immersed in a third aqueous solution in which the concentrations of hydrofluoric acid and hydrogen peroxide are controlled, and a porous layer is formed on the surface of the silicon substrate 2. 3 is formed, the texture can be more uniformly formed on the surface of the silicon substrate 2.
  • the third aqueous solution that forms the porous layer 3 deteriorates in proportion to the number of processed silicon substrates 2 and needs to be replaced.
  • the third aqueous solution contains metal ions. Since it is separate from the aqueous solution 2, there is no need to discard metal ions as in the prior art, so that the management of the aqueous solution can be simplified.
  • step SP4 water cleaning is performed, and in step SP5, the silicon substrate 2 is immersed in a fourth aqueous solution containing hydrofluoric acid and nitric acid and etched.
  • a fourth aqueous solution containing hydrofluoric acid and nitric acid and etched.
  • the immersion time can be 240 seconds to 360 seconds.
  • step SP6 the substrate is washed with water, and then the silicon substrate 2 is immersed in an alkaline chemical solution to remove the stain film (step SP7).
  • the stain film is a black-brown film formed on the surface of the silicon substrate 2 by etching.
  • the silicon substrate 2 provided with the porous layer 3 according to the present embodiment can be obtained by washing with water (step SP8).
  • a p-type silicon substrate is used as the silicon substrate 2.
  • the plating conditions in this case were an immersion time of 300 seconds and a temperature of the second aqueous solution of 26 degrees. Further, the second aqueous solution was allowed to flow around the silicon substrate 2 by the pump circulator. The metal ion concentration was measured with a resistance measuring device that measures the resistance of the solution.
  • FIG. 3 shows an SEM (Scanning Electron Microscope) image of the silicon substrate surface 2A to which metal ions are attached in this manner.
  • the metal ions 4 can be uniformly attached to the silicon substrate surface 2A.
  • the silicon substrate 2 was immersed, and the porous layer 3 was formed on the surface of the silicon substrate 2 by the catalytic reaction of the metal ions.
  • An SEM image of the surface of the silicon substrate 2 on which the porous layer 3 is thus formed is shown in FIG.
  • the texture 3 can be more uniformly formed on the surface of the silicon substrate 2.
  • HF concentration 50%
  • HNO 3 concentration 69%)
  • H 2 O 400 ml: 3000 ml: 6000 ml
  • FIG. An SEM image of the surface of the silicon substrate 2 thus etched is shown in FIG.
  • the texture can be more uniformly formed on the surface of the silicon substrate 2.
  • a comparative example in which metal ions were attached and etched at the same time as the above example was prepared.
  • a p-type polycrystalline silicon wafer (boron-doped, 1 to 3 ⁇ cm, 15 ⁇ 15 cm square, thickness 280 ⁇ m) was prepared as a silicon substrate, and the damaged layer on the surface of the silicon substrate was removed with an alkali.
  • HF concentration 50%
  • H 2 O 2 concentration 30%
  • Etching was performed for 3 minutes in a state where the silicon substrate was placed in a tank containing the chemical solution.
  • Etching was performed by immersing a silicon substrate with metal ions attached to the surface in the third aqueous solution for 10 minutes. The surface of the silicon substrate after etching was confirmed. As a result, as shown in FIG. 7, it was found that the greater the amount of hydrogen peroxide added, the more specular the silicon substrate surface.
  • the redox potential of hydrogen peroxide water is 1.78 (V vs. NHE), which is higher than that of metal ions (for example, the redox potential of Ag ions is 0.80 (V vs. NHE)). That is, it can be said that the hydrogen peroxide solution has a stronger ability to take electrons from the silicon substrate than the metal ions. For this reason, it is considered that when the concentration of the hydrogen peroxide solution is high, the etching rate by the hydrogen peroxide solution is faster than the etching rate by the catalytic action of metal ions, and the entire surface of the silicon substrate is oxidized to become a mirror surface.
  • the surface 20D of the silicon substrate becomes a mirror surface when the amount of hydrogen peroxide added is 300 ml or more (FIG. 7D).
  • the amount of hydrogen peroxide added was 100 ml (FIG. 7B) and 200 ml (FIG. 7C)
  • the silicon substrate surfaces 20B and 20C were stained brown. This indicates that etching by metal ions is promoted.
  • the hydrogen peroxide solution was not added (FIG. 7A)
  • the silicon substrate surface 20A became a cloudy color with a thin stain.
  • the reflectance when the silicon substrate after etching was irradiated with light of 800 nm was measured.
  • the result is shown in FIG. From this figure, it was confirmed that the reflectance was lowered when the amount of hydrogen peroxide solution added was 100 ml and 200 ml. Therefore, by applying a silicon substrate etched with a third aqueous solution in which the amount of hydrogen peroxide added is 100 ml and 200 ml to a solar cell, loss due to light reflection can be reduced and light conversion efficiency can be improved. Can be expected.
  • the hydrogen peroxide solution is added in an amount of more than 100 ml and 200 ml or less, that is, the concentration of the hydrogen peroxide solution is 25% or more and 50% or less with respect to the concentration of hydrofluoric acid. It was confirmed that a layer could be formed.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed within the scope of the gist of the present invention.
  • the present invention is not limited to this, and Au ions, Cu ions, Pt ions, Pd ions, and the like can be applied.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

シリコン基板表面にテクスチャを均一に形成することができる太陽電池の製造方法を提供する。フッ化水素酸を含有する第１の水溶液に前記シリコン基板（２）を浸漬し、前記シリコン基板（２）表面の自然酸化膜を除去するステップと、前記金属イオンを含有する第２の水溶液に、前記自然酸化膜を除去した前記シリコン基板（２）を浸漬し、無電解めっきにより前記金属イオンを前記シリコン基板（２）表面に付着させるステップと、フッ化水素酸と過酸化水素水を含有する第３の水溶液に、前記金属イオンを付着させた前記シリコン基板（２）を浸漬し、前記金属イオンの触媒反応により前記シリコン基板（２）表面に多孔質層（３）を形成するステップとを備えることを特徴とする。

Description

太陽電池の製造方法
　本発明は、太陽電池の製造方法に関し、特にシリコン基板の表面に多孔質層を形成する方法に関するものである。
　石炭や石油などの代替エネルギーとして、クリーン、かつ無尽蔵なエネルギー源として太陽光が注目されており、当該太陽光の光エネルギーを電気エネルギーに変換する太陽電池の普及が一層期待されている。
　太陽電池の表面には、太陽光を効果的に取り込む役割を有する微細な凹凸（以下、「テクスチャ」という。）が無数に形成されている。単結晶シリコンの場合、アルカリ液を用いてSi（100）面をエッチングすることにより、容易にピラミッド構造のテクスチャを得ることができる。一方、多結晶シリコンの場合は、シリコン基板表面に種々の結晶方位が出現しているため、単結晶シリコンのようにシリコン基板表面全体に均一なテクスチャを形成することは難しい。
　多結晶シリコンからなるシリコン基板表面にテクスチャを形成する方法として、金属イオンを含有する、酸化剤とフッ化水素酸の混合水溶液に、シリコン基板を浸すことにより、シリコン基板の表面に多孔質層を形成する方法（例えば、特許文献１）が開示されている。また、金属イオンを含有する酸化剤とフッ化水素酸の混合水溶液にシリコン基板を浸漬して当該シリコン基板表面に多孔質層を形成する第一工程と、前記第一工程を経たシリコン基板表面をフッ化水素酸及び硝酸を主とした混酸に浸漬してエッチングしてテクスチャを形成する第２工程とを備える方法（例えば、特許文献２）が開示されている。
　上記特許文献２によると、上記特許文献１の方法により形成したテクスチャを有するシリコン基板は、反射率が低いもののシリコン基板表面が変色し、結果として太陽電池の特性が大幅に劣化するという問題がある。これに対し、上記特許文献２の方法では、上記特許文献１と同様の工程を経たシリコン基板表面をフッ化水素酸及び硝酸を主とした混酸に浸漬してエッチングしてテクスチャを形成することにより、反射率の低減効果を残したまま清浄なシリコン面が得られるとともに、孔の底の金属をも除去できるので、特性の高い太陽電池を製造することができるという効果が得られると、上記特許文献２に記載されている。
特許第3925867号公報 特許第4610669号公報
　しかしながら、上記特許文献１及び２では、いずれも金属イオンを含有する酸化剤とフッ化水素酸の混合水溶液にシリコン基板を浸すことにより、当該シリコン基板表面において金属イオンの付着とエッチングとが同時進行するので、金属イオンの付着量とエッチング量とを管理することが困難である。金属イオンの付着量のバラツキは、エッチングにより形成される孔の密度のバラツキの原因となる。また、エッチング量のバラツキは、エッチングにより形成される孔の大きさのバラツキの原因となる。金属イオンの付着量とエッチング量のバラツキは、シリコン基板表面全体において生じるだけでなく、同じ混合水溶液を使用した複数のシリコン基板間でも、混合水溶液の劣化により生じてしまう。したがって、金属イオンの付着量とエッチング量のバラツキが生じることにより、上記特許文献１及び２では、シリコン基板表面に大きさや密度が均一なテクスチャを形成することが困難であるという問題があった。
　そこで、本発明は、シリコン基板表面にテクスチャをより均一に形成することができる太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
　本発明の請求項１に係る太陽電池の製造方法は、金属イオンを用いたエッチングによりシリコン基板の表面に多孔質層を形成する太陽電池の製造方法において、フッ化水素酸を含有する第１の水溶液に前記シリコン基板を浸漬し、前記シリコン基板表面の自然酸化膜を除去するステップと、前記金属イオンを含有する第２の水溶液に前記自然酸化膜を除去した前記シリコン基板を浸漬し、無電解めっきにより前記金属イオンを前記シリコン基板表面に付着させるステップと、フッ化水素酸と過酸化水素水とを含有する第３の水溶液に前記金属イオンを表面に付着させた前記シリコン基板を浸漬し、前記金属イオンの触媒反応により前記シリコン基板表面に前記多孔質層を形成するステップとを備えることを特徴とする。
　本発明の請求項１によれば、エッチングによる多孔質層の形成に先立ち、シリコン基板表面に金属イオンを付着させることとした。これにより金属イオンの付着とエッチングとを同時に行う従来に比べ、金属イオンをより均一にシリコン基板表面に付着させることができる。次いで、前記金属イオンの触媒反応により前記シリコン基板表面に多孔質層を形成することとした。これによりシリコン基板の浸漬時間及びフッ化水素酸と過酸化水素水の比率を制御することにより、触媒反応により形成される孔の大きさを制御することができる。したがってシリコン基板表面に、大きさや密度がより均一なテクスチャを形成することができる。
本実施形態に係る太陽電池の全体構成を示す斜視図である。 本実施形態に係る太陽電池の製造方法を示すフローチャートである。 金属イオンを付着させたシリコン基板表面のＳＥＭ画像である。 本実施形態に係る製造方法において、多孔質層を形成した実施例を示すシリコン基板表面のＳＥＭ画像である。 本実施形態に係る製造方法において、フッ硝酸を主体とした混酸で多孔質層をエッチングしてシリコン基板表面に形成したテクスチャのＳＥＭ画像である。 従来の作製方法による比較例を示すシリコン基板表面のＳＥＭ画像である。 フッ化水素酸に対する過酸化水素水の添加量を変えてエッチングを行ったシリコン基板表面の写真であり、図７Ａは０ｍｌ、図７Ｂは１００ｍｌ、図７Ｃは２００ｍｌ、図７Ｄは３００ｍｌの結果を示す写真である。 図７に示すシリコン基板の反射率を測定した結果を示すグラフである。
　１　　太陽電池
　２　　シリコン基板
　３　　多孔質層
　以下、図面を参照して本発明に係る実施形態について詳細に説明する。図１に示す太陽電池１は、光電変換を行うシリコン基板２と、当該シリコン基板２表面をテクスチャ形状に加工した多孔質層３とを備え、多孔質層３が形成された受光面から入射した光をシリコン基板２において電気エネルギーに変換する。多孔質層３は、シリコン基板２表面に入射した光が透過・反射を繰り返し、その結果、平坦なシリコン基板表面に比べより多くの光をシリコン基板２内に導く。多孔質層３に形成された微細なテクスチャは、高さや密度が均一である方が不均一であるよりも入射した光を効率的に閉じ込められることが一般に知られている。なお、テクスチャの高さとは凹凸の高低差をいい、密度は単位面積当たりの凹または凸の数をいう。本実施形態に係る太陽電池１は、多孔質層３に微細なテクスチャが従来に比べ均一に形成されている点が特徴的であって、その他は従来と同じ構成である。
　実際上、太陽電池１は、図示しないが、ｐ型シリコン基板に対し、多孔質層３を形成する受光面側に拡散層、反射防止膜、グリッド電極が順に形成されており、裏面側に裏面電界層、裏面電極が順に形成されている。反射防止膜は、光の反射を抑制するために、多孔質層３の表面に形成されている。反射防止膜は、例えば、化学気相成長（CVD：Chemical Vapor Deposition）法などで形成される酸化チタン（TiO2）膜や窒化シリコン（SiN）膜の単層構造の膜で構成される。
　次に多孔質層３の形成方法について図２を参照して説明する。以下の記載において、濃度は質量％である。
　まず、ステップＳＰ１においてフッ化水素酸を含有する第１の水溶液に前記シリコン基板２を浸漬し、前記シリコン基板２表面の自然酸化膜を除去する。この場合の第１の水溶液の容量比はＨＦ（濃度５０％）：Ｈ２Ｏ＝４００ｍｌ～５０００ｍｌ：１２００ｍｌ～１５０００ｍｌであり、浸漬時間は６０秒～３６０秒とすることができる。なお、第１の水溶液はシリコン基板２表面の自然酸化膜を除去することのみを目的としているため、金属イオンを含有しない。
　次にステップＳＰ２において、金属イオンを含有する第２の水溶液に前記シリコン基板２を浸漬し、無電解めっきにより前記金属イオンを前記シリコン基板２表面に付着させる。金属イオンは、例えば、Ａｇイオンを適用することができる。金属イオンとしてＡｇイオンを適用する場合、金属イオン含有剤としてＡｇＮＯ３を用いて第２の水溶液を生成することができる。この場合の第２の水溶液の容量比は金属イオン含有剤（濃度１Ｅ-４Ｍ～８Ｅ-４Ｍ）：Ｈ２Ｏ＝５．０ｍｌ～１５ｍｌ：５０００ｍｌ～１５０００ｍｌである。無電解めっきの条件は、例えば、浸漬時間を３００秒、第２の水溶液の温度を２６度とすることができる。無電解めっきは、第２の水溶液に含まれる金属イオンの濃度を測定し、当該金属イオン濃度を一定に制御しながら行う。金属イオンの濃度は、例えば、電気抵抗法で測定することができる。なお、第２の水溶液は金属イオンをシリコン基板２表面に付着させることのみを目的としており、シリコン基板２表面に多孔質層３を形成することは目的としていないため、酸化剤とフッ化水素酸を含有しない。
　本実施形態の場合、第２の水溶液は、金属イオンを含有するが酸化剤とフッ化水素酸を含有しないから金属イオン単体の濃度を測定することができる。したがって、本実施形態に係る製造方法は、金属イオンに加え酸化剤とフッ化水素酸とを含む水溶液を用いる従来に比べ、より容易に金属イオン濃度を測定することができる。このように第２の水溶液に含まれる金属イオン濃度を制御することにより、シリコン基板２表面に付着させる金属イオンの量をより確実に制御することができる。
　因みに、金属イオンを含有する酸化剤とフッ化水素酸の混合水溶液にシリコン基板を浸漬する従来の方法では、電気抵抗値が金属イオンと酸化剤とフッ化水素酸のそれぞれの抵抗値の和として計測され、金属イオンのみの抵抗値を直接計測することができないため、金属イオン単体の濃度を測定することが困難だった。
　また、本実施形態の場合、無電解めっきは、第２の水溶液を流動しながら行うのが好ましい。例えば、第２の水溶液は、図示しないが、第２の水溶液を貯留した貯蔵タンクと、無電解めっきを行うめっき槽を２つの配管で連通し、ポンプで第２の水溶液を貯留タンクとめっき槽間を循環させてもよい（以下、「ポンプ循環器」ともいう）。また、第２の水溶液は、図示しないが、めっき槽内において、スターラーで撹拌することとしてもよい。このように本実施形態では、第２の水溶液を流動しながら無電解めっきを行うことにより、より確実に均一な密度で金属イオンをシリコン基板２表面に付着させることができる。
　次にステップＳＰ３において、フッ化水素酸と過酸化水素水を含有する第３の水溶液に前記シリコン基板２を浸漬する。シリコン基板２では、表面に付着した前記金属イオンの触媒作用による過酸化水素水の水素還元反応が進む。そうすると、電子消費量の増加分を補うため金属イオンに接するシリコン基板２表面から電子が引き抜かれる。この結果、シリコン基板２に正孔が生成され、シリコン基板の酸化的溶解を引き起こすことになる。このようにして前記シリコン基板２表面に孔が無数に形成され、孔（凹）と孔が形成されていない部分（凸）とで多孔質層３が形成される。この場合の第３の水溶液の容量比はＨＦ（濃度５０％）：Ｈ２Ｏ２（濃度３０％）：Ｈ２Ｏ＝４００ｍｌ～４０００ｍｌ：４００ｍｌ～２０００ｍｌ：１００００ｍｌ～２００００ｍｌである。シリコン基板２の浸漬時間を制御することにより、多孔質層３を構成する孔の大きさを制御する。例えば、孔（凹）が大きいと、孔が形成されていない部分（凸）との高低差が大きくなるので、テクスチャの高さが大きくなる。なお、第３の水溶液は、エッチングによりシリコン基板２表面に多孔質層３を形成することのみを目的としており、シリコン基板２表面に金属イオンを付着させることを目的としていないため、金属イオンを含有しない。
　第３の水溶液における過酸化水素水の濃度は、より確実に多孔質層３を形成するため、金属イオンのエッチングを抑制しない程度の濃度に抑えることが好ましい。具体的には、過酸化水素水の濃度は、フッ化水素酸の濃度に対し、２５～５０％であるのが好ましい。過酸化水素水は、金属イオンよりシリコン基板から電子を奪う力が強いので、過酸化水素水の濃度が５０％より高いと、金属イオンの触媒作用によるエッチング速度より過酸化水素水によるエッチング速度の方が早くなり、シリコン基板の表面全体が酸化されて鏡面になってしまい、多孔質層が形成されなくなってしまう。また、過酸化水素水は、フッ化水素酸に対する濃度が上記範囲外の場合、すなわちフッ化水素酸に対する濃度が５０％より高い場合、及びフッ化水素酸に対する濃度が２５％より小さい場合には、反射率を低下させることができない。
　上記したように、本実施形態に係る太陽電池１の製造方法では、エッチングによる多孔質層３の形成に先立ち、金属イオンを含有する第２の水溶液にシリコン基板２を浸漬し、当該シリコン基板２表面に金属イオンを付着させることとした。これにより、金属イオンの付着とエッチングとを同時に行う従来に比べ、金属イオンを均一にシリコン基板２表面に付着させることができる。
　しかも、第２の水溶液は、金属イオンを含有するが、従来のように酸化剤とフッ化水素酸とを含まないので、金属イオンの濃度をより容易に測定することができる。したがって、本実施形態では、第２の水溶液に含有される金属イオンの濃度をより確実に制御することにより、一つのシリコン基板２表面内に金属イオンを均一に付着させることができるとともに、同じ第２の水溶液を複数のシリコン基板２に用いた場合でも複数のシリコン基板２の表面に均一に金属イオンを付着させることができるので、全体として金属イオンの付着量のバラツキを抑制することができる。
　さらに、本実施形態では、シリコン基板２表面に金属イオンを付着させた後、フッ化水素酸と過酸化水素水を含有する第３の水溶液に前記シリコン基板２を浸漬し、前記金属イオンの触媒反応により前記シリコン基板２表面に多孔質層３を形成することとした。このように、シリコン基板２の浸漬時間及びフッ化水素酸と過酸化水素水の比率を制御することにより、触媒反応により形成される孔の大きさを制御することができる。したがって、本実施形態では、シリコン基板２表面により均一な高さのテクスチャを形成することができる。
　金属イオンをシリコン基板２表面に付着させた後、フッ化水素酸と過酸化水素水の濃度を管理した第３の水溶液に前記シリコン基板２を所定時間浸漬し、シリコン基板２表面に多孔質層３を形成することとしたから、シリコン基板２表面にテクスチャをより均一に形成することができる。
　多孔質層３を形成する第３の水溶液は、シリコン基板２の加工数に比例して劣化するので交換する必要があるが、本実施形態の場合、第３の水溶液が金属イオンを含有する第２の水溶液と別体であるから、従来のように金属イオンを廃棄する必要がないので、水溶液の管理を簡略化することができる。
　なお、上記ステップＳＰ３の後に下記のステップを追加することとしてもよい。すなわち、ステップＳＰ４において、水洗浄をし、ステップＳＰ５でフッ化水素酸と硝酸とを含有する第４の水溶液に前記シリコン基板２を浸漬し、エッチングする。これにより、本実施形態では、金属イオンを除去するという効果を得ることができる。この場合、第４の水溶液の容量比は、ＨＦ（濃度５０％）：ＨＮＯ３（濃度６９％）：Ｈ２Ｏ＝１００ｍｌ～５００ｍｌ：６００ｍｌ～３０００ｍｌ：１００００ｍｌ～５００００ｍｌである。浸漬時間は、２４０秒～３６０秒とすることができる。
　次にステップＳＰ６において、水洗浄をし、次いでアルカリ薬液に前記シリコン基板２を浸漬し、ステイン膜を除去する（ステップＳＰ７）。ステイン膜とは、エッチングによりシリコン基板２表面に形成される黒褐色の膜をいう。最後に水洗浄することにより、本実施形態に係る多孔質層３を備えたシリコン基板２を得ることができる（ステップＳＰ８）。
　次に、上記実施形態に係る太陽電池１の製造方法の実施例について説明する。本実施例ではシリコン基板２にｐ型シリコン基板を用いた。容量比をＨＦ（濃度５０％）：Ｈ２Ｏ＝１２００ｍｌ：１００００ｍｌに調整した第１の水溶液にシリコン基板２を３００秒浸漬し、自然酸化膜を除去した。次いで、容量比をＡｇＮＯ３（濃度３Ｅ-４Ｍ）：Ｈ２Ｏ＝３ｍｌ：１００００ｍｌに調整した第２の水溶液に前記シリコン基板２を立てた状態で浸漬し、無電解めっきにより前記金属イオンを前記シリコン基板２表面に付着させた。この場合のめっき条件は、浸漬時間を３００秒、第２の水溶液の温度を２６度とした。また、ポンプ循環器によりシリコン基板２の周囲を第２の水溶液が流動するようにした。なお、金属イオンの濃度は、溶液の抵抗を測定する抵抗測定装置により測定した。
　このようにして金属イオンを付着させたシリコン基板表面２ＡのＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）画像を図３に示す。本図から明らかなように、本実施形態に係る太陽電池１の製造方法によれば、金属イオン４をシリコン基板表面２Ａにより均一に付着させることができる。
　次いで、フッ化水素酸と過酸化水素水の容量比をＨＦ（濃度５０％）：Ｈ２Ｏ２（濃度３０％）：Ｈ２Ｏ＝１２００ｍｌ：６００ｍｌ：１００００ｍｌに調整した第３の水溶液に前記シリコン基板２を浸漬し、前記金属イオンの触媒反応により前記シリコン基板２表面に多孔質層３を形成した。このようにして多孔質層３が形成されたシリコン基板２表面のＳＥＭ画像を図４に示す。本図から明らかなように、本実施例に係る太陽電池１の製造方法によれば、シリコン基板２表面にテクスチャ３をより均一に形成することができる。
　次いで、フッ化水素酸と硝酸の容量比を、ＨＦ（濃度５０％）：ＨＮＯ３（濃度６９％）：Ｈ２Ｏ＝４００ｍｌ：３０００ｍｌ：６０００ｍｌに調整した第４の水溶液に多孔質層を形成したシリコン基板２を浸漬し、エッチングした。このようにしてエッチングされたシリコン基板２表面のＳＥＭ画像を図５に示す。本図からも明らかなように、本実施例に係る太陽電池１の製造方法によれば、シリコン基板２表面にテクスチャをより均一に形成することができる。
　上記実施例に対し、金属イオンの付着とエッチングとを同時に行った比較例を作製した。本比較例は、シリコン基板としてｐ型多結晶シリコンウェハ（ボロンドープ、１～３Ωｃｍ、１５×１５ｃｍ角、厚さ２８０μｍ）を用意し、シリコン基板表面のダメージ層をアルカリで除去した。その後、ＨＦ（濃度５０％）：Ｈ２Ｏ２（濃度３０％）：Ｈ２Ｏ：ＡｇＮＯ３（０．１Ｍ）＝４００ｍｌ：２００ｍｌ：１６００ｍｌ：４．４ｍｌ（［Ａｇ＋］＝２Ｅ－４Ｍ）の薬液が入った槽に、シリコン基板を立てた状態で、３分間エッチングを行った。その後、前記シリコン基板の水洗、乾燥を経て、ＨＦ（濃度５０％）：ＨＮＯ３（濃度６９％）：Ｈ２Ｏ：＝１：９：１５という容量比の混酸で３分間エッチングを行った。このように作製された比較例のＳＥＭ画像を図６に示す。本図から明らかなように、本比較例によれば、ナノサイズの四角い穴１０が多数形成されており、テクスチャの大きさにバラツキが大きいことが確認できた。
　次に、第３の水溶液における過酸化水素水の濃度が多孔質層の形成に及ぼす影響を調べた。容量比がＨＦ（濃度５０％）：Ｈ２Ｏ＝４００ｍｌ：８０００ｍｌであるフッ化水素酸の水溶液に対し、過酸化水素水（濃度５０％）を、０ｍｌ、１００ｍｌ、２００ｍｌ、３００ｍｌ、４００ｍｌ、５００ｍｌ添加した６種類の第３の水溶液を生成した。前記第３の水溶液に、それぞれ金属イオンを表面に付着させたシリコン基板を１０分間浸漬し、エッチングを行った。エッチング後のシリコン基板表面を確認した。その結果、図７に示すように、過酸化水素水の添加量が多いほど、シリコン基板表面が鏡面になることが分かった。
　過酸化水素水の酸化還元電位は１．７８（Ｖ　ｖｓ．ＮＨＥ）であり、金属イオン（例えばＡｇイオンの酸化還元電位は０．８０（Ｖ　ｖｓ．ＮＨＥ））に比べ高い。すなわち、過酸化水素水は、金属イオンよりシリコン基板から電子を奪う力が強い、といえる。このため、過酸化水素水の濃度が高いと、金属イオンの触媒作用によるエッチング速度より過酸化水素水によるエッチング速度の方が早くなり、シリコン基板の表面全体が酸化されて鏡面になると考えられる。
　本実施例の結果から、過酸化水素水の添加量が３００ｍｌ以上のとき（図７Ｄ）、シリコン基板表面２０Ｄが鏡面になることが確認された。一方、過酸化水素水の添加量が１００ｍｌ（図７Ｂ）、２００ｍｌ（図７Ｃ）のとき、シリコン基板表面２０Ｂ、２０Ｃがステインで茶褐色になった。これは、金属イオンによるエッチングが促進されたことを示している。また、過酸化水素水を添加しなかった場合（図７Ａ）、シリコン基板表面２０Ａは薄いステインで白濁色になった。
　次に、エッチング後のシリコン基板に８００ｎｍの光を照射した際の反射率を測定した。その結果を図８に示す。本図から、過酸化水素水の添加量を１００ｍｌ、２００ｍｌとすることにより、反射率が低下することが確認できた。したがって、過酸化水素水の添加量を１００ｍｌ、２００ｍｌとした第３の水溶液によりエッチングを行ったシリコン基板を太陽電池に適用することにより、光の反射によるロスを低減でき、光の変換効率の向上が期待できる。
　このことから、過酸化水素水は、添加量を１００ｍｌより多く、２００ｍｌ以下、すなわち、過酸化水素水の濃度がフッ化水素酸の濃度に対し２５％以上５０％以下とすることにより、多孔質層を形成できることが確認された。
（変形例）
　本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲内で適宜変更することが可能である。
　例えば、上記実施形態では金属イオンとしてＡｇイオンを適用した場合について説明したが、本発明はこれに限らず、Ａｕイオン、Ｃｕイオン、Ｐｔイオン、Ｐｄイオンなどを適用することができる。

Claims (7)

  1. 金属イオンを用いたエッチングによりシリコン基板の表面に多孔質層を形成する太陽電池の製造方法において、
    フッ化水素酸を含有する第１の水溶液に前記シリコン基板を浸漬し、前記シリコン基板表面の自然酸化膜を除去するステップと、
    前記金属イオンを含有する第２の水溶液に、前記自然酸化膜を除去した前記シリコン基板を浸漬し、無電解めっきにより前記金属イオンを前記シリコン基板表面に付着させるステップと、
    フッ化水素酸と過酸化水素水とを含有する第３の水溶液に、前記金属イオンを表面に付着させた前記シリコン基板を浸漬し、前記金属イオンの触媒反応により前記シリコン基板表面に前記多孔質層を形成するステップと
    を備えることを特徴とする太陽電池の製造方法。
  2. 前記金属イオンを前記シリコン基板表面に付着させるステップにおいて、前記金属イオンの濃度を測定し、当該金属イオン濃度を一定に制御することを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
  3. 前記第３の水溶液は、過酸化水素水の濃度がフッ化水素酸に対し２５％～５０％であることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
  4. フッ化水素酸と硝酸とを含有する第４の水溶液に、前記多孔質層を形成した前記シリコン基板を浸漬し、エッチングするステップを備えることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
  5. さらにアルカリ薬液に前記シリコン基板を浸漬し、エッチングするステップを備えることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
  6. 前記シリコン基板表面に前記多孔質層を形成するステップにおいて、
    前記シリコン基板の浸漬時間、及び
    前記フッ化水素酸と前記過酸化水素水の比率
    を制御することにより、前記多孔質層を構成する孔の大きさを制御することを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
  7. 前記金属イオンを前記シリコン基板表面に付着させるステップにおいて、前記金属イオンを含有する前記第２の水溶液を流動させながら、無電解めっきを行うことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
PCT/JP2012/069445 2011-10-07 2012-07-31 太陽電池の製造方法 WO2013051329A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201280048866.9A CN103918090B (zh) 2011-10-07 2012-07-31 太阳电池的制造方法
KR1020147011341A KR101442461B1 (ko) 2011-10-07 2012-07-31 태양 전지의 제조 방법
SG11201401113RA SG11201401113RA (en) 2011-10-07 2012-07-31 Method for manufacturing solar cell
TW101128542A TWI489646B (zh) 2011-10-07 2012-08-08 Method for manufacturing solar cells

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011223205 2011-10-07
JP2011-223205 2011-10-07
JP2012-048340 2012-03-05
JP2012048340A JP5467697B2 (ja) 2011-10-07 2012-03-05 太陽電池の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013051329A1 true WO2013051329A1 (ja) 2013-04-11

Family

ID=48043500

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2012/069445 WO2013051329A1 (ja) 2011-10-07 2012-07-31 太陽電池の製造方法

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP5467697B2 (ja)
KR (1) KR101442461B1 (ja)
CN (1) CN103918090B (ja)
SG (1) SG11201401113RA (ja)
TW (1) TWI489646B (ja)
WO (1) WO2013051329A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2500810A (en) * 2012-03-23 2013-10-02 Nexeon Ltd Methods of etching silicon of a material comprising silicon
JP2017504179A (ja) * 2013-04-12 2017-02-02 ▲蘇▼州阿特斯▲陽▼光▲電▼力科技有限公司 結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造及びその製造方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2866616A1 (en) * 2012-03-19 2013-09-26 Alliance For Sustainable Energy, Llc Copper-assisted, anti-reflection etching of silicon surfaces
JP2015053398A (ja) * 2013-09-06 2015-03-19 株式会社ジェイ・イー・ティ 太陽電池の製造方法
CN107978511A (zh) * 2017-11-20 2018-05-01 武汉新芯集成电路制造有限公司 氧化层及半导体器件的形成方法
KR102046255B1 (ko) 2018-06-21 2019-11-18 한국생산기술연구원 나노 텍스쳐링 구조를 갖는 태양전지의 제조방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003105209A1 (ja) * 2002-06-06 2003-12-18 関西ティー・エル・オー株式会社 太陽電池用多結晶シリコン基板の製造方法
JP2009152302A (ja) * 2007-12-19 2009-07-09 Canon Inc 光起電力素子の形成方法
WO2009117642A2 (en) * 2008-03-21 2009-09-24 Alliance For Sustainable Energy, Llc Anti-reflection etching of silicon surfaces catalyzed with ionic metal solutions

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007194485A (ja) 2006-01-20 2007-08-02 Osaka Univ 太陽電池用シリコン基板の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003105209A1 (ja) * 2002-06-06 2003-12-18 関西ティー・エル・オー株式会社 太陽電池用多結晶シリコン基板の製造方法
JP2009152302A (ja) * 2007-12-19 2009-07-09 Canon Inc 光起電力素子の形成方法
WO2009117642A2 (en) * 2008-03-21 2009-09-24 Alliance For Sustainable Energy, Llc Anti-reflection etching of silicon surfaces catalyzed with ionic metal solutions

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
D.Z.DIMITROV: "Nanotextured crystalline silicon solar cells", PHYSICA STATUS SOLIDI (A), vol. 208, no. 12, 29 August 2011 (2011-08-29), pages 2926 - 2933 *
KAZUYA TSUJINO: "Wet Etching for Fabricating Low Reflective Textured Surface on Crystalline Silicon Wafers for Solar Cells", THE JOURNAL OF THE SURFACE FINISHING SOCIETY OF JAPAN, vol. 56, no. 12, 2005, pages 843 - 846 *
S.K. SRIVASTAVA: "Silver catalyzed nano-texturing of silicon surfaces for solar cell applications", SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, vol. 100, 20 May 2011 (2011-05-20), pages 33 - 38, XP028902554, DOI: doi:10.1016/j.solmat.2011.05.003 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2500810A (en) * 2012-03-23 2013-10-02 Nexeon Ltd Methods of etching silicon of a material comprising silicon
GB2500810B (en) * 2012-03-23 2016-06-29 Nexeon Ltd Method of forming etched silicon powder and uses thereof
JP2017504179A (ja) * 2013-04-12 2017-02-02 ▲蘇▼州阿特斯▲陽▼光▲電▼力科技有限公司 結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI489646B (zh) 2015-06-21
KR101442461B1 (ko) 2014-09-22
KR20140105437A (ko) 2014-09-01
CN103918090B (zh) 2016-03-23
SG11201401113RA (en) 2014-08-28
TW201324833A (zh) 2013-06-16
JP5467697B2 (ja) 2014-04-09
JP2013093537A (ja) 2013-05-16
CN103918090A (zh) 2014-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5467697B2 (ja) 太陽電池の製造方法
TWI625864B (zh) 一種晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法
JP5763709B2 (ja) イオン性金属溶液を用いて触媒処理されたシリコン表面の反射防止エッチング
JP4610669B2 (ja) 太陽電池の製造方法
CN102299207B (zh) 用于太阳电池的多孔金字塔型硅表面陷光结构制备方法
WO2012157179A1 (ja) 太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法
JP2013093537A5 (ja)
JP5866477B2 (ja) シリコン表面の銅支援反射防止エッチング
CN106229386B (zh) 一种银铜双金属mace法制备黑硅结构的方法
JP2017504179A (ja) 結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造及びその製造方法
KR20090077274A (ko) 나노 텍스쳐링 구조를 갖는 반도체 웨이퍼 기판을 포함하는벌크형 태양전지의 제조방법
CN103066160B (zh) 一种太阳电池硅片表面生成多孔硅的方法
KR101212896B1 (ko) 태양전지용 다결정실리콘 웨이퍼의 표면 처리용 텍스쳐링제 및 처리방법
WO2015033864A1 (ja) 太陽電池の製造方法
Imamura et al. Light trapping of crystalline Si solar cells by use of nanocrystalline Si layer plus pyramidal texture
WO2017221710A1 (ja) 太陽電池の製造方法
JP2010245568A (ja) 太陽電池の製造方法
JP5724718B2 (ja) 太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法
JP2014146712A (ja) 太陽電池および太陽電池の製造方法
JP5724614B2 (ja) 太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法
TW201222653A (en) Method of forming micro-pore structure or recess structure on silicon chip substrate surface
Tsujino et al. Texturization of multicrystalline silicon wafers by chemical treatment using metallic catalyst
Dönerçark et al. Optical light management by self‐arrangement of inverted tetragonal pyramids on the silicon surface through copper‐assisted etching technique in a single step
CN114551615A (zh) 单面黑硅制绒方法及由其制作的单面黑硅
Pant et al. Fabrication of nanowire arrays over micropyramids for efficient Si solar cell

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201280048866.9

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12839044

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20147011341

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12839044

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1