CN102792437B - 静电吸盘 - Google Patents
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Abstract
本发明是一种静电吸盘,其具备:陶瓷板,在主面上设有凹部且在内部设有电极;调温板,接合在陶瓷板上;第1接合剂,设置在陶瓷板与调温板之间;及加热器,设置在陶瓷板的凹部内,第1接合剂具有主剂、无定形填充物、球形填充物,球形填充物的平均直径与全部无定形填充物的短径的最大值相比更大,第1接合剂的厚度或者与球形填充物的平均直径相同或者更大,凹部的宽度与加热器的宽度相比更宽,凹部的深度与加热器的厚度相比更深,加热器被第2接合剂粘结在凹部内,加热器的调温板侧的主面与调温板的主面之间的第1距离长于陶瓷板的主面与调温板的主面之间的第2距离。
Description
技术领域
本发明涉及静电吸盘。
背景技术
在真空燃烧室内对被处理基板进行处理的流程中,作为保持固定被处理基板的方法而使用静电吸盘。近几年,为了缩短生产节拍时间,对使用高密度等离子的流程进行了普遍化。因此,需要将从高密度等离子流入被处理基板的热流束有效地向静电吸盘外除去的方法。
例如,公开有用接合剂将调温部接合在静电吸盘下侧的构造(例如,参照专利文献1)。在该构造中,用橡胶等接合剂将带有电极的陶瓷板粘结在导电体的金属基座基板上。流入被处理基板的热流束如下,通过静电吸盘,传导到流通有冷媒的调温部,由冷媒排热到静电吸盘外。
但是,与金属基座基板、陶瓷板的热传导率相比,由树脂构成的接合剂的热传导率低1、2个数位(digit)。从而,接合剂可成为对于热的阻力。因此,要想有效地排热,则需要尽可能地使接合剂变薄。然而,如果使接合剂变薄,则无法用接合剂来缓解因金属基座基板与陶瓷板的温差或金属基座基板与陶瓷板的热膨胀系数差而发生的金属基座基板与陶瓷板的错开,其粘结力降低。对此,公开有如下构造(例如,参照专利文献2),为了提高接合剂的热传导率,将热传导填充物混合分散在接合剂中。
另外,最近,需要在流程中能够使被处理基板发生急速的温度变化的静电吸盘。为了对应于此,例如存在如下静电吸盘的公开例(例如,参照专利文献3),用较厚的陶瓷板夹住板状的加热器,将这些接合在金属基座基板上。
专利文献1:日本国特开昭63-283037号公报
专利文献2:日本国特开平02-027748号公报
专利文献3:日本国特开2005-347559号公报
但是,如果用较厚的陶瓷板夹住加热器,则从被处理基板到金属基座基板(以下,调温板)的距离变长,而且接合剂的层数变多,因此冷却性能降低。另外,由于在加热器上下配置较厚的陶瓷板,因此静电吸盘的热容变大,加热时的响应也变差。
为了解决这样的问题,需要减小陶瓷板的厚度、接合剂的层数。但是,如果用较薄的陶瓷板与调温板夹住加热器,将这些用混合分散有热传导填充物的单层接合剂进行粘结,则通过加热器而在陶瓷板上集中粘结压力,有可能在陶瓷板上产生裂纹。
发明内容
本发明的课题在于提供一种静电吸盘,其能够抑制在陶瓷板上产生裂纹,同时能够对被处理基板进行急速的加热冷却。
第1发明如下,涉及静电吸盘,具备:陶瓷板,在主面上设有凹部且在内部设有电极;调温板,接合在所述陶瓷板上;第1接合剂,设置在所述陶瓷板与所述调温板之间;及加热器,设置在所述陶瓷板的所述凹部内,所述第1接合剂具有:第1主剂,包含有机材料;第1无定形填充物,包含无机材料;及第1球形填充物,包含无机材料,其特征为,在所述第1主剂中,所述第1无定形填充物与所述第1球形填充物分散配合,所述第1主剂、所述第1无定形填充物与所述第1球形填充物由电绝缘性材料构成,所述第1球形填充物的平均直径与全部所述第1无定形填充物的短径的最大值相比更大,所述第1接合剂的厚度或者与所述第1球形填充物的平均直径相同或者更大,所述凹部的宽度与所述加热器的宽度相比更宽,所述凹部的深度与所述加热器的厚度相比更深,所述加热器被第2接合剂粘结在所述凹部内,所述加热器的所述调温板侧的主面与所述调温板的主面之间的第1距离长于所述陶瓷板的所述主面与所述调温板的主面之间的第2距离。
使形成有加热器的陶瓷板与调温板相对,分别用第1接合剂进行粘结而做成一体化,从而能够确保加热器周围的电绝缘性。
另外,由于第1球形填充物与第1无定形填充物是无机材料,因此易于控制各自的大小(例如直径)。由此,与第1接合剂的第1主剂的混合分散变得容 易。由于第1接合剂的第1主剂、第1无定形填充物与第1球形填充物是电绝缘性材料,因此能够确保电极周围的电绝缘性。
而且,第1球形填充物的平均直径与全部第1无定形填充物的短径的最大值相比更大。因此,通过第1球形填充物能够将第1接合剂的厚度控制成或者与第1球形填充物的平均直径相同或者大于平均直径。由此,在第1接合剂的热压硬化时,不会因无定形填充物而向陶瓷板外加局部应力,能够防止在陶瓷板上产生裂纹。
另外,加热器的调温板侧的主面与调温板的主面之间的第1距离长于陶瓷板的凹部间的主面与调温板的主面之间的第2距离,因此因球形填充物而在热压硬化时的压力难以传导到加热器上。由此,在热压硬化时的压力也不会通过加热器而传导到凹部内的厚度较薄的陶瓷板上,防止在陶瓷板上产生裂纹。而且,在加热器的上下,存在第1接合剂与第2接合剂,因此即使加热器急速伸缩,由加热器引起的应力难以传递到陶瓷板上。其结果,抑制陶瓷板发生裂开。
第2发明如下,在第1发明中,其特征为,所述第1球形填充物的平均直径与所述无定形填充物的短径的最大值相比还要大10μm以上。
如果使第1球形填充物的平均直径与第1无定形填充物的短径的最大值相比还要大10μm以上,则在对第1接合剂进行热压硬化时,能够以第1球形填充物的直径对第1接合剂的厚度进行控制,而不是以第1无定形填充物的大小进行控制。即,在热压硬化时,难以因第1无定形填充物而向陶瓷板外加局部应力。由此,能够防止在陶瓷板上产生裂纹。
另外,在位于第1接合剂上下的陶瓷板的平面度、厚度的偏差为10μm以下(例如5μm)的情况下,使第1球形填充物的平均直径与第1无定形填充物的短径的最大值相比还要大10μm以上,从而能够通过第1接合剂来吸收(缓解)陶瓷板的表面凹凸、厚度偏差。
第3发明如下,在第1发明中,其特征为,所述第1球形填充物的体积浓度(vol%)如下,对于含有所述第1无定形填充物的所述第1接合剂的体积,大于0.025vol%小于42.0vol%。
如果使第1球形填充物的体积浓度(vol%)大于含有第1无定形填充物的第1接合剂体积的0.025vol%,则在第1接合剂内的第1球形填充物的分散变得 良好。即,能够使第1球形填充物在第1接合剂内无遗漏地遍布。由此,第1接合剂的厚度或者与第1球形填充物的平均直径相同或者大于第1球形填充物的平均直径。因此,在对第1接合剂进行热压硬化时,难以因第1无定形填充物而向陶瓷板外加局部应力。其结果,能够防止在陶瓷板上产生裂纹。
另外,使其体积浓度(vol%)小于42.0vol%,从而能够在含有第1无定形填充物的第1接合剂内充分搅拌第1球形填充物。即,如果体积浓度(vol%)小于42.0vol%,则第1球形填充物均匀地分散在含有第1无定形填充物的第1接合剂内。
第4发明如下,在第1发明中,其特征为,所述第1接合剂的所述第1主剂与所述第2接合剂的第2主剂的材质为硅酮树脂、环氧树脂、氟树脂中的任意1个。
改变第1接合剂与第2接合剂的主剂材质,从而能够适当选择在对主剂进行硬化后的主剂的特性。例如,在需要被硬化后的第1或第2接合剂具有柔软性的情况下,使用硬度较低的硅酮树脂或氟树脂。在需要被硬化后的第1或第2接合剂具有刚性的情况下,使用硬度较高的环氧树脂。在需要被硬化后的第1或第2接合剂具有抗等离子性的情况下,使用氟树脂。
第5发明如下,在第1发明中,其特征为,所述第1球形填充物与所述第1无定形填充物的热传导率高于所述第1接合剂的所述第1主剂的热传导率。
由于第1球形填充物与第1无定形填充物的热传导率高于第1接合剂的第1主剂,因此与主剂单体的接合剂相比第1接合剂的热传导率上升,冷却性能提高。
第6发明如下,在第1发明中,其特征为,所述第1球形填充物的材质与所述第1无定形填充物的材质不同。
将第1球形填充物添加于第1接合剂中的目的为,为了实现第1接合剂厚度的均匀化,或者分散外加到陶瓷板上的应力。将第1无定形填充物添加于第1接合剂中的目的为,为了提高第1接合剂的热传导率,或者实现热传导率的均匀化。
这样,通过选择适合于各目的的更加优良的材质,从而能够得到更高的性能。
第7发明如下,在第5发明中,其特征为,所述第1球形填充物的热传导率低于所述第1无定形填充物的热传导率。
例如,在第1球形填充物接触陶瓷板的主面的情况下,该接触部分与其他部分的热传导率的差变小。由此,能够实现陶瓷板的面内温度分布的均匀化。
第8发明如下,在第7发明中,其特征为,所述第1球形填充物的热传导率或者与所述第1无定形填充物和所述第1主剂的混合物的热传导率相同,或者小于所述混合物的热传导率。
使第1球形填充物的热传导率或者与第1无定形填充物和第1主剂的混合物的热传导率相同,或者小于该混合物的热传导率,从而在第1接合剂内的热传导率进一步趋于一定,抑制热传导时在第1接合剂内产生热点(Hot Spot)或冷点(Cold Spot)这样的温度的奇异点。
第9发明如下,在第8发明中,其特征为,所述第1球形填充物的热传导率处于所述第1无定形填充物和所述第1主剂的混合物的热传导率的0.4倍以上1.0倍以下的范围内。
使第1球形填充物的热传导率处于第1无定形填充物和第1主剂的混合物的热传导率的0.4倍以上1.0倍以下的范围内,从而能够优选使第1接合剂内的热传导率进一步趋于均匀。其结果,抑制热传导时在第1接合剂内产生热点或冷点这样的温度的奇异点。
如果使第1球形填充物的热传导率小于第1无定形填充物和第1主剂的混合物的热传导率的0.4倍,则第1球形填充物与其周边的第1接合剂的热传导率降低,在向陶瓷板与被吸附物即被处理基板给予热流束时,在第1接合剂中产生奇异的热点。
如果使第1球形填充物的热传导率大于第1无定形填充物和第1主剂的混合物的热传导率的1.0倍,则第1球形填充物与其周边的第1接合剂的热传导率提高,在向陶瓷板与被吸附物即被处理基板给予热流束时,在第1接合剂中产生奇异的冷点。
第10发明如下,在第1发明中,其特征为,所述第1球形填充物的维氏硬度小于所述陶瓷板的维氏硬度。
因第1球形填充物而第1接合剂的厚度被控制成或者与第1球形填充物的 平均直径相同,或者大于平均直径。即使假设在第1球形填充物中分散混合有大于平均直径的个体的情况下,通过使第1球形填充物的维氏硬度小于陶瓷板的维氏硬度,从而在第1接合剂的热压硬化时,大于平均直径的球形填充物个体也在陶瓷板之前被破坏。因此,不会向陶瓷板外加局部应力,能够防止在陶瓷板上产生裂纹。
第11发明如下,在第1发明中,其特征为,在所述加热器的断面上,大致平行于所述陶瓷板主面的面与大致垂直于所述陶瓷板主面的面相比更长,在所述凹部的宽度为W1、所述凹部的深度为D、所述凹部间的所述主面的宽度为W2、所述凹部的底面与所述底面侧的所述加热器的主面之间的距离为d1、从所述凹部的底面到所述主面的高度与从所述凹部的底面到所述加热器的所述调温板侧的主面的高度之差的距离为d2时,满足W1>D、W1>W2、d1>d2的关系。
通过满足以上关系,从而确保陶瓷板的面内温度分布的均匀性。而且,能够对陶瓷板进行急速的加热冷却。
例如,加热器断面大致呈长方形,断面的长边大致平行于陶瓷板的主面。由此,能够将来自加热器的热均匀且急速地传导到陶瓷板上。其结果,能够均匀且急速地加热放置在陶瓷板上的被处理基板。
另外,在凹部的宽度为W1、凹部的深度为D、凹部间的陶瓷板主面的宽度为W2、凹部的底面与底面侧的加热器的主面之间的距离为d1、从凹部的底面到陶瓷板主面的高度与从凹部的底面到加热器的调温板侧的主面的高度之差的距离为d2时,满足W1>D、W1>W2、d1>d2的关系,从而确保陶瓷板的面内温度分布的均匀性,同时能够对陶瓷板进行急速的加热冷却。
假设d1<d2,则与d1>d2的情况相比加热器更靠近陶瓷板侧。因此,陶瓷板受加热器的急速伸缩的影响。例如,对应加热器的伸缩而向陶瓷板外加应力,也存在陶瓷板裂开的情况。另外,也存在陶瓷板的面内温度受加热器的样式形状的影响而均匀性降低的情况。从而,优选d1>d2。
第12发明如下,在第11发明中,其特征为,在所述凹部的端部区域设有所述凹部的深度朝着所述凹部的端侧逐渐变浅的渐浅部。
在将加热器粘结在凹部的内部之前,在凹部的内部涂敷粘结剂。如果在凹部的端部区域设有凹部的深度逐渐变浅的渐浅部,则在涂敷粘结剂时难以在渐 浅部产生气泡。假设,即使产生了气泡,也能够在之后的加压粘结时容易地除去气泡。
另外,在将加热器粘结在凹部的内部时,通过加压粘结使第1无定形填充物中的较大形状的第1无定形填充物从凹部内流出。此时,如果在凹部的端部区域设有渐浅部,则较大形状的第1无定形填充物容易流出。其结果,能够通过第1球形填充物的平均粒子直径更加均匀地控制加热器与陶瓷板的距离。
而且,如果在凹部的端部区域设有渐浅部,则在加压粘结加热器时,在凹部内产生压力梯度,其结果提高了加热器对于凹部的定位(centering)精度。
第1 3发明如下,在第1发明中,其特征为,所述第2接合剂具有:第2主剂,包含有机材料;第2无定形填充物,包含无机材料;及第2球形填充物,包含无机材料,在所述第2主剂中,所述第2无定形填充物与所述第2球形填充物分散配合,所述第2主剂、所述第2无定形填充物与所述第2球形填充物为电绝缘性材料,所述第2球形填充物的平均直径与全部所述第2无定形填充物的短径的最大值相比更大,所述第2接合剂的厚度或者与所述第2球形填充物的平均直径相同或者更大,第2球形填充物的平均直径或者与所述第1球形填充物的平均直径相同或者更小。
设置在加热器与凹部的底面之间的第2接合剂为,需要粘结材料的同时将来自加热器的热高效地传导到陶瓷板上的热传导剂。从而,与第1接合剂相同地在第2接合剂中混合分散无定形填充物。由此,第2接合剂的热传导率变高。通过第2球形填充物的平均直径控制第2接合剂的厚度。另外,使第2球形填充物的平均直径或者与第1球形填充物的平均直径相同或者更小。由此,形成薄于第1接合剂且厚度均匀的第2接合剂。由此,确保陶瓷板的面内温度分布的均匀性。
第14发明如下,在第13发明中,其特征为,包含在所述第2接合剂中的第2球形填充物与包含在所述第2接合剂中的第2无定形填充物的热传导率高于所述第2接合剂的所述第2主剂的热传导率。
第2球形填充物与第2无定形填充物的热传导率高于第2接合剂的第2主剂,因此与主剂单体的接合剂相比第2接合剂的热传导率上升,冷却性能提高。
第15发明如下,在第13发明中,其特征为,所述第2球形填充物的材质 与所述第2无定形填充物的材质不同。
将第2球形填充物添加于第2接合剂中的目的为,为了实现第2接合剂厚度的均匀化,或者分散外加在陶瓷板上的应力。将第2无定形填充物添加于第2接合剂中的目的为,为了提高第2接合剂的热传导率,或者实现热传导率的均匀化。
这样,通过选择适合于各目的的更加优良的材质,从而能够得到更高的性能。
第16发明如下,在第14发明中,其特征为,所述第2球形填充物的热传导率低于所述第2无定形填充物的热传导率。
例如,在第2球形填充物接触设置在陶瓷板上的凹部的底面时,该接触部分与其他部分的热传导率的差变小。由此,能够实现陶瓷板的面内温度分布的均匀化。
第17发明如下,在第16发明中,其特征为,所述第2球形填充物的热传导率或者与所述第2无定形填充物和所述第2主剂的混合物的热传导率相同,或者小于所述混合物的热传导率。
使第2球形填充物的热传导率或者与第2无定形填充物和第2主剂的混合物的热传导率相同,或者小于该混合物的热传导率,从而第2接合剂内的热传导率进一步趋于一定,抑制热传导时在第2接合剂内产生热点或冷点这样的温度的奇异点。
第18发明如下,在第17发明中,其特征为,所述第2球形填充物的热传导率处于所述第2无定形填充物和所述第2主剂的所述混合物的热传导率的0.4倍以上1.0倍以下的范围内。
使第2球形填充物的热传导率处于第2无定形填充物和第2主剂的混合物的热传导率的0.4倍以上1.0倍以下的范围内,从而能够优选使第2接合剂内的热传导率进一步趋于均匀。其结果,抑制热传导时在第2接合剂内产生热点或冷点这样的温度的奇异点。
第19发明如下,在第13发明中,其特征为,所述凹部的宽度W1、所述凹部间的所述主面的宽度W2满足20%≤W2/(W1+W2)≤45%的关系。
在W2/(W1+W2)小于20%时,由于加热器面积的增加而陶瓷板的主面面 积减少。由此,与陶瓷板的主面接触的球形填充物的数量减少,难以通过球形填充物的平均直径控制第1接合剂的厚度。例如,在W2/(W1+W2)小于20%时,存在第1接合剂的局部变薄的情况。当W2/(W1+W2)大于45%时,加热器的面内密度降低,陶瓷板的面内温度分布的均匀性降低。如果满足20%≤W2/(W1+W2)≤45%的关系,则通过球形填充物的平均直径适当地控制第1接合剂的厚度,陶瓷板的面内温度分布趋于均匀。
第20发明如下,在第13发明中,其特征为,所述凹部的所述底面的算术平均粗糙度(Ra)大于所述主面的算术平均粗糙度(Ra),所述凹部的所述底面的最大高度粗糙度(Rz)大于所述主面的最大高度粗糙度(Rz)。
通过使凹部内的底面的算术平均粗糙度与最大高度粗糙度大于陶瓷板的主面的算术平均粗糙度与最大高度粗糙度,从而促进固定效果,提高第2接合剂的粘结性。如果第2接合剂的粘结力弱,则存在加热器从陶瓷板剥离的情况。另外,加热器由于加热冷却而急速伸缩,因此需要在凹部的底面与加热器之间设置粘结力强的第2接合剂。
例如,凹部的底面的算术平均粗糙度Ra被调整为0.5μm以上1.5μm以下,凹部的底面的最大高度粗糙度Rz被调整为4.0μm以上9.0μm以下。另外,陶瓷板的主面的算术平均粗糙度Ra被调整为0.2μm以上0.6μm以下,陶瓷板的主面的最大高度粗糙度Rz被调整为1.6μm以上5.0μm以下。
第21发明如下,在第13发明中,其特征为,从所述凹部的所述底面到所述主面的高度与从所述凹部的所述底面到所述加热器的所述调温板侧的所述主面的高度之差的距离d2如下,d2≥10μm。
如果d2≥10μm,则加热器不受来自球形填充物的压力,能够抑制在陶瓷板上产生裂纹。另外,在加热器主面的平面度、厚度的偏差小于10μm以下时,如果d2≥10μm,则能够通过第1接合剂吸收(缓解)平面度、厚度的偏差。
第22发明如下,在第13发明中,其特征为,在所述调温板的主面上形成有绝缘体膜。
在调温板的材质例如为金属时,通过形成由氧化铝膜(alumite)处理、喷镀来形成的无机材料膜,从而能够确保加热器与调温板的电绝缘可靠性。另外,通过形成有孔绝缘膜,从而第1接合剂的粘结强度因固定效果而提高。
而且,形成在调温板与陶瓷板之间的无机材料薄膜成为缓冲材料,缓解调温板与陶瓷板的热膨胀差。另外,在通过喷镀来形成无机材料膜之后,如果研磨无机材料膜表面,则与调温板表面相比无机材料膜表面的平坦性提高。即,当调温板表面进一步趋于平坦时,第1接合剂的热压硬化时的局部应力不会外加到与调温板表面相对的陶瓷板上,能够防止在陶瓷板上产生裂纹。
根据本发明,实现一种静电吸盘,其能够抑制在陶瓷板上产生裂纹,同时能够对被处理基板进行急速的加热冷却。
附图说明
图1(a)是静电吸盘的要部断面模式图,(b)是(a)的箭头A所示部分的放大图,(c)是(b)的箭头B所示部分的放大图。
图2是在陶瓷板上产生裂纹时的模式图。
图3是凹部与加热器的要部断面模式图。
图4是接合剂的断面SEM图像,(a)是混合分散球形填充物与无定形填充物的接合剂的断面SEM图像,(b)是混合分散无定形填充物的接合剂的断面SEM图像,(c)是凹部的断面SEM图像。
图5是说明无定形填充物的短径的图。
图6是涉及静电吸盘的变形例的要部断面模式图。
图7是涉及静电吸盘的其他变形例的要部断面模式图。
图8是静电吸盘的凹部周边的断面模式图。
图9是用于说明静电吸盘效果的一例的图。
符号说明
1、2-静电吸盘;10-陶瓷板;11-凹部;11b-底面;12-加热器;12a、12b-主面;12c-侧面;13-电极;15-凸部;15a-顶面;16-裂纹;17-角;70、71-陶瓷板;30-调温板;30a-主面;30t-介质路径;31-绝缘膜;40、50-接合剂;41、51-主剂;42、52-球形填充物;43、53-无定形填充物;72-电极;A、B、C-箭头。
具体实施方式
以下,参照附图对具体实施方式进行说明。在以下说明的实施方式中也包含用于解决上述课题的方法。
首先,说明在本发明的实施方式中使用的词。
陶瓷板
陶瓷板为放置被处理基板的静电吸盘的载物台。在陶瓷板中,其材质是陶瓷烧结体,均匀地设计厚度。陶瓷板主面的平面度被设定在规定的范围内。如果各自的厚度均匀或确保各自主面的平面度,则在接合剂的热压硬化时局部应力难以外加到陶瓷板上。另外,能够通过球形填充物的平均直径控制被陶瓷板与调温板夹住的接合剂的厚度。
陶瓷板的直径为300mm左右,厚度为1~4mm左右。陶瓷板的平面度为20μm以下。陶瓷板的厚度偏差为20μm以下。陶瓷板的平面度、厚度的偏差更优选10μm以下。
陶瓷板如下,由99.9wt%氧化铝构成,平均结晶粒子直径为3μm以下,密度为3.95g/cm3以上。通过如上述构成,从而陶瓷板的强度提高,粘结时变得难以割裂。而且,陶瓷板的抗等离子性提高。
接合剂
接合剂为粘结陶瓷板与调温板、陶瓷板与加热器的接合剂。对于接合剂(也称之为粘结剂、接合层),由于加热硬化温度低且要确保硬化后的柔软性,因此优选有机材料接合剂。接合剂的主剂的材质为硅酮树脂、环氧树脂、氟素系树脂中的任意1个。例如,作为接合剂使用硬度比较低的硅酮树脂接合剂或者氟素系树脂。在硅酮树脂接合剂的情况下,优选2液附加型。如果作成2液附加型,则与脱肟型、脱乙醇型相比,在接合剂深部的硬化性高且在硬化时难以产生气体(空隙)。另外,如果作成2液附加型,则与1液附加型相比硬化温度变低。由此,在接合剂内产生的应力变得更小。而且,在需要接合剂具有高刚性时,使用环氧树脂接合剂或氟素系树脂接合剂。而且,在需要接合剂具有高抗等离子性的时,使用氟素系树脂接合剂。这样,通过改变接合剂的主剂的材质,从而能够适当地选择使主剂硬化后的主剂的特性。
无定形填充物
无定形填充物为用于实现接合剂的热传导率提高的添加材料。因此,优选 其形状为无定形。在混合分散接合剂的主剂与无定形填充物的接合剂中,与只有主剂的接合剂相比,热传导率变高。例如,在接合剂的主剂单体中,相对于0.2(W/mK)左右的热传导率,在混合有硅酮主剂与氧化铝无定形填充物的情况下,热传导率提高到0.8~1.7(W/mK)。另外,为了提高向接合剂主剂中的填充率,也可以混合分散2种以上平均直径的无定形填充物。无定形填充物的材质为无机材料。作为具体的材质,例如符合氧化铝、氮化铝、二氧化硅等。为了提高无定形填充物与接合剂主剂的亲和力,也存在对无定形填充物表面进行处理的情况。对于接合剂主剂,无定形填充物的重量浓度为70~80(wt%)。
球形填充物
球形填充物为用于控制接合剂厚度的添加材料。为了控制接合剂的厚度,优选其形状为球形。球形填充物的材质为无机材料。但是,球形填充物的材质与无定形填充物的材质不同。球形填充物的材质例如为符合玻璃等。如果填充物形状为球形,则容易混合分散在接合剂中。而且,在进行粘结时,即使在球形填充物与陶瓷板之间存在无定形填充物,也由于球形填充物的形状为球形,因此无定形填充物容易在接合剂中移动。球形填充物的形状接近圆球形,而且优选直径的分布较窄。由此,能够更加正确地控制接合剂的厚度。另外,球形填充物的直径大于无定形填充物,因此在控制接合剂方面更应优选。
球形填充物的“球形”不仅指圆球状而且指接近圆球状的形状即全体的90%以上的粒子处于形状因子(Shape Factor)1.0~1.4的范围内的形状。在此,通过用显微镜放大观察的数百个(例如200个)粒子的长径与正交于长径的短径的比的平均值来算出形状因子。从而,如果只是完全的球形粒子,则形状因子为1.0,该形状因子越远离1.0,则越呈非球形。另外,在此所述的无定形是指超过该形状因子1.4的形状。
而且,球形填充物的粒子直径分布宽度与无定形填充物的粒子直径分布宽度相比更窄。即,球形填充物的粒子直径的偏差与无定形填充物的粒子直径的偏差相比更小。在此,例如使用粒子直径分布的半宽度、粒子直径分布的半半宽度、标准偏差等来定义粒子直径分布宽度。
将球形填充物添加于接合剂中的目的为,为了实现接合剂厚度的均匀化,或者分散外加到陶瓷板上的应力。另一方面,将无定形填充物添加于接合剂中 的目的为,为了提高接合剂的热传导率、实现热传导率的均匀化。这样,通过选择符合各目的的更加优良的材质,能够得到更高的性能。
例如,根据JIS R6002(结接磨料粒度的试验方法)的筛选试验方法,第1球形填充物的直径分布成为如下分布。
第1球形填充物的直径分布如下,10%直径与90%直径刚好进入50%直径的±10%以下。在此,90%直径是指在90μm筛眼的筛眼上残留90%的球形填充物的直径,50%直径是指在100μm筛眼的筛眼上残留50%的球形填充物的直径,10%直径是指在110μm筛眼的筛眼上残留10%的球形填充物的直径。在本实施方式中,将50%直径作为第1球形填充物的目标值。
平均直径
平均直径例如为将加上全部球形填充物的直径的数值除以全部球形填充物的数量的值。
短径
短径是指无定形填充物的与长度方向正交的宽度方向的长度(参照图5)。
短径的最大值
短径的最大值是指全部无定形填充物的短径当中的最大的短径值。
维氏硬度
优选第1球形填充物的维氏硬度小于陶瓷电介体的维氏硬度。
通过第1球形填充物将第1接合剂的厚度控制成或者与第1球形填充物的平均直径相同或者大于平均直径。假设,即使在第1球形填充物中分散混合有大于平均直径的个体的情况下,通过使第1球形填充物的维氏硬度小于陶瓷电介体的维氏硬度,从而在第1接合剂的热压硬化时,也使大于平均直径的球形填充物个体在陶瓷电介层之前被破坏。因此,局部应力不会外加到陶瓷电介体上,能够防止在陶瓷电介体上产生裂纹。
在此,根据JIS R1610实施了维氏硬度的试验方法。维氏硬度试验机使用了JIS B7725或JIS B7735所规定的仪器。
宽度
宽度是指在与各构件延伸存在的方向(长度方向)正交的方向上切断构件的断面的宽度。
电极
在陶瓷板的内部内置有与主面平行的电极。电极与陶瓷板一体烧结而形成。或者,也能够做成用2个陶瓷板夹住电极的构造。
凹部(槽部)
凹部(槽部)是设置在陶瓷板的背面侧的凹状的槽。在该凹部(槽部)内粘结加热器。例如通过喷砂加工、蚀刻而在陶瓷板的主面上形成凹部。例如,在加热器的厚度为50μm、第1接合剂的厚度为50μm时,凹部的深度为100μm以上,优选110μm以上。另外,优选凹部内的角部的R加工尺寸为半径330μm以下。在加热器的宽度为2mm时,优选凹部的宽度为2.3mm~2.9mm。
加热器
加热器是用于加热陶瓷板的加热器。加热器是薄板状的金属。加热器的断面形状为长方形或台形。在任意形状下,介于加热器与陶瓷板之间的接合剂的厚度都容易趋于一定。因此,加热器的粘结力变得良好。尤其,在加热器的断面形状为台形时,通过将其短边侧配置在凹部的底面侧,从而使凹部内的R加工部分与加热器端边的干涉难以发生。关于台形形状,如果台形的长边与短边之差为加热器厚度的0.6~1.0倍,则加热器不会弯曲,能够维持良好的粘结力。
优选加热器的厚度为100μm以下,更优选50μm以下。另外,优选加热器厚度的公差(最大厚度与最小厚度之差)为厚度的±1.5%以下。更优选厚度的±1.0%以下。由此,能够使来自加热器的发热均匀化。
调温板(调温部)
调温板是用于冷却或加热陶瓷板的板。因此,在调温板的内部设有冷媒或热媒流动的介质路径。冷媒或热媒通过配管而连接在冷机上。
调温板的材质如下,在被处理基板的处理流程中,优选不引起污染、粉尘等的材质。例如,作为调温板的材质而符合不锈钢、铝、钛等金属和这些的合金以及混合分散金属与陶瓷的复合材料。
另外,也能够在调温板的表面上形成绝缘膜来确保加热器与调温板之间的电绝缘。作为绝缘膜,例如符合氧化铝喷镀膜。氧化铝喷镀如下,加工容易且能够低成本制造。在调温板的材质为铝时,也可以在调温板的表面上实施氧化铝膜(登录商标)处理。通过进行氧化铝膜的封孔处理,从而能够进一步提高 电绝缘的可靠性。
另外,通过形成有孔绝缘膜,从而接合剂的粘结强度因固定效果而提高。而且,形成在调温板与陶瓷板之间的无机材料膜成为缓冲材料,缓解调温板与陶瓷板的热膨胀差。另外,在通过喷镀来形成无机材料膜之后,如果研磨无机材料膜表面,则存在与调温板表面相比无机材料膜表面的平坦性提高的情况。即,当调温板表面变得更平坦时,第1接合剂的热压硬化时的局部应力不会外加到与调温板表面相对的陶瓷板上,能够防止在陶瓷板上产生裂纹。
另外,在将内置有加热器的陶瓷板粘结在调温板上,在通过加热器对陶瓷板进行急速加热时,也存在与调温板相比陶瓷板的温度更加急剧上升的情况。因此,陶瓷板急剧地热膨胀。但是,即使陶瓷板在调温板上热膨胀,也由于包含在接合剂中的球形填充物的形状为球形,因此球形填充物进行所谓“滚动运动”。从而,在使接合剂含有球形填充物的情况下,即使陶瓷板在调温板上热膨胀,接合剂的厚度也难以发生变化。与此相对,如果使接合剂只包含无定形填充物而不包含球形填充物,则由于陶瓷板的热膨胀而接合剂的厚度发生变化。由此,也存在或者陶瓷板的面内温度分布变得不均匀或者对温度控制的可靠性产生不良影响的情况。从而,优选使接合剂含有球形填充物。
陶瓷板10的维氏硬度为15GPa以上。
接下来,说明本实施方式涉及的静电吸盘的结构。适当省略与上述的词的说明相重复的内容。
图1(a)是静电吸盘的要部断面模式图,(b)是(a)的箭头A所示部分的放大图,(c)是(b)的箭头B所示部分的放大图。
首先,说明静电吸盘1的概要。
静电吸盘1具备:陶瓷板10;调温板30,与陶瓷板10接合;第1接合剂40,设置在陶瓷板10与调温板30之间;及加热器12,设置在陶瓷板10的凹部11内。陶瓷板10的凹部11设置在陶瓷板10的主面(下面侧)上。在陶瓷板10的内部设有电极13。
接合剂40具有:第1主剂41,包含有机材料;第1无定形填充物43,包含无机材料;及第1球形填充物42,包含无机材料。在主剂41中,无定形填充物43与球形填充物42分散配合,主剂41、无定形填充物43与球形填充物42 是电绝缘性材料。球形填充物42的平均直径与全部无定形填充物43的短径的最大值(例如60μm)相比更大。接合剂40的厚度或者与球形填充物42的平均直径相同或者更大。凹部11的宽度与加热器12的宽度相比更宽,凹部11的深度与加热器12的厚度相比更深。
球形填充物42的热传导率或者与无定形填充物43和主剂41的混合物的热传导率相同,或者小于该混合物的热传导率。
使球形填充物42的热传导率或者与无定形填充物43和主剂41的混合物的热传导率相同,或者小于该混合物的热传导率,从而接合剂40内的热传导率进一步趋于一定,抑制热传导时在接合剂40内产生热点或冷点这样的温度的奇异点。
球形填充物42的热传导率处于无定形填充物43和主剂41的混合物的热传导率的0.4倍以上1.0倍以下的范围内。
使球形填充物42的热传导率处于无定形填充物43和主剂41的混合物的热传导率的0.4倍以上1.0倍以下的范围内,从而能够优选使接合剂40内的热传导率进一步趋于均匀。其结果,抑制热传导时在接合剂40内产生热点或冷点这样的温度的奇异点。
如果使球形填充物42的热传导率小于无定形填充物43和主剂41的混合物的热传导率的0.4倍,则球形填充物42与其周边的接合剂40的热传导率降低,在向陶瓷板10与被吸附物即被处理基板给予热流束时,产生热点。
如果使球形填充物42的热传导率大于无定形填充物43和主剂41的混合物的热传导率的1.0倍,则球形填充物42与其周边的接合剂40的热传导率提高,在向陶瓷板10与被吸附物即被处理基板给予热流束时,产生冷点。
球形填充物42的维氏硬度小于陶瓷板10的维氏硬度。因球形填充物42而接合剂40的厚度被控制成或者与球形填充物42的平均直径相同或者大于平均直径。假设,即使在球形填充物42中分散混合有大于平均直径的个体的情况下,通过使球形填充物42的维氏硬度小于陶瓷板10的维氏硬度,从而在接合剂40的热压硬化时,大于平均直径的球形填充物42个体也在陶瓷板10之前被破坏。因此,向陶瓷板10不会外加局部应力,能够防止在陶瓷板10上产生裂纹。
具体而言,接合剂40的材质如下,主剂41为硅酮树脂,无定形填充物43为氧化铝粒子,球形填充物42为钠钙玻璃。主剂41与无定形填充物43的混合物的热传导率为1.0W/mk,球形填充物42的热传导率为0.7W/mk。另外,球形填充物42的维氏硬度为6Gpa以下。
在此,传导率的测定方法如下,根据JIS R1611而对球形填充物42实施了测定。另外,对于主剂41与无定形填充物43的混合物,使用京都电子工业公司制作的热传导率计QTM-D3通过热线测试法进行了热传导率的测定。
在凹部11内,通过第2接合剂50而粘结有加热器12。接合剂50设置在凹部11的底面11b与加热器12之间。以后详细说明接合剂50。
加热器12的调温板30侧的主面12a与调温板30的主面30a之间的第1距离长于陶瓷板10的凹部11间的凸部15的顶面15a与调温板30的主面30a之间的第2距离。凸部15的顶面15a是陶瓷板10的调温板30侧的主面。下面,在该实施方式中,使用凸部15的顶面15a这个用语来说明陶瓷基板10的主面。
详细说明静电吸盘1的结构。
陶瓷板10是体积电阻率(20℃)为1014Ω·cm以上的库仑型原材料。由于陶瓷板10是库仑型原材料,因此即使在被处理基板的处理中改变温度,被处理基板的吸附力、被处理基板的脱离响应性也稳定。另外,其直径为300mm,厚度为1~4mm。在陶瓷板10的内部,以沿着陶瓷板10的主面的方式设有电极13。陶瓷板10与电极13一起一体烧结而形成。当向电极13外加电压时,陶瓷板10带静电。由此,能够将被处理基板静电吸附在陶瓷板10上。电极13的总面积是陶瓷板10的主面面积的70%~80%。电极13的厚度例如为0.8μm。
加热器12是板状金属。加热器12的材质例如为不锈钢(SUS)。其厚度为50μm。加热器12的宽度为2mm。通过第2接合剂50(厚度50μm)将加热器12粘结在陶瓷板10的凹部11的底面11b上。
凹部11的深度例如为130μm。凹部11的宽度例如为2.4mm。从而,加热器12的调温板侧的主面12a与凸部15的顶面15a相比更向陶瓷板10侧进入30μm左右。而且,对凹部11的角部实施R加工。凹部11内的角部的R加工尺寸为半径0.27mm。
调温板30例如其主成分为铝(Al:A6061)或者铝与碳化硅(SiC)的合金。而且,通过钎焊加工而在调温板30内部形成有介质路径30t。温度调节用的介 质在介质路径30t中流通。调温板30的直径为320mm,厚度为40mm。根据需要而在调温板30的主面30a上形成绝缘膜31。绝缘膜31是上述的喷镀膜、氧化铝膜等。
接合剂40具有主剂41、球形填充物42、无定形填充物43。通过真空粘结、热压硬化等而在陶瓷板10与调温板30之间形成接合剂40。在主剂41中例如混合分散有球形填充物42与无定形填充物43。无定形填充物43的浓度为接合剂40的80wt%左右。球形填充物42的平均直径为约100μm,更详细而言,90%直径为97.5μm,50%直径为100.2μm,10%直径为104.3μm。通过使球形填充物42的平均直径为100μm,从而使球形填充物42的平均直径与全部无定形填充物43的短径的最大值(60μm)相比更大。在静电吸盘1中,使设有加热器12的陶瓷板10与调温板30相对,分别用接合剂40进行粘结而做成一体化,从而能够确保加热器12周围的电绝缘性。
而且,球形填充物42的平均直径不局限于100μm。球形填充物42的平均直径也可以处于70~100μm的范围内。
另外,由于球形填充物42与无定形填充物43是无机材料,因此易于控制各自的大小(例如直径)。由此,与接合剂40的主剂41的混合分散变得容易。由于接合剂40的主剂41、无定形填充物43与球形填充物42是电绝缘性材料,因此能够确保加热器12周围的电绝缘性。
而且,球形填充物42的平均直径与全部无定形填充物43的短径的最大值相比更大。因此,能够通过球形填充物42而将接合剂40的厚度控制成或者与球形填充物42的平均直径相同或者大于平均直径。由此,在接合剂40的热压硬化时,不会因无定形填充物43而使局部应力外加到陶瓷板10上,能够防止在陶瓷板10上产生裂纹。另外,加热器12的调温板30侧的主面12a与调温板30的主面30a之间的第1距离长于陶瓷板10的凹部11间的凸部15的顶面15a与调温板30的主面30a之间的第2距离。因此,由于球形填充物42而在热压硬化时的压力难以传导到加热器12上。从而,在热压硬化时的压力不会通过加热器12而传导到凹部11内的厚度较薄的陶瓷板10上,防止在陶瓷板10上产生裂纹。另外,在加热器12的上下存在接合剂40与接合剂50,因此即使加热器12急速伸缩,由加热器12引起的应力难以传递到陶瓷板10上。其结果,抑 制陶瓷板10发生裂开。
另外,如果使接合剂40的厚度厚到100μm左右,则陶瓷板10与调温板30的线热膨胀差被接合剂40所吸收。因此,也难以发生陶瓷板10的变形、接合剂40的剥离。
对于混合分散在第1接合剂40中的球形填充物42的平均直径,如下地进行了验证。
首先,在表1中示出在主剂41中只混合分散有无定形填充物43而未混合分散有球形填充物42时的接合剂40的厚度。作为测定用试样,制作了No.1~26的合计26个试样。根据这些试样求出了接合剂40厚度的偏差。各试样是通过在主剂41中只混合分散有无定形填充物43的接合剂40将直径为300mm的陶瓷板利用热压硬化而彼此粘贴在一起的试样。
测定点为,各试样的外周部的8个部位,中间部的8个部位,中心部的1个部位,合计17个部位。根据这些部位求出了各个试样的最厚部的厚度、最薄部的厚度与厚度的平均值。
如表1所示,接合剂40的最厚部分散在22~60μm的范围内。接合剂40的最薄部分散在3~46μm的范围内。即,如果无定形填充物43的长度方向不平行于陶瓷板10的主面,则能够推定出无定形填充物43的短径分散在3~60μm的范围内。在此情况下,能够推定出无定形填充物43的短径的最大值为60μm。
而且,在无定形填充物43的长度方向大致垂直于陶瓷板10的主面的情况下,能够推定出无定形填充物43的长径分散在3~60μm的范围内。在此情况下,能够推定出无定形填充物43的长径的最大值为60μm。
表1
表1接合剂的厚度偏差
接合剂的最厚部的最大值60μm、最小值22μm
接合剂的最薄部的最大值46μm、最小值3μm
实际上,如果以下面所示的(1)~(5)的制造流程制造静电吸盘,则在使用主剂41中只混合分散有无定形填充物43的接合剂40的情况下,观察到在陶瓷板10上产生了裂纹。
制造流程包括下面所示的(1)~(5)的工序。
(1)首先,分别单独制作陶瓷板10、调温板30。
(2)接下来,使无定形填充物43混合分散在接合剂40的主剂41中,而且,使球形填充物42混合分散。用搅拌机进行混合分散。
(3)接下来,在陶瓷板10与调温板30各自的粘结面上涂敷接合剂40,安装在真空燃烧室内。将真空燃烧室做成真空,将涂敷的接合剂40彼此合在一起,进行真空粘结。
(4)接下来,在真空粘结后,用热压硬化机进行热压硬化。在此工序中适当地调整接合剂40的厚度。在热压硬化后,用烘箱进行接合剂40的硬化。
(5)在硬化后,将陶瓷板10研磨加工成规定的厚度,形成静电吸盘的吸附面。例如,将陶瓷板10研磨加工成规定的厚度(1mm),之后进行抛光加工。
在刚结束接合剂40的热硬化后,在陶瓷板10上未观察到产生裂纹。但是, 如果对陶瓷板10的表面进行研磨加工,则观察到产生了裂纹。例如,其情形如图2所示。
图2是在陶瓷板上产生裂纹时的模式图。
图2(a)所示的陶瓷板10是表面研磨加工后的表面模式图。如图所示,裂纹1 6是从陶瓷板10的内部开始产生,末端在陶瓷板10的内部结束。
使用图2(b)对此原因进行说明。
如图2(b)所示,如果保持由60μm左右的大小的无定形填充物43介于陶瓷板10与调温板30之间的状态下进行热压硬化,则应力集中在无定形填充物43抵接在加热器12上的部分。推断应力以该部分为起点通过加热器12而传递到陶瓷板10上,产生裂纹16。尤其是,由于在凹部的底面11b处陶瓷板10的厚度变薄,因此优选不向该部分施加应力。
但是,如果使球形填充物42的平均直径大于无定形填充物43的短径的最大值(60μm)(例如100μm),则在热压硬化时,球形填充物42接触陶瓷板10的凸部15的顶面15a,因此能够抑制产生上述的裂纹。
但是,如图2(c)所示,如果加热器12的调温板30侧的主面12a与凸部15的顶面15a相比更向调温板30侧突出,则球形填充物42抵接在加热器12上。在此情况下,应力也通过加热器12而传递到陶瓷板10上,产生裂纹16。
在本实施方式中,如图1(c)所示,加热器12的调温板30侧的主面12a与凸部15的顶面15a相比更向陶瓷板10侧进入30μm左右,因此球形填充物42对加热器12不施加压力。
表2表示在主剂41中混合分散有球形填充物42与无定形填充物43时的接合剂40的厚度结果。在此使用的球形填充物42的平均直径为70μm。
作为测定用试样,制作了No.31~34的合计4个试样。根据这些试样求出了接合剂40厚度的偏差。各试样是通过在主剂41中混合分散有球形填充物42与无定形填充物43的接合剂40将直径为300mm的陶瓷板利用热压硬化而彼此粘贴在一起的试样。
测定点为,各试样的外周部的8个部位,中间部的8个部位,中心部的1个部位,合计17个部位。根据这些部位求出了各个试样的最厚部的厚度、最薄部的厚度与17个部位的平均值。
如表2所示,接合剂40的最厚部刚好进入65~68μm的范围内。接合剂40的最薄部刚好进入57~61μm的范围内。换言之,表2的结果与表1的结果相比分散程度降低。即,知道了如下内容,如果使球形填充物42混合分散,则与未使球形填充物42混合分散的情况相比,接合剂40厚度的平均值、最厚部、最薄部的偏差变小。另外,知道了接合剂40厚度的平均值接近球形填充物的平均直径(70μm)。而且,作为球形填充物42的平均直径,在使用100μm的球形填充物42时也得到了相同的效果。
表2
表2接合剂的厚度偏差
接合剂的最厚部的最大值68μm、最小值61μm
接合剂的最薄部的最大值61μm、最小值57μm
实际上,以如上所述的(1)~(5)的制造流程制造了静电吸盘,其结果在使用主剂41中混合分散有球形填充物42与无定形填充物43的接合剂40的情况下,未观察到在陶瓷板10上产生裂纹。
这样,如果使球形填充物42的平均直径与全部无定形填充物43的短径的最大值相比更大,则通过球形填充物42而能够使接合剂40的厚度或者与球形填充物42的平均直径相同或者大于平均直径。其结果,在接合剂40的热压硬化时,难以因无定形填充物43而局部应力外加到陶瓷板10上,能够防止在陶瓷板10上产生裂纹。
另外,在本实施方式中,球形填充物42的平均直径与无定形填充物43的短径的最大值相比还要大10μm以上。如果使球形填充物42的平均直径与无定形填充物43的短径的最大值相比还要大10μm以上,则在接合剂40的热压硬化时,通过球形填充物42的平均直径控制接合剂40的厚度,而不是通过无定形填充物43的大小控制接合剂40的厚度。之所以是这样,是因为在热压硬化时 球形填充物42接触陶瓷板10的凸部15的顶面15a。而且,是由于加热器12的调温板侧的主面12a与凸部15的顶面15a相比更向陶瓷板10侧进入。
即,在热压硬化时,因无定形填充物43与球形填充物42而局部应力难以通过加热器12而外加到陶瓷板10上。由此,能够防止在陶瓷板10上产生裂纹。
另外,在位于接合剂40上下的陶瓷板10与调温板30的平面度、厚度的偏差为10μm以下(例如5μm)的情况下,使球形填充物42的平均直径与无定形填充物43的短径的最大值相比还要大10μm以上,从而能够通过接合剂40缓解(吸收)陶瓷板10与调温板30的表面凹凸。
另外,由于在陶瓷板10的下侧存在调温板30,因此陶瓷板10的刚性增加。而且,在加工陶瓷板10时,能够防止陶瓷板10裂开。通过使球形填充物42分散配合在接合剂40中,从而能够以均匀的厚度保持固定陶瓷板10。其结果,即使加工陶瓷板10,也不对陶瓷板10产生损伤。
另外,在调温板30为金属制的情况下,调温板30的线膨胀系数大于陶瓷板10的线膨胀系数。由于在调温板30与陶瓷板10之间存在接合剂40,因此陶瓷板10与调温板30之间的热膨胀收缩差容易吸收到接合剂40内。其结果,难以发生陶瓷板10的变形、陶瓷板10与调温板30的剥离。
另外,在加热器12与凹部11的底面11b之间存在的接合剂50具有:第2主剂51,包含有机材料;第2无定形填充物53,包含无机材料;及第2球形填充物,包含无机材料。在主剂51中,分散配合有无定形填充物53与球形填充物52。主剂51、无定形填充物53与球形填充物52为电绝缘性材料。球形填充物52的平均直径与全部无定形填充物53的短径的最大值相比更大。接合剂50的厚度或者与球形填充物52的平均直径相同或者更大。球形填充物52的平均直径或者与第1球形填充物42的平均直径相同或者更小。通过真空粘结、热压硬化等,接合剂50形成在陶瓷板10与加热器12之间。在主剂51中例如混合分散有球形填充物52与无定形填充物53。无定形填充物53的浓度为接合剂50的80wt%左右。球形填充物52的平均直径为约50μm,更具体而言,90%直径为48.0μm,50%直径为50.4μm,10%直径为52.8μm。
接合剂50作为粘结材料的同时也作为将来自加热器12的热高效地传导到陶瓷板10上的热传导剂而发挥功能。从而,与接合剂40相同地使无定形填充 物53混合分散在接合剂50中。由此,接合剂50的热传导率增加。通过球形填充物52的平均直径控制接合剂50的厚度。
另外,由于球形填充物52与无定形填充物53是无机材料,因此易于控制各自的大小(例如直径)。由此,与接合剂50的主剂51的混合分散变得容易。由于接合剂50的主剂51、无定形填充物53与球形填充物52为电绝缘性材料,因此能够确保加热器12周围的电绝缘性。
而且,虽然球形填充物52的平均直径为50μm,小于无定形填充物53的短径的最大值,但是在将加热器12粘结在凹部11内时,在按压加热器12的同时进行掏出残留在凹部11内的接合剂50的作业,因此在接合剂50中不存在局部变厚的部分。
另外,使球形填充物52的平均直径或者与球形填充物42的平均直径相同或者更小。由此,形成薄于接合剂40且厚度均匀的接合剂50。从而,确保陶瓷板10的面内温度分布的均匀性。假设,如果加热器12直接接触凹部11的底面11b,则来自加热器12的热不通过接合剂50而传递到陶瓷板10上,因此陶瓷板10的温度分布的均匀性变差。另外,由于加热器12的热收缩而对陶瓷板10施加多余的应力。即,接合剂50也作为缓冲剂而发挥功能。
接下来,更详细地说明设置在陶瓷板10上的凹部11与设置在凹部11内的加热器12的构造。
图3是凹部与加热器的要部断面模式图。
在加热器12的断面上,大致平行于陶瓷板10主面的主面12b与大致垂直于陶瓷板10主面的侧面12c相比更长。即,加热器12的断面为长方形。在本实施方式中,在凹部11的宽度为W1、凹部11的深度为D、凹部11间的凸部15的宽度为W2、凹部11的底面11b与底面11b侧的加热器12的主面12b之间的距离为d1、从凹部11的底面11b到凸部15的顶面15a的高度与从凹部11的底面11b到加热器12的调温板30侧的主面12a的高度之差的距离为d2时,满足W1>D、W1>W2、d1>d2的关系。
通过满足以上关系,从而确保陶瓷板10的面内温度分布的均匀性。而且,能够对陶瓷板10进行急速的加热冷却。
例如,加热器12断面呈长方形,断面的长边(主面12b)大致平行于陶瓷 板10的主面。由此,能够将来自加热器12的热均匀且急速地传导到陶瓷板10上。其结果,能够均匀且急速地加热放置在陶瓷板10上的被处理基板。
另外,通过满足W1>D、W1>W2、d1>d2的关系,从而确保陶瓷板的面内温度分布的均匀性,同时能够对陶瓷板进行急速的加热冷却。
假设,如果W1<D,则凸部15变长,陶瓷板10的凸部15的热阻增加。因此,陶瓷板10的面内温度分布变差。从而,优选W1>D。
另外,假设如果W1<W2,则加热器12的面内密度降低。因此,陶瓷板10的面内温度分布变差。从而,优选W1>W2。
另外,假设如果d1<d2,则与d1>d2时相比加热器12更向陶瓷板10侧靠近。由此,陶瓷板10受加热器12急速伸缩的影响。例如,也存在陶瓷板10上外加基于加热器12伸缩的应力而陶瓷板裂开的情况。另外,存在陶瓷板10的面内温度受加热器12的样式形状的影响而均匀性降低的情况。从而,优选d1>d2。
另外,在本实施方式中,d2≥10μm。如果d2≥10μm,则加热器12不受来自球形填充物42的压力,能够抑制在陶瓷板10上产生裂纹。另外,在加热器12主面的平面度、厚度的偏差小于10μm以下的情况下,如果d2≥10μm,则能够通过接合剂40吸收(缓解)加热器12的平面度、厚度的偏差。
例如,表3说明在改变d2时陶瓷板10上是否产生裂纹。在d2的值为负数时,说明加热器12的调温板30侧的主面12a与凸部15的顶面15a相比更向调温板30侧突出。另外,在d2的值为正数时,说明加热器12的调温板30侧的主面12a与凸部15的顶面15a相比更向陶瓷板10进入。知道了如下内容,虽然在d2为-10μm~0μm时产生了裂纹,但是在10μm~30μm时未产生裂纹。
表3
表3是否产生裂纹
○:良好、×:不良
在本实施方式中,凹部11的宽度W1、凹部11间的凸部15的宽度W2满足20%≤W2/(W1+W2)≤45%的关系。
在W2/(W1+W2)小于20%时,由于加热器12的面积增加而凸部15的顶面15a的面积减少。由此,与凸部15的顶面15a接触的球形填充物42的个数减少,难以通过球形填充物42的平均直径控制接合剂40的厚度。例如,在W2/(W1+W2)小于20%时,存在接合剂40的局部变薄的情况。
如果W2/(W1+W2)大于45%,则加热器12的面内密度降低,陶瓷板10的面内温度分布的均匀性降低。
如果满足20%≤W2/(W1+W2)≤45%的关系,则通过球形填充物42的平均直径可适当地控制接合剂40的厚度,陶瓷板10的面内温度分布趋于均匀。
例如,表4表示在改变W1与W2时的接合剂40的厚度偏差、面内温度的均匀性。
表4
表4槽宽度与凸部的突出部宽度的关系
○:良好、×:不良
在该试验中,W1为2.6mm,凸部15的宽度W2为0.5mm、1.0mm、2.6mm。在W2/(W1+W2)的值为16.1%的情况下,虽然面内温度的均匀性良好,但是 接合剂40的厚度偏差则成为不良。相反,在50.0%的情况下,虽然接合剂40的厚度偏差良好,但是面内温度的均匀性则成为不良。从而,优选20%≤W2/(W1+W2)≤45%。
另外,凹部11的底面11b的算术平均粗糙度(Ra)大于凸部15的顶面15a的算术平均粗糙度(Ra),凹部11的底面11b的最大高度粗糙度(Rz)大于凸部15的顶面15a的最大高度粗糙度(Rz)。表面粗糙度的定义遵照JIS B0601:2001。
通过使凹部11的底面1 1b的算术平均粗糙度与最大高度粗糙度大于凸部15的顶面15a的算术平均粗糙度与最大高度粗糙度,从而促进固定效果,提高接合剂50的粘结性。如果接合剂50的粘结力弱,则存在加热器12从陶瓷板10剥离的情况。另外,加热器12由于加热冷却而急速伸缩。因此,如果在凹部11的底面11b与加热器12之间存在粘结力强的接合剂50,则抑制加热器12的剥离。
例如,表5表示Ra、Rz与是否可粘结保持加热器12的关系。
表5
表5是否可粘结保持
○:良好、×:不良
根据表5,如果凹部11的底面11b的算术平均粗糙度Ra被调整为0.5μm以上1.5μm以下、凹部11的底面11b的最大高度粗糙度Rz被调整为4.0μm以上9.0μm以下,则加热器12的粘结保持力变得良好。另外,如果凸部15的顶面15a的算术平均粗糙度Ra被调整为0.2μm以上0.6μm以下、凸部15的顶面15a的最大高度粗糙度Rz被调整为1.6μm以上5.0μm以下,则加热器12的粘结保持力变得良好。
对凹部11的角部实施了R加工,R加工尺寸为凹部11深度D的3倍以下。 在将加热器12的宽度作为宽度h1时,宽度W1为“h1+0.3mm”以上“h1+0.9mm”以下。如果宽度W1与h1满足(h1+0.3mm)≤W1≤(h1+0.9mm)的关系,则加热器12不会从凹部11浮起,加热器12确实地固定在凹部11内,正确地被定位。
另外,在通过接合剂50将加热器12粘结在凹部11内时,凹部11与加热器12之间的间隙成为包含在接合剂50中的无定形填充物53所能够除去的尺寸与形状。由于对凹部11的角部实施了R加工,因此能够防止以角部为基点产生裂纹。
例如,表6表示加热器12的宽度h1、间隙与加热器是否浮起、槽内的加热器定位的关系。
表6
表6加热器定位结果
○:良好、×:不良
此时的凹部11的角部的R加工半径为0.27mm,加热器12的宽度h1为2mm。在使加热器12的宽度为宽度h1时,如果凹部11的宽度W1为h1+0.3mm以上h1+0.9mm以下,则加热器12不会从凹部11的底面11b浮起,加热器12确实地定位在凹部11内。
接下来,由于确认了在接合剂40中的球形填充物42的配合量,因此在下面进行说明。接合剂40预先含有80wt%的无定形填充物43。
表7表示球形填充物42的配合量试验结果。在该试验中,确认了球形填充物42可混合分散在含有无定形填充物43的接合剂40中的体积浓度。
首先,如果球形填充物42的体积浓度为0.020vol%以下,则接合剂40的厚度变薄,在球形填充物42或陶瓷板10上产生了裂纹。推定其主要原因如下,由于在球形填充物42或抵接于球形填充物42的陶瓷板10的局部集中了热压硬 化时的冲压压力。相反,如果球形填充物42的体积浓度大于0.020vol%,则在接合剂40内的球形填充物42的分散变得良好。即,球形填充物42在接合剂40内无遗漏地遍布,在进行热压硬化时,难以因无定形填充物43而使局部应力外加到陶瓷板10上。因此,抑制在陶瓷板10上产生裂纹。
另外,知道了如下内容,如果球形填充物42的体积浓度大于46.385vol%,则在接合剂40中的球形填充物42的分散不充分。如果球形填充物42的体积浓度(vol%)小于42.0vol%,则在含有无定形填充物43的接合剂40内的球形填充物42的分散趋于均匀。
这样,对于含有无定形填充物43的接合剂40,优选球形填充物42的体积浓度大于0.025vol%小于42.0vol%。
表7
表7球形填充物的配合量试验结果
玻璃的压缩强度:832MPa、玻璃(2)的压缩强度:466MPa
氧化铝的压缩强度:3200MPa、 ○:可粘结、×:无法粘结
图4是接合剂的断面SEM图像,(a)是混合分散球形填充物与无定形填充 物的接合剂的断面SEM图像,(b)是混合分散无定形填充物的接合剂的断面SEM图像,(c)是凹部的断面SEM图像。断面SEM图像的视场为800倍。
在图4(a)所示的接合剂40中,在主剂41内混合分散有球形填充物42与无定形填充物43。在接合剂40的上下,观察到陶瓷板10、调温板30。在该SEM像图中,虽然球形填充物42未到达陶瓷板10的下面与调温板30的上面,之所以这样,是因为球形填充物42在最大直径的前侧(或者里侧)被切断。球形填充物42的直径为约70μm。
在图4(b)所示的接合剂40中,未分散有球形填充物42。即,在陶瓷板10与调温板30之间,只观察到主剂41与无定形填充物43。根据断面SEM图像,将测定无定形填充物43的短径的最大值的结果示于表8中。
表8
表8无定形填充物的短径的最大值
根据表8,可知无定形填充物43的短径的最大值分散在9.73μm~26.73μm的范围内。由于球形填充物42的平均直径为70μm,因此知道球形填充物的平均直径与全部无定形填充物43的短径的最大值相比更大。
另外,根据图4(c)所示的凹部11的断面,知道凹部11的深度为100μm,角部17的R加工的半径为约0.27mm。
而且,图5是说明无定形填充物的短径的图。
无定形填充物43的短径是无定形填充物43的与长度方向(箭头C)正交的宽度方向的长度。例如,符合图中的d1、d2、d3等。短径的最大值是多个无定形填充物43的全部短径当中的最大的短径值。
图6是涉及静电吸盘的变形例的要部断面模式图。该图对应于图1(b)。
在静电吸盘2中,陶瓷板70、71是体积电阻率(20℃)为1014Ω·cm以上的库仑型原材料。由于陶瓷板70、71是库仑型原材料,因此即使在被处理基板的处理中改变温度,被处理基板的吸附力、被处理基板的脱离响应性也稳定。另外,其直径为300mm,厚度为1~4mm。
在静电吸盘2中,电极72被夹在陶瓷板70、71之间。以沿着陶瓷板70、71的主面的方式设有电极72。当向电极72外加电压时,陶瓷板70、71带静电。由此,能够将被处理基板静电吸附在陶瓷板70上。
除此之外的构造与静电吸盘1相同。即,在静电吸盘2中,也得到与静电吸盘1相同的效果。
此外,在本实施方式中,球形填充物42与无定形填充物43的热传导率高于接合剂40的主剂41的热传导率。
由于球形填充物42与无定形填充物43的热传导率高于接合剂40的主剂41,因此与主剂单体的接合剂相比接合剂40的热传导率上升,冷却性能提高。
球形填充物42的材质与无定形填充物43的材质不同。
将球形填充物42添加于接合剂40中的目的为,为了实现接合剂40厚度的均匀化或者分散外加到陶瓷板10上的应力。将无定形填充物43添加于接合剂40中的目的为,为了提高接合剂40的热传导率或者实现热传导率的均匀化。这样,通过选择符合各目的的更加优良的材质,能够得到更高的性能。
球形填充物42的热传导率低于无定形填充物43的热传导率。
例如,在球形填充物42接触陶瓷板10的凸部15的情况下,该接触部分与其他部分的热传导率的差变小。由此,能够实现陶瓷板10的面内温度分布的均匀化。
包含在接合剂50中的球形填充物52与包含在接合剂50中的无定形填充物53的热传导率高于接合剂50的主剂5 1的热传导率。
由于球形填充物52与无定形填充物53的热传导率高于接合剂50的主剂51,因此与主剂单体的接合剂相比接合剂50的热传导率上升,冷却性能提高。
球形填充物52的材质与无定形填充物53的材质不同。
将球形填充物52添加于接合剂50中的目的为,为了实现接合剂50厚度的均匀化或者分散外加到陶瓷板10上的应力。将无定形填充物53添加于接合剂 50中的目的为,为了提高接合剂50的热传导率或者实现热传导率的均匀化。这样,通过选择符合各目的的更加优良的材质,能够得到更高的性能。
球形填充物52的热传导率低于无定形填充物53的热传导率。例如,球形填充物52接触设置在陶瓷板10上的凹部11的底面11b的情况下,该接触部分与其他部分的热传导率的差变小。由此,能够实现陶瓷板10的面内温度分布的均匀化。
另外,球形填充物52的热传导率或者与无定形填充物53和主剂51的混合物的热传导率相同,或者小于所述混合物的热传导率。
通过使球形填充物52的热传导率或者与无定形填充物53和主剂51的混合物的热传导率相同或者小,从而使接合剂50内的热传导率进一步趋于一定,抑制热传导时在接合剂50内产生热点或冷点这样的温度的奇异点。
球形填充物52的热传导率处于无定形填充物53和主剂51的混合物的热传导率的0.4倍以上1.0倍以下的范围内。
使球形填充物52的热传导率处于无定形填充物53和主剂51的混合物的热传导率的0.4倍以上1.0倍以下的范围内,从而能够优选使接合剂50内的热传导率进一步趋于均匀。其结果,抑制热传导时在接合剂50内产生热点或冷点这样的温度的奇异点。
图7是涉及静电吸盘的其他变形例的要部断面模式图。
在静电吸盘3中,在凹部11的端部区域设有凹部11的深度朝着凹部11的端侧逐渐变浅的渐浅部11r。
在将加热器12粘结在凹部11的内部之前,在凹部11的内部涂敷粘结剂。如果在凹部11的端部区域设有凹部11的深度朝着凹部11的端侧逐渐变浅的渐浅部11r,则在涂敷粘结剂时难以在渐浅部11r产生气泡。假设,即使产生了气泡,如果设有渐浅部11r,则也能够在之后的加压粘结时容易地将气泡除去。
另外,在将加热器12粘结在凹部11的内部时,通过加压粘结来使第2无定形填充物53中的较大形状的第2无定形填充物53从凹部11内流出。此时,如果在凹部11的端部区域设有渐浅部11r,则较大形状的第2无定形填充物53容易流出。其结果,能够通过第1球形填充物42的平均粒子直径更加均匀地控制加热器12与陶瓷板10的距离。
而且,如果在凹部11的端部区域设有渐浅部11r,则在加压粘结加热器12时,在凹部11内产生压力梯度,其结果提高了加热器12对于凹部11的定位(centering)精度。
例如,在图7中作为渐浅部11r的一例而示出有连续的曲面。在凹部11的内部,侧面11w与底面11b以连续的曲面相交。例如能够通过喷砂来形成这样的连续曲面。作为一例,在能够将该曲面形状做成接近于R(半径)形状时,优选R的尺寸(R尺寸)为凹部11的深度d4的0.5倍以上,凹部11的宽度d5的0.5倍以下。
在R尺寸小于d4的0.5倍时,凹部11的侧面11w与底面11b的交点呈接近角状的形状。因此,在涂敷粘结剂时,在凹部11内容易产生气泡,产生的气泡容易残留在凹部11内。而且,在电极13与凹部11之间容易产生电场集中的奇异点,也存在发生耐电压破坏的情况。
另一方面,如果R尺寸大于凹部11的宽度d5的0.5倍,则曲面绕到加热器12的下部,无法将加热器12与凹部11的底面11b的距离保持成一定。另外,加热器12在凹部11内的定位精度降低。
另外,对于R尺寸,也可以将下面的图6所示的尺寸作为上限。
图8是静电吸盘的凹部周边的断面模式图。
在假设渐浅部11r的曲面为半径r的圆弧时,将与凹部11的下端缘11e、凹部11的底面11b的中心11c相连的圆弧的半径r作为R尺寸的上限值。
由于用(1/2)·d4+d52/(8·d4)表示半径r的上限值,因此也可以如下
(R尺寸的上限值)≤(1/2)·d4+d52/(8·d4)。
另外,图9是用于说明静电吸盘效果的一例的图。在图9(a)中示出有静电吸盘1的断面模式图,在图9(b)中示出有比较例。
由于球形填充物42是球状,因此即使在陶瓷板10与球形填充物42之间存在较大的无定形填充物43,在球形填充物42向陶瓷板10侧被按压时,无定形填充物43也由于球形填充物42的曲面而变得容易滑动。由此,在静电吸盘1中,无定形填充物43难以残留在球形填充物42与陶瓷板10之间。
与此相对,在比较例中,由于使用了圆筒状填充物420,因此无定形填充物43容易夹在圆筒状填充物420与陶瓷板10之间。因此,在比较例中,无定形填 充物43容易残留在圆筒状填充物420与陶瓷板10之间。从而,如本实施方式,优选使用球形填充物42。
以上,说明了本发明的实施方式。但是本发明并不局限于上述记述。关于前述的实施方式,只要具备本发明的特征,则本领域技术人员追加适当设计变更的发明也包含在本发明的范围内。例如,各要素的形状、尺寸、材质、配置等不局限于例示的内容,可适当地进行变更。
另外,前述的各实施方式所具备的各要素,在技术上可行的范围内能够进行组合、复合,组合这些的发明只要包含本发明的特征,则也就包含在本发明的范围内。
作为保持固定被处理基板的静电吸盘来加以利用。
Claims (22)
1.一种静电吸盘,
具备:陶瓷板,在主面上设有凹部且在内部设有电极;
调温板,接合在所述陶瓷板的所述主面上;
第1接合剂,设置在所述陶瓷板与所述调温板之间;
及加热器,设置在所述陶瓷板的所述凹部内,其特征为,
所述第1接合剂具有:第1主剂,包含有机材料;第1无定形填充物,包含无机材料;及第1球形填充物,包含无机材料,
在所述第1主剂中,所述第1无定形填充物与所述第1球形填充物分散配合,
所述第1主剂、所述第1无定形填充物与所述第1球形填充物由电绝缘性材料构成,
所述第1球形填充物的平均直径与全部所述第1无定形填充物的短径的最大值相比更大,
所述第1接合剂的厚度或者与所述第1球形填充物的平均直径相同或者更大,
所述凹部的宽度与所述加热器的宽度相比更宽,所述凹部的深度与所述加热器的厚度相比更深,
所述加热器被第2接合剂粘结在所述凹部内,
所述加热器的所述调温板侧的主面与所述调温板的主面之间的第1距离长于所述陶瓷板的所述凹部间的所述主面与所述调温板的主面之间的第2距离。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征为,
所述第1球形填充物的平均直径与所述无定形填充物的短径的最大值相比还要大10μm以上。
3.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征为,
所述第1球形填充物的体积浓度如下,对于含有所述第1无定形填充物的所述第1接合剂的体积,大于0.025vol%小于42.0vol%。
4.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征为,
所述第1接合剂的所述第1主剂与所述第2接合剂的第2主剂的材质为硅酮树脂、环氧树脂、氟树脂中的任意1个。
5.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征为,
所述第1球形填充物与所述第1无定形填充物的热传导率高于所述第1接合剂的所述第1主剂的热传导率。
6.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征为,
所述第1球形填充物的材质与所述第1无定形填充物的材质不同。
7.根据权利要求5所述的静电吸盘,其特征为,
所述第1球形填充物的热传导率低于所述第1无定形填充物的热传导率。
8.根据权利要求7所述的静电吸盘,其特征为,
所述第1球形填充物的热传导率或者与所述第1无定形填充物和所述第1主剂的混合物的热传导率相同,或者小于所述混合物的热传导率。
9.根据权利要求8所述的静电吸盘,其特征为,
所述第1球形填充物的热传导率处于所述第1无定形填充物和所述第1主剂的混合物的热传导率的0.4倍以上1.0倍以下的范围内。
10.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征为,
所述第1球形填充物的维氏硬度小于所述陶瓷板的维氏硬度。
11.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征为,
在所述加热器的断面上,大致平行于所述陶瓷板主面的面与大致垂直于所述陶瓷板主面的面相比更长,
在所述凹部的宽度为W1、
所述凹部的深度为D、
所述凹部间的所述主面的宽度为W2、
所述凹部的底面与所述权利底面侧的所述加热器的主面之间的距离为d1、
从所述凹部的底面到所述陶瓷板的主面的高度与从所述凹部的底面到所述加热器的所述调温板侧的主面的高度之差的距离为d2时,满足
W1>D、W1>W2、d1>d2
的关系。
12.根据权利要求11所述的静电吸盘,其特征为,
在所述凹部的端部区域设有所述凹部的深度朝着所述凹部的端侧逐渐变浅的渐浅部。
13.根据权利要求1所述的静电吸盘,其特征为,
所述第2接合剂具有:第2主剂,包含有机材料;第2无定形填充物,包含无机材料;及第2球形填充物,包含无机材料,
在所述第2主剂中,所述第2无定形填充物与所述第2球形填充物分散配合,
所述第2主剂、所述第2无定形填充物与所述第2球形填充物为电绝缘性材料,
所述第2球形填充物的平均直径与全部所述第2无定形填充物的短径的最大值相比更大,
所述第2接合剂的厚度或者与所述第2球形填充物的平均直径相同或者更大,
第2球形填充物的平均直径或者与所述第1球形填充物的平均直径相同或者更小。
14.根据权利要求13所述的静电吸盘,其特征为,
包含在所述第2接合剂中的第2球形填充物与包含在所述第2接合剂中的第2无定形填充物的热传导率高于所述第2接合剂的所述第2主剂的热传导率。
15.根据权利要求13所述的静电吸盘,其特征为,
所述第2球形填充物的材质与所述第2无定形填充物的材质不同。
16.根据权利要求14所述的静电吸盘,其特征为,
所述第2球形填充物的热传导率低于所述第2无定形填充物的热传导率。
17.根据权利要求16所述的静电吸盘,其特征为,
所述第2球形填充物的热传导率或者与所述第2无定形填充物和所述第2主剂的混合物的热传导率相同,或者小于所述混合物的热传导率。
18.根据权利要求17所述的静电吸盘,其特征为,
所述第2球形填充物的热传导率处于所述第2无定形填充物和所述第2主剂的所述混合物的热传导率的0.4倍以上1.0倍以下的范围内。
19.根据权利要求13所述的静电吸盘,其特征为,
所述凹部的宽度W1、所述凹部间的所述主面的宽度W2满足
20%≤W2/(W1+W2)≤45%
的关系。
20.根据权利要求13所述的静电吸盘,其特征为,
所述凹部的底面的算术平均粗糙度大于所述主面的算术平均粗糙度,所述凹部的所述底面的最大高度粗糙度大于所述主面的最大高度粗糙度。
21.根据权利要求13所述的静电吸盘,其特征为,
从所述凹部的底面到所述陶瓷板的主面的高度与从所述凹部的所述底面到所述加热器的所述调温板侧的所述主面的高度之差的距离d2如下,d2≥10μm。
22.根据权利要求13所述的静电吸盘,其特征为,
在所述调温板的主面上形成有绝缘膜。
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---|---|---|---|---|
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US9604249B2 (en) | 2012-07-26 | 2017-03-28 | Applied Materials, Inc. | Innovative top-coat approach for advanced device on-wafer particle performance |
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CN103633003B (zh) * | 2012-08-28 | 2016-12-21 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种静电卡盘 |
JP5441020B1 (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-12 | Toto株式会社 | 静電チャック |
JP5441021B1 (ja) * | 2012-09-12 | 2014-03-12 | Toto株式会社 | 静電チャック |
US9916998B2 (en) | 2012-12-04 | 2018-03-13 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly having a plasma resistant protective layer |
US9685356B2 (en) | 2012-12-11 | 2017-06-20 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly having metal bonded protective layer |
US8941969B2 (en) | 2012-12-21 | 2015-01-27 | Applied Materials, Inc. | Single-body electrostatic chuck |
US9358702B2 (en) | 2013-01-18 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Temperature management of aluminium nitride electrostatic chuck |
US9669653B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-06-06 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck refurbishment |
US9887121B2 (en) | 2013-04-26 | 2018-02-06 | Applied Materials, Inc. | Protective cover for electrostatic chuck |
US9666466B2 (en) | 2013-05-07 | 2017-05-30 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having thermally isolated zones with minimal crosstalk |
US9865434B2 (en) | 2013-06-05 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Rare-earth oxide based erosion resistant coatings for semiconductor application |
US9850568B2 (en) | 2013-06-20 | 2017-12-26 | Applied Materials, Inc. | Plasma erosion resistant rare-earth oxide based thin film coatings |
JP6370115B2 (ja) * | 2014-05-30 | 2018-08-08 | 日本特殊陶業株式会社 | 静電チャック |
KR102508957B1 (ko) | 2015-03-24 | 2023-03-13 | 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 | 정전 척 장치 |
KR20170016547A (ko) | 2015-08-03 | 2017-02-14 | 삼성전자주식회사 | 척 테이블 및 그를 포함하는 기판 제조 장치 |
KR101791871B1 (ko) * | 2015-08-31 | 2017-10-31 | 세메스 주식회사 | 정전 척 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US10020218B2 (en) | 2015-11-17 | 2018-07-10 | Applied Materials, Inc. | Substrate support assembly with deposited surface features |
JP6226092B2 (ja) * | 2016-03-14 | 2017-11-08 | Toto株式会社 | 静電チャック |
WO2017159590A1 (ja) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | Toto株式会社 | 静電チャック |
JP6597437B2 (ja) * | 2016-03-24 | 2019-10-30 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
DE102016111234B4 (de) * | 2016-06-20 | 2018-01-25 | Heraeus Noblelight Gmbh | Vorrichtung für die thermische Behandlung eines Substrats sowie Trägerhorde und Substrat-Trägerelement dafür |
JP6238097B1 (ja) * | 2016-07-20 | 2017-11-29 | Toto株式会社 | 静電チャック |
WO2018016587A1 (ja) * | 2016-07-20 | 2018-01-25 | Toto株式会社 | 静電チャック |
JP6238098B1 (ja) * | 2016-07-20 | 2017-11-29 | Toto株式会社 | 静電チャック |
WO2018016588A1 (ja) * | 2016-07-20 | 2018-01-25 | Toto株式会社 | 静電チャック |
US11047035B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Protective yttria coating for semiconductor equipment parts |
CN110277343B (zh) * | 2018-03-14 | 2023-06-30 | Toto株式会社 | 静电吸盘 |
JP7131178B2 (ja) * | 2018-07-30 | 2022-09-06 | 株式会社デンソー | 発熱部材 |
CN113396535B (zh) * | 2019-02-21 | 2024-01-19 | 京瓷株式会社 | 试样保持工具 |
JP7328018B2 (ja) * | 2019-06-13 | 2023-08-16 | 新光電気工業株式会社 | 基板固定装置及びその製造方法 |
KR102218698B1 (ko) | 2019-09-04 | 2021-02-22 | 주식회사 에코비젼21 | 주조설비에서의 탈사 에너지 관리 방법 |
KR102277784B1 (ko) * | 2019-10-16 | 2021-07-14 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 상기 기판 처리 장치용 접착제 |
JP7458354B2 (ja) | 2021-09-15 | 2024-03-29 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5535090A (en) * | 1994-03-03 | 1996-07-09 | Sherman; Arthur | Electrostatic chuck |
JP2005159018A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Kyocera Corp | ウェハ支持部材 |
JP2005347559A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 静電チャック及びセラミック製の静電チャックの製造方法 |
CN101093811A (zh) * | 2006-04-27 | 2007-12-26 | 应用材料股份有限公司 | 具有双温度区的静电吸盘的衬底支架 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2007111A (en) * | 1931-10-17 | 1935-07-02 | Doherty Res Co | Glazed electric range heating unit and glaze therefor |
JPS5271177A (en) * | 1975-12-10 | 1977-06-14 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device |
JPH07221125A (ja) * | 1994-01-27 | 1995-08-18 | Toyota Autom Loom Works Ltd | 半導体部品の実装構造及び絶縁性接着剤 |
US6310755B1 (en) * | 1999-05-07 | 2001-10-30 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having gas cavity and method |
JP2001077185A (ja) * | 1999-09-01 | 2001-03-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電チャック及びその製造方法 |
KR100430604B1 (ko) * | 2001-11-23 | 2004-05-10 | 주성엔지니어링(주) | 반도체 웨이퍼를 가열하기 위한 몰딩히터 및 그 제조방법 |
US6956739B2 (en) * | 2002-10-29 | 2005-10-18 | Parker-Hannifin Corporation | High temperature stable thermal interface material |
JP4542842B2 (ja) * | 2004-07-12 | 2010-09-15 | 株式会社リコー | 電極間接続構造 |
JP4614868B2 (ja) * | 2004-11-22 | 2011-01-19 | 日本碍子株式会社 | 接合体及びその製造方法 |
JP2007180105A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路基板、回路基板を用いた回路装置、及び回路基板の製造方法 |
JP2009144072A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Sekisui Chem Co Ltd | 絶縁シート及び積層構造体 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5535090A (en) * | 1994-03-03 | 1996-07-09 | Sherman; Arthur | Electrostatic chuck |
JP2005159018A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Kyocera Corp | ウェハ支持部材 |
JP2005347559A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 静電チャック及びセラミック製の静電チャックの製造方法 |
CN101093811A (zh) * | 2006-04-27 | 2007-12-26 | 应用材料股份有限公司 | 具有双温度区的静电吸盘的衬底支架 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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