KR20170016547A - 척 테이블 및 그를 포함하는 기판 제조 장치 - Google Patents

척 테이블 및 그를 포함하는 기판 제조 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20170016547A
KR20170016547A KR1020150109517A KR20150109517A KR20170016547A KR 20170016547 A KR20170016547 A KR 20170016547A KR 1020150109517 A KR1020150109517 A KR 1020150109517A KR 20150109517 A KR20150109517 A KR 20150109517A KR 20170016547 A KR20170016547 A KR 20170016547A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chuck
sectors
disk
base
connecting member
Prior art date
Application number
KR1020150109517A
Other languages
English (en)
Inventor
김두진
김영식
송근호
하용대
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020150109517A priority Critical patent/KR20170016547A/ko
Priority to US15/215,578 priority patent/US10211084B2/en
Publication of KR20170016547A publication Critical patent/KR20170016547A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00—Other grinding machines or devices
    • B24B27/0061—Other grinding machines or devices having several tools on a revolving tools box
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25B—TOOLS OR BENCH DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, FOR FASTENING, CONNECTING, DISENGAGING OR HOLDING
    • B25B11/00—Work holders not covered by any preceding group in the subclass, e.g. magnetic work holders, vacuum work holders
    • B25B11/005—Vacuum work holders

Abstract

본 발명은 척 테이블 및 그를 포함하는 기판 제조 장치를 개시한다. 그의 테이블은, 진공 홀을 갖는 베이스 디스크와, 상기 베이스 디스크의 상기 진공 홀 상에 배치되는 척 디스크를 포함한다. 척 디스크는 복수개의 제 1 섹터들과, 제 1 섹터들을 연결하는 제 1 연결 부재를 포함할 수 있다.

Description

척 테이블 및 그를 포함하는 기판 제조 장치{chuck table and apparatus for manufacturing substrate including the same}
본 발명은 기판 제조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 고정하는 척 테이블 및 그를 포함하는 기판 제조 장치에 관한 것이다.
최근, 모바일 폰과 같은 휴대용 전자기기는 고집적과 동시에 박형화가 요구되고 있다. 휴대용 전자기기의 핵심 부품의 반도체 소자는 주로 기판의 백랩(back-lap) 공정 및/또는 백그라인딩(back grinding) 공정을 통해 박형화될 수 있다. 백랩 공정은 웨이퍼의 뒷면, 즉 패턴이 형성되지 않은 후면을 연삭 및/또는 연마하는 공정일 수 있다. 웨이퍼의 최종 두께는 반도체 소자의 종류 또는 고객의 요구에 따라 결정될 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 일 과제는 부분적으로 수리되는 척 테이블 및 그를 포함하는 기판 제조 장치를 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 일 과제는 생산성을 극대화할 수 있는 척 테이블 및 그를 포함하는 기판 제조 장치를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 척 테이블은, 제 1진공 홀을 갖는 베이스 디스크; 및 상기 제 1 진공 홀 상에 배치되는 척 디스크를 포함한다. 여기서, 상기 척 디스크는: 복수개의 제 1 섹터들; 및 상기 복수개의 제 1 섹터들을 연결하는 제 1 연결 부재를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 기판 제조 장치는 인덱스 스테이지; 상기 인덱스 스테이지 상에 배치되고, 기판을 고정하는 척 테이블들; 및 상기 척 테이블들 상에 배치되고, 상기 기판을 연마하는 연마 모듈을 포함한다. 여기서, 상기 척 테이블들 각각은: 진공 홀을 갖는 베이스 디스크; 및 상기 진공 홀 상에 배치되는 척 디스크를 포함할 수 있다. 상기 척 디스크는: 복수개의 제 1 섹터들; 및 상기 복수개의 제 1 섹터들을 연결하는 제 1 연결 부재를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 척 테이블은, 베이스 홈과, 상기 베이스 홈의 바닥의 진공 홀을 갖는 세라믹 디스크; 및 상기 베이스 홈 내에 배치된 척 디스크를 포함한다. 상기 척 디스크는: 상기 진공 홀 상에 배치된 다공질 세라믹 섹터들; 및 상기 다공질 세라믹 섹터들 사이를 연결하고, 상기 베이스 홈 내에 상기 세라믹 섹터들을 고정하는 제 1 세라믹 접착제를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 척 테이블은 복수개의 섹터들과, 섹터들을 연결하는 연결 부재를 포함할 수 있다. 손상된 섹터들은 개별적으로 교체될 수 있다. 척 테이블은 부분적으로 수리될 수 있다. 섹터들의 개별 교체 비용은 척 테이블의 전체 교체 비용보다 작을 수 있다. 따라서, 생산성은 극대화될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조 설비를 보여주는 도면이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 기판 제조 장치를 보여주는 평면도와 사시도이다.
도 4는 도 2 및 도 3의 척 테이블의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 5는 도 4의 I-I' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 6는 도 1의 척 테이블의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6의 II-II' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 8은 도 1의 척 테이블의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 9는 도 8의 III-III' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 10은 도 9의 베이스 디스크의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 11은 도 6의 척 디스크의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 12는 도 11의 IV-IV' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 13은 도 11의 척 디스크(224)의 일 예를 보여주는 평면도이다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 동일한 구성 요소들은 동일한 참조번호를 이용하여 인용될 것이다. 유사한 구성 요소들은 유사한 참조번호들을 이용하여 인용될 것이다. 아래에서 설명될 본 발명에 따른 아날로그-디지털 변환기와, 그것에 의해 수행되는 동작은 예를 들어 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 제조 설비(100)를 보여준다.
도 1을 참조하면, 반도체 제조 설비(100)는 기판 제조 장치(200), 반송 장치(300), 및 패키지 장치(400)를 포함할 수 있다. 기판 제조 장치(200)는 기판(10)의 제조 공정을 수행할 수 있다. 예를 들어, 기판(10)은 웨이퍼를 포함할 수 있다. 일 예를 들면, 기판 제조 장치(200)는 백랩(back-lap) 장치를 포함할 수 있다. 백랩 장치는 기판(10)의 뒷면을 연삭 및/또는 연마할 수 있다. 기판(10)의 두께는 감소할 수 있다. 이와 달리, 기판 제조 장치(200)는 소우(saw) 장치를 포함할 수 있다. 반송 장치(300)는 기판 제조 장치(200)와 패키지 장치(400) 사이에 배치될 수 있다. 반송 장치(300)는 기판(10)을 기판 제조 장치(200)와 패키지 장치(400) 사이에 반송시킬 수 있다. 예를 들어, 반송 장치(300)는 로봇 암 또는 컨베이어를 포함할 수 있다. 패키지 장치(400)는 웨이퍼 레벨 패키지 장치일 수 있다. 패키지 장치(400)는 마운터를 포함할 수 있다. 패키지 장치(400)는 웨이퍼 상에 범퍼들(미도시)을 형성할 수 있다.
도 2 및 도 3은 도 1의 기판 제조 장치(200)를 보여준다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 기판 제조 장치(200)는 인덱스 스테이지(210), 복수개의 척 테이블들(220), 연마 모듈(230), 및 슬러리 공급 노즐(240)을 포함할 수 있다. 인덱스 스테이지(210)는 척 테이블들(220)을 이동시킬 수 있다. 척 테이블들(220)은 기판들(10)을 수납할 수 있다. 연마 모듈(230)은 기판들(10)을 연삭 및/또는 연마할 수 있다. 슬러리 공급 노즐(240)은 슬러리를 기판들(10) 상에 제공할 수 있다.
일 예에 따르면, 인덱스 스테이지(210)는 원 모양을 가질 수 있다. 척 테이블들(220)은 인덱스 스테이지(210)의 가장자리에 배치될 수 있다. 샤프트(212)는 인덱스 스테이지(210)를 회전시킬 수 있다. 기판들(10)은 연마 모듈(230)에 의해 순차적으로 연삭 및/또는 연마될 수 있다. 예를 들어, 기판(10)의 연삭 및/또는 연마 공정이 순차적으로 완료될 때마다, 인덱스 스테이지(210)는 척 테이블들(220)을 회전시킬 수 있다. 인덱스 스테이지(210)는 4개의 척 테이블들(220)을 회전시킬 수 있다. 인덱스 스테이지(210)가 360°로 회전되면, 기판들(10)의 백랩 공정은 완료될 수 있다.
척 테이블들(220)은 기판(10)을 고정할 수 있다. 일 예에 따르면, 기판(10)은 진공으로 흡착될 수 있다. 척 테이블들(220)은 기판(10)과 동일한 모양을 가질 수 있다. 예를 들어, 척 테이블들(220)은 원 모양을 가질 수 있다. 척 테이블들(220)은 인덱스 스테이지(210)보다 작고, 기판들(10)보다 클 수 있다. 척 테이블들(220)은 후속에서 예를 들어 설명하기로 한다.
연마 모듈(230)은 인덱스 스테이지(210) 상에 배치될 수 있다. 일 예에 따르면, 연마 모듈(230)은 브랜치 헤드(232), 스핀들들(234), 그라인딩 휠들(236), 및 연마 패드(238)를 포함할 수 있다.
브랜치 헤드(232)는 스핀들들(234)을 연결할 수 있다. 예를 들어, 브랜치 헤드(232)는 4개의 스핀들들(234)을 연결할 수 있다. 브랜치 헤드(232)는 인덱스 스테이지(210)의 중심에서 가장자리 방향으로 연장할 수 있다. 브랜치 헤드(232)는 X자 모양을 가질 수 있다. 스핀들들(234)은 90°의 방위각마다 브랜치 헤드(232)에 연결될 수 있다. 스핀들들(234)은 그라인딩 휠들(236) 및 연마 패드(238)에 연결될 수 있다. 브랜치 헤드(232)는 그라인딩 휠들(236) 및 연마 패드(238)을 기판들(10) 상에 승하강(elevate)시킬 수 있다.
스핀들들(234)은 브랜치 헤드(232)의 말단에 배치될 수 있다. 그라인딩 휠들(236) 및 연마 패드(238)은 스핀들들(234)의 아래에 배치될 수 있다. 스핀들들(234)은 회전 동력을 그라인딩 휠들(236) 및 연마 패드(238)에 전달할 수 있다. 그라인딩 휠들(236) 및 연마 패드(238)는 약 100rpm 내지 3000rpm으로 회전될 수 있다.
그라인딩 휠들(236)은 기판(10)을 연삭할 수 있다. 이와 달리, 그라인딩 휠들(236)은 척 테이블들(220)을 연삭할 수도 있다. 예를 들어, 그라인딩 휠들(236) 각각은 다이아몬드 블레이드를 포함할 수 있다. 기판(10)의 두께는 그라인딩 휠들(236)에 의해 줄어들 수 있다. 일 예에 따르면, 그라인딩 휠들(236)은 러프 그라인딩 휠(235)과 파인 그라인딩 휠(237)을 포함할 수 있다. 러프 그라인딩 휠(235)은 기판(10)을 거칠게 연삭(grinding)할 수 있다. 파인 그라인딩 휠(237)은 기판(10)을 정밀하게 연삭할 수 있다. 예를 들어, 기판(10)은 약 50μm 내지 약 200 약 12μm의 평탄도 및/또는 표면 거칠기로 연삭될 수 있다.
연마 패드(238)는 기판(10)을 연마(polishing)할 수 있다. 연마 패드(238)는 그라인딩 휠들(236)보다 크고, 척 테이블들(220)과 동일한 직경을 가질 수 있다. 연마 패드(238)는 부직 포, 및 석재를 포함할 수 있다. 기판(10)은 약 8μm 내지 약 12μm의 평탄도 및/또는 표면 거칠기로 연마될 수 있다. 이와 달리, 연마 패드(238)는 척 테이블들(220)을 연마할 수도 있다. 예를 들어, 척 테이블들(220)은 일정 주기로 연마될 수 있다. 또한, 척 테이블들(220)의 상부 면이 손상될 때마다 연마 패드(238)는 척 테이블들(220)을 연마할 수 있다.
슬러리 공급 노즐(240)은 연마 패드(238)와 기판(10) 사이에 슬러리를 제공할 수 있다. 이와 달리, 슬러리 공급 노즐(240)은 그라인딩 휠들(236)과 기판들(10) 사이에 냉각수 및/또는 세정액을 제공할 수도 있다.
도 4는 도 2 및 도 3의 척 테이블(220)의 일 예를 보여준다. 도 5는 도 4의 I-I' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 척 테이블(220)은 베이스 디스크(222) 및 척 디스크(224)를 포함할 수 있다. 베이스 디스크(222)는 척 디스크(224) 아래에 배치될 수 있다. 척 디스크(224)는 기판(10)을 흡착할 수 있다.
베이스 디스크(222)는 척 디스크(224) 및 기판(10)보다 넓을 수 있다. 예를 들어, 베이스 디스크(222)의 직경은 척 디스크(224)의 직경보다 클 수 있다. 베이스 디스크(222)는 세라믹을 포함할 수 있다. 이와 달리, 베이스 디스크(222)는 금속을 포함할 수도 있다. 베이스 디스크(222)는 약 5cm 내지 10cm 정도의 두께를 가질 수 있다. 일 예에 따르면, 베이스 디스크(222)는 베이스 진공 홀(221) 및 베이스 홈(223)을 가질 수 있다. 베이스 진공 홀(221)은 베이스 디스크(222)의 중심에 배치될 수 있다. 이와 달리, 베이스 진공 홀(221)은 베이스 디스크(222)의 가장자리에 배치될 수도 있다. 베이스 진공 홀(221)은 베이스 홈(223) 내에 배치될 수 있다. 척 디스크(224)는 베이스 홈(223) 내에 배치될 수 있다. 베이스 진공 홀(221)은 척 디스크(224)를 통해 기판(10)을 진공 압력으로 흡착시키는 공기 흡입 홀일 수 있다. 척 디스크(224)의 직경은 베이스 홈(223)의 직경과 동일할 수 있다. 베이스 홈(223)은 척 디스크(224)를 고정할 수 있다. 베이스 홈(223)은 척 디스크(224)의 두께와 동일한 깊이를 가질 수 있다. 즉, 베이스 디스크(222)의 상부 면과 척 디스크(224)의 상부 면은 동일한 높이로 배치될 수 있다.
척 디스크(224)는 베이스 디스크(222) 상에 고정될 수 있다. 척 디스크(224)는 기판(10)보다 작을 수 있다. 예를 들어, 척 디스크(224)의 직경은 기판(10)의 직경보다 작을 수 있다. 이와 달리, 척 디스크(224)와 기판(10)는 동일한 면적을 가질 수 있다. 예를 들어, 척 디스크(224)는 약 5mm 내지 1cm 정도의 두께를 가질 수 있다. 일 예에 따르면, 척 디스크(224)는 복수개의 척 섹터들(226) 및 척 연결 부재(228)를 포함할 수 있다. 척 섹터들(226)의 중심은 베이스 진공 홀(221) 상에 배치될 수 있다. 척 연결 부재(228)는 척 섹터들(226)을 연결시킬 수 있다.
일 예에 따르면, 척 섹터들(226)은 다공성 세라믹을 포함할 수 있다. 척 섹터들(226)은 2개 내지 n개로 구성될 수 있다. 예를 들어, 척 섹터들(226)은 6개로 구성될 수 있다. 척 섹터들(226)은 동일한 모양과 크기를 가질 수 있다. 척 섹터들(226)은 약 5mm 내지 1cm 정도의 두께를 가질 수 있다.
한편, 척 섹터들(226)은 기판(10)의 슬라이딩에 의해 부분적으로 손상될 수 있다. 기판(10)은 로딩/언로딩 시에 척 섹터들(226) 중 적어도 하나를 손상시킬 수 있다. 이와 달리, 척 섹터들(266)은 예방 정비 시 공구들의 낙하에 의해 일부 손상될 수 있다. 이때, 척 섹터들(226)은 개별적으로 교체될 수 있다. 교체된 척 섹터들(226)은 그라인 딩 휠들(236) 및 연마 패드(238)에 의해 연삭 및/또는 연마될 수 있다. 척 섹터들(226)은 약 8μm 내지 약 12μm의 평탄도를 갖도록 연마될 수 있다. 척 섹터들(226)의 개별 교체 비용은 척 테이블(220)의 전체 교체 비용보다 작을 수 있다. 따라서, 척 섹터들(226)은 생산성을 극대화할 수 있다.
척 연결 부재(228)는 척 섹터들(226) 사이에 배치될 수 있다. 이와 달리, 척 연결 부재(228)는 척 섹터들(226)과 베이스 디스크(222) 사이에 배치될 수 있다. 척 연결 부재(228)는 척 섹터들(226)을 베이스 디스크(222)의 베이스 홈(223) 내에 고정할 수 있다. 일 예를 따르면, 척 연결 부재(228)는 세라믹 접착제를 포함할 수 있다. 척 연결 부재(228)는 척 섹터들(226)의 분리 시에 열에 의해 용융될 수 있다. 이와 달리, 척 연결 부재(228)은 외부의 충격에 의해 파쇄될 수 있다. 척 연결 부재(228)은 용매에 의해 제거될 수 있다. 척 연결 부재(228)는 척 섹터들(226)의 교체 후, 결합 시에 다시 사용될 수 있다.
도 6는 도 1의 척 테이블(220)의 일 예를 보여준다. 도 7은 도 6의 II-II' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 척 테이블(220)의 베이스 디스크(222)는 베이스 섹터들(222a)과 베이스 연결 부재(222b)를 포함할 수 있다. 척 디스크(224)는 도 4 및 도 5와 동일하게 구성될 수 있다.
베이스 섹터들(222a)은 척 디스크(224)의 척 섹터들(226) 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 따르면, 베이스 섹터들(222a)은 척 디스크(224)에 정렬될 수 있다. 예를 들어, 베이스 섹터들(222a)은 2개 내지 n개로 구성될 수 있다. 베이스 섹터들(222a)은 6개로 구성될 수 있다. 베이스 섹터들(222a)은 동일한 모양과 크기를 가질 수 있다. 베이스 섹터들(222a)은 세라믹을 포함할 수 있다.
베이스 섹터들(222a)은 외부의 충격에 취약할 수 있다. 예를 들어, 베이스 홈(223)에 인접한 베이스 섹터들(222a)의 모서리에 외부 충격이 가해지면, 베이스 섹터들(222a)은 쉽게 파손될 수 있다. 파손된 베이스 섹터들(222a)은 개별적으로 교체될 수 있다. 베이스 섹터들(222a)의 개별 교체 비용은 척 테이블(220)의 전체 교체 비용보다 작을 수 있다.
베이스 연결 부재(222b)는 베이스 섹터들(222a) 사이에 배치될 수 있다. 베이스 연결 부재(222b)는 베이스 섹터들(222a)을 연결시킬 수 있다. 베이스 연결 부재(222b)는 베이스 섹터들(222a)과 척 섹터들(226) 사이를 연결 수 있다. 이와 달리, 척 연결 부재(228)는 베이스 섹터들(222a)과 척 섹터들(226)을 연결시킬 수 있다. 베이스 연결 부재(222b)는 베이스 진공 홀(221)의 내벽에 노출될 수 있다. 일 예에 따르면, 베이스 연결 부재(222b)는 세라믹 접착제를 포함할 수 있다. 베이스 연결 부재(222b)는 척 연결 부재(228)와 다른 특성을 가질 수 있다. 예를 들어, 베이스 연결 부재(222b)가 열 가소성 수지이면, 척 연결 부재(228)는 열 경화성 수지일 수 있다. 척 연결 부재(228)는 베이스 섹터들(222a)의 교체 시에 척 섹터들(226)를 고정할 수 있다. 반대로, 베이스 연결 부재(222b)가 열 경화성 수지이면, 척 연결 부재(228)는 열 가소성 수지일 수 있다. 이와 달리, 베이스 연결 부재(222b)는 용매에 대해 낮은 내 화학 특성 및/또는 내식성을 갖고, 척 연결 부재(228)는 높은 내 화학 특성 및/또는 내식성을 가질 수 있다.
도 8은 도 1의 척 테이블(220)의 일 예를 보여준다. 도 9는 도 8의 III-III' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 베이스 디스크(222)는 베이스 섹터들(222a)의 가장자리 상의 가드 링(222c)를 포함할 수 있다. 척 디스크(224)는 도 4 및 도 5와 동일하게 구성될 수 있다.
가드 링(222c)은 척 섹터들(226) 가장자리의 상부 면을 보호할 수 있다. 가드 링(222c)은 척 섹터들(226)의 측벽을 둘러쌀 수 있다. 일 예에 따르면, 가드 링(222c)은 세라믹을 포함할 수 있다. 척 섹터들(226)은 가드 링(222c) 및 베이스 홈(223) 내에 배치될 수 있다. 베이스 연결 부재(222b)는 베이스 섹터들(222a)의 가장자리와 가드 링(222c) 사이에 배치될 수 있다. 가드 링(222c)은 베이스 섹터들(222a)의 가장자리 상에 고정될 수 있다. 가드 링(222c)은 외부의 충돌로부터 베이스 섹터들(222a)의 파손을 방지할 수 있다.
도 10은 도 8 및 도 9의 베이스 디스크(222)의 일 예를 보여준다.
도 10을 참조하면, 베이스 디스크(222)는 베이스 섹터들(222a) 아래의 바닥 디스크(222d)를 포함할 수 있다. 척 디스크(224)는 도 4 및 도 5와 동일하게 구성될 수 있다.
바닥 디스크(222d)는 바닥 진공 홀(221a)을 가질 수 있다. 바닥 진공 홀(221a)은 베이스 진공 홀(221)에 정렬될 수 있다. 바닥 디스크(222d)는 세라믹을 포함할 수 있다. 바닥 디스크(222d)는 베이스 섹터들(222a)과 동일한 직경을 가질 수 있다. 바닥 디스크(222d)는 외부의 충돌로부터 베이스 섹터들(222a)의 파손을 방지할 수 있다.
도 11은 도 6의 척 디스크(224)의 일 예를 보여준다. 도 12는 도 11의 IV-IV' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 척 디스크(224)는 센터 디스크(227)를 포함할 수 있다. 베이스 디스크(222)는 도 6 및 도 7과 동일하게 구성될 수 있다.
센터 디스크(227)는 베이스 디스크(222)의 중심 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 센터 디스크(227)는 베이스 진공 홀(221) 상에 배치될 수 있다. 이와 달리, 센터 디스크(227)는 척 섹터들(226)의 중심에 배치될 수 있다. 척 섹터들(226)은 센터 디스크(227)를 둘러쌀 수 있다. 센터 디스크(227)는 다공성 세라믹을 포함할 수 있다. 척 연결 부재(228)는 척 섹터들(226)과 센터 디스크(227)를 연결시킬 수 있다. 척 연결 부재(228)는 척 섹터들(226)과 센터 디스크(227)를 베이스 디스크(222)의 베이스 홈(223) 내에 고정할 수 있다. 센터 디스크(227)는 약 5cm 내지 약 20cm 정도의 직경을 가질 수 있다. 센터 디스크(227)는 손상 시 교체될 수 있다. 또한, 척 섹터들(226)은 손상되면, 개별적으로 교체될 수 있다.
도 13은 도 11의 척 디스크(224)의 일 예를 보여준다.
도 13을 참조하면, 척 디스크(224)의 센터 디스크(227)는 정렬 키(226c)를 가질 수 있다. 베이스 디스크(222)는 도 6 및 도 7과 동일하게 구성될 수 있다.
정렬 키(226c)는 센터 디스크(227)의 외주 면에 배치될 수 있다. 일 예에 따르면, 정렬 키(226c)는 정렬 홈을 포함할 수 있다. 이와 달리, 정렬 키(226c)는 정렬 팁을 포함할 수 있다. 척 섹터들(226)의 교체 시, 정렬 키(226c)는 척 섹터들(226)을 센터 디스크(227)에 정렬 시킬 수 있다.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 실시 예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 제 1 진공 홀을 갖는 베이스 디스크; 및
    상기 제 1 진공 홀 상에 배치되는 척 디스크를 포함하되,
    상기 척 디스크는:
    복수개의 제 1 섹터들; 및
    상기 복수개의 제 1 섹터들을 연결하는 제 1 연결 부재를 포함하는 척 테이블.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 섹터들은 다공질 세라믹을 포함하는 척 테이블.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 베이스 디스크는 상기 제 1 섹터들을 수납하는 베이스 홈을 갖는 척 테이블.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 베이스 디스크는:
    상기 제 1 섹터들에 정렬되는 복수개의 제 2 섹터들; 및
    상기 제 2 섹터들 사이를 연결하는 제 2 연결 부재를 포함하는 척 테이블.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 연결 부재는 상기 제 2 섹터들과 상기 제 1 섹터들 사이를 연결하는 척 테이블.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 연결 부재는 열 가소성 세라믹 접착제를 포함하되,
    상기 제 2 연결 부재는 열 경화성 세라믹 접착제를 포함하는 척 테이블.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 베이스 디스크는 상기 제 2 섹터들의 가장자리 상에 배치되고, 상기 제 1 섹터들을 둘러싸는 가드 링을 더 포함하는 척 테이블.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 베이스 디스크는 상기 제 2 섹터들 아래에 배치되는 바닥 디스크를 더 포함하는 척 테이블.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 척 디스크는 상기 제 1 섹터들의 중심에 배치되는 센터 디스크를 더 포함하는 척 테이블.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 센터 디스크는 상기 제 1 진공 홀에 정렬되는 제 2 진공 홀을 갖는 척 테이블.
KR1020150109517A 2015-08-03 2015-08-03 척 테이블 및 그를 포함하는 기판 제조 장치 KR20170016547A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150109517A KR20170016547A (ko) 2015-08-03 2015-08-03 척 테이블 및 그를 포함하는 기판 제조 장치
US15/215,578 US10211084B2 (en) 2015-08-03 2016-07-20 Chuck table and substrate processing system including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150109517A KR20170016547A (ko) 2015-08-03 2015-08-03 척 테이블 및 그를 포함하는 기판 제조 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20170016547A true KR20170016547A (ko) 2017-02-14

Family

ID=58053528

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150109517A KR20170016547A (ko) 2015-08-03 2015-08-03 척 테이블 및 그를 포함하는 기판 제조 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10211084B2 (ko)
KR (1) KR20170016547A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102143180B1 (ko) 2019-05-21 2020-08-12 주식회사 빅스턴 척 테이블 및 그 제조 방법

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109093488B (zh) * 2018-10-15 2019-11-12 江山市志成阀门有限公司 一种防堵塞的球阀座的加工设备
CN110125677B (zh) * 2019-05-28 2020-12-11 上海第二工业大学 转盘式消防阀体组装机的弹簧自动夹紧装置
JP7278584B2 (ja) * 2019-08-01 2023-05-22 株式会社タカトリ 研削装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60103651U (ja) * 1983-12-19 1985-07-15 シチズン時計株式会社 真空吸着台
IL103906A (en) 1992-11-27 1996-05-14 Orbotech Ltd Vacuum holder particularly useful as a vacuum table
DE59700201D1 (de) * 1997-03-26 1999-07-22 Optotech Optikmasch Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung optischer Linsen
TW437002B (en) 1998-11-06 2001-05-28 Disco Abrasive System Ltd CSP substrate dividing apparatus
JP4311600B2 (ja) 2001-01-30 2009-08-12 日本碍子株式会社 静電チャック用接合構造体及びその製造方法
US6513796B2 (en) * 2001-02-23 2003-02-04 International Business Machines Corporation Wafer chuck having a removable insert
US6746022B2 (en) 2001-12-26 2004-06-08 Asm Assembly Automation Ltd. Chuck for holding a workpiece
CN100467210C (zh) * 2004-03-25 2009-03-11 揖斐电株式会社 真空卡盘和吸附板
SG153813A1 (en) 2004-06-09 2009-07-29 Nikon Corp Substrate holding device, exposure apparatus having same, exposure method, method for producing device, and liquid repellent plate
JP2007235069A (ja) 2006-03-03 2007-09-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ加工方法
DE102006028164B4 (de) * 2006-06-16 2009-04-02 Satisloh Ag Schleif- und Poliermaschine zum Schleifen und/oder Polieren von Werkstücken in optischer Qualität
NL1036735A1 (nl) 2008-04-10 2009-10-13 Asml Holding Nv Shear-layer chuck for lithographic apparatus.
JP5307612B2 (ja) * 2009-04-20 2013-10-02 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
US8597448B2 (en) 2009-12-29 2013-12-03 Novellus Systems, Inc. Electrostatic chucks and methods for refurbishing same
JP5267603B2 (ja) 2010-03-24 2013-08-21 Ｔｏｔｏ株式会社 静電チャック
US8571699B2 (en) 2010-09-10 2013-10-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method to reduce pre-back-grinding process defects
JP5930645B2 (ja) * 2011-09-30 2016-06-08 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
DE102012100825A1 (de) * 2011-12-01 2013-06-06 solar-semi GmbH Vorrichtung zum Bearbeiten eines Substrats und Verfahren hierzu
JP6037655B2 (ja) 2012-05-15 2016-12-07 株式会社ディスコ 粘着テープの貼着方法
JP5943742B2 (ja) * 2012-07-04 2016-07-05 三菱電機株式会社 半導体試験治具およびそれを用いた半導体試験方法
JP5441021B1 (ja) 2012-09-12 2014-03-12 Ｔｏｔｏ株式会社 静電チャック
JP5507654B2 (ja) 2012-11-30 2014-05-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2014200888A (ja) * 2013-04-05 2014-10-27 ローム株式会社 吸引保持装置およびウエハ研磨装置
JP6360750B2 (ja) * 2014-08-26 2018-07-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102143180B1 (ko) 2019-05-21 2020-08-12 주식회사 빅스턴 척 테이블 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20170040202A1 (en) 2017-02-09
US10211084B2 (en) 2019-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102443360B1 (ko) 연삭 휠 및 피가공물의 연삭 방법
KR20170016547A (ko) 척 테이블 및 그를 포함하는 기판 제조 장치
JP2006344878A (ja) 加工装置および加工方法
KR102255728B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
KR101779622B1 (ko) 피가공물의 연삭 방법
KR101757932B1 (ko) 웨이퍼 반송 기구
CN111480216A (zh) 基板处理系统、基板处理方法以及计算机存储介质
JP2018075694A (ja) 基板の製造方法
JP2018056488A (ja) 加工装置
JP5410940B2 (ja) 研削装置
TWI668751B (zh) Grinding method of workpiece
JP5466963B2 (ja) 研削装置
JP7049801B2 (ja) 被加工物の研削方法
JP7313775B2 (ja) ウェーハの加工方法
KR20210030877A (ko) 웨이퍼의 연삭 방법
KR20200089600A (ko) 피가공물의 가공 방법
JP2014004663A (ja) 被加工物の加工方法
KR20080113682A (ko) 웨이퍼용 연마 휠 및 이를 갖는 웨이퍼 이면 연마 장치
JP7301472B2 (ja) ウェーハの加工方法
US11717934B2 (en) Annular frame cleaning accessory for grinding apparatus
KR102530125B1 (ko) 연마 패드
KR20230085863A (ko) 드레싱 공구 및 드레싱 방법
KR20230024207A (ko) 드레싱 링 및 피가공물의 연삭 방법
JP2023117908A (ja) 被加工物の研削方法
JP2016066724A (ja) ウェーハの研磨方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right