CN102666760A - 化学机械抛光用浆料以及使用其的基板的抛光方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供化学机械抛光用浆料和使用该浆料的基板的抛光方法，所述化学机械抛光用浆料包含水溶性包合化合物(a)、具有任选为盐形式的酸性基团作为侧链的高分子化合物(b)、抛光研磨粒料(c)和水(d)，其中，水溶性包合化合物(a)的含量是浆料总量的0.001质量%-3质量%，高分子化合物(b)具有1,000以上且小于1,000,000的重均分子量，并且高分子化合物(b)的含量是浆料总量的0.12质量%-3质量%。

Description

化学机械抛光用浆料以及使用其的基板的抛光方法
技术领域
本发明涉及优选用于制造半导体基板的化学机械抛光用浆料，以及使用该浆料的基板的抛光方法。
背景技术
通过构成电路的晶体管、电阻、布线等的微型化所实现的高密度化和高速响应而使半导体电路显示出高性能。另外，布线的层合可实现半导体电路的更高致密化和更高程度集成。是上述成为可能的半导体制造技术包括浅沟槽隔离、金属塞和镶嵌工艺。“浅沟槽隔离”是指晶体管元件隔离，“金属塞”是指使用具有贯穿层间绝缘膜的结构的金属进行的三维布线，并且“镶嵌工艺”是指铜布线的嵌入技术。对于如浅沟槽隔离等的各步骤不可缺少的技术是化学机械抛光。化学机械抛光(以下有时简写为“CMP”)常用于浅沟槽隔离、镶嵌工艺、层间绝缘层形成和金属塞嵌入的各步骤。这些精细图案是通过由照相平版印刷步骤形成的抗蚀剂掩模的转印所形成的。随着微型化进行，用于平版印刷术的投影透镜的焦点的深度会变浅，并且因为基板上的凹凸需要小于该深度，所以基板的加工面所需的平整度变高。通过由CMP法将加工面平整化，能够获得纳米级或原子水平的平整表面，并且由三维布线即层合所获得的高性能成为可能。CMP目前被引入用于层间绝缘膜的平整化、BPSG膜(掺杂有硼、磷等的氧化硅膜)或浅沟槽隔离区的形成、塞和嵌入金属布线的形成等。
对于浅沟槽隔离区的形成，CMP用于除去在基板上形成的由氧化硅等制成的多余绝缘膜，并且在上述绝缘膜的下方形成停止膜(stopper film)以停止抛光。作为停止膜，一般使用氮化硅等，并且该抛光终点能够通过提高上述绝缘膜和停止膜的抛光速率比来容易地确定。希望通过进行抛光以消除绝缘膜和停止膜的水平(levels)之间的差异而获得平整的抛光膜。为了获得平整的抛光膜，进一步希望的是：即使过度地抛光时该抛光也会在停止膜上停止，并且绝缘膜和停止膜的抛光不会进行。
通常已知的是，水溶性有机化合物如聚丙烯酸、其盐等被添加到CMP用浆料中以便试图改进在CMP用浆料中研磨粒料的稳定性，控制抛光速率，改进平整度，减少水平的差异，以及抑制因过度抛光所引起的水平上差异的增大(参见专利文献1和专利文献2)。
另外，组合使用羧酸聚合物如聚丙烯酸、其盐等，和聚乙烯吡咯烷酮，阳离子化合物和两性离子化合物的体系也是已知的(参见专利文献3)。
另一方面，由选自具有1百万以上且小于10百万的重均分子量的聚丙烯酸或其盐之中的至少一种水溶性聚合物、β-环糊精和胶态硅石组成的CMP用浆料是已知的(参见专利文献4)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：JP-B-3672493
专利文献2：JP-B-3649279
专利文献3：JP-A-2007-273973
专利文献4：JP-A-2009-158810。
发明内容
本发明所要解决的技术问题
浅沟槽隔离区通常可以通过下列步骤来形成。
图1-图5是分步骤地显示在半导体器件的生产方法中浅沟槽隔离区的形成步骤的示意性剖视图。图1-5显示在基板(晶片)中形成的半导体器件的一部分。事实上，对于一个基板制备具有浅沟槽隔离区的多个半导体器件，并且通过切割分离成独立的半导体器件(芯片)。另外，附图中各部分的尺寸被设定以便有利于理解，并且各部分与各部分之间的尺寸比率并不需要与实际比率匹配。
首先，停止膜3被层合在基板1表面上的氧化绝缘膜2(氧化硅等)上。然后，抗蚀剂模(未显示)通过照相平版印刷术层合到其上已层合有氧化绝缘膜2和停止膜3的基板1上，在蚀刻后，抗蚀剂模被除去而形成沟槽4(蚀刻部分)(图1)。通过CVD等层合绝缘膜5(氧化硅等)以填充沟槽4(图2)。在已层合有绝缘膜5的基板1的CMP中，理想的是平整地抛光停止膜3和绝缘膜5而形成平整的浅沟槽隔离区6(图3)。
然而，因为停止膜3的部分和沟槽4的部分在高度上有差异(图1)，因而通过CVD等形成了具有初始水平差D1的绝缘膜5(图2)。因此，通过之后的CMP在停止膜3和绝缘膜5之间会有问题地形成水平差D2(图4)。
此外，因为基板具有波纹，因而实际上难以均匀地抛光整个基板。当基板进行抛光以将基板上的整个停止膜3完全露出时，产生下述问题：在早期露出的停止膜3的部分中，填充于沟槽4中的绝缘膜5会被进一步抛光(过度抛光)。在过度抛光的部分中，水平差进一步变大(图5)。在图5中，D3显示由过分抛光引起的水平差的增加量。
记载于专利文献1-3中的含有如聚丙烯酸、其盐等的水溶性有机化合物的CMP用浆料，和进一步组合含有聚乙烯吡咯烷酮等的CMP用浆料，在使绝缘膜和停止膜的水平(levels)之间的差异最小化方面不一定令人满意。此外，在记载于专利文献4中的CMP用浆料中，对于将绝缘膜和停止膜的水平之间的差异最小化没有给出暗示，并且，如同本发明人已证实的，这些CMP用浆料不能使绝缘膜和停止膜的水平之间的差异最小化。
因此，本发明旨在提供CMP用浆料，其在抛光膜的平整化性能上优异并且不会损害抛光膜，特别是提供CMP用浆料，其能够在浅沟槽隔离区形成步骤中提供由氧化硅等形成的绝缘膜与由氮化硅等形成的停止膜的水平之间的极其小的差异，并且提供基板的抛光方法。
解决上述技术问题的手段
本发明人已经进行深入研究尝试解决上述问题，并且发现，抛光膜的平整化性能通过使用一种组合物作为CMP用浆料来改进，该组合物以特定量含有抛光研磨粒料(c)、以及水溶性包合化合物(a)和具有任选为盐形式的酸性基团作为侧链、并具有特定分子量的高分子化合物(b)，并且特别地，在浅沟槽隔离区形成步骤中可以获得绝缘膜和停止膜的水平之间的差异极其小的抛光膜。
在本发明(即本说明书和权利要求书)中，“具有酸性基团作为侧链的高分子化合物(b)”是指“具有酸性基团作为侧挂基团的高分子化合物(b)”。
因此，本发明涉及以下[1]-[12]。
[1] 化学机械抛光用浆料，其包括：水溶性包合化合物(a)、具有任选为盐形式的酸性基团作为侧链的高分子化合物(b)、抛光研磨粒料(c)和水(d)，其中
水溶性包合化合物(a)的含量是浆料总量的0.001质量%-3质量%，
高分子化合物(b)具有1,000以上且小于1,000,000的重均分子量，
高分子化合物(b)的含量是浆料总量的0.12质量%-3质量%。
[2] 上述[1]的浆料，其中，水溶性包合化合物(a)具有200-1,000,000的重均分子量。
[3] 上述[1]或[2]的浆料，其中，水溶性包合化合物(a)是选自由环状低聚糖及其衍生物构成的组中的一种或多种。
[4] 上述[3]的浆料，其中，环状低聚糖及其衍生物是α-环糊精、β-环糊精、γ-环糊精、和它们的衍生物。
[5] 上述[1]-[4]中任何一项的浆料，其中，高分子化合物(b)具有任选为盐形式的羧基。
[6] 上述[5]的浆料，其中，高分子化合物(b)包含聚合物(b-1)，所述聚合物(b-1)在该聚合物中以25质量%以上的单元量包含(甲基)丙烯酸和/或其盐。
[7] 上述[6]的浆料，其中，高分子化合物(b)是选自由聚丙烯酸、聚丙烯酸铵盐、聚丙烯酸胺盐、聚甲基丙烯酸、聚甲基丙烯酸铵盐和聚甲基丙烯酸胺盐构成的组中的一种或多种。
[8] 上述[1]-[7]中任何一项的浆料，其中，抛光研磨粒料(c)是具有0.5 nm-1,000 nm的平均粒径的无机氧化物颗粒。
[9] 上述[8]的浆料，其中，无机氧化物颗粒是选自由氧化铝、二氧化铈、蒸汽沉积二氧化硅、胶态硅石、氧化锆、氧化钛、氧化锡、氧化锗、氧化镁和氧化锰构成的组中的一种或多种颗粒。
[10] 上述[1]-[9]中任何一项的浆料，其具有pH 3-12.5。
[11] 抛光基板的方法，其包括在基板和抛光垫片之间供给上述[1]-[10]中任何一项的化学机械抛光用浆料的同时，使基板和抛光垫片相对运动以便对基板上的待抛光的膜进行抛光。
[12] 上述[11]的方法，其中，基板上的待抛光的膜是氧化硅膜和/或氮化硅膜。
发明效果
本发明的CMP用浆料对于基板上的被抛光的膜的平整化性能是优异的，特别是通过在浅沟槽隔离区的形成中抛光绝缘膜或层间绝缘材料，可以获得绝缘膜和停止膜的水平之间的差异极小的抛光膜，并且可以改进基板生产的产率。
附图说明
图1是具有由蚀刻所形成的沟槽的基板的示意性剖视图。
图2是具有由CVD所层合的绝缘膜的基板的示意性剖视图。
图3是具有由理想CMP抛光的绝缘膜的基板的示意性剖视图。
图4是具有由实际CMP抛光的绝缘膜的基板的示意性剖视图。
图5是过度抛光的基板的示意性剖视图。
具体实施方式
本发明的CMP用浆料含有水溶性包合化合物(a)、具有任选为盐形式的酸性基团作为侧链的高分子化合物(b)、抛光研磨粒料(c)和水(d)。在本发明的CMP用浆料中所含的组分可以是仅一种或其两种以上的组合。
在本发明中，作为“水溶性包合化合物”，在25℃的水中溶解度为0.01 g/L以上的化合物是优选的。当在25℃的水中的溶解度低于0.01 g/L时，绝缘膜和停止膜的水平之间的差异的减少效果以及由于过度抛光引起的增大的水平差的抑制均不能实现。为了通过向抛光用浆料中添加以良好地减少上述水平差和由于过分抛光引起的增大的水平差，在25℃的水中的溶解度优选为0.1 g/L以上，更优选为0.5 g/L以上。
“包合化合物”是具有腔的分子、且可将其它分子(寄主)并入其分子(宿主)中的那些化合物的总称。作为宿主化合物，熟知的是管状或环状化合物如环糊精、冠醚等。这些化合物已知可以通过腔的尺寸来控制所要并入的寄主分子的尺寸。作为包合化合物，环状化合物是优选的。
上述水溶性包合化合物(a)的例子包括环状低聚糖及其衍生物、水溶性卟啉、水溶性酞菁、冠醚、水溶性环芳烷(cyclophane)、水溶性杯芳烃等。另外，含有上述环状低聚糖或其衍生物等作为单元的聚合物也可以用作水溶性包合化合物(a)。作为水溶性包合化合物(a)，从工业获得性等方面考虑，环状低聚糖或其衍生物是优选的。
可以选择上述环状低聚糖及其衍生物的一种单独使用，或选择其两种以上组合使用。
在本发明中，作为“环状低聚糖及其衍生物”，可以提及其中5-20个单糖被环化(不论键合位置)的化合物及其衍生物。
具有吡喃糖骨架和/或呋喃糖骨架的单糖类均可以使用而不论是D-型或L-型的立体异构体。单糖类的例子包括阿洛糖、塔罗糖、古洛糖、葡萄糖、阿卓糖、甘露糖、半乳糖、艾杜糖、鼠李糖、赤藓糖、苏糖、核糖、来苏糖、木糖、阿拉伯糖等。
环状低聚糖及其衍生物的优选例子包括环糊精、cyclomannin、cycloawaodorin、异环麦芽五糖、异环麦芽六糖和它们的衍生物。从工业获得性等方面考虑，α-环糊精、β-环糊精、γ-环糊精和它们的衍生物是优选的，从水溶性的方面考虑，α-环糊精及其衍生物，β-环糊精的衍生物，以及γ-环糊精及其衍生物是更优选的。
上述环状低聚糖的衍生物的例子包括，
(a) 烷氧基化衍生物，其中环状低聚糖的羟基的氢原子被甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、戊基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基等碳原子数1-20的直链状或支链状烷基所取代，
(b) 通过使环状低聚糖的羟基与羧酸(例如，甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸等单羧酸；草酸、丙二酸、丁二酸、富马酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、壬二酸、癸二酸、邻苯二甲酸、间苯二酸、对苯二甲酸等二羧酸；酒石酸、柠檬酸、异柠檬酸等羟基羧酸)的羧基进行反应而获得的酯化衍生物等。
上述水溶性包合化合物(a)需要以相对于浆料总量为0.001质量%-3质量%的比例含有。当上述水溶性包合化合物(a)的含量低于浆料总量的0.001质量%时，绝缘膜和停止膜的水平之间的差异无法降低，并且由过度抛光引起的水平差的增大量将提高。另一方面，当上述水溶性包合化合物(a)的含量超过浆料总量的3质量%时，抛光研磨粒料(c)倾向于在CMP用浆料中凝聚。为了抑制抛光研磨粒料(c)在CMP用浆料中的凝聚，水溶性包合化合物(a)的含量更优选是浆料总量的0.01质量%-2.5质量%，进一步优选0.05质量%-2质量%。
上述水溶性包合化合物(a)优选具有200-1,000,000的重均分子量。当上述分子量低于200时，绝缘膜和停止膜的水平之间的差异无法降低，并且当分子量超过1,000,000时，CMP用浆料的粘度会提高、抛光过程中CMP用浆料的流入性会下降，因此有时会导致低的抛光均匀性。从绝缘膜和停止膜的水平之间差异的减少和抛光均匀性的方面考虑，水溶性包合化合物(a)的重均分子量更优选是500-400,000，进一步优选700-50,000，以便提供作为CMP用浆料的良好作用和效果。上述重均分子量是通过将GPC柱(由Tosoh Corporation制造的“GMPWXL”)与GPC装置(由Waters制造的“150C”)连接，使用200 mM磷酸盐水溶液作为流动相进行测量，以聚乙二醇标准为基础换算该测量值所获得的值。
上述高分子化合物(b)需要具有1,000以上且小于1,000,000的重均分子量。上述高分子化合物(b)的重均分子量低于1,000时，绝缘膜和停止膜的水平之间的差异无法降低，并且由过度抛光引起的水平差的增大量会提高。当上述高分子化合物(b)的重均分子量不低于1,000,000时，抛光速率和抛光均匀性会降低。从抛光速率和抛光均匀性的方面考虑，上述高分子化合物(b)的重均分子量更优选为2,000-700,000，进一步优选3,000-400,000。重均分子量是通过将GPC柱(由Tosoh Corporation制造的“GMPWXL”)与GPC装置(由Waters制造的“150C”)连接，使用200 mM磷酸盐水溶液作为流动相进行测量，以聚乙二醇标准为基础换算该测量值所获得的值。
上述高分子化合物(b)需要以相对于浆料总量为0.12质量%-3质量%的比例含有，当上述高分子化合物(b)的含量低于浆料总量的0.12质量%时，绝缘膜和停止膜的水平之间的差异无法降低，并且由过度抛光引起的水平差的增大量将提高。另一方面，当上述高分子化合物(b)的含量超过浆料总量的3质量%时，抛光研磨粒料(c)倾向于在CMP用浆料中凝聚。为了减少绝缘膜和停止膜的水平之间的差异，抑制由过度抛光引起的增大的水平差和抑制CMP用浆料中的抛光研磨粒料(c)的凝聚，上述高分子化合物(b)的含量更优选为浆料总量的0.14质量%-1质量%，进一步优选0.16质量%-0.8质量%。
上述高分子化合物(b)的酸性基团的例子包括膦酰基(-P(O)(OH)2，也称为“磷酸基”)，磺基(-SO3H，也称为“磺酸基”)，羧基(-COOH)等。该酸性基团可以为盐形式。因为与水溶性包合化合物(a)的相互作用优异，故上述高分子化合物(b)优选为具有任选为盐形式的羧基作为侧链的高分子化合物。
上述高分子化合物(b)所具有作为侧链的酸性基团的盐的例子包括碱金属盐如钠盐、钾盐、锂盐等；碱土金属盐如镁盐、钙盐等；胺盐；和铵盐。为了抑制在半导体生产步骤中的金属污染，胺盐和铵盐是优选的。作为形成上述胺盐的胺，可以使用伯胺、仲胺和叔胺，具体地说，可以提及甲基胺、二甲基胺、三甲基胺、乙基胺、二乙基胺、三乙基胺、正丁胺、二正丁胺、三正丁基胺、异丙胺等。
上述高分子化合物(b)优选含有聚合物(b-1)，其中在聚合物中(甲基)丙烯酸和/或其盐(以下有时缩写为“(甲基)丙烯酸(盐)”)的单元量为25质量%以上，并且上述高分子化合物(b)更优选是上述聚合物(b-1)。(甲基)丙烯酸(盐)的单元量为25质量%以上的聚合物(b-1)可以显示出与上述水溶性包合化合物(a)的良好相互作用。在聚合物(b-1)中，(甲基)丙烯酸(盐)的单元量优选为50质量%以上，更优选为75质量%以上，进一步优选为85质量%以上，最优选为100质量%。高分子化合物(b)优选为选自它们中的一种或多种。
上述聚合物(b-1)可以含有聚合物的75质量%以下的量的(甲基)丙烯酸(盐)之外的单元(简写为“其它单元”)。作为其它单元，可以提及从具有不饱和双键的单体衍生的那些。上述具有不饱和双键的单体的例子包括乙酸乙烯酯、羧酸类如衣康酸、富马酸、马来酸等和它们的盐；丙烯酸酯类如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸戊酯、丙烯酸己酯、丙烯酸庚酯、丙烯酸辛酯等；甲基丙烯酸酯类如甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸戊酯、甲基丙烯酸己酯、甲基丙烯酸庚酯、甲基丙烯酸辛酯、甲基丙烯酸2-羟乙酯等；磺酸类如乙烯基磺酸、苯乙烯磺酸等和它们的盐、乙烯基化合物如丙烯腈、乙烯基吡咯烷酮等；(甲基)丙烯酰胺如丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、N,N-二甲基丙烯酰胺、N,N-二乙基丙烯酰胺等；等。
上述高分子化合物(b)优选是仅由(甲基)丙烯酸和/或其盐构成的聚合物。在此类聚合物的生产中，可以将任意比例的选自(甲基)丙烯酸和其盐中的一种或多种聚合。
上述高分子化合物(b)优选是选自聚丙烯酸、聚丙烯酸铵盐、聚丙烯酸胺盐、聚甲基丙烯酸、聚甲基丙烯酸铵盐和聚甲基丙烯酸胺盐中的一种或多种，更优选是选自聚丙烯酸铵盐和聚丙烯酸胺盐中的一种或多种。
上述抛光研磨粒料(c)优选是具有0.5 nm-1,000 nm的平均粒径的细颗粒。当上述抛光研磨粒料(c)的平均粒径低于0.5 nm时，抛光速率可能降低，当平均粒径超过1,000 nm时，倾向于产生抛光瑕疵。为了防止抛光速率的下降和抛光瑕疵的产生，上述抛光研磨粒料(c)的平均粒径更优选是1 nm-700 nm，进一步优选5 nm-500 nm。
上述抛光研磨粒料(c)的平均粒径可以通过使用粒径测量仪器(由Otsuka Electronics Co.，Ltd.制造的“Zeta-potential & Particle-size Analyzer ELSZ-2”等)由动态光散射法测量。
作为上述抛光研磨粒料(c)，可以使用有机化合物、聚合物、无机化合物和有机-无机复合材料。
尽管上述有机化合物和聚合物没有特别限制，例如，可以提及富勒烯衍生物，和通过将具有不饱和双键的一种单体或多种单体的组合所获得的高分子化合物颗粒，如聚苯乙烯颗粒、聚乙烯颗粒、聚丙烯酸颗粒、聚甲基丙烯酸颗粒、聚丙烯酰胺颗粒、聚甲基丙烯酰胺颗粒等。
上述无机化合物的例子包括化合物类如富勒烯、纳米金刚石(nanodiamond)、硅、锗、氧化硅、氧化锗、金属、金属化合物(例如，金属氧化物、金属硫化物、金属氯化物、金属碳酸盐、金属硫酸盐、金属硝酸盐、金属氟化物、金属溴化物、金属氮化物、金属碘化物)、砷化镓、硒化锌、镉碲等。作为上述金属和金属化合物的金属，可以提及锂、钠、钾、镁、钙、铝、镓、铟、锌、镉、铜、银、金、镍、钯、钴、铑、铁、锰、铬、钼、钨、钒、铌、钽、钛、铈、镧、钇、铱、锆、锡等。它们可以单独使用或将其多种组合使用。
上述有机-无机复合材料的例子包括涂有有机化合物的无机化合物颗粒，涂有无机化合物的有机化合物颗粒，分散在有机化合物颗粒中的无机化合物颗粒，有机聚硅氧烷化合物等。
从抛光效率的方面考虑，上述无机化合物颗粒优选用作抛光研磨粒料(c)。在上述无机化合物颗粒当中，氧化铝、二氧化铈、蒸汽沉积二氧化硅、胶态硅石、氧化锆、氧化钛、氧化锡、氧化锗、氧化镁和氧化锰各颗粒是更优选的，并且二氧化铈颗粒是更优选的，因为它们具有高抛光速率并且在减少抛光瑕疵上是优异的。
抛光研磨粒料(c)的含量优选是浆料总量的0.1质量%-30质量%，更优选0.2质量%-25质量%，特别优选0.3质量%-20质量%。当上述含量低于0.1质量%时，抛光速率倾向于降低，当它超过30质量%时，该抛光研磨粒料倾向于凝聚。从抛光速率和抑制抛光瑕疵方面考虑，上述抛光研磨粒料(c)的含量最优选是0.5质量%-15质量%。
只要不抑制本发明的效果，本发明的CMP用浆料可以含有已知的分散剂以改进抛光研磨粒料的分散稳定性。
上述分散剂的例子包括水溶性阴离子分散剂、水溶性非离子分散剂、水溶性阳离子分散剂、水溶性两性分散剂等。上述水溶性阴离子分散剂的例子包括不属于上述高分子化合物(b)的聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚苯乙烯磺酸、聚磺酸等以及它们的盐。上述水溶性非离子分散剂的例子包括聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙二醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酰胺、聚甲基丙烯酰胺、N-取代聚丙烯酰胺、N,N-取代聚丙烯酰胺等，水溶性阳离子分散剂的例子包括聚亚乙基亚胺、聚烯丙基胺等。上述水溶性两性分散剂的例子包括通过将具有不饱和双键的阳离子单体和具有不饱和双键的阴离子单体聚合所获得的共聚物，在末端分别具有阴离子和阳离子的甜菜碱等。在本发明中，可以使用选自它们中的一种或多种分散剂。
本发明的CMP用浆料可含有阴离子高分子化合物、非离子高分子化合物、阳离子高分子化合物，两性高分子化合物和多糖，只要本发明的效果不受到抑制。作为上述阴离子高分子化合物，可以提及不属于上述高分子化合物(b)的聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚苯乙烯磺酸、聚磺酸等和它们的盐等，作为上述非离子聚合物，可以提及聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙二醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酰胺、聚甲基丙烯酰胺、N-取代聚丙烯酰胺、N,N-取代聚丙烯酰胺、聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯癸基醚、聚氧乙烯硬脂基醚，聚氧乙烯油基醚等。作为上述阳离子高分子化合物，可以提及聚亚乙基亚胺、聚烯丙基胺等，作为上述两性聚合物，可以提及通过将具有不饱和双键的阳离子单体和具有不饱和双键的阴离子单体进行聚合所获得的共聚物等。上述多糖的例子包括葡聚糖、糖原、直链淀粉、支链淀粉、肝素、琼脂糖等。
此外，本发明的CMP用浆料可含有分子量为10-1,000的低分子量化合物，只要本发明的效果不受到抑制。该低分子量化合物的例子包括胺类，如乙胺、二乙胺、三乙胺、吡啶、哌嗪、咪唑、丁胺、二丁胺、异丙胺、N,N-二甲基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、氨基乙基乙醇胺等；醇类，如甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、乙二醇等；羧酸类，如甲酸、乙酸、丁酸、丙酸、丙二酸、丁二酸、富马酸、马来酸、邻苯二甲酸、水杨酸、丙烯酸、甲基丙烯酸等；氨基酸类，如甘氨酸、丙氨酸、苯丙氨酸、谷氨酸、天冬氨酸、组氨酸等；醚类，如二噁烷、二甲醚、二乙醚、甲基乙基醚等；酮类，如丙酮、二乙基酮、甲基乙基酮等；氧化剂，如过氧化氢、过硫酸铵等；络合剂，如苯并三唑、噻苯咪唑等；等。
在本发明的CMP用浆料中，上述水溶性包合化合物(a)和上述高分子化合物(b)的复合物可通过将它们组合使用来形成。上述复合物对于基板具有高吸附性，并且可以有效地在基板上形成吸附膜。在抛光过程中，与单独使用高分子化合物(b)时相比，吸附膜显示了对基板的凹部的改进的保护作用，因此，仅凸部被有效地抛光。因此，认为本发明的CMP用浆料会实现良好的平整化性能。与单独使用一种或多种水溶性高分子化合物(例如，聚丙烯酸等)的现有技术相比，通过使用含有上述水溶性包合化合物(a)和上述高分子化合物(b)两者的本发明的CMP用浆料，可以选择性地抛光凸部，并且可实现水平差的良好减少。
在本发明中，水(d)没有特别限制，可优选使用蒸馏水、去离子水等。水(d)的含量是通过从CMP用浆料中减去必需组分(水溶性包合化合物(a)、高分子化合物(b)和抛光研磨粒料(c))、以及任选的组分(例如分散剂)的含量而获得的量。
本发明的CMP用浆料优选被调节到所需pH而用于抛光。作为pH调节剂，可使用酸或碱。作为酸，可以提及盐酸等。当使用碱时，优选使用的是氨水或有机胺，而不是碱金属氢氧化物，由此防止半导体抛光中的金属污染。本发明的CMP用浆料优选具有pH 3-12.5。当CMP用浆料的pH低于3时，抛光速率会下降，当其超过12.5时，基板上的绝缘膜的平整度倾向于降低。考虑到抛光速率和基板上的绝缘膜的平整度，本发明的CMP用浆料的pH更优选是3.3-12，进一步优选3.5-11.7。
在本发明中，CMP用浆料的pH值，例如，可根据常用方法由pH计(由Horiba，Ltd.制造的“pH meter F22”等)来测量。
本发明的CMP用浆料可以制备为，例如，由水溶性包合化合物(a)的水溶液、高分子化合物(b)的水溶液和抛光研磨粒料(c)的浆料构成的三液型CMP用浆料。另外，其也可以制备为：由含有抛光研磨粒料(c)的浆料或通过混合水溶性包合化合物(a)的水溶液与抛光研磨粒料(c)而获得的浆料，以及水溶性包合化合物(a)和高分子化合物(b)的混合水溶液构成的双液型CMP用浆料；由抛光研磨粒料(c)和水溶性包合化合物(a)的混合物的浆料，以及高分子化合物(b)的水溶液构成的双液型CMP用浆料；或由抛光研磨粒料(c)和高分子化合物(b)的混合物的浆料，以及水溶性包合化合物(a)的水溶液构成的双液型CMP用浆料。另外，其也可制备为由水溶性包合化合物(a)、高分子化合物(b)和抛光研磨粒料(c)的混合物的水溶液构成的单液型CMP用浆料。在本发明中，当制备为上述双液型或三液型浆料时，它们在抛光时被混合成单液型浆料。
在上述双液型或三液型CMP用浆料中，各组分的配合可在使用时自由地改变，因此，可以容易地控制平整化性能、抛光速率和水平差消除性能。对于使用双液型浆料来抛光或使用三液型浆料来抛光的抛光操作，例如，可以使用下述方法：包括将含有抛光研磨粒料(c)的浆料、以及水溶性包合化合物(a)和高分子化合物(b)的混合水溶液经由单独的管道进料，将这些管道汇合以便在快到供给管道的出口之前混合它们并将该混合物供给到抛光垫片上的方法；包括在快要抛光之前将含有抛光研磨粒料(c)的浆料、与水溶性包合化合物(a)和高分子化合物(b)的混合水溶液进行混合的方法等。此外，当利用抛光用的双液型或三液型浆料来进行抛光时，抛光性能也可按照以上所述方法通过在快要抛光之前根据需要将各浆料与水混合或在管道中混合来加以控制。
本发明的抛光方法的特征在于，对使用双面胶带、钩圈紧固件(hook-and-loop fastener)等粘附于抛光平板上的抛光垫片，按压其上形成有待抛光膜的基板，在其上施加压力，并且在基板和抛光垫片之间供给本发明的CMP用浆料的同时，使基板和抛光垫片相对运动以便对待抛光的膜进行抛光。
以下，参考其上形成有作为无机绝缘膜的氧化硅膜的半导体基板来说明本发明的基板的抛光方法。
在本发明的抛光方法中，作为用于抛光的装置，可以使用具有可附着抛光垫片、且装有转数可变的马达等的抛光用平板，以及可以保持具有待抛光的膜的基板的支架的通常的抛光装置等。
尽管抛光条件没有特别限制，为了高效地抛光，平板和基板各优选显示300 rpm以下的低旋转数，施加于基板上的压力优选不大于150 kPa以防止抛光之后瑕疵的产生。在抛光过程中，优选的是利用泵等将CMP用浆料连续地供给到抛光垫片上。尽管供给量不受限制，但是抛光垫片的表面优选总是被CMP用浆料所覆盖。
抛光完成之后的半导体基板优选用流水充分洗涤，并通过旋转干燥机等除去附着于半导体基板上的水滴来进行干燥。如此，通过使用上述CMP用浆料对作为待抛光膜的无机绝缘膜进行抛光，可以减少绝缘膜表面上的凹凸、在半导体基板的整个表面上获得平整表面。在形成了以这种方法平整化的浅沟槽隔离区后，在无机绝缘膜上形成了铝布线或铜布线，由下述方法在布线之间和布线上形成了无机绝缘膜，并且该膜使用CMP用浆料进行了相同的抛光以得到平整表面。这一步骤重复规定的次数，由此制造出具有所需层数的半导体基板。
尽管可以用于本发明中的抛光垫片没有特别限制，但可以提到，例如，通常的无纺织物、机织织物、人造革、合成树脂等。它们当中，优选使用合成树脂。
上述合成树脂的例子包括热固性聚氨酯树脂；热塑性聚氨酯树脂；环氧树脂；氟树脂；聚烯烃树脂如聚乙烯树脂、聚丙烯树脂等；交联橡胶如聚丁二烯树脂、聚苯乙烯丁二烯树脂等；丙烯酸树脂如聚丙烯酸树脂、聚甲基丙烯酸树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂等；乙烯基树脂如聚乙烯醇树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、乙烯-乙酸乙酯共聚物树脂等；等。上述合成树脂也可以单独使用，也可将它们中的多种组合使用，进而可添加添加剂等使用。考虑到耐磨损性，优选聚氨酯树脂。
尽管上述合成树脂没有特别限制，它可以是多孔材料。多孔材料的制造方法的例子包括：将微细中空体分散于合成树脂中的方法，通过将水溶性高分子化合物单独或组合多种水溶性高分子化合物分散于合成树脂中以便在抛光过程中使上述水溶性高分子化合物被CMP用浆料洗脱来形成实质上的多孔材料的方法，使用超临界发泡成型法的方法，烧结高分子化合物的微细颗粒以形成连续孔结构的方法等。
上述抛光垫片的结构没有特别限制，并且其可以是单层结构或具有缓冲层的多层结构。另外，上述抛光垫片优选经加工以具有孔结构和/或槽结构以容纳CMP用浆料。尽管该槽结构没有任何特殊的限制，其可具有格栅形状，放射形状，螺旋形状，同心圆形状等。该上述槽结构和孔结构可以单独使用或将其多种组合使用。此外，上述抛光垫片可具有研磨粒料含有于抛光垫片中的结构。为了在抛光垫片中含有研磨粒料，例如，可以使用包括将研磨粒料、合成树脂和溶剂混合，将混合物注入模塑工具并对其进行干燥的方法，或包括将熔融合成树脂和研磨粒料混合，将混合物注入模塑工具并对其进行冷却的方法。
在本发明的抛光方法中，根据需要，将通过镍电镀等在载体表面上固定有金刚石颗粒的CMP用的修整器(conditioner)安装于抛光装置，将上述修整器压在抛光垫片上，上述抛光垫片的表面可以被控制为具有对于抛光作为待抛光膜的绝缘膜为优选的表面粗糙度。
本发明的CMP用浆料不仅可应用于在半导体基板上形成的氧化硅膜，而且可用于各种半导体器件、MEMS(微机电系统)等的制造工艺等。例如，本发明的CMP用浆料可以用于抛光形成于具有规定的布线的布线板上的无机绝缘膜如氧化硅膜、玻璃膜、氮化硅膜等；主要含有多晶硅、铝、铜、钛、氮化钛、钨、钽、氮化钽等的膜；光学玻璃如光掩模、透镜、棱镜等；无机导电膜如锡掺杂氧化铟(ITO)等；用于由玻璃和结晶材料构成的集成光路、光转换元件、光波导、光学纤维的端面、闪烁器等的光学单晶；固体激光单晶；蓝色激光LED用蓝宝石基板；半导体单晶如碳化硅、磷化镓、砷化镓等；磁盘用玻璃基板；磁头等；合成树脂如甲基丙烯酸系树脂、聚碳酸酯树脂等；等。
本发明的CMP用浆料可以特别优选用于形成浅沟槽隔离区时的绝缘膜的抛光。
实施例
以下，本发明通过参考实施例来详细说明，但实施例不认为是限制性的。
[实施例1]
二氧化铈研磨粒料浆料(由Showa Denko K.K.制造的研磨剂“GPL-C1010”，二氧化铈研磨粒料在浆料中的含量为10质量%，50 g)，α-环糊精(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造，0.5 g)，聚丙烯酸(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造，重均分子量5,000，2.5 g)和蒸馏水在1L量筒中混合。在用磁力搅拌器搅拌的同时，添加28质量%的氨水(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造)以调节混合物至pH 5.0。将蒸馏水添加到总量为1,000 g以得到CMP用浆料(研磨粒料含量为0.5质量%，α-环糊精含量为0.05质量%，聚丙烯酸含量为0.25质量%)。
[实施例2]
除了使用α-环糊精(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造，1.5 g)(含量为0.15质量%)，按照与实施例1中相同的方法制备CMP用浆料。
[实施例3]
除了使用α-环糊精(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造，3.0 g)(含量为0.3质量%)，按照与实施例1中相同的方法制备CMP用浆料。
[实施例4]
除了使用α-环糊精(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造，3.0 g)(含量为0.3质量%)和聚丙烯酸(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造，重均分子量25,000，2.5 g)(含量为0.25质量%)作为高分子化合物，按照与实施例1中相同的方法制备CMP用浆料。
[实施例5]
除了使用α-环糊精(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造，3.0 g)(含量为0.3质量%)和聚丙烯酸(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造，重均分子量250,000，2.5 g)(含量为0.25质量%)作为高分子化合物，按照与实施例1中相同的方法制备CMP用浆料。
[实施例6]
除了使用α-环糊精(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造，3.0 g)(含量为0.3质量%)和聚甲基丙烯酸(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造，重均分子量100,000，2.5 g)(含量为0.25质量%)作为高分子化合物，按照与实施例1中相同的方法制备CMP用浆料。
[实施例7]
除了使用β-环糊精(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造，3.0 g)(含量为0.3质量%)作为水溶性包合化合物，按照与实施例1中相同的方法制备CMP用浆料。
[实施例8]
除了使用γ-环糊精(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造，3.0 g)(含量为0.3质量%)作为水溶性包合化合物，按照与实施例1中相同的方法制备CMP用浆料。
[实施例9]
除了使用甲基-β-环糊精(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造，4.5 g)(含量为0.45质量%)作为水溶性包合化合物，按照与实施例1中相同的方法制备CMP用浆料。
[实施例10]
除了使用2-羟乙基-β-环糊精(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造，4.5 g)(含量为0.45质量%)作为水溶性包合化合物，按照与实施例1中相同的方法制备CMP用浆料。
[实施例11]
除了使用α-环糊精(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造，1.5 g)(含量为0.15质量%)，聚丙烯酸(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造，重均分子量5,000，1.5 g)(含量为0.15质量%)和二氧化铈研磨粒料浆料(上述GPL-C1010，1.5 g)(含量为0.15质量%)，按照与实施例1中相同的方法制备CMP用浆料。
[比较例1]
除了没有添加α-环糊精(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造)，按照与实施例1中相同的方法制备CMP用浆料。
[比较例2]
除了没有添加α-环糊精(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造)，和使用聚丙烯酸(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造，重均分子量25,000，2.5 g)(含量为0.25质量%)作为高分子化合物，按照与实施例1中相同的方法制备CMP用浆料。
[比较例3]
除了没有添加α-环糊精(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造)，和使用聚丙烯酸(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造，重均分子量250,000，2.5 g)(含量为0.25质量%)作为聚合物，按照与实施例1中相同的方法制备CMP用浆料。
[比较例4]
除了使用α-环糊精(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造，1.0 g)(含量为0.1质量%)和聚丙烯酸(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造，重均分子量5,000，1.0 g)(含量为0.1质量%)，按照与实施例1中相同的方法制备CMP用浆料。
[比较例5]
除了使用α-环糊精(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造，1.0 g)(含量为0.1质量%)和聚丙烯酸(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造，重均分子量250,000，1.0 g)(含量为0.1质量%)，按照与实施例1中相同的方法制备CMP用浆料。
[比较例6]
除了使用蔗糖(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造，3.0 g)(含量为0.3质量%)来代替α-环糊精，按照与实施例1中相同的方法制备CMP用浆料。
[比较例7]
除了使用葡聚糖(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造，3.0 g)(含量为0.3质量%)来代替α-环糊精，按照与实施例1中相同的方法制备CMP用浆料。
[比较例8]
除了不添加聚丙烯酸，按照与实施例3中相同的方法制备CMP用浆料。
[比较例9]
除了使用α-环糊精(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造，3.0 g)(含量为0.3质量%)和聚丙烯酰胺(由Wako Pure Chemical Industries，Ltd.制造，重均分子量5,000，2.5 g)(含量为0.25质量%)作为高分子化合物，按照与实施例1中相同的方法制备CMP用浆料。
[比较例10]
除了使用聚丙烯酸(由KANTO CHEMICAL CO.，INC.制造，重均分子量1,080,000，2.5 g)(含量为0.25质量%)作为高分子化合物，按照与实施例7中相同的方法制备CMP用浆料。
测量用于上述实施例和比较例的各CMP用浆料中的抛光研磨粒料(c)的平均粒径。另外，测量各CMP用浆料的pH。使用它们来抛光绝缘膜，测量绝缘膜和停止膜的水平之间的差异。下面描述抛光研磨粒料(c)的平均粒径的测量方法、CMP用浆料的测量方法，和绝缘膜和停止膜的水平之间的差异的测量方法。
[抛光研磨粒料(c)的平均粒径的测量]
抛光研磨粒料(c)(上述GPL-C101)利用由Otsuka Electronics Co.，Ltd.制造的“Zeta-potential & Particle-size Analyzer ELSZ-2”，在25℃、针孔直径50μm、溶剂条件；25℃下水的折射率 = 1.33，粘度 = 0.89cP，介电常数= 78.3的条件下进行两次测量。平均粒径和粒径分布由累积量分析法(cumulant analysis)测定，并且两个平均粒径值的平均值取作抛光研磨粒料(c)的平均粒径。平均粒径是197.1 nm。
[pH的测量]
通过使用由Horiba，Ltd.制造的“pH meter F22”和标准缓冲剂(邻苯二甲酸盐pH缓冲剂；pH 4.00(25℃)，中性磷酸盐pH缓冲剂；pH 7.00(25℃)，硼酸盐pH缓冲剂；pH 9.00(25℃))，进行三点校正。将电极置于CMP用浆料中，测量在过去2分钟以上的时间后的稳定化值。
[绝缘膜的抛光]
作为试验基板，使用由SKW制造的图案化晶片“SKW3-2”。上述晶片包括，如图2中所示，在其中形成的氧化绝缘膜2(氧化硅)，停止膜3(氮化硅)，沟槽4和绝缘膜5(氧化硅)(氧化绝缘膜2的厚度：10 nm，停止膜3的厚度：150 nm，停止膜3的宽度：100μm，沟槽4的深度(从停止膜3的表面到沟槽4的底部之间的距离)：500 nm，沟槽4的宽度：100μm，绝缘膜5的平均厚度：600 nm)。上述晶片被固定在抛光装置(由MAT制造的“BC-15”)的基板保持部上。将380 mmΦ抛光垫片(由Rohm & Haas制造的“IC1400”，同心圆槽)用双面胶带粘附于抛光平板上。使用修整器(由A.L.M.T. Corp.制造，直径19.0 cm)，在压力 = 3.48 kPa、平板的旋转数 = 100 rpm、修整器的旋转数 = 140 rpm条件下、在相同方向旋转，并由定量泵(由TOKYO RIKAKIKAI CO, LTD制造的“RP-1000”)以150 mL/min的流动速率供给纯水的同时，对抛光垫片进行修整60分钟。
然后，在将实施例和比较例的各CMP用浆料以120 mL/min的流动速率供给至上述抛光垫片上的同时，使该抛光用平板在100 rpm下旋转，使上述晶片在相同方向上在99 rpm下旋转，并且将上述晶片以23.4 kPa的荷载压在上述抛光垫片上以对上述晶片进行抛光。将停止膜3(氮化硅)上的绝缘膜5(氧化硅)消失而露出停止膜3时的时间点作为“刚好抛光(just polishing)”，在该时间点停止抛光。该晶片用蒸馏水洗涤并干燥。通过使用光学干涉型膜厚测定装置(由Nanometrics制造的“Nano spec AFT Model 5100”)，测量停止膜3和绝缘膜5的厚度。在标准记录针，测量范围 = 80μm，JIS2001，GAUSS滤波器，截止值λc = 2.5mm，截止值λs = 8.0μm的设定下，使用表面粗糙度测量仪器(由Mitutoyo Corporation制造的小型表面粗糙度测量仪器“SJ-400”)测量停止膜3和绝缘膜5之间的水平差D2(图4)，并且从截面曲线计算水平差D2。
另外，对刚好抛光后的晶片如图5中所示进一步进行过度抛光，然后测量水平差的增大量D3。具体地说，刚好抛光后的晶片被进一步抛光了对应于从抛光的起始到刚好抛光为止的抛光时间的15%的时间，然后按照与上述相同的方法测量膜厚度和水平差。
实施例和比较例的各CMP用浆料的pH、刚好抛光时的水平差D2以及过度抛光所引起的水平差的增大量D3的测量结果都示于表1-表4中。
Figure 2010800511740100002DEST_PATH_IMAGE002
Figure 2010800511740100002DEST_PATH_IMAGE006
从表1和表2中可清楚地看出，当使用实施例的CMP用浆料时，刚好抛光时的水平差D2已减少，并且由过度抛光引起的水平差的增大量D3也小。另一方面，如表3和表4中所示，当使用不含水溶性包合化合物的比较例1-3，高分子化合物(b)含量低的的比较例4和5，含有不是包合化合物的水溶性化合物的比较例6和7，不含高分子化合物(b)的比较例8，含有无酸性基团的高分子化合物来代替高分子化合物(b)的比较例9、以及含有重均分子量为1,000,000或更高的高分子化合物的比较例10的各浆料时，刚好抛光时的水平差D2没有减少，并且由过度抛光引起的水平差的增大量D3也高。
产业实用性
如以上所详述，本发明提供适用于形成在半导体基板上的氧化硅膜、和各种半导体器件的制造工艺的CMP用浆料，以及基板的抛光方法。本发明的CMP用浆料特别适合于浅沟槽隔离区的形成中的绝缘膜和层间绝缘材料的抛光，可以在上述步骤中获得绝缘膜和停止膜的水平之间的差异极小的抛光膜，并且可以改进基板生产的产率。
本申请基于在日本提交的专利申请No.2009-258444，其全部内容被引入本文。
符号说明
1 基板
2 氧化绝缘膜(氧化硅等)
3 停止膜(氮化硅等)
4 沟槽(蚀刻部分)
5 绝缘膜(氧化硅等)
6 浅沟槽隔离区
D1 初始水平差
D2 水平差
D3 水平差的增大量

Claims (12)

1. 化学机械抛光用浆料，其包含：水溶性包合化合物(a)、具有任选为盐形式的酸性基团作为侧链的高分子化合物(b)、抛光研磨粒料(c)和水(d)，其中
相对于浆料的总量，含有0.001质量%-3质量%的水溶性包合化合物(a)，
高分子化合物(b)具有1,000以上且小于1,000,000的重均分子量，并且相对于浆料的总量，含有0.12质量%-3质量%。
2. 根据权利要求1的浆料，其中，水溶性包合化合物(a)具有200-1,000,000的重均分子量。
3. 根据权利要求1或2的浆料，其中，水溶性包合化合物(a)是选自由环状低聚糖及其衍生物构成的组中的一种或多种。
4. 根据权利要求3的浆料，其中，环状低聚糖及其衍生物是α-环糊精、β-环糊精、γ-环糊精和它们的衍生物。
5. 根据权利要求1-4中任何一项的浆料，其中，高分子化合物(b)具有任选呈现盐形式的羧基。
6. 根据权利要求5的浆料，其中，高分子化合物(b)包含聚合物(b-1)，该聚合物(b-1)在该聚合物中以25质量%以上的单元量包含(甲基)丙烯酸和/或其盐。
7. 根据权利要求6的浆料，其中，高分子化合物(b)是选自由聚丙烯酸、聚丙烯酸铵盐、聚丙烯酸胺盐、聚甲基丙烯酸、聚甲基丙烯酸铵盐和聚甲基丙烯酸胺盐构成的组中的一种或多种。
8. 根据权利要求1-7中任何一项的浆料，其中，抛光研磨粒料(c)是具有0.5 nm-1,000 nm的平均粒径的无机氧化物颗粒。
9. 根据权利要求8的浆料，其中，无机氧化物颗粒是选自由氧化铝、二氧化铈、蒸汽沉积二氧化硅、胶态硅石、氧化锆、氧化钛、氧化锡、氧化锗、氧化镁和氧化锰构成的组中的一种或多种颗粒。
10. 根据权利要求1-9中任何一项的浆料，其具有pH 3-12.5。
11. 抛光基板的方法，其包括在基板和抛光垫片之间供给根据权利要求1-10中任何一项的化学机械抛光用浆料的同时，使基板和抛光垫片相对运动以便对基板上的待抛光的膜进行抛光。
12. 根据权利要求11的方法，其中，基板上的待抛光的膜是氧化硅膜和/或氮化硅膜。
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