CN113249035A - 化学机械抛光液及其应用 - Google Patents
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- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
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Abstract
本发明提供一种化学机械抛光液及其应用,其中的化学机械抛光液的成分包括石墨粉、硅烷偶联剂、聚乙二醇、PH调节剂、次氯酸钠氧化剂、氧化镧研磨颗粒和酞箐。上述配制的化学机械抛光液能够对硅、铜及氧化硅同时具有非常高的抛光速度,表面良好的粗糙度和较低的残余应力。通过硅烷偶联剂、氧化剂、石墨粉、聚乙二醇、酞箐,实现了化学机械抛光液的高研磨速率,解决复合薄膜表面粗糙度控制的问题。
Description
技术领域
本发明涉及微电子技术领域,更为具体地,涉及一种化学机械抛光液及其应用。
背景技术
随着集成电路技术的发展,对IC铜互连层的表面质量等指标的需求不断提高,从而推动了有关铜材料的化学机械抛光技术的发展。目前化学机械抛光可以实现铜材料的纳米级超光滑表面的加工。
在国外相关研究中,美国克拉克森大学的S.Ramakrishnan等人使用浓度为3份的硅溶胶、在IC-1400抛光垫上对尺寸为25mm×25mm×2mm铜片进行CMP(ChemicalMechanicalPolishing,化学机械抛光),最终得到表面起粗糙度Ra=0.8nm的铜片。日本大阪大学的村井亮太等使用含有ND-PG新型磨粒的抛光液,对尺寸10mm×10mm硅片基底上的铜膜进行CMP,使铜膜的表面粗糙度RMS值由抛光前的20nm下降至2nm。
在国内研究方面,山东大学的娄有信等人用包含双氧水、氨基乙酸、表面活性剂PVA等成分的抛光液,采用平均粒径50nm硅溶胶对直径d=15mm,厚度b=1mm的铜片进行CMP,可以得到表面粗糙度Ra=0.921nm的铜片,无宏观划痕的表面。南京航空航天大学的王成使用乙二胺、粒径60nm的硅溶胶配制的抛光液,在无纺布抛光垫上对直径50.8mm,厚度3mm的铜片进行CMP,得到了表面粗糙度Sa=0.202nm的铜片。
但上述抛光液对于铜片或铜膜等铜材料的抛光速度较低。因此急需一种在保证表面粗糙度的同时能够提高抛光速度的抛光液。
发明内容
鉴于上述的分析,本发明的目的是提供一种化学机械抛光液及其应用,以解决现有的抛光液对于铜材料存在抛光速度慢的问题。
为解决上述问题,本发明主要是通过以下技术方案实现的:
本发明一方面提供了一种化学机械抛光液,包括石墨粉、硅烷偶联剂、聚乙二醇、PH调节剂、次氯酸钠氧化剂、氧化镧研磨颗粒和酞箐。
优选地,石墨粉的质量份为2-10份,硅烷偶联剂的质量份为1-15份,聚乙二醇的质量份为5-10份,次氯酸钠氧化剂的质量份为5-15份,氧化镧研磨颗粒的质量份为5-25份,酞箐的质量份为5-10份。
优选地,石墨粉的质量份为2-5份,硅烷偶联剂的质量份为10-15份,聚乙二醇的质量份为6-8份,次氯酸钠氧化剂的质量份为5-10份,氧化镧研磨颗粒的质量份为10-20份,酞箐的质量份为5-8份。
优选地,PH调节剂将化学机械抛光液的PH值调节在7-9之间。
本发明另一方面还提供了一种化学机械抛光液在抛光二氧化硅薄膜、铜/二氧化硅复合薄膜、铜薄膜、铜银合金薄膜、铜片或硅片表面抛光中的应用。
同时本发明还提供了一种化学机械抛光方法,包括如下步骤:
S1、在超纯水中配制化学机械抛光液;其中,化学机械抛光液包括质量份为2-10份的石墨粉、质量份为1-15份的硅烷偶联剂,质量份为5-10份的聚乙二醇,所质量份为述5-15份的次氯酸钠氧化剂,质量份为5-25份的氧化镧研磨颗粒,质量份为5-10份的酞箐,PH调节剂将溶液的pH值调节在7-9之间;
S2、采用配制好的化学机械抛光液对待抛光物的表面进行抛光;其中,在室温下将抛光压力控制在100-300g/cm2、转速控制在40-100rpm、化学机械抛光液滴速控制在2-10ml/min、抛光液的温度控制在20-30℃。
优选地,待抛光物为二氧化硅薄膜、铜/二氧化硅复合薄膜、铜片或硅片。
本发明能够取得以下技术效果:
该抛光液能够对硅、铜及氧化硅同时具有非常高的抛光速度、表面良好的粗糙度和较低的残余应力。
具体实施方式
下面通过具体实施例进一步阐述本发明的优点,但本发明的保护范围不仅仅局限于下述实施例。通过将石墨粉、硅烷偶联剂、聚乙二醇、次氯酸钠氧化剂、氧化镧研磨颗粒和酞箐简单均匀混合,余量为超纯水,之后采用PH调节剂将溶液PH值调节至7-9之间,即可制得各实施例的化学机械抛光液。
氧化剂选择次氯酸钠的原因是其氧化性很强,有利于铜、硅等的化学机械抛光。
研磨颗粒选择氧化镧的原因是其化学活性中性,但硬度比较适中,适合抛光。
选择酞箐的原因是充当络合剂,有利于除去有力的铜原子和硅原子。
选择聚乙二醇的原因是起到润滑的作用,改善研磨垫和待抛光物的接触面。
下面通过具体实施例对本发明提供的化学机械抛光液进行详细描述,以使更好的理解本发明,但下述实施例并不限制本发明范围。实施例中各成分百分比均为质量份。
实施例1
对2英寸单晶Si衬底上5μm厚的铜/二氧化硅复合薄膜进行化学机械抛光。
化学机械抛光液包括如下质量份的各组分:石墨2份、氧化镧研磨颗粒5份、硅烷偶联剂15份、聚乙二醇10份、酞箐10份、次氯酸钠氧化剂5份以及ph调节剂5份。
以2英寸单晶Si为衬底,其上电镀直径为2μm、长度为5μm的铜柱,铜柱之间用PECVD生长的二氧化硅填充,构成铜/二氧化硅复合薄膜,对其进行化学机械抛光。
在室温下,采用上述化学机械抛光液,使用化学机械抛光方法对铜/二氧化硅复合薄膜的表面进行抛光,抛光压力为300g/cm2,转速为40rpm,滴速控制在2ml/min、抛光液的温度控制在20℃,抛光时间为2小时。在抛光后,铜/二氧化硅复合薄膜表面的粗糙度小于2nm,残余应力小于3MPa。
实施例2
对直径2为英寸、厚为3mm的铜片进行化学机械抛光。
化学机械抛光液包括如下质量份的各组分:石墨10份、氧化镧研磨颗粒25份、硅烷偶联剂10份、聚乙二醇5份、酞箐5份、次氯酸钠氧化剂5份以及ph调节剂5份。
在室温下,采用上述抛光液,使用化学机械抛光方法对铜片表面进行抛光,抛光压力为250g/cm2,转速为50rpm,滴速控制在10ml/min、抛光液的温度控制在30℃,抛光时间为0.5小时。在抛光后,铜片表面的粗糙度小于3nm,残余应力小于5MPa。
实施例3
对2英寸单晶Si衬底上镀有1μm厚的二氧化硅薄膜进行化学机械抛光。
化学机械抛光液包括如下质量份的各组分:石墨8份、氧化镧研磨颗粒15份、硅烷偶联剂12份、聚乙二醇7份、酞箐6份、次氯酸钠氧化剂10份
以及ph调节剂5份。
在室温下,采用上述抛光液,使用化学机械抛光方法对二氧化硅薄膜的表面进行抛光,抛光压力为200g/cm2,转速为40rpm,滴速控制在5ml/min、抛光液的温度控制在25℃,抛光时间为0.5小时。在抛光后,二氧化硅薄膜表面的粗糙度小于2nm,残余应力小于2MPa。
实施例4
对2英寸单晶Si衬底上电镀厚度为5μm的铜薄膜进行化学机械抛光。
化学机械抛光液包括如下质量份的各组分:石墨10份、氧化镧研磨颗粒15份、硅烷偶联剂1份、聚乙二醇6份、酞箐7份、次氯酸钠氧化剂15份以及ph调节剂5份。
在室温下,采用上述化学机械抛光液,使用化学机械抛光方法对铜/二氧化硅复合薄膜的表面进行抛光,抛光压力为270g/cm2,转速为40rpm,滴速控制在8ml/min、抛光液的温度控制在28℃,抛光时间为1小时。在抛光后,铜/二氧化硅复合薄膜表面的粗糙度小于3nm,残余应力小于5MPa。
实施例5
对直径2为英寸、厚度为0.5μm的单晶硅片进行化学机械抛光。
化学机械抛光液包括如下质量份的各组分:石墨6份、氧化镧研磨颗粒10份、硅烷偶联剂15份、聚乙二醇8份、酞箐8份、次氯酸钠氧化剂15份
以及ph调节剂5份。
在室温下,采用上述化学机械抛光液,使用化学机械抛光方法对单晶硅片的表面进行抛光,抛光压力为220g/cm2,转速为50rpm,滴速控制在4ml/min、抛光液的温度控制在24℃,抛光时间为1.5小时。在抛光后,单晶硅片表面的粗糙度小于3nm,残余应力小于4MPa。
实施例6
对2英寸单晶Si衬底上电镀厚度为5μm的铜银合金薄膜进行化学机械抛光。
化学机械抛光液包括如下质量份的各组分:石墨5份、氧化镧研磨颗粒25份、硅烷偶联剂4份、聚乙二醇9份、酞箐9份、次氯酸钠氧化剂12份以及ph调节剂5份。
在室温下,采用上述化学机械抛光液,使用化学机械抛光方法对铜银合金薄膜的表面进行抛光,抛光压力为260g/cm2,转速为50rpm,滴速控制在2ml/min、抛光液的温度控制在22℃,抛光时间为2小时。在抛光后,单晶硅片表面的粗糙度小于3nm,残余应力小于5MPa。
Claims (8)
1.一种化学机械抛光液,包括石墨粉、硅烷偶联剂、聚乙二醇、和PH调节剂,其特征在于,还包括次氯酸钠氧化剂、氧化镧研磨颗粒和酞箐。
2.如权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述石墨粉的质量份为2-10份,所述硅烷偶联剂的质量份为1-15份,所述聚乙二醇的质量份为5-10份,所述次氯酸钠氧化剂的质量份为5-15份,所述氧化镧研磨颗粒的质量份为5-25份,所述酞箐的质量份为5-10份。
3.如权利要求2所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述石墨粉的质量份为2-5份,所述硅烷偶联剂的质量份为10-15份,所述聚乙二醇的质量份为6-8份,所述次氯酸钠氧化剂的质量份为5-10份,所述氧化镧研磨颗粒的质量份为10-20份,所述酞箐的质量份为5-8份。
4.如权利要求1-3中任一项所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述PH调节剂将所述化学机械抛光液的PH值调节在7-9之间。
5.一种如权利要求1-4中任一项所述的化学机械抛光液在抛光二氧化硅薄膜、铜/二氧化硅复合薄膜、铜薄膜、铜银合金薄膜、铜片或硅片表面抛光中的应用。
6.一种化学机械抛光方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1、在超纯水中配制权利要求1-4中任一项所述的化学机械抛光液;
S2、采用配制好的化学机械抛光液对待抛光物的表面进行抛光。
7.如权利要求6所述的化学机械抛光方法,其特征在于,所述待抛光物为二氧化硅薄膜、铜/二氧化硅复合薄膜、铜薄膜、铜银合金薄膜、铜片或硅片。
8.如权利要求7所述的化学机械抛光方法,其特征在于,在步骤S2中,室温下将抛光压力控制在100-300g/cm2、转速控制在40-100rpm、化学机械抛光液滴速控制在2-10ml/min、抛光液的温度控制在20-30℃。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114479674A (zh) * | 2022-03-01 | 2022-05-13 | 北京通美晶体技术股份有限公司 | 一种用于锗晶片化学机械抛光的精抛光液和精抛光方法 |
CN115595585A (zh) * | 2022-11-10 | 2023-01-13 | 江西省科学院应用物理研究所(Cn) | 一种易氧化金属专用金相抛光剂的制备方法 |
CN116144270A (zh) * | 2023-02-20 | 2023-05-23 | 湖南三安半导体有限责任公司 | 一种抛光液及其制备方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101016438A (zh) * | 2007-02-09 | 2007-08-15 | 孙韬 | 碱性计算机硬盘抛光液及其生产方法 |
CN102666760A (zh) * | 2009-11-11 | 2012-09-12 | 可乐丽股份有限公司 | 化学机械抛光用浆料以及使用其的基板的抛光方法 |
CN104046322A (zh) * | 2014-06-26 | 2014-09-17 | 青岛宝泰新能源科技有限公司 | 一种化学机械研磨组合物 |
CN104371553A (zh) * | 2013-08-14 | 2015-02-25 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液以及应用 |
CN104592897A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-05-06 | 上海新安纳电子科技有限公司 | 一种含有石墨烯的化学机械抛光液 |
CN106928859A (zh) * | 2015-12-31 | 2017-07-07 | 安集微电子科技(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液及其应用 |
CN107365560A (zh) * | 2017-08-04 | 2017-11-21 | 安徽宽居电器有限公司 | 一种玻璃加工用高效抛光液 |
CN107629701A (zh) * | 2017-11-02 | 2018-01-26 | 东旭科技集团有限公司 | 抛光液及其制备方法 |
CN110524408A (zh) * | 2019-09-12 | 2019-12-03 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种蓝宝石晶片研磨方法 |
-
2020
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101016438A (zh) * | 2007-02-09 | 2007-08-15 | 孙韬 | 碱性计算机硬盘抛光液及其生产方法 |
CN102666760A (zh) * | 2009-11-11 | 2012-09-12 | 可乐丽股份有限公司 | 化学机械抛光用浆料以及使用其的基板的抛光方法 |
CN104371553A (zh) * | 2013-08-14 | 2015-02-25 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液以及应用 |
CN104046322A (zh) * | 2014-06-26 | 2014-09-17 | 青岛宝泰新能源科技有限公司 | 一种化学机械研磨组合物 |
CN104592897A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-05-06 | 上海新安纳电子科技有限公司 | 一种含有石墨烯的化学机械抛光液 |
CN106928859A (zh) * | 2015-12-31 | 2017-07-07 | 安集微电子科技(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液及其应用 |
CN107365560A (zh) * | 2017-08-04 | 2017-11-21 | 安徽宽居电器有限公司 | 一种玻璃加工用高效抛光液 |
CN107629701A (zh) * | 2017-11-02 | 2018-01-26 | 东旭科技集团有限公司 | 抛光液及其制备方法 |
CN110524408A (zh) * | 2019-09-12 | 2019-12-03 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种蓝宝石晶片研磨方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114479674A (zh) * | 2022-03-01 | 2022-05-13 | 北京通美晶体技术股份有限公司 | 一种用于锗晶片化学机械抛光的精抛光液和精抛光方法 |
CN115595585A (zh) * | 2022-11-10 | 2023-01-13 | 江西省科学院应用物理研究所(Cn) | 一种易氧化金属专用金相抛光剂的制备方法 |
CN116144270A (zh) * | 2023-02-20 | 2023-05-23 | 湖南三安半导体有限责任公司 | 一种抛光液及其制备方法 |
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