CN102420156A - 处理装置和其维修方法 - Google Patents

处理装置和其维修方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102420156A
CN102420156A CN2011103016205A CN201110301620A CN102420156A CN 102420156 A CN102420156 A CN 102420156A CN 2011103016205 A CN2011103016205 A CN 2011103016205A CN 201110301620 A CN201110301620 A CN 201110301620A CN 102420156 A CN102420156 A CN 102420156A
Authority
CN
China
Prior art keywords
lid
chamber body
rotation
action
make
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011103016205A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102420156B (zh
Inventor
本间彻
板谷武彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN102420156A publication Critical patent/CN102420156A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102420156B publication Critical patent/CN102420156B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching

Abstract

本发明提供一种能够抑制盖体的开闭动作必要的空间的处理装置和其维修方法。为在处理腔室(60)内对被处理体实施规定的处理的处理装置，具备：处理腔室(60)；腔室主体(61)；在该腔室主体(61)上能够开闭的设置的盖体(62)；开闭该盖体(62)的开闭装置(63)，开闭装置(63)具备：能够使盖体(62)上升至不与腔室主体(61)接触并在垂直方向能够旋转的非接触旋转位置的升降机构(150)；使盖体(62)在垂直方向旋转的旋转机构(160)；盖体(62)在垂直状态下，使盖体(62)滑动至不与腔室主体(61)重叠的位置的滑动机构(140)。

Description

处理装置和其维修方法
技术领域
本发明涉及例如液晶显示装置(LCD)基板为代表的FPD(平板显示器)用基板等实施规定的处理的处理装置和其维修方法。
背景技术
历来，FPD(平板显示器)、例如在LCD的制造工序中，具备多个在减压气氛下，对玻璃基板实施蚀刻、灰化、成膜等的规定的处理的基板处理装置，使用所谓的多腔室型的真空处理系统。
这样的真空处理系统，具有：设置有具备搬送基板的搬送臂的基板搬送机构的搬送室；在其周围设置的多个基板处理装置，通过搬送室内的搬送臂，被处理基板被搬入各基板处理装置的处理腔室内，同时完成处理的基板从各基板处理装置的处理腔室被搬出。
这样的真空处理系统中，各真空处理装置的处理腔室，具有能够开闭的盖体能够进行内部的维修。作为盖体的开闭机构，历来使用以设置在盖体的一边的铰链为中心通过气缸机构旋转的装置，但是存在下述问题点：结构上，该旋转角度限制在70°左右，盖体内的重物难以安装和取出。
作为克服上述问题点的技术，专利文献1提案有如下盖体开闭机构：具备：使盖体滑动的滑动机构，和使盖体以水平轴为中心旋转的旋转机构，使盖体在水平方向滑动到离开主体的位置，之后使盖体旋转。由此，盖体能够容易的旋转180°，并且在腔室上方不存在盖体，容易进行腔室内部和盖体内部的维修。
专利文献
【专利文献1】日本特开2001-185534
发明内容
但是，上述专利文献1的技术，为了使得盖体滑动到离开腔室的位置并在此旋转，除了腔室的空间之外，还需要总是确保对批量生产不起作用的盖体旋转所需要的空间，与省空间化的期望相违背。特别是，LCD用的玻璃基板近来的要求日趋大型化，与此同时处理装置大型化，这样的空间就变得极大。
本发明鉴于上述事实提出，其课题在于提供一种能够抑制盖体开闭动作所需的空间的处理装置和其维修方法。
为了解决上述课题，本发明的第一观点，提供一种处理装置，在处理腔室内对被处理体实施规定的处理，其特征在于，所述处理腔室具备：腔室主体；设置在该腔室主体上的能够开闭的盖体；和开闭该盖体的开闭装置，所述开闭装置具有：能够使所述盖体上升至不与所述腔室主体接触并在垂直方向能够旋转的非接触旋转位置的升降机构；使所述盖体在垂直方向旋转的旋转机构；和使所述盖体滑动至在垂直状态下不与所述腔室主体重合的位置的滑动机构。
在上述处理装置中，所述开闭装置能够构成为，分别设置于盖体的相对的一对侧壁。
此外，能够构成为还具有对所述开闭装置进行的盖体的开闭动作进行控制的控制部。这种情况下，所述开闭装置，所述升降机构、所述旋转机构、所述滑动机构能够独立动作，所述控制部对这些进行独立的动作控制。
所述控制部，控制所述升降机构，使所述盖体上升至不与所述腔室主体接触并在垂直方向能够旋转的非接触旋转位置，控制所述旋转机构，使所述盖体上升至非接触旋转位置时使所述盖体旋转1/2周，能够进行所述盖体的维修。这种情况下，所述控制部能够构成为：按照使得通过所述升降机构使所述盖体上升的动作、和通过所述旋转机构使所述盖体旋转的动作的一部分同时进行的方式进行控制。
此外，所述控制部能够构成为：按照使所述盖体上升至不与所述腔室主体接触并在垂直方向能够旋转的非接触旋转位置的方式控制所述升降机构，当使所述盖体上升至非接触旋转位置时，按照所述盖体呈垂直的方式控制所述旋转机构，当使所述盖体旋转为垂直时，按照所述盖体滑动至在垂直状态不与所述腔室主体重叠的位置的方式控制所述滑动机构，能够进行所述腔室主体的维修。这种情况下，所述控制部能够构成为：在通过所述升降机构使所述盖体上升的动作、通过所述旋转机构使所述盖体旋转的动作、和通过所述滑动机构使所述盖体滑动的动作中，按照使至少两个动作的一部分同时进行的方式进行控制。
本发明的第二观点，提供一种维修方法，是在具有腔室主体、和设置在该腔室主体上的能够开闭的盖体的处理腔室内对被处理体实施规定的处理的处理装置的维修方法，其特征在于，使所述盖体上升至不与所述腔室主体接触并在垂直方向能够旋转的非接触旋转位置，当所述盖体被上升至非接触旋转位置时，使所述盖体在旋转1/2周的状态下对所述盖体的内部进行维修，使所述盖体上升至不与所述腔室主体接触并在垂直方向能够旋转的非接触旋转位置，当所述盖体上升至非接触旋转位置时，使所述盖体在垂直方向旋转，当所述盖体被旋转为呈垂直时，使所述盖体滑动至在垂直状态不与所述腔室主体重叠的位置，在该状态，对所述腔室主体内进行维修。
在上述维修方法中，对所述盖体的内部进行维修时，使所述盖体上升至不与所述腔室主体接触并在垂直方向能够旋转的非接触旋转位置，之后，也可以使所述盖体旋转1/2周，或者使所述盖体上升的动作、和使所述盖体旋转的动作的一部分同时进行。
此外，在对所述腔室主体进行维修时，可以使所述盖体上升至不与所述腔室主体接触并在垂直方向能够旋转的非接触旋转位置，接着，使所述盖体呈垂直的方式使所述盖体在垂直方向旋转，之后，使所述盖体滑动至在垂直状态不与所述腔室主体重合的位置，或者也可以使所述盖体上升的动作、使所述盖体旋转的动作、和使所述盖体滑动的动作的至少两个动作的一部分同时进行。
本发明的第三观点，提供一种存储介质，其特征在于，是在计算机上运行的存储控制处理装置用的程序的存储介质，所述程序，在执行时，由计算机控制所述处理装置，进行所述维修方法。
根据本发明，开闭装置包括：能够使所述盖体上升至不与所述腔室主体接触并在垂直方向能够旋转的非接触旋转位置的升降机构；使所述盖体在垂直方向旋转的旋转机构；和使所述盖体滑动直至在垂直状态下不与所述腔室主体重叠的位置的滑动机构。因此，在盖体的维修时，使存在于腔室主体上的盖体以该状态上升，仅使其在上升位置旋转，因此在处理腔室的外侧不需要空间，在进行腔室主体的维修时，在使盖体呈垂直旋转的状态下使盖体滑动至不与腔室主体重叠的位置，因此，仅仅是从腔室主体伸出盖体高度的宽度，能够缩小装置的占地空间。
附图说明
图1为表示真空处理系统的概观的立体图。
图2为表示图1的真空处理系统的水平截面图。
图3为表示本发明一实施方式的蚀刻处理装置的截面图。
图4为表示本发明一实施方式的蚀刻处理装置的主要部分的立体图。
图5为表示本发明一实施方式的蚀刻处理装置的侧面图。
图6为表示本发明一实施方式的蚀刻处理装置中使得盖体上升的状态的侧面图。
图7为表示本发明一实施方式的蚀刻处理装置中使得盖体上升后成垂直状态使之滑动的状态的侧面图。
图8为表示说明本发明一实施方式的蚀刻处理装置中打开盖体的动作用的模式图。
符号说明
1真空处理系统
10蚀刻处理装置
60处理腔室
61腔室主体
62盖体
63开闭装置
72基座
74喷淋头
77处理气体供给系统
80高频电源
101滑板
102滑板电动机
103a、103b升降轴
104可动体
106旋转电动机
107升降电动机
108联轴器
109小齿轮
110齿条
111旋转支承部
120导轨
140滑动机构
150升降机构
160旋转机构
170罩
200控制部
201上位控制器
203存储部
210下位控制器
S基板
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。
在此，例如，对FPD用的玻璃基板上形成薄膜晶体管时的金属膜、ITO膜、氧化膜等的蚀刻处理中使用的多腔室型的真空处理系统中使用本发明的处理装置的情况进行说明。作为FPD，示例液晶显示器、电致发光(Electro Luminescence：EL)显示器、等离子体显示面板(PDP)等。
图1为表示该真空处理系统的概观立体图，图2为表示其内部的水平截面图。该真空处理系统1，在其中央部连设搬送室20和负载锁定室30。在搬送室20的周围配设3个蚀刻处理装置10。此外，在搬送室20与负载锁定室30之间、搬送室20与各蚀刻处理装置10之间，以及连通负载锁定室30和外侧的大气氛围的开口部上，分别插入气密性密封这些之间、能够开闭的构成的门阀22。
在负载锁定室30的外侧设置2个匣盒收发片机(cassette indexer)41，其上载置分别收容基板S的匣盒40。在这些匣盒40的一个收容未处理基板，在另一个收容完成处理的基板。这些匣盒40通过升降机构42能够升降。
上述2个匣盒40之间，在支承台44上设置基板搬送机构43，该基板搬送机构43具备：上下2层设置的臂45、46，以及能将这些臂一体进出退避和旋转地支承的基台47。在臂45、46上形成有支承基板S使其不偏移的4个突起48。
蚀刻处理装置10，如后所述具有处理腔室，其内部空间能够保持规定的减压气氛，在处理腔室内进行蚀刻处理。之后叙述蚀刻处理装置的详细说明。
搬送室20也与蚀刻处理装置10同样，能够保持为规定的减压气氛，如图2所示，其中配设有搬送机构50。通过该搬送机构50，在负载锁定室30和3个蚀刻处理装置10之间搬送基板。
搬送机构50包括：设置在基台51的一端的，以能够旋转的方式设置在基台51的第一臂52；以能够旋转的方式设置在第一臂52的前端部的第二臂53；和以能够旋转的方式设置在第二臂53的，支承基板的叉状的基板支承板54，通过内置于基台51的驱动机构驱动第一臂52、第二臂53和基板支承板54，能够搬送基板S。此外，基台51能够上下动并且能够旋转。
负载锁定室30，能够使各蚀刻处理装置10和搬送室20切换成同样的减压气氛和大气气氛，其中设置有支承基板S用的架(rack)31。通过架31能够一次支承2个基板S。此外，设置有基板S的定位用的定位器(未图示)。
该真空处理系统1具有控制各构成部的控制部200。该控制部200包括：具备微处理器(计算机)的上位控制器201；用户端口202和存储部203。上位控制器201直接或者通过下位控制器控制真空处理系统1的各构成部。用户端口202与上位控制器201连接，由用于操作人员管理真空处理系统1的各构成部的进行命令输入操作等的键盘；和可视化显示真空处理系统1的各构成部的工作状况的显示器等形成。存储部203也与上位控制器201连接，存储有通过上位控制器201的控制实现在真空处理系统1执行的各种处理用的控制程序；和对应于处理条件在真空处理系统1的各构成部执行规定的处理用的控制程序、即处理方法、各种数据库等。处理方法存储在存储部203中的存储介质(未图示)中。存储介质可以是硬盘等固定设置的介质，也可以是CDROM、DVD、闪存等的可移动介质。此外，也可以采用从其他装置，例如通过专用电线适宜传送方法。根据需要，根据来自用户端口202的指示等从存储部203读出规定的处理方法，在上位控制器201执行，由此，在上位控制器201的控制下，在真空处理系统1进行规定的处理。
接着，参照图3～图5，对蚀刻处理装置10详细说明。图3为蚀刻处理装置10的截面图，图4为其主要部分的立体图，图5为侧面图。
蚀刻处理装置10在其中具备对基板S实施蚀刻处理用的处理腔室60。处理腔室60，为搭载在架台130的状态(参照图4)，包括：腔室主体61；和可自由装拆地设置在该腔室主体61上的盖体62。此外，蚀刻处理装置10具有将该盖体62相对于腔室61进行装拆来开闭的一对开闭装置63。此外，在处理时，为了在关闭盖体62时，使得处理腔室60内成为气密空间，能够抽真空，在腔室主体61和盖体62之间安装有密封部件95。对于开闭装置63的详细在后面说明。
在处理腔室60的内部空间的下方，通过绝缘部件71设置有基座72，在基座72上载置有基板S。
腔室主体61的底壁连接有排气管81，在该排气管81连接有排气装置82。排气装置82具备涡轮分子泵等的真空泵，由此，对处理腔室60的内部空间抽真空，能够形成规定的减压气氛。
在基座72的上方，设置有与该基座72平行相对的作为上部电极起作用的喷淋头74。该喷淋头74螺合在配置于其周围的绝缘部件75，绝缘部件75通过在盖体62的内部突出的支承部62a支承并螺合。在喷淋头74通过配管76连接有向喷淋头74供给蚀刻处理用的处理气体的处理气体供给系统77，从设置在喷淋头74下面的多个气体喷出孔74a向基板S喷出处理气体。
另一方面，在喷淋头74的上表面中央连接有供电棒78，在供电棒78的上端连接有匹配器79，进一步，在匹配器79连接有高频电源80。
因此，通过排气装置82，对处理腔室60的内部空间抽真空，并且从喷淋头74导入处理气体，调整到规定压力的状态，从高频电源80通过匹配器79和供电棒78向喷淋头74施加高频电力，由此，在基板S的上方的空间形成处理气体的等离子体，由此，对基板S进行蚀刻处理。
蚀刻处理装置10，具有基于来自控制部200的上位控制器201的指令，控制蚀刻处理装置10的各构成部用的下位控制器210。下位控制器210，在蚀刻处理装置10进行高频电源80的供电控制和处理气体供给系统77、排气装置82的控制，进一步进行通过开闭装置63的盖体62的开闭动作的控制。特别是，盖体62的开闭动作，基于存储在存储部203的盖体开闭方法，被控制为进行如后述的动作。
接着，对开闭装置63进行说明。
一对开闭装置63均具有相同的结构，因此只对一方进行说明。
开闭装置63，作为主要结构，具有：使盖体62滑动的滑动机构140；使盖体62升降的升降机构150；使盖体62在垂直方向旋转(在垂直面内旋转)的旋转机构160；和收容这些机构的罩170。
滑动机构140设置有：在处理腔室60的侧部与基板S的搬入搬出方向平行设置的导轨120；与导轨120卡合并且在水平方向能够滑动而设置的滑板101；使得滑板101移动的驱动源的滑板电动机102；设置在滑板电动机102的旋转轴的前端的小齿轮(pinion gear)109；与导轨120平行的直线状安装的齿条110(参照图5)。伴随着滑板电动机102的旋转，能够通过齿条和小齿轮(rack and pinion)传动机构，滑板101沿着导轨120滑动。此外，导轨120由支承部件121支承。
升降机构150构成为包括：刻设有螺纹的2根升降轴103a、103b；与该升降轴103a、103b卡合并且被升降自由地支承的可动体104；和作为驱动源的升降电动机107。2根升降轴103a、103b通过联轴器108连结，升降电动机107的旋转分配传达给2根升降轴103a、103b，各升降轴103a、103b同时旋转。
旋转机构160，具有安装在盖体62的中央的旋转支承部111，和使得旋转支承部111旋转的旋转电动机106。
上述升降机构150的可动体104，通过旋转支承部111和盖体62连结，通过升降轴103a、103b的旋转，可动体104升降移动，与可动体104连动，盖体62升降。为了当可动体104升降移动时旋转支承部111也能够移动，在罩170的内侧壁170a形成有槽115。
各开闭装置63中，旋转机构160的旋转电动机106固定于可动体104，旋转支承部111成为盖体62的旋转轴。即，两侧的开闭装置63的旋转支承部111以使盖体62的相对向的侧壁的中央部能够旋转的方式对其进行支承，位于水平方向的同一线上，通过两侧的旋转电动机106，两侧的旋转支承部111作为旋转轴，使盖体62在垂直方向旋转。
如图6所示，升降机构150的升降轴103a、103b的长度为：使盖体62能够上升至在腔室主体61的上方不与腔室主体61接触并在垂直方向能够旋转的非接触旋转位置的长度。
滑动机构140的滑板101，通过升降机构150的升降轴103a、103b和可动体104、以及旋转机构160的旋转支承部111与盖体62连结，与滑板101连动，使得盖体62在水平方向移动。如图7所示，滑板101使得盖体62上升到非接触旋转位置，旋转1/4周，使其呈垂直状态，在该状态，能够移动到不与腔室主体61重叠的位置。
如此，通过开闭装置63的滑动机构140进行的盖体62的滑动动作、通过升降机构150进行的盖体62的升降动作、通过旋转机构160进行的盖体62的旋转动作相互独立进行。
接着，对以上结构的真空处理系统1的处理动作进行说明。首先，进退驱动基板搬送机构43的2个臂45、46，从收容未处理基板的一个匣盒40(图1左侧的匣盒)一次将2枚基板S搬入负载锁定室30。
在负载锁定室30内，通过齿条31保持基板S，臂45、46退避后，负载锁定室30的大气侧的门阀22关闭。之后，对负载锁定室30内排气，将内部减压到规定的真空度。抽真空结束后，通过定位器进行基板S的定位。
进行基板S的定位后，搬送室20和负载锁定室30之间的门阀22打开，通过搬送机构50将基板S搬入搬送室20内。接着，搬入搬送室20内的基板S接受在搬送机构50的基板支承板54上，搬入规定的蚀刻处理装置10。之后，基板支承板54从蚀刻处理装置10退避，关闭门阀22。此时，蚀刻处理装置10的处理腔室60内，腔室主体61与盖体62通过密封部件95密封，能够抽真空。
在蚀刻处理装置10中，如图3所示，在基板S载置在基座72上的状态下，处理腔室60的内部空间减压到规定的压力后，通过喷淋头74向基板S喷出从处理气体供给系统77供给的蚀刻处理用的处理气体，并且从高频电源80通过匹配器79和供电棒78向喷淋头74供给高频电力，在基板S上的空间形成处理气体的等离子体，对基板S进行蚀刻处理。
该蚀刻处理结束后，打开门阀22，通过搬送机构50的基板支承板54接受完成处理的基板S，搬送到负载锁定室30。搬送到负载锁定室30的基板S，通过搬送单元43的臂45、46，进入完成处理的基板用的匣盒40(图1的右侧的匣盒)。由此，一枚基板的一连串的处理动作完成，该处理动作，仅进行对应于未处理基板用的匣盒40上搭载的基板的数目的次数，结束1个匣盒的处理。
反复进行规定次数这样的处理时，必须进行蚀刻处理装置10的维修。这种情况下，通过上述开闭装置63，如下打开处理腔室60的盖体62，进行腔室主体61内和盖体62内的维修。
参照图8说明此时打开盖体的动作。
首先，进行盖体62的维修时，如图8(a)所示，从处理时(通常时)的状态，将存在于腔室主体61上的盖体62按原样通过开闭装置63的升降机构150，上升至不与腔室主体61接触并在垂直方向能够旋转的非接触旋转位置(STEP1-1)。这种状态下，通过开闭装置63的旋转机构160，盖体62旋转1/2周(STEP1-2)。由此，能够进行盖体62内部的维修。例如，能够通过起重装置容易进行存在于盖体62内的喷淋头74等的重量物的取出。
接着，在腔室主体61的维修时，如图8(b)所示，与盖体62的维修时同样，从处理时(通常时)的状态，将存在于腔室主体61上的盖体62按原样通过开闭装置63的升降机构150，上升至不与腔室主体61接触并在垂直方向能够旋转的非接触旋转位置(STEP2-1)。这种状态下，通过开闭装置63的旋转机构160，使盖体62旋转1/4周，呈垂直状态(STEP2-2)。接着，通过开闭装置63的滑动机构140，使盖体62滑动到离开腔室主体61的位置(STEP2-3)。由此，成为在腔室主体61上方不存在盖体62的状态，能够进行腔室主体61的内部的维修。此外，此时，如图示，盖体62的内部向着外侧的情况下，也能够进行盖体62的内部的简单维修。
维修之后，按照如上述图8(a)、(b)所示的顺序的相反顺序，能够将盖体安装在腔室主体61上。
此外，在上述STEP1-2的状态，进行盖体62的维修之后，在进行腔室主体61的维修的情况下，从STEP1-2的状态通过旋转机构160使得盖体62旋转，成为STEP2-2的状态，其后，通过滑动机构140，使得盖体62滑动，成为STEP2-3的状态。相反，在上述STEP2-3的状态，进行腔室主体61的维修之后，进行盖体62的维修的情况下，从STEP2-3的状态，通过滑动机构140，使得盖体滑动，成为STEP2-2的状态，从该状态使盖体62旋转，成为STEP1-2的状态。
开闭装置63，能够独立进行滑动机构140、升降机构150、旋转机构160的各个的动作，通过上位控制器200和下位控制器210，能够控制使得这些装置和机构独立动作。因此，盖体62的维修时，如上所述，可以按照通过升降机构150使得盖体62上升的动作进行之后，进行通过旋转机构160使得盖体62旋转的动作的方式进行控制，也可以按照使这些动作的一部分同时进行的方式进行动作控制。此外，腔室主体61的维修时，如上所述，可以在通过升降机构150使得盖体62的动作进行之后，进行控制使得通过旋转机构160盖体62旋转、之后通过滑动机构140盖体62滑动，也可以进行动作控制使得上述3个动作的至少2个动作的一部分同时进行。通过这些不同的机构的动作的一部分同时进行，能够缩短移动时间。
如上所述，在盖体62的维修时，存在于腔室主体61上的盖体62按原样上升，在上升位置旋转，因此，如上述专利文献1所述的盖体62离开腔室主体61的状态下滑动然后反转的情况下在处理腔室60的外侧不需要空间。此外，进行腔室主体61的维修时，腔室主体61上存在的盖体62按原样上升之后，为使盖体62垂直而使其旋转(旋转1/4)，在该状态，盖体62滑动到不与腔室主体61重合的位置，因此，处理腔室60的外侧必要的空间为盖体62的高度的宽度，与上述专利文献1所述的反转的状态的盖体存在于离开腔室主体的位置的情况下相比，能够缩小占有空间。如此，能够抑制盖体的开闭动作所需的空间，能够减小装置的占有空间，因此能够提高装置的配置场所的配置的自由度。
此外，能够在完全的反转状态下进行盖体62的维修，因此，能够容易进行喷淋头74等的重量物的取出。腔室主体61的维修在上方不存在盖体62的状态下进行，因此维修性良好。
此外，本发明不限于上述实施方式，能够进行各种变形。例如，开闭装置63的滑动机构、升降机构、旋转机构不限于上述实施方式，当然也能够使用具有同样的功能的其他的公知的机械部件。此外，上述实施方式中，表示了本发明在作为真空处理的蚀刻装置中使用的情况，但本发明的本质在于腔室的盖体的开闭，不限于处理装置进行的处理本身。此外，示例了作为被处理体使用FPD用基板的例子，但是不限于此，也可以是半导体晶片、太阳电池平板基板等、其他的被处理体。

Claims (13)

1.一种处理装置，其在处理腔室内对被处理体实施规定处理，该处理装置的特征在于：
所述处理腔室包括：腔室主体；按照能够开闭的方式设置在该腔室主体上的盖体；和将该盖体开闭的开闭装置，
所述开闭装置包括：升降机构，其能够使所述盖体上升至不与所述腔室主体接触并在垂直方向能够旋转的非接触旋转位置；使所述盖体在垂直方向旋转的旋转机构；和滑动机构，其使所述盖体滑动至在垂直状态不与所述腔室主体重合的位置。
2.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于：
所述开闭装置，分别设置于盖体的相对向的一对侧壁。
3.如权利要求1或2所述的处理装置，其特征在于：
还具有对基于所述开闭装置的盖体的开闭动作进行控制的控制部。
4.如权利要求3所述的处理装置，其特征在于：
所述开闭装置的所述升降机构、所述旋转机构、所述滑动机构能够独立动作，所述控制部对所述升降机构、所述旋转机构、所述滑动机构进行独立的动作控制。
5.如权利要求4所述的处理装置，其特征在于：
所述控制部，按照使所述盖体上升至不与所述腔室主体接触并在垂直方向能够旋转的非接触旋转位置的方式对所述升降机构进行控制，按照所述盖体上升至非接触旋转位置时使所述盖体旋转1/2周的方式来对所述旋转机构进行控制，以使所述盖体的维修成为可能。
6.如权利要求5所述的处理装置，其特征在于：
所述控制部，按照使得通过所述升降机构来使所述盖体上升的动作、和通过所述旋转机构来使所述盖体旋转的动作的一部分同时进行的方式进行控制。
7.如权利要求4所述的处理装置，其特征在于：
所述控制部，按照使所述盖体上升至不与所述腔室主体接触并在垂直方向能够旋转的非接触旋转位置的方式对所述升降机构进行控制；按照所述盖体上升至非接触旋转位置时使所述盖体呈垂直状态的方式对所述旋转机构进行控制；按照使所述盖体呈垂直状态而将其旋转时，所述盖体滑动至在垂直状态不与所述腔室主体重叠的位置的方式对所述滑动机构进行控制，以使所述腔室主体的维修成为可能。
8.如权利要求7所述的处理装置，其特征在于：
所述控制部，按照使得通过所述升降机构来使所述盖体上升的动作、通过所述旋转机构来使所述盖体旋转的动作、和通过所述滑动机构来使所述盖体滑动的动作的至少两个动作的一部分同时进行的方式进行控制。
9.一种维修方法，其是在具有腔室主体、和按照能够开闭的方式设置在该腔室主体上的盖体的处理腔室内对被处理体实施规定的处理的处理装置的维修方法，该维修方法的特征在于：
按照使所述盖体上升至不与所述腔室主体接触并在垂直方向能够旋转的非接触旋转位置，当所述盖体上升至非接触旋转位置时，使所述盖体呈旋转1/2周的状态的方式对所述盖体的内部进行维修，
按照使所述盖体上升至不与所述腔室主体接触并在垂直方向能够旋转的非接触旋转位置，当所述盖体上升至非接触旋转位置时，使所述盖体在垂直方向旋转来使所述盖体呈垂直状态，为使所述盖体垂直而旋转所述盖体时，使所述盖体滑动至在垂直状态不与所述腔室主体重叠的位置的方式，对所述腔室主体内进行维修。
10.如权利要求9所述的维修方法，其特征在于：
对所述盖体的内部进行维修时，在所述盖体上升至不与所述腔室主体接触并在垂直方向能够旋转的非接触旋转位置后，使所述盖体旋转1/2周。
11.如权利要求9所述的维修方法，其特征在于：
对所述盖体的内部进行维修时，使所述盖体上升的动作、和使所述盖体旋转的动作的一部分同时进行。
12.如权利要求11所述的维修方法，其特征在于：
在对所述腔室主体进行维修时，使所述盖体上升至不与所述腔室主体接触并在垂直方向能够旋转的非接触旋转位置，接着，为使所述盖体呈垂直状态而使所述盖体在垂直方向旋转，之后，使所述盖体滑动至在垂直状态不与所述腔室主体重合的位置。
13.如权利要求11所述的维修方法，其特征在于：
对所述腔室主体进行维修时，使所述盖体上升的动作、使所述盖体旋转的动作、和使所述盖体滑动的动作的至少两个动作的一部分同时进行。
CN201110301620.5A 2010-09-28 2011-09-28 处理装置和其维修方法 Expired - Fee Related CN102420156B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-217303 2010-09-28
JP2010217303A JP5595202B2 (ja) 2010-09-28 2010-09-28 処理装置およびそのメンテナンス方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102420156A true CN102420156A (zh) 2012-04-18
CN102420156B CN102420156B (zh) 2015-07-08

Family

ID=45944495

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110301620.5A Expired - Fee Related CN102420156B (zh) 2010-09-28 2011-09-28 处理装置和其维修方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5595202B2 (zh)
KR (1) KR101299843B1 (zh)
CN (1) CN102420156B (zh)
TW (1) TWI521593B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106298588A (zh) * 2015-06-26 2017-01-04 朗姆研究公司 用于处理晶片状物件的双模式室
CN110289235A (zh) * 2019-07-09 2019-09-27 北京北方华创微电子装备有限公司 开盖装置和半导体加工设备
CN111809166A (zh) * 2019-04-11 2020-10-23 东京毅力科创株式会社 处理装置和处理方法
CN112151421A (zh) * 2020-09-25 2020-12-29 北京北方华创微电子装备有限公司 一种用于半导体装置的开盖机构及半导体设备

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5941943B2 (ja) * 2014-05-08 2016-06-29 ワイエイシイ株式会社 蓋体開閉装置およびマルチチャンバー処理システム
TWI596692B (zh) * 2016-06-08 2017-08-21 漢民科技股份有限公司 應用於半導體設備之組裝裝置
KR102474232B1 (ko) * 2021-04-26 2022-12-05 (주)에스티아이 챔버 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0745684A (ja) * 1993-07-27 1995-02-14 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置の処理室
US6565662B2 (en) * 1999-12-22 2003-05-20 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus for semiconductor process
CN100500941C (zh) * 2005-08-31 2009-06-17 东京毅力科创株式会社 基板处理装置以及基板处理系统
KR20090069046A (ko) * 2007-12-24 2009-06-29 주식회사 에이디피엔지니어링 리드 개폐장치 및 방법
CN100514550C (zh) * 2003-05-30 2009-07-15 东京毅力科创株式会社 真空处理室的盖体开闭机构以及盖体开闭方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4432728B2 (ja) * 2004-10-29 2010-03-17 株式会社島津製作所 真空処理装置
JP5036290B2 (ja) * 2006-12-12 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板搬送方法、ならびにコンピュータプログラム

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0745684A (ja) * 1993-07-27 1995-02-14 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置の処理室
US6565662B2 (en) * 1999-12-22 2003-05-20 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus for semiconductor process
CN100514550C (zh) * 2003-05-30 2009-07-15 东京毅力科创株式会社 真空处理室的盖体开闭机构以及盖体开闭方法
CN100500941C (zh) * 2005-08-31 2009-06-17 东京毅力科创株式会社 基板处理装置以及基板处理系统
KR20090069046A (ko) * 2007-12-24 2009-06-29 주식회사 에이디피엔지니어링 리드 개폐장치 및 방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106298588A (zh) * 2015-06-26 2017-01-04 朗姆研究公司 用于处理晶片状物件的双模式室
CN111809166A (zh) * 2019-04-11 2020-10-23 东京毅力科创株式会社 处理装置和处理方法
CN110289235A (zh) * 2019-07-09 2019-09-27 北京北方华创微电子装备有限公司 开盖装置和半导体加工设备
CN112151421A (zh) * 2020-09-25 2020-12-29 北京北方华创微电子装备有限公司 一种用于半导体装置的开盖机构及半导体设备
CN112151421B (zh) * 2020-09-25 2024-04-16 北京北方华创微电子装备有限公司 一种用于半导体装置的开盖机构及半导体设备

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012074480A (ja) 2012-04-12
CN102420156B (zh) 2015-07-08
KR101299843B1 (ko) 2013-08-23
TWI521593B (zh) 2016-02-11
JP5595202B2 (ja) 2014-09-24
TW201234475A (en) 2012-08-16
KR20120032435A (ko) 2012-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102420156B (zh) 处理装置和其维修方法
CN100500941C (zh) 基板处理装置以及基板处理系统
KR100830730B1 (ko) 기판 처리 장치, 로드록실 유닛, 및 반송 장치의 반출 방법
US6565662B2 (en) Vacuum processing apparatus for semiconductor process
JP5482500B2 (ja) 基板処理装置
KR101234456B1 (ko) 덮개 유지 지그
KR20110120235A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템
CN102034725B (zh) 基片自动对位上载装置
KR20110140084A (ko) 기판 처리 장치
KR101003725B1 (ko) 진공처리장치
CN102270565B (zh) 基板处理装置
KR100773263B1 (ko) 진공처리장치
JP2012018940A (ja) 基板処理装置
JP4010068B2 (ja) 真空処理装置及びマルチチャンバ型真空処理装置
KR20050044913A (ko) 티칭 방법 및 처리 시스템
CN101599449B (zh) 搬送装置以及处理装置
WO2014030432A1 (ja) 基板搬送装置および基板処理システム
KR100757693B1 (ko) 진공처리장치
JP5941943B2 (ja) 蓋体開閉装置およびマルチチャンバー処理システム
JP2007266033A (ja) 基板搬送ロボットの基準位置教示方法
CN117337483A (zh) 具有冗余度的工厂接口
KR20070041955A (ko) 진공처리장치
KR20090068770A (ko) 리드 개폐장치
KR20100110760A (ko) 진공처리장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20150708

Termination date: 20210928