TWI521593B - Processing device and its maintenance method - Google Patents

Description

處理裝置及其維修方法

本發明係關於對例如以液晶顯示裝置(LCD)基板為代表之FPD(平面顯示器)用基板等施予特定處理之處理裝置及其維修方法。

自以往，在FPD(平面顯示器)，例如LCD之製造工程中，係使用具備複數於減壓氛圍下對玻璃基板施予蝕刻、灰化、成膜等之特定之處理的基板處理裝置，所謂的多腔室型之真空處理系統。

如此之真空處理系統係具有設置擁有搬運基板之搬運臂的基板搬運機構的搬運室，和被設置在其周圍的複數之基板處理裝置，藉由搬運室內之搬運臂，被處理基板被搬入至各基板處理裝置之處理腔室內，並且處理完之基板從各基板處理裝置之處理腔室被搬出。

在如此之真空處理系統中，各真空處理裝置之處理腔室係以能夠進行內部之維修之方式，具有能夠開關之蓋體。就以蓋體之開關機構而言，自以往有使用以被設置在蓋體之一邊的鉸鏈為中心而藉由汽缸機構轉動，但是在構造上，其轉動角度被限制在70°左右，有難以安裝或拆下蓋體內之重量物的問題點。

就以克服如此之問題點之技術而言，於專利文獻1，提案有使蓋體滑動之滑動機構，和使蓋體以水平軸為中心旋轉之旋轉機構，使蓋體在水平方向滑動至從本體脫離之位置，之後使蓋體旋轉之蓋體開關機構。依此，容易使蓋體旋轉180°，再者因在腔室之上方不存在蓋體，故容易進行腔室內部及蓋體之內部之維修性。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]　日本特開2001-185534

但是，在上述專利文獻1之技術中，因使蓋體滑動至從腔室脫離之位置而在此旋轉，故於腔室之空間之外，必須時常確保用以使不助於量產之蓋體旋轉之空間，而違反了省空間化之要求。尤其，LCD用之玻璃基板最近大型化之要求日益變高，隨此處理裝置也需大型化，如此一來空間也變得極大。

本發明係鑒於如此之情形而研究出，其課題係提供可以抑制蓋體之開關動作所需之空間的處理裝置及其維修方法。

為了解決上述課題，在本發明之第1觀點，係提供一種處理裝置，其係在處理腔室內對被處理體施予特定處理之處理裝置，上述處理腔室具備腔室本體、可開關地被設置在該腔室本體之上的蓋體及開關該蓋體的開關裝置，上述開關裝置具有：能夠使上述蓋體上升至上述蓋體不與上述腔室本體接觸而能夠在垂直方向旋轉之非接觸旋轉位置的升降機構；使上述蓋體在垂直方向旋轉之旋轉機構；及使上述蓋體滑動至上述蓋體在垂直狀態不與上述腔室本體重疊之位置的滑動機構。

在上述處理裝置中，可以設成上述開關裝置個別地被設置在蓋體之相對向之一對的側壁上之構成。

再者，可以設成又具有控制藉由上述開關裝置所進行之蓋體之開關動作的控制部之構成。此時，上述開關裝置係上述升降機構、上述旋轉機構、上述滑動機構能夠獨立動作，上述控制部可以設成該些獨立進行動作控制之構成。

上述控制部係以使上述蓋體上升至上述蓋體不與上述腔室本體接觸而能夠在垂直方向旋轉之非接觸旋轉位置之方式，控制上述升降機構，且以於上述蓋體上升至非接觸旋轉位置之時使上述蓋體旋轉1/2之方式來控制上述旋轉機構，使成為可以進行上述蓋體之維修。此時，上述控制部可以設成以同時進行藉由上述升降機構使上述蓋體上升之動作，和藉由上述旋轉機構使上述蓋體旋轉之動作之一部分之方式而予以控制之構成。

上述控制部係以使上述蓋體上升至上述蓋體不與上述腔室本體接觸而能夠在垂直方向旋轉之非接觸旋轉位置之方式，來控制上述升降機構，且於上述蓋體上升至非接觸旋轉位置之時，控制上述旋轉機構使上述蓋體成為垂直，以於旋轉成上述蓋體成為垂直之時滑動至上述蓋體在垂直狀態下不與上述腔室本體重疊之位置之方式，控制上述滑動機構，使成為能夠進行上述腔室本體之維修之構成。此時，上述控制部係可以設成以同時進行藉由上述升降機構使上述蓋體上升之動作、藉由上述旋轉機構使上述蓋體旋轉之動作，和藉由上述滑動機構使上述蓋體滑動之動作之至少兩個之一部分之方式而予以控制之構成。

在本發明之第2觀點中，提供一種維修方法，其係在具有腔室本體和可開關地被設置在該腔室本體之上的蓋體之處理腔室內，對被處理體施予特定處理的處理裝置之維修方法，其特徵為：使上述蓋體上升至上述蓋體不與上述腔室本體接觸而能夠在垂直方向旋轉之非接觸旋轉位置，且在上述蓋體上升至非接觸旋轉位置之時使上述蓋體旋轉1/2之狀態下，維修上述蓋體之內部，使上述蓋體上升至上述蓋體不與上述腔室本體接觸而能夠在垂直方向旋轉之非接觸旋轉位置，且以於上述蓋體上升至非接觸旋轉位置之時上述蓋體成為垂直之方式，使上述蓋體在垂直方向旋轉，於使旋轉成上述蓋體成為垂直之時，在滑動至上述蓋體在垂直狀態不與上述腔室本體重疊之位置的狀態下，維修上述腔室本體之內部。

在上述維修方法中，即使於維修上述蓋體之內部時，使上述蓋體上升至上述蓋體不與上述腔室本體接觸而能夠在垂直方向旋轉之非接觸旋轉位置之後，使上述蓋體旋轉1/2亦可，或是即使同時進行使上述蓋體上升之動作和使上述蓋體旋轉之動作之一部分亦可。

再者，即使於維修上述腔室本體之時，使上述蓋體上升至上述蓋體不與上述腔室本體接觸而能夠在垂直方向旋轉之非接觸旋轉位置，接著以上述蓋體成為垂直之方式使上述蓋體在垂直方向旋轉，之後使滑動至上述蓋體在垂直狀態下不與上述腔室本體重疊之位置亦可，或是即使同時進行使上述蓋體上升之動作、使上述蓋體旋轉之動作，和使上述蓋體滑動之動作之至少兩個之一部分亦可。

在本發明之第3觀點中，提供一種記憶媒體，其係在電腦上動作，記憶有用以控制處理裝置之程式的記憶媒體，其特徵為：上述程式於實行時以進行上述維修方法之方式，使電腦控制上述處理裝置。

若藉由本發明時，開關裝置具有：能夠使上述蓋體上升至上述蓋體不與上述腔室本體接觸而能夠在垂直方向旋轉之非接觸旋轉位置的升降機構；使上述蓋體在垂直方向旋轉之旋轉機構；及使上述蓋體滑動至上述蓋體在垂直狀態不與上述腔室本體重疊之位置的滑動機構。因此，於蓋體之維修時，因使存在於腔室本體上之蓋體原樣地上升，使僅在上升位置旋轉，故在處理腔室之外方不需要空間，於腔室本體之維修時，在旋轉成蓋體成為垂直之狀態下使蓋體滑動至不與腔室本體重疊之位置，故僅從腔室本體露出蓋體之高度部分，可以縮小裝置之占有空間。

以下參照附件圖面，針對本發明之實施型態予以說明。

在此，針對例如在FPD用之玻璃基板上形成薄膜電晶體之時之金屬膜、ITO膜、氧化膜等之蝕刻處理所使用之多腔室型之真空處理系統使用本發明之處理裝置之情形，予以說明。就以FPD而言例示有液晶顯示器、電激發光(Electro Luminescence：EL)顯示器，電漿顯示面板(PDP)等。

第1圖為表示該真空處理系統之概觀的斜視圖，第2圖為表示其內部之水平剖面圖。該真空處理系統1係在其中央部連接設置搬運室20和裝載鎖定室30。在搬運室20之周圍配設有三個蝕刻處理裝置10。再者，在搬運室20和裝載鎖定室30之間、搬運室20和各蝕刻處理裝置10之間，以及連通裝載鎖定室30和外側之大氣氛圍之開口部，氣密密封該些之間，並且個別插入於構成可開關之閘閥22之間。

在裝載鎖定室30之外側，設置有兩個卡匣指示器41，在其上方載置個別收容基板S之卡匣40。在該些卡匣40之一方收容未處理基板，在另一方收容處理完之基板。該些卡匣40藉由升降機構42成為能夠升降。

在該些兩個卡匣40之間，在支撐台44上設置有基板搬運機構43，該基板搬運機構43具備有被設置成上下兩段之機械臂45、46、以及能夠一體性進出退避地支撐該些之底座47。在機械臂45、46上，形成有支撐基板S之四個突起48，以使基板S不會脫離。

蝕刻處理裝置10如後述般具有處理腔室，其內部空間能夠保持特定之減壓氛圍，在處理腔室內進行蝕刻處理。針對蝕刻處理裝置之詳細於後敘述。

搬運室20也與蝕刻處理裝置10相同，能夠被保持特定之減壓氛圍，在其中，如第2圖所示般，配設有搬運機構50。然後，藉由該搬運機構50，在裝載鎖定室30及三個蝕刻處理裝置10之間搬運基板。

搬運機構50具有被設置在基座51之一端，能夠轉動地被設置在基座51之第1機械臂52、能夠轉動地被設置在第1機械臂52之前端部之第2機械臂53、能夠轉動地被設置在第2機械臂53，支撐基板之鉤狀之基板支撐板54，藉由內藏在基座51之驅動機構，使第1機械臂52、第2機械臂53及基板支撐板54驅動，依此成為能夠搬運基板S。再者，基座51成為能夠上下動作，同時能夠旋轉。

裝載鎖定室30係能夠在與各蝕刻處理裝置10及搬運室20相同之減壓氛圍和大氣氛圍切換，其中設置有用以支撐基板S之齒條31。藉由齒條31能夠一次支撐兩片之基板S。再者，設置有用以使基板S對位之定位器(無圖示)。

該真空處理系統1具有控制各構成部之控制部200。該控制部200具有具備微處理器(電腦)之上位控制器201、使用者介面202、記憶部203。上位控制器201係直接或經下位控制器而控制真空處理系統1之各構成部。使用者介面202係連接於上位控制器201，係由操作器為了管理真空處理系統1之各構成部，進行指令之輸入操作等之鍵盤，或使真空處理系統1之各構成部之運轉狀況予可視化而予以顯示之顯示器等所構成。記憶部203也連接於上位控制器201，儲存有用以利用上位控制器201之控制實現在真空處理系統1所實行之各種處理的控制程式，或因應處理條件用以使真空處理系統1之各構成部實行特定之處理的控制程式，即是處理配方或各種資料庫等。處理配方係被記憶於記憶部203之中的記憶媒體(無圖示)。記憶媒體即使為硬碟等之固定性設置者亦可，即使為CDROM、DVD、快閃記憶體等之可搬運性者亦可。再者，即使自其他裝置經例如專用線路適當傳送處理配方亦可。然後，依其所需，以來自使用者介面202之指示等自記憶部203叫出特定之處理配方而使上部控制器201實行，依此在上位控制器201之控制下，執行在真空處理系統1中的所期待之處理。

接著，參照第3圖～第5圖，針對蝕刻處理裝置10予以詳細說明。第3圖為蝕刻處理裝置10之剖面圖，第4圖為其重要部位斜視圖，第5圖為側面圖。

蝕刻處理裝置10在其中具備用以對基板S施予蝕刻處理之處理腔室60。處理腔室60成為被載置在架台130之狀態(參照第4圖)，具有腔室本體61，拆裝自如地被設置在該腔室本體61之上的蓋體62。再者，蝕刻處理裝置10具備有使該蓋體62對腔室本體61拆裝而開關的一對開關裝置63。再者，於處理時，當關閉蓋體62之時，為了使處理腔室60內成為氣密空間而成為能夠抽真空，在腔室本體61和蓋體62之間裝設有密封構件95。針對關閉裝置63之詳細於後敘述。

在處理腔室60之內部空間之下方，隔著絕緣構件71配置有承載器72，在承載器72之上方載置基板S。

在腔室本體61之底壁連接有排氣管81，在該排氣管81連接排氣裝置82。排氣裝置82具備有渦輪分子泵等之真空泵，依此構成將處理腔室60之內部空間抽真空而能夠形成特定之減壓氛圍。

在承載器72之上方設置有與該承載器72平行對向而當作上部電極發揮功能之噴淋頭74。該噴淋頭74係被螺絲固定於被配置在其周圍之絕緣構件75，絕緣構件75係藉由突出於蓋體62之內部之支撐部62a而被支撐，被螺絲固定。在噴淋頭74連接有經配管76而連接對噴淋頭74供給蝕刻處理用之處理氣體的處理氣體供給系統77，從被設置在噴淋頭74之下面的多數之氣體吐出孔74a朝向基板S吐出處理氣體。

另外，在噴淋頭74之上面之中央連接有供電棒78，在供電棒78之上端連接整合器79，又在整合器79連接有高頻電源80。

因此，藉由在一面藉由排氣裝置82對處理腔室60之內部空間抽真空，一面從噴淋頭74導入處理氣體而調壓成特定之壓力的狀態下，從高頻電源80經整合器79及供電棒78而對噴淋頭74施加高頻電力，在基板S之上方之空間形成處理氣體之電漿，依此對基板S進行蝕刻處理。

蝕刻處理裝置10具有用以根據來自控制部200之上位控制器201之指令而控制蝕刻處理裝置10之各構成部之下位控制器210。下位控制器210係進行蝕刻處理裝置10中之高頻電源80之供電控制，或處理氣體供給系統77、排氣裝置82之控制，還有藉由開關裝置63之蓋體62之開關動作的控制。尤其，蓋體62之開關動作係被控制成根據被記憶於記憶部203之蓋體開關配方而進行後述般之動作。

接著，針對開關裝置63予以說明。

一對之開關裝置63中之任一者因具有相同構造，故僅針對一方予以說明。

開關裝置63之主要構成，係具有使蓋體62滑動之滑動機構140、使蓋體62升降之升降機構150、使蓋體62在垂直方向旋轉(在垂直面內旋轉)之旋轉機構160，和收容該些機構之殼體170。

滑動機構140設置有與基板S之搬出搬入方向平行地設置在處理腔室60之側部之導軌120、被設置成一邊與導軌120卡合一邊能夠在水平方向滑動之滑動器101、使滑動器101移動之驅動源的滑動馬達102、被設置在滑動馬達102之轉動軸之前端的小齒輪109，和平行直線狀地安裝於導軌120之齒條齒輪110(參照第5圖)。然後，成為可以隨著滑動馬達102之旋轉，藉由齒條和小齒輪機構，使滑動器101沿著導軌120滑動移動。並且，導軌120係藉由支撐構件121而被支撐。

升降機構150具備有刻設有螺紋之兩根升降軸103a、103b，和一邊卡合於該升降軸103a、103b一邊被支撐成升降自如之可動體104，和當作驅動源之升降馬達107。兩根升降軸103a、103b係藉由連結器108連結，升降馬達107之旋轉係被分配至兩根之升降軸103a、103b而被傳達，構成使各升降軸103a、103b同步旋轉。

旋轉機構160具有被安裝於蓋體62之中央的旋轉支撐部111，和使旋轉支撐部111旋轉之旋轉馬達106。

上述升降機構150之可動體104係經蓋體62和旋轉支撐部111而連結，藉由升降軸103a、103b之旋轉，當可動體104升降移動時，則蓋體62與可動體104連動而進行升降。在殼體170之內側壁170a，以於可動體104升降移動之時，旋轉支撐部111也能夠移動之方式，形成有溝115。

在各開關裝置63中，旋轉機構160之旋轉馬達106係被固定於可動體104，旋轉支撐部111成為蓋體62之旋轉軸。即是，兩側之開關裝置63之旋轉支撐部111係可旋轉地支撐蓋體62之相對向的側壁之中央部，位於水平方向之同一線上，藉由兩側之旋轉馬達106，以兩側之旋轉支撐部111為旋轉軸而使蓋體62在垂直方向旋轉。

然後，如第6圖所示般，升降機構150之升降軸103a、103b具有能夠上升至蓋體62在腔室本體61之上方不接觸腔室本體61而能夠在垂直方向旋轉之非接觸旋轉位置的長度。

滑動機構140之滑動器101係經升降機構150之升降軸103a、103b及可動體104以及旋轉機構160之旋轉支撐部111而與蓋體62連結，成為與滑動器101運動而蓋體62在水平方向移動。如第7圖所示般，滑動器101係旋轉1/4使蓋體62上升至非接觸旋轉位置而成為垂直狀態，成為在其狀態下可以移動至不與腔室本體61重疊之位置。

如此一來，可以藉由開關裝置63之滑動機構140之蓋體62的滑動動作、藉由升降機構150之蓋體62的升降動作、藉由旋轉機構160之蓋體62的旋轉動作互相獨立地進行。

接著，針對構成上述般之真空處理系統1之處理動作予以說明。首先，使基板搬運機構43之兩根機械臂45、46進退驅動，而從收容有未處理基板之一方的卡匣40(第1圖之左側的卡匣)一次將兩片基板S搬入至裝載鎖定室30。

在裝載鎖定室30內，藉由齒條31保持基板S，於機械臂45、46退避之後，關閉裝載鎖定室30之大氣側之閘閥22。之後，使裝載鎖定室30內排氣，將內部減壓至特定真空度。於抽真空結束後，藉由定位器(無圖示)進行基板S之對位。

於進行基板S之對位之後，打開搬運室20及裝載鎖定室30間之閘閥22，藉由搬運機構50將基板S搬入至搬運室20內。接著，將被搬入至搬運室20內之基板S收取在搬運機構50之基板支撐板54上，搬入至特定之蝕刻處理裝置10。之後，基板支撐板54係從蝕刻處理裝置10退避，關閉閘閥22。此時，蝕刻處理裝置10之處理腔室60內，係藉由密封構件95密封腔室本體61和蓋體62，依此成為能夠抽真空。

在蝕刻處理裝置10中，如第3圖所示般，在基板S被載置在承載器72上之狀態下，將處理腔室60之內部空間減壓至特定壓力之後，將從處理氣體供給系統77被供給之蝕刻處理用之處理氣體經噴淋頭74朝向基板S吐出，並且從高頻電源80經整合器79及供電棒78而對噴淋頭74供給高頻電力，在基板S之上的空間形成處理氣體之電漿，使進行對基板S的蝕刻處理。

於該蝕刻處理結束之後，打開閘閥22而藉由搬運機構50之基板支撐板54而收取處理完之基板S，搬運至裝載鎖定室30。被搬運至裝載鎖定室30之基板S係藉由搬運手段43之機械臂45、46，被放入至處理完之基板用之卡匣40(第1圖之右側之卡匣)。依此，雖然一片之基板的一連串之處理動作結束，但是將該處理動作僅以因應被搭載於未處理基板用之卡匣40之基板之數量的次數，重複被搭載於未處理基板用之卡匣40的基板之該處理動作而完成一卡匣分之處理。

於以例如特定次數重複進行如此之處理之時，必須進行蝕刻處理裝置10之維修。此時，藉由上述之開關裝置63，如下述般打開處理腔室60之蓋體62，進行腔室本體61內及蓋體62內之維修。

一面參照第8圖一面在以下說明打開此時之蓋體的動作。

首先，於蓋體62之維修之時，則如第8圖之(a)所示般，從處理時(通常時)之狀態，使存在於腔室本體61上之蓋體62原樣地藉由開關裝置63之升降機構150上升至不與腔室本體61接觸而能夠在垂直方向旋轉之非接觸旋轉位置(STEP1-1)。在該狀態下，藉由該開關裝置63之旋轉機構160使蓋體62旋轉1/2(STEP1-2)。依此，能夠維修蓋體62之內部。例如，成為容易以起重機進行存在於蓋體62內之噴淋頭74等之重量物之拆下。

接著，於腔室本體61之維修時，如第8圖(b)所示般，與蓋體62之維修相同，從處理時(通常時)之狀態，使存在於腔室本體61之上的蓋體62原樣地藉由開關裝置63之升降機構150上升至不與腔室本體61接觸而能夠在垂直方向旋轉之非接觸旋轉位置(STEP2-1)。在該狀態下，藉由開關裝置63之旋轉機構160使蓋體62旋轉1/4而成為垂直之狀態(STEP2-2)。接著，藉由開關裝置63之滑動機構140，使蓋體62滑動至自腔室本體61脫離之位置(STEP2-3)。依此，成為在腔室本體61之上方不存在蓋體62之狀態而能夠維修腔室本體61之內部。再者，此時，如圖示般，於蓋體62之內部朝向外側之時，亦能夠簡易地維修蓋體62之內部。

於維修之後，可以上述第8圖(a)、(b)所示之順序的相反順序將蓋體安裝於腔室本體61。

再者，在上述STEP1-2之狀態下進行蓋體62之維修之後，於進行腔室本體61之維修之時，從STEP1-2之狀態藉由旋轉機構160使蓋體62旋轉而成為STEP2-2之狀態，之後藉由滑動機構140使蓋體62滑動使成為STEP2-3之狀態。相反的，在上述STEP2-3之狀態下，進行腔室本體61之維修之後，於進行蓋體62之維修之時，從STEP2-3之狀態藉由滑動機構140使蓋體滑動而成為STEP2-2之狀態，從該狀態使蓋體62旋轉而成為STEP1-2之狀態。

開關裝置63係能夠獨立進行滑動機構140、升降機構150、旋轉機構160之個別的動作，藉由上位控制部200及下位控制器210，控制成該些獨立動作。因此，於蓋體62之維修時，即使如上述般，控制成於進行藉由升降機構150使蓋體62上升之動作之後，進行藉由旋轉機構160使蓋體62旋轉之動作亦可，即使進行動作控制使同時進行該些動作之一部分亦可。再者，於腔室本體61之維修時，即使如上述般，控制成於進行藉由升降機構150使蓋體62上升之動作之後，藉由旋轉機構160使蓋體62旋轉，之後藉由滑動機構140使蓋體62滑動亦可，即使進行動作控制使同時進行該些三個動作之至少兩個動作之一部分亦可。藉由如此地同時進行不同機構之動作之一部分，可以縮短移動時間。

如上述般，於蓋體62之維修時，因使存在於腔室本體61上之蓋體62原樣地上升，在上升位置旋轉，故不用如上述專利文獻1般在蓋體62脫離腔室本體61之狀態下滑動後使反轉之時在處理腔室60之外方需要空間。再者，於腔室本體61之維修之時，使存在於腔室本體61上之蓋體62原樣地上升之後，旋轉(1/4旋轉)成蓋體62成為垂直，在其狀態下，因使蓋體62滑動至不與腔室本體61重疊之位置，故在處理腔室60之外方所需之空間為蓋體62之高度部分之寬度，較上述專利文獻1般反轉之狀態之蓋體存在於從腔室本體脫離之位置之時，可以縮小占有空間。如此一來，因可以抑制蓋體之開關動作所需之空間，並可以縮小裝置之占有空間，故可以提升在裝置之設置場所的配置之自由度。

再者，因可以在完全反轉之狀態下進行蓋體62之維修，故可以容易進行如噴淋頭74般之重量物之拆卸。並且，因可以在上方不存在蓋體62之狀態下進行腔室本體61之維修，故維修性良好。

並且，本發明並非限定於上述實施型態，當然可作各種變形。例如，開關裝置63之滑動機構、升降機構、旋轉機構並不限定於上述實施型態，當然可以使用具有相同功能之其他眾知之機械要素。再者，在上述實施型態中，雖然針對將本發明用於真空處理之蝕刻裝置之情形，予以表示，但是本發明之本質在於腔室之蓋體之開關，藉由處理裝置而進行之處理本體並不被限定於何種。再者，雖然針對使用FPD用基板當作被處理體之例予以表示，但是並不限定於此，即使為半導體晶圓或太陽電池面板基板等，其他被處理體當然亦可。

1．．．真空處理系統

10．．．蝕刻處理裝置

60．．．處理腔室

61．．．腔室本體

62．．．蓋體

63．．．開關裝置

72．．．承載器

74．．．噴淋頭

77．．．處理氣體供給系統

80．．．高頻電源

101．．．滑動器

102．．．滑動馬達

103a、103b．．．升降軸

104．．．可動體

106．．．旋轉馬達

107．．．升降馬達

108．．．連結器

109．．．小齒輪

110．．．齒條齒輪

111．．．旋轉支撐部

120．．．導軌

140．．．滑動機構

150．．．升降機構

160．．．旋轉機構

170．．．殼體

200．．．控制部

201．．．上位控制器

203．．．記憶部

210．．．下位控制器

S．．．基板

第1圖為表示真空處理系統之斜視圖。

第2圖為第1圖之真空處理系統的水平剖面圖。

第3圖為表示與本發明之一實施型態有關之蝕刻處理裝置之剖面圖。

第4圖為表示與本發明之一實施型態有關之蝕刻處理裝置之重要部分之斜視圖。

第5圖為表示與本發明之一實施型態有關之蝕刻處理裝置的側面圖。

第6圖為表示在與本發明之一實施型態有關之蝕刻處理裝置中使蓋體上升之狀態的側面圖。

第7圖為表示在與本發明之一實施型態有關之蝕刻處理裝置中使蓋體上升之後成為垂直狀態而滑動之狀態的側面圖。

第8圖為用以說明在與本發明之一實施型態有關之蝕刻處理裝置中打開蓋體之動作的模式圖。

60．．．處理腔室

61．．．腔室本體

62．．．蓋體

62a．．．支撐部

63．．．開關裝置

71．．．絕緣構件

72．．．承載器

74．．．噴淋頭

74a．．．氣體吐出孔

75．．．絕緣構件

76．．．配管

77．．．處理氣體供給系統

78．．．供電棒

79．．．整合器

80．．．高頻電源

81．．．排氣管

82．．．排氣裝置

95．．．密封構件

101．．．滑動器

102．．．滑動馬達

103a、103b．．．升降軸

104．．．可動體

106．．．旋轉馬達

107．．．升降馬達

109．．．小齒輪

110．．．齒條齒輪

111．．．旋轉支撐部

120．．．導軌

121．．．支撐構件

140．．．滑動機構

150．．．升降機構

160．．．旋轉機構

170．．．殼體

200．．．控制部

210．．．下位控制器

S．．．基板

Claims (13)

1. 一種處理裝置，係在處理腔室內對被處理體施予特定處理的處理裝置，其特徵為：上述處理腔室具備腔室本體、可開關地被設置在該腔室本體之上的蓋體及開關該蓋體的開關裝置，上述開關裝置具有：能夠使上述蓋體上升至上述蓋體不與上述腔室本體接觸而能夠在垂直方向旋轉之非接觸旋轉位置的升降機構；使上述蓋體在垂直方向旋轉之旋轉機構；使上述蓋體滑動至上述蓋體在垂直狀態不與上述腔室本體重疊之位置的滑動機構；及控制藉由上述開關裝置進行的蓋體之開關動作的控制部，上述控制部於腔室本體之維修時，進行控制以使蓋體成為垂直狀態而將蓋體滑動至不與腔室本體重疊之位置。
2. 如申請專利範圍第1項所記載之處理裝置，其中上述開關裝置個別被設置在蓋體之相對向的一對之側壁上。
3. 如申請專利範圍第2項所記載之處理裝置，其中上述開關裝置係上述升降機構、上述旋轉機構、上述滑動機構獨立而能夠動作，上述控制部係使該些獨立而進行動作控制。
4. 如申請專利範圍第3項所記載之處理裝置，其中上述控制部係以使上述蓋體上升至上述蓋體不與上述 腔室本體接觸而能夠在垂直方向旋轉之非接觸旋轉位置之方式，控制上述升降機構，且以於上述蓋體上升至非接觸旋轉位置之時使上述蓋體旋轉1/2之方式來控制上述旋轉機構，使成為可以進行上述蓋體之維修。
5. 如申請專利範圍第4項所記載之處理裝置，其中上述控制部係以同時進行藉由上述升降機構使上述蓋體上升之動作，和藉由上述旋轉機構使上述蓋體旋轉之動作之一部分之方式而予以控制。
6. 如申請專利範圍第3項所記載之處理裝置，其中上述控制部係以使上述蓋體上升至上述蓋體不與上述腔室本體接觸而能夠在垂直方向旋轉之非接觸旋轉位置之方式，來控制上述升降機構，且於上述蓋體上升至非接觸旋轉位置之時，控制上述旋轉機構使上述蓋體成為垂直，以於旋轉成上述蓋體成為垂直之時滑動至上述蓋體在垂直狀態下不與上述腔室本體重疊之位置之方式，控制上述滑動機構，使成為能夠進行上述腔室本體之維修。
7. 如申請專利範圍第6項所記載之處理裝置，其中上述控制部係以同時進行藉由上述升降機構使上述蓋體上升之動作、藉由上述旋轉機構使上述蓋體旋轉之動作，和藉由上述滑動機構使上述蓋體滑動之動作之至少兩個之一部分之方式而予以控制。
8. 一種維修方法，係在具有腔室本體和可開關地被設置在該腔室本體之上的蓋體之處理腔室內，對被處理體施予特定處理的處理裝置之維修方法，其特徵為： 使上述蓋體上升至上述蓋體不與上述腔室本體接觸而能夠在垂直方向旋轉之非接觸旋轉位置，且在上述蓋體上升至非接觸旋轉位置之時使上述蓋體旋轉1/2之狀態下，維修上述蓋體之內部，使上述蓋體上升至上述蓋體不與上述腔室本體接觸而能夠在垂直方向旋轉之非接觸旋轉位置，且以於上述蓋體上升至非接觸旋轉位置之時上述蓋體成為垂直之方式，使上述蓋體在垂直方向旋轉，於使旋轉成上述蓋體成為垂直之時，在滑動至上述蓋體在垂直狀態不與上述腔室本體重疊之位置的狀態下，維修上述腔室本體之內部。
9. 如申請專利範圍第8項所記載之維修方法，其中於維修上述蓋體之內部之時，使上述蓋體上升至上述蓋部不與上述腔室本體接觸而能夠在垂直方向旋轉之非接觸旋轉位置之後，使上述蓋體旋轉1/2。
10. 如申請專利範圍第8項所記載之維修方法，其中於維修上述蓋體之內部之時，同時進行使上述蓋體上升之動作，和使上述蓋體旋轉之動作之一部分。
11. 如申請專利範圍第10項所記載之維修方法，其中於維修上述腔室本體之時，使上述蓋體上升至上述蓋體不與上述腔室本體接觸而能夠在垂直方向旋轉之非接觸旋轉位置，接著以上述蓋體成為垂直之方式，使上述蓋體在垂直方向旋轉，之後在上述蓋體為垂直狀態下滑動至不與上述腔室本體重疊之位置。
12. 如申請專利範圍第10項所記載之維修方法，其中於維修上述腔室本體之時，同時進行使上述蓋體上升之動作、使上述蓋體旋轉之動作，及使上述蓋體滑動之動作之至少兩個之一部分。
13. 一種記憶媒體，係在電腦上動作，記憶有用以控制處理裝置之程式的記憶媒體，其特徵為：上述程式係於實行時以進行申請專利範圍第8至12項中之任一項之維修方法之方式，使電腦控制上述處理裝置。