CN110289235B - 开盖装置和半导体加工设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种开盖装置和半导体加工设备，包括升降组件和调整组件，其中，升降组件用于驱动上电极系统升降，并在驱动上电极系统下降的过程中，将上电极系统传递至调整组件上，且在上电极系统传递至调整组件上后与上电极系统分离；调整组件用于在上电极系统传递至其上后，驱动上电极系统下降，并在驱动上电极系统下降的过程中，调整上电极系统与反应腔室的相对位置，且在上电极系统下降至与反应腔室贴合时，将上电极系统调整至与反应腔室对齐。本发明提供的开盖装置和半导体加工设备能够减少上电极系统与反应腔室的偏移，提高工艺效果。

Description

开盖装置和半导体加工设备

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种开盖装置和半导体加工设备。

背景技术

目前，图形化蓝宝石衬底(Patterned Sapphire Substrate,PSS)刻蚀机工艺模块包括上电极系统、下电极系统和腔室，其中，上电极系统位于腔室顶部，包括上匹配器、线圈和石英盖，下电极系统与上电极系统对应的位于腔室底部，包括下匹配器和卡盘，在工艺过程中，上电极系统通过加载功率使腔室内的工艺气体发生电离，轰击放在卡盘上的晶片，离子轰击晶片后会产生大量副产物，大部分副产物会被泵抽放到厂务尾气处理装置中，但仍会有一小部分副产物附着在腔室及石英盖上，副产物累积到一定程度会对工艺产生不良影响，因此需要定期将上电极系统与腔室分离，对腔室内部即石英盖进行清理。

在现有技术中，上电极升降方式普遍为侧方开盖形式，电机带动连接轴旋转，使连接件产生纵向位移，实现上电极系统的升降，在每次进行腔室清洁时，需要通过开盖机构将上电极系统升起，在清洁完成后，再通过开盖机构将上电极系统落在腔室上。

但是，在现有技术中，上电极系统的升降为单点作用力，且其重量约为180Kg，在重力作用下上电极系统远离开盖机构一侧会产生竖直向下位移，称之为“搭头”，当腔室清理完成后需通过开盖机构将上电极系统下落至腔室上时，由于“搭头”现象的存在，导致上电极系统落在腔室上的位置无法保证，导致线圈相对卡盘位置产生偏移，影响工艺性能。并且，为了减小“搭头”的程度，需要尽量减小连接轴与连接件之间的间隙，以通过连接轴与连接件的配合遏制“搭头”现象的产生，但是，由于连接轴与连接件之间过小的间隙，需要连接轴与连接件中的轴孔十分吻合，否则会在升降过程中产生抖动，因此，对开盖机构的装配及制造要求精度非常高。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种开盖装置和半导体加工设备，其能够减少上电极系统与反应腔室的偏移，提高工艺效果。

为实现本发明的目的而提供一种开盖装置，包括升降组件和调整组件，其中，所述升降组件用于驱动上电极系统升降，并在驱动所述上电极系统下降的过程中，将所述上电极系统传递至所述调整组件上，且在所述上电极系统传递至所述调整组件上后与所述上电极系统分离；

所述调整组件用于在所述上电极系统传递至其上后，驱动所述上电极系统下降，并在驱动所述上电极系统下降的过程中，调整所述上电极系统与反应腔室的相对位置，且在所述上电极系统下降至与所述反应腔室贴合时，将所述上电极系统调整至与所述反应腔室对齐。

优选的，所述调整组件包括第一调整单元和第二调整单元，其中，所述第一调整单元用于驱动所述上电极系统下降，并在所述上电极系统下降的过程中，调整所述上电极系统与所述反应腔室在第二方向上对齐；

所述第二调整单元用于驱动所述上电极系统下降，并在所述上电极系统下降的过程中，调整所述上电极系统与所述反应腔室在第一方向上对齐；

其中，所述第一方向为所述反应腔室与所述上电极系统的对接面所在平面上的预设方向，所述第二方向与所述第一方向在所述对接面所在的平面上相互垂直，所述第一调整单元设置在所述反应腔室垂直于所述第一方向的外壁上，所述第二调整单元设置在所述反应腔室垂直于所述第二方向的外壁上。

优选的，所述第一调整单元包括多个第一支撑件和至少一个第一驱动组件，且所述上电极系统垂直于所述第一方向的外壁上设置有多个第一承载件，其中，

所述第一支撑件的数量与所述第一承载件的数量相同，所述第一支撑件一一对应地与所述第一承载件配合，用于支撑对应的所述第一承载件；

所述至少一个第一驱动组件分别与多个所述第一支撑件连接，用于在各个所述第一支撑件支撑住对应的所述第一承载件时，驱动多个所述第一支撑件绕所述第一方向旋转，以带动承载在各个所述第一支撑件上的所述第一承载件下降，并沿所述第二方向移动。

优选的，所述第二调整单元包括多个第二支撑件和至少一个第二驱动组件，且所述上电极系统垂直于所述第二方向的外壁上设置有多个第二承载件，其中，

所述第二支撑件的数量与所述第二承载件的数量相同，所述第二支撑件一一对应地与所述第二承载件配合，用于支撑对应的所述第二承载件；

所述至少一个第二驱动组件分别与多个所述第二支撑件连接，用于在各个所述第二支撑件支撑住对应的所述第二承载件时，驱动多个所述第二支撑件绕所述第二方向旋转，以带动承载在各个所述第二支撑件上的所述第二承载件下降，并沿所述第一方向移动。

优选的，所述第一支撑件在竖直方向上高于所述第二支撑件，所述升降组件用于驱动所述上电极系统下降至所述第一支撑件上，所述第一驱动组件用于驱动所述第一支撑件下降，使所述上电极系统下降至所述第二支撑件上，并在所述上电极系统下降至所述第二支撑件上时，将所述上电极系统调整至与所述反应腔室在所述第二方向上对齐；

或者，所述第二支撑件在竖直方向上高于所述第一支撑件，所述升降组件用于驱动所述上电极系统下降至所述第二支撑件上，所述第一驱动组件用于驱动所述第二支撑件下降，使所述上电极系统下降至所述第一支撑件上，并在所述上电极系统下降至所述第一支撑件上时，将所述上电极系统调整至与所述反应腔室在所述第一方向上对齐。

优选的，所述第一支撑件上设置有用于容纳所述第一承载件的第一凹槽，所述第一凹槽的开口在所述第一承载件下降至所述第一凹槽中前竖直朝上；

所述第二支撑件上设置有用于容纳所述第二承载件的第二凹槽，所述第二凹槽的开口在所述第二承载件下降至所述第二凹槽中前竖直朝上。

优选的，各个所述第一驱动组件驱动与其对应的所述第一支撑件绕所述第一方向旋转时，各个所述第一支撑件的旋转角度与承载在其上的所述第一承载件的下降距离和平移距离的关系满足：L＝H(1-cosα)，其中，L为所述第一承载件的下降距离，H为所述第一支撑件的旋转轴心与其支撑所述第一承载件的支撑轴心之间的距离，α为所述第一支撑件的旋转角度；

各个所述第二驱动组件驱动与其对应的所述第二支撑件绕所述第二方向旋转时，各个所述第二支撑件的旋转角度与承载在其上的所述第二承载件的下降距离和平移距离的关系满足：l＝h(1-cosβ)，其中，l为所述第二承载件的下降距离，h为所述第二支撑件的旋转轴心与其支撑所述第二承载件的支撑轴心之间的距离，β为所述第二支撑件的旋转角度；

其中，所述第一支撑件的旋转角度和所述第二支撑件的旋转角度，满足所述第一承载件的下降距离与所述第二承载件的下降距离之和能够使所述上电极系统与所述反应腔室贴合。

优选的，所述升降组件包括升降驱动源和承载组件，并在所述上电极系统的任意两侧分别设置有多个第三承载件；

所述承载组件与多个所述第三承载件配合，并承载多个所述第三承载件，所述升降驱动源与所述承载组件连接，用于驱动所述承载组件升降。

优选的，所述承载组件包括两个承载板，两个所述承载板与设置有所述第三承载件的所述上电极系统的两侧对应设置，并均与所述升降驱动源连接，且在所述承载板上设置有与多个承载槽，所述承载槽的数量与所述第三承载件的数量相同，用于一一对应地容纳所述第三承载件。

本发明还提供一种半导体加工设备，包括上电极系统、反应腔室和开盖装置，所述开盖装置采用本发明提供的所述开盖装置，用于实现所述上电极系统与所述反应腔室的开合。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的开盖装置，升降组件在驱动上电极系统下降的过程中，将上电极系统传递至调整组件上，且在上电极系统传递至调整组件上后与上电极系统分离，借助调整组件驱动上电极系统下降，并在驱动上电极系统下降的过程中，调整上电极系统与反应腔室的相对位置，且在上电极系统下降至与反应腔室贴合时，将上电极系统调整至与反应腔室对齐，与现有技术相比，上电极系统是通过调整组件的驱动和调整，与反应腔室贴合并对齐的，其在下降至与反应腔室贴合之前，已经与升降组件分离，从而避免升降组件承载上电极系统产生的“搭头”现象对上电极系统与反应腔室的贴合造成影响，进而减少上电极系统与反应腔室的偏移，提高工艺效果。

本发明提供的半导体加工设备，借助本发明提供的开盖装置对上电极系统与反应腔室进行开合，能够减少上电极系统与反应腔室的偏移，提高工艺效果。

附图说明

图1为本发明提供的开盖装置和半导体加工设备的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的调整组件的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的升降组件的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的第一支撑件和第二支撑件的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的升降组件承载上电极系统时的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的第一支撑件支撑上电极系统时的结构示意图；

图7为图6所示实施例在第二方向上另一侧的结构示意图；

图8为本发明实施例提供的第一调整单元调整上电极系统时的结构示意图；

图9为本发明实施例提供的第二支撑件支撑上电极系统时的结构示意图；

图10为本发明实施例提供的第二调整单元调整上电极系统时的结构示意图；

附图标记说明：

21-上电极系统；22-反应腔室；231-第一驱动组件；232-第一支撑件；233-第一承载件；234-第一凹槽；241-第二驱动组件；242-第二支撑件；243-第二承载件；244-第二凹槽；251-支撑柱；252-连接件；253-承载板；254-承载槽；255-第三承载件。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的开盖装置和半导体加工设备进行详细描述。

如图1-图10所示，本实施例提供一种开盖装置，包括升降组件和调整组件，其中，升降组件用于驱动上电极系统21升降，并在驱动上电极系统21下降的过程中，将上电极系统21传递至调整组件上，且在上电极系统21传递至调整组件上后与上电极系统21分离；调整组件用于在上电极系统21传递至其上后，驱动上电极系统21下降，并在驱动上电极系统21下降的过程中，调整上电极系统21与反应腔室22的相对位置，且在上电极系统21下降至与反应腔室22贴合时，将上电极系统21调整至与反应腔室22对齐。

本实施例提供的开盖装置，升降组件在驱动上电极系统21下降的过程中，将上电极系统21传递至调整组件上，且在上电极系统21传递至调整组件上后与上电极系统21分离，借助调整组件驱动上电极系统21下降，并在驱动上电极系统21下降的过程中，调整上电极系统21与反应腔室22的相对位置，且在上电极系统21下降至与反应腔室22贴合时，将上电极系统21调整至与反应腔室22对齐。在本实施例中，上电极系统21是通过调整组件的驱动和调整，与反应腔室22贴合并对齐的，其在下降至与反应腔室22贴合之前，已经与升降组件分离，从而可以避免升降组件承载上电极系统21产生的“搭头”现象对上电极系统21与反应腔室22的贴合造成影响，进而减少上电极系统21与反应腔室22的偏移，提高工艺效果。

上电极系统21中设置有线圈，反应腔室22内设置有用于承载晶片的卡盘，通过将上电极系统21与反应腔室22对齐，可以使线圈与卡盘对齐，从而提高工艺效果。但是，上电极系统21与反应腔室22对齐，并不仅是为了使线圈与卡盘对齐，还可以保证反应腔室22良好的密封性，以及上电极系统21产生的电场在反应腔室22内分布的均匀性等。

在本实施例中，开盖是指将盖在反应腔室22上的上电极系统21打开，即，将上电极系统21与反应腔室22分离，但是，开盖的形式并不局限于此。当需要将上电极系统21与反应腔室22分离时，通过升起升降组件，使升降组件托住上电极系统21，并在继续上升的过程中，逐渐托起上电极系统21，使上电极系统21与反应腔室22分离，实现反应腔室22的开盖。

在本实施例中，调整组件包括第一调整单元和第二调整单元，其中，第一调整单元用于驱动上电极系统21下降，并在上电极系统21下降的过程中，调整上电极系统21与反应腔室22在第二方向上对齐；第二调整单元用于驱动上电极系统21下降，并在上电极系统21下降的过程中，调整上电极系统21与反应腔室22在第一方向上对齐，其中，第一方向为反应腔室22与上电极系统21的对接面所在平面上的预设方向，第二方向与第一方向在对接面所在的平面上相互垂直，第一调整单元设置在反应腔室22垂直于第一方向的外壁上，第二调整单元设置在反应腔室22垂直于第二方向的外壁上。

具体的，上电极系统21与反应腔室22贴合时，上电极系统21的下表面与反应腔室22的上表面贴合，反应腔室22与上电极系统21的对接面为反应腔室22的上表面所在的平面，第一方向为在该平面上的预设方向，预设方向可以为在该平面上的任意方向，第二方向为在该平面上与第一方向垂直的方向，借助第一调整单元调整上电极系统21与反应腔室22在第二方向对齐，借助第二调整单元调整上电极系统21与反应腔室22在第一方向上对齐，以使上电极系统21与反应腔室22在二者的对接面上的任意方向均对齐，从而实现上电极系统21与反应腔室22的对齐，并借助第一调整单元和第二调整单元驱动上电极系统21下降，以使上电极系统21与反应腔室22贴合。

在本实施例中，第一调整单元包括多个第一支撑件232和至少一个第一驱动组件231，且上电极系统21垂直于第一方向的外壁上设置有多个第一承载件233，其中，第一支撑件232的数量与第一承载件233的数量相同，第一承载件233一一对应地与第一承载件233配合，用于支撑对应的第一承载件233；至少一个第一驱动组件231分别与多个第一支撑件232连接，用于在各个第一支撑件232支撑住对应的第一承载件233时，驱动多个第一承载件233绕第一方向旋转，以带动承载在各个第一支撑件232上的第一承载件233下降，并沿第二方向移动。

具体的，第一承载件233在上电极系统21垂直于第一方向的外壁上设置多个，第一支撑件232与第一承载件233对应的，设置在反应腔室22垂直于第一方向的外壁上，第一支撑件232用于一一对应地与第一承载件233配合，以支撑第一承载件233，以使第一支撑件232能够稳定的支撑上电极系统21，第一驱动组件231能够驱动第一支撑件232绕第一方向旋转，第一支撑件232在绕第一方向旋转的同时，第一支撑件232支撑第一承载件233的位置会向下移动，并沿第二方向移动，从而实现第一支撑件232带动承载在其上的第一承载件233下降，并同时沿第二方向移动，进而使上电极系统21在下降的同时沿第二方向移动。

在本实施例中，上电极系统21垂直于第一方向的每侧外壁上均设置两个第一承载件233，即，上电极系统21垂直于第一方向的两侧外壁上共设置四个第一承载件233，且第一支撑件232也设置四个，并与第一承载件233一一对应的，设置在反应腔室22垂直于第一方向的外壁上，以提高第一支撑件232支撑上电极系统21的稳定性。但是，第一承载件233的数量并不局限于此。

在本实施例中，在第一方向上位于同一条直线上的两个第一支撑件232通过一个第一驱动组件231驱动旋转，第一驱动组件231可以采用旋转电机，旋转电机设置在反应腔室22上，并具有一根或两根输出轴，当具有一根输出轴时，该输出轴的两端分别与位于同一条直线上的两个第一支撑件232连接，当具有两根输出轴时，两根输出轴中的一根输出轴与位于同一条直线上的两个第一支撑件232中的一个第一支撑件232连接，另一根输出轴与位于同一条直线上的两个第一支撑件232中的另一个第一支撑件232连接，从而通过一个旋转电机驱动两个第一支撑件232旋转。但是，并不局限于此，在实际应用中，各个第一支撑件232均可以通过一个第一驱动组件231驱动旋转，第一驱动组件231的设置方式和数量，可以根据第一支撑件232的设置方式和数量进行调整。

在本实施例中，第二调整单元包括多个第二支撑件242和至少一个第二驱动组件241，且上电极系统21垂直于第二方向的外壁上设置有多个第二承载件243，其中，第二支撑件242的数量与第二承载件243的数量相同，第二支撑件242一一对应地与第二承载件243配合，用于支撑对应的第二承载件243；至少一个第二驱动组件241分别与多个第二支撑件242连接，用于在各个第二支撑件242支撑住对应的第二承载件243时，驱动多个第二支撑件242绕第二方向旋转，以带动承载在各个第二支撑件242上的第二承载件243下降，并沿第一方向移动。

具体的，第二承载件243在上电极系统21垂直于第二方向的外壁上设置多个，第二支撑件242与第二承载件243对应的，设置在反应腔室22垂直于第二方向的外壁上，第二支撑件242用于一一对应地与第二承载件243配合，以支撑第二承载件243，以使第二支撑件242能够稳定的支撑上电极系统21，第二驱动组件241能够驱动第二支撑件242绕第二方向旋转，第二支撑件242在绕第二方向旋转的同时，第二支撑件242支撑第二承载件243的位置会向下移动，并沿第一方向移动，从而实现第二支撑件242带动承载在其上的第二承载件243下降，并同时沿第一方向移动，进而使上电极系统21在下降的同时沿第一方向移动。

在本实施例中，上电极系统21垂直于第二方向的每侧外壁上均设置两个第二承载件243，即，上电极系统21垂直于第二方向的两侧外壁上共设置四个第二承载件243，且第二支撑件242也设置四个，并与第二承载件243一一对应的，设置在反应腔室22垂直于第二方向的外壁上，以提高第二支撑件242支撑上电极系统21的稳定性。但是，第二承载件243的数量并不局限于此。

在本实施例中，在第二方向上位于同一条直线上的两个第二支撑件242通过一个第二驱动组件241驱动旋转，第二驱动组件241与第一驱动组件231类似的，也可以采用旋转电机，旋转电机设置在反应腔室22上，并具有一根或两根输出轴，当具有一根输出轴时，该输出轴的两端分别与位于同一条直线上的两个第二支撑件242连接，当具有两根输出轴时，两根输出轴中的一根输出轴与位于同一条直线上的两个第二支撑件242中的一个第二支撑件242连接，另一根输出轴与位于同一条直线上的两个第二支撑件242中的另一个第二支撑件242连接，从而通过一个旋转电机驱动两个第二支撑件242旋转。但是，并不局限于此，在实际应用中，各个第二支撑件242均可以通过一个第二驱动组件241驱动旋转，第二驱动组件241的设置方式和数量，可以根据第二支撑件242的设置方式和数量进行调整。需要注意的是，第一驱动组件231中与旋转电机的输出轴需要与第二驱动组件241中与旋转电机的输出轴交错设置，以避免第一驱动组件231中的输出轴与第二驱动组件241中的输出轴发生干扰。

在本实施例中，上电极系统21的下降和水平移动均是通过第一支撑件232和第二支撑件242的旋转实现的。但是，并不局限于此。在实际应用中，也可以直接通过对第一支撑件232和第二支撑件242进行升降和水平移动来实现。

在本实施例中，第一驱动组件231和第二驱动组件241均可以采用旋转电机。但是，并不局限于此。

在本实施例中，第一调整单元和第二调整单元均设置在反应腔室22上，具体的，在反应腔室22上开设有安装槽，第一驱动组件231和第二驱动组件241安装在安装槽中，并将第一支撑件232与第二支撑件242分别与第一驱动组件231和第二驱动组件241连接，这样的设置方式，可以降低开盖装置的占用面积。

在本实施例中，第一支撑件232在竖直方向上高于第二支撑件242，升降组件用于驱动上电极系统21下降至第一支撑件232上，第一驱动组件231用于驱动第一支撑件232下降，使上电极系统21下降至第二支撑件242上，并在上电极系统21下降至第二支撑件242上时，将上电极系统21调整至与反应腔室22在第二方向上对齐。

具体的，如图5-图10所示，升降组件在驱动上电极系统21下降的过程中，先将上电极系统21传递至第一支撑件232上，即，使第一承载件233与第一支撑件232配合，通过第一支撑件232支撑第一承载件233，以支撑上电极系统21，随后，升降组件继续下降，与第一承载件233分离，第一驱动组件231驱动第一支撑件232绕第一方向旋转的同时使第一支撑件232下降，以使上电极系统21在下降的同时沿第二方向移动，并在上电极系统21与反应腔室22在第二方向上对齐时，将上电极系统21传递至第二支撑件242上。第二承载件243与第二支撑件242配合，通过第二支撑件242支撑第二承载件243，以支撑上电极系统21，再借助第二驱动组件241驱动第二支撑件242绕第二方向旋转的同时使第二支撑件242下降，以使上电极系统21在下降的同时沿第一方向移动，并在上电极系统21与反应腔室22在第一方向上对齐时，将上电极系统21下降至与反应腔室22贴合，从而实现在上电极系统21与反应腔室22贴合时，使上电极系统21与反应腔室22对齐。

但是，第一支撑件232与第二支撑件242的设置方式并不局限于此，也可以是，第二支撑件242在竖直方向上高于第一支撑件232，与第一支撑件232在竖直方向上高于第二支撑件242相比，升降组件用于驱动上电极系统21下降至第二支撑件242上，第二驱动组件241用于驱动第二支撑件242下降，使上电极系统21下降至第一支撑件232上，并在上电极系统21下降至第一支撑件232上时，将上电极系统21调整至与反应腔室22在第一方向上对齐，即，升降组件在驱动上电极系统21下降的过程中，先将上电极系统21传递至第二支撑件242上，再借助第二驱动组件241将上电极系统21传递至第一支撑件232上，并在第一方向上与反应腔室22对齐，最后借助第一驱动组件231将上电极系统21下降至与反应腔室22贴合，并在第二方向上与反应腔室22对齐，从而实现在上电极系统21与反应腔室22贴合时，使上电极系统21与反应腔室22对齐。

在本实施例中，第一支撑件232上设置有用于容纳第一承载件233的第一凹槽234，第一凹槽234的开口在第一承载件233下降至第一凹槽234中前竖直朝上；第二支撑件242上设置有用于容纳第二承载件243的第二凹槽244，第二凹槽244的开口在第二承载件243下降至第二凹槽244中前竖直朝上。

具体的，第一承载件233与第一支撑件232配合时，第一承载件233容纳在第一凹槽234中，第二承载件243与第二支撑件242配合时，第二承载件243容纳在第二凹槽244中。

在本实施例中，各个第一驱动组件231驱动与其对应的第一支撑件232绕第一方向旋转时，各个第一支撑件233的旋转角度与承载在其上的第一承载件233的下降距离和平移距离的关系满足：L＝H(1-cosα)，其中，L为第一承载件233的下降距离，H为第一支撑件232的旋转轴心与其支撑第一承载件233的支撑轴心之间的距离，α为第一支撑件233的旋转角度；各个第二驱动组件241驱动与其对应的第二支撑件242绕第二方向旋转时，各个第二支撑件242的旋转角度与承载在其上的第二承载件243的下降距离和平移距离的关系满足：l＝h(1-cosβ)，其中，l为第二承载件243的下降距离，h为第二支撑件242的旋转轴心与其支撑第二承载件243的支撑轴心之间的距离，β为第二支撑件242的旋转角度；其中，第一支撑件242的旋转角度和第二支撑件242的旋转角度，满足第一承载件233的下降距离与第二承载件243的下降距离之和能够使上电极系统21与反应腔室22贴合。

下面以第一支撑件232在竖直方向上高于第二支撑件242对上电极系统21自第一支撑件232上传递至第二支撑件242上进行说明，如图4所示，第一凹槽234的支撑轴心与第一支撑件232的旋转轴心的距离为H，第二凹槽244的支撑轴心与第二支撑件242的旋转轴心的距离为h，第一支撑件232的旋转角度为α，第二支撑件242的旋转角度为β，因此，第一支撑件232的下降距离L＝H(1-cosα)，第二支撑件242的下降距离l＝h(1-cosβ)，其中0°＜α＜90°，0°＜β＜90°。

例如，第一支撑件232逆时针旋转30°后，通过带动第一承载件233，以带动上电极系统21下降距离L，此时，第一凹槽234的支撑轴心与第二凹槽244的支撑轴心高度一致，此时上电极系统21的第二承载件243由第二支撑件242支撑，第二支撑件242旋转30°后，带动上电极系统21下降距离l，L+l为定量，上电极系统21最终下降距离L+l为定量，确保上电极系统21与反应腔室22的上表面完全贴合。

在第二方向上，上电极系统21的每一侧的外壁上均设置有至少两个第一承载件233，且每一侧的外壁上的至少两个第一承载件233在第一方向上间隔分布；在第一方向上，上电极系统21的每一侧的外壁上均设置有至少两个第二承载件243，且每一侧的外壁上的至少两个第二承载件243在第二方向上间隔分布。

升降组件包括升降驱动源(图中未示出)和承载组件，并在上电极系统21的任意两侧分别设置有多个第三承载件255；承载组件与多个第三承载件255配合，并承载多个第三承载件255，升降驱动源与承载组件连接，用于驱动承载组件升降。

在本实施例中，在上电极系统21相邻的两侧设置有多个第三承载件255，例如每侧设置有两个第三承载件255，承载组件包括支撑柱251、连接件252和两个承载板253，两个承载板253用于分别承载两侧的两个第三承载件255，连接件252分别与支撑柱251、升降驱动源和两个承载板253连接，并可以相对于支撑柱251运动，升降驱动源通过驱动连接件252升降，带动两个承载板253升降，从而带动上电极系统21升降。但是，第三承载件255的数量并不局限于此，支撑组件的样式也不局限于此。

承载组件包括两个承载板253，两个承载板253与设置有第三承载件255的上电极系统21的两侧对应设置，并均与升降驱动源连接，且在承载板253上设置有与多个承载槽254，承载槽254的数量与第三承载件255的数量相同，用于一一对应地容纳第三承载件255。在本实施例中，每个承载板253上设置有两个用于容纳第三承载件255的容纳槽，四个容纳槽与四个第三承载件255一一对应，以使承载组件能够稳定的承载上电极系统21。

在本实施例中，升降驱动源可以采用直线电机。但是，并不局限于此。

本实施例还提供一种半导体加工设备，包括上电极系统21、反应腔室22和开盖装置，开盖装置采用本发明上述实施例提供的开盖装置，用于实现上电极系统21与反应腔室22的开合。

本实施例提供的半导体加工设备，借助本发明实施例提供的开盖装置对上电极系统21与反应腔室22进行开合，能够减少上电极系统21与反应腔室22的偏移，提高工艺效果。

综上所述，本实施例提供的开盖装置和半导体加工设备能够减少上电极系统21与反应腔室22的偏移，提高工艺效果。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种开盖装置，其特征在于，包括升降组件和调整组件，其中，所述升降组件用于驱动上电极系统升降，并在驱动所述上电极系统下降的过程中，将所述上电极系统传递至所述调整组件上，且在所述上电极系统传递至所述调整组件上后与所述上电极系统分离；

所述调整组件用于在所述上电极系统传递至其上后，驱动所述上电极系统下降，并在驱动所述上电极系统下降的过程中，调整所述上电极系统与反应腔室的相对位置，且在所述上电极系统下降至与所述反应腔室贴合时，将所述上电极系统调整至与所述反应腔室对齐。

2.根据权利要求1所述的开盖装置，其特征在于，所述调整组件包括第一调整单元和第二调整单元，其中，所述第一调整单元用于驱动所述上电极系统下降，并在所述上电极系统下降的过程中，调整所述上电极系统与所述反应腔室在第二方向上对齐；

所述第二调整单元用于驱动所述上电极系统下降，并在所述上电极系统下降的过程中，调整所述上电极系统与所述反应腔室在第一方向上对齐；

其中，所述第一方向为所述反应腔室与所述上电极系统的对接面所在平面上的预设方向，所述第二方向与所述第一方向在所述对接面所在的平面上相互垂直，所述第一调整单元设置在所述反应腔室垂直于所述第一方向的外壁上，所述第二调整单元设置在所述反应腔室垂直于所述第二方向的外壁上。

3.根据权利要求2所述的开盖装置，其特征在于，所述第一调整单元包括多个第一支撑件和至少一个第一驱动组件，且所述上电极系统垂直于所述第一方向的外壁上设置有多个第一承载件，其中，

所述第一支撑件的数量与所述第一承载件的数量相同，所述第一支撑件一一对应地与所述第一承载件配合，用于支撑对应的所述第一承载件；

所述至少一个第一驱动组件分别与多个所述第一支撑件连接，用于在各个所述第一支撑件支撑住对应的所述第一承载件时，驱动多个所述第一支撑件绕所述第一方向旋转，以带动承载在各个所述第一支撑件上的所述第一承载件下降，并沿所述第二方向移动。

4.根据权利要求3所述的开盖装置，其特征在于，所述第二调整单元包括多个第二支撑件和至少一个第二驱动组件，且所述上电极系统垂直于所述第二方向的外壁上设置有多个第二承载件，其中，

所述第二支撑件的数量与所述第二承载件的数量相同，所述第二支撑件一一对应地与所述第二承载件配合，用于支撑对应的所述第二承载件；

所述至少一个第二驱动组件分别与多个所述第二支撑件连接，用于在各个所述第二支撑件支撑住对应的所述第二承载件时，驱动多个所述第二支撑件绕所述第二方向旋转，以带动承载在各个所述第二支撑件上的所述第二承载件下降，并沿所述第一方向移动。

5.根据权利要求4所述的开盖装置，其特征在于，所述第一支撑件在竖直方向上高于所述第二支撑件，所述升降组件用于驱动所述上电极系统下降至所述第一支撑件上，所述第一驱动组件用于驱动所述第一支撑件下降，使所述上电极系统下降至所述第二支撑件上，并在所述上电极系统下降至所述第二支撑件上时，将所述上电极系统调整至与所述反应腔室在所述第二方向上对齐；

或者，所述第二支撑件在竖直方向上高于所述第一支撑件，所述升降组件用于驱动所述上电极系统下降至所述第二支撑件上，所述第一驱动组件用于驱动所述第二支撑件下降，使所述上电极系统下降至所述第一支撑件上，并在所述上电极系统下降至所述第一支撑件上时，将所述上电极系统调整至与所述反应腔室在所述第一方向上对齐。

6.根据权利要求4所述的开盖装置，其特征在于，所述第一支撑件上设置有用于容纳所述第一承载件的第一凹槽，所述第一凹槽的开口在所述第一承载件下降至所述第一凹槽中前竖直朝上；

所述第二支撑件上设置有用于容纳所述第二承载件的第二凹槽，所述第二凹槽的开口在所述第二承载件下降至所述第二凹槽中前竖直朝上。

7.根据权利要求4所述的开盖装置，其特征在于，各个所述第一驱动组件驱动与其对应的所述第一支撑件绕所述第一方向旋转时，各个所述第一支撑件的旋转角度与承载在其上的所述第一承载件的下降距离和平移距离的关系满足：L＝H(1-cosα)，其中，L为所述第一承载件的下降距离，H为所述第一支撑件的旋转轴心与其支撑所述第一承载件的支撑轴心之间的距离，α为所述第一支撑件的旋转角度；

各个所述第二驱动组件驱动与其对应的所述第二支撑件绕所述第二方向旋转时，各个所述第二支撑件的旋转角度与承载在其上的所述第二承载件的下降距离和平移距离的关系满足：l＝h(1-cosβ)，其中，l为所述第二承载件的下降距离，h为所述第二支撑件的旋转轴心与其支撑所述第二承载件的支撑轴心之间的距离，β为所述第二支撑件的旋转角度；

其中，所述第一支撑件的旋转角度和所述第二支撑件的旋转角度，满足所述第一承载件的下降距离与所述第二承载件的下降距离之和能够使所述上电极系统与所述反应腔室贴合。

8.根据权利要求1所述的开盖装置，其特征在于，所述升降组件包括升降驱动源和承载组件，并在所述上电极系统的任意两侧分别设置有多个第三承载件；

所述承载组件与多个所述第三承载件配合，并承载多个所述第三承载件，所述升降驱动源与所述承载组件连接，用于驱动所述承载组件升降。

9.根据权利要求8所述的开盖装置，其特征在于，所述承载组件包括两个承载板，两个所述承载板与设置有所述第三承载件的所述上电极系统的两侧对应设置，并均与所述升降驱动源连接，且在所述承载板上设置有与多个承载槽，所述承载槽的数量与所述第三承载件的数量相同，用于一一对应地容纳所述第三承载件。

10.一种半导体加工设备，其特征在于，包括上电极系统、反应腔室和开盖装置，所述开盖装置采用如权利要求1-9任意一项的所述开盖装置，用于实现所述上电极系统与所述反应腔室的开合。

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