CN102414798A - 原料供应单元、薄膜沉积装置及沉积薄膜的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种原料供应单元、一种包含所述原料供应单元的薄膜沉积装置、以及一种沉积一薄膜的方法。所述原料供应单元包含:一液化部,用以液化一原料;一蒸发部,与所述液化部连通,用以蒸发所述已液化原料;以及一喷射器,与所述蒸发部连通,用以喷射所述已蒸发原料。所述液化部包含:一罐,具有一圆柱形状,用以储存所述原料;一活塞部,插入至所述罐的一侧,用以排放所述原料;以及一液化加热部,用以加热所述罐,以液化所述原料。于一固体原料被液化之后,自所述原料蒸发并供应一必要的部分,进而获得一较大的原料热量并使为蒸发及供应所述原料所耗用的热量最小化。
Description
技术领域
本发明是关于一种原料供应单元,更具体而言,是关于一种用以蒸发一原料及供应所述原料的原料供应单元、一种包含所述原料供应单元的薄膜沉积装置、以及一种沉积一薄膜的方法。
背景技术
太阳能电池(solar cell)是为利用光伏效应(photovoltaic effect)将光能转换成电能的半导体器件,且近来因化石燃料(fossil fuel)的枯竭而日益受到关注。尤其是,诸如铜铟镓硒(copper indium gallium selenide;CIGS)薄膜太阳能电池或碲化镉(cadmium telluride;CdTe)太阳能电池等化合物薄膜太阳能电池是透过相对简单的制造工艺而制成,故其制造成本较低。此外,此种化合物薄膜太阳能电池具有与其他现有技术太阳能电池相同的光转换效率。因此,化合物薄膜太阳能电池被颇受瞩目地视为下一代太阳能电池。
不同于液晶显示(liquid crystal display;LCD)器件,有机发光器件(organiclight emitting device;OLED)是为自发光器件,故其不需使用背光灯(backlight),因此其功耗较低。此外,OLED具有宽广的视角及高的响应速度,故包含OLED的显示器件可显示具有一宽广视角的改良影像且不存在残影(residual image)。
同时,在用于制造太阳能电池及有机发光器件的沉积工艺中,广泛使用一种真空热沉积(vacuum heat deposition)方法。于此种情形中,一沉积装置通常于一真空腔室中包含:一罐(pot),填充有一沉积材料;一蒸发源,是由用于加热所述罐的一热源构成;以及一晶体传感器,用以调节透过所述沉积源蒸发的所述沉积材料的一沉积速度。
当利用所述真空热沉积方法制造一平面显示器件或一太阳能电池器件时,一沉积源需要应用至具有一大面积的一基板、需要在控制沉积速度时稳定、并需要具有用于持续供应一蒸发材料的较大容量。
惟,现有技术沉积装置中所用的蒸发源于罐的填充容量方面有限,故应频繁停止装置的运作。为解决此种限制,建议增大沉积材料的填充容量。然而,此需要更多的热量以加热一增大的罐及蒸发一沉积材料。此外,因蒸发及喷射大量的沉积材料,故难以调节沉积速度及维持沉积质量。当利用各种不同的沉积材料时,更难以调节沉积速度及维持沉积质量。因此,原本应均匀形成于一晶体传感器的一表面上的薄膜会不均匀地形成,故缩短了其一更换周期。如此一来,应使装置频繁地停机,并应根据一沉积材料的类型以及一晶体传感器的位置而应用一修正因子(toolingfactor)。
发明内容
[技术问题]
本发明提供一种原料供应单元、一种薄膜沉积装置以及一种沉积一薄膜的方法,其自一大量原料蒸发一必要的部分并供应所述部分,进而使一加热构件所无谓消耗的热量最小化。
本发明亦提供一种原料供应单元、一种薄膜沉积装置以及一种沉积一薄膜的方法,其达成一较大的原料容量并同时有利于调节沉积速度及维持沉积质量。
[技术解决方案]
根据一实例性实施例,一种原料供应单元包含:一液化部(liquefactionpart),用以液化一原料;一蒸发部,与所述液化部连通,用以蒸发所述已液化原料;以及一喷射器,与所述蒸发部连通,用以喷射所述已蒸发原料,其中所述液化部包含:一罐(pot),具有一圆柱形状,用以储存所述原料;一活塞部,插入至所述罐的一侧,用以排放所述原料;以及一液化加热部,用以加热所述罐,以液化所述原料。
所述蒸发部可包含:一蒸发腔室,与所述罐连通;以及一蒸发加热部,用以加热所述蒸发腔室,以蒸发所述原料。
所述原料供应单元可更包含:一传送管,用以连接所述液化部至所述蒸发部;以及一辅助蒸发加热部,用以加热连接至所述蒸发部的所述传送管的一端。
所述喷射器可具有一点式喷射结构(point-type injection structure)、一平面式喷射结构(plane-type injection structure)及一线式喷射结构(line-typeinjection structure)其中之一。
所述原料供应单元可更包含一控制部,用以控制自所述液化部供应至所述蒸发部的所述已液化原料的量以及所述蒸发部所蒸发的所述原料的量。
所述控制部可包含:一压力计(pressure gauge),用以感测所述蒸发部的一压力;以及一驱动控制部,用以控制所述活塞部的往复驱动。
根据另一实例性实施例,一种薄膜沉积装置包含:一腔室,用以提供一工艺空间;一基板支撑部,设置于所述腔室中,用以支撑一基板;以及一原料供应单元,面朝所述基板,用以供应一原料至所述基板,其中所述原料供应单元包含:一液化部,用以液化所述原料;一蒸发部,与所述液化部连通,用以蒸发所述已液化原料;以及一喷射器,与所述蒸发部连通,用以喷射所述已蒸发原料。
所述液化部可包含:一罐,具有一圆柱形状,用以储存所述原料;一活塞部,插入至所述罐的一侧,用以排放所述原料;以及一液化加热部,用以加热所述罐,以液化所述原料。
所述薄膜沉积装置可更包含一控制部,用以控制自所述液化部供应至所述蒸发部的所述已液化原料的量以及所述蒸发部所蒸发的所述原料的量。
所述控制部可包含:一压力计,用以感测所述蒸发部的一压力;以及一驱动控制部,用以控制所述活塞部的往复驱动。
根据另一实例性实施例,一种沉积一薄膜的方法包含:填充一原料于一罐中;加热所述罐,以液化所述原料;传送在所述罐中液化的所述原料的一部分至一蒸发腔室,所述蒸发腔室是连接至所述罐;蒸发被传送至所述蒸发腔室的所述原料;以及喷射所述已蒸发原料至一基板。
所述传送可包含:压缩填充所述罐的所述原料,利用一活塞传送所述原料。
所述方法可更包含:经由量测所述蒸发腔室的一蒸发压力,调节自所述罐传送至所述蒸发腔室的所述原料的量。
所述喷射可包含利用一喷射器,所述喷射器具有一点式喷射结构、一平面式喷射结构及一线式喷射结构其中之一。
[有利效果]
根据本发明,于一固体原料液化后,自所述已液化原料蒸发并供应一必要的部分,进而达成一较大的原料容量并同时使为蒸发及供应所述原料所消耗的热量最小化。
于液化部中液化一大量的原料,并于蒸发部中自所述已液化原料蒸发及供应一必要的较小部分,进而经由较大的原料容量而提高生产率、并进而经由蒸发一少量的原料而有利于调节一沉积速度及维持沉积质量。
此外,根据蒸发部的蒸发压力,透过活塞—气缸压缩机构而精密地调节自所述液化部供应的一液体原料的量,进而更有利于调节一沉积速度及维持沉积质量。
此外,因在沉积工艺中,一薄膜均匀地形成于膜厚度传感器的表面上,故更换周期延长而使装置的持续运作时间增加,进而提高生产率。
此外,因穿过所述原料供应单元的一沉积方向并不限于一特定方向,故于执行工艺时,根据一腔室的结构及一基板的面积而选择一优化沉积方向。如此一来,甚至当使用具有一大面积的一基板时,亦可经由选择一朝下的沉积方向而防止一基板下垂,进而形成一高质量薄膜于一基板上。
附图说明
结合附图阅读上文说明,可更详细地理解本发明的实例性实施例,附图中:
图1是为根据一实例性实施例,包含一原料供应单元的一薄膜沉积装置的一示意图;
图2是为根据一实例性实施例,一原料供应单元的一示意图;
图3至图6是为例示根据一实例性实施例,一原料供应单元的一运作的示意图;以及
图7及图8是为例示根据一实例性实施例,一原料供应单元的工艺方向的示意图。
具体实施方式
以下,将参照附图详细说明本发明的具体实施例。然而,本发明可实施为不同的形式,而不应被视为仅限于本文所述的实施例。而是,所述等实施例旨在使本揭露内容透彻且完整,并将向熟习此项技术者全面传达本发明的范围,通篇中相同的参考编号用以指代相同的组件。
图1是为根据一实例性实施例,包含一原料供应单元的一薄膜沉积装置的一示意图。图2是为根据一实例性实施例,一原料供应单元的一示意图。于图2中,设置于所述原料供应单元的一喷射器外侧的一覆盖构件已被移除。
参见图1,所述薄膜沉积装置包含:一腔室100;一基板支撑部410,设置于腔室100中,用以支撑一基板G;一原料供应单元500,面朝基板G,用以供应一原料至基板G;一膜厚度传感器700,用以量测沉积于基板G的一薄膜的一厚度;以及一基板移动构件420,用于达成基板支撑部410与原料供应单元500间的一相对运动。
腔室100具有一中空圆柱形状或一四方盒(tetragonal box)形状,并提供一预定反应空间用于处理基板G。然而,腔室100的形状并非仅限于此,因而腔室100可具有对应于基板G的形状的任何形状。举例而言,于本实施例中,腔室100具有一四方盒形状,以对应于作为基板G的一四方形玻璃基板。腔室100的一侧壁设置有一闸200,以用于装载及卸除基板G,且腔室100的一下壁设置有一排放部300,以用于形成真空及达成内部排放。闸200可由一狭缝阀(slit valve)构成,且排放部300可由一真空泵(vacuum pump)构成。尽管腔室100被例示为一单一本体,然腔室100亦可包含一具有一开口上部的分立下部腔室、以及一覆盖所述下部腔室的上部的分立腔室盖。
基板支撑部410是设置于腔室100的下部空间中,并支撑装载于腔室100中的基板G。放置有基板G的基板支撑部410的一表面(即基板支撑部410的上表面)设置有用于固定所放置基板G的一构件,举例而言,设置有利用诸如机械力、真空吸持力及静电力等力来固定基板G的各种夹盘构件其中之一,或者可设置有诸如一夹具等固定构件。尽管图未示出,然一荫罩(shadow mask)可设置于基板支撑部410的上部,俾防止一薄膜形成于基板G的边缘或使形成于一基板上的一薄膜具有一预定图案。当然,所述荫罩可独立于基板支撑部410安装,使腔室100的一内侧壁支撑所述荫罩。
基板移动构件420设置于基板支撑部410的下侧,以垂直及水平地传送及旋转基板支撑部410。举例而言,基板移动构件420包含一传送带(conveyor belt)421及一驱动轮(driving wheel)422,驱动轮422控制传送带421的左右运动,以使传送带421的上表面所支撑的基板支撑部410沿左右方向往复运动。此处是设置单个基板支撑部410于腔室100中,但本发明并非仅限于此。因此,可设置数个基板支撑部于腔室100中。此外,此处是设置单个基板G于基板支撑部410中,但本发明并非仅限于此。因此,可设置数个基板于基板支撑部410中。
一温度控制构件430可设置于基板移动构件420的下侧,以使放置于基板支撑部410上的基板G维持于一适于执行一工艺的温度。温度控制构件430可包含一用于冷却基板G的冷却构件与一用于加热基板G的加热构件至少其中之一。于本实施例中,利用一被配置成使冷却水流经一冷却管的冷却构件来使基板G的温度维持于一工艺温度,进而提高沉积于基板G的上表面的一沉积材料的反应性。
原料供应单元500是设置于腔室100的上部,以面对由基板支撑部410所支撑的基板G并供应一已蒸发原料至基板G。原料供应单元500包含一或多个原料供应单元5000a、5000b及5000c,所述一或多个原料供应单元5000a、5000b及5000c可于一相同的水平或垂直平面上彼此间隔一相同的距离。
膜厚度传感器700是为一如下构件:其用以感测沉积于基板G的一表面上的一膜的厚度,以量测沉积于基板G上的膜的厚度。膜厚度传感器700可是为任何用以量测基板G上的一薄膜的厚度的构件。于本实施例中,膜厚度传感器700是为一石英谐振器传感器(quartz resonator sensor),其利用当一膜沉积于表面上时一石英谐振器的固有频率的变化来量测膜的厚度。
参见图2,原料供应单元5000a、5000b及5000c分别包含:一液化部5100,用以液化一原料;一蒸发部5200,与液化部5100连通,用以蒸发已液化原料;以及一喷射器5300,与蒸发部5200连通,用以喷射已蒸发原料。原料供应单元5000a、5000b及5000c更分别包含一控制部5500,用以控制自液化部5100供应至蒸发部5200的液化原料的量、以及于蒸发部5200中蒸发的原料的量。
液化部5100包含:一罐5110,具有一圆柱形状,用以储存一原料;一活塞部5120,插入至罐5110的一侧,用以压缩及排出所述原料;一液化加热部5130,用以加热罐5110,以使所述原料液化;以及一外壳5140,用以容置罐5110及活塞部5120,以提供一真空状态。
罐5110具有一圆柱形状,所述圆柱形状具有一开口侧及一封闭侧,以提供填充有一原料S的一预定储存腔室A。罐5110的一本体设置有至少一原料入口5111及至少一原料出口5112,原料S被输入至所述至少一原料入口5111并自所述至少一原料出口5112输出。举例而言,于本实施例中,罐5110的本体的上部设置有原料入口5111,而罐5110的本体的一封闭底部或侧面设置有原料出口5112。
液化加热部5130是为一用于供应热能的构件,用以加热及液化以一固体状态储存于罐5110中的原料S,并可是为任何用以供应热能以液化原料S的构件。举例而言,可使用一芯式加热器(core heater)或一灯加热器(lamp heater)作为液化加热部5130。于本实施例中,由一芯式加热器用作液化加热部5130,并环绕罐5110的外侧区域。当然,可不将液化加热部5130设置于罐5110的外部,而是可将液化加热部5130设置于罐5110的内部,或者嵌于罐5110的本体中。此外,一加热构件可设置至外壳5140,以取代液化加热部5130。
活塞部5120是为用以将填充于罐5110的储存腔室A中的原料S逐渐传送至蒸发部5200的一构件。活塞部5120包含一头部5121、一杆5122及一驱动部5123。头部5121是设置于罐5110中,用以压缩及传送原料S。杆5122具有连接至头部5121的一第一侧、及延伸至罐5110外的一第二侧,并可与头部5121成一体地移动。驱动部5123是连接至杆5122的第二侧,用以移动杆5122。驱动部5123可是为任何用以使杆5122上下移动的构件,例如一马达或一液压缸。举例而言,于本实施例中,是使用一线性马达(linear motor),其将一旋转运动转换成一线性运动并精确地控制所述驱动。
蒸发部5200包含:一蒸发腔室5210,原料S被以一液体状态引入蒸发腔室5210中;以及一蒸发加热部5220,用以加热蒸发腔室5210至一蒸发温度。
蒸发腔室5210透过一传送管5400连通罐5110的原料出口5112,以接收处于一液体状态的原料S并提供一预定空间,处于一液体状态的原料S即于所述预定空间中蒸发。传送管5400的一侧是插入蒸发腔室5210中,并延伸一预定长度。传送管5400的延伸侧的一延伸端5411所具有的一内径大于传送管5400的平均内径。传送管5400的延伸端5411设置有一辅助蒸发加热部5412,用以将处于一液体状态的原料S加热至蒸发温度。如此一来,可更提高透过传送管5400供应的原料S的一展布范围及一蒸发速度。另外,一加热构件(例如一加热线)可嵌于传送管5400中,以于传送原料S时维持原料S的液体状态。辅助蒸发加热部5412可包含诸如液化加热部530(即一芯式加热器或一灯加热器)等构件。
蒸发加热部5220是为一供应热能的构件,用以加热及蒸发以一液体状态引入蒸发腔室5210中的原料S,且可是为任何用以供应热能以蒸发处于一液体状态的原料S的构件。
喷射器5300具有一棒形状,自蒸发腔室5210的一侧水平地延伸一预定长度。喷射器5300可依照一工艺方向垂直地或倾斜地延伸,并具有一点式喷射结构或一平面式喷射结构而非一线式喷射结构(例如一棒形喷射结构)。一连通通道5310设置于喷射器5300的一本体中,于蒸发部5200中蒸发的原料S被引入连通通道5310中。自连通通道5310延伸并向外开口的数个喷射孔5320设置于喷射器5300的本体的外表面中。可控制喷射孔5320的位置及数目,以朝基板喷射处于一蒸气状态的原料S。尽管图未示出,然喷射孔5320可具有数个喷射喷嘴形状,所述等喷射喷嘴形状自喷射器5300的本体向外突出一预定长度。因此,于蒸发部5200中蒸发的原料S流经喷射器5300的连通通道5310,并透过喷射器5300的喷射孔5320均匀地喷射至基板G的上部。
一加热构件可设置于喷射器5300的外部或喷射器5300的本体中,以维持蒸发质量。所述加热构件环绕位于喷射孔5320的外的喷射器5300的一外部区域的至少一部分。所述加热构件更蒸发(二次蒸发)在蒸发部5200中蒸发(一次蒸发)并流至喷射器5300的连通通道5310的原料S。藉此,可维持沿连通通道5310流动的原料S的蒸发状态,并可更提高蒸发密度及蒸发质量。图1的一覆盖构件5700可设置于喷射器5300外部,以控制一喷射方向。覆盖构件5700具有一灯罩(lampshade)形状,所述灯罩形状具有一开口侧,用以控制自喷射器5300沿一所期望方向密集地喷射一原料。
尽管图未示出,然可设置一冷却构件以覆盖喷射器5300除喷射方向以外的整个外部。所述冷却构件防止发射至喷射器5300外部的热量改变腔室100中的工艺条件,并同时防止一周边结构部出现热变形。
控制部5500控制安装于液化部5100、蒸发部5200及喷射器5300上的各种器件的运作,以最终控制透过喷射器5300喷射的一原料的喷射量、喷射速度及蒸发质量。为此,控制部5500包含:一压力计5510,用以感测蒸发部5200的压力;以及一驱动控制部5520,用以控制活塞部5120的驱动。控制部5500透过压力计5510量测蒸发部5200的一蒸发压力,以控制活塞部5120的驱动,进而控制供应至蒸发部5200的一液态原料的量。换言之,当蒸发压力低于一目标值时,增大活塞部5120的头部5121的一前向运动速度,以增加所供应的液态原料的量。相反,当蒸发压力是大于所述目标值时,则减小活塞部5120的头部5121的前向运动速度,以减少所供应的液态原料的量。
由此,因控制部5500根据蒸发部5200的蒸发压力而精确地调节以一液体状态自液化部5100供应的原料S的量,故更容易调节沉积速度及维持沉积质量。另外,因一薄膜是均匀地形成于膜厚度传感器700的表面上,故一更换周期延长,进而增大装置的连续运作时间。
现在,将参照图1及图3至图6来描述包含原料供应单元500的薄膜沉积装置的运作。图3至图6是为例示根据一实例性实施例,一原料供应单元的运作的示意图。
当基板G被装载于腔室100中并置于基板支撑部410上时,经由温度控制构件430使基板G维持于一预定工艺温度。接着,基板传送构件420使基板G沿左右方向往复运动,且原料供应单元5000a、5000b及5000c分别喷射一蒸气状态的原料S至基板G的上表面。藉此,形成一薄膜于基板G上,并透过设置于腔室100中的膜厚度传感器700监测形成于基板G上的薄膜的一厚度,进而控制整个薄膜工艺。
于如上所述的一薄膜工艺中,原料供应单元5000a、5000b及5000c分别蒸发以一固体状态或液体状态供应的一原料,并透过设置于腔室100中的喷射器5300喷射已蒸发原料至一整个基板。现在,将更详细地描述此原料供应操作。此处,假定供应一固体原料。
首先,参见图3,开启外壳5140的一闸5141,以输入一固体原料至外壳5140,并向回移动活塞部5120的头部5121,以将头部5121的前端设置于原料入口5111后面。如此一来,由罐5110的内壁及活塞部5120的头部5121所界定的内部空间(即储存腔室A)即透过原料入口5111连接至外部空间并被打开。接着,透过原料入口5111填充原料于储存腔室A中。
接下来,参见图4,向前移动活塞部5120的头部5121,以将头部5121的前端设置于原料入口5111的正面。如此一来,由罐5110的内壁及活塞部5120的头部5121所界定的内部空间(即储存腔室A)即与外部空间隔离并闭合。之后,透过液化加热部5130加热并液化填充于罐5110中的固态原料S。
接着,参见图5,当固态的原料S完全液化后,逐渐向前移动活塞部5120的头部5121,以透过原料出口5112排出填充于储存腔室A中的原料S。藉此,将液化部5100中液化的原料S沿传送管5400供应至蒸发腔室5200,并经由嵌于传送管5400中的加热构件(图未示出)维持原料S的液体状态。
接着,参见图6,透过用于加热整个蒸发腔室5210的蒸发加热部5220以及用于加热传送管5400的延伸端5411的辅助蒸发加热部5412,将以一液体状态供应至蒸发腔室5210的原料S加热至一预定温度并蒸发。处于一蒸气状态的原料S沿喷射器5300中的连通通道5310移动入腔室100中,并透过设置于喷射器5300的表面中的喷射孔5320均匀地喷射至一整个基板。
于原料供应操作中,经由活塞部5120的头部5121精确地调节以一液体状态供应至蒸发腔室5210的原料S的量。控制部5500透过压力计5510实时地量测蒸发腔室5210的蒸发压力。相应地,控制部5500控制活塞部5120的头部5121的运动,进而更精密地调节以一液体状态供应至蒸发腔室5210的原料S的量。换言之,当蒸发压力低于一目标值时,增大活塞部5120的头部5121的前向运动速度,以增加所供应的液体原料的量。相反,当蒸发压力大于目标值时,则减小活塞部5120的头部5121的前向运动速度,以减小所供应的液体原料的量。如此一来,可更精确地控制透过喷射器5300喷射的一原料的量。
因如上所述加以构造的原料供应单元500既可使用一固体原料,亦可使用一液体原料,故可自由地选择原料。此外,于液化部5100中液化一较大量的原料,且于蒸发部5200中蒸发并供应一较小量的液化原料。如此一来,因可达成较大的原料容量,生产率得以提高,且因蒸发一较小量的原料,故易于调节沉积速度并维持沉积质量。因仅蒸发一必要的少量原料而非完全蒸发一较大量的原料,故可使所消耗的热量最小化。
重新参见图1,原料供应单元500是以一朝下方式配置,俾使一原料供应至基板G的上部。如此一来,基板支撑部410的上表面可稳定地支撑基板G的整个下表面。甚至当基板G具有一较大面积时,基板G亦实质上不会下垂。当然,因于本发明中并不限制原料供应单元500的位置,故工艺方向并不限于朝下方式。换言之,参见图7,原料供应单元500可配置成一朝上方式,俾于基板G的下侧供应一原料。此外,参见图8,原料供应单元500可配置成一侧向方式,俾于垂直设置的基板G的一侧面供应一原料。图7及图8是为显示根据一实例性实施例,一原料供应单元的工艺方向的示意图。
如上所述,因不限制包含原料供应单元500的薄膜沉积装置的沉积方向,故可根据一腔室的结构或一基板的类型而自由地选择一所需工艺方向。
尽管上文是参照具体实施例描述原料供应单元、薄膜沉积装置以及沉积一薄膜的方法,然本发明并不仅限于此。因此,熟习此项技术者将容易理解,可在不背离由随附权利要求书所界定的本发明精神及范围的条件下对其作出各种修饰及改动。
Claims (14)
1.一种原料供应单元,包含:
一液化部,用以液化一原料;
一蒸发部,与所述液化部连通,用以蒸发所述已液化原料;以及
一喷射器,与所述蒸发部连通,用以喷射所述已蒸发原料,
其中所述液化部包含:
一罐,具有一圆柱形状,用以储存所述原料;
一活塞部,插入至所述罐的一侧,用以排放所述原料;以及
一液化加热部,用以加热所述罐,以液化所述原料。
2.根据权利要求1所述的原料供应单元,其特征在于,所述蒸发部包含:
一蒸发腔室,与所述罐连通;以及
一蒸发加热部,用以加热所述蒸发腔室,以蒸发所述原料。
3.根据权利要求1所述的原料供应单元,更包含:
一传送管,用以连接所述液化部至所述蒸发部;以及
一辅助蒸发加热部,用以加热连接至所述蒸发部的所述传送管的一端。
4.根据权利要求1所述的原料供应单元,其特征在于,所述喷射器具有一点式喷射结构、一平面式喷射结构及一线式喷射结构其中之一。
5.根据权利要求1所述的原料供应单元,更包含一控制部,用以控制自所述液化部供应至所述蒸发部的所述已液化原料的量以及所述蒸发部所蒸发的所述原料的量。
6.根据权利要求5所述的原料供应单元,其特征在于,所述控制部包含:
一压力计,用以感测所述蒸发部的一压力;以及
一驱动控制部,用以控制所述活塞部的往复驱动。
7.一种薄膜沉积装置,包含:
一腔室,用以提供一工艺空间;
一基板支撑部,设置于所述腔室中,用以支撑一基板;以及
一原料供应单元,面朝所述基板,用以供应一原料至所述基板,
其中所述原料供应单元包含:
一液化部,用以液化所述原料;
一蒸发部,与所述液化部连通,用以蒸发所述已液化原料;以及
一喷射器,与所述蒸发部连通,用以喷射所述已蒸发原料。
8.根据权利要求7所述的薄膜沉积装置,其特征在于,所述液化部包含:
一罐,具有一圆柱形状,用以储存所述原料;
一活塞部,插入至所述罐的一侧,用以排放所述原料;以及
一液化加热部,用以加热所述罐,以液化所述原料。
9.根据权利要求7所述的薄膜沉积装置,更包含一控制部,用以控制自所述液化部供应至所述蒸发部的所述已液化原料的量以及所述蒸发部所蒸发的所述原料的量。
10.根据权利要求7所述的薄膜沉积装置,更包含一控制部,用以控制自所述液化部供应至所述蒸发部的所述已液化原料的量以及所述蒸发部所蒸发的所述原料的量,
其中所述控制部包含:
一压力计,用以感测所述蒸发部的一压力;以及
一驱动控制部,用以控制所述活塞部的往复驱动。
11.一种沉积一薄膜的方法,所述方法包含:
填充一原料于一罐中;
加热所述罐,以液化所述原料;
传送在所述罐中液化的所述原料的一部分至一蒸发腔室,所述蒸发腔室是连接至所述罐;
蒸发被传送至所述蒸发腔室的所述原料;以及
喷射所述已蒸发原料至一基板。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述传送包含:压缩填充所述罐的所述原料,利用一活塞传送所述原料。
13.根据权利要求11所述的方法,更包含:经由量测所述蒸发腔室的一蒸发压力,调节自所述罐传送至所述蒸发腔室的所述原料的量。
14.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述喷射包含利用一喷射器,所述喷射器具有一点式喷射结构、一平面式喷射结构及一线式喷射结构其中之一。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111036467A (zh) * | 2018-10-15 | 2020-04-21 | 许铭案 | 三合一喷涂机 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101172275B1 (ko) * | 2009-12-31 | 2012-08-08 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 기화 장치 및 이의 제어 방법 |
KR101252912B1 (ko) * | 2010-08-11 | 2013-04-09 | 주식회사 야스 | 히터 내장형 증발원 |
CN102373422A (zh) * | 2010-08-24 | 2012-03-14 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 真空镀膜系统 |
KR101359636B1 (ko) * | 2012-07-04 | 2014-02-06 | 주식회사 선익시스템 | 유기물 피딩 장치 및 방법 |
JP5837869B2 (ja) * | 2012-12-06 | 2015-12-24 | 株式会社フジキン | 原料気化供給装置 |
KR101461738B1 (ko) * | 2012-12-21 | 2014-11-14 | 주식회사 포스코 | 가열장치 및 이를 포함하는 코팅 시스템 |
KR101456264B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2014-11-03 | 주식회사 선익시스템 | 박막증착장치 |
KR101499527B1 (ko) * | 2013-06-14 | 2015-03-10 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 증착장치 및 증착방법 |
WO2014208789A1 (ko) * | 2013-06-25 | 2014-12-31 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 공급유닛을 구비하는 박막증착장치 |
KR102285385B1 (ko) | 2014-08-04 | 2021-08-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 제조 장치 |
KR101713112B1 (ko) * | 2016-07-26 | 2017-03-08 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 연속 충진이 가능한 증착물질 공급장치 |
KR102493131B1 (ko) * | 2018-02-06 | 2023-01-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기물 증착 장치와, 이를 이용한 유기물의 증착 방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11229144A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-08-24 | Hitachi Tool Eng Ltd | 被覆工具 |
CN1348509A (zh) * | 1998-08-03 | 2002-05-08 | 可口可乐公司 | 等离子体增强的真空汽相淀积系统,包括使固体蒸发,产生电弧放电,以及测量电离和蒸发的系统 |
WO2005116296A1 (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Kurita Water Industries Ltd. | 冷却水の処理方法及び処理薬剤 |
WO2008040329A1 (de) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Vakuumbeschichtungsverfahren und anordnung zur durchführung des verfahrens |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6233762A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-13 | Hitachi Ltd | 真空蒸着装置 |
JPS63243264A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜製造装置 |
JPH11229149A (ja) * | 1998-02-18 | 1999-08-24 | Nissin Electric Co Ltd | 液体原料気化成膜装置と液体原料気化成膜方法 |
TW200304955A (en) * | 2002-04-05 | 2003-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and apparatus for producing resin thin film |
JP2003342716A (ja) * | 2002-05-27 | 2003-12-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | GaN結晶の成長方法 |
LV13383B (en) * | 2004-05-27 | 2006-02-20 | Sidrabe As | Method and device for vacuum vaporization metals or alloys |
JP4046294B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2008-02-13 | 学校法人慶應義塾 | 液体中に気泡または液滴を生成する装置及び液体中に気泡または液滴を生成する方法 |
KR100729097B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-06-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 증발원 및 이를 이용한 박막 증착방법 |
-
2009
- 2009-04-27 KR KR1020090036633A patent/KR100936378B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2010
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- 2010-04-23 CN CN201080019359.3A patent/CN102414798B/zh not_active Expired - Fee Related
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- 2010-04-26 TW TW99113051A patent/TWI386501B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11229144A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-08-24 | Hitachi Tool Eng Ltd | 被覆工具 |
CN1348509A (zh) * | 1998-08-03 | 2002-05-08 | 可口可乐公司 | 等离子体增强的真空汽相淀积系统,包括使固体蒸发,产生电弧放电,以及测量电离和蒸发的系统 |
WO2005116296A1 (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Kurita Water Industries Ltd. | 冷却水の処理方法及び処理薬剤 |
WO2008040329A1 (de) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Vakuumbeschichtungsverfahren und anordnung zur durchführung des verfahrens |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111036467A (zh) * | 2018-10-15 | 2020-04-21 | 许铭案 | 三合一喷涂机 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2010126254A3 (en) | 2011-01-20 |
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JP5372243B2 (ja) | 2013-12-18 |
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