JP2003293140A - 気相有機物の蒸着方法とこれを利用した気相有機物の蒸着装置 - Google Patents
気相有機物の蒸着方法とこれを利用した気相有機物の蒸着装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 広い面積の基板に気相有機物を均一に蒸着さ
せ、有機薄膜を高速に成膜させ、有機材料混合量の微細
調整を可能とする。 【課題手段】 気相有機物の蒸着装置は、内部空間に気
相有機物を蒸着させる母材10を安着せしめる母材安着部
140を備え、気相有機物を母材の安着部方向へ噴射する
噴射部110と、1つ以上の保温ヒ-タ-130を含んで構成さ
れる蒸着チェンバ-100と、気相有機物を運搬する運搬ガ
スが引き込まれるよう穴形状に形成された1つ以上の運
搬ガス引込ホ-ルと、有機物蒸気及び運搬ガスが引き出
されうるよう穴形状に形成された1つ以上の気相有機物
の引出ホ-ルを備えており、有機物を貯蔵できるるつぼ2
20と、るつぼ内を加熱する有機物加熱ヒ-タ-を内部に含
む1つ以上の有機物チェンバ-200と、有機物チェンバ-内
に引き込まれる運搬ガス量と流速を制御する流量制御部
400と、有機物チェンバ-内の気相有機物が噴射部に移動
できる気相有機物の移送管210と、真空ポンプ150とを含
んで構成される。
せ、有機薄膜を高速に成膜させ、有機材料混合量の微細
調整を可能とする。 【課題手段】 気相有機物の蒸着装置は、内部空間に気
相有機物を蒸着させる母材10を安着せしめる母材安着部
140を備え、気相有機物を母材の安着部方向へ噴射する
噴射部110と、1つ以上の保温ヒ-タ-130を含んで構成さ
れる蒸着チェンバ-100と、気相有機物を運搬する運搬ガ
スが引き込まれるよう穴形状に形成された1つ以上の運
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されうるよう穴形状に形成された1つ以上の気相有機物
の引出ホ-ルを備えており、有機物を貯蔵できるるつぼ2
20と、るつぼ内を加熱する有機物加熱ヒ-タ-を内部に含
む1つ以上の有機物チェンバ-200と、有機物チェンバ-内
に引き込まれる運搬ガス量と流速を制御する流量制御部
400と、有機物チェンバ-内の気相有機物が噴射部に移動
できる気相有機物の移送管210と、真空ポンプ150とを含
んで構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の製
造装置及びその製造方法において、有機物材料を使用し
た気相有機物の蒸着方法及び気相有機物の蒸着装置に係
り、より詳しくは、上部に設置された噴射部によって気
相有機物を重力方向へ噴射させることによって、広い面
積の基板に均一に薄膜を高速で形成させて、蒸着物質と
して希釈ガスを使用してスキャンヘッドに小さめの大き
さの熱源を継続的に移動させて有機薄膜の広い面積基板
を精密、かつ安定的な厚さに調整することのできる広い
面積基板の気相有機物の蒸着方法と、これを利用した気
相有機物の蒸着装置装置およびその方法に関するもので
ある。
造装置及びその製造方法において、有機物材料を使用し
た気相有機物の蒸着方法及び気相有機物の蒸着装置に係
り、より詳しくは、上部に設置された噴射部によって気
相有機物を重力方向へ噴射させることによって、広い面
積の基板に均一に薄膜を高速で形成させて、蒸着物質と
して希釈ガスを使用してスキャンヘッドに小さめの大き
さの熱源を継続的に移動させて有機薄膜の広い面積基板
を精密、かつ安定的な厚さに調整することのできる広い
面積基板の気相有機物の蒸着方法と、これを利用した気
相有機物の蒸着装置装置およびその方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】最近に至って、有機化合物、有機金属化
合物として機能性高分子化合物による薄膜形成技術は、
半導体メモリ-の絶縁層材料以外にも伝導性材料、光電
子材料、有機発光(Electro-luminescence)素子材料等の
関心が集中されている。
合物として機能性高分子化合物による薄膜形成技術は、
半導体メモリ-の絶縁層材料以外にも伝導性材料、光電
子材料、有機発光(Electro-luminescence)素子材料等の
関心が集中されている。
【０００３】これまでに開発された有機薄膜形成方法
中、代表的な技術の1つとして使用される真空蒸着法
は、真空チェンバ-の下部に熱蒸発源とその上部に成膜
用基板を設置して薄膜を形成するものである。この真空
蒸着法を利用した有機薄膜形成装置の概略的な構成を見
てみると、真空チェンバ-に連結された真空排気系が存
在し、これを利用して真空チェンバ-の一定の真空を保
持させてから、真空チェンバ-の下部に配置された1つ以
上の有機薄膜材料の熱蒸発源から有機薄膜材料である有
機物を蒸発させる。有機薄膜材料の熱蒸発源は円筒形状
または方形状の容器であって、その内部に被成膜用有機
物材料を収容する。容器材料としては、石英、セラミッ
クス等が使用され、容器部の周辺には一定のパタ-ン模
様の加熱用ヒ-タ-が囲繞されているため、一定量の電力
を加えると容器周辺の温度が上昇するととに、容器も加
熱されて一定温度になると有機物が蒸発され始まる。温
度は容器の下部または上部に設置された温度調節用熱伝
帯によって検測されて有機蒸発材料を一定温度に保持し
て所望の蒸発速度が得られるようにした。蒸発された有
機物は容器の上部から一定距離を離れた部位に配置され
たガラスまたはウエハ-材質からなる基板に蒸発移動後
に基板の表面に吸着、蒸着、再蒸発等の連続的な過程を
経て基板上に固体化されて薄膜を形成せしめる技術であ
る。
中、代表的な技術の1つとして使用される真空蒸着法
は、真空チェンバ-の下部に熱蒸発源とその上部に成膜
用基板を設置して薄膜を形成するものである。この真空
蒸着法を利用した有機薄膜形成装置の概略的な構成を見
てみると、真空チェンバ-に連結された真空排気系が存
在し、これを利用して真空チェンバ-の一定の真空を保
持させてから、真空チェンバ-の下部に配置された1つ以
上の有機薄膜材料の熱蒸発源から有機薄膜材料である有
機物を蒸発させる。有機薄膜材料の熱蒸発源は円筒形状
または方形状の容器であって、その内部に被成膜用有機
物材料を収容する。容器材料としては、石英、セラミッ
クス等が使用され、容器部の周辺には一定のパタ-ン模
様の加熱用ヒ-タ-が囲繞されているため、一定量の電力
を加えると容器周辺の温度が上昇するととに、容器も加
熱されて一定温度になると有機物が蒸発され始まる。温
度は容器の下部または上部に設置された温度調節用熱伝
帯によって検測されて有機蒸発材料を一定温度に保持し
て所望の蒸発速度が得られるようにした。蒸発された有
機物は容器の上部から一定距離を離れた部位に配置され
たガラスまたはウエハ-材質からなる基板に蒸発移動後
に基板の表面に吸着、蒸着、再蒸発等の連続的な過程を
経て基板上に固体化されて薄膜を形成せしめる技術であ
る。
【０００４】ここで、有機薄膜材料の有機化合物は蒸気
化される蒸気圧が高く、加熱による熱分解温度が蒸発温
度と近接されているため、長時間にわたる安定された有
機蒸発速度の制御が容易でないことら、高速薄膜蒸着が
難しく、真空チェンバ-内の熱蒸発源から放出された蒸
気化された有機薄膜材料は、熱蒸発源容器の上部のCRUC
IBLEHOLE形状(開口部)に相応する指向性をもつことにな
り、これは限られた狭い範囲内に局限されて基板に到達
するようになることから、大面積基板に形成される均一
な有機薄膜が得かたい。さらに、有機薄膜の均一な薄膜
を形成するために指向性の補正手段とし基板を一定速度
で回転させつつ成膜をすることによって、回転半径が大
きくなって蒸着装備がそれに相応する大きさに大型化さ
れ、真空装備の不要な有効面積まで有機薄膜が形成され
るため、高価の有機材料の使用効率が極めて低下されて
生産性の低下をもたらした。
化される蒸気圧が高く、加熱による熱分解温度が蒸発温
度と近接されているため、長時間にわたる安定された有
機蒸発速度の制御が容易でないことら、高速薄膜蒸着が
難しく、真空チェンバ-内の熱蒸発源から放出された蒸
気化された有機薄膜材料は、熱蒸発源容器の上部のCRUC
IBLEHOLE形状(開口部)に相応する指向性をもつことにな
り、これは限られた狭い範囲内に局限されて基板に到達
するようになることから、大面積基板に形成される均一
な有機薄膜が得かたい。さらに、有機薄膜の均一な薄膜
を形成するために指向性の補正手段とし基板を一定速度
で回転させつつ成膜をすることによって、回転半径が大
きくなって蒸着装備がそれに相応する大きさに大型化さ
れ、真空装備の不要な有効面積まで有機薄膜が形成され
るため、高価の有機材料の使用効率が極めて低下されて
生産性の低下をもたらした。
【０００５】このように、真空蒸着法では有機薄膜を利
用した有機発光素子及び機能性薄膜を応用した製品を製
造するにあたって、低い成膜速度、低い有機材料の使用
効率、有機薄膜層のばらつき性、主材料(Host材料)と発
色材料(Dopant材料)の混合量の微細調整の難しさ、熱蒸
発源温度調節、基板の大型化に伴う均一な有機薄膜の形
成困難等などのもろもろの問題点があるが、その一例と
して、添付された図1を参照して従来の真空蒸着装置に
ついて述べることにする。
用した有機発光素子及び機能性薄膜を応用した製品を製
造するにあたって、低い成膜速度、低い有機材料の使用
効率、有機薄膜層のばらつき性、主材料(Host材料)と発
色材料(Dopant材料)の混合量の微細調整の難しさ、熱蒸
発源温度調節、基板の大型化に伴う均一な有機薄膜の形
成困難等などのもろもろの問題点があるが、その一例と
して、添付された図1を参照して従来の真空蒸着装置に
ついて述べることにする。
【０００６】図1は、従来の真空蒸着装置の一例を示
す。図1に示す従来の真空蒸着装置に従えば、まず、モ
リブデンボ-ト(6)に蒸着させる物質の適当量を予測して
載置してから、真空チェンバ-(1)内の圧力を10〜6torr
程度に下げる。その後、温度調節装置を利用して蒸着物
質が金属である場合、その金属の融点近傍まで熱を上げ
てから、再度微細に調節しつつ気化される時まで温度を
上げる。この際、徐にモリブデンボ-ト(6)上の物質が蒸
発され始まると、あらかじめ装着されていたシャッタ-
(5)を開けて蒸発された物質分子を基板に蒸着させる。
この際、シャッタ-(5)はモリブデンボ-ト(6)上にある物
質が気化される直前に残存する不純物が基板に蒸着され
ないように防止する役割を果す。
す。図1に示す従来の真空蒸着装置に従えば、まず、モ
リブデンボ-ト(6)に蒸着させる物質の適当量を予測して
載置してから、真空チェンバ-(1)内の圧力を10〜6torr
程度に下げる。その後、温度調節装置を利用して蒸着物
質が金属である場合、その金属の融点近傍まで熱を上げ
てから、再度微細に調節しつつ気化される時まで温度を
上げる。この際、徐にモリブデンボ-ト(6)上の物質が蒸
発され始まると、あらかじめ装着されていたシャッタ-
(5)を開けて蒸発された物質分子を基板に蒸着させる。
この際、シャッタ-(5)はモリブデンボ-ト(6)上にある物
質が気化される直前に残存する不純物が基板に蒸着され
ないように防止する役割を果す。
【０００７】このような真空蒸着装置は、蒸着させる物
質の適確な量を予測しかたいことから、多量の物質をモ
リブデンボ-ト(6)に装着させなければなら〜、所望の方
向への蒸気(Vapor)の誘導が不可能であるため、前記蒸
着過程を数回にわたって繰返す場合は、チェンバ-内が
汚染されて毎度内部をクリ-ニングをしなければならな
い煩しさがあり、さらに、精密ではないがモリブデンボ
-ト(6)上に載置される物質の量、シャッタ-(4)の開閉時
間、さらに、温度調節による気化時間が厚さ調節の変数
であり、かかる変数を全体的に微細に調整することが不
可能である。
質の適確な量を予測しかたいことから、多量の物質をモ
リブデンボ-ト(6)に装着させなければなら〜、所望の方
向への蒸気(Vapor)の誘導が不可能であるため、前記蒸
着過程を数回にわたって繰返す場合は、チェンバ-内が
汚染されて毎度内部をクリ-ニングをしなければならな
い煩しさがあり、さらに、精密ではないがモリブデンボ
-ト(6)上に載置される物質の量、シャッタ-(4)の開閉時
間、さらに、温度調節による気化時間が厚さ調節の変数
であり、かかる変数を全体的に微細に調整することが不
可能である。
【０００８】一方で、有機半導体の製作方法には、単位
蒸着源を使用する方法と最近プリンストン大学でマック
スステイン(Max Shtein)氏らが提案したOVPD(Organic V
aporPhase Deposition)方法がある。
蒸着源を使用する方法と最近プリンストン大学でマック
スステイン(Max Shtein)氏らが提案したOVPD(Organic V
aporPhase Deposition)方法がある。
【０００９】単位蒸着ソ-スタンクを使用する有機半導
体製作方法は、有機半導体で使用される各層を蒸着する
時間が長くかかるし、各層の蒸着時に使用される物質の
使用量が多い上、蒸着された膜の密度と基板に対する接
着力が良好でない問題点があることから、有機半導体を
量産するための量産歩留まりが落ちる。さらに、量産の
ための広い面積基板の製造工程に制限がある。つまり、
現在は370X470mm大きさの基板を使用するのが限界であ
る。
体製作方法は、有機半導体で使用される各層を蒸着する
時間が長くかかるし、各層の蒸着時に使用される物質の
使用量が多い上、蒸着された膜の密度と基板に対する接
着力が良好でない問題点があることから、有機半導体を
量産するための量産歩留まりが落ちる。さらに、量産の
ための広い面積基板の製造工程に制限がある。つまり、
現在は370X470mm大きさの基板を使用するのが限界であ
る。
【００１０】また、OVPD方法はマックスステイン氏らの
提案したAxitron方式において、気相有機物を運送ガス
を使用して有機半導体に使用される各層を製作する方式
である。この方法は、単位蒸着源を使用する方式より有
機物質の使用効率を高められるし、広い面積基板の有機
半導体の製作が理論的には可能である。ところで、OVPD
方式を使用するAxitron方法は既存のCVD方式のスキャン
ヘッドを使用しており、実際に200X200mm大きさの基板
を試験的に使用してテストをしているが、熱に弱い有機
薄膜に問題を起こしうる。
提案したAxitron方式において、気相有機物を運送ガス
を使用して有機半導体に使用される各層を製作する方式
である。この方法は、単位蒸着源を使用する方式より有
機物質の使用効率を高められるし、広い面積基板の有機
半導体の製作が理論的には可能である。ところで、OVPD
方式を使用するAxitron方法は既存のCVD方式のスキャン
ヘッドを使用しており、実際に200X200mm大きさの基板
を試験的に使用してテストをしているが、熱に弱い有機
薄膜に問題を起こしうる。
【００１１】さらに、広い面積基板用として製作するた
めには、370X470mm以上のシャワ-ヘッドを製作しなけれ
ばならないが、この構成自体が難点を有している。なお
かつ、Axitron方式の蒸着方法は蒸着ソ-スタンク(714)
とスキャンヘッドの高温熱源が固定されている。さら
に、有機半導体の製作でのド-ピングは2つ以上のスキャ
ンヘッドをシステム内に装着して個別的な温度調整を可
能ならしめる。しかしながら、既存のOVPD方式は1つの
スキャンヘッドだけを使用することから、熱的特性が相
対的に異なる2種以上のド-ピング物質が使用されてド-
ピングされる場合、熱的特性が良好でない物質に変質さ
れうる短所がある。
めには、370X470mm以上のシャワ-ヘッドを製作しなけれ
ばならないが、この構成自体が難点を有している。なお
かつ、Axitron方式の蒸着方法は蒸着ソ-スタンク(714)
とスキャンヘッドの高温熱源が固定されている。さら
に、有機半導体の製作でのド-ピングは2つ以上のスキャ
ンヘッドをシステム内に装着して個別的な温度調整を可
能ならしめる。しかしながら、既存のOVPD方式は1つの
スキャンヘッドだけを使用することから、熱的特性が相
対的に異なる2種以上のド-ピング物質が使用されてド-
ピングされる場合、熱的特性が良好でない物質に変質さ
れうる短所がある。
【００１２】つまり、既存の2種方式は有機半導体物質
が広い面積基板の基板に良好に蒸着できない問題点があ
る。
が広い面積基板の基板に良好に蒸着できない問題点があ
る。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】そこで、この発明は上
記種じゅの問題点を解決するためになされたものであっ
て、この発明の第一の目的は、広い面積の基板に気相有
機物を均一に蒸着させることができるし、有機薄膜を高
速に成膜させることができるし、有機材料混合量の微細
調整が可能な気相有機物の蒸着方法と、これを利用した
気相有機物の蒸着装置を提供することにある。
記種じゅの問題点を解決するためになされたものであっ
て、この発明の第一の目的は、広い面積の基板に気相有
機物を均一に蒸着させることができるし、有機薄膜を高
速に成膜させることができるし、有機材料混合量の微細
調整が可能な気相有機物の蒸着方法と、これを利用した
気相有機物の蒸着装置を提供することにある。
【００１４】さらに、この発明の第二の目的は、有機半
導体物質が広い面積基板に蒸着できるよう、蒸着源ソ-
スタンク内で有機物質の粒子を希釈することによって、
有機薄膜の基板に対する接着力を増加させつつ精密で、
かつ安定的に厚さを調整することができるし、バッファ
-チェンバ-と蒸着チェンバ-のゲ-ト弁を利用して、完全
に分離されてスキャンヘッドの熱源が広い面積の基板上
と蒸着チェンバ-内の温度上昇を防止できる広い面積基
板の気相気相有機物の蒸着方法と、これを利用した気相
有機物の蒸着装置を提供することにある。
導体物質が広い面積基板に蒸着できるよう、蒸着源ソ-
スタンク内で有機物質の粒子を希釈することによって、
有機薄膜の基板に対する接着力を増加させつつ精密で、
かつ安定的に厚さを調整することができるし、バッファ
-チェンバ-と蒸着チェンバ-のゲ-ト弁を利用して、完全
に分離されてスキャンヘッドの熱源が広い面積の基板上
と蒸着チェンバ-内の温度上昇を防止できる広い面積基
板の気相気相有機物の蒸着方法と、これを利用した気相
有機物の蒸着装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】、上記のような目的を達
成するためになされたこの発明に従う気相有機物の蒸着
装置は、外部と隔離される内部空間を備えており、該内
部空間の床面に気相有機物を蒸着させる母材を安着せし
める母材安着部を備え、該母材安着部の上端に位置され
て気相有機物を前記母材の安着部方向へ噴射する噴射部
と、上端壁面及び側壁面内に熱を発散する1つ以上の保
温ヒ-タ-を含んで構成される蒸着チェンバ-と、気相有
機物を運搬する運搬ガスが引き込まれるよう穴形状に形
成された1つ以上の運搬ガス引込ホ-ルと、有機物蒸気及
び運搬ガスが引き出されうるよう穴形状に形成された1
つ以上の気相有機物の引出ホ-ルを備えており、耐熱材
の材質で有機物を貯蔵できるよう、内部空間を備える形
状に形成されたるつぼと、該るつぼの外部を囲繞してお
り、有機物が蒸発される温度まで前記るつぼ内を加熱す
る有機物加熱ヒ-タ-を内部に含む1つ以上の有機物チェ
ンバ-と、前記運搬ガスの引込ホ-ルに連結されて前記有
機物チェンバ-内に引き込まれる運搬ガス量と流速を制
御する流量制御部と、前記蒸着チェンバ-及び有機物チ
ェンバ-を貫通するように形成されており、前記有機物
チェンバ-内の気相有機物が前記噴射部に移動できるよ
う管形状からなる気相有機物の移送管と、前記蒸着チェ
ンバ-の内部圧力を低める真空ポンプとを含んで構成さ
れる。
成するためになされたこの発明に従う気相有機物の蒸着
装置は、外部と隔離される内部空間を備えており、該内
部空間の床面に気相有機物を蒸着させる母材を安着せし
める母材安着部を備え、該母材安着部の上端に位置され
て気相有機物を前記母材の安着部方向へ噴射する噴射部
と、上端壁面及び側壁面内に熱を発散する1つ以上の保
温ヒ-タ-を含んで構成される蒸着チェンバ-と、気相有
機物を運搬する運搬ガスが引き込まれるよう穴形状に形
成された1つ以上の運搬ガス引込ホ-ルと、有機物蒸気及
び運搬ガスが引き出されうるよう穴形状に形成された1
つ以上の気相有機物の引出ホ-ルを備えており、耐熱材
の材質で有機物を貯蔵できるよう、内部空間を備える形
状に形成されたるつぼと、該るつぼの外部を囲繞してお
り、有機物が蒸発される温度まで前記るつぼ内を加熱す
る有機物加熱ヒ-タ-を内部に含む1つ以上の有機物チェ
ンバ-と、前記運搬ガスの引込ホ-ルに連結されて前記有
機物チェンバ-内に引き込まれる運搬ガス量と流速を制
御する流量制御部と、前記蒸着チェンバ-及び有機物チ
ェンバ-を貫通するように形成されており、前記有機物
チェンバ-内の気相有機物が前記噴射部に移動できるよ
う管形状からなる気相有機物の移送管と、前記蒸着チェ
ンバ-の内部圧力を低める真空ポンプとを含んで構成さ
れる。
【００１６】さらに、この発明に従う気相有機物の蒸着
方法は、内部に有機物を含んでいる有機物チェンバ-の
外面に接触する加熱ヒ-タ-は、熱を発散して前記有機物
を蒸発温度以上に加熱する1段階と、前記加熱ヒ-タ-に
よって気化された気相有機物は、熱を発散する定温ヒ-
タ-に囲繞されている気相有機物の移送管を通して気相
有機物を蒸着させる母材が位置している蒸着チェンバ-
の噴射部に移動する2段階と、前記噴射部に移動された
前記気相有機物は、母材安着部の上端に据置されている
前記母材の上端から重力方向へ噴射されて前記母材の上
端面に蒸着される3段階とからなる。
方法は、内部に有機物を含んでいる有機物チェンバ-の
外面に接触する加熱ヒ-タ-は、熱を発散して前記有機物
を蒸発温度以上に加熱する1段階と、前記加熱ヒ-タ-に
よって気化された気相有機物は、熱を発散する定温ヒ-
タ-に囲繞されている気相有機物の移送管を通して気相
有機物を蒸着させる母材が位置している蒸着チェンバ-
の噴射部に移動する2段階と、前記噴射部に移動された
前記気相有機物は、母材安着部の上端に据置されている
前記母材の上端から重力方向へ噴射されて前記母材の上
端面に蒸着される3段階とからなる。
【００１７】さらに、この発明に従う広い面積基板の気
相有機物蒸着装置は、気相有機物蒸着装置において、不
活性ガスを保有したガスレザバ-及びMFC(Mass Flow Con
troller)の調整下に流れる不活性ガスを加熱するガスヒ
-タ-と、温度保持のために連結管の外部にワインディン
グされたヒ-タ-パイプと、蒸着されるガス及び有機物質
を内装し、前記ガスヒ-タ-によって高温ガスと有機物粒
子を希釈した状態で加熱して、希釈された有機物気体状
態を発生せしめる少なくとも1つの蒸着ソ-スタンクと、
前記希釈された有機物粒子の移動を監視して調整する蒸
着速度調整器を付着したスキャンヘッドと、バッファ-
チェンバ-と前記希釈された有機物粒子の移動を開放及
び閉鎖するようにゲ-ティングするゲ-ト弁と、前記蒸着
ソ-スタンクから流入された前記希釈された粒子を広い
面積基板に蒸着する蒸着チェンバ-とを備えるが、前記
ガスヒ-タ-は、前記蒸着ソ-スタンクをガス量が調整さ
れるようガスを加熱して熱源を内部に注入して、前記ゲ
-ト弁は前記バッファ-チェンバ-と前記蒸着チェンバ-と
の間に設置されて前記スキャンヘッドの熱源による広い
面積基板上と蒸着チェンバ-内の温度上昇を遮断するこ
とを特徴とする。
相有機物蒸着装置は、気相有機物蒸着装置において、不
活性ガスを保有したガスレザバ-及びMFC(Mass Flow Con
troller)の調整下に流れる不活性ガスを加熱するガスヒ
-タ-と、温度保持のために連結管の外部にワインディン
グされたヒ-タ-パイプと、蒸着されるガス及び有機物質
を内装し、前記ガスヒ-タ-によって高温ガスと有機物粒
子を希釈した状態で加熱して、希釈された有機物気体状
態を発生せしめる少なくとも1つの蒸着ソ-スタンクと、
前記希釈された有機物粒子の移動を監視して調整する蒸
着速度調整器を付着したスキャンヘッドと、バッファ-
チェンバ-と前記希釈された有機物粒子の移動を開放及
び閉鎖するようにゲ-ティングするゲ-ト弁と、前記蒸着
ソ-スタンクから流入された前記希釈された粒子を広い
面積基板に蒸着する蒸着チェンバ-とを備えるが、前記
ガスヒ-タ-は、前記蒸着ソ-スタンクをガス量が調整さ
れるようガスを加熱して熱源を内部に注入して、前記ゲ
-ト弁は前記バッファ-チェンバ-と前記蒸着チェンバ-と
の間に設置されて前記スキャンヘッドの熱源による広い
面積基板上と蒸着チェンバ-内の温度上昇を遮断するこ
とを特徴とする。
【００１８】さらに、この発明に従う気相有機物蒸着方
法において、不活性ガスを保有したガスレザバ-及びMFC
の調整下に蒸着ソ-スタンクから流れる不活性ガスをガ
スヒ-タ-であって、ガス量が調整されるようガスを加熱
して熱源を内部に注入して加熱する段階と、連結管の外
部にワインディングされたヒ-タ-パイプによって温度を
保持する段階と、蒸着されるガス及び有機物質を内装
し、少なくとも1つの蒸着ソ-スタンクが前記ガスヒ-タ-
によって高温のガスと有機物粒子を希釈した状態で加熱
して希釈された有機物気体状態を発生せしめる段階と、
前記希釈された有機物粒子の移動を監視して調整し、蒸
着速度調整器を付着したスキャンヘッドとバッファ-チ
ェンバ-と前記希釈された有機物粒子の移動を開放及び
閉鎖するようにゲ-ティングをする段階と、前記ゲ-ト弁
と前記蒸着ソ-スタンクから流入された前記希釈された
粒子を蒸着チェンバ-内の広い面積基板に蒸着する段階
と、前記ゲ-ト弁は前記バッファ-チェンバ-と前記蒸着
チェンバ-との間に設置されて、前記スキャンヘッドの
熱源による広い面積基板上と蒸着チェンバ-内の温度上
昇を遮断する段階と、前記バッファ-チェンバ-内で前記
スキャンヘッドが移動する際に伴って分離された有機物
質が再循環するように設置された補助るつぼによって収
集する段階とを含む。
法において、不活性ガスを保有したガスレザバ-及びMFC
の調整下に蒸着ソ-スタンクから流れる不活性ガスをガ
スヒ-タ-であって、ガス量が調整されるようガスを加熱
して熱源を内部に注入して加熱する段階と、連結管の外
部にワインディングされたヒ-タ-パイプによって温度を
保持する段階と、蒸着されるガス及び有機物質を内装
し、少なくとも1つの蒸着ソ-スタンクが前記ガスヒ-タ-
によって高温のガスと有機物粒子を希釈した状態で加熱
して希釈された有機物気体状態を発生せしめる段階と、
前記希釈された有機物粒子の移動を監視して調整し、蒸
着速度調整器を付着したスキャンヘッドとバッファ-チ
ェンバ-と前記希釈された有機物粒子の移動を開放及び
閉鎖するようにゲ-ティングをする段階と、前記ゲ-ト弁
と前記蒸着ソ-スタンクから流入された前記希釈された
粒子を蒸着チェンバ-内の広い面積基板に蒸着する段階
と、前記ゲ-ト弁は前記バッファ-チェンバ-と前記蒸着
チェンバ-との間に設置されて、前記スキャンヘッドの
熱源による広い面積基板上と蒸着チェンバ-内の温度上
昇を遮断する段階と、前記バッファ-チェンバ-内で前記
スキャンヘッドが移動する際に伴って分離された有機物
質が再循環するように設置された補助るつぼによって収
集する段階とを含む。
【００１９】さらに、この発明の気相有機物蒸着方法
は、有機半導体装置の製造方法において、 蒸着装置内
で基板を蒸着チェンバ-内にロ-ディングする段階(s710)
と、蒸着ソ-スタンクを予備的に加熱して高温ガスを200
〜-600℃の温度下で注入する段階(s712)と、前記蒸着ソ
-スタンク内での高温ガスと有機物粒子が混合体を形成
して温度を加熱すると、SGHP(Solid Gas Heterogeneous
Phase)物質が発生する段階(s714)と、前記蒸着ソ-スタ
ンクから連結管を通して多量の気相有機物であるSGHP物
質をバッファ-チェンバ-に伝達する段階(s716)と、前記
バッファ-チェンバ-で気相有機物センサを使用して気相
有機物の流量を測定して、その気相有機物の流量が事前
に設定された量に到達すると、バッファ-ゲ-ト弁を開放
する段階(s718)と、スキャンヘッドの動作で気相有機物
を蒸着する段階(s720)と、その後、事前にセッティング
された蒸着時間経過後、スキャンヘッドが移動する段階
(s722)と、及び前記バッファ-ゲ-ト弁を閉鎖して基板を
アンロ-ディングする段階(s724)とを含む。
は、有機半導体装置の製造方法において、 蒸着装置内
で基板を蒸着チェンバ-内にロ-ディングする段階(s710)
と、蒸着ソ-スタンクを予備的に加熱して高温ガスを200
〜-600℃の温度下で注入する段階(s712)と、前記蒸着ソ
-スタンク内での高温ガスと有機物粒子が混合体を形成
して温度を加熱すると、SGHP(Solid Gas Heterogeneous
Phase)物質が発生する段階(s714)と、前記蒸着ソ-スタ
ンクから連結管を通して多量の気相有機物であるSGHP物
質をバッファ-チェンバ-に伝達する段階(s716)と、前記
バッファ-チェンバ-で気相有機物センサを使用して気相
有機物の流量を測定して、その気相有機物の流量が事前
に設定された量に到達すると、バッファ-ゲ-ト弁を開放
する段階(s718)と、スキャンヘッドの動作で気相有機物
を蒸着する段階(s720)と、その後、事前にセッティング
された蒸着時間経過後、スキャンヘッドが移動する段階
(s722)と、及び前記バッファ-ゲ-ト弁を閉鎖して基板を
アンロ-ディングする段階(s724)とを含む。
【００２０】
【発明の実施の形態】[実施例1]以下、添付された図に
沿ってこの発明の実施例1について述べることにする。
沿ってこの発明の実施例1について述べることにする。
【００２１】図2aは、この発明に従う気相有機物の蒸着
装置の平面図である。この実施例の気相有機物の蒸着装
置は、有機物を母材に蒸着せしめる実施例1の蒸着チェ
ンバ-と、有機物を加熱して気相に状態を変換せしめる
有機物チェンバ-と、気相有機物を噴射する噴射部の動
作を駆動する駆動装置と有機物チェンバ-を含む補助チ
ェンバ-とからなる。
装置の平面図である。この実施例の気相有機物の蒸着装
置は、有機物を母材に蒸着せしめる実施例1の蒸着チェ
ンバ-と、有機物を加熱して気相に状態を変換せしめる
有機物チェンバ-と、気相有機物を噴射する噴射部の動
作を駆動する駆動装置と有機物チェンバ-を含む補助チ
ェンバ-とからなる。
【００２２】実施例1の蒸着チェンバ-(100)は、外部と
隔離される内部空間を備えており、前記内部空間の床面
に気相有機物を蒸着させる母材(10)を安着させることの
できる構造を備える。さらに、蒸着チェンバ-(100)は母
材(10)の上端部に位置されて気相有機物を母材(10)の上
端面に噴射する噴射部(110)と、噴射部(110)と結合して
噴射部(110)の摺動を案内するガイド板(図示せず)と、
摺動可能に結合される一字型に長めに形成されたガイド
レ-ル(120)と、ガイドレ-ル(120)を固支するガイドレ-
ル支持板(122)と、上端壁面及び側壁面内部に位置し、
熱を発散して蒸着チェンバ-(100)内の温度を一定温度以
上に保持せしめる1つ以上の保温ヒ-タ-(130)とを含んで
構成される。
隔離される内部空間を備えており、前記内部空間の床面
に気相有機物を蒸着させる母材(10)を安着させることの
できる構造を備える。さらに、蒸着チェンバ-(100)は母
材(10)の上端部に位置されて気相有機物を母材(10)の上
端面に噴射する噴射部(110)と、噴射部(110)と結合して
噴射部(110)の摺動を案内するガイド板(図示せず)と、
摺動可能に結合される一字型に長めに形成されたガイド
レ-ル(120)と、ガイドレ-ル(120)を固支するガイドレ-
ル支持板(122)と、上端壁面及び側壁面内部に位置し、
熱を発散して蒸着チェンバ-(100)内の温度を一定温度以
上に保持せしめる1つ以上の保温ヒ-タ-(130)とを含んで
構成される。
【００２３】有機物チェンバ-(200)は、内部に貯蔵され
た有機物に熱を加えて有機物を気化せしめる構造にてな
り、管形状に形成されており、蒸着チェンバ-(100)を貫
通して噴射部(110)に連結された気相有機物の移送管(21
0)と結合されて気相有機物を噴射部(110)に移送させう
るように形成されている。
た有機物に熱を加えて有機物を気化せしめる構造にてな
り、管形状に形成されており、蒸着チェンバ-(100)を貫
通して噴射部(110)に連結された気相有機物の移送管(21
0)と結合されて気相有機物を噴射部(110)に移送させう
るように形成されている。
【００２４】補助チェンバ-(300)は、ガイドレ-ル(120)
を伝って噴射部(110)が移動できるよう、蒸着チェンバ-
(100)を貫通してガイドレ-ル(120)と平行な方向へ噴射
部(110)と結合される移動軸(130)と、移動軸(130)と結
合されており、移送部(314)と結合されてガイドレ-ル(1
20)と平行な方向へ移動する移動ブロック(312)と、気相
有機物の移送管(210)及び移動軸(130)が蒸着チェンバ-
(100)を貫通した部分に位置されており、高真空の蒸着
チェンバ-(100)と低真空または大気状態の補助チェンバ
-(300)間の真空度差を緩衝及び隔離させつつ、両側2つ
のチェンバ-を連結せしめる密封フランジ(320)及びベロ
-ズ(322)と、有機物チェンバ-(200)とを内部に備える。
を伝って噴射部(110)が移動できるよう、蒸着チェンバ-
(100)を貫通してガイドレ-ル(120)と平行な方向へ噴射
部(110)と結合される移動軸(130)と、移動軸(130)と結
合されており、移送部(314)と結合されてガイドレ-ル(1
20)と平行な方向へ移動する移動ブロック(312)と、気相
有機物の移送管(210)及び移動軸(130)が蒸着チェンバ-
(100)を貫通した部分に位置されており、高真空の蒸着
チェンバ-(100)と低真空または大気状態の補助チェンバ
-(300)間の真空度差を緩衝及び隔離させつつ、両側2つ
のチェンバ-を連結せしめる密封フランジ(320)及びベロ
-ズ(322)と、有機物チェンバ-(200)とを内部に備える。
【００２５】図2bは、図2aにおけるA-A線矢視断面図を
示す。図2bから見るように、蒸着チェンバ-(100)内に
は、上部面と側面に蒸着チェンバ-(100)の内部温度を一
定温度に保持する保温ヒ-タ-(130)が備えられており、
蒸着チェンバ-(100)の床面には有機物を蒸着させる母材
(10)を安着せしめる母材安着部(140)が備えられてお
り、母材安着部(140)の上部には気相有機物を噴射する
噴射部(110)が位置する。さらに、蒸着チェンバ-(100)
の下端外面には蒸着チェンバ-(100)内を高真空につくる
真空ポンプ(150)を備える。
示す。図2bから見るように、蒸着チェンバ-(100)内に
は、上部面と側面に蒸着チェンバ-(100)の内部温度を一
定温度に保持する保温ヒ-タ-(130)が備えられており、
蒸着チェンバ-(100)の床面には有機物を蒸着させる母材
(10)を安着せしめる母材安着部(140)が備えられてお
り、母材安着部(140)の上部には気相有機物を噴射する
噴射部(110)が位置する。さらに、蒸着チェンバ-(100)
の下端外面には蒸着チェンバ-(100)内を高真空につくる
真空ポンプ(150)を備える。
【００２６】補助チェンバ-(300)内の下端には、有機物
を気化せしめる有機物チェンバ-(200)が備えられてお
り、有機物チェンバ-(200)から引き出された気相有機物
が噴射部(110)まで移送されうるよう、移送路の役割を
果す気相有機物の移送管(210)が有機物チェンバ-(200)
の上端に連結されており、有機物チェンバ-(200)と気相
有機物の移送管(210)との間には、噴射部(110)の移動を
制御する移送部(314)が位置されている。さらに、補助
チェンバ-(300)は不活性ガスを有機物チェンバ-(200)内
に注入し、不活性ガスの注入量を制御する流量制御部を
外部に備える。 有機物チェンバ-(200)に注入される不
活性ガスは気相有機物の移動媒体の役割を果し、気相有
機物の移送量を微細に制御し、気相有機物を均一に分散
せしめる役割を果す。
を気化せしめる有機物チェンバ-(200)が備えられてお
り、有機物チェンバ-(200)から引き出された気相有機物
が噴射部(110)まで移送されうるよう、移送路の役割を
果す気相有機物の移送管(210)が有機物チェンバ-(200)
の上端に連結されており、有機物チェンバ-(200)と気相
有機物の移送管(210)との間には、噴射部(110)の移動を
制御する移送部(314)が位置されている。さらに、補助
チェンバ-(300)は不活性ガスを有機物チェンバ-(200)内
に注入し、不活性ガスの注入量を制御する流量制御部を
外部に備える。 有機物チェンバ-(200)に注入される不
活性ガスは気相有機物の移動媒体の役割を果し、気相有
機物の移送量を微細に制御し、気相有機物を均一に分散
せしめる役割を果す。
【００２７】図2cは、図2aのB-B線矢視断面図を示す。
図2cから見るように、噴射部(110)と結合されているガ
イド板(112)は、噴射部(110)の運動方向を案内するガイ
ドレ-ル(120)と摺動可能な構造で結合されており、母材
(10)を安着せしめる母材安着部(140)は水平面方向へ微
細移動が可能に電磁石(142)を利用した電磁石移動装置
を備える。
図2cから見るように、噴射部(110)と結合されているガ
イド板(112)は、噴射部(110)の運動方向を案内するガイ
ドレ-ル(120)と摺動可能な構造で結合されており、母材
(10)を安着せしめる母材安着部(140)は水平面方向へ微
細移動が可能に電磁石(142)を利用した電磁石移動装置
を備える。
【００２８】母材安着部(140)に適用される電磁石移動
装置は、特許出願された"電磁石を利用した有機電界発
光素子製作用蒸着装置及びこれ利用した蒸着方法"(出願
番号:10-2001-0077739)の技術を引用して構成されうる
が、これに限定されるのではない。さらに、電磁石移動
装置以外の従来の移動装置を採用するのも可能であるこ
とはいうまでもない。
装置は、特許出願された"電磁石を利用した有機電界発
光素子製作用蒸着装置及びこれ利用した蒸着方法"(出願
番号:10-2001-0077739)の技術を引用して構成されうる
が、これに限定されるのではない。さらに、電磁石移動
装置以外の従来の移動装置を採用するのも可能であるこ
とはいうまでもない。
【００２９】ガイドレ-ル(120)を伝って噴射部(110)の
位置を調整して電磁石の移動装置を利用して母材安着部
(140)の位置を調整することによって、噴射部(110)と母
材(10)の位置をより適確に整列できるようになり、これ
につれて、より適確で、かつ効果的な気相有機物の噴射
が図られることになる。
位置を調整して電磁石の移動装置を利用して母材安着部
(140)の位置を調整することによって、噴射部(110)と母
材(10)の位置をより適確に整列できるようになり、これ
につれて、より適確で、かつ効果的な気相有機物の噴射
が図られることになる。
【００３０】図2dは、図2bのC部の有機物チェンバ-の詳
細図である。有機物チェンバ-(200)は、有機物を貯蔵で
きるよう、内部空間を備える耐熱材質の密閉型状に形成
されており、気相有機物を運搬する運搬ガスが引き込ま
れるよう、ホ-ル形状に形成された運搬ガス引込ホ-ル(2
22)と有機物蒸気及び運搬ガスが引き出されうるよう、
ホ-ル形状に形成された気相有機物の引出ホ-ル(224)が
形成されているるつぼ(220)と、るつぼ(220)の外部に囲
繞されており、有機物が蒸発される温度まで前記有機物
チェンバ-内を加熱する有機物加熱ヒ-タ-(230)を内部に
含む。
細図である。有機物チェンバ-(200)は、有機物を貯蔵で
きるよう、内部空間を備える耐熱材質の密閉型状に形成
されており、気相有機物を運搬する運搬ガスが引き込ま
れるよう、ホ-ル形状に形成された運搬ガス引込ホ-ル(2
22)と有機物蒸気及び運搬ガスが引き出されうるよう、
ホ-ル形状に形成された気相有機物の引出ホ-ル(224)が
形成されているるつぼ(220)と、るつぼ(220)の外部に囲
繞されており、有機物が蒸発される温度まで前記有機物
チェンバ-内を加熱する有機物加熱ヒ-タ-(230)を内部に
含む。
【００３１】管形状に形成されており、図2bに示す流量
制御部(400)に連結されている運搬ガス引込管(240)は、
有機物チェンバ-(200)を貫通してるつぼ(220)に形成さ
れた運搬ガス引込ホ-ル(222)に連結されることによっ
て、流量制御部(400)から注入される不活性ガスがるつ
ぼ(220)内に引き込まれるようにする。
制御部(400)に連結されている運搬ガス引込管(240)は、
有機物チェンバ-(200)を貫通してるつぼ(220)に形成さ
れた運搬ガス引込ホ-ル(222)に連結されることによっ
て、流量制御部(400)から注入される不活性ガスがるつ
ぼ(220)内に引き込まれるようにする。
【００３２】さらに、管形状に形成されており、図2bに
示す噴射部(110)に連結されている気相有機物の移送管
(210)は、有機物チェンバ-(200)を貫通してるつぼ(220)
に形成された運搬ガス引出ホ-ル(224)に連結されること
によって、有機物加熱ヒ-タ-(230)によって加熱されて
気化された有機物が母材に気相有機物を噴射する噴射部
(110)に移送されるようにする。
示す噴射部(110)に連結されている気相有機物の移送管
(210)は、有機物チェンバ-(200)を貫通してるつぼ(220)
に形成された運搬ガス引出ホ-ル(224)に連結されること
によって、有機物加熱ヒ-タ-(230)によって加熱されて
気化された有機物が母材に気相有機物を噴射する噴射部
(110)に移送されるようにする。
【００３３】図3は、この発明に従う気相有機物の蒸着
装置のさまざまな動作態様を示す。図3aは、シャワ-ヘ
ッド形状の噴射部が移動し、気相有機物を噴射する状態
を示す。
装置のさまざまな動作態様を示す。図3aは、シャワ-ヘ
ッド形状の噴射部が移動し、気相有機物を噴射する状態
を示す。
【００３４】気相有機物の(22)を噴射する噴射部の態様
は、気相有機物の(22)が均一に噴射されうるよう気相有
機物の(22)が噴射される噴射口をさまざまな形状に製作
できる。図3aでは噴射口(図示せず)が小経で複数個を形
成されたシャワ-ヘッド形状の噴射部を利用して蒸着作
業を行う形状を示している。
は、気相有機物の(22)が均一に噴射されうるよう気相有
機物の(22)が噴射される噴射口をさまざまな形状に製作
できる。図3aでは噴射口(図示せず)が小経で複数個を形
成されたシャワ-ヘッド形状の噴射部を利用して蒸着作
業を行う形状を示している。
【００３５】噴射部が一定位置に固定されて気相有機物
を噴射する場合は、気相有機物が母材の全面にわたって
均一に噴射されない問題点が生じるが、図3aから見るよ
うに、母材(10)の上面に気相有機物の(22)を噴射する噴
射部(110)がガイドレ-ル方向へ水平移動して気相有機物
の(22)を噴射すると、母材(10)の全面にわたって気相有
機物の(22)を均一に蒸着される。この場合、母材(10)に
蒸着される気相有機物の(22)が2種以上の場合は、噴射
部(110)に気相有機物を移送する以前の気相有機物の移
送管(210)に異種の気相有機物を混合する混合タンク(25
0)を備えて、2種以上の気相有機物のが均一に混合され
うるようにする。さらに、混合タンク(250)内には、2種
以上の気相有機物のが混合タンク(250)内に引き込まれ
て混合タンク(250)外部に引き出される中に均質に混ぜ
られるようにするために、1つ以上の隔膜を備える。
を噴射する場合は、気相有機物が母材の全面にわたって
均一に噴射されない問題点が生じるが、図3aから見るよ
うに、母材(10)の上面に気相有機物の(22)を噴射する噴
射部(110)がガイドレ-ル方向へ水平移動して気相有機物
の(22)を噴射すると、母材(10)の全面にわたって気相有
機物の(22)を均一に蒸着される。この場合、母材(10)に
蒸着される気相有機物の(22)が2種以上の場合は、噴射
部(110)に気相有機物を移送する以前の気相有機物の移
送管(210)に異種の気相有機物を混合する混合タンク(25
0)を備えて、2種以上の気相有機物のが均一に混合され
うるようにする。さらに、混合タンク(250)内には、2種
以上の気相有機物のが混合タンク(250)内に引き込まれ
て混合タンク(250)外部に引き出される中に均質に混ぜ
られるようにするために、1つ以上の隔膜を備える。
【００３６】図3bは、シャワ-ヘッド形状の噴射部が気
相有機物を噴射する際、母材を安着させた母材安着部が
電磁石を利用した移送方法を通して水平方向へ移動する
状態を示す。
相有機物を噴射する際、母材を安着させた母材安着部が
電磁石を利用した移送方法を通して水平方向へ移動する
状態を示す。
【００３７】噴射部(110)が気相有機物の(22)を噴射す
る中に噴射部(110)を水平方向へ移動する図2aの場合と
は逆に、図3bでのように、噴射部(110)が気相有機物の
(22)を噴射する中に母材(10)を安着させた母材安着部(1
40)を水平方向へ移動させると、母材(10)の上面に気相
有機物(22)が均一に蒸着される図2aでの効果と同一の効
果が得られることになる。さらに、ガイドレ-ルによっ
て噴射部(110)が移動する図3aでの場合とは異なり、図3
bでのように、噴射部(110)が気相有機物の(22)を噴射す
る中、母材安着部(140)を水平方向へ移動せしめる方法
は、電磁石を利用した移送方法を使用するため、より微
細に母材安着部(140)の移動を制御できるようになる。
る中に噴射部(110)を水平方向へ移動する図2aの場合と
は逆に、図3bでのように、噴射部(110)が気相有機物の
(22)を噴射する中に母材(10)を安着させた母材安着部(1
40)を水平方向へ移動させると、母材(10)の上面に気相
有機物(22)が均一に蒸着される図2aでの効果と同一の効
果が得られることになる。さらに、ガイドレ-ルによっ
て噴射部(110)が移動する図3aでの場合とは異なり、図3
bでのように、噴射部(110)が気相有機物の(22)を噴射す
る中、母材安着部(140)を水平方向へ移動せしめる方法
は、電磁石を利用した移送方法を使用するため、より微
細に母材安着部(140)の移動を制御できるようになる。
【００３８】図3cは、噴射チュ-ブを利用して気相有機
物を母材に蒸着せしめる状態を示す。噴射チュ-ブを利
用する蒸着装置は、図3cに示すように、2種以上の気相
有機物を均一に混合する混合タンク(250)を通して蒸着
チェンバ-(100)内に移送された気相有機物(22)を石英、
セラミックスまたは金属材質からなり、直径3〜20mmの
管形状に形成された噴射チュ-ブ(112)を通して母材(10)
の上面に蒸着せしめる構造をもっている。噴射チュ-ブ
(112)を利用した気相有機物の蒸着装置は平坦で、かつ
迅速な高速成膜の有機薄膜を形成する。
物を母材に蒸着せしめる状態を示す。噴射チュ-ブを利
用する蒸着装置は、図3cに示すように、2種以上の気相
有機物を均一に混合する混合タンク(250)を通して蒸着
チェンバ-(100)内に移送された気相有機物(22)を石英、
セラミックスまたは金属材質からなり、直径3〜20mmの
管形状に形成された噴射チュ-ブ(112)を通して母材(10)
の上面に蒸着せしめる構造をもっている。噴射チュ-ブ
(112)を利用した気相有機物の蒸着装置は平坦で、かつ
迅速な高速成膜の有機薄膜を形成する。
【００３９】図3dは、噴射チュ-ブが回転及び上下に移
動をし、母材に気相有機物を蒸着せしめる状態を示す。
図3cに示す蒸着装置は、蒸着チェンバ-(100)の上端に噴
射チュ-ブ(112)を回転せしめる回転モ-タ(114)と、噴射
チュ-ブ(112)を上下垂直に移動せしめる垂直移動モ-タ
(116)を備えて、噴射チュ-ブ(112)が回転及び上下移動
をしつつ気相有機物の(22)を母材(10)の上端に噴射でき
るように構成されている。さらに、噴射チュ-ブ(112)は
回転モ-タ(114)によって回転される際、気相有機物の(2
2)が噴射される噴射チュ-ブ(112)の終端が円運動をでき
るよう、段付型の屈折をもつように形成される。
動をし、母材に気相有機物を蒸着せしめる状態を示す。
図3cに示す蒸着装置は、蒸着チェンバ-(100)の上端に噴
射チュ-ブ(112)を回転せしめる回転モ-タ(114)と、噴射
チュ-ブ(112)を上下垂直に移動せしめる垂直移動モ-タ
(116)を備えて、噴射チュ-ブ(112)が回転及び上下移動
をしつつ気相有機物の(22)を母材(10)の上端に噴射でき
るように構成されている。さらに、噴射チュ-ブ(112)は
回転モ-タ(114)によって回転される際、気相有機物の(2
2)が噴射される噴射チュ-ブ(112)の終端が円運動をでき
るよう、段付型の屈折をもつように形成される。
【００４０】回転モ-タ(114)及び垂直移動モ-タ(116)に
よって噴射チュ-ブ(112)の位置を自在に調整できること
から、図3cに示す蒸着装置は気相有機物をより均一に噴
射できるようになる。
よって噴射チュ-ブ(112)の位置を自在に調整できること
から、図3cに示す蒸着装置は気相有機物をより均一に噴
射できるようになる。
【００４１】図4は、有機物を加熱して発生した気相有
機物に運搬ガスを混合する過程を示す図4aは、るつぼ内
で気相有機物と運搬ガスとを混合する状態を示す。図4a
に示すように、有機物加熱ヒ-タ-(230)によって加熱さ
れて気化された有機物(20)は、るつぼ(220)内で連結さ
れた運搬ガス引込管(240)を伝って引き込まれる運搬ガ
スとるつぼ(220)内で混合される。図4aに示す方法で気
相有機物と運搬ガスとを混合すると、有機物が気化され
るとともに、運搬ガスと混合されるため、混合が容易に
なり、2種の気体が均質に混合される長所がある。
機物に運搬ガスを混合する過程を示す図4aは、るつぼ内
で気相有機物と運搬ガスとを混合する状態を示す。図4a
に示すように、有機物加熱ヒ-タ-(230)によって加熱さ
れて気化された有機物(20)は、るつぼ(220)内で連結さ
れた運搬ガス引込管(240)を伝って引き込まれる運搬ガ
スとるつぼ(220)内で混合される。図4aに示す方法で気
相有機物と運搬ガスとを混合すると、有機物が気化され
るとともに、運搬ガスと混合されるため、混合が容易に
なり、2種の気体が均質に混合される長所がある。
【００４２】図4bは、るつぼの外部で気相有機物と運搬
ガスとを混合する状態を示す。図4bに示す混合装置は、
有機物チェンバ-(200)の外部に位置する気相有機物の移
送管(210)に運搬ガス引込管(240)を結合させた構造に形
成されている。有機物加熱ヒ-タ-(230)によって加熱さ
れて気化された有機物(20)は気相有機物の移送管(210)
を伝って移送される途中に、気相有機物の移送管(210)
に結合された運搬ガス引込管(240)を通して引き込まれ
る運搬ガスと混合される。かかる混合装置は、るつぼ(2
20)及び有機物チェンバ-(200)に運搬ガス引込管(240)を
結合させることから、別途に構成する必要がないため、
製作が容易になるとの長所がある。
ガスとを混合する状態を示す。図4bに示す混合装置は、
有機物チェンバ-(200)の外部に位置する気相有機物の移
送管(210)に運搬ガス引込管(240)を結合させた構造に形
成されている。有機物加熱ヒ-タ-(230)によって加熱さ
れて気化された有機物(20)は気相有機物の移送管(210)
を伝って移送される途中に、気相有機物の移送管(210)
に結合された運搬ガス引込管(240)を通して引き込まれ
る運搬ガスと混合される。かかる混合装置は、るつぼ(2
20)及び有機物チェンバ-(200)に運搬ガス引込管(240)を
結合させることから、別途に構成する必要がないため、
製作が容易になるとの長所がある。
【００４３】図5は、るつぼ及び気相有機物の引出ホ-ル
のさまざまな形状を示す。図5aは、直方体形状に形成さ
れており、上端部に1つの気相有機物の引出ホ-ルを備え
るるつぼの形状を示す。
のさまざまな形状を示す。図5aは、直方体形状に形成さ
れており、上端部に1つの気相有機物の引出ホ-ルを備え
るるつぼの形状を示す。
【００４４】図5aに示すように、直方体形状のるつぼ(2
20)は、るつぼ(220)内の有機物を加熱する有機物加熱ヒ
-タ-(230)で外部が囲繞されており、上端部には気相有
機物が引き出される気相有機物の引出ホ-ル(222)が備え
られている。
20)は、るつぼ(220)内の有機物を加熱する有機物加熱ヒ
-タ-(230)で外部が囲繞されており、上端部には気相有
機物が引き出される気相有機物の引出ホ-ル(222)が備え
られている。
【００４５】図5bは、直方体形状に形成されており、上
端部に複数の気相有機物の引出ホ-ルを備えるるつぼの
形状を示す。母材に気相有機物を迅速に蒸着せしめる高
速成膜のためには、より多い流量の気相有機物を引き出
すべきであるが、図5aに示すように、るつぼ(220)の上
端に1つの気相有機物の引出ホ-ル(222)を備えていて
は、多い流量の気相有機物が引き出されないという問題
点がある。かような問題点を解決するため、図5bに示す
ように、るつぼ(220)の上端部に複数の気相有機物の引
出ホ-ル(222)を備えていると、より多い流量の気相有機
物が引き出されうることになる。
端部に複数の気相有機物の引出ホ-ルを備えるるつぼの
形状を示す。母材に気相有機物を迅速に蒸着せしめる高
速成膜のためには、より多い流量の気相有機物を引き出
すべきであるが、図5aに示すように、るつぼ(220)の上
端に1つの気相有機物の引出ホ-ル(222)を備えていて
は、多い流量の気相有機物が引き出されないという問題
点がある。かような問題点を解決するため、図5bに示す
ように、るつぼ(220)の上端部に複数の気相有機物の引
出ホ-ル(222)を備えていると、より多い流量の気相有機
物が引き出されうることになる。
【００４６】図5cは、円筒形状に形成されており、上端
部に1つの気相有機物の引出ホ-ルを備えるるつぼの形状
を示す。るつぼ(220)内の有機物をより効果的に気化さ
せるために、るつぼ(220)をさまざまな形状に製作する
こともできる。るつぼ(220)の形状が直方体に製作され
た場合は、るつぼ(220)を囲繞している有機物加熱ヒ-タ
-(230)から発生する熱がるつぼ(220)の外部面の全体に
均一に伝達されないことによって、多量の熱損失が発生
し、これによって、気相有機物の発生量を適確に調節で
きないという問題点がある。かかる問題点を解決するた
め、図5cに示すように、るつぼ(220)の形状を円筒形に
製作して、有機物加熱ヒ-タ-(230)から発生する熱がる
つぼ(220)の外部面全体に均一に伝達されうるようにす
る。このように、るつぼ(220)の形状を変更することに
よって、有機物加熱ヒ-タ-(230)から発生する熱をより
効率的に使用できるし、気相有機物の発生量を容易に調
節できることになる。さらに、るつぼ(220)の形状は図5
に示す直方体及び円筒形状に限定されず、多面体及び球
形の形状に変形が可能である。
部に1つの気相有機物の引出ホ-ルを備えるるつぼの形状
を示す。るつぼ(220)内の有機物をより効果的に気化さ
せるために、るつぼ(220)をさまざまな形状に製作する
こともできる。るつぼ(220)の形状が直方体に製作され
た場合は、るつぼ(220)を囲繞している有機物加熱ヒ-タ
-(230)から発生する熱がるつぼ(220)の外部面の全体に
均一に伝達されないことによって、多量の熱損失が発生
し、これによって、気相有機物の発生量を適確に調節で
きないという問題点がある。かかる問題点を解決するた
め、図5cに示すように、るつぼ(220)の形状を円筒形に
製作して、有機物加熱ヒ-タ-(230)から発生する熱がる
つぼ(220)の外部面全体に均一に伝達されうるようにす
る。このように、るつぼ(220)の形状を変更することに
よって、有機物加熱ヒ-タ-(230)から発生する熱をより
効率的に使用できるし、気相有機物の発生量を容易に調
節できることになる。さらに、るつぼ(220)の形状は図5
に示す直方体及び円筒形状に限定されず、多面体及び球
形の形状に変形が可能である。
【００４７】図5dは、円筒形形状に形成されており、上
端部に複数の気相有機物の引出ホ-ルを備えるるつぼの
形状を示す。図5cに示す円筒形状のるつぼ(220)からよ
り多い流量の気相有機物を引き出す必要がある場合は、
図5bの場合と同様、るつぼ(220)の上端面に複数の気相
有機物の引出ホ-ルを備えることができる。
端部に複数の気相有機物の引出ホ-ルを備えるるつぼの
形状を示す。図5cに示す円筒形状のるつぼ(220)からよ
り多い流量の気相有機物を引き出す必要がある場合は、
図5bの場合と同様、るつぼ(220)の上端面に複数の気相
有機物の引出ホ-ルを備えることができる。
【００４８】図6は、気相有機物の移送管の外部に定温
ヒ-タ-を備えた状態を示す。るつぼ(220)から発生され
た気相有機物のが気相有機物の移送管(210)を通して移
送される際、気相有機物の移送管(210)が外部空気と接
触して冷却されると、気相有機物の移送管(210)内で流
動する気相有機物も冷却されるが、かかる場合、気相有
機物が蒸着に適切な温度以下に冷却されると、母材への
蒸着が不良になるという問題点が生じることになる。か
かる問題点を解決するために、図6に示すように、気相
有機物の移送管(210)の外部には、熱を発生する熱線(26
2)と加熱温度を精密に保持及び調節する定温発熱素子シ
ステム(264)を含む定温ヒ-タ-(260)とを備える。
ヒ-タ-を備えた状態を示す。るつぼ(220)から発生され
た気相有機物のが気相有機物の移送管(210)を通して移
送される際、気相有機物の移送管(210)が外部空気と接
触して冷却されると、気相有機物の移送管(210)内で流
動する気相有機物も冷却されるが、かかる場合、気相有
機物が蒸着に適切な温度以下に冷却されると、母材への
蒸着が不良になるという問題点が生じることになる。か
かる問題点を解決するために、図6に示すように、気相
有機物の移送管(210)の外部には、熱を発生する熱線(26
2)と加熱温度を精密に保持及び調節する定温発熱素子シ
ステム(264)を含む定温ヒ-タ-(260)とを備える。
【００４９】さらに、定温ヒ-タ-(260)は有機物チェン
バ-(200)の温度を一定に保持するため、有機物チェンバ
-(200)にも備えることができる。
バ-(200)の温度を一定に保持するため、有機物チェンバ
-(200)にも備えることができる。
【００５０】[実施例2]次に、この発明の目的を達成す
るために、有機半導体の製作時に使用される広い面積基
板を使用可能な実施例2の有機半導体装置の製造装置及
びその製造方法を図7に沿って述べることにする。
るために、有機半導体の製作時に使用される広い面積基
板を使用可能な実施例2の有機半導体装置の製造装置及
びその製造方法を図7に沿って述べることにする。
【００５１】図7の有機半導体システムにおいて、実施
例2の広い面積基板の気相有機物蒸着装置(700)は、不活
性ガスを保有したガスレザバ-(701)と、該ガスレザバ-
(701)とMFC(702)を介在させて、不活性ガスを加熱する
ガスヒ-タ-(703)と、ヒ-タ-パイプ(706)内に連結管(70
7)が設置され、少なくとも1つの蒸着ソ-スタンク(714)
と蒸着されるガス及び有機物質を内装した蒸着ソ-スタ
ンク(714)と、蒸着ガスの移動を監視して調整する蒸着
速度調整器(715)を備えたスキャンヘッド(709)と、バッ
ファ-チェンバ-(711)と、前記蒸着ガスの移動をゲ-ティ
ングまたは開放及び閉鎖するゲ-ト弁(711))と、前記少
なくとも1つの蒸着ソ-スタンク(714)から流入されたガ
スを広い面積基板(712)に蒸着する蒸着チェンバ-(713)
とを備える。
例2の広い面積基板の気相有機物蒸着装置(700)は、不活
性ガスを保有したガスレザバ-(701)と、該ガスレザバ-
(701)とMFC(702)を介在させて、不活性ガスを加熱する
ガスヒ-タ-(703)と、ヒ-タ-パイプ(706)内に連結管(70
7)が設置され、少なくとも1つの蒸着ソ-スタンク(714)
と蒸着されるガス及び有機物質を内装した蒸着ソ-スタ
ンク(714)と、蒸着ガスの移動を監視して調整する蒸着
速度調整器(715)を備えたスキャンヘッド(709)と、バッ
ファ-チェンバ-(711)と、前記蒸着ガスの移動をゲ-ティ
ングまたは開放及び閉鎖するゲ-ト弁(711))と、前記少
なくとも1つの蒸着ソ-スタンク(714)から流入されたガ
スを広い面積基板(712)に蒸着する蒸着チェンバ-(713)
とを備える。
【００５２】図7を参照すると、ガスレザバ-(701)には
不活性気体(Ar、He、N2、…)と酸素及び既存のCVDで使
用される爆発性のないすべての種類のガスが使用されう
るし、このガスがMFC(702)を通して熱蒸着ソ-スタンク
(714)内でガス量が調整されつつ注入され、ガスヒ-タ-
(703)を使用して攝氏200〜600℃の高温でガスを加熱し
て熱源内に注入する。
不活性気体(Ar、He、N2、…)と酸素及び既存のCVDで使
用される爆発性のないすべての種類のガスが使用されう
るし、このガスがMFC(702)を通して熱蒸着ソ-スタンク
(714)内でガス量が調整されつつ注入され、ガスヒ-タ-
(703)を使用して攝氏200〜600℃の高温でガスを加熱し
て熱源内に注入する。
【００５３】この発明においては、有機物粒子と高温ガ
スが共に存在する状態、つまり、固体と気体のばらつく
状態をSolid Gas Heterogeneous Phase(以下、SGHPと
いう)といい、希釈された状態の物質を不活性SGHPの物
質と命名する。さらに、蒸着ソ-スタンク(714)内にある
有機物、例えば、Alq3のような物質と共に希釈(dilutio
n)されて、蒸着ソ-スタンク(714)内に存在することにな
る。不活性SGHPの物質は、蒸着ソ-スタンク(714)にある
熱源によって加熱され、蒸着ソ-スタンク(714)内のSGHP
は対流効果によって加熱されて多量の有機物気体相を発
生させることのできる性質をもっている。さらに、有機
半導体の蒸着チェンバ-(713)の連結管(707)を通して蒸
着チェンバ-(713)と蒸着ソ-スタンク(714)との間の圧力
差を利用して蒸着チェンバ-(713)内に有機半導体である
SGHP物質が注入される。この過程において、連結管(70
7)内での気相有機物が積もるのを防止するために、連結
管(707)が高温に加熱される。とりわけ、Alq3の使用時
には320℃に加熱することが好ましい。この加熱過程で
の連結管(707)の熱損失を防止し、温度勾配(gradiant)
を一定に保持するために二重に管を形成して、連結管(7
07)を真空状態に保持して連結管(707)の温度を保持す
る。さらに、多量の物質保管が可能な蒸着ソ-スタンク
を採用して、下向式においてはマスクによるシャドウ効
果が除去されうることから、厚さの厚いシャドウマスク
ga使用できる。つまり、シャドウマスクの整列部分の整
列誤差を減少させて長時間の工程進行が可能となる。
スが共に存在する状態、つまり、固体と気体のばらつく
状態をSolid Gas Heterogeneous Phase(以下、SGHPと
いう)といい、希釈された状態の物質を不活性SGHPの物
質と命名する。さらに、蒸着ソ-スタンク(714)内にある
有機物、例えば、Alq3のような物質と共に希釈(dilutio
n)されて、蒸着ソ-スタンク(714)内に存在することにな
る。不活性SGHPの物質は、蒸着ソ-スタンク(714)にある
熱源によって加熱され、蒸着ソ-スタンク(714)内のSGHP
は対流効果によって加熱されて多量の有機物気体相を発
生させることのできる性質をもっている。さらに、有機
半導体の蒸着チェンバ-(713)の連結管(707)を通して蒸
着チェンバ-(713)と蒸着ソ-スタンク(714)との間の圧力
差を利用して蒸着チェンバ-(713)内に有機半導体である
SGHP物質が注入される。この過程において、連結管(70
7)内での気相有機物が積もるのを防止するために、連結
管(707)が高温に加熱される。とりわけ、Alq3の使用時
には320℃に加熱することが好ましい。この加熱過程で
の連結管(707)の熱損失を防止し、温度勾配(gradiant)
を一定に保持するために二重に管を形成して、連結管(7
07)を真空状態に保持して連結管(707)の温度を保持す
る。さらに、多量の物質保管が可能な蒸着ソ-スタンク
を採用して、下向式においてはマスクによるシャドウ効
果が除去されうることから、厚さの厚いシャドウマスク
ga使用できる。つまり、シャドウマスクの整列部分の整
列誤差を減少させて長時間の工程進行が可能となる。
【００５４】上述のように、連結管(707)を絶えず通し
てスキャンヘッド(709)に注入された気相有機物は、基
板(712)上に蒸着されることになる。この際、スキャン
ヘッド(709)内には気相有機物の蒸着を防止するため
に、連結管(707)のような方式で抵抗性の熱源を使用し
て加熱されることになる。さらに、実際の基板上にスキ
ャンヘッド(709)での蒸着工程が行われない場合は、バ
ッファ-チェンバ-(710)にスキャンヘッド(709)を移動さ
せて位置することになる。さらに、バッファ-チェンバ-
(710)と蒸着チェンバ-(713)はゲ-ト弁(711)を利用して
完全に分離されて、スキャンヘッド(709)の熱源の広い
面積基板上と蒸着チェンバ-(713)内の温度上昇を防止す
る。
てスキャンヘッド(709)に注入された気相有機物は、基
板(712)上に蒸着されることになる。この際、スキャン
ヘッド(709)内には気相有機物の蒸着を防止するため
に、連結管(707)のような方式で抵抗性の熱源を使用し
て加熱されることになる。さらに、実際の基板上にスキ
ャンヘッド(709)での蒸着工程が行われない場合は、バ
ッファ-チェンバ-(710)にスキャンヘッド(709)を移動さ
せて位置することになる。さらに、バッファ-チェンバ-
(710)と蒸着チェンバ-(713)はゲ-ト弁(711)を利用して
完全に分離されて、スキャンヘッド(709)の熱源の広い
面積基板上と蒸着チェンバ-(713)内の温度上昇を防止す
る。
【００５５】バッファ-チェンバ-(710)にスキャンヘッ
ド(709)が位置している場合、スキャンヘッド(709)から
噴射される気相有機物の量をバッファ-チェンバ-(710)
内にある速度モニタ-用のクリスタルセンサ(715)を使用
して、ガスの流量を調整して安定化させる。実際の蒸着
チェンバ-内には、厚さ測定システムが存在せずに工程
での厚さの調整は工程時間の調整を利用して行われる。
ド(709)が位置している場合、スキャンヘッド(709)から
噴射される気相有機物の量をバッファ-チェンバ-(710)
内にある速度モニタ-用のクリスタルセンサ(715)を使用
して、ガスの流量を調整して安定化させる。実際の蒸着
チェンバ-内には、厚さ測定システムが存在せずに工程
での厚さの調整は工程時間の調整を利用して行われる。
【００５６】図8は、図7の内部のSGHP有機物質を効果的
に処理できる複数個の蒸着ソ-スタンクとスキャンヘッ
ドの設置を示す図である。図8において、複数個、例え
ば、第1、2、3の蒸着ソ-スタンク(741、742、743)は、
多量の有機物質を供給して、そのタンクのそれぞれに連
結されている第1、2、3の連結管(771、772、773)を経て
第1、2、3のスキャンヘッド(791、792、739)を通して有
機物質を供給する。さらに、前記バッファ-チェンバ-内
には、スキャンヘッドが移動するとともに、これに伴っ
て分離された有機物質が収集されて再循環するよう補助
るつぼ(745)を含む。
に処理できる複数個の蒸着ソ-スタンクとスキャンヘッ
ドの設置を示す図である。図8において、複数個、例え
ば、第1、2、3の蒸着ソ-スタンク(741、742、743)は、
多量の有機物質を供給して、そのタンクのそれぞれに連
結されている第1、2、3の連結管(771、772、773)を経て
第1、2、3のスキャンヘッド(791、792、739)を通して有
機物質を供給する。さらに、前記バッファ-チェンバ-内
には、スキャンヘッドが移動するとともに、これに伴っ
て分離された有機物質が収集されて再循環するよう補助
るつぼ(745)を含む。
【００５７】図9は、SGHP有機物質を移動させることの
できる蒸着チェンバ-内のスキャンヘッドの動作方法に
ついて述べる図である。図9の発明におけるスキャンヘ
ッド(709)を利用する蒸着方法は、HIVACポンプ(714)に
よって気相有機物自体がラミナフロ-(laminar flow)ポ
ンピング作動して矢印L、L'、L"、及びL’’’方向へ移
動して、これにつれてゲ-ト弁(711)の開閉動作下で蒸着
が行われる。ポンピングポ-ト(732)は基板の下に配置さ
せることによって、気相有機物自体のフロ-が安定的に
行えるようにして、広い面積基板にける蒸着された有機
物薄膜の厚さの均一度が一定に保持されるようにするこ
とができる。したがって、矢印L、L’、L”、及び
L’’’方向への蒸着損失がほとんどないため、材料の
活用効率が極めて高められる長所がある。
できる蒸着チェンバ-内のスキャンヘッドの動作方法に
ついて述べる図である。図9の発明におけるスキャンヘ
ッド(709)を利用する蒸着方法は、HIVACポンプ(714)に
よって気相有機物自体がラミナフロ-(laminar flow)ポ
ンピング作動して矢印L、L'、L"、及びL’’’方向へ移
動して、これにつれてゲ-ト弁(711)の開閉動作下で蒸着
が行われる。ポンピングポ-ト(732)は基板の下に配置さ
せることによって、気相有機物自体のフロ-が安定的に
行えるようにして、広い面積基板にける蒸着された有機
物薄膜の厚さの均一度が一定に保持されるようにするこ
とができる。したがって、矢印L、L’、L”、及び
L’’’方向への蒸着損失がほとんどないため、材料の
活用効率が極めて高められる長所がある。
【００５８】図10は、図8の内部のSGHP有機物質を移動
させることのできるスキャンヘッドの移動方法を述べる
図である。図10において、蒸着工程におけるスキャンヘ
ッド(709)の長手方向への運動は、モ-タ(717)を利用し
てピストンロッド(718)が一定の速度で符号P〜P’の往
復運動をしつつ行われる。基板の大きさに応じてスキャ
ンヘッド(719)の長さとモ-タ(717)を使用するスキャン
ヘッド(709)の長手方向への運動の長さが決定される。
また、スキャンヘッドは気相有機物の発生量を流速調整
器(716)によって別に調整する。
させることのできるスキャンヘッドの移動方法を述べる
図である。図10において、蒸着工程におけるスキャンヘ
ッド(709)の長手方向への運動は、モ-タ(717)を利用し
てピストンロッド(718)が一定の速度で符号P〜P’の往
復運動をしつつ行われる。基板の大きさに応じてスキャ
ンヘッド(719)の長さとモ-タ(717)を使用するスキャン
ヘッド(709)の長手方向への運動の長さが決定される。
また、スキャンヘッドは気相有機物の発生量を流速調整
器(716)によって別に調整する。
【００５９】図11は、有機半導体装置の気相有機物の発
生方法を述べる図である。図11において、気相有機物の
発生は蒸着ソ-スタンク(714)と、外部熱源ヒ-タ-(701)
と、蒸着ソ-スタンク(714)内の有機物粒子(752)と、蒸
着ソ-スタンク(714)内の高温ガス(753)と、蒸着ソ-スタ
ンク(714)内の保管された有機物質(754)及びガス注入管
(755)とからなる。次に、この発明の半導体装置の気相
有機物の発生方法において気相有機物の発生時に有機半
導体に使用される物質は熱伝導度が低いため、一般的な
セル方式の熱源を使用することになると、有機物の気相
化が難しく、特定部位に熱が集中されるため、蒸着ソ-
スタンク(714)内の有機物質の変質が発生されやすい。
生方法を述べる図である。図11において、気相有機物の
発生は蒸着ソ-スタンク(714)と、外部熱源ヒ-タ-(701)
と、蒸着ソ-スタンク(714)内の有機物粒子(752)と、蒸
着ソ-スタンク(714)内の高温ガス(753)と、蒸着ソ-スタ
ンク(714)内の保管された有機物質(754)及びガス注入管
(755)とからなる。次に、この発明の半導体装置の気相
有機物の発生方法において気相有機物の発生時に有機半
導体に使用される物質は熱伝導度が低いため、一般的な
セル方式の熱源を使用することになると、有機物の気相
化が難しく、特定部位に熱が集中されるため、蒸着ソ-
スタンク(714)内の有機物質の変質が発生されやすい。
【００６０】図11でのように、ガス注入管(755)を通し
て高温ガスを蒸着ソ-スタンク(714)内に噴射させて有機
物自体が蒸着ソ-スタンク(714)内でガスと有機物が希釈
されるようにする。これによって、蒸着ソ-スタンク(71
4)には、符号752、753番の有機物粒子と高温ガスが共存
状態になる。さらに、蒸着ソ-スタンク(714)外部には、
熱源ヒ-タ-(751)を使用して蒸着ソ-スタンク(714)の温
度を上昇させる。このヒ-ティング部分で共存状態の希
釈部分は熱伝導が対流方式で行われるようにして、多量
の気相有機物をつくることができる。さらに、既存の方
法に比べて低い熱源の外部温度においても多量の気相有
機物を発生させることができる。
て高温ガスを蒸着ソ-スタンク(714)内に噴射させて有機
物自体が蒸着ソ-スタンク(714)内でガスと有機物が希釈
されるようにする。これによって、蒸着ソ-スタンク(71
4)には、符号752、753番の有機物粒子と高温ガスが共存
状態になる。さらに、蒸着ソ-スタンク(714)外部には、
熱源ヒ-タ-(751)を使用して蒸着ソ-スタンク(714)の温
度を上昇させる。このヒ-ティング部分で共存状態の希
釈部分は熱伝導が対流方式で行われるようにして、多量
の気相有機物をつくることができる。さらに、既存の方
法に比べて低い熱源の外部温度においても多量の気相有
機物を発生させることができる。
【００６１】次に、図12は図11から発生された気相有機
物の発生に従う蒸着チェンバ-内での蒸着方法を述べる
図である。図12の気相有機物の蒸着〜運送方法について
述べると、上述のように、蒸着ソ-スタンク(714)内で多
量の気相有機物を発生させうることから、蒸着チェンバ
-(713)内の真空圧力と蒸着ソ-スタンク(714)内の真空圧
力差が100℃0倍以上の差が生じるように具現する。例え
ば、システムの真空度が10〜4Torrであれば、蒸着ソ-ス
タンク(714)の圧力は10〜1Torrになるよう圧力差を形成
すると、その圧力差を利用して蒸着ソ-スタンク(714)内
で蒸着チェンバ-への気相有機物が誘導できる。さら
に、連結管は気相有機物が蒸着されないようにするため
に高温で加熱する。図12の蒸着チェンバ-は、スキャン
ヘッド(761)と基板(762)を含むスキャニング方法を概略
に述べる。図12のスキャニング方法で誘導される気相有
機物は、実際的に基板上に蒸着すべきである。ところ
で、広い面積の基板上に一ぺんに気相有機物を蒸着せず
に、図12でのように、スキャンヘッド(709)の移動は基
板上の一定領域に蒸着が行われるようにして、スキャン
ヘッド(709)が一定速度で移動しつつ広い面積基板の基
板上での蒸着工程を進ませる。
物の発生に従う蒸着チェンバ-内での蒸着方法を述べる
図である。図12の気相有機物の蒸着〜運送方法について
述べると、上述のように、蒸着ソ-スタンク(714)内で多
量の気相有機物を発生させうることから、蒸着チェンバ
-(713)内の真空圧力と蒸着ソ-スタンク(714)内の真空圧
力差が100℃0倍以上の差が生じるように具現する。例え
ば、システムの真空度が10〜4Torrであれば、蒸着ソ-ス
タンク(714)の圧力は10〜1Torrになるよう圧力差を形成
すると、その圧力差を利用して蒸着ソ-スタンク(714)内
で蒸着チェンバ-への気相有機物が誘導できる。さら
に、連結管は気相有機物が蒸着されないようにするため
に高温で加熱する。図12の蒸着チェンバ-は、スキャン
ヘッド(761)と基板(762)を含むスキャニング方法を概略
に述べる。図12のスキャニング方法で誘導される気相有
機物は、実際的に基板上に蒸着すべきである。ところ
で、広い面積の基板上に一ぺんに気相有機物を蒸着せず
に、図12でのように、スキャンヘッド(709)の移動は基
板上の一定領域に蒸着が行われるようにして、スキャン
ヘッド(709)が一定速度で移動しつつ広い面積基板の基
板上での蒸着工程を進ませる。
【００６２】次に、図13は、蒸着装置の運用へのフロ-
について述べる。蒸着装置内で基板(712)を蒸着チェン
バ-(710)内にロ-ディング(s710)する。その後、蒸着ソ-
スタンク(714)を予備的に加熱して、その蒸着ソ-スタン
ク(714)に高温ガスを200〜600℃の下で注入(s712)す
る。さらに、蒸着ソ-スタンク(714)内での高温ガスと有
機物粒子とが混合体を形成して蒸着ソ-スタンク(714)の
温度を加熱すると、SGHP物質が発生(s714)する。発生さ
れたSGHP物質は蒸着ソ-スタンク(714)から連結管(707)
を通して多量の気相有機物であるSGHP物質をバッファ-
チェンバ-(710)に伝達(s716)する。この際、バッファ-
チェンバ-(710)では気相有機物センサを使用して気相有
機物の流量を測定して、その気相有機物の流量が事前に
設定された量に到達すると、前記バッファ-ゲ-ト弁を開
放(s718)する。その後、スキャンヘッド(709)の動作に
よって気相有機物の蒸着工程が進行(s720)し、事前にセ
ッティングされた蒸着時間の経過後、スキャンヘッド(7
09)が移動(s722)して、バッファ-ゲ-ト弁(711)を閉鎖し
て基板をアンロ-ディング(s724)する。
について述べる。蒸着装置内で基板(712)を蒸着チェン
バ-(710)内にロ-ディング(s710)する。その後、蒸着ソ-
スタンク(714)を予備的に加熱して、その蒸着ソ-スタン
ク(714)に高温ガスを200〜600℃の下で注入(s712)す
る。さらに、蒸着ソ-スタンク(714)内での高温ガスと有
機物粒子とが混合体を形成して蒸着ソ-スタンク(714)の
温度を加熱すると、SGHP物質が発生(s714)する。発生さ
れたSGHP物質は蒸着ソ-スタンク(714)から連結管(707)
を通して多量の気相有機物であるSGHP物質をバッファ-
チェンバ-(710)に伝達(s716)する。この際、バッファ-
チェンバ-(710)では気相有機物センサを使用して気相有
機物の流量を測定して、その気相有機物の流量が事前に
設定された量に到達すると、前記バッファ-ゲ-ト弁を開
放(s718)する。その後、スキャンヘッド(709)の動作に
よって気相有機物の蒸着工程が進行(s720)し、事前にセ
ッティングされた蒸着時間の経過後、スキャンヘッド(7
09)が移動(s722)して、バッファ-ゲ-ト弁(711)を閉鎖し
て基板をアンロ-ディング(s724)する。
【００６３】この発明に従う広い面積基板の気相有機物
蒸着装置及び方法において、実験例を参照して詳細に述
べることにする。
蒸着装置及び方法において、実験例を参照して詳細に述
べることにする。
【００６４】図13の装置を使用する実験例に従えば、使
用物質:Alq3、基板サイズ:370X470mm、使用ガス:Ar(340
℃)、蒸着ソ-スタンク(714)温度:300℃、蒸着ソ-スタン
ク(714)の均一性(uniformity):+-5%の条件の下で実験結
果を図7、10、15、16のグラフを参考して述べることに
する。
用物質:Alq3、基板サイズ:370X470mm、使用ガス:Ar(340
℃)、蒸着ソ-スタンク(714)温度:300℃、蒸着ソ-スタン
ク(714)の均一性(uniformity):+-5%の条件の下で実験結
果を図7、10、15、16のグラフを参考して述べることに
する。
【００６５】図14は、希釈されたガス温度と蒸着量との
相関関係グラフであり、図15は希釈ガス量に対する気相
有機物のグラフであり、図16は希釈ガスなしに蒸着ソ-
スタンク自体のみを加熱した場合、蒸着ソ-スタンク温
度対蒸着量を示すグラフである。
相関関係グラフであり、図15は希釈ガス量に対する気相
有機物のグラフであり、図16は希釈ガスなしに蒸着ソ-
スタンク自体のみを加熱した場合、蒸着ソ-スタンク温
度対蒸着量を示すグラフである。
【００６６】図14のグラフにおいて希釈ガスの温度には
蒸着量に対して影響がないことが確認できるし、図15の
グラフにおいて希釈ガス量が増加することにつれて、蒸
着ソ-スタンク(714)内のSGHP量が増加して蒸着ソ-スタ
ンク(714)の加熱による気体相の有機物量が増加してス
キャンヘッド(709)を通して出される気相有機物の量が
増加することが確認できる。さらに、図16のグラフで蒸
着ソ-スタンク(714)自体のみを加熱した場合、気体相の
有機物発生量がごく微細に増加することが見られる。
蒸着量に対して影響がないことが確認できるし、図15の
グラフにおいて希釈ガス量が増加することにつれて、蒸
着ソ-スタンク(714)内のSGHP量が増加して蒸着ソ-スタ
ンク(714)の加熱による気体相の有機物量が増加してス
キャンヘッド(709)を通して出される気相有機物の量が
増加することが確認できる。さらに、図16のグラフで蒸
着ソ-スタンク(714)自体のみを加熱した場合、気体相の
有機物発生量がごく微細に増加することが見られる。
【００６７】換言すれば、図13、14、15、16のグラフ
は、希釈ガスがない場合、気相有機物の発生量は小さい
既存の蒸着ソ-スタンク(714)方式に比べて、希釈ガスの
注入によって蒸着ソ-スタンク(714)内のSGHP量が増加
し、そのSGHPが対流原理によって蒸着ソ-スタンク(714)
内で多量の気相有機物を発生させることが分かる。
は、希釈ガスがない場合、気相有機物の発生量は小さい
既存の蒸着ソ-スタンク(714)方式に比べて、希釈ガスの
注入によって蒸着ソ-スタンク(714)内のSGHP量が増加
し、そのSGHPが対流原理によって蒸着ソ-スタンク(714)
内で多量の気相有機物を発生させることが分かる。
【００６８】したがって、バッファ-チェンバ-(710)と
蒸着チェンバ-(713)は、ゲ-ト弁(711)を利用して完全に
分離されるため、スキャンヘッド(709)の熱源が広い面
積基板上と蒸着チェンバ-(713)内の温度の上昇を防止す
る。さらに、有機薄膜の基板に対する接着力を増加し
て、精密で、かつ安定的な厚さに調整が可能であり、蒸
着ソ-スタンク(714)を使用して多量の物質保管が可能に
なる。
蒸着チェンバ-(713)は、ゲ-ト弁(711)を利用して完全に
分離されるため、スキャンヘッド(709)の熱源が広い面
積基板上と蒸着チェンバ-(713)内の温度の上昇を防止す
る。さらに、有機薄膜の基板に対する接着力を増加し
て、精密で、かつ安定的な厚さに調整が可能であり、蒸
着ソ-スタンク(714)を使用して多量の物質保管が可能に
なる。
【００６９】以上、この発明の好ましき実施例によって
詳細に述べてきたが、この発明の範囲は特定の実施例に
限定されるのではなく、添付された特許請求の範囲によ
って解釈されるべきである。さらに、この技術分野にお
ける通常の知識を習得した者であれば、この発明の範囲
から逸脱されることなしに、多くの修正と変形が可能と
なることが理解できることであろう。
詳細に述べてきたが、この発明の範囲は特定の実施例に
限定されるのではなく、添付された特許請求の範囲によ
って解釈されるべきである。さらに、この技術分野にお
ける通常の知識を習得した者であれば、この発明の範囲
から逸脱されることなしに、多くの修正と変形が可能と
なることが理解できることであろう。
【００７０】
【発明の効果】上述のように、この発明に従う気相有機
物の蒸着方法と、これを利用した気相有機物の蒸着装置
を利用すると、まず、広い面積の基板に気相有機物を均
一に蒸着させることができるし、有機薄膜を高速で成膜
させることができ、有機材料混合量の微細調整が可能に
なる。さらに、気相有機物を蒸着させる部位のみに気相
有機物を噴射するため、気相有機物を効果的に蒸着させ
うるし、有機物材料を節約できる長所がある。
物の蒸着方法と、これを利用した気相有機物の蒸着装置
を利用すると、まず、広い面積の基板に気相有機物を均
一に蒸着させることができるし、有機薄膜を高速で成膜
させることができ、有機材料混合量の微細調整が可能に
なる。さらに、気相有機物を蒸着させる部位のみに気相
有機物を噴射するため、気相有機物を効果的に蒸着させ
うるし、有機物材料を節約できる長所がある。
【００７１】さらに、この発明は有機半導体の製作時に
使用される気相有機物の蒸着方法と、これを利用した気
相有機物の蒸着装置に従えば、蒸着源ソ-スタンク内で
有機物質粒子を希釈することによって、有機薄膜の基板
に対する接着力を増加させつつ精密で、かつ安定的に厚
さを調整できるし、バッファ-チェンバ-と蒸着チェンバ
-がゲ-ト弁を利用して完全に分離されて、スキャンヘッ
ドの小さめの大きい熱源が継続的に移動するようにし
て、スキャンヘッドの熱源の広い面積基板上と蒸着チェ
ンバ-内の温度上昇が防止できる。さらに、多量の物質
保管が可能な蒸着ソ-スタンクを採用して、下向式にお
いてマスクによるシャドウ効果が除去されうるため、厚
さの厚いシャドウマスクを使用することができる。つま
り、シャドウマスクの整列部分を解決することのできる
優れる効果がある。
使用される気相有機物の蒸着方法と、これを利用した気
相有機物の蒸着装置に従えば、蒸着源ソ-スタンク内で
有機物質粒子を希釈することによって、有機薄膜の基板
に対する接着力を増加させつつ精密で、かつ安定的に厚
さを調整できるし、バッファ-チェンバ-と蒸着チェンバ
-がゲ-ト弁を利用して完全に分離されて、スキャンヘッ
ドの小さめの大きい熱源が継続的に移動するようにし
て、スキャンヘッドの熱源の広い面積基板上と蒸着チェ
ンバ-内の温度上昇が防止できる。さらに、多量の物質
保管が可能な蒸着ソ-スタンクを採用して、下向式にお
いてマスクによるシャドウ効果が除去されうるため、厚
さの厚いシャドウマスクを使用することができる。つま
り、シャドウマスクの整列部分を解決することのできる
優れる効果がある。
【図1】従来の真空蒸着装置の一例図、
【図2a】この発明に従う気相有機物の蒸着装置の平面
図、
図、
【図2b】図2aのA-A線矢視断面図、
【図2c】図2aのB-B線矢視断面図、
【図2d】図2bのC部である有機物チェンバ-の詳細図、
【図3a】噴射部が移動して気相有機物を噴射する状態を
示す断面図、
示す断面図、
【図3b】噴射部が気相有機物を噴射する際、母材を安着
させた母材安着部が電磁石を利用した移送方法を通して
水平方向へ移動する状態を示す断面図、
させた母材安着部が電磁石を利用した移送方法を通して
水平方向へ移動する状態を示す断面図、
【図3c】噴射チュ-ブを利用して気相有機物を母材に蒸
着せしめる状態を示す断面図、
着せしめる状態を示す断面図、
【図3d】噴射チュ-ブが回転及び上下移動をして母材に
気相有機物を蒸着せしめる状態を示す断面図、
気相有機物を蒸着せしめる状態を示す断面図、
【図4a】るつぼ内で気相有機物と運搬ガスとを混合する
状態を示す断面図、
状態を示す断面図、
【図4b】るつぼの外部で気相有機物と運搬ガスとを混合
する状態を示す断面図、
する状態を示す断面図、
【図5a】直方体形状に形成されており、上端部に1つの
気相有機物の引出ホ-ルを備えるるつぼの形状を示す断
面図、
気相有機物の引出ホ-ルを備えるるつぼの形状を示す断
面図、
【図5b】直方体形状に形成されており、上端部に複数の
気相有機物の引出ホ-ルを備えるるつぼの形状を示す断
面図、
気相有機物の引出ホ-ルを備えるるつぼの形状を示す断
面図、
【図5c】円筒形状に形成されており、上端部に1つの気
相有機物の引出ホ-ルを備えるるつぼの形状を示す断面
図、
相有機物の引出ホ-ルを備えるるつぼの形状を示す断面
図、
【図5d】円筒形状に形成されており、上端部に複数の気
相有機物の引出ホ-ルを備えるるつぼの形状を示す断面
図、
相有機物の引出ホ-ルを備えるるつぼの形状を示す断面
図、
【図6】気相有機物の移送管外部に定温ヒ-タ-を備えた
形状を示す断面図、
形状を示す断面図、
【図7】この発明の広い面積基板の気相有機物蒸着装置
の断面図、
の断面図、
【図8】複数個の蒸着ソ-スタンクとスキャンヘッドを設
置したことを示す断面図、
置したことを示す断面図、
【図9】SGHP有機物質を移動させることのできる蒸着チ
ェンバ-内のスキャンヘッドの動作方法について述べる
図、
ェンバ-内のスキャンヘッドの動作方法について述べる
図、
【図10】図8の内部のSGHP有機物質を移動させることの
できるスキャンヘッドの移動方法について述べる図、
できるスキャンヘッドの移動方法について述べる図、
【図11】有機半導体装置の気相有機物発生方法について
述べる図、
述べる図、
【図12】図11から発生された気相有機物発生による蒸着
チェンバ-内での蒸着方法について述べる図、
チェンバ-内での蒸着方法について述べる図、
【図13】蒸着装置の運用について述べるフロ-、
【図14】希釈されたガスの温度と蒸着量の相関関係グラ
フ、
フ、
【図15】希釈ガス量に対する気相有機物のグラフ、
【図16】希釈ガスなしに蒸着ソ-スタンク自体のみを加
熱した場合、蒸着ソ-スタンク温度対蒸着量との関係を
示すグラフである。
熱した場合、蒸着ソ-スタンク温度対蒸着量との関係を
示すグラフである。
10...母材 20...有機物
100...蒸着チェンバ- 110...噴射部
112...ガイド板 120...ガイドレ-
ル 122...ガイドレ-ル支持板 130...保温ヒ-タ- 140...母材安着部 150...真空ポンプ 200...有機物チェンバ- 210...気相有機物
の移送管 220...るつぼ 230...有機物加熱
ヒ-タ- 240...運搬ガス引込管 300...補助チェン
バ- 310...移動軸 312...移動ブロッ
ク 314...移送部 320...密封フラン
ジ 322...ベロ-ズ 700...蒸着チェン
バ- 701...ガスレザバ- 702...MFC 703...ガスヒ-タ- 706...ヒ-タ-パイ
プ 707...連結管 709...スキャンヘ
ッド 710...バッファ-チェンバ- 711...ゲ-ト弁 712...基板 713...蒸着チェン
バ- 714...蒸着ソ-スタンク 715...蒸着速度調
整器
ル 122...ガイドレ-ル支持板 130...保温ヒ-タ- 140...母材安着部 150...真空ポンプ 200...有機物チェンバ- 210...気相有機物
の移送管 220...るつぼ 230...有機物加熱
ヒ-タ- 240...運搬ガス引込管 300...補助チェン
バ- 310...移動軸 312...移動ブロッ
ク 314...移送部 320...密封フラン
ジ 322...ベロ-ズ 700...蒸着チェン
バ- 701...ガスレザバ- 702...MFC 703...ガスヒ-タ- 706...ヒ-タ-パイ
プ 707...連結管 709...スキャンヘ
ッド 710...バッファ-チェンバ- 711...ゲ-ト弁 712...基板 713...蒸着チェン
バ- 714...蒸着ソ-スタンク 715...蒸着速度調
整器
フロントページの続き
(72)発明者 チェ、ドン−ゴン
大韓民国、ギョンギ−ド、ピヨンテク−
シ、モゴク−ドン、451−４
Ｆターム(参考） 4K030 AA09 AA16 AA18 EA01 EA03
EA04 FA10 KA25
Claims (22)
- 【請求項1】外部と隔離される内部空間を備えており、
該内部空間の床面に気相有機物を蒸着させる母材を安着
せしめる母材安着部を備え、該母材安着部の上端に位置
されて気相有機物を前記母材の安着部方向へ噴射する噴
射部と、上端壁面及び側壁面内に熱を発散する1つ以上
の保温ヒ-タ-を含んで構成される蒸着チェンバ-と、 気相有機物を運搬する運搬ガスが引き込まれるよう穴形
状に形成された1つ以上の運搬ガス引込ホ-ルと、 有機物蒸気及び運搬ガスが引き出されうるよう穴形状に
形成された1つ以上の気相有機物の引出ホ-ルを備えてお
り、耐熱材の材質で有機物を貯蔵できるよう、内部空間
を備える形状に形成されたるつぼと、 該るつぼの外部を囲繞しており、有機物が蒸発される温
度まで前記るつぼ内を加熱する有機物加熱ヒ-タ-を内部
に含む1つ以上の有機物チェンバ-と、 前記運搬ガスの
引込ホ-ルに連結されて前記有機物チェンバ-内に引き込
まれる運搬ガス量と流速を制御する流量制御部と、 前記蒸着チェンバ-及び有機物チェンバ-を貫通するよう
に形成されており、前記有機物チェンバ-内の気相有機
物が前記噴射部に移動できるよう管形状からなる気相有
機物の移送管と、 前記蒸着チェンバ-の内部圧力を低める真空ポンプとを
含んで構成されることを特徴とする気相有機物の蒸着装
置。 - 【請求項2】前記蒸着チェンバ-は、前記噴射部が装着さ
れる位置に前記気相有機物の移送管の長手方向へ1つ以
上のガイドレ-ルを備え、前記噴射部は前記ガイドレ-ル
に接触される部分に前記ガイドレ-ルと摺動可能な構造
で結合されるガイド板を備えることを特徴とする請求項
1に記載の気相有機物の蒸着装置。 - 【請求項3】前記蒸着チェンバ-は、前記噴射部を回転せ
しめる回転モ-タ、または前記噴射部を上下に移動せし
める移動モ-タを備えることを特徴とする請求項1または
2に記載の気相有機物の蒸着装置。 - 【請求項4】前記気相有機物の移送管は、熱を発生する
熱線と加熱温度を精密に保持及び調節する定温発熱素子
システムを含む定温ヒ-タ-を外側面に備えることを特徴
とする請求項1に記載の気相有機物の蒸着装置。 - 【請求項5】前記気相有機物の移送管は、2つ以上の気相
有機物を混合するため、2つ以上の有機物チェンバ-に連
結されている混合タンクを備えることを特徴とする請求
項1または4に記載の気相有機物の蒸着装置。 - 【請求項6】前記噴射部は、気相有機物を噴射する噴射
口が小経で複数個が備えられたシャワ-ヘッドまたは噴
射口が管形状に形成された噴射チュ-ブ中のいずれか1つ
の構造からなることを特徴とする請求項1に記載の気相
有機物の蒸着装置。 - 【請求項7】前記るつぼは、内外部が隔離される多面
体、円筒形及び球形中のいずれか1つの形状に形成され
ることを特徴とする請求項1に記載の気相有機物の蒸着
装置。 - 【請求項8】内部に有機物を含んでいる有機物チェンバ-
の外面に接触する加熱ヒ-タ-は、熱を発散して前記有機
物を蒸発温度以上に加熱する1段階と、 前記加熱ヒ-タ
-によって気化された気相有機物は、熱を発散する定温
ヒ-タ-に囲繞されている気相有機物の移送管を通して気
相有機物を蒸着させる母材が位置している蒸着チェンバ
-の噴射部に移動する2段階と、 前記噴射部に移動された前記気相有機物は、母材安着部
の上端に据置されている前記母材の上端から重力方向へ
噴射されて前記母材の上端面に蒸着される3段階とから
なることを特徴とする気相有機物の蒸着方法。 - 【請求項9】前記3段階の前記噴射部は、前記気相有機物
の移送管の長手方向へ水平移動または回転運動をするこ
とを特徴とする請求項8に記載の気相有機物の蒸着方
法。 - 【請求項10】前記3段階の前記母材安着部は、前記有機
物チェンバ-の床面上で水平移動をすることを特徴とす
る請求項8または9に記載の気相有機物の蒸着方法。 - 【請求項11】気相有機物蒸着装置において、 不活性ガスを保有したガスレザバ-及びMFC(Mass Flow C
ontroller)の調整下に流れる不活性ガスを加熱するガス
ヒ-タ-と、 温度保持のために連結管の外部にワインディングされた
ヒ-タ-パイプと、 蒸着されるガス及び有機物質を内装
し、前記ガスヒ-タ-によって高温ガスと有機物粒子を希
釈した状態で加熱して、希釈された有機物気体状態を発
生せしめる少なくとも1つの蒸着ソ-スタンクと、 前記希釈された有機物粒子の移動を監視して調整する蒸
着速度調整器を付着したスキャンヘッドと、バッファ-
チェンバ-と前記希釈された有機物粒子の移動を開放及
び閉鎖するようにゲ-ティングするゲ-ト弁と、前記蒸着
ソ-スタンクから流入された前記希釈された粒子を広い
面積基板に蒸着する蒸着チェンバ-とを備えるが、 前記ガスヒ-タ-は、前記蒸着ソ-スタンクをガス量が調
整されるようガスを加熱して熱源を内部に注入して、前
記ゲ-ト弁は前記バッファ-チェンバ-と前記蒸着チェン
バ-との間に設置されて前記スキャンヘッドの熱源によ
る広い面積基板上と蒸着チェンバ-内の温度上昇を遮断
することを特徴とする広い面積基板の気相有機物蒸着装
置。 - 【請求項12】前記蒸着ソ-スタンクは、内部に注入され
る不爆発性不活性ガスであって、Ar、He、N2及び酸素を
含むことを特徴とする請求項11に記載の広い面積基板の
気相有機物蒸着装置。 - 【請求項13】前記スキャンヘッドは、同時に最小限2つ
以上の物質を共に蒸着するため最小限1つ以上であるこ
とを特徴とする請求項11に記載の広い面積基板の気相有
機物蒸着装置。 - 【請求項14】前記ヒ-タ-ガスの温度は、200〜800℃に保
持することを特徴とする請求項11または12に記載の広い
面積基板の気相有機物蒸着装置。 - 【請求項15】前記バッファ-チェンバ-は、熱源遮断用チ
ェンバ-を含み、前記熱源遮断用チェンバ-内で前記スキ
ャンヘッドが移動する際に伴って分離された有機物質が
再循環するように設置された有機物質再活用補助るつぼ
をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の広い面
積基板の気相有機物蒸着装置。 - 【請求項16】気相有機物蒸着方法において、 不活性ガスを保有したガスレザバ-及びMFCの調整下に蒸
着ソ-スタンクから流れる不活性ガスをガスヒ-タ-であ
って、ガス量が調整されるようガスを加熱して熱源を内
部に注入して加熱する段階と、 連結管の外部にワインディングされたヒ-タ-パイプによ
って温度を保持する段階と、 蒸着されるガス及び有機物質を内装し、少なくとも1つ
の蒸着ソ-スタンクが前記ガスヒ-タ-によって高温のガ
スと有機物粒子を希釈した状態で加熱して希釈された有
機物気体状態を発生せしめる段階と、 前記希釈された有機物粒子の移動を監視して調整し、蒸
着速度調整器を付着したスキャンヘッドとバッファ-チ
ェンバ-と前記希釈された有機物粒子の移動を開放及び
閉鎖するようにゲ-ティングをする段階と、 前記ゲ-ト弁と前記蒸着ソ-スタンクから流入された前記
希釈された粒子を蒸着チェンバ-内の広い面積基板に蒸
着する段階と、 前記ゲ-ト弁は前記バッファ-チェンバ-と前記蒸着チェ
ンバ-との間に設置されて、前記スキャンヘッドの熱源
による広い面積基板上と蒸着チェンバ-内の温度上昇を
遮断する段階と、 前記バッファ-チェンバ-内で前記スキャンヘッドが移動
する際に伴って分離された有機物質が再循環するように
設置された補助るつぼによって収集する段階とを含むこ
とを特徴とする広い面積基板の気相有機物蒸着方法。 - 【請求項17】前記蒸着ソ-スタンクは、内部に注入され
る不爆発性不活性ガスであって、Ar、He、N2及び酸素を
含むことを特徴とする請求項16に記載の広い面積基板の
気相有機物蒸着方法。 - 【請求項18】前記蒸着ソ-スタンクから発生された気相
有機物は、前記蒸着チェンバ-内とその圧力差は100〜10
000倍が生成するようにすることを特徴とする請求項16
に記載の広い面積基板の気相有機物蒸着方法。 - 【請求項19】前記ゲ-ティングする段階は、蒸着ソ-スタ
ンク内に注入する有機物を2種以上共に混合する段階を
追って含むことを特徴とする請求項16に記載の広い面積
基板の気相有機物蒸着方法、 - 【請求項20】前記ゲ-ティングする段階は、前記有機半
導体の製作システム内に厚さを工程時間で調整する段階
を追って含むことを特徴とする請求項16に記載の広い面
積基板の気相有機物蒸着方法。 - 【請求項21】前記ヒ-タ-ガスの温度は、200〜800℃に保
持することを特徴とする請求項16または17に記載の広い
面積基板の気相有機物蒸着方法。 - 【請求項22】有機半導体装置の製造方法において、 蒸着装置内で基板を蒸着チェンバ-内にロ-ディングする
段階(s710)と、 蒸着ソ-スタンクを予備的に加熱して高温ガスを200〜-6
00℃の温度下で注入する段階(s712)と、 前記蒸着ソ-スタンク内での高温ガスと有機物粒子が混
合体を形成して温度を加熱すると、SGHP(Solid Gas Het
erogeneous Phase)物質が発生する段階(s714)と、 前記蒸着ソ-スタンクから連結管を通して多量の気相有
機物であるSGHP物質をバッファ-チェンバ-に伝達する段
階(s716)と、 前記バッファ-チェンバ-で気相有機物センサを使用して
気相有機物の流量を測定して、その気相有機物の流量が
事前に設定された量に到達すると、バッファ-ゲ-ト弁を
開放する段階(s718)と、 スキャンヘッドの動作で気相有機物を蒸着する段階(s72
0)と、 その後、事前にセッティングされた蒸着時間経過後、ス
キャンヘッドが移動する段階(s722)と、 及び前記バッファ-ゲ-ト弁を閉鎖して基板をアンロ-デ
ィングする段階(s724)とを含むことを特徴とする広い面
積基板の気相有機物蒸着方法。
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|---|---|---|---|
| KR1020020017755A KR100358727B1 (ko) | 2002-04-01 | 2002-04-01 | 기상유기물 증착방법과 이를 이용한 기상유기물 증착장치 |
| KR2002-017755 | 2002-04-01 | ||
| KR10-2002-0061629A KR100375076B1 (ko) | 2002-10-10 | 2002-10-10 | 대면적 기판의 유기 반도체 제조장치 및 방법 |
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|---|---|
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