CN102408724B - 光半导体元件密封用树脂组合物及发光装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供光半导体元件密封用树脂组合物,其特征在于,含有(A)具有含脂肪族不饱和键的一价烃基的有机基聚硅氧烷;(B)一分子中含有2个以上键合于硅原子的氢原子的有机基氢聚硅氧烷;(C)铂系催化剂;及(D)具有长宽比为1.1~50的各向异性形状的玻璃填料,固化物的折射率为1.45以上。本发明可以获得耐硫化性优异、并且可确保能够耐受吸湿回流焊及热冲击试验等热应力试验的长期可靠性的光半导体元件密封用树脂组合物、及用该树脂组合物的固化物密封的发光装置。
Description
技术领域
本发明涉及有机硅系光半导体元件密封用树脂组合物、及用该树脂组合物的固化物密封的发光装置。
背景技术
对于发光二极管(LED)等光半导体元件的被覆保护用树脂组合物而言,其固化物要求具有透明性,作为该组合物,通常使用含有双酚A型环氧树脂或脂环式环氧树脂等环氧树脂和酸酐系固化剂的环氧树脂组合物(参照专利文献1:日本特许第3241338号公报,专利文献2:日本特开平7-25987号公报)
但是,上述环氧树脂组合物的固化物对短波长的光的光线透过性低,因此,具有耐光耐久性低、或因光劣化而着色的缺点。因此,提出了包含一分子中含有至少2个与SiH基具有反应性的碳-碳双键的有机化合物、及一分子中含有至少2个SiH基的硅化合物、氢甲硅烷化催化剂的光半导体元件的被覆保护用树脂组合物(参照专利文献3:日本特开2002-327126号公报、专利文献4:日本特开2002-338833号公报)。
但是,这样的有机硅树脂组合物的固化物、特别是折射率不足1.45的有机硅树脂组合物的固化物与现有的环氧树脂组合物的固化物相比,具有气体透过性大、保存环境及使用环境中存在的含硫气体透过的缺点。因此,由于透过有机硅树脂组合物的固化物的含硫气体,作为LED封装的基板的引线框的镀银表面被硫化而变化成硫化银,其结果,产生镀银表面黑化的问题。
通常,有机硅树脂组合物的固化物的气体透过性为20g/m2·24hr以上,特别是折射率不足1.45的有机硅树脂组合物的固化物的气体透过性为50g/m2·24hr以上,可以容易地透过存在于外部环境的含硫气体。作为存在于外部环境的含硫气体,可以举出:大气中的硫氧化物(SOx)、瓦楞纸板箱等包装材料中所含的硫成分。另外,LED封装的引线框表面从光的反射效率的观点考虑,通常实施镀银处理。在这样的镀银引线框上,将用折射率不足1.45的有机硅树脂组合物的固化物密封的发光二极管放置在含硫气体存在的氛围下的情形下,含硫气体透过有机硅树脂组合物的固化物,进行银的硫化反应。其结果,在引线框表面产生硫化银。由于生成该硫化银,LED封装基板表面黑化,光的反射效率明显降低,成为不能保证长期可靠性的主要原因之一。
因此,作为硫化对策,近年来,提出了通过使用气体透过性比较小、固化后的折射率为1.45以上的有机硅树脂组合物来解决上述镀银表面的硫化问题。但是,折射率为1.45以上的有机硅树脂组合物的固化物与折射率不足1.45的有机硅树脂组合物的固化物相比,脆而且强度低,因此,在进行吸湿回流焊及热冲击试验等热应力试验的情形下,发生树脂龟裂,为不能使可靠性试验合格的状况。
通常,为了增强有机硅树脂组合物的固化物的强度,已知使用二氧化硅填料作为填充材料。但是,在二氧化硅填料的形状为各向同性、并将这样的含有二氧化硅填料的有机硅树脂组合物用于图1所示的预成型封装的密封剂的情形下,与以往相比,可靠性试验的不良率得到改善,吸湿回流焊及热冲击试验等热应力对密封树脂复杂地发生作用,仅靠二氧化硅填料的增强效果,不能耐受热应力,从而产生树脂自身破裂的不良情况,难以使不良率为零。需要说明的是,图1是表示以往的发光装置的一个实施方式的剖面图,1表示光半导体元件,2表示导电性电线,3表示镀银引线框,4表示光半导体元件密封用树脂,5表示成型封装基板,6表示二氧化硅填料。
先行技术文献
专利文献
专利文献1:日本特许第3241338号公报
专利文献2:日本特开平7-25987号公报
专利文献3:日本特开2002-327126号公报
专利文献4:日本特开2002-338833号公报
发明内容
本发明是为了解决上述问题点而进行的,其目的在于,提供固化后的折射率为1.45以上、耐硫化性优异、可以确保能够耐受吸湿回流焊及热冲击试验等热应力试验的长期可靠性的光半导体元件密封用树脂组合物、及用该光半导体元件密封用树脂组合物的固化物密封的发光装置。
本发明人为了解决上述课题进行了专心研究,结果发现,使用含有下述物质的光半导体元件密封用树脂组合物的固化物密封的发光装置的耐硫化性优异,可以确保能够耐受吸湿回流焊及热冲击试验等热应力试验的长期可靠性,从而完成了本发明,所述物质为:(A)具有含脂肪族不饱和键的一价烃基的有机基聚硅氧烷;(B)一分子中含有2个以上键合于硅原子上的氢原子的有机基氢聚硅氧烷;(C)铂系催化剂;及(D)具有长宽比为1.1~50的各向异性形状的玻璃填料。
因此,本发明提供下述光半导体元件密封用树脂组合物及发光装置。
第一发明:
光半导体元件密封用树脂组合物,其特征在于,含有:(A)具有含脂肪族不饱和键的一价烃基的有机基聚硅氧烷;(B)一分子中含有2个以上键合于硅原子的氢原子的有机基氢聚硅氧烷;(C)铂系催化剂;及(D)具有长宽比为1.1~50的各向异性形状的玻璃填料,固化物的折射率为1.45以上。
第二发明:
如第一发明所述的光半导体元件密封用树脂组合物,其特征在于,上述(A)成分为选自下述式的有机基聚硅氧烷,
【化1】
(式中,k、m为满足0≤k+m≤500的整数,0≤m/(k+m)≤0.5。)
第三发明:
如第一发明或第二发明所述的光半导体元件密封用树脂组合物,其特征在于,所述(D)具有各向异性形状的玻璃填料为长宽比1.1~50的鳞片状玻璃或玻璃切割纤维。
第四发明:
如第一发明~第三发明中任一项所述的光半导体元件密封用树脂组合物,其特征在于,含有树脂组合物总量的5~60质量%的所述(D)具有各向异性形状的玻璃填料。
第五发明:
如第一发明~第四发明中任一项所述的光半导体元件密封用树脂组合物,其特征在于,所述(D)具有各向异性形状的玻璃填料的折射率为1.45~1.55,并且,所述固化性有机硅树脂组合物的固化物的折射率为1.45~1.55。
第六发明:
发光装置,其用第一发明~第五发明中任一项所述的光半导体元件密封用树脂组合物的固化物进行密封。
第七发明:
发光二极管装置,其是使用具有安装有发光元件的引线框的预成型封装、将发光元件安装于引线框、用密封树脂组合物的固化物密封而成的,其中,所述密封树脂组合物为第一发明~第五发明中任一项所述的树脂组合物。
根据本发明,可以获得耐硫化性优异、且可以确保能够耐受吸湿回流焊及热冲击试验等热应力试验的长期可靠性的光半导体元件密封用树脂组合物。以及用该光半导体元件密封用树脂组合物的固化物密封的发光装置。
附图说明
图1是表示以往的发光装置的一个实施方式的剖面图。
图2是表示以往的发光装置的一个实施方式的剖面图。
附图标记说明
1光半导体元件
2导电性电线
3镀银引线框
4光半导体元件密封用树脂
5成型封装基板
6二氧化硅填料
7具有各向异性形状的玻璃填料
具体实施方式
以下对本发明进行详细说明。
本发明的光半导体元件密封用树脂组合物含有:
(A)具有含脂肪族不饱和键的一价烃基的有机基聚硅氧烷;
(B)一分子中含有2个以上键合于硅原子的氢原子的有机基氢聚硅氧烷;
(C)铂系催化剂;及
(D)具有各向异性形状的玻璃填料。
(A)成分
本发明的(A)成分是具有含脂肪族不饱和键的烃基的有机基聚硅氧烷,可以优选使用下述通式(1)所示的物质。
【化2】
(式中,R1为含脂肪族不饱和键的一价烃基,R2~R7分别为相同或不同的一价烃基,其中,R4~R7优选为不具有脂肪族不饱和键的一价烃基,另外,R6及/或R7为芳香族一价烃基。a为0≤a≤500、优选10≤a≤500的整数,b为0≤b≤250、优选0≤b≤150的整数,0≤a+b≤500,优选10≤a+b≤500。)
该情况下,R1为具有脂肪族不饱和键、特别是脂肪族不饱和双键的优选碳原子数2~8、更优选2~6的一价烃基。作为R1的含脂肪族不饱和键的一价烃基,具体优选乙烯基、烯丙基、丙烯基、丁烯基等烯基,特别优选乙烯基、烯丙基。
R2~R7为一价烃基,碳原子数优选在1~20的范围,特别优选在1~10的范围。作为R2~R7的一价烃基,具体可以举出:甲基、乙基、丙基、丁基等烷基;乙烯基、烯丙基、丙烯基、丁烯基等烯基;苯基、甲苯基、二甲苯基等芳基;苄基等芳烷基等。其中,R4~R7优选为不具有烯基等脂肪族不饱和键的基团,具体优选为烷基、芳基、芳烷基等。另外,R6及/或R7优选为苯基、甲苯基等碳原子数为6~12的芳基等芳香族一价烃基。
由上述通式(1)所示的有机基聚硅氧烷例如可以通过环状二苯基聚硅氧烷、环状甲基苯基聚硅氧烷等环状二有机基聚硅氧烷和构成末端基的二苯基四乙烯基二硅氧烷、二乙烯基四苯基二硅氧烷等二硅氧烷的碱平衡化反应而得到,但是,该情况下,通常不含有硅烷醇基及氯成分。
作为上述通式(1)所示的有机基聚硅氧烷,具体可以例示由下述结构式所示的物质。
【化3】
(上述式中,k、m为满足0≤k+m≤500的整数,优选5≤k+m≤250,0≤m/(k+m)≤0.5。)
(A)成分中,除由上述通式(1)表示的具有直链结构的有机基聚硅氧烷以外,根据需要,还可以并用包含3官能性硅氧烷单元、4官能性硅氧烷单元等的具有三维网状结构的有机基聚硅氧烷。
(A)成分中的含脂肪族不饱和键的一价烃基的含量优选为一价烃基总量的1~50摩尔%,更优选为2~40摩尔%,进一步优选为5~30摩尔%。含脂肪族不饱和键的一价烃基的含量小于1摩尔%时,有时不能得到固化物,其含量大于50摩尔%时,有时机械特性变差。
另外,(A)成分中的芳香族基团的含量优选为一价烃基总量的0~95摩尔%,更优选为10~90摩尔%,进一步优选为20~80摩尔%。在树脂中含有适量的芳香族基团时,具有机械特性良好并且容易制造的优点。另外,作为优点,还可以举出通过导入芳香族基团可以控制折射率。
(B)成分
(B)成分是一分子中具有2个以上键合于硅原子的氢原子的有机基氢聚硅氧烷。上述有机基氢聚硅氧烷作为交联剂发挥作用,通过该有机基氢聚硅氧烷中的SiH基和(A)成分的含脂肪族不饱和键的一价烃基(典型的为烯基)进行加成反应,形成固化物。
另外,上述有机基氢聚硅氧烷通过具有芳香族烃基,在(A)成分:含脂肪族不饱和键的一价烃基的有机硅化合物折射率高的情况下提高相容性,可以获得透明的固化物。因此,在(B)成分:有机基氢聚硅氧烷中,可以包含具有苯基等芳香族一价烃基的有机基氢聚硅氧烷作为(B)成分的一部分或全部。
另外,在(B)成分:有机基氢聚硅氧烷中,可以包含具有缩水甘油基结构的有机基氢聚硅氧烷作为(B)成分的一部分或全部,有机基氢聚硅氧烷通过具有含缩水甘油基结构的基团,可以获得与基板的粘合性高的光半导体元件密封用树脂组合物的固化物。
作为上述有机基氢聚硅氧烷,具体而言,可以举出:1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、三(二甲基氢硅氧烷基)甲基硅烷、三(二甲基氢硅氧烷基)苯基硅烷、1-缩水甘油氧基丙基-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、1,5-缩水甘油氧基丙基-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、1-缩水甘油氧基丙基-5-三甲氧基甲硅烷基乙基-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、两末端三甲基硅氧烷基封端甲基氢聚硅氧烷、两末端三甲基硅氧烷基封端二甲基硅氧烷·甲基氢硅氧烷共聚物、两末端二甲基氢硅氧烷基封端二甲基聚硅氧烷、两末端二甲基氢硅氧烷基封端二甲基硅氧烷·甲基氢硅氧烷共聚物、两末端三甲基硅氧烷基封端甲基氢硅氧烷·二苯基硅氧烷共聚物、两末端三甲基硅氧烷基封端甲基氢硅氧烷·二苯基硅氧烷·二甲基硅氧烷共聚物、三甲氧基硅烷聚合物、由(CH3)2HSiO1/2单元和SiO4/2单元构成的共聚物、由(CH3)2HSiO1/2单元和SiO4/2单元及(C6H5)SiO3/2单元构成的共聚物等,但并不限定于它们。
另外,也可以使用由下述结构式表示的单元得到的有机基氢聚硅氧烷。
【化4】
作为使用由上述结构式表示的单元而得到的有机基氢聚硅氧烷,可以举出以下的物质。
【化5】
这样的有机基氢聚硅氧烷的分子结构可以为直链状、环状、支链状、三维网状结构中的任一种,可以使用一分子中的硅原子的数目(或聚合度)为2个以上、优选2~1000、更优选2~300左右的有机基氢聚硅氧烷。
这样的有机基氢聚硅氧烷的配合量优选为足以使(A)成分的每一个含脂肪族不饱和键的一价烃基(典型的为烯基),提供0.75~2.0个(B)成分中的键合于硅原子的氢原子(SiH)的量。小于满足其为0.75个的量时,具有硬度降低的情形,大于满足其为2.0个的量时,具有SiH残留而硬度历时变化的情形。
(C)成分
(C)成分为铂系催化剂。作为铂系催化剂,可以举出:氯铂酸、醇改性氯铂酸、具有螯合物结构的铂络合物等。它们可以单独使用,也可以为2种以上组合使用。
这些催化剂成分的配合量为所谓的催化剂量即可,通常,上述(A)及(B)成分的合计量每100质量份,优选以铂族金属的质量换算计为0.1~500ppm,特别优选为0.5~100ppm的范围。
(D)成分
(D)成分为具有长宽比为1.1~50的各向异性形状的玻璃填料。该具有各向异性形状的玻璃填料的长宽比优选为1.5~30,更优选为2~20。长宽比超过50时,具有密封树脂时的喷出精度不稳定的情形。作为所述的玻璃填料,适合使用鳞片状玻璃、玻璃切割纤维等。另外,上述具有各向异性形状的玻璃填料的长度或平均粒径优选为1mm,更优选适合使用0.005~0.5mm。超过1mm时,具有密封树脂时的喷出精度不稳定的情形。另外,作为平均粒径,优选1~50μm,特别优选10~20μm。需要说明的是,长度或平均粒径可以通过显微镜观察求出,为50个试验片的平均值。
上述具有各向异性形状的玻璃填料的折射率优选为1.45~1.55。不在上述范围时,和有机硅树脂的折射率之差变大,具有损害混合物的透明性的情形。
作为上述具有各向异性形状的玻璃填料,可使用市售品,例如,作为鳞片状玻璃,可以适合使用日本板硝子(株)制的ガラスフレ一ク(注册商标)(制品编号:REF-600、REF-160、REF-015等)等。另外,作为玻璃切割纤维,也可以优选使用日东纺绩(株)制的ミルドフアイバ一(制品编号:PFE-001、PFE-301等)等。
在具有各向同性形状的填料的情形下,树脂的线膨胀系数在面内方向及垂直方向不产生差。但是,填充具有各向异性形状的填料的情形下,树脂在面内方向和垂直方向的线膨胀系数不同,面内方向的线膨胀系数比垂直方向小,可缓和面内方向的应力。另外,预成型封装的情形下,金属框的线膨胀和成型材料的线膨胀在面内方向复杂地相互作用,因此,相比于垂直方向,对密封剂的应力大。因此,使用分散有如上所述的具有各向异性形状的填料的固化性有机硅作为密封树脂的情形下,可缓和面内方向的应力,因此,认为对吸湿回流焊及热冲击试验等热应力试验可得到大的效果。
(E)其它成分
本发明中使用的光半导体元件密封用树脂组合物以上述(A)~(D)成分作为必要成分,进而,为了提高粘合性,也可以添加各种硅烷偶联剂。
作为硅烷偶联剂,例如可以举出:乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、N-2(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-2(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2(氨基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷等、及三甲氧基硅烷、四甲氧基硅烷及其寡聚物等。这些硅烷偶联剂可以单独使用,也可以2种以上混合使用。
硅烷偶联剂的配合量优选为全部组合物的10质量%以下(0~10质量%)、特别是5质量%以下(0~5质量%)。
另外,在本发明所使用的加成固化型有机硅树脂组合物中,在不使光半导体装置的性能变差的范围内,可根据需要添加例如BHT、维生素B等抗氧化剂,有机磷系防变色剂等防变色剂,受阻胺等防光劣化剂,乙烯基醚类、乙烯基酰胺类、环氧树脂、氧杂环丁烷类、邻苯二甲酸烯丙酯、己二酸乙烯酯等反应性稀释剂、气相二氧化硅及沉淀性二氧化硅等增强性填充材料、阻燃性改进剂、荧光体、有机溶剂等。另外,也可以用着色成分进行着色。
本发明的光半导体元件密封用树脂组合物的固化物用于光半导体元件的密封,因此,作为光半导体,例如可以举出:发光二极管、光电晶体管、光电二极管、CCD、太阳能电池模块、EPROM、光耦合器等,但并不限定于它们,对发光二极管的密封特别有效。该情况下,作为密封方法,采用对应光半导体元件种类的常规方法。
需要说明的是,对于本发明的光半导体元件密封用树脂组合物的固化条件,可以考虑在室温~200℃左右的温度范围的数十秒~数天左右的时间范围,优选为在80~180℃的温度范围的1分钟左右~10小时左右的时间范围。
另外,本发明的光半导体元件密封用树脂组合物的固化物的折射率为1.45以上,优选为1.45~1.55。小于1.45时,具有气体透过性变低、耐硫化性降低的情形,超过1.55时,具有耐热性降低、长期可靠性降低的情形。需要说明的是,固化物的折射率可以通过调整(A)成分及根据情况的(B)成分中的苯基等芳香族一价烃基的含量来符合目标值。通常,芳香族一价烃基量增大时,折射率也增大。另外,固化物的折射率和(D)成分的折射率之差优选为0~0.1,特别优选为0~0.05。
图2是示意性表示本发明的发光装置的一个实施方式的剖面图。在成型封装基板5的凹部设置光半导体元件1,通过导电性电线2连接镀银引线框3和光半导体元件1。向设置有半导体元件1的成型封装基板5的凹部流入配合有具有各向异性形状的玻璃填料7的光半导体元件密封用树脂组合物4,使其固化,由此制造本发明的发光装置。
用本发明的光半导体元件密封用树脂组合物的固化物进行被覆保护的光半导体装置的装置的耐热性、耐湿性、耐光性优异,不会因外部环境的影响而使基板表面变色,其结果,可以提供可靠性优异的光半导体装置,工业上的优点很大。
实施例
以下示出实施例及比较例以对本发明进行具体说明,但本发明并不限定于下述实施例。需要说明的是,在下述的实例中,份表示质量份,Me表示甲基,Et表示乙基,粘度为利用旋转粘度计的测定值。
[基础复合物的制备】
将作为(A)成分的由下述式(I)
【化6】
表示的两末端由二甲基乙烯基甲硅烷基封端的二甲基二苯基聚硅氧烷(粘度3Pa·s)100份、作为(B)成分的由下述式(II)
【化7】
表示的两末端由二甲基氢甲硅烷基封端的甲基氢聚硅氧烷(粘度15mPa·s)2.5份、作为(C)成分的氯铂酸2-乙基己醇改性溶液(Pt浓度2质量%)0.03份、以及乙炔基环己醇0.05份和3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷7份充分搅拌,制备折射率1.51的基础化合物。
[实施例1]
将在上述基础化合物中以为10质量%的浓度的方式分散作为(D)成分的折射率1.51的日本板硝子(株)制造的ガラスフレ一ク(注册商标)(制品编号:REP-015,平均粒径:15μm,长宽比:3~10)所得的物质填充到未密封的发光二极管(LED)中,在150℃、4小时的条件下进行主固化,制造评价用发光二极管。
[实施例2]
将在上述基础化合物中以为50质量%的浓度的方式分散作为(D)成分的折射率1.51的日本板硝子(株)制造的ガラスフレ一ク(注册商标)(制品编号:REP-015,平均粒径:15μm,长宽比:3~10)所得的物质填充到未密封的发光二极管(LED)中,在150℃、4小时的条件下进行主固化,制造评价用发光二极管。
[实施例3]
将在上述基础化合物中以为10质量%的浓度的方式分散作为(D)成分的折射率1.51的日东纺绩(株)制造的ミルドフアイバ一(注册商标)(制品编号:PFE-301,微粉末状玻璃纤维,平均粒径:10μm,长宽比:1.1~10)所得的物质填充到未密封的发光二极管(LED)中,在150℃、4小时的条件下进行主固化,制造评价用发光二极管。
[实施例4]
将在上述基础化合物中以为50质量%的浓度的方式分散作为(D)成分的折射率1.51的日东纺绩(株)制造的ミルドフアイバ一(制品编号:PFE-301,微粉末状玻璃纤维,平均粒径:10μm,长宽比:1.1~10)所得的物质填充到未密封发光二极管(LED)中,在150℃、4小时的条件下进行主固化,制造评价用发光二极管。
[比较例1]
仅将上述基础化合物填充到未密封的发光二极管(LED)中,在150℃、4小时的条件下进行主固化,制造评价用发光二极管。
[比较例2]
将在上述有机硅树脂组合物中以为10质量%的浓度的方式分散(株)龙森制造的球状二氧化硅填料(商品名:高纯度FF-L,平均粒径:3μm)所得的物质填充到未密封的发光二极管(LED)中,在150℃、4小时的条件下进行主固化,制造评价用发光二极管。
[比较例3]
将在上述基础化合物中以为50质量%的浓度的方式分散(株)龙森制造的球状二氧化硅填料(商品名:高纯度FF-L,平均粒径:3μm)所得的物质填充到未密封的发光二极管(LED)中,在150℃、4小时的条件下进行主固化,制造评价用发光二极管。
将上述实施例及比较例中制得的评价用发光二极管在85℃/60%RH的高温高湿下放置168小时后,在260℃下通过红外回流焊3次,用实体显微镜观察树脂剥离、破裂的不良情况的产生。接着,实施-40℃/30分钟~120℃/30分钟的热冲击试验,同样,用实体显微镜观察树脂剥离、破裂的不良情况的产生。另外,实施利用通电试验的点亮试验。结果示于表1。
表1
实施例1~4中,在吸湿回流焊及耐热冲击试验中,完全不发生树脂剥离、破裂等不良情况,也不发生LED的不点亮的不良情况。但是,在比较例1中,在吸湿回流焊试验中,发生树脂破裂。在比较例2中,同时发生树脂破裂、树脂剥离,在比较例3中,未发生树脂破裂,但发生树脂剥离。其结果,一部分LED发生不点亮的不良情况。
Claims (7)
1.光半导体元件密封用树脂组合物,其特征在于,含有:(A)具有含脂肪族不饱和键的一价烃基的有机基聚硅氧烷;(B)一分子中含有2个以上键合于硅原子的氢原子的有机基氢聚硅氧烷;(C)铂系催化剂;及(D)具有长宽比为1.1~50的各向异性形状的玻璃填料,光半导体元件密封用树脂组合物的固化物的折射率为1.45以上。
2.如权利要求1所述的光半导体元件密封用树脂组合物,其特征在于,所述(A)成分为选自下述式的有机基聚硅氧烷,
式中,k、m为满足5≤k+m≤250的整数,0≤m/(k+m)≤0.5。
3.如权利要求1或2所述的光半导体元件密封用树脂组合物,其特征在于,所述(D)具有各向异性形状的玻璃填料为长宽比1.1~50的鳞片状玻璃或玻璃切割纤维。
4.如权利要求1或2所述的光半导体元件密封用树脂组合物,其特征在于,含有树脂组合物总量的5~60质量%的所述(D)具有各向异性形状的玻璃填料。
5.如权利要求1或2所述的光半导体元件密封用树脂组合物,其特征在于,所述(D)具有各向异性形状的玻璃填料的折射率为1.45~1.55,并且,所述光半导体元件密封用树脂组合物的固化物的折射率为1.45~1.55。
6.发光装置,其用权利要求1或2所述的光半导体元件密封用树脂组合物的固化物进行密封。
7.发光二极管装置,其是使用具有安装有发光元件的引线框的预成型封装、将发光元件安装于引线框、用密封树脂组合物的固化物密封而成的,其中,所述密封树脂组合物为权利要求1或2所述的树脂组合物。
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