CN102163452A - 存储控制设备、存储设备和存储设备系统 - Google Patents

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Abstract

在此公开了一种存储控制设备，其包括温度传感器、温度信息选择部分、刷新命令接收部分和触发发布频率设置部分。

Description

存储控制设备、存储设备和存储设备系统
技术领域
本发明涉及存储控制设备、存储设备和存储设备系统，并且更具体地，涉及根据动态存储器的温度条件控制刷新的存储控制设备、存储设备和存储设备系统。
背景技术
动态存储器通过由电容器保持的电荷的存在或不存在存储信息。这种类型的存储器要求刷新，其包括读出存储器中存储的数据并在电荷由于漏电流而丢失之前重写数据。另一方面，已知动态存储器中的漏电流具有温度依赖性，其导致漏电流在低温时减少而在高温时增加。
因此，当根据在高温时的漏电流流动设置刷新频率时，如果保持不变则该频率过高，因此导致浪费的功耗。为此，已经提出一种技术，其设计来基于通过检测存储器温度获得的温度信息改变刷新频率(例如，参照日本专利公开No.2005-158222(图1)和日本专利公开No.2005-253562(图2))。
发明内容
在上述现有技术中，必须输出通过温度检测获得的温度信息以便根据存储器温度改变刷新频率。在此情况下，可能的配置将例如是将来自多个存储器芯片的每个的温度信息输出到逻辑块或其它集成控制部分，使得逻辑块可以基于接收的温度信息改变每个存储器芯片的刷新频率。然而，该配置要求增加数目的布线，用于将来自每个存储器芯片的温度信息提供到逻辑块。
已经鉴于前述做出本发明，并且本发明的目标是提供一种更简单的布线结构，其适于输出来自每个存储器的温度信息，以便以适合于多个存储器的温度条件的方式控制刷新。
已经做出本发明来解决上面的问题。本发明的第一模式是一种存储控制设备，包括：温度传感器、温度信息选择部分、刷新命令接收部分和触发发布频率设置部分。温度传感器检测温度条件以生成自身温度信息。温度信息选择部分基于由从之前级的存储控制设备提供的选择温度信息指示的温度条件和由自身温度信息指示的温度条件，选择提供的选择温度信息或自身温度信息。温度信息选择部分输出选择外部输出温度信息或自身温度信息到下一级的存储控制设备作为选择温度信息。刷新命令接收部分接收刷新命令，该刷新命令的传输频率是根据由综合温度信息指示的温度条件设置，该综合温度信息即是由最后级的存储控制设备获得的选择温度信息。触发发布频率设置部分响应于接收到刷新命令，基于从最后级的存储控制设备提供的综合温度信息和自身温度信息设置刷新触发发布频率。该刷新触发使得存储器阵列执行刷新。这提供了有利效果在于：为了存储控制设备输出温度信息，形成适于输出选择温度信息到下一级的存储控制设备的信号路径。
此外，在第一模式中，触发发布频率设置部分可以设置对于刷新命令的给定单位接收数目的刷新触发的发布数目作为刷新触发发布频率。这提供了有利效果在于：响应于刷新命令发送频率的改变，设置适合于每个存储控制设备的刷新触发发布频率。
此外，在第一模式中，触发发布频率设置部分可以将以适于刷新命令的接收的频率发布的临时刷新触发的发布频率改变为适于发布的数目的频率，并且输出临时刷新触发作为刷新触发。这提供了有利效果在于：在适于与刷新命令同步发布刷新触发的配置中设置适合于每个存储控制设备的刷新触发发布频率。
此外，在第一模式中，感兴趣的存储控制设备还可以包括信号切换部分。如果感兴趣的存储控制设备不是最后级的一个，则信号切换部分形成适于将来自最后级的存储控制设备的综合温度信息提供到触发发布频率设置部分的信号路径。如果存储控制设备是最后级的一个，则信号切换部分形成两条信号路径，一条适于将来自温度信息选择部分的选择温度信息提供到触发发布频率设置部分作为综合温度信息，并且另一条适于将选择温度信息输出到其它外部存储控制设备作为综合温度信息。这提供了有利效果在于：信号切换部分建立综合温度信息的两条信号路径之一，一条用于除了最后级之外级的存储控制设备，并且另一条用于最后级的存储控制设备。
此外，在第一模式中，如果感兴趣的存储控制设备是第一级的一个，则温度信息选择部分可以选择自身温度信息，并且输出该信息作为选择温度信息，而不管由提供的选择温度信息指示的温度条件。这提供了有利效果在于：存储控制设备起作用为第一级的一个。
此外，在第一模式中，适于输出选择温度信息到下一级的存储控制设备的电极可以提供在感兴趣的存储控制设备的底部表面，并且位于与适于接收选择温度信息的电极相同的位置。当感兴趣的存储控制设备和其它存储控制设备逐个在顶部堆叠时，该电极提供在下一级的存储控制设备的顶部，该下一级的存储控制设备位于与感兴趣的存储控制设备相邻并且在感兴趣的存储控制设备下面。这提供了有利效果在于：当存储控制设备逐个在顶部堆叠时，通过电极之间的接点(junction)输出选择温度信息，一个电极在感兴趣的存储控制设备上，并且另一电极在对应于下一级的存储控制设备的位于感兴趣的存储控制设备下面的存储控制设备上。
此外，在第一模式中，适于从之前级的存储控制设备接收选择温度信息的电极可以提供在感兴趣的存储控制设备的顶部表面，并且位于与适于输出选择温度信息的电极相同的位置。当感兴趣的存储控制设备和其它存储控制设备逐个在顶部堆叠时，该电极提供在之前级的存储控制设备的底部表面，该之前级的存储控制设备位于与感兴趣的存储控制设备相邻并且在感兴趣的存储控制设备上面。这提供了有利效果在于：当存储控制设备逐个在顶部堆叠时，通过电极之间的接点接收选择温度信息，一个电极在感兴趣的存储控制设备上，并且另一电极在对应于之前级的存储控制设备的位于感兴趣的存储控制设备上面的存储控制设备上。
此外，在第一模式中，当感兴趣的存储控制设备和其它存储控制设备逐个在顶部堆叠时，适于接收或输出综合温度信息的电极可以包括贯穿电极(penetrating electrode)，并且位于与作为综合温度信息的信号路径的一部分的其它存储控制设备上提供的贯穿电极相同的位置。这提供了有利效果在于：当存储控制设备逐个在顶部堆叠时，通过电极之间的接点在上面的和下面的存储控制设备之间共享综合温度信息的信号路径。
此外，本发明的第二模式是一种存储设备，包括：存储器阵列、温度传感器、温度信息选择部分、刷新命令接收部分和触发发布频率设置部分。温度传感器检测温度条件以生成自身温度信息。温度信息选择部分基于由从之前级的存储设备提供的选择温度信息指示的温度条件和由自身温度信息指示的温度条件，选择提供的选择温度信息或自身温度信息。温度信息选择部分输出选择的外部输出温度信息或自身温度信息到下一级的存储设备作为选择温度信息。刷新命令接收部分接收刷新命令，该刷新命令的传输频率是根据由综合温度信息指示的温度条件设置，该综合温度信息即是由最后级的存储控制设备获得的选择温度信息。触发发布频率设置部分响应于接收到刷新命令，基于从最后级的存储控制设备提供的综合温度信息和自身温度信息设置刷新触发发布频率。该刷新触发使得存储器阵列执行刷新。这提供了有利效果在于：为了存储控制设备输出温度信息，形成适于输出选择温度信息到下一级的存储设备的信号路径。
此外，本发明的第三模式是一种存储设备系统，其包括逐个在顶部堆叠的多个存储设备。每个存储设备包括：存储器阵列、温度传感器、温度信息选择部分、刷新命令接收部分、触发发布频率设置部分、选择温度信息输出电极、选择温度信息输入电极和综合温度信息电极。温度传感器检测温度条件以生成自身温度信息。温度信息选择部分在感兴趣的存储设备之前级的并且与感兴趣的存储设备相邻的之前级的存储设备不存在时输出自身温度信息。在之前级的存储设备存在时，温度信息选择部分基于由从之前级的存储设备提供的选择温度信息指示的温度条件和由自身温度信息指示的温度条件，选择提供的选择温度信息或自身温度信息。温度信息选择部分输出选择的外部输出温度信息或自身温度信息到位于感兴趣的存储设备下面并且与感兴趣的存储设备相邻的下面的存储设备或刷新控制设备作为选择温度信息。刷新命令接收部分接收刷新命令。该刷新命令的传输频率是根据由综合温度信息指示的温度条件设置，该综合温度信息即是由最下面的存储控制设备获得的选择温度信息。触发发布频率设置部分响应于接收到刷新命令，基于从最后级的存储控制设备提供的综合温度信息和自身温度信息设置刷新触发发布频率。该刷新触发使得存储器阵列执行刷新。选择温度信息输出电极提供在感兴趣的存储设备的底部表面，用于输出选择温度信息到下面的存储设备。该电极位于与提供在下面的存储设备的顶部表面并且适于接收选择温度信息的电极相同的位置。选择温度信息输入电极提供在感兴趣的存储设备的顶部表面，用于从之前级的存储设备接收选择温度信息。该电极位于与提供在上面的存储设备的底部表面并且适于输出选择温度信息的电极相同的位置。综合温度信息电极包括适于接收或输出综合温度信息的贯穿电极。该电极位于与作为综合温度信息的信号路径的一部分的其它存储设备上提供的贯穿电极相同的位置。这提供了有利效果在于：通过两个存储设备的芯片表面上的电极之间的接点形成两条信号路径，一条适于在上面和下面的存储设备之间接收或输出选择温度信息，并且另一条用于综合温度信息。这提供了另一有利效果在于：在存储设备之间共享综合温度信息的信号路径。
此外，本发明的第四模式是一种存储设备系统，其包括逐个在顶部堆叠的、全部为芯片形式的多个存储设备和刷新控制设备。每个存储设备包括存储器阵列、温度传感器、温度信息选择部分、刷新命令接收部分、触发发布频率设置部分、选择温度信息输出电极、选择温度信息输入电极和综合温度信息电极。温度传感器检测温度条件以生成自身温度信息。温度信息选择部分在感兴趣的存储设备之前级的并且与感兴趣的存储设备相邻的之前级的存储设备不存在时输出自身温度信息。在之前级的存储设备存在时，温度信息选择部分基于由从之前级的存储设备提供的选择温度信息指示的温度条件和由自身温度信息指示的温度条件，选择提供的选择温度信息或自身温度信息。温度信息选择部分输出选择外部输出温度信息或自身温度信息到位于感兴趣的存储设备下面并且与感兴趣的存储设备相邻的下面的存储设备或刷新控制设备作为选择温度信息。刷新命令接收部分接收刷新命令。触发发布频率设置部分接收综合温度信息，即由最下面存储控制设备获得的选择温度信息，并且响应于接收到刷新命令，基于接收的综合温度信息和自身温度信息设置刷新触发发布频率。该刷新触发使得存储器阵列执行刷新。选择温度信息输出电极提供在感兴趣的存储设备的底部表面，用于输出选择温度信息到下面的存储设备。该电极位于与提供在下面的存储设备的顶部表面并且适于接收选择温度信息的电极相同的位置。选择温度信息输入电极提供在感兴趣的存储设备的顶部表面，用于从之前级的存储设备接收选择温度信息。该电极位于与提供在上面的存储设备的底部表面并且适于输出选择温度信息的电极相同的位置。综合温度信息电极包括适于接收或输出综合温度信息的贯穿电极。该电极位于与作为综合温度信息的信号路径的一部分的其它存储设备上提供的贯穿电极相同的位置。该刷新控制设备包括命令传输部分和综合温度信息输入电极。命令传输部分通过根据基于从最下面存储控制设备接收的综合温度信息设置的传输频率的广播，传输刷新命令到每个存储设备。综合温度信息输入电极提供在刷新控制设备的顶部表面，用于接收综合温度信息，并且位于与位于刷新控制设备上面并且与刷新控制设备相邻的最下面存储设备的选择温度信息输出电极相同的位置。这提供了有利效果在于：形成两条信号路径，一条适于在上面和下面的存储设备之间或存储设备和逻辑块之间接收或输出选择温度信息，并且另一条用于综合温度信息。这提供了另一有利效果在于：在存储设备和逻辑块之间共享综合温度信息的信号路径。
本发明优点在于提供更简单的布线结构，其适于输出来自每个存储器的温度信息以便以适于多个存储器的温度条件的方式控制刷新。
附图说明
图1是图示根据本发明的第一实施例的存储器系统的总体配置示例的框图；
图2是图示根据本发明的第一实施例的存储器的配置示例的框图；
图3是图示根据本发明的第一实施例的刷新控制电路的功能配置示例的框图；
图4A和4B是图示根据本发明的第一实施例的刷新控制电路的具体配置示例的逻辑电路图；
图5是图示触发发布频率设置部分的操作的时序图；
图6是当温度条件是二元的(即，高或低温度)时、根据本发明的第一实施例的建立温度信息级别和刷新率之间的对应的示例的真值表；
图7A和7B是真值表，一个用于温度信息选择部分，并且另一个用于图4所示的触发发布频率设置部分；
图8是当温度条件是k级值(其中k等于或大于3)时用于温度信息选择的真值表；
图9是当温度条件是k级值(其中k等于或大于3)时用于触发发布频率设置部分的真值表；
图10是图示根据本发明的第二实施例的作为堆叠存储器系统的存储器系统的总体配置示例的图；以及
图11是图示根据本发明的第二实施例的存储器系统的物理布线结构的示例的图。
具体实施方式
下面将参照附图给出用于执行本发明的模式(下文中称为实施例)的描述。应该注意到，将以以下顺序给出描述：
1.第一实施例(其中存储器系统的每个存储器能够接收和输出用于适于温度的刷新的选择温度信息和综合温度信息的配置)
2.第二实施例(其中存储器系统的每个存储器能够接收和输出用于适于温度的刷新的选择温度信息和综合温度信息的配置的示例应用于堆叠存储器系统)
<1.第一实施例>
[用于在存储器系统的存储器之间接收和输出温度信息的配置]
图1图示根据本发明实施例的存储器系统100中的温度信息的接收和输出的示例，该存储器系统100包括多个存储器。
存储器系统100包括n个存储器(即，第一到第n存储器200-1到200-n)和逻辑块300。在本实施例中，第一到第n存储器200-1到200-n每个物理地形成为例如分立的存储器芯片。此外，逻辑块300也形成为芯片。这些芯片例如安排在基底上的预定位置。应该注意到，在下面给出的描述中，如果在没有具体区分的情况下共同地处理第一到第n存储器200-1到200-n的所有或一些，则它们可以写为存储器200。
如稍后所述，存储器200例如包括动态存储器阵列并设计来保持数据。应该注意到，第一到第n存储器200-1到200-n的容量不必是相同的。然而，我们假设第一到第n存储器200-1到200-n具有相同接口。
根据本实施例的逻辑块300设计为执行各种类型的要求的控制和处理。这些类型的控制中，通过逻辑块300的存储器控制器310执行对存储器系统100的存储器200实行的控制。存储器控制器310根据要执行的控制或处理输出各种需要的命令CMD。应该注意到，逻辑块300是权利要求中描述的刷新控制器的示例。此外，存储器控制器310是权利要求中描述的命令传输部分的示例。
因为根据本实施例的存储器200是动态存储器，所以这些存储器必须有规则地刷新。根据本实施例的逻辑块300使得存储器200执行刷新，作为控制这些存储器的手段。为此，逻辑块300的存储器控制器310传输指示执行刷新的刷新命令作为命令CMD之一。存储器200响应于刷新命令的接收而执行刷新。
此外，根据本实施例的逻辑块300(存储器控制器310)根据存储器200的温度改变传输刷新命令的频率。也就是说，可能改变存储器200执行刷新的频率。因此，存储器控制器310接收综合温度信息Dtemp-2，其被视为由每个存储器200检测到的自身温度信息Dtemp-0指示的温度条件的综合温度信息。然后，存储器控制器310根据由综合温度信息Dtemp-2指示的温度信息改变传输刷新命令的频率。
此外，每个存储器200包括温度传感器220。温度传感器220检测相关存储器的温度条件，并且生成指示检测到的温度条件的温度信息。从温度传感器220获得的温度信息被视为自身温度信息Dtemp-0。
命令CMD的信号路径可以连接到每个存储器200。此外，三条信号路径可以连接到每个存储器200，一条信号路径用于输出选择温度信息Dtemp-1，另一条信号路径用于综合温度信息Dtemp-2，并且再一条信号路径用于输入选择温度信息Dtemp-3。相应地，每个存储器200物理地包括四个端子，命令CMD、输出选择温度信息Dtemp-1、综合温度信息Dtemp-2和输入选择温度信息Dtemp-3的每个使用一个端子。应该注意，信号路径不需要是物理上线性的。例如，信号路径例如可以形成为各电极之间的触点。在任何情况下，适于在存储器200和逻辑块之间传送相关信号的路径在这里称为信号路径。
在该存储器系统100中，命令CMD的信号路径形成如下。也就是说，存储器200和逻辑块300通过公共信号路径连接在一起。这允许将从逻辑块300的存储器控制器310输出的命令CMD同时提供到所有存储器200。因此，将从逻辑块300输出的刷新命令同时提供到所有存储器200。
接下来将给出用于温度信息的布线的描述。在该描述中，存储器200可以被认为是串联连接，以形成在用于输出选择温度信息Dtemp-1和输入选择温度信息Dtemp-3的信号路径的布线方面的多个级。这里，第一存储器200-1被视为第一级，并且第二存储器200-2、第三存储器200-3等被视为第二级、第三级等，第n存储器被视为最后(第n)级。
首先，第一级的第一存储器200-1不接收输入选择温度信息Dtemp-3。因此，没有信号路径连接到用于输入选择温度信息Dtemp-3的端子。用于输出选择温度信息Dtemp-1的第一存储器200-1的端子经由信号路径连接到用于输入选择温度信息Dtemp-3的下一级或第二级的存储器200-2的端子。接下来，用于输出选择温度信息Dtemp-1的第二级的存储器200-2的端子经由信号路径连接到用于输入选择温度信息Dtemp-3的下一级或第三级的存储器200-3的端子。直到最后级的第n存储器200-n的随后存储器的端子以相同方式连接。也就是说，用于输出选择温度信息Dtemp-1的第i级的第i存储器200-i的端子经由信号路径连接到用于输入选择温度信息Dtemp-3的下一级或第(i+1)级的第i+1存储器200-(i+1)的端子。
如上所述，存储器200和逻辑块300可以被认为是串联连接，以形成在用于输出选择温度信息Dtemp-1和输入选择温度信息Dtemp-3的信号路径的布线方面的多个级。
接下来，对于综合温度信息Dtemp-2，用于综合温度信息Dtemp-2的存储器200的端子经由公共信号路径连接在一起。这允许从最后级的第n存储器200-n输出的综合温度信息Dtemp-2同时提供到在其之前各级的所有存储器200，如稍后所述。另一方面，用于综合温度信息Dtemp-2的逻辑块300的存储器控制器310的端子连接到用于输出选择温度信息Dtemp-1的最后级的第n存储器200-n的端子。
[综合温度信息的生成示例]
接下来将给出综合温度信息Dtemp-2的生成示例的描述。因此，综合温度信息Dtemp-2指示从第一到第n存储器200-1到200-n获得的所有各条自身温度信息Dtemp-0的最高温度条件。
首先，第一级的第一存储器200-1总是输出从它自身的温度传感器220输出的自身温度信息Dtemp-0作为输出选择温度信息Dtemp-1。也就是说，第一级的第一存储器200-1的输出选择温度信息Dtemp-1总是指示与自身温度信息Dtemp-0的温度条件相同的温度条件。
第二级的第二存储器200-2接收来自之前级的第一存储器200-1的输出选择温度信息Dtemp-1作为输入选择温度信息Dtemp-3。接下来，第二存储器200-2比较从它自身的温度传感器200输出的自身温度信息Dtemp-0和输入选择温度信息Dtemp-3，并且选择指示两者中的较高温度条件的温度信息。然后，第二存储器200-2输出选择的温度条件作为输出选择温度信息Dtemp-1。该输出选择温度信息Dtemp-1经由信号路径提供到下一级的存储器200-3作为输入选择温度信息Dtemp-3。
如同之前级的第二存储器200-2，第三存储器200-3也比较从它自身的温度传感器220输出的自身温度信息Dtemp-0和输入选择温度信息Dtemp-3，并且选择指示两者中的较高温度条件的温度信息。然后，第三存储器200-3输出选择的温度条件作为输出选择温度信息Dtemp-1。该输出选择温度信息Dtemp-1提供到下一级的存储器作为输入选择温度信息Dtemp-3。类似地，直到最后级的第n存储器200-n的随后存储器选择指示两条信息(即，自身温度信息Dtemp-0和输入选择温度信息Dtemp-3)中的较高温度条件的温度信息，并且输出选择的温度条件作为输出选择温度信息Dtemp-1。
因此，在各存储器200之间交换两条信息(即，输出选择温度信息Dtemp-1和输入选择温度信息Dtemp-3)。结果，由最后级的第n存储器200-n选择的温度信息指示从存储器200获得的所有自身温度信息Dtemp-0中的最高温度条件。此外，如上所述获得的温度条件可以被认为指示存储器200的各条自身温度信息Dtemp-0的综合温度条件。
第n存储器200-n输出选择的温度信息作为如前所述的输出选择温度信息Dtemp-1。将该输出信息提供到逻辑块300的存储器控制器310作为综合温度信息Dtemp-2。第n存储器200-n还从用于综合温度信息Dtemp-2的端子输出选择的温度信息。这允许将综合温度信息Dtemp-2提供到除了最后级的存储器200之外的所有存储器200。尽管稍后描述，第一到第n存储器200-1到200-n每个可以基于综合温度信息Dtemp-2和自身温度信息Dtemp-0，根据它自身的温度条件设置认为适当的刷新频率。
根据本实施例的存储器系统100通过如稍后所述的与综合温度信息Dtemp-2一致的频率广播，将刷新命令从逻辑块300(存储器控制器310)传输到存储器200。此外，每个存储器200可以根据由它自身的自身温度信息Dtemp-0指示的温度条件个别地设置适当的刷新频率。然后，通过采用图1所示的用于温度信息的信号路径的布线和适于生成综合温度信息Dtemp-2的配置，本实施例提供用于温度信息的更简单布线。
例如，为了为现有存储器系统的每个存储器个别地设置刷新频率，需要将从每个存储器的温度传感器获得的每条自身温度信息提供到逻辑块。这要求与存储器的数目一样多的适于将温度信息从存储器提供到逻辑块的线。结果，逻辑块不得不具有与存储器的数目一样多的温度信息输入端子。此外，逻辑块根据提供的温度信息为每个存储器设置适当的刷新频率。因此，逻辑块不得不通过单播将不同的刷新命令传输到每个存储器。这导致要由逻辑块处理的刷新命令中断服务例程，每个存储器使用一个刷新命令中断服务例程，导致更低的处理速度、更低的总线利用效率和其它缺点。
相反，在如图1所示的本实施例中，输出选择温度信息Dtemp-1的信号路径仅需要连接到的下一级的存储器200或逻辑块300(对于最后级的第n存储器200-n)。也就是说，不需要将所有存储器200的用于输出选择温度信息Dtemp-1的信号路径连接到逻辑块300，如现有存储器系统的情况。结果，逻辑块300仅要求一个端子以接收综合温度信息Dtemp-2。此外，用于综合温度信息Dtemp-2的存储器200的端子通过公共信号路径连接在一起。也就是说，本实施例提供用于温度信息的更简单布线。
在本实施例中，另一方面，逻辑块300通过广播传输刷新命令。广播消除了用于每个存储器200的刷新命令中断服务例程，因为由逻辑块300控制的刷新频率对于所有存储器200是相同的，使得可以避免刷新命令中断服务例程(每个存储器使用一个刷新命令中断服务例程)。因此，不存在处理速度或总线利用效率的降低。然而，在本实施例中，每个存储器200可以个别地改变或设置刷新频率，而不管存储器200通过广播接收刷新命令的事实。
[存储器的总体配置示例]
图2图示根据本发明的与刷新相关的存储器200的配置示例。如图2所示，存储器200包括刷新命令解码器210、温度传感器220、刷新控制电路600、刷新地址计数器230、行控制电路240和存储器阵列250。
刷新命令解码器210分辨并且提取指示执行刷新的刷新命令作为命令CMD的解码。更具体地，刷新命令解码器210接收并输入来自逻辑块300(存储器控制器310)的命令CMD。接下来，所述解码器210例如通过参照接收的命令CMD的命令ID识别接收的命令CMD是否是刷新命令。然后，当刷新命令解码器210识别接收的命令CMD作为刷新命令时，所述解码器210发布并且输出间接刷新触发RFTG-1。间接刷新触发RFTG-1是原始设计来触发稍后将描述的存储器阵列250执行刷新的信号。所述触发RFTG-1例如用作响应于接收到刷新命令生成的脉冲。然而，在本实施例的情况下，间接刷新触发RFTG-1不用作直接触发。替代地，直接刷新触发RFTG-2用作直接触发。基于间接刷新触发RFTG-1从刷新控制电路600输出直接刷新触发RFTG-2。应该注意到，由适于接收命令CMD的端子和刷新命令解码器210构成的存储器200的部分是权利要求中描述的刷新命令接收部分的示例。此外，间接刷新触发RFTG-1和直接刷新触发RFTG-2分别是在权利要求中描述的临时刷新触发和刷新触发的示例。
存储器传感器220检测相关存储器的温度，并且输出指示检测到的温度条件的自身温度信息Dtemp-0，如参照图1所述。应该注意到，存储器传感器220优选地安排在相同存储器200中的存储器阵列250附近。然而，由于存储器200的芯片中的物理限制，存储器传感器220可以安排稍微远离存储器阵列250。
刷新控制电路600使用从刷新命令解码器210接收的间接刷新触发RFTG-1生成并且输出(发布)直接刷新触发RFTG-2。例如，获得直接刷新触发RFTG-2作为这样的脉冲，设置该脉冲的输出间隔，使得以适于相关存储器200的温度条件的频率执行刷新。另一方面，刷新控制电路600生成并且输出输出选择温度信息Dtemp-1，如参照图1所述。
刷新控制电路600接收来自温度传感器220的自身温度信息Dtemp-0。此外，所述电路600还接收输入选择温度信息Dtemp-3。此外，所述电路600输出输出选择温度信息Dtemp-1。此外，所述电路600可以在输入和输出模式之间切换。也就是说，如果相关存储器200是除了最后级之外级的存储器，则所述电路600接收综合温度信息Dtemp-2。如果相关存储器200是最后级的存储器，则所述电路600输出综合温度信息Dtemp-2。
此外，刷新控制电路600接收模式切换信号TRNMODE和寄存器信息RGMEM。稍后将描述模式切换信号TRNMODE和寄存器信息RGMEM的重要性和响应于该信号的刷新控制电路600的操作。
刷新地址计数器230是适于计数和输出刷新地址ADRRF的计数器。对于获得的输入直接刷新触发RFTG-2的每个脉冲计数刷新地址ADRRF。
行控制电路240逐行刷新存储器阵列250。因此，所述电路240接收刷新地址ADRRF和直接刷新触发RFTG-2。行控制电路240选择由刷新地址ADRRF指示的存储器阵列250的行，并且以适于直接刷新触发RFTG-2的脉冲的时序使刷新电流通过选择行中的存储器单元。这允许在更新刷新地址ADRRF时逐行执行刷新。
存储器阵列250是具有以阵列形式安排的动态存储器单元的一组存储元件。存储器阵列250的存储器单元被分配例如以升序垂直安排的行地址。存储器单元还被分配例如以升序水平安排的列地址。如可以从目前给出的描述理解的，刷新构成存储器阵列250的存储器单元。
[刷新控制电路的配置示例]
图3所示的框图图示刷新控制电路600的配置示例。如图3所示，刷新控制电路600可以被认为包括温度信息选择部分610、切换部分620和触发发布频率设置部分630。
这里，将首先给出模式切换信号TRNMODE的描述。在根据本实施例的存储器系统100中，逻辑块300通过广播共同地控制所有存储器200，如之前所述。在该模式中，另一方面，每个存储器200可以根据它自身温度条件通过自己设置合适的刷新频率。另一模式也可用于存储器系统100，其中逻辑块300可以例如根据之前描述的现有配置个别地控制每个存储器200的刷新。这里，用于本实施例的前一模式称为公共控制模式，并且与现有配置一致的后一模式称为个别控制模式。
模式切换信号TRNMODE指示存储器系统100是两个模式(即，公共控制模式和个别控制模式)中的哪一个。例如，模式切换信号TRNMODE是高用于指示公共控制模式，而模式切换信号TRNMODE是低用于指示个别控制模式。温度信息选择部分610和触发发布频率设置部分630响应于模式切换信号TRNMODE，在与公共控制模式和个别控制模式相关联的操作模式之间切换。
应该注意到，在图3的描述中，模式切换信号TRNMODE总是高。因此，我们假设温度信息选择部分610和触发发布频率设置部分630以和公共控制模式相关联的模式操作。
另一方面，寄存器信息RGMEM指示相关存储器200处于存储器系统100的多级连接配置的哪一级。寄存器信息RGMEM例如存储在存储器200中包括的寄存器(未示出)中。提供所述信息RGMEM作为适于控制切换部分620的接通/断开状态的信号。例如，我们假设例如当寄存器信息RGMEM指示相关存储器是除了最后级之外级的一个存储器时，控制切换部分620为断开，并且当寄存器信息RGMEM指示相关存储器是最后级的一个存储器时，控制切换部分620为接通。
首先将给出温度信息选择部分610的操作的描述。所述部分610接收输入选择温度信息Dtemp-3和从温度传感器220提供的自身温度信息Dtemp-0。接下来，温度信息选择部分610比较由已经接收的输入选择温度信息Dtemp-3和自身温度信息Dtemp-0指示的温度条件。所述部分610选择包含指示较高温度的温度条件的温度信息，并且输出该信息作为输出选择温度信息Dtemp-1。应该注意到，如果作为温度条件分别由输入选择温度信息Dtemp-3和自身温度信息Dtemp-0指示的温度相同，则温度信息选择部分610可以选择和输出两条温度信息的任一。
另一方面，如果相关存储器是第一级的第一存储器200-1，则不提供输入选择温度信息Dtemp-3到温度信息选择部分610。相应地，所述部分610照原样输出从温度传感器220提供的自身温度信息Dtemp-0作为输出选择温度信息Dtemp-1。
在刷新控制电路600中，另一方面，输出选择温度信息Dtemp-1的信号路径分支并且连接到切换部分620的一端。切换部分620使其另一端连接到综合温度信息Dtemp-2的信号路径。仅当相关存储器200是最后级的存储器时，切换部分620才接通，如之前所述。当切换部分620接通时，输出选择温度信息Dtemp-1的信号路径经由切换部分620连接到综合温度信息Dtemp-2的信号路径。这提供了向外输出该输出选择温度信息Dtemp-1作为综合温度信息Dtemp-2的能力，如第n存储器200-n在图1中所示。这还提供了提供输出选择温度信息Dtemp-1到触发发布频率设置部分630作为综合温度信息Dtemp-2的能力。
相反，当相关存储器200是除了最后级之外级的存储器时，切换部分620断开。结果，刷新控制电路600以这样的方式操作，以便从外部设备接收综合温度信息Dtemp-2，也如图1中除了最后级之外级的存储器所示。应该注意到，切换部分620是权利要求中描述的信号切换部分的示例。
接下来，触发发布频率设置部分630改变和设置直接刷新触发RFTG-2的发布频率。综合温度信息Dtemp-2、自身温度信息Dtemp-0和间接刷新触发RFTG-1提供到触发发布频率设置部分630。首先，触发发布频率设置部分630基于综合温度信息Dtemp-2和自身温度信息Dtemp-0之间温度条件的关系，确定间接刷新触发RFTG-1的脉冲的稀疏率(thinning rate)。然后，所述部分630根据确定的稀疏率使间接刷新触发RFTG-1的脉冲的数目稀疏，并且输出其数目已经被稀疏的脉冲作为直接刷新触发RFTG-2。输出直接刷新触发RFTG-2的脉冲的间隔与适合目前的自身温度条件的刷新频率相称。如上所述改变直接刷新触发RFTG-2的脉冲发布频率。应该注意到，这里进行的稀疏处理还包括这样的情况，其中实际没有使脉冲稀疏，因为稀疏率确定为0％。另一方面，通过上述稀疏处理形成的直接刷新触发RFTG-2的脉冲可以以与接收刷新命令的频率不同的频率发布。然而，直接刷新触发RFTG-2的脉冲与刷新命令接收时序同步，如同间接刷新触发RFTG-1的脉冲。
[刷新控制电路的具体配置示例]
接下来，图4A所示的逻辑电路图图示图3所示的刷新控制电路600的具体配置示例。对于图4A，我们假设如图6所示定义温度信息和刷新率。也就是说，温度信息Dtemp代表具有高或低温度的二元值的温度条件。在此情况下，“L”代表低温，并且“H”代表高温。应该注意到，该定义共同地应用到自身温度信息Dtemp-0、输出选择温度信息Dtemp-1、综合温度信息Dtemp-2和输入选择温度信息Dtemp-3。
对于与温度条件的定义一致的刷新率，“L”或低温的温度Dtemp与0.5倍相关联，而“H”或高温的温度Dtemp与1倍相关联。
在图4A中，温度信息选择部分610包括选择器611、NAND门612、反相器613和OR门614。切换部分620包括计时缓冲器621。另一方面，触发发布频率设置部分630包括同或门(exclusive NOR gate)631、选择器632、触发器633和634、反相器635、AND门636、选择器637和触发器638。
在温度信息选择部分610中，选择器611根据模式切换信号TRNMODE选择两个信号(即，输入选择温度信息Dtemp-3和固定在低电平的固定信号)之一。更具体地，当模式切换信号TRNMODE为高时，选择器611选择输入选择温度信息Dtemp-3。当模式切换信号TRNMODE为低时，选择器选择固定信号。在此给出的描述中，模式切换信号TRNMODE为高，因为选择公共控制模式。因此，选择器总是选择输入选择温度信息Dtemp-3。
OR门614输出作为选择器611的输出的输入选择温度信息Dtemp-3和从温度传感器220提供的自身温度信息Dtemp-0的逻辑和作为输出选择温度信息Dtemp-1。当输入的至少一个为高时，OR门614输出高电平信号。因此，OR门614可以被认为用于选择两条信息(即，输入选择温度信息Dtemp-3和自身温度信息Dtemp-0)中的包含指示较高温度的温度条件的温度信息，并且输出选择的信息作为输出选择温度信息Dtemp-1。此外，当输入选择温度信息Dtemp-3和自身温度信息Dtemp-0两者为高时，OR门614输出高电平信号。当输入选择温度信息Dtemp-3和自身温度信息Dtemp-0两者为低时，所述门614输出低电平信号。也就是说，当所述温度条件由两条信息指示时，OR门614输出指示该温度条件的输出选择温度信息Dtemp-1。
包括NAND门612和反相器613的固定信号电路连接到输出选择温度信息Dtemp-1的信号路径。如果输入选择温度信息Dtemp-3没有提供到相关存储器200，因为所述存储器200是第一级的存储器，则该固定信号电路维持与选择器611的输入选择温度信息Dtemp-3相关联的输入为高电平。
重置信号RST和输入选择温度信息Dtemp-3提供到NAND门612。反相器613将NAND门612的输出反相，并且将其输出到接收输入选择温度信息Dtemp-3的NAND门612的输入之一。
重置信号RST例如用作各种初始化的触发。在此情况下，所述信号RST例如在通电时被拉低，然后从该点向前维持高。在固定信号电路中，当重置信号RST被拉低时，反相器613的输出固定在低电平。应该注意到，如果输入选择温度信息Dtemp-3从高反相到低电平或者反之亦然，则响应于此，反相器613的输出也从高反相到低电平或者反之亦然。
相反，如果没有外部提供输入选择温度信息Dtemp-3，则反相器613的输出保持固定在低电平。结果，输入选择温度信息Dtemp-3的信号路径规则地固定在与第一级的第一存储器200-1中的低电平相关联的电势。相应地，OR门614总是输出自身温度信息Dtemp-0作为输出选择温度信息Dtemp-1，用于与第一级的第一存储器200-1一致。
另一方面，切换部分620的计时缓冲器621接通或者断开输出选择温度信息Dtemp-1和综合温度信息Dtemp-2的信号路径之间的连接。在此情况下，输出选择温度信息Dtemp-1的信号路径连接到计时缓冲器621的输入，并且综合温度信息Dtemp-2的信号路径连接到所述缓冲器621的输出。
用作提供到计时缓冲器621的时钟，寄存器信息RGMEM指示相关存储器200在存储器系统100的多级连接配置的哪一级。我们假设如果相关存储器200是最后级的存储器，则例如“0”分配到该存储器作为它的ID号，并且寄存器信息RGMEM为低。我们还假设如果相关存储器200是除了最后级之外级的存储器，则寄存器信息RGMEM为高。
结果，当寄存器信息RGMEM为低时，该低电平反相，并且高电平时钟提供到计时缓冲器621。这允许输出选择温度信息Dtemp-1照原样输出为综合温度信息Dtemp-2。也就是说，形成最后级的第n存储器200-n的温度信息的输入/输出路径。相反，当寄存器信息RGMEM为高时，中断输出选择温度信息Dtemp-1和综合温度信息Dtemp-2的信号路径之间的连接。结果，形成用于除了最后级之外级的存储器200的温度信息的输入/输出路径。
接下来，触发发布频率设置部分630的同或门631能够检测综合温度信息Dtemp-2和自身温度信息Dtemp-0的温度条件是否匹配。更具体地，如果不存在匹配，也就是说，如果综合温度信息Dtemp-2和自身温度信息Dtemp-0分别为高和低或低和高，则同或门631输出低电平信号。另一方面，当存在匹配时，也就是说，当综合温度信息Dtemp-2和自身温度信息Dtemp-0都为高或低时，同或门631输出高电平信号。
应该注意到，同或门631可以被认为设置用于使间接刷新触发RFTG-1的脉冲的数目稀疏以便生成直接刷新触发RFTG-2的稀疏率。稀疏率这里是0％(不稀疏)或50％，因为刷新率定义为两级(即，1倍和0.5倍)之一，如图6所示。在此情况下，当同或门631的输出为高时稀疏率为0％(不稀疏)，而当其输出为低时为50％。
选择器632响应于模式切换信号TRNMODE选择同或门631的输出或者固定在高电平的固定信号。我们假设这里模式切换信号TRNMODE为高，因为选择公共控制模式。因此，选择器632总是选择同或门631的输出，并且输出该信号。
触发器633输出信号S1，作为与间接刷新触发RFTG-1同步的信号S2。信号S1是选择器632的输出。
每次获得间接刷新触发RFTG-1，触发器634和反相器635生成反相的信号S3。因此，触发器634接收间接刷新触发RFTG-1作为它的时钟。另一方面，反相器635反相信号S3(即，触发器634的输出)，并且将其反馈到触发器634的输入。
AND门636输出信号S4，即信号S3和间接刷新触发RFTG-1的逻辑积。通过使来自间接刷新触发RFTG-1的脉冲稀疏获得信号S4。在此情况下，AND门636每隔一个脉冲稀疏。这意味着用50％稀疏率使脉冲稀疏。
选择器637响应于信号S2选择间接刷新触发RFTG-1或信号S4，并且输出选择的信号。信号S2(即，选择器切换信号)与等价于稀疏率设置的同或门631的输出相关联。选择器637以等价于根据设置的稀疏率使来自间接刷新触发RFTG-1的脉冲稀疏并且输出具有稀疏的脉冲数的信号的方式操作。
触发器638与外部时钟CLK同步地输出选择器637的输出作为直接刷新触发RFTG-2。应该注意到，例如如果异步存储器阵列用作存储器阵列250，则可以省略触发器638。因此，实质上选择器637的输出用作直接刷新触发RFTG-2。
图4B图示温度信息选择部分610的固定信号电路的另一示例。也就是说，提供选择器615代替NAND门612和反相器613。选择器615提供有输入选择温度信息Dtemp-3和固定在低电平的固定信号作为它的输入。选择器615提供有寄存器信息RGMEM1作为切换信号。当为高时，寄存器信息RGMEM1指示相关存储器是第一级的存储器。当为低时，寄存器信息RGMEM1指示相关存储器是除了第一级之外级的存储器。结果，如果相关存储器是第二级或之后的第二到第n存储器200-2到200-n的任一个，则输入选择温度信息Dtemp-3输出到选择器611。如果相关存储器是第一级的第一存储器200-1，则处于低电平的低电平固定信号输出到选择器611。
[触发发布频率设置部分的操作]
图5所示的时序图图示触发发布频率设置部分630的操作。应该注意到，图5所示的操作还假设模式切换信号TRNMODE为高，因为选择公共控制模式。
首先，以规则的间隔(即，每触发时段Trf)输出间接刷新触发RFTG-1。然而，应该注意到，触发时段Trf根据提供到逻辑块300(存储器控制器310)的综合温度信息Dtemp-2为高或低而改变。也就是说，根据图6所示的定义，当综合温度信息Dtemp-2为高温时，存储器控制器300例如以时间长度T的间隔发布刷新命令。相反，当综合温度信息Dtemp-2为低温时，存储器控制器300以时间长度T两倍长的时间长度2T的间隔发布刷新命令。间接刷新触发RFTG-1的脉冲时段与发布刷新命令的时序相关联。因此，触发时段Trf例如在时间长度T和2T之间切换。
在此情况下，信号S1是经由选择器632获得的同或门631的输出。这里，在时间t4-1之前，综合温度信息Dtemp-2不匹配自身温度信息Dtemp-0。然而，在时间t4-1，综合温度信息Dtemp-2和自身温度信息Dtemp-0的任一被反相。结果，存在两条信息之间的匹配，因为其两者为高或低。因此，在时间t4-1之前信号S1为低，而在时间t4-1和之后为高。
在自从时间t4起已经改变为高电平的间接刷新触发RFTG-1仍为高的同时，反相信号S1。这意味着信号S1和间接刷新触发RFTG-1相互不同步。触发器634偏移信号S1的时序，使得信号S1的前缘与间接刷新触发RFTG-1的前缘同步。触发器634输出得到的信号作为信号S2。在当时间t4-1之后间接刷新触发RFTG-1首次上升时的时间t5，如上所述输出的信号S2从低电平变为高电平。
接下来，每次间接刷新触发RFTG-1的脉冲上升，从触发器634输出的信号S3从低电平变为高电平或从高电平变为低电平，如图5所示。从AND门636输出的信号S4是信号S3和间接刷新触发RFTG-1的逻辑积。因此，如图5所示，对于间接刷新触发RFTG-1的每两个脉冲，信号S4出现。也就是说，通过用1/2的稀疏率使来自间接刷新触发RFTG-1的脉冲稀疏，获得信号S4。
在作为切换信号提供到选择器637的信号S2为低时的时间t5之前，选择器637选择和输出信号S4作为直接刷新触发RFTG-2。相反，在时间t5和之后，选择器637选择和输出间接刷新触发RFTG-1。
因此，图4所示的触发发布频率设置部分630根据由自身温度信息Dtemp-0和综合温度信息Dtemp-2指示的温度条件是否相同，以1∶2比率改变和设置直接刷新触发RFTG-2的发布频率。
顺便提及，在图4A所示的触发发布频率设置部分630中，可以省略触发器633，使得信号S1照原样提供到选择器637作为切换信号。然而，在此情况下，我们假设在间接刷新触发RFTG-1为高的同时信号S2改变为低电平，如在图5的时间t4-1的情况下。结果，选择器637在时间t4-1将它的选择从为高的间接刷新触发RFTG-1改变为为低的信号S4。例如，这导致由于更短输出时间的直接刷新触发RFTG-2的脉冲波形的扰动和损失，这例如在操作稳定性方面不是优选的。因此，在本实施例中，从触发器633输出的信号S2与间接刷新触发RFTG-1同步。结果，由选择器637执行的信号切换也与间接刷新触发RFTG-1同步，因此消除直接刷新触发RFTG-2的脉冲波形的扰动或损失的可能性。
[真值表]
图7A和7B是用于图4所示的刷新控制电路600的操作的真值表。应该注意到，不但公共控制模式的操作(如直到现在所假设的)，而且个别控制模式的操作包括在真值表中。
图7A是用于温度信息选择部分610的操作的真值表。首先，模式切换信号TRNMODE在公共控制模式中为“H”。在此条件下，当自身温度信息Dtemp-0为“L”(温度条件：低)并且输入选择温度信息Dtemp-3为“L”(温度条件：低)时，输出选择温度信息Dtemp-1为“L”(温度条件：低)。此外，当自身温度信息Dtemp-0为“H”(温度条件：高)并且输入选择温度信息Dtemp-3为“L”(温度条件：低)时，输出选择温度信息Dtemp-1为“H”(温度条件：高)。此外，当自身温度信息Dtemp-0为“L”(温度条件：低)并且输入选择温度信息Dtemp-3为“H”(温度条件：高)时，输出选择温度信息Dtemp-1为“H”(温度条件：高)。当自身温度信息Dtemp-0为“H”(温度条件：高)并且输入选择温度信息Dtemp-3为“H”(温度条件：高)时，输出选择温度信息Dtemp-1为“H”(温度条件：高)。该真值表用于适于选择两条信息(即，自身温度信息Dtemp-0和输入选择温度信息Dtemp-3)中的包含指示较高温度的温度条件的温度信息作为输出选择温度信息Dtemp-1的操作。该真值表还用于适于如果自身温度信息Dtemp-0和输入选择温度信息Dtemp-3的温度条件相同则输出指示相同温度条件的输出选择温度信息Dtemp-1的操作。
还将给出个别控制模式的描述。在个别控制模式中，模式切换信号TRNMODE是“L”。在该条件下，当自身温度信息Dtemp-0是“L”(温度条件：低)时，忽视输入选择温度信息Dtemp-3，并且输出选择温度信息Dtemp-1也是“L”(温度条件：低)。另一方面，当自身温度信息Dtemp-0是“H”(温度条件：高)时，忽视输入选择温度信息Dtemp-3，并且输出选择温度信息Dtemp-1也是“H”(温度条件：高)。也就是说，照原样输出自身温度信息Dtemp-0作为输出选择温度信息Dtemp-1，不管输入选择温度信息Dtemp-3的温度条件。应该注意到，忽视输入选择温度信息Dtemp-3对应于适于使用例如来自图4A中激活和之后的固定信号电路(NAND门612和反相器613)，将输入选择温度信息Dtemp-3一直维持在“L”的操作。因此，在个别控制模式中，将从每个存储器200输出的输出选择温度信息Dtemp-1经由不同信号路径提供到逻辑块300。
图7B是用于触发发布频率设置部分630的触发发布的操作的真值表。首先，在公共控制模式中，模式切换信号TRNMODE是“H”。在该条件下，当自身温度信息Dtemp-0是“L”(温度条件：低)，并且综合温度信息Dtemp-2是“L”(温度条件：低)时，对于接收的每个刷新命令发布直接刷新触发RFTG-2。在此情况下，根据低温用0.5倍刷新率发布刷新命令。此外，存储器200自身处于低温。因此，与接收刷新命令一样频繁地发布直接刷新触发RFTG-2。这对应于这样的事实，例如如果接收刷新命令的次数的单位数目定义为一次，则对于次数的单位数目(即，一次)的直接刷新触发RFTG-2的发布次数是一次。
此外，当自身温度信息Dtemp-0是“L”(温度条件：低)，并且综合温度信息Dtemp-2是“H”(温度条件：高)时，对于接收的每两个刷新命令发布直接刷新触发RFTG-2。此时，根据高温用1倍刷新率发布刷新命令。相反，存储器200自身处于低温。因此，0.5倍刷新率是足够的。为此，与接收刷新命令一半频繁地发布直接刷新触发RFTG-2。这对应于这样的事实，根据接收刷新命令的次数的单位数目(即，一次)设置直接刷新触发RFTG-2的发布次数是0.5次。
此外，当自身温度信息Dtemp-0是“H”(温度条件：高)，并且综合温度信息Dtemp-2是“H”(温度条件：高)时，对于接收的每个刷新命令发布直接刷新触发RFTG-2。此时，根据高温用1倍刷新率发布刷新命令。然而，存储器200自身处于高温。因此，选择所述1倍刷新率。结果，与接收刷新命令一样频繁地发布直接刷新触发RFTG-2。
在个别控制模式中，另一方面，模式切换信号TRNMODE为“L”。在此条件下，当自身温度信息Dtemp-0是“L”(温度条件：低)，忽视综合温度信息Dtemp-2，并且对于接收的每个刷新命令发布直接刷新触发RFTG-2。相反当自身温度信息Dtemp-0是“H”(温度条件：高)，忽视综合温度信息Dtemp-2，并且对于接收的每个刷新命令发布直接刷新触发RFTG-2。也就是说，对于接收的每个刷新命令总是发布直接刷新触发RFTG-2。
作为响应于低电平模式切换信号TRNMODE提供到选择器632作为选择控制信号、选择器632一直输出高电平固定信号的结果，获得上面的操作。这允许选择间接刷新触发RFTG-1而不管自身温度信息Dtemp-0的温度条件，并且通过选择器637输出作为直接刷新触发RFTG-2。
[温度信息中包含的温度条件的扩展示例]
在直到此时给出的描述中，温度信息Dtemp代表具有高或低温度的二元值的温度条件。然而，可以升级本实施例，使得用三个或更多分辨级别代表温度条件。也就是说，由温度信息Dtemp代表的温度条件的数目可以是k级值(其中k是等于或大于3的整数)。应该注意到，升级到k级值扩展到自身温度信息Dtemp-0、输出选择温度信息Dtemp-1、输入选择温度信息Dtemp-3和综合温度信息Dtemp-2的全部。另一方面，我们假设分配到温度条件的数目越大，温度越高。
图8是当温度条件由k级值(其中k等于或大于3)代表时温度信息选择部分610的操作的示例的真值表。应该注意到，不但公共控制模式中的操作(如直到现在所假设的)，而且个别控制模式中的操作也可以包括在图8的真值表中。
参照图8，将首先给出其中模式切换信号TRNMODE是“H”的公共控制模式的描述。如果温度条件在本实施例中是k级值，则对于自身温度信息Dtemp-0的温度条件#1到#k的每个，输入选择温度信息Dtemp-3可以取温度条件#1到#k的任一个。
首先，当自身温度信息Dtemp-0指示温度条件#1时，并且当输入选择温度信息Dtemp-3类似地指示温度条件#1时，那么输出选择温度信息Dtemp-1也指示温度条件#1。接下来，当输入选择温度信息Dtemp-3指示温度条件#2到#k的任一个时，输入选择温度信息Dtemp-3在这些情况的任何中较高。结果，输出选择温度信息Dtemp-1指示与输入选择温度信息Dtemp-3的温度条件相同的温度条件(#2到#k之一)。
另一方面，当自身温度信息Dtemp-0指示温度条件#2，并且当输入选择温度信息Dtemp-3指示温度条件#1时，那么选择较高的自身温度信息Dtemp-0。因此，输出选择温度信息Dtemp-1指示温度条件#2。此外，当输入选择温度信息Dtemp-3指示温度条件#2，即与自身温度信息Dtemp-0的温度条件相同的条件时，输出选择温度信息Dtemp-1也指示温度条件#2。接下来，当输入选择温度信息Dtemp-3指示高于自身温度信息Dtemp-0的温度条件的温度条件#3时，选择输入选择温度信息Dtemp-3的温度条件。因此，输出选择温度信息Dtemp-1指示温度条件#3。对于之后的组合，当输入选择温度信息Dtemp-3指示温度条件#4到#k的任一个时，选择输入选择温度信息Dtemp-3的温度条件。因此，输出选择温度信息Dtemp-1指示与输入选择温度信息Dtemp-3的温度条件相同的温度条件(#4到#k之一)。
另一方面，当自身温度信息Dtemp-0指示温度条件3，并且当输入选择温度信息Dtemp-3指示温度条件#1到#3的任一个时，那么自身温度信息Dtemp-0在温度上高于或等于输入选择温度信息Dtemp-3。因此，输出选择温度信息Dtemp-1指示温度条件#3。接下来，当输入选择温度信息Dtemp-3指示高于自身温度信息Dtemp-0的温度条件的温度条件#4时，选择输入选择温度信息Dtemp-3的温度条件。结果，输出选择温度信息Dtemp-1指示温度条件#4。此外，当输入选择温度信息Dtemp-3指示温度条件#5到#k的任一个时，选择输入选择温度信息Dtemp-3的温度条件。因此，输出选择温度信息Dtemp-1指示与输入选择温度信息Dtemp-3的温度条件相同的温度条件(#5到#k之一)。
对于之后的组合，当自身温度信息Dtemp-0指示温度条件#4或其它更高温度条件时，类似地选择两条信息(即，自身温度信息Dtemp-0和输入选择温度信息Dtemp-3)中的较高温度作为输出选择温度信息Dtemp-1。另一方面，当由自身温度信息Dtemp-0和输入选择温度信息Dtemp-3指示相同温度条件时，选择该温度条件作为输出选择温度信息Dtemp-1。然后，当自身温度信息Dtemp-0指示温度条件#k(即，最高温度)时，如图8所示，输出选择温度信息Dtemp-1总是指示温度条件#k。
在个别控制模式中，另一方面，模式切换信号TRNMODE为“L”。在此条件下，温度信息选择部分610以以下方式操作。也就是说，选择与自身温度信息Dtemp-0的温度条件相同的温度条件作为输出选择温度信息Dtemp-1，而不管输入选择温度信息Dtemp-3的温度条件。
图9是当温度条件Dtemp是k级值时用于触发发布频率设置部分630的真值表。应该注意到，不但公共控制模式中的操作(如直到现在所假设的)，而且个别控制模式中的操作包括在图9的真值表中。
当由k级值代表温度条件时，若干刷新率设置是可能的。这里，定义刷新率设置如下。也就是说，假设代表温度条件的变量由m表示，刷新率通过由等式1/2(k-m)给出的倍数设置。更具体地，假设对于最高温度条件#k刷新率是1倍，温度以分配到温度条件的数字(即，温度条件#k-1、#k-2、#k-3等)的降序下降。相应地，刷新率变为1/2倍、1/4倍、1/8倍等。在图9的描述中，另一方面，分配到自身温度信息Dtemp-0的温度条件的每个数字的变量由“p”表示，并且分配到综合温度信息Dtemp-2的温度条件的每个数字的变量由“q”表示。在图9的刷新触发RFGT-2的列中，自身温度信息Dtemp-0和综合温度信息Dtemp-2的温度条件数字替代到变量“p”和“q”中。
在图9中，首先，模式切换信号TRNMODE在公共控制模式中也是“H”。在此条件下，当自身温度信息Dtemp-0指示作为最低温度的温度条件#1时，直接刷新触发RFTG-2的脉冲“对于接收的每2(q-p)个刷新命令发布”。这对应于这的事实，如果接收刷新命令的次数的单位数目定义为一次，则直接刷新触发RFTG-2的发布的数目设为1/2(q-p)。因此，更具体地，当由综合温度信息Dtemp-2指示的温度条件从温度条件#1变为温度条件#2、#3等时，直接刷新触发RFTG-2的脉冲的发布的数目从1/2(对于每两个刷新命令一次)减少到1/4(对于每四个刷新命令一次)、1/8(对于每八个刷新命令一次)等。
此外，当自身温度信息Dtemp-0指示温度条件#2时，并且当综合温度信息Dtemp-2指示温度条件#1时，出现其中综合温度信息Dtemp-2在温度上低于自身温度信息Dtemp-0的组合。在此情况下，直接刷新触发RFTG-2的脉冲是“对于接收的每个刷新命令发布2(p-q)次”。这对应于这样的事实，对于定义为一次的接收刷新命令的次数的单位数目，直接刷新触发RFTG-2的发布的数目设为2(p-q)。更具体地，在此情况下，输出直接刷新触发RFTG-2 2(2-1)次，即以接收刷新命令两倍频繁地输出。另一方面，当综合温度信息Dtemp-2指示在温度上等于或高于自身温度信息Dtemp-0的温度条件#2或其它更高温度条件时，直接刷新触发RFTG-2是“对于接收的每2(q-p)个刷新命令发布一次”。
对于之后的组合，如上的所述规则对于其中自身温度信息Dtemp-0指示温度条件#3或其它更高温度条件的每个情况成立。也就是说，在综合温度信息Dtemp-2的温度条件在温度上低于自身温度信息Dtemp-0的温度条件的组合中，直接刷新触发RFTG-2“对于接收的每个刷新命令发布2(p-q)次”。另一方面，当综合温度信息Dtemp-2的温度条件是在温度上等于或高于自身温度信息Dtemp-0的温度条件时，直接刷新触发RFTG-2“对于接收的每2(q-p)个刷新命令发布一次”。那么，当自身温度信息Dtemp-0指示温度条件#k(即，最高温度)时，在综合温度信息Dtemp-2指示温度条件#1到#k之一的每个情况下，直接刷新触发RFTG-2“对于接收的每个刷新命令发布2(p-q)次”。
应该注意到，为了比接收刷新命令更频繁地发布直接刷新触发RFTG-2，以便与综合温度信息Dtemp-2在温度上低于自身温度信息Dtemp-0的组合一致，可能的解决方案将是提供乘法器。该乘法器例如可以用振荡器配置。也就是说，该振荡器仅需要为提供的间接刷新触发RFTG-1的每个脉冲生成2(p-q)倍多的脉冲。这提供与间接刷新触发RFTG-1同步并且在频率上比间接刷新触发RFTG-1高2(p-q)倍的直接刷新触发RFTG-2。
如前所说，这里我们假设使用代表温度条件的变量通过由等式1/2(k-m)给出的倍数设置刷新率。图9所示的真值表的操作根据该刷新率并且以一直适于自身温度信息Dtemp-0的频率生成直接刷新触发RFTG-2的脉冲。
在个别控制模式中，另一方面，模式切换信号TRNMODE为“L”。在该条件下，温度信息选择部分610以以下方式操作。也就是说，忽视综合温度信息Dtemp-2，并且对于由输出选择温度信息Dtemp-1自己指示的每个温度条件#1到#k，直接刷新触发RFTG-2“对于接收的每个刷新命令发布”。
应该注意到，使用逻辑电路的刷新控制电路600的配置不限于图4所示的配置。替代地，刷新控制电路600可以采用任何电路配置，只要满足例如图7、8或9中所示的真值表。
<2.第二实施例>
[堆叠的存储器系统的概述的示例]
在根据直到此时描述的本实施例的存储器系统100中，例如对于存储器200和逻辑块300的物理布局不存在特定限制。例如，在平面方向中不同位置的存储器200和逻辑块300的芯片的布局也包括在本发明的第一实施例中。相反，本发明的第二实施例旨在所谓的堆叠的存储器系统，其中存储器200和逻辑块300的芯片逐个在顶部堆叠。例如，堆叠允许存储器系统200的模块的显著的物理尺寸减小。
图10图示如从根据本发明的第二实施例的堆叠的存储器系统100一侧看到的存储器200和逻辑块300的物理布局的示例。在图10所示的存储器系统100中，首先从顶部级(第一级)向下顺序安排第一到第n存储器200-1到200-n。在该条件下，逻辑块300安排在第n存储器200-n下面。
此外，根据本发明的第二实施例的存储器系统100采用用于存储器200和逻辑块300的芯片之间的电连接的TSV(通过硅通孔)。TSV是垂直贯穿硅半导体芯片并且用于替代传统的引线接合互连的电极。
图10图示在第二级的第二存储器200-2到最下面(最后)级的第n存储器200-n的每个中形成TSV 400的情况。在此情况下，另一方面，提供微块(microbump)500，其中形成的TSV 400之一出现(emerge)在其中形成TSV400的存储器200-2到200-n的每个芯片的前面和后面表面。通过将微块500连接在一起实现与邻近上面和下面芯片的连接。
在此条件下，图10图示提供在堆叠的第二到第n存储器200-2到200-n的每个中芯片平面方向中的相同位置的TSV 400。这使得可能形成第一到第n存储器200-1到200-n与逻辑块300之间共享的公共信号路径。
这里我们假设堆叠的存储器系统与之前已经描述的现有温度信息布线组合。在此情况下，每个存储器的自身温度信息必须个别地连接到逻辑块。因此，每个连接必须使用不同的线进行。此外，这些线不能共享TSV。结果，位于堆叠的中间某处的存储器必须具有TSV以允许从每个上面的存储器取出的自身温度信息的线穿过该存储器。例如，存储器的级越低，用于自身温度信息的TSV的数目越大。也就是说，在此情况下，需要制造每个具有为不同级的堆叠形成的不同数目的TSV的存储器芯片。这例如导致增加的成本，这不是优选的。
为了避免现有技术的该问题，仅仅最下面存储器(即，最接近逻辑块的存储器)的温度信息提供到逻辑块。在此情况下，逻辑块通过仅基于最下面存储器的温度信息发布公共刷新命令到所有存储器来控制刷新，这是所有刷新控制方案中最简单的。在堆叠的存储器中，上面的存储器趋于在温度上低，因为它们接近散热片，而下面的存储器趋于高温，因为由它们到散热片的距离产生的截留热。也就是说，在上面和下面的存储器之间在温度上存储大的差别。这使得例如极难以合适的频率刷新所有存储器。相反，在本发明的第二实施例中，如下所述路由用于温度信息的布线。
[芯片之间的布线]
图11图示根据本发明的第二实施例的存储器系统100的芯片之间的物理布线的示例。应该注意到，图11所示的第一存储器200-1与图2所示的存储器在功能电路块配置上大概相同。我们假设剩余的第二到第n存储器200-2到200-n具有相同配置。也就是说，我们假设第一到第n存储器200-1到200-n制造为相同规格。此外，逻辑块300与图1所示的逻辑块在内部配置上相同。
在本发明的第二实施例中，另一方面，以与参照图1描述的相同方式在存储器芯片和逻辑块芯片之间交换命令CMD和温度信息Dtemp-1到Dtemp-3。
在本实施例中，第一到第n存储器200-1到200-n每个包括CMD TSV400a和综合温度TSV 400b，如图11所示。
如图1所示，在第一到第n存储器200-1到200-n和逻辑块300之间共享命令CMD的信号路径。因此，在第一到第n存储器200-1到200-n的每个芯片的相同位置形成CMD TSV 400a。接下来，CMD TSV 400a通过相互垂直邻近的芯片的微块500之间的接点连接在一起，如图11所示。此外，CMD TSV400a连接到第一到第n存储器200-1到200-n每个中的刷新命令解码器210的命令输入端子。此外，存储器控制器300的命令输出端子连接到在与逻辑块300中的CMD TSV 400a相同位置提供的微块500。这使得可能经由公共信号路径将来自存储器控制器310的命令CMD共同地输出到第一到第n存储器200-1到200-n的刷新命令解码器210。
另一方面，在第一到第n存储器200-1到200-n之间共享综合温度信息Dtemp-2的信号路径，也如图1所示。因此，综合温度TSV 400b在第一到第n存储器200-1到200-n的每个芯片的相同位置形成，并且与CMD TSV 400a分离。综合温度TSV 400b通过相互垂直邻近的芯片的微块500之间的接点连接在一起。此外，综合温度TSV 400b连接到第一到第n存储器200-1到200-n每个中的的刷新控制电路600的综合温度信息输入端子。这使得可能经由公共信号路径将来自第n存储器200-n的综合温度信息Dtemp-2共同地提供到剩下的上面的存储器200-1到200-n-1。
如图1所示，另一方面，从除了最后级的存储器之外的所有存储器输出的输出选择温度信息Dtemp-1必须提供到下一级的存储器200作为输入选择温度信息Dtemp-3。此外，综合温度信息Dtemp-2必须从最后级的第n存储器200-n输出作为输出选择温度信息Dtemp-1。
响应于以上，在每个存储器200的芯片的底部表面上的相同位置提供适于输出该输出选择温度信息Dtemp-1的输出选择温度信息微块500a。此外，如同输出选择温度信息微块500a，在每个存储器200的芯片的顶部表面上平面方向中的相同位置提供适于接收输入选择温度信息Dtemp-3的输入选择温度信息微块500b。然而，应该注意，不需要在最上面的第一存储器200-1上提供输入选择温度信息微块500b。这确保输入选择温度信息Dtemp-3的输入端子对于第一存储器200-1中的刷新控制电路600开路。此外，在逻辑块300的芯片的顶部表面上平面方向中与每个存储器200上的输出选择温度信息微块500a的相同位置，提供适于接收输入综合温度信息Dtemp-2的综合温度信息微块500c。
然后，输出选择温度信息微块500a和输入选择温度信息微块500b在相互垂直邻近的芯片之间连接。另一方面，输出选择温度信息微块500a和综合温度信息微块500c在最后级的第n存储器200-n和逻辑块300的芯片之间连接。这允许在存储器系统100中形成综合温度信息Dtemp-2的信号路径。
应该注意到，输出选择温度信息微块500a、输入选择温度信息微块500b、综合温度TSV 400b和结合所述TSV 400b提供的信息微块500是权利要求中描述的电极的示例。
因此，本发明的第二实施例允许用于温度信息的同一物理布线结构用于所有存储器200。更具体地，仅需要在所有存储器200上的相同位置提供综合温度TSV 400、输出选择温度信息微块500a和输入选择温度信息微块500b。这使得可能使用通过与要堆叠的存储器200相同工艺制造的存储器形成存储器系统100。此外，这提供用于在存储器200和逻辑块300之间交换温度信息的更简单布线。
应该注意，本发明的优选实施例仅仅是用于实现本发明的示例。如在本发明的优选实施例中明确描述的，存在本发明的优选实施例的特征和在权利要求中公开的本发明的特性特征之间的对应。类似地，存在在权利要求中公开的本发明的特性特征和在本发明的优选实施例中同样命名的特征之间的对应。要理解的是，本发明不限于优选实施例，而是可以以各种方式修改而不背离本发明的范围。
本申请包含涉及于2010年2月22日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP 2010-036311中公开的主题，在此通过引用并入其全部内容。
本领域技术人员应当理解，依赖于设计需求和其他因素可以出现各种修改、组合、子组合和更改，只要它们在权利要求或其等效物的范围内。

Claims (11)

1.一种存储控制设备，包括：
温度传感器，适于检测温度条件以生成自身温度信息；
温度信息选择部分，适于基于由从之前级的存储控制设备提供的选择温度信息指示的温度条件和由自身温度信息指示的温度条件，选择提供的选择温度信息或自身温度信息，并且还适于输出选择外部输出温度信息或自身温度信息到下一级的存储控制设备作为选择温度信息；
刷新命令接收部分，适于接收刷新命令，该刷新命令的传输频率是根据由综合温度信息指示的温度条件设置，该综合温度信息即是由最后级的存储控制设备获得的选择温度信息；以及
触发发布频率设置部分，适于响应于接收到刷新命令，基于从最后级的存储控制设备提供的综合温度信息和自身温度信息设置刷新触发发布频率，该刷新触发使得存储器阵列执行刷新。
2.如权利要求1所述的存储控制设备，其中
触发发布频率设置部分设置对于刷新命令的给定单位接收数目的刷新触发的发布数目作为刷新触发发布频率。
3.如权利要求2所述的存储控制设备，其中
触发发布频率设置部分将以适于刷新命令的接收的频率发布的临时刷新触发的发布频率改变为适于发布的数目的频率，并且输出临时刷新触发作为刷新触发。
4.如权利要求1所述的存储控制设备，还包括：
信号切换部分，如果感兴趣的存储控制设备不是最后级的一个，则信号切换部分可操作来形成适于将来自最后级的存储控制设备的综合温度信息提供到触发发布频率设置部分的信号路径，如果存储控制设备是最后级的一个，则信号切换部分还可操作来形成两条信号路径，一条适于将来自温度信息选择部分的选择温度信息提供到触发发布频率设置部分作为综合温度信息，并且另一条适于将选择温度信息输出到其它外部存储控制设备作为综合温度信息。
5.如权利要求1所述的存储控制设备，其中
如果感兴趣的存储控制设备是第一级的一个，则温度信息选择部分选择自身温度信息，并且输出该信息作为选择温度信息，而不管由提供的选择温度信息指示的温度条件。
6.如权利要求1所述的存储控制设备，其中
当感兴趣的存储控制设备和其它存储控制设备逐个在顶部堆叠时，适于输出选择温度信息到下一级的存储控制设备的电极提供在感兴趣的存储控制设备的底部表面，并且位于与适于接收选择温度信息并且提供在下一级的存储控制设备的顶部表面的电极相同的位置，该下一级的存储控制设备位于与感兴趣的存储控制设备相邻并且在感兴趣的存储控制设备下面。
7.如权利要求1所述的存储控制设备，其中
当感兴趣的存储控制设备和其它存储控制设备逐个在顶部堆叠时，适于从之前级的存储控制设备接收选择温度信息的电极提供在感兴趣的存储控制设备的顶部表面，并且位于与适于输出选择温度信息并且提供在之前级的存储控制设备的底部表面的电极相同的位置，该之前级的存储控制设备位于与感兴趣的存储控制设备相邻并且在感兴趣的存储控制设备上面。
8.如权利要求1所述的存储控制设备，其中
当感兴趣的存储控制设备和其它存储控制设备逐个在顶部堆叠时，适于接收或输出综合温度信息的电极包括贯穿电极，并且位于与作为综合温度信息的信号路径的一部分的其它存储控制设备上提供的贯穿电极相同的位置。
9.一种存储设备，包括：
存储器阵列；
温度传感器，适于检测温度条件以生成自身温度信息；
温度信息选择部分，适于基于由从之前级的存储设备提供的选择温度信息指示的温度条件和由自身温度信息指示的温度条件，选择提供的选择温度信息或自身温度信息，并且还适于输出选择的外部输出温度信息或自身温度信息到下一级的存储设备作为选择温度信息；
刷新命令接收部分，适于接收刷新命令，该刷新命令的传输频率是根据由综合温度信息指示的温度条件设置，该综合温度信息即是由最后级的存储控制设备获得的选择温度信息；以及
触发发布频率设置部分，适于响应于接收到刷新命令，基于从最后级的存储控制设备提供的综合温度信息和自身温度信息设置刷新触发发布频率，该刷新触发使得存储器阵列执行刷新。
10.一种存储设备系统，包括：
逐个在顶部堆叠的多个存储设备，每个存储设备包括
存储器阵列；
温度传感器，适于检测温度条件以生成自身温度信息；
温度信息选择部分，适于在感兴趣的存储设备之前级的并且与感兴趣的存储设备相邻的之前级的存储设备不存在时输出自身温度信息，该温度信息选择部分适于基于由从之前级的存储设备提供的选择温度信息指示的温度条件和由自身温度信息指示的温度条件，在之前级的存储设备存在时选择提供的选择温度信息或自身温度信息，并且该温度信息选择部分适于输出选择外部输出温度信息或自身温度信息到位于感兴趣的存储设备下面并且与感兴趣的存储设备相邻的下面的存储设备或刷新控制设备作为选择温度信息；
刷新命令接收部分，适于接收刷新命令，该刷新命令的传输频率是根据由综合温度信息指示的温度条件设置，该综合温度信息即是由最下面的存储控制设备获得的选择温度信息；以及
触发发布频率设置部分，适于响应于接收到刷新命令，基于从最后级的存储控制设备提供的综合温度信息和自身温度信息设置刷新触发发布频率，该刷新触发使得存储器阵列执行刷新；
选择温度信息输出电极，提供在感兴趣的存储设备的底部表面，用于输出选择温度信息到下面的存储设备，该选择温度信息输出电极位于与提供在下面的存储设备的顶部表面并且适于接收选择温度信息的电极相同的位置，
选择温度信息输入电极，提供在感兴趣的存储设备的顶部表面，用于从之前级的存储设备接收选择温度信息，该选择温度信息输入电极位于与提供在上面的存储设备的底部表面并且适于输出选择温度信息的电极相同的位置；以及
包括贯穿电极的综合温度信息电极，适于接收或输出综合温度信息，该综合温度信息电极位于与作为综合温度信息的信号路径的一部分的其它存储设备上提供的贯穿电极相同的位置。
11.一种存储设备系统，包括：
逐个在顶部堆叠的、全部为芯片形式的多个存储设备和刷新控制设备，每个存储设备包括
存储器阵列；
温度传感器，适于检测温度条件以生成自身温度信息；
温度信息选择部分，适于在感兴趣的存储设备之前级的并且与感兴趣的存储设备相邻的之前级的存储设备不存在时输出自身温度信息，该温度信息选择部分适于基于由从之前级的存储设备提供的选择温度信息指示的温度条件和由自身温度信息指示的温度条件，在之前级的存储设备存在时选择提供的选择温度信息或自身温度信息，并且该温度信息选择部分适于输出选择的外部输出温度信息或自身温度信息到位于感兴趣的存储设备下面并与感兴趣的存储设备相邻的下面的存储设备或刷新控制设备作为选择温度信息；
刷新命令接收部分，适于接收刷新命令；
触发发布频率设置部分，适于接收综合温度信息，该综合温度信息即为由最下面存储控制设备获得的选择温度信息，并且该触发发布频率设置部分响应于接收到刷新命令，基于接收的综合温度信息和自身温度信息设置刷新触发发布频率，该刷新触发使得存储器阵列执行刷新；
选择温度信息输出电极，提供在感兴趣的存储控备的底部表面，用于输出选择温度信息到下面的存储设备，该选择温度信息输出电极位于与提供在下面的存储设备的顶部表面并且适于接收选择温度信息的电极相同的位置；
选择温度信息输入电极，提供在感兴趣的存储设备的顶部表面，用于从之前级的存储设备接收选择温度信息，该选择温度信息输入电极位于与提供在上面的存储设备的底部表面并且适于输出选择温度信息的电极相同的位置；以及
包括贯穿电极的综合温度信息电极，适于接收或输出综合温度信息，该综合温度信息电极位于与作为综合温度信息的信号路径的一部分的其它存储设备上提供的贯穿电极相同的位置，其中
该刷新控制设备包括
命令传输部分，适于通过根据基于从最下面存储控制设备接收的综合温度信息设置的传输频率的广播，传输刷新命令到每个存储设备，以及
综合温度信息输入电极，提供在刷新控制设备的顶部表面，用于接收综合温度信息，并且该综合温度信息输入电极位于与位于刷新控制设备上面并且与刷新控制设备相邻的最下面存储设备的选择温度信息输出电极相同的位置。
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