JP2013101728A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の半導体チップを備え、複数の半導体チップのうちの第1の半導体チップは第1の温度センサを有し、第1の半導体チップとは異なる第2の半導体チップはリフレッシュ動作を必要とする半導体チップであって、第1の半導体チップの第1の温度センサの出力結果に応じて第2の半導体チップのリフレッシュ周期が変更される。
【選択図】図5
Description
このように、上述のような半導体装置は、不要にリフレッシュ周期が変更されることにより、無駄に消費電流が増加してしまうという問題がある。
[第1の実施形態]
本実施形態では、一例として、半導体装置が、2つのDRAM(Dynamic Random Access Memory)チップと、SOC(System-on-a-chip)チップとを備えている場合について説明する。また、本実施形態では、半導体装置は、この3つの半導体チップをTSV(Through Silicon Via)技術を用いて、1つのパッケージに実装されている一例について説明する。
図1(a)において、半導体装置1は、2つのDRAMチップ(10_0,10_1)と、SOCチップ11と、パッケージ基板3を備えている。SOCチップ11及び2つのDRAMチップ(10_0,10_1)は、パッケージ基板3上に積層されており、封止樹脂4で覆われて(封止されて)いる。すなわち、パッケージ基板3は、複数の半導体チップ(2つのDRAMチップ(10_0,10_1)及びSOCチップ11)を実装している。複数の半導体チップ及びパッケージ基板3が同一の封止樹脂4(樹脂)によって封止されている。
外部接続端子2は、例えば、はんだボールであり、半導体装置1と外部装置とを電気的に接続する。
DRAMチップ(10_0,10_1)は、メモリセルのデータ保持のためのリフレッシュ動作が実行される半導体チップである。DRAMチップ(10_0,10_1)の詳細な構成については後述する。
図1(b)において、貫通電極5は、裏面電極51、基板貫通電極52、コンタクトプラグ53、配線パッド54、及び表面電極55を備えている。貫通電極5は、各半導体チップ(10_0,10_1,11)の対向する表面F1(第1の面)と裏面F2(第2の面)とを貫通して、表面F1に形成された表面電極55(電極端子)と裏面F2に形成された裏面電極51(電極端子)とを電気的に導通させる。
また、基板貫通電極52は、半導体基板71を貫通して、裏面電極51とコンタクトプラグ53とを接続するように形成されている。また、コンタクトプラグ53は、半導体基板71の表面に形成された相関絶縁膜を貫通して、基板貫通電極52と配線パッド54とを接続するように形成されている。また、配線パッド54は、半導体チップ内の信号線に接続されており、半導体チップと外部装置との間における信号の入出力に用いられる。また、配線パッド54の最上層には、表面電極55が形成されている。なお、表面F1(第1の面)は、半導体チップを保護するパッシベーション膜73が表面電極55を除いた領域に形成されている。また、配線パッド54の間には、層間絶縁膜72が形成されている。
なお、DRAMチップ10_0、及びDRAMチップ10_1のうちの任意のDRAMチップ、又は単に半導体装置1が備えるDRAMチップを示す場合には、DRAMチップ10と称して以下説明する。
図2は、DRAMチップ10を図1(b)の表面F1側から見た場合の図である。図2において、DRAMチップ10には、4つのチャネル20A〜20D(Channela〜Channeld)と、貫通電極5(5A〜5D)と、テスト用パッド6とが配置されている。
テスト用パッド6は、DRAMチップ10をウエハ状態でのテストをする際に、プローブ針を接続するためのパッド(端子)である。テスト用パッド6のパッドサイズ及び間隔(ピッチ)は、プローブ針が接続しやすいように、貫通電極5A〜5Dの各電極のサイズ及び間隔(ピッチ)よりも広く形成さられている。また、DRAMチップ10をウエハ状態でのテストをする際に、テスト用パッド6を用いてテストするため、貫通電極5A〜5Dを傷つけることなくテストすることが可能となる。
図3は、本実施形態におけるチャネル20の構成を示すブロック図である。
上述したように、チャネル20は、単独のDRAMとして機能するブロックである。なお、本実施形態では、DRAMチップ10は、例えば、512ビット単位のデータを出力するWide−IO(ワイドアイオー)に対応する例である。ここで、DRAMチップ10は、4つのチャネル20(20A〜20D)を備えているため、1つのチャネル20は、128ビット単位のデータの出力に対応する。
リフレッシュカウンタ251は、DRAMのメモリセルにおけるデータ保持のためのリフレッシュ動作を実行するワードライン(ワード線WL)を選択して、リフレッシュ動作を実行する。なお、リフレッシュカウンタ251は、ここでは図示を省略するが、後述するリフレッシュ制御部40(図4)から供給されるリフレッシュ信号(Ref信号)に基づいて、リフレッシュ動作を実行する。すなわち、このリフレッシュ信号(Ref信号)によって、リフレッシュ周期が定められている。ここで、リフレッシュ周期とは、リフレッシュ動作を実行する周期を示す。
ロウデコーダ271は、ロウアドレスバッファ25から供給されるロウアドレス信号に基づいて、メモリセルアレイ273に含まれる複数のワード線WLのうちのいずれかを選択する回路である。
カラムデコーダ272は、カラムアドレスバッファ26から供給されるカラムアドレス信号に基づいて、メモリセルアレイ273に含まれる複数のビット線BLのうちのいずれかを選択する回路である。
また、メモリセルアレイ273は、メモリセルMCからビット線BLに読み出されたデータを増幅する等の動作を行う複数のセンスアンプと、複数のワード線WLを駆動する複数のワードドライバと、ビット線BLとIO線を接続する複数のYスイッチとを備えている。センスアンプは、読み出し動作において、ビット線BL上に現れるメモリセルMCからの微弱なデータ信号を増幅する回路である。また、書き込み動作においては、ビット線BLを介してメモリセルMCにデータを書き込む回路である。メモリセルアレイ273は、メモリセルMCから読み出されたデータをデータラッチ回路28に供給する。また、メモリセルアレイ273は、メモリセルMCに書き込むデータをデータラッチ回路28から供給される。
図4は、本実施形態におけるDRAMチップ10の構成を示すブロック図である。
本実施形態では、一例として、DRAMチップ10は、4つのチャネル20(20A〜20D)を備える場合について説明する。
図4において、DRAMチップ10は、4つのチャネル20(20A〜20D)、温度センサ30、リフレッシュ制御部40、及び内部電圧発生回路50を備えている。
同様に、チャネル20Bは、クロック信号CKb、クロックイネーブル信号CKEb、アドレス信号A0b〜A16b及びBA0b〜BA1b、チップセレクト信号/CSb、ロウアドレスストローブ信号/RASb、カラムアドレスストローブ信号/CASb、ライトイネーブル信号/WEb、データストローブ信号DQS0b〜DQS7b、及びデータ信号DQ0b〜DQ127bに対応する信号端子を備えている。
また、同様に、チャネル20Dは、クロック信号CKd、クロックイネーブル信号CKEd、アドレス信号A0d〜A16d及びBA0d〜BA1d、チップセレクト信号/CSd、ロウアドレスストローブ信号/RASd、カラムアドレスストローブ信号/CASd、ライトイネーブル信号/WEd、データストローブ信号DQS0d〜DQS7d、及びデータ信号DQ0d〜DQ127dに対応する信号端子を備えている。
例えば、温度センサ30は、温度センサ30が内蔵されているDRAMチップ10の温度が低い状態から予め定められた閾値以上に変動した場合に、出力結果をL状態(第2の出力状態)からH状態(第1の出力状態)に遷移させる。
リフレッシュ制御部40の詳細な構成については、図5を参照して後述する。
図5は、本実施形態における半導体装置1の構成を示すブロック図である。
この図において、半導体装置1は、2つのDRAMチップ10(10_0,10_1)を備えている。なお、半導体装置1は、SOCチップ11を備えているが、この図において図示を省略している。
なお、この図において、DRAMチップ10_0が備えているチャネル20(20A〜20D)をチャネル20_0とし、温度センサ30を温度センサ30_0とし、リフレッシュ制御部40をリフレッシュ制御部40_0として説明する。また、チャネル20_0が備えているコントロールロジック部24をコントロールロジック部24_0とし、ロウアドレスバッファ25及びリフレッシュカウンタ251をロウアドレスバッファ25_0及びリフレッシュカウンタ251_0として説明する。
チャネル20_0のリフレッシュ動作を起動する。
インバータ回路43_0は、温度センサ30_0が出力した検出結果(出力結果)を示す出力信号TW0を論理反転した信号を生成し、生成した論理反転した信号をノードN40に出力する。なお、インバータ回路43_0が論理反転した信号は、上述したTWEX0信号と同様の論理状態を示す信号である。
例えば、NAND回路44_0は、TWEX0信号に対応する信号と、TWEX1信号とのうちのいずれか一方又は両方がL状態である場合に、セレクト信号にH状態を出力する。また、例えば、NAND回路44_0は、TWEX0信号に対応する信号と、TWEX1信号とのうちの両方がH状態である場合に、セレクト信号にL状態を出力する。
マルチプレクサ46_0は、例えば、セレクト信号がL状態である場合に、OSC部41_0が生成したクロック信号よりも周期の長い(周波数の低い)、分周回路45_0によって分周されたクロック信号を分周回路47_0に供給する。また、マルチプレクサ46_0は、例えば、セレクト信号がH状態である場合に、分周回路45_0が分周したクロック信号よりも周期の短い(周波数の高い)、OSC部41_0によって生成されたクロック信号を分周回路47_0に供給する。
実行開始タイミング(起動タイミング)を示している。
また、リフレッシュ制御部40_0は、2つの温度センサ(30_0,30_1)の出力結果(TW0,TW1)のうちの少なくとも1つがH状態になった場合に、2つの温度センサ(30_0,30_1)のうちの全ての出力結果(TW0,TW1)がL状態である場合よりも短い周期にリフレッシュ周期を変更する。ここで、2つの温度センサ(30_0,30_1)は、リフレッシュ動作が実行されるDRAMチップ10_0に内蔵されている温度センサ30_0、及び、DRAMチップ10_0とは別の半導体チップであるDRAMチップ10_1に内蔵されている温度センサ30_1である。
図6は、本実施形態におけるリフレッシュ制御部40(40_0,40_1)の動作を示すタイムチャートである。
この図において、縦軸は、上から出力信号TW0、出力信号TW1、ノードN10(N11)の信号、ノードN20(N21)の信号、ノードN30(N31)の信号、Ref0信号、及びRef1信号を示している。また、横軸は時間tを示している。
時刻t1までの期間において、温度センサ30_0の出力信号TW0、及び温度センサ30_1の出力信号TW1は、ともにL状態を出力している。この場合、マルチプレクサ46_0(46_1)は、分周回路45_0(45_1)によって分周された周波数の低いクロック信号(ノードN20(N21)の信号)をノードN30(N31)に出力する。そのため、Ref0信号及びRef1信号は、温度が予め定められた閾値未満である場合に対応した長い周期(ΔT1)のリフレッシュ信号が出力される。
なお、DRAMチップ10_1が内蔵している温度センサ30_1が、予め定められた閾値以上の温度を検出した場合(出力信号TW1がH状態である場合)の動作も図6に示される動作と同様である。
換言すると、半導体装置1は、リフレッシュ動作を必要とする半導体チップを含む複数の半導体チップを備え、複数の半導体チップのうちの第1の半導体チップに内蔵された第1の温度センサの出力結果に応じて、複数の半導体チップのうちの、第1の半導体チップとは異なる第2の半導体チップのリフレッシュ動作を実行するリフレッシュ周期を変更する。つまり、半導体装置1は、複数の半導体チップのうちの第1の半導体チップは第1の温度センサを有し、第1の半導体チップとは異なる第2の半導体チップはリフレッシュ動作を必要とする半導体チップであって、第1の半導体チップの第1の温度センサの出力結果に応じて第2の半導体チップのリフレッシュ周期が変更される。
これにより、リフレッシュ制御部40_0が、温度センサ30_1が内蔵されたDRAMチップ10_1の温度を正確に検知してDRAMチップ10_0のリフレッシュ周期を変更する。そのため、リフレッシュ制御部40_0は、不要にDRAMチップ10_0のリフレッシュ周期が変更されることを防止できる。これにより、半導体装置1は、無駄な消費電流を削減することができる。
これにより、半導体装置1は、DRAMチップ(10_0,10_1)が高温(予め定められた閾値以上)になった場合にリフレッシュ周期を短くするので、DRAMチップ(10_0,10_1)に動作不良が生じることを防止することができる。
これにより、第1の半導体チップ(例えば、DRAM10_1)と第2の半導体チップ(例えば、DRAM10_0)とは、それぞれ検出した検出結果を共用して使用するので、半導体装置1内の温度を正確に検知してリフレッシュ周期を変更する。そのため、リフレッシュ制御部40(40_0,40_1)は、不要にDRAMチップ10_0のリフレッシュ周期が変更されることを防止できる。これにより、半導体装置1は、無駄な消費電流を削減することができる。
例えば、自半導体チップをDRAM10_0)とした場合、自半導体チップが内蔵する第2の温度センサは、温度センサ30_0に対応する。この場合、自半導体チップ以外の第2の半導体チップ(DRAMチップ10_1)は、上述した第1の半導体チップに対応し、DRAMチップ10_1が内蔵する第2の温度センサ(この場合、第1の温度センサでもある)は、温度センサ30_1に対応する。すなわち、リフレッシュ制御部40は、温度センサ30_0の出力結果と温度センサ30_1の出力結果とのうちの少なくとも1つがH状態になった場合に、それぞれの温度センサ(30_0,30_1)の出力結果うちの全ての出力結果がL状態である場合よりも短い周期に、自半導体チップにおけるリフレッシュ周期を変更する。
また、温度センサ30(30_0,30_1)が検出した検出結果を複数のDRAMチップ(10_0,10_1)で共用して使用するので、予め高温になる前にリフレッシュ周期を短くすることができる。そのため、半導体装置1は、DRAMチップ(10_0,10_1)に動作不良が生じることを防止することができる。
これにより、複数の半導体チップを備えた半導体装置1であって、各DRAMチップ(10_0,10_1)に動作不良が生じることを防止ししつつ、無駄な消費電流を削減することができる半導体装置1を1つのパッケージ形状により提供することができる。
[第2の実施形態]
図7は、第2の実施形態における半導体装置1の構成を示すブロック図である。
この図において、半導体装置1は、図5と同一の構成については同一の符号を付し、その説明を省略する。
本実施形態では、DRAMチップ10_0とDRAMチップ10_1との間で、温度センサ30_0の出力結果と温度センサ30_1の出力結果とを1本の信号線を用いて相互に共用する形態について説明する。
また、本実施形態では、NAND回路44_0には、インバータ回路42_0の出力信号線の代わりに、このノードN1が接続されている。
このように、本実施形態では、リフレッシュ制御部40_0とリフレッシュ制御部40_1とが、ノードN1を介して接続されている。なお、ノードN1は、上述した貫通電極5を介して接続されている。
本実施形態におけるリフレッシュ制御部40(40_0,40_1)の動作は、基本的に、第1の実施形態と同様である。本実施形態では、1本の信号線(ノードN1)により、リフレッシュ制御部40_0とリフレッシュ制御部40_1とが接続されている点が異なる。ここでは、ノードN1に関する動作について説明する。
例えば、温度センサ30_0の出力信号TW0と、温度センサ30_1の出力信号TW1との両方がL状態である場合に、NMOSトランジスタ(49_0,49_1)が非導通状態になり、ノードN1は、H状態が維持される。また、例えば、温度センサ30_0の出力信号TW0がH状態である場合に、NMOSトランジスタ49_0が導通状態になり、ノードN1は、L状態になる。例えば、温度センサ30_1の出力信号TW1がH状態である場合に、NMOSトランジスタ49_1が導通状態になり、ノードN1は、L状態になる。すなわち、温度センサ30_0の出力信号TW0と、温度センサ30_1の出力信号TW1との両方又はいずれか一方がH状態である場合に、ノードN1は、L状態になる。なお、ノードN1がL状態になった場合に、リフレッシュ制御部40(40_0,40_1)は、短い周期のリフレッシュ周期に変更する。
また、本実施形態における半導体装置1は、1本の信号線(ノードN1)により、複数の半導体チップの温度センサ30の出力結果を複数の半導体チップの間で共用することができる。そのため、本実施形態における半導体装置1は、貫通電極5の数を減らすことが可能である。
[第3の実施形態]
図8は、第3の実施形態における半導体装置1の構成を示すブロック図である。
この図において、半導体装置1は、DRAMチップ10(10_0,10_1)、及びSOCチップ11を備えている。
本実施形態において、第1の半導体チップであるDRAMチップ10(10_0,10_1)は、リフレッシュ制御部40、コントロールロジック部24、及びロウアドレスバッファ25をそれぞれ備えている。すなわち、DRAMチップ10_0は、リフレッシュ制御部40_0、コントロールロジック部24_0、及びロウアドレスバッファ25_0を備えている。また、DRAMチップ10_1は、リフレッシュ制御部40_1、コントロールロジック部24_1、及びロウアドレスバッファ25_1を備えている。
温度センサ31は、第1及び第2の実施形態における温度センサ30と同様である。
例えば、DRAMチップ10_0において、リフレッシュ制御部40_0は、コントロールロジック部24_0から供給された内部リフレッシュコマンド信号に基づいて、リフレッシュ信号(Ref0信号)の出力を開始する。例えば、SOCチップ11が高温になり、温度センサ31がH状態を出力した場合に、リフレッシュ制御部40_0は、リフレッシュ信号(Ref0信号)を短い周期に変更して、ロウアドレスバッファ25_0のリフレッシュカウンタ251_0に供給する。リフレッシュカウンタ251_0は、リフレッシュ制御部40_0から供給されたリフレッシュ信号(Ref0信号)に基づいて、リフレッシュ動作を実行する。
これにより、温度センサ30_1が内蔵されたSOCチップ11の温度を正確に検知して、DRAMチップ10のリフレッシュ周期を変更するため、不要にDRAMチップ10のリフレッシュ周期が変更されることを防止できる。これにより、半導体装置1は、無駄な消費電流を削減することができる。
また、DRAMチップ10は、半導体装置1が備えるSOCチップ11が高温になったことを検知にして、リフレッシュ周期を短くすることができるため、DRAMチップ10が高温になる前に予めリフレッシュ周期を短くすることができる。そのため、半導体装置1は、DRAMチップ10に動作不良が生じることを防止することができる。
[第4の実施形態]
本実施形態では、半導体装置1がオートリフレッシュコマンドを用いてリフレッシュ動作を実行する場合の一例である。
図9は、第4の実施形態における半導体装置1の構成を示すブロック図である。
この図において、半導体装置1は、DRAMチップ10(10_0,10_1)、及びSOCチップ11を備えている。
本実施形態において、第2の半導体チップ(又は第1の半導体チップ)であるDRAMチップ10(10_0,10_1)は、温度センサ30、コマンドデコーダ22、コントロールロジック部24、及びロウアドレスバッファ25をそれぞれ備えている。すなわち、DRAMチップ10_0は、温度センサ30_0、コマンドデコーダ22_0、コントロールロジック部24_0、及びロウアドレスバッファ25_0を備えている。また、DRAMチップ10_1は、温度センサ30_1、コマンドデコーダ22_1、コントロールロジック部24_1、及びロウアドレスバッファ25_1を備えている。
オートリフレッシュ制御部40a(リフレッシュ制御部)は、DRAMチップ10のコマンドデコーダ22(22_0,22_1)に対して、オートリフレッシュコマンドを所定の周期で各DRAMチップ10のコマンドデコーダ22に出力して、各DRAMチップ10にリフレッシュ動作を実行させる。オートリフレッシュ制御部40aは、例えば、温度センサ30_0の出力信号又は温度センサ30_1の出力信号がH状態になった場合に、DRAMチップ10のコマンドデコーダ22に対して、オートリフレッシュコマンドを上述した所定の周期より短い周期で出力するように変更する。
なお、本実施形態において、オートリフレッシュ制御部40aは、第2の実施形態と同様に、トランジスタのオープンドレイン出力を利用することにより、1本の信号線により、温度センサ30_0の出力信号又は温度センサ30_1の出力信号がH状態になったことを検出する。
例えば、DRAMチップ10_0において、コマンドデコーダ22_0は、供給されたオートリフレッシュコマンドに基づいて、リフレッシュ動作を実行する内部コマンドを生成する。コマンドデコーダ22_0は、生成した内部コマンドをコントロールロジック部24_0に供給する。コントロールロジック部24_0は、このリフレッシュ動作を実行する内部コマンドに基づいて、リフレッシュ信号(Auto_Ref0信号)をロウアドレスバッファ25_0のリフレッシュカウンタ251_0に供給する。リフレッシュカウンタ251_0は、コントロールロジック部24_0から供給されたリフレッシュ信号(Auto_Ref0信号)に基づいて、リフレッシュ動作を実行する。
同様に、例えば、DRAMチップ10_1において、コマンドデコーダ22_1は、供給されたオートリフレッシュコマンドに基づいて、リフレッシュ動作を実行する内部コマンドを生成する。コマンドデコーダ22_1は、生成した内部コマンドをコントロールロジック部24_1に供給する。コントロールロジック部24_1は、このリフレッシュ動作を実行する内部コマンドに基づいて、リフレッシュ信号(Auto_Ref1信号)をロウアドレスバッファ25_1のリフレッシュカウンタ251_1に供給する。リフレッシュカウンタ251_1は、コントロールロジック部24_1から供給されたリフレッシュ信号(Auto_Ref1信号)に基づいて、リフレッシュ動作を実行する。
すなわち、複数の半導体チップは、上述した第1及び第2の半導体チップ(DRAMチップ(10_0,10_1))を制御するSOCチップ11を更に含む。そして、SOCチップ11は、第1及び第2の温度センサ(温度センサ(30_0,30_1))の出力結果に応じて、第1及び第2の半導体チップのリフレッシュ周期を制御する。
これにより、温度センサ30(30_0,30_1)がDRAMチップ10(10_0,10_1)の温度を正確に検知して、SOCチップ11がDRAMチップ10のリフレッシュ周期を変更するため、不要にDRAMチップ10のリフレッシュ周期が変更されることを防止できる。これにより、半導体装置1は、無駄な消費電流を削減することができる。
また、SOCチップ11は、複数のDRAMチップ10(10_0,10_1)のうちのいずれかが高温になったことを検知にして、リフレッシュ周期を短くすることができるため、各DRAMチップ10が高温になる前に予めリフレッシュ周期を短くすることができる。そのため、半導体装置1は、DRAMチップ10に動作不良が生じることを防止することができる。
上記の各実施形態において、DRAMチップ10は、512ビットのWide−IOに対応する形態を説明したが、これに限定されずに、他の規格又は仕様に対応する形態でもよい。
また、上記の各実施形態において、半導体装置1は、DRAMチップ10を2つ備える形態を説明したが、1つ又は3以上のDRAMチップ10を備える形態でもよい。また、半導体装置1は、SOCチップ11を備えない形態でもよい。
例えば、半導体装置1が、DRAMチップ10を含む3つの半導体チップを備える場合、リフレッシュ動作が実行されるDRAMチップ10とは別の少なくとも1つの半導体チップに内蔵された温度センサ30の出力結果に応じて、リフレッシュ周期が変更される形態であれば、他の形態でもよい。
また、上記の各実施形態において、H状態を第1の出力状態とし、L状態を第2の出力状態とする形態を説明したが、これに限定されるものではない。
半導体チップとしては、例えば、CPU(Central Processing Unit)、MCU(Micro Control Unit)、DSP(Digital Signal Processor)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)、ASSP(Application Specific Standard Product)、メモリ(Memory)等の半導体チップ全般を適用することができる。
更に、NMOSトランジスタは、第1導電型のトランジスタ、PMOSトランジスタは、第2導電型のトランジスタの代表例である。
Claims (11)
- 複数の半導体チップを備え、前記複数の半導体チップのうちの第1の半導体チップは第1の温度センサを有し、前記第1の半導体チップとは異なる第2の半導体チップはリフレッシュ動作を必要とする半導体チップであって、前記第1の半導体チップの前記第1の温度センサの出力結果に応じて前記第2の半導体チップのリフレッシュ周期が変更されることを特徴とする半導体装置。
- 前記第2の半導体チップは、
前記第1の温度センサの出力結果を受けて、前記リフレッシュ周期を制御するリフレッシュ制御部を備える
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1の温度センサは、
前記第1の温度センサ自身が内蔵されている前記第1の半導体チップの温度が予め定められた閾値以上である場合に、第1の出力状態を出力結果として出力し、前記第1の半導体チップの温度が予め定められた前記閾値未満である場合に、第2の出力状態を出力結果として出力し、
前記リフレッシュ制御部は、
前記第1の温度センサの出力結果が前記第2の出力状態である場合に、前記第1の温度センサの出力結果が前記第1の出力状態である場合よりも短い周期に前記リフレッシュ周期を変更する
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第2の半導体チップは、第2の温度センサを備えており、
前記第2の温度センサは、
前記第2の温度センサ自身が内蔵されている前記第2の半導体チップの温度が予め定められた前記閾値以上である場合に、第1の出力状態を出力結果として出力し、前記第2の半導体チップの温度が予め定められた前記閾値未満である場合に、第2の出力状態を出力結果として出力し、
前記リフレッシュ制御部は、
前記第1の温度センサの出力結果及び前記第2の温度センサの出力結果のうちの少なくとも1つが前記第1の出力状態になった場合に、前記第1の温度センサの出力結果及び前記第2の温度センサの出力結果がどちらも前記第2の出力状態である場合よりも短い周期に、前記第2の半導体チップにおける前記リフレッシュ周期を変更する
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。 - 前記第2の半導体チップは、第2の温度センサを備え、
前記第2の半導体チップの前記リフレッシュ周期は、前記第2の温度センサの出力結果に応じても変更される請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1の半導体チップは、リフレッシュ動作を必要とする半導体チップであって、前記第1の半導体チップのリフレッシュ周期も前記第1及び第2の温度センサの出力結果に応じて変更される
ことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。 - 前記複数の半導体チップは、前記第1及び前記第2の半導体チップを制御する第3の半導体チップを更に含む
ことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。 - 前記第3の半導体チップは、前記第1及び前記第2の温度センサの出力結果に応じて、前記第1及び前記第2の半導体チップの前記リフレッシュ周期を制御する
ことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。 - 前記第1の半導体チップは、前記第2の半導体チップにアドレス信号及びコマンド信号を出力するコントロールチップである
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記複数の半導体チップを実装するパッケージ基板を備え、
前記複数の半導体チップ及び前記パッケージ基板が同一の樹脂によって封止されている
ことを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記複数の半導体チップは、
それぞれ前記半導体チップを貫通して電気的に導通させる貫通電極を備えており、
前記複数の半導体チップの間において、少なくとも前記第1の温度センサの出力結果を含む信号線が、前記貫通電極を介して接続されている
ことを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。
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