CN102082121A - 晶片的加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种晶片的加工方法，其不会使被磨削而变薄的器件区域产生缺口。该晶片的加工方法用于对在表面具有形成有器件的器件区域和外周剩余区域的晶片进行加工，该晶片的加工方法的特征在于，其包括以下工序：保护带粘贴工序，在晶片的表面粘贴保护带；分离槽形成工序，将晶片的保护带侧保持于卡盘工作台，将切削刀具定位于晶片背面，并且使卡盘工作台旋转以切削器件区域与外周剩余区域的交界部，从而形成分离槽，将环状的外周剩余区域与器件区域分离；背面磨削工序，仅对晶片的与器件区域对应的背面进行磨削，从而形成圆形凹部并使环状的外周剩余区域作为环状加强部保留；和搬送工序，对晶片的经由保护带支承于环状加强部的器件区域进行搬送。

Description

晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及能够在不使磨削了背面而变薄的器件区域产生缺口等损伤的情况下进行处理的晶片的加工方法。
背景技术
在半导体器件制造工艺中，在大致圆盘形状的半导体晶片的表面上，通过呈格子状地排列的被称为间隔道的分割预定线划分出多个区域，在该划分出的区域中形成IC(integrated circuit：集成电路)、LSI(large-scaleintegration：大规模集成电路)等器件。然后，通过利用切削装置沿着间隔道对半导体晶片进行切断，来将半导体晶片分割成一个个半导体器件(芯片)。
关于被分割的晶片，在沿着间隔道进行切断之前，通过对背面进行磨削而形成为预定厚度。近年来，为了实现电气设备的轻量化、小型化，要求使晶片的厚度变得更薄、例如为50μm左右。
关于这样被磨削得很薄的晶片，处理起来很困难，有可能在搬送等时破损。因此，在日本特开2007-19461号公报中提出了这样的磨削方法：仅对晶片的与器件区域对应的背面进行磨削而形成圆形凹部，并且在晶片的与围绕器件区域的外周剩余区域对应的背面上保留环状加强部。
但是，在将晶片分割成一个个器件时，需要去除环状加强部，以往是将切削刀具定位于环状加强部与器件区域之间的交界部后通过圆周切割来去除环状加强部。
专利文献1：日本特开2007-19461号公报
但是，当像以往那样将切削刀具定位于环状加强部与器件区域之间的交界部进行切削时，存在这样的问题：由于器件区域的背面被加工而变薄，所以器件区域会在切削刀具的冲击下产生缺口，从而使器件的品质降低。
发明内容
本发明正是鉴于这样的问题而完成的，其目的在于提供一种不会使器件区域产生缺口等损伤的晶片的加工方法。
根据本发明，提供一种晶片的加工方法，其是对在表面具有器件区域和外周剩余区域的晶片进行加工的晶片的加工方法，所述器件区域中，被分割预定线划分开地形成有多个器件，所述外周剩余区域围绕所述器件区域，所述晶片的加工方法的特征在于，所述晶片的加工方法包括以下工序：保护带粘贴工序，在该保护带粘贴工序中，在晶片的表面粘贴保护带；分离槽形成工序，在该分离槽形成工序中，将晶片的保护带侧保持于能够旋转的卡盘工作台，将切削刀具定位于晶片的背面，并且使所述卡盘工作台旋转以切削所述器件区域与所述外周剩余区域的交界部，从而形成分离槽，将环状的所述外周剩余区域与所述器件区域分离；背面磨削工序，在该背面磨削工序中，晶片的所述器件区域和环状的所述外周剩余区域通过所述保护带而成为一体，仅对该晶片的与所述器件区域对应的背面进行磨削，从而形成圆形凹部，并且使环状的所述外周剩余区域作为环状加强部保留；以及搬送工序，在该搬送工序中，对晶片的所述器件区域进行搬送，其中该晶片的所述器件区域经由所述保护带支承于所述环状加强部。
根据本发明，由于在晶片厚度很厚的状态下利用切削刀具切削器件区域与外周剩余区域的交界部，所以即使此后通过磨削将与器件区域对应的晶片背面进行加工使其变薄，也不会使器件区域产生缺口。
此外，在对与器件区域对应的背面进行磨削从而器件区域的厚度被加工而变薄至例如50μm以下之后，通过粘贴于保护带的环状加强部来保护变薄了的器件区域，从而能够顺畅地完成搬送等处理。
另外，在将晶片分割成一个个器件时，由于环状加强部已经与器件区域分离，因此能够容易地拆卸环状加强部而不会使器件区域产生缺口。
附图说明
图1是表示在晶片的表面粘贴保护带的状况的立体图。
图2是表示分离槽形成工序的立体图。
图3是表示分离槽形成工序的剖视图。
图4是形成有圆形分离槽的晶片的背面图。
图5是磨削装置的立体图。
图6是表示通过磨轮实施的背面磨削工序的立体图。
图7是背面磨削工序的说明图。
图8是实施背面磨削工序后的晶片的剖视图。
标号说明
2：磨削装置；10：磨削单元；11：晶片；15：器件；17：器件区域；19：外周剩余区域；22：磨轮；23：保护带；31：切削刀具；33：圆形分离槽；56：圆形凹部；58：环状加强部。
具体实施方式
下面，参照附图详细说明本发明实施方式。图1所示的半导体晶片11由例如厚度为700μm的硅晶片构成，在该半导体晶片11的表面11a呈格子状地形成有多条分割预定线(间隔道)13，并且在被该多条分割预定线13划分出的多个区域中形成有IC、LSI等器件15。
这样构成的晶片11包括：形成有器件15的器件区域17、和将器件区域17围绕起来的外周剩余区域19。此外，在晶片11的外周，形成有作为表示硅晶片的结晶方位的标记的槽口21。
在本发明的晶片的加工方法中，为了保护形成于晶片11的表面11a的器件15，如图1所示在晶片11的表面11a粘贴保护带23。接下来，实施分离槽形成工序，在该分离槽形成工序中，对器件区域17与外周剩余区域19之间的交界部进行切削，从而形成圆形分离槽。
在该分离槽形成工序中，如图2所示，将在表面粘贴有保护带23的晶片11的保护带23侧吸引保持于切削装置的卡盘工作台25，使晶片11的背面11b露出。在切削单元27的主轴29的末端装配有切削刀具31，切削刀具31通过未图示的电动机而向箭头A方向高速旋转。
然后，将高速旋转的切削刀具31定位于与晶片11的器件区域17和外周剩余区域19之间的交界部对应的晶片11的背面11b，一边使卡盘工作台25向箭头B方向低速旋转，一边将器件区域17和外周剩余区域19之间的交界部如图3所示切削至到达保护带23的深度，从而形成圆形的分离槽33，使环状的外周剩余区域19与器件区域17分离。在图3中，标号35表示倒角部。
图4表示实施了分离槽形成工序的状态下的晶片11的背面侧立体图。晶片11的与器件区域17对应的背面17b和晶片11的与外周剩余区域19对应的背面19b通过圆形分离槽33而分离。
在实施分离槽形成工序后，实施背面磨削工序，在背面磨削工序中，仅对与器件区域17对应的背面进行磨削，从而形成圆形凹部。该背面磨削工序例如使用图5所示的磨削装置2进行磨削。标号4是磨削装置2的壳体，在壳体4的后方竖立设置有柱体6。沿上下方向延伸的一对导轨8固定于柱体6。
磨削单元(磨削构件)10沿着这一对导轨8装配成能够在上下方向移动。磨削单元10具有壳体12和保持壳体12的支承部14，支承部14安装于移动基座16，该移动基座16沿一对导轨8在上下方向移动。
磨削单元10包括：主轴18，其以能够旋转的方式收纳在壳体12中；支座20，其固定于主轴18的末端；磨轮22，其螺纹紧固于支座20，并具有配设成环状的多个磨削磨具；以及伺服电动机26，其驱动主轴18旋转。
磨削装置2具有磨削单元移动机构32，该磨削单元移动机构32使磨削单元10沿一对导轨8在上下方向移动，并且该磨削单元移动机构32由滚珠丝杠28和脉冲电动机30构成。当驱动脉冲电动机30时，滚珠丝杠28旋转，移动基座16沿上下方向移动。
在壳体4的上表面形成有凹部4a，在该凹部4a配设有卡盘工作台机构34。卡盘工作台机构34具有卡盘工作台36，并且该卡盘工作台机构34通过未图示的移动机构而在图5所示的晶片装卸位置A以及与磨削单元10对置的磨削位置B之间沿Y轴方向移动。标号38、40是波纹件。在壳体4的前方侧配设有磨削装置2的操作面板42，操作者利用该操作面板42输入磨削条件等。
下面，对通过如上所述地构成的磨削装置2在半导体晶片11的与器件区域17对应的背面形成圆形凹部、并在外周剩余区域19保留环状加强部的晶片的加工方法进行简单说明。
将粘贴有图1所示的保护带23的晶片11以保护带23朝下的方式吸引保持到卡盘工作台36上，其中该卡盘工作台36定位于图5所示的晶片装卸位置A。接着，使卡盘工作台36沿Y轴方向移动并定位于磨削位置B。
然后，如图6和图7所示，使卡盘工作台36向箭头37所示的方向以例如300rpm的速度旋转，同时使磨削磨具52向箭头53所示的方向以例如6000rpm的速度旋转，并且对磨削单元移动机构32进行驱动，使磨轮22的磨削磨具52与晶片11的背面接触。并且，使磨轮22以预定的磨削进给速度向下方进行预定量的磨削进给。
其结果为，在半导体晶片11的背面，如图6和图8所示，与器件区域17对应的区域被磨削除去，从而形成了预定厚度(例如30μm)的圆形的凹部56，并且与外周剩余区域19对应的区域被保留而形成了环状加强部(环状凸部)58。
此处，参照图7对保持于卡盘工作台36的晶片11和构成磨轮22的磨削磨具52之间的关系进行说明。卡盘工作台36的旋转中心P1与磨削磨具52的旋转中心P2偏心，磨削磨具52的外径设定成这样的尺寸：比晶片11的器件区域17与外周剩余区域19之间的交界线60的直径要小、且比交界线60的半径要大，呈环状地配置的磨削磨具52通过卡盘工作台36的旋转中心P1。
图8表示背面磨削工序结束后的状态下的晶片11的剖视图。在圆形凹部56和环状加强部58之间形成有在分离槽形成工序中形成的圆形的分离槽33。
被加工而变薄的器件区域17经由保护带23被环状加强部58支承，因此，在为了进行后续工序的处理而搬送晶片11时，被加工而变薄的器件区域17被环状加强部58保护，能够顺畅地进行搬送。
在将晶片11分割成一个个器件15时，由于环状加强部58已经与器件区域17分离，所以能够容易地拆卸环状加强部58而不会使器件区域17产生缺口。
并且，能够将被加工成很薄的晶片2的器件区域17经由切割带支承于环状框架，将器件区域17经由切割带吸引保持于切削装置的卡盘工作台，并利用切削刀具切割器件区域17从而将晶片2分割成一个个器件15。

Claims (1)

1.一种晶片的加工方法，其是对在表面具有器件区域和外周剩余区域的晶片进行加工的晶片的加工方法，所述器件区域中，被分割预定线划分开地形成有多个器件，所述外周剩余区域围绕所述器件区域，所述晶片的加工方法的特征在于，
所述晶片的加工方法包括以下工序：
保护带粘贴工序，在该保护带粘贴工序中，在晶片的表面粘贴保护带；
分离槽形成工序，在该分离槽形成工序中，将晶片的保护带侧保持于能够旋转的卡盘工作台，将切削刀具定位于晶片的背面，并且使所述卡盘工作台旋转以切削所述器件区域与所述外周剩余区域的交界部，从而形成分离槽，将环状的所述外周剩余区域与所述器件区域分离；
背面磨削工序，在该背面磨削工序中，晶片的所述器件区域和环状的所述外周剩余区域通过所述保护带而成为一体，仅对该晶片的与所述器件区域对应的背面进行磨削，从而形成圆形凹部，并且使环状的所述外周剩余区域作为环状加强部保留；以及
搬送工序，在该搬送工序中，对晶片的所述器件区域进行搬送，其中该晶片的所述器件区域经由所述保护带支承于所述环状加强部。
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