CN102036911A - 现场生成硝酸根离子的方法和设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供通过设备附近提取的水、天然气体和空气来现场生成硝酸根离子的设备和方法。所述设备产生硝酸根离子并使该硝酸根离子进入水性系统与水性系统接触。存在于所述水性系统中的硫化氢被除去并通过向所述系统引入硝酸根离子使由硫酸盐还原菌(SRB)生成的硫化氢减少，通过使用硝酸盐，反硝化微生物竞争可获得的碳营养物胜于硫酸盐还原菌，因此，防止SRB生成硫化氢。由所述设备产生的并加至含反硝化微生物的水性系统中的硝酸根离子可通过微生物提高原油采收率的方法来提高原油采收率。

Description

现场生成硝酸根离子的方法和设备
相关专利申请的交叉引用
本申请要求2008年5月22日提交的美国专利申请第12/125,582号的优先权，该美国专利申请的全部内容在此通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及现场生成硝酸根离子并使该硝酸根离子进入水溶液与水溶液接触的方法和设备，尤其应用于油田中所使用的水性系统中。
背景技术
一次采油产率通常小于给定的地质结构或储集层储量的50％。因此，注水被用于提高含有许多地下油层的多孔岩层中的原油采收率。在提高原油采收率方面，水性系统用于将水溶液注入油层。水性系统可包括配有收集或分配水溶液的装置或一些设备的地上设备，例如油井、油水分离器、储水罐、管线以及注入井。已知注入过程产生硫化氢，然而，硫化氢使油层酸化。
硫化氢由硫酸盐还原菌产生，硫酸盐还原菌将系统中的硫酸盐转化为硫化物。这些细菌可在钻探石油的过程中产生，但是它们也可以是钻探之前本身就存在的。这些细菌以及它们对油田的影响在例如J.R.Postgate，THE SULPHATE-REDUCING BACTERIA 2nd ed.(Cambridge University Press，1984)中描述。
因此，释放的硫化氢导致腐蚀采油装置并会大幅度地损伤油田的生产能力，降低开采的原油的商业价值。因此，已有深入的研究涉及防止硫化氢形成和/或一旦在油田中生成硫化氢就将其除去。
例如，已知添加钼酸盐会抑制和/或杀灭硫酸盐还原菌(SRB)，所述硫酸盐还原菌是在自然环境(例如沉积物)中生成硫化氢的原因。然而，这种方法需要非常大量(例如在待处理的水中超过3,000ppm)的钼酸盐用于有效控制由SRB生成的硫化氢。由于钼酸盐的可利用性有限，在生理盐水环境中或其他盐水(例如原生水)环境中效率降低，使用如此大量的钼酸盐具有相关的高成本不利因素。
还已知将硝酸根离子加至含SRB的系统中会降低系统中SRB的量，因此，降低由SRB形成的硫化氢的量。该方法依赖于脱氮硫杆菌(Thiobacillus denitrificans)的菌株以及存在于油田水中的其他反硝化微生物。例如，通过向系统中引入硝酸盐和硝酸盐化合物和/或钼酸根离子来除去存在于水性系统中的硫化氢并消除由硫酸盐还原菌产生的硫化氢，借此，反硝化微生物竞争可获得的碳营养物胜于硫酸盐还原菌，这就阻止了SRB生成硫化氢。
用于这个目的的硝酸盐通常通过氨氧化来形成或通过常规实践方法来开采，将得到的硝酸盐运输并储存在离油田非常近的地方或使用该硝酸盐的其他偏远的地方。大量硝酸盐或硝酸盐与其他溶液的混合物的运输和储存引起了许多安全问题和成本问题。
因此，需要提供经济且有效的方法来现场生成硝酸根离子并使该硝酸根离子进入水性系统与水性系统接触，从而，防止在水性系统中形成硫化氢并除去系统中任何存在的硫化氢。此外，需要提供现场生成硝酸根离子并使该硝酸根离子进入水性系统与水性系统接触的方法，所述水性系统在采油方面有用，所述水性系统含有减少的硫化氢的量，而且，所述水性系统在处理过程后期的某一点不易形成硫化氢，这样，所述系统不会负面地影响处理过程中所使用的装置。这些需求以及其他需求已由本发明解决。
发明内容
根据本发明，提供一种设备，在所述设备中硝酸根离子现场生成并使该硝酸根离子进入水性系统与水性系统接触，所述设备包括由提取装置和化学反应器构成的集成系统和递送装置，所述提取装置用于提取存在于所述设备附近的水和天然气体以及从存在于所述设备处的环境空气中提取氧和氮，所述化学反应器用于处理所述水、天然气体、氧和氮并使所述水、天然气体、氧和氮发生反应以形成硝酸根离子，所述递送装置将所述集成系统与所述水性系统相互连接，用于使所述硝酸根离子进入所述水性系统与所述水性系统接触。
根据本发明的另一方面，提供一种设备，在所述设备中现场生成硝酸根离子并使该硝酸根离子进入水性系统与水性系统接触，所述设备包括由(i)提取装置和(ii)化学反应器构成的集成系统、递送装置、控制器和传感器，所述提取装置用于提取所述设备附近的水和天然气体以及从所述设备处的环境空气中提取氧和氮，所述化学反应器用于处理所述水、天然气体、氧和氮并使所述水、天然气体、氧和氮发生反应以形成硝酸根离子，所述递送装置用于将所述集成系统与所述水性系统相互连接，用于使所述离子进入所述水性系统与所述水性系统接触，所述控制器可操作地连接至各个所述提取装置、所述化学反应器和所述递送装置，并且所述控制器配置成控制硝酸根离子的生成速度和生成量，所述传感器可操作地连接至所述控制器，用于监测所述水性系统中所述离子的浓度。
根据另一方面，本发明提供在设备现场生成硝酸根离子并使该硝酸根离子进入所述设备附近的水性系统与所述设备附近的水性系统接触的方法。所述方法包括从所述设备附近的空气中提取氧和氮，获取水和存在于所述设备附近的天然气体，处理获得的氧、氮、水和天然气体并使获得的氧、氮、水和天然气体发生反应以形成硝酸根离子以及使该硝酸根离子进入所述设备附近的所述水性系统与所述设备附近的所述水性系统接触。
本发明的另一方面涉及通过在设备现场生成硝酸根离子来防止水性系统中形成硫化氢的方法，所述方法包括从所述设备附近的空气中提取氧和氮，获取水和存在于所述设备附近的天然气体，处理获得的氧、氮、水和天然气体并使获得的氧、氮、水和天然气体发生反应以形成硝酸根离子，使所述硝酸根离子以足以建立并提高反硝化细菌生长的浓度进入所述设备附近的所述水性系统与所述设备附近的所述水性系统接触，以及监测所述水性系统中硝酸根离子的浓度。
本发明的又一方面涉及通过在设备现场生成硝酸根离子来提高水性系统中原油采收率的方法。所述方法包括下列步骤：从所述设备附近的空气中提取氧和氮，获取水和存在于所述设备附近的天然气体，处理所获得的氧、氮、水和天然气体并使所获得的氧、氮、水和天然气体发生反应以形成硝酸根离子，使所述硝酸根离子以足以提高原油采收率的浓度进入所述设备附近的水性系统与所述设备附近的水性系统接触，以及监测所述水性系统中硝酸根离子的浓度。
本发明进一步的目的、特征和优势通过下面优选实施方式的具体描述将变得显而易见。
附图说明
图1是根据本发明的一种实施方式的设备框图，在该设备中现场生成硝酸根离子并使该硝酸根离子进入水性系统与水性系统接触。
图2是根据本发明的一种实施方式的提取装置的框图。
图3是根据本发明的一种实施方式的反应器的框图。
图4是根据本发明的一种实施方式的递送装置的框图。
图5是根据本发明的一种实施方式的流程图，举例说明在设备现场生成硝酸根离子的方法。
具体实施方式
本发明可用于需要控制由SRB产生的硫化氢或除去水性系统中预先形成的硫化氢的任何地方。硫化氢腐蚀原油开采处理装置并会导致严重损害装置开采油的能力，硫化氢降低了所生产的油的市场价值。此外，在水处理应用中，必须控制管线、罐和其他水处理装置和设备中存在的H2S。添加硝酸盐式溶液影响预先形成的H2S的除去，此外，进一步防止由SRB产生H2S，该硝酸盐式溶液可存在于系统中或可以后再添加，例如在油田钻探操作过程中再添加。
用于该目的的硝酸盐通常被开采或通过氨氧化来形成，所述硝酸盐根据常规实践被运输和储存在离油田很近的地方或其他通常偏远的地方来处理和使用。根据本发明，通过提供由例如氨氧化的方法现场生成硝酸根离子避免了运输、混合以及储存硝酸盐和硝酸盐溶液而产生的技术、安全和成本问题。
本发明的设备和方法不限于降低H2S或油田应用。例如，本发明可用于控制储油罐、油气管线、水冷却塔、煤浆管线以及装有水或具有水相的其他罐或装置中的硫化氢。所述设备和方法也可用于矿井或不透水池塘或注水系统，其中，水位于地下。此外，所述装置和方法可用于金属回收的开采工业(注水)、垃圾填埋、生产肥料的耕作区或各种其他环境应用。
设备
根据一种实施方式和如图1所示，提供设备1用于现场生成硝酸根离子并使那些离子进入水性系统20与水性系统20接触。水性系统20可包括配有收集或分配水溶液的设备或装置的地上设备，例如油井、油井分离器、储水罐、管线和注入井。根据一种实施方式，水性系统20中存在的水的来源可以是海水、回收生成的水或含水层水。根据一种实施方式，在使硝酸盐进入水性系统20与水性系统20接触之前，水性系统20含有SRB和/或反硝化微生物以及硫化物氧化微生物。在其他实施方式中，水性系统20本身含有用于反硝化微生物的碳源营养物。
集成系统10(图1所示)包括用于提取存在于设备1附近的水、天然气体、氧或含氧气体和氮(来自环境空气)的提取装置30。根据一种实施方式，集成系统10相对较小，这样可将它运输至各种水性系统20并从各种水性系统20中运出。例如，所述集成系统可以是常规办公桌的尺寸，大约3英尺高，2英尺宽，5英尺长。根据另一实施方式，集成系统10的尺寸可增加或减少以适应将在其中操作该集成系统的设备的尺寸和要求。此外，集成系统10可具有使集成系统10运输至各个位置的轮子和/或垫木。
如图2所示，根据一种实施方式，提取装置30还包括用于获取天然气体和水的泵31，用于提取设备1附近的环境空气的压缩机32以及用于从所提取的环境空气中提取氮的空气分离器33。
集成系统10还包括用于使氧、水、天然气体和氮发生反应以形成硝酸根离子的反应器40。如图3所示，根据一种实施方式，反应器40包括用于进行Haber方法的氨反应器41和用于进行Ostwald方法的化学反应器42。Haber方法可以是处理氮、氧、水和天然气体并使氮、氧、水和天然气体发生反应，将氮还原为氨的任何方法，例如，哈伯制氨法(Haber process)。Ostwald方法可以是处理氨并使氨发生反应从而获得氮氧化物、硝酸和硝酸盐-亚硝酸盐的任何方法，例如，奥斯特瓦尔德制硝酸法(Ostwald process)。
连接至反应器40的递送装置50使所形成的硝酸根离子进入水性溶液与水性溶液接触。根据一种实施方式和图4所说明的，递送装置50包括泵51，泵51用于将由反应器40形成的硝酸根离子通过导管52泵入水性系统20。
控制器60可操作地连接至提取装置30，反应器40以及递送装置50。控制器60控制硝酸盐的生成速度和生成量。用于监测水性系统20中硝酸根离子浓度的传感器70可操作地连接至控制器60。
方法和操作
下面介绍在设备1现场生成硝酸根离子并使该硝酸根离子进入设备1附近的水性系统20与设备1附近的水性系统20接触的方法。优选地，将便携的集成系统10置于具有需要处理的水性系统20的设备附近。根据一种实施方式和如图5所示，集成系统10的提取装置30从设备1附近的空气中提取氧和氮(步骤110)。此外，提取装置30获取一些水和存在于所述设备附近的天然气体(步骤120)。
集成系统10使用反应器40来处理氮、氧、水和天然气体并使氮、氧、水和天然气体发生反应以生成硝酸根离子(步骤130)。使用空气、富氧空气或氧的吸附过程(处理)在温度为0℃至100℃、表压力为0bar至20bar条件下发生。优选地，用于制造硝酸(Ostwald方法)的、将氨氧化为氮氧化物的反应可在温度为75℃至1000℃(优选地850℃至950℃)、表压力为0bar至14bar条件下进行。还可使用以给定的氮、氧、水和天然气体作为反应物来形成硝酸根离子的任何已知的方法。根据一种实施方式，例如，反应器40包括氨反应器41和化学反应器42。氨反应器41使用合成氨的Haber方法和给定的氮、氧、水和天然气体实现了将氮还原为氨。反过来，化学反应器42实现了用于将氨氧化或转化为氮氧化物、硝酸和硝酸盐-亚硝酸盐的Ostwald方法，所述硝酸盐-亚硝酸盐生成硝酸根离子。
如图5步骤140所示，使由反应器40形成的硝酸根离子通过递送装置50进入水性系统20与水性系统20接触。可将硝酸根离子以分批方式或连续方式加至水性系统20中。根据本发明的一种实施方式，水性系统20与硝酸根离子接触一次。可选的，用硝酸根离子重复处理水性系统20。处理方法的选择由待处理的系统来决定。因此，如果待处理的是单独的油井，那么，单独注入一批硝酸盐和亚硝酸盐可以是最有用的(尽管经过差不多3天的时间)。如果待处理的是整个原油采收系统，那么，连续方法是最佳的。
可将硝酸盐以任何期望的形式加至系统中。例如，可添加硝酸盐的任何期望的形式，只要一旦加至水性系统20中，硝酸根离子就会表现出它们期望的功能。诸如钙、铵、钠或钾之类的反离子可被使用。此外，可使用一旦加至水性系统中就会生成硝酸根离子的化合物。
控制器60和传感器70控制并监测注入水性溶液20中的硝酸根离子的浓度(步骤150)。在所使用的集成系统10中的应用(例如，还原H2S，提高原油采收率)将决定如何操作控制器60和传感器70。就还原H2S和提高原油采收率而言，考虑的因素在下面依次讨论。
硫化氢的还原
就还原H2S而言，根据本发明的一个方面，重要的因素是加入足够的硝酸根离子以拒绝向需要碳源的使硫酸盐转化为硫化物的SRB给予碳源，通过刺激反硝化生物(反硝化菌)的生长，使硝酸根离子消耗先前由SRB使用的碳源。因此，添加的硝酸盐的量基于存在于待处理的水性系统20中的碳源的量。例如，如果待处理的水含有1000ppm的醋酸盐，该醋酸盐先前全部由SRB使用以将硫酸盐转化为硫化物，那么，应添加足够的硝酸盐，这样反硝化微生物在SRB之前消耗1000ppm醋酸盐。
硝酸盐处理法通过促进反硝化微生物的生长来进行操作，所述反硝化微生物通常与SRB一同存在于水性系统20中。如果这些反硝化微生物不存在或存在的量不足，那么，可将它们与硝酸根离子一同加至待处理的水性系统20中。例如，在使硝酸根离子进入水性系统20与水性系统20接触之前、同时或之后，可将反硝化生物加至水性系统20中。反硝化微生物可以分批的方式或以连续方法添加。对于本领域技术人员来说反硝化菌是已知的并且在例如“The Prokaryotes：A Handbook on Habitats，Isolation，and Identification of Bacteria″，卷1-4(Springer-Verlag，1981)”中描述过。这些细菌利用硝酸盐或亚硝酸盐作为最终电子受体，即，细菌通过呼吸硝酸盐或亚硝酸盐如同动物呼吸氧气一样来获得能量。一些细菌将硝酸盐(NO3)转化为NO2、N2O和N2，而其他细菌将硝酸盐(NO3)转化为NH3。反硝化菌可在SRB使用的相同的碳/能量源上生长并且如前所述，反硝化菌更有效地竞争碳/能量源，因此，拒绝向SRB给予用于SRB生长和随后形成硫化物的碳/能量源。
反硝化细菌与SRB竞争存在于水性系统20中或加至水性系统20中的基于碳的营养物。也就是说，两种类型的微生物竞争相同类型的营养物，由于考虑到热力学和生理学因素，反硝化细菌是好得多的竞争者。因此，留下的SRB没有足够的碳源生长并生成硫化氢。碳营养物的这种缺乏不会直接杀灭SRB，但是这使SRB不生成硫化氢。
如果目前水性系统20不含SRB，但是有可能该系统将来可含有SRB，那么，具有硝酸盐(以及如果需要的话具有反硝化菌)的预防性处理会阻止SRB将来的活性。在这个情况下，碳源可与反硝化菌一同添加以便刺激反硝化菌生长，由于可获得的营养物由反硝化菌消耗，没有一点留下给SRB，因此，防止了将来可出现的任何SRB生成硫化氢。
所述系统中存在的和/或如果需要的话添加的碳源除了醋酸盐、丙酸盐、丁酸盐之外或代替醋酸盐、丙酸盐、丁酸盐，包括用于反硝化菌的任何已知的碳营养物。例如，诸如Krebs循环中间体、丙二酸盐、柠檬酸盐、乳酸盐、乙醇、甘油等之类的简单碳/氢化合物可用作营养物以使反硝化生物生长。大多数油田本身含有使反硝化细菌生长的必需的碳源。此外，在油田生产和操作过程中，通常添加用作营养物的化合物。然而，用于反硝化生物的添加的碳源可与其他期望的诸如磷酸盐之类的营养物一同添加，从而影响刺激反硝化生物建立和生长的营养平衡。
因此，本发明可用于处理含正在生成硫化氢的SRB的系统或处理由于过去存在SRB而含有硫化氢的系统，或处理将来可含有SRB的系统。该系统将除去任何预先形成的硫化氢并防止将来由SRB形成硫化氢。
根据另一实施方式，除了硝酸根离子之外，反应器40生成亚硝酸根离子、氮氧化物和其他未处理的化合物。所述亚硝酸根离子、氮氧化物、未处理的化合物和硝酸根离子都进入水性系统20与水性系统20接触。而且，根据本发明的一种实施方式，除了硝酸盐之外，所述方法和设备将亚硝酸盐和/或钼酸盐注入水性系统20。添加的硝酸盐和亚硝酸盐它们两者或硝酸盐、亚硝酸盐和钼酸盐的组合影响预先形成的H2S的除去，除此之外还防止由SRB产生H2S，硝酸盐和亚硝酸盐它们两者或硝酸盐、亚硝酸盐和钼酸盐的组合可存在于系统中或可以后再添加，例如在油田的钻探操作过程中再添加。
添加亚硝酸盐是因为它以热力学的方式帮助反硝化菌生长并因此使反硝化菌消耗碳源。此外，亚硝酸盐与由SRB制成的预先形成的硫化氢发生反应，因此，立即降低了预先形成的硫化物。亚硝酸盐也发挥作用以抑制SRB进一步生成硫化氢的作用。此外，亚硝酸盐与由SRB制成的预先形成的硫化氢发生反应，因此，立即降低了预先形成的硫化物。最后，亚硝酸盐抑制SRB进一步生成硫化氢的作用。
亚硝酸盐和硝酸盐起协同作用。也就是，通过将两者一同添加，只需较少的亚硝酸盐和硝酸盐来实现除去H2S以及防止SRB进一步产生H2S。如前所述，所添加离子的合适的量依赖于待处理的系统的参数，包括碳含量、硫化氢含量、目前SRB的含量等等。使用如上所述的原则，本领域的技术人员可容易地确定待添加的离子的合适的量，需要考虑的是系统应当让反硝化菌耗尽可获得的碳源，从而阻止SRB生成硫化氢并除去任何预先形成的硫化氢。
提高原油采收率
根据本发明的另一实施方式，控制器60决定进入水性系统与水性系统接触的硝酸盐的浓度以实现提高原油采收率，也被称为微生物提高原油采收率的方法(MEOR)。反硝化微生物将作为药剂起作用，它在微生物提高原油采收率的方法(MEOR)中通过诸如分水、生物聚合物、生物溶剂、生物表面活性剂、形成N2、生成气体、改变pH值等之类的机制帮助油释放。也就是说，反硝化细菌和这些细菌的产物导致通过包括分水在内的上述机制来释放油，所述分水在高渗透性区域发生，使得水被优先转移进入较低渗透性的区域，导致促进油的移动。
因此，在水性系统20中生长的反硝化菌不仅除去了硫化氢和防止硫化氢形成，还导致可将水性系统20用于MEOR过程。在原油开采步骤之前或原油开采过程中用硝酸根离子来处理水性系统20，这样硫化氢不进入地下层。水性系统20可用于提高原油采收率的方法，这本身是已知的。例如，处理过的水性系统20用于注入地下含油地层以替代该地层中的油。
具有降低的硫化氢含量或不含硫化氢的、含反硝化菌的水性系统20在原油开采中更加有效，因为油没有变酸并且腐蚀较少，所述腐蚀增加操作成本并最终放弃油田。而且，因为较少的硫化氢或没有硫化氢，不会通过硫化氢与铁的反应生成硫化铁。硫化铁在油田中是不想要的，因为它起封堵剂的作用。
在额外提高方面，类似于还原H2S的应用，钼酸盐和/或亚硝酸盐与硝酸盐联合可加入水性系统20中。钼酸盐用于杀灭或抑制SRB。而且，以这样的量添加钼酸盐以便不杀灭或抑制反硝化细菌。此外，当与亚硝酸盐和硝酸盐联合使用时，与在已知方法中单独使用钼酸盐杀灭和/或抑制SRB相比，获得期望的SRB的抑制所需的钼酸盐要少得多。
因此，硝酸盐和/或亚硝酸盐和钼酸盐的联合提供了超过已知的单独使用钼酸盐的优势。具体而言，如果单独使用需要非常大量的钼酸盐，例如大于3000ppm，而当与硝酸根离子和亚硝酸根离子联合使用时，所需要的钼酸盐仅为约1ppm至约200ppm，优选地为约5ppm至约100ppm。待添加的钼酸盐可为产生钼酸根离子的任何钼酸盐或化合物的形式。目前，由于考虑到经济和可利用性，使用钼酸钠和钼酸锂。
因此，本发明可用于处理用于提高原油采收率的水性系统20。本发明减少了存在于地下层中的硫化氢的量，这防止油变酸和腐蚀。

Claims (20)

1.一种设备，在所述设备中，现场生成硝酸根离子并使该硝酸根离子进入水性系统与水性系统接触，所述设备包括：
(A)集成系统，所述集成系统由(i)提取装置和(ii)化学反应器构成，所述提取装置用于提取存在于所述设备附近的水和天然气体以及从存在于所述设备处的环境空气中提取氧和氮，所述化学反应器用于处理所述水、天然气体、氧和氮并使所述水、天然气体、氧和氮发生反应以形成硝酸根离子；以及
(B)递送装置，所述递送装置将所述集成系统与所述水性系统相互连接，用于使所述硝酸根离子进入所述水性系统与所述水性系统接触。
2.如权利要求1所述的设备，所述设备还包括控制器，所述控制器可操作地连接至各个所述提取装置、所述化学反应器和所述递送装置，并且将所述控制器配置成控制硝酸盐的生成速度和生成量。
3.如权利要求1所述的设备，其中，所述提取装置还包括泵、压缩机和空气分离器，所述泵用于获取选自水和天然气体中的至少一种的流体，所述压缩机用于压缩空气，所述空气分离器连接至所述压缩机，用于从压缩的空气中生成氮。
4.如权利要求1所述的设备，其中，所述化学反应器包括：
配置成进行Haber方法的氨反应器；以及
配置成进行Ostwald方法的化学反应器。
5.如权利要求1所述的设备，其中，所述递送装置还包括：(i)导管，所述导管从所述集成系统延伸至所述水性系统；(ii)泵，所述泵用于将所述离子通过所述导管转移至所述水性系统。
6.如权利要求3所述的设备，所述设备还包括传感器，所述传感器可操作地连接至所述控制器，用于监测所述水性系统中所述离子的浓度。
7.如权利要求1所述的设备，其中，所述集成系统还包括用于运输所述集成系统的垫木或轮子。
8.如权利要求1所述的设备，其中，改变所述集成系统的尺寸使其对应于所述设备的需要。
9.一种设备，在所述设备中，现场生成硝酸根离子并使该硝酸根离子进入水性系统与水性系统接触，所述设备包括：
(A)由(i)提取装置和(ii)化学反应器构成的集成系统，所述提取装置用于提取所述设备附近的水和天然气体以及从所述设备处的环境空气中提取氧和氮，所述化学反应器用于处理所述水、天然气体、氧和氮并使所述水、天然气体、氧和氮发生反应以形成硝酸根离子；
(B)递送装置，所述递送装置将所述集成系统与所述水性系统相互连接，用于使所述离子进入所述水性系统与所述水性系统接触；
(C)控制器，所述控制器可操作地连接至各个所述提取装置、所述化学反应器和所述递送装置并且所述控制器配置成控制硝酸根离子的生成速度和生成量；以及
(D)传感器，所述传感器可操作地连接至所述控制器，用于监测所述水性系统中所述离子的浓度。
10.一种在设备现场生成硝酸根离子并使该硝酸根离子进入所述设备附近的水性系统与所述设备附近的水性系统接触的方法，所述方法包括：
从所述设备附近的空气中提取氧和氮；
获取水和存在于所述设备附近的天然气体；
使获得的氧、氮、水和天然气体发生反应以形成硝酸根离子；以及
使所述硝酸根离子进入所述设备附近的水性系统与所述设备附近的水性系统接触。
11.如权利要求10所述的方法，所述方法还包括监测所述水性系统中硝酸根离子的浓度的步骤。
12.如权利要求10所述的方法，其中，与所述硝酸根离子接触的所述水性系统含有硫酸盐还原菌。
13.如权利要求10所述的方法，其中，与所述硝酸根离子接触的所述水性系统含有反硝化微生物和硫化物氧化微生物。
14.如权利要求10所述的方法，所述方法还包括在将所述硝酸根离子加至所述水性系统中之前、同时或之后，将反硝化微生物加至所述水性系统中。
15.如权利要求10所述的方法，所述方法是分批法，通过所述分批法，所述水性系统与所述硝酸根离子接触一次。
16.如权利要求10所述的方法，所述方法是连续方法，通过所述连续方法，用所述硝酸根离子重复处理所述水性系统。
17.如权利要求10所述的方法，其中，待接触的所述水性系统本身包含用于反硝化微生物的碳源营养物。
18.如权利要求10所述的方法，其中，在将所述硝酸根离子加至所述水性系统之前、同时或之后，将用于反硝化微生物的碳源营养物加至所述水性系统中。
19.一种通过在设备现场生成硝酸根离子来防止在水性系统中形成硫化氢的方法，所述方法包括下列步骤：
从所述设备附近的空气中提取氧和氮；
获取水和存在于所述设备附近的天然气体；
使所获得的氧、氮、水和天然气体发生反应以形成硝酸根离子；
使所述硝酸根离子以足以建立并提高反硝化细菌生长的浓度进入所述设备附近的所述水性系统与所述设备附近的所述水性系统接触；以及
监测所述水性系统中硝酸根离子的浓度。
20.一种通过在设备现场生成硝酸根离子来提高水性系统中原油采收率的方法，所述方法包括下列步骤：
从所述设备附近的空气中提取氮；
获取水和存在于所述设备附近的天然气体；
使获得的氧、氮、水和天然气体发生反应以形成硝酸根离子；
使所述硝酸根离子以足以提高原油采收率的浓度进入所述设备附近的所述水性系统与所述设备附近的所述水性系统接触；以及
监测所述水性系统中硝酸根离子的浓度。
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Families Citing this family (279)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) * 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
WO2012039743A1 (en) * 2010-09-21 2012-03-29 Multi-Chem Group, Llc Method for the use of nitrates and nitrate reducing bacteria in hydraulic fracturing
EP2447205A1 (en) 2010-10-29 2012-05-02 AB InBev NV Dispensing appliance provided with a removable dispensing cartridge
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
CN103113866B (zh) * 2013-02-06 2014-12-10 中国石油化工股份有限公司 抑制油井硫酸盐还原菌活性的新型生物抑制剂及使用方法
NO20140141A1 (no) 2014-02-05 2015-08-06 Yara Int Asa Reduksjon av mengden av svovelforbindelser i en svovelforbindelseskontaminert spillvannstrøm, ved å benytte et behandlingssystem for granulært slam
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
JP6798976B2 (ja) * 2015-02-17 2020-12-09 味の素株式会社 有機化合物又は微生物の製造システム及び製造方法
PE20180153A1 (es) * 2015-02-17 2018-01-18 Ajinomoto Kk Sistema de produccion y metodo de produccion para producto seleccionado entre producto que contiene nitrogeno y producto fermentado y cultivado
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
CN107128994A (zh) * 2017-07-07 2017-09-05 天津亿利科能源科技发展股份有限公司 一种油田注水系统中药剂加入量的监测系统
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
DE102018211819A1 (de) * 2018-07-17 2020-01-23 Audi Ag Verwertung von Stickoxiden aus der Umgebungsluft
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
CN110259504B (zh) * 2019-07-02 2021-03-02 河南工程学院 一种利用微生物强化采空区瓦斯治理的方法及装置
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050025692A1 (en) * 2003-05-05 2005-02-03 Eaton Corporation (Jk) Methods and apparatus for small-scale synthesis of ammonia
US20060039847A1 (en) * 2004-08-23 2006-02-23 Eaton Corporation Low pressure ammonia synthesis utilizing adsorptive enhancement
US7186341B2 (en) * 2003-03-05 2007-03-06 Siemens Water Technologies Holding Corp. Methods and apparatus for reducing nitrate demands in the reduction of dissolved and/or atmospheric sulfides in wastewater
US7326340B2 (en) * 2003-03-05 2008-02-05 Siemens Water Technologies Holding Corp. System for controlling sulfide generation

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3341383A (en) * 1966-08-12 1967-09-12 Stein Hall & Co Inc Aqueous ammonium nitrate explosive slurries containing partially hydrolyzed acrylamide polymer
DE2235672A1 (de) * 1971-07-23 1973-03-22 American Hydrocarbon Co Verfahren zur herstellung von ammoniumnitrat
US3874601A (en) * 1973-05-18 1975-04-01 Jr Floyd R Swanson Apparatus for storing, transporting, mixing and delivering blasting material
US4818494A (en) * 1975-05-27 1989-04-04 Eastin John A Apparatus for manufacturing nitrogen fertilizer solutions
US4141715A (en) * 1977-04-11 1979-02-27 Wyse Harold G Method and apparatus for producing a nitrate fertilizer
US4226203A (en) * 1978-09-25 1980-10-07 Pullman Incorporated Floatable concrete pallet for lifting and bearing heavy loads
US4446056A (en) * 1979-12-10 1984-05-01 Petrolite Corporation Preparation of mixture of nitrogen and sulfur-nitrogen heterocyclics and use in corrosion inhibiting
US4475590A (en) * 1982-12-13 1984-10-09 The Standard Oil Company Method for increasing oil recovery
US4647589A (en) * 1984-05-25 1987-03-03 Texaco Inc. Inhibition of microbiological growth
EP0337624B1 (en) * 1988-04-11 1993-10-27 Rohm And Haas Company Control of oilfield biofouling
RU1572092C (ru) * 1988-09-23 1994-10-30 ТатНИПИнефть Состав для вытеснения нефти из пласта
DK0656459T3 (da) * 1993-11-27 2001-06-18 Aea Technology Plc Fremgangsmåde til behandling af olieboringer
US5478549A (en) * 1994-12-15 1995-12-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Production of nitric oxide
FI108347B (fi) * 2000-01-04 2002-01-15 Kemira Agro Oy Menetelmõ ammoniumnitraatin stabiloimiseksi
US7008545B2 (en) * 2002-08-22 2006-03-07 Hercules Incorporated Synergistic biocidal mixtures
US7021862B2 (en) * 2003-03-04 2006-04-04 Joe Hughes Method for remediation of contaminated ground at oil or gas facility
US6959764B2 (en) * 2003-06-05 2005-11-01 Yale Matthew Preston Baffle system for two-phase annular flow
JP4239781B2 (ja) * 2003-10-14 2009-03-18 株式会社日立プラントテクノロジー 生産物処理システム
FR2875712B1 (fr) * 2004-09-30 2006-12-01 Geoservices Dispositif d'extraction d'au moins un gaz contenu dans une boue de forage et ensemble d'analyse associe
US20060228284A1 (en) * 2005-04-11 2006-10-12 Schmidt Craig A Integration of gasification and ammonia production
EP2114825A2 (en) * 2007-01-16 2009-11-11 HSM Systems, Inc. Procedures for ammonia production

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7186341B2 (en) * 2003-03-05 2007-03-06 Siemens Water Technologies Holding Corp. Methods and apparatus for reducing nitrate demands in the reduction of dissolved and/or atmospheric sulfides in wastewater
US7326340B2 (en) * 2003-03-05 2008-02-05 Siemens Water Technologies Holding Corp. System for controlling sulfide generation
US20050025692A1 (en) * 2003-05-05 2005-02-03 Eaton Corporation (Jk) Methods and apparatus for small-scale synthesis of ammonia
US20060039847A1 (en) * 2004-08-23 2006-02-23 Eaton Corporation Low pressure ammonia synthesis utilizing adsorptive enhancement

Also Published As

Publication number Publication date
MY150831A (en) 2014-02-28
EP2297029A4 (en) 2013-12-04
JP5308517B2 (ja) 2013-10-09
WO2009142682A3 (en) 2010-01-14
EP2297029A2 (en) 2011-03-23
CN102036911B (zh) 2012-12-26
CA2724957A1 (en) 2009-11-26
US7514058B1 (en) 2009-04-07
JP2011521134A (ja) 2011-07-21
KR20110028282A (ko) 2011-03-17
BRPI0912686A2 (pt) 2016-01-26
WO2009142682A2 (en) 2009-11-26
US7604741B1 (en) 2009-10-20

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