CN101989573A - 半导体发光装置制造方法 - Google Patents

半导体发光装置制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101989573A
CN101989573A CN2010102438046A CN201010243804A CN101989573A CN 101989573 A CN101989573 A CN 101989573A CN 2010102438046 A CN2010102438046 A CN 2010102438046A CN 201010243804 A CN201010243804 A CN 201010243804A CN 101989573 A CN101989573 A CN 101989573A
Authority
CN
China
Prior art keywords
groove
semiconductor layer
dielectric film
substrate
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2010102438046A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101989573B (zh
Inventor
滨崎浩史
小岛章弘
杉崎吉昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to CN201310258023.8A priority Critical patent/CN103354253B/zh
Publication of CN101989573A publication Critical patent/CN101989573A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101989573B publication Critical patent/CN101989573B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004—Devices characterised by their operation
    • H01L33/0008—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004—Devices characterised by their operation
    • H01L33/0008—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions
    • H01L33/0016—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions having at least two p-n junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/94—Laser ablative material removal

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

根据一个实施方式，一种半导体发光装置制造方法包括在基板主表面上形成分离沟槽。包括发光层的半导体层被形成在基板上。分离沟槽将半导体层分离为多个元件。该方法包括在基板主表面上形成绝缘膜。绝缘膜覆盖半导体层和位于基板上的分离沟槽底表面。该方法包括通过从与主表面相反的基板表面用激光照射半导体层而将基板从半导体层分开。激光照射区域的边缘部分靠近与分离沟槽邻接的半导体层边缘部分定位。

Description

半导体发光装置制造方法
相关申请的交叉引用
本申请基于2009年8月3日提交的日本专利申请No.2009-180402并且要求其优先权；该申请的全部内容以引用方式并入本申请。
技术领域
本申请涉及半导体发光装置制造方法。
背景技术
将蓝光或近紫外线LED(发光二极管)用作光源并且借助于荧光体发射白光的发光装置已被广泛应用于照明装置以及图像显示装置的背光光源，并且越来越要求具有高效率。传统上，具有安装在引线框上的发光元件芯片且树脂成型的表面安装型发光装置是商业供应的。此外，出于提高光输出效率的目的，通过激光剥离工艺来去除发光层支持基板的技术被提出(例如，美国专利No.7,241,667)。
发明内容
本发明旨在提供一种可实现基板与半导体层之间良好分离的半导体发光装置制造方法。
为此，本发明提供了一种半导体发光装置制造方法，其包括：
在形成有包括发光层的半导体层的基板主表面上形成分离沟槽，分离沟槽将半导体层分为多个元件；
在基板的主表面上形成绝缘膜，绝缘膜覆盖半导体层并且覆盖位于基板上的分离沟槽底表面；以及
通过从与所述主表面相反的基板表面用激光照射半导体层而将基板从半导体层分离，
激光照射区域的边缘部分靠近与分离沟槽邻接的半导体层边缘部分定位。
根据本发明的一个优选实施方式，激光照射区域的边缘部分定位在分离沟槽中。
根据本发明的一个优选实施方式，激光照射区域的边缘部分定位在分离沟槽的半导体层侧。
根据本发明的一个优选实施方式，所述方法还包括：
在基板的与分离沟槽相对的部分中形成沟槽。
根据本发明的一个优选实施方式，形成在基板中的沟槽的宽度小于分离沟槽。
根据本发明的一个优选实施方式，所述方法还包括：
在分离沟槽的一部分中形成没有绝缘膜的空隙。
根据本发明的一个优选实施方式，形成空隙的步骤包括通过从与主表面相反的基板表面用第二激光局部照射分离沟槽中的绝缘膜而气化分离沟槽中的一部分绝缘膜。
根据本发明的一个优选实施方式，基板在平面图中包括多个区间，并且这些区间通过激光射击被照射。
根据本发明的一个优选实施方式，施加至这些区间中的相邻区间的激光照射区域在分离沟槽中彼此重叠。
根据本发明的一个优选实施方式，激光首先被施加至基板平面的外部区域。
根据本发明的一个优选实施方式，分离沟槽以网格状围绕元件周边形成。
根据本发明的一个优选实施方式，分离沟槽被充填用作绝缘膜的树脂。
根据本发明的一个优选实施方式，所述方法还包括：
在与半导体层相反的绝缘膜表面上形成第一互连层和第二互连层，第一互连层和第二互连层被电连接至半导体层并且彼此分开。
根据本发明的一个优选实施方式，所述方法还包括：
在与绝缘膜相反的第一互连层表面上形成第一金属柱；以及
在与绝缘膜相反的第二互连层表面上形成第二金属柱。
根据本发明的一个优选实施方式，第一互连层和第二互连层通过电镀而同时形成，并且第一金属柱和第二金属柱通过电镀而同时形成。
根据本发明的一个优选实施方式，所述方法还包括：
利用树脂覆盖绝缘膜、第一金属柱周边和第二金属柱周边。
根据本发明的一个优选实施方式，在第一金属柱、第二金属柱和树脂形成之后，基板通过用激光照射半导体层而与半导体层分开。
根据本发明的一个优选实施方式，所述方法还包括：
在与基板相反的半导体层表面上形成电极；
在绝缘膜中形成到达电极的触点部；
在绝缘膜上形成互连层，互连层通过触点部被电连接至电极；以及
在互连层上形成金属柱。
根据本发明的一个优选实施方式，所述方法还包括：
在绝缘膜上形成树脂层以便覆盖互连层和金属柱。
根据本发明的一个优选实施方式，分离沟槽被充填用作绝缘膜的树脂。
附图说明
图1A至2D是示出了本发明实施方式的半导体发光装置制造方法的示意性剖视图；
图3A至3C是示出了本发明实施方式的半导体发光装置中的分离沟槽的示意图；
图4A至图5C是示出了另一实施方式的半导体发光装置制造方法的示意性剖视图；
图6A和6B是另一实施方式的半导体发光装置的示意性剖视图。
具体实施方式
根据一个实施方式，半导体发光装置制造方法包括在基板主表面上形成分离沟槽。包括发光层的半导体层被形成在基板上。分离沟槽将半导体层分离为多个元件。该方法包括在基板主表面上形成绝缘膜。绝缘膜覆盖半导体层和位于基板上的分离沟槽底表面。该方法包括通过从与主表面相反的基板表面用激光照射半导体层而将基板从半导体层分离。激光照射区域的边缘部分靠近与分离沟槽邻接的半导体层边缘部分定位。
下面参照附图描述本发明的各种实施方式。
图2D是本发明实施方式的半导体发光装置的示意性剖视图。作为示例，在图2D中显示了两片半导体发光装置从晶圆状态分离出来。
本实施方式的半导体发光装置包括发光元件12和互连部。发光元件12包括半导体层12a和半导体层12b。半导体层12b具有这样的结构，其中发光层叠夹在p型包层和n型包层之间。半导体层12a被示例性地表示为n型并且用作横向电流路径。然而，半导体层12a的导电类型并不局限于n型，而是还可以是p型。
在半导体层12a的与顶表面60相反的表面的一部分上并未设置半导体层12b。n侧电极13被形成在该部分上。p侧电极14被形成在半导体层12b的与设有半导体层12a的表面相反的表面上。
半导体层12a和半导体层12b的与顶表面60相反的一侧被覆盖绝缘膜15。顶表面60从绝缘膜15暴露出来。n侧互连层18和p侧互连层19形成在绝缘膜15的与顶表面60相反的表面上并且彼此分开。
n侧电极13通过n侧触点部16被电连接至n侧互连层18。p侧电极14通过p侧触点部17被电连接至p侧互连层19。
n侧金属柱21设置在n侧互连层18下面。p侧金属柱22设置在p侧互连层19下面。n侧金属柱21的周边、p侧金属柱22的周边、n侧互连层18和p侧互连层19被树脂20覆盖。
示例性地由焊球或金属凸点形成的用于与外部电路相连的外部端子23设在n侧金属柱21和p侧金属柱22的从树脂20暴露的下端表面上。
半导体层12a通过n侧电极13、n侧触点部16、n侧互连层18和n侧金属柱21被电连接至外部端子23。半导体层12b通过p侧电极14、p侧触点部17、p侧互连层19和p侧金属柱22被电连接至外部端子23。
即使半导体层12a、12b较薄，但其机械强度可以通过加厚的n侧金属柱21、p侧金属柱22和树脂20而得以维持。此外，在各半导体发光装置通过外部端子23被安装在电路板或类似物上的情况下，通过外部端子23施加至发光元件12的应力可通过n侧金属柱21和p侧金属柱22而被吸收和缓解。
接下来，参照图1A至3C描述本发明实施方式的半导体发光装置制造方法。
首先，如示于图1A，半导体层12a和半导体层12b的层叠体被形成在基板1的主表面上。半导体层12b在完整地形成在半导体层12a上之后利用未示出的光阻掩膜被图案化，并且分开为多块。举例而言，在发光层由氮化物半导体制成的情况下，半导体层12a、12b可在示例性地由蓝宝石制成的基板1上结晶化。
接下来，半导体层12a的一部分被示例性地通过RIE(反应离子蚀刻)或激光烧蚀而去除以形成分离沟槽31，如示于图1B。这种分离沟槽31在基板1的主表面上将半导体层12a和半导体层12b分离为多个发光元件12。分离沟槽31被示例性地形成为网格状，如示于图3A。每个发光元件12的平面形状被形成为大致类似于四边形，其外周由分离沟槽31像框架那样包围。
p侧电极14被形成在半导体层12b的上表面上。n侧电极13被形成在半导体层12a的不被半导体层12b覆盖的表面的一部分上。
接下来，如示于图1C，覆盖半导体层12a和半导体层12b的绝缘膜15被形成在基板1上。绝缘膜15示例性地由有机材料例如感光性聚酰亚胺制成。这样，分离沟槽31被充填绝缘膜15。
接下来，到达n侧电极13的开口和到达p侧电极14的开口被形成在绝缘膜15中。然后，n侧触点部16设置在到达n侧电极13的开口中，p侧触点部17设置在到达p侧电极14的开口中。此外，在绝缘膜15上，连接至n侧触点部16的n侧互连层18和连接至p侧触点部17的p侧互连层19被形成。
n侧触点部16、p侧触点部17、n侧互连层18和p侧互连层19被示例性地通过电镀工艺形成。也就是说，未示出的籽粒金属被形成在绝缘膜15中形成的开口的内壁上和绝缘膜15的表面上，然后执行金属沉积。
接下来，如示于图1D，n侧金属柱21被设在n侧互连层18上，p侧金属柱22被设在p侧互连层19上。所述n侧金属柱21和p侧金属柱22的周边被充填树脂20。树脂20覆盖n侧互连层18、p侧互连层19、n侧金属柱21周边和p侧金属柱22周边。n侧金属柱21和p侧金属柱22的上表面从树脂20暴露。树脂20示例性地由混合有填料的环氧树脂、硅树脂或氟树脂构成。树脂20还在分离沟槽31上设置在绝缘膜15上。
n侧触点部16、p侧触点部17、n侧互连层18、p侧互连层19、n侧金属柱21和p侧金属柱22可以由诸如铜、金、镍、银等材料制成。在这些材料中，更优选采用铜，其具有良好的导热性，高迁移阻力，和与绝缘膜15之间的良好接触性。
在获得了图1D中的结构之后，接下来进行图2A至2D的过程。应当指出，图2A至2D被描绘为相对于图1A至1D将基板1和发光元件12的竖直位置关系上下颠倒。
图2A示出了通过激光剥离工艺去除基板1的过程。半导体层12a被激光L照射。激光L从基板1的相反侧表面(后表面)被施加至半导体层12a，该相反侧表面与形成有发光元件12的主表面相反。激光L的波长设置为使得基板1对于激光L而言是透明的(透过性的)，并且波长落在半导体层12a的吸收范围内。
当激光L到达基板1和半导体层12a之间的界面后，靠近界面的半导体层12a因吸收激光L的能量而被热分解。举例而言，在半导体层12a由GaN制成的情况下，其分解为Ga和氮气。Ga留在半导体层12a一侧。这种热分解在基板1和半导体层12a之间形成小的间隙，藉此将基板1从半导体层12a分开。
激光L示例性地施加至一个接一个的发光元件12。这里，激光L照射区域的边缘部分定位在分离沟槽31中。激光L照射区域的边缘部分50以虚线表示在图2A和3B中。边缘部分50内的大致四边形区域是一次激光射击的照射区域。
在被激光L照射时，因半导体层12a突然热分解的气化而产生气体。此时，高压气体冲击半导体层12a、12b可能引起半导体层12a、12b中裂开、结晶转移、破碎和类似现象。半导体层12a热分解产生的气体可以沿平面方向通过基板1和半导体层12a形成的间隙扩散。然而，激光L照射区域外侧仍保持固态而未被激光加热。因此，固态部分阻碍了气体扩散，并且气体压力容易在该边缘部分50升高。此外，由于激光L的施加部分与非施加部分之间的能量差异、温度差异、相态差异等，大的应力容易作用于激光L照射区域的边缘部分50。因此，半导体层12a、12b趋向于受损，特别是在激光L照射区域的边缘部分50。
为此，在本实施方式中，激光L照射区域的边缘部分50定位在分离沟槽31中。在分离沟槽31中不存在半导体层12a、12b，因此，激光L照射区域的边缘部分50不位于半导体层12a、12b中。这样，可以防止半导体层12a、12b受损。
此外，示例性地由聚酰亚胺制成的绝缘膜15设置在分离沟槽31中，其柔性高于半导体层12a、12b。该绝缘膜15的变形导致应力缓解，因而可防止大的应力作用于半导体层12a、12b。此外，气体也可通过分离沟槽31中的基板1和绝缘膜15之间因绝缘膜15变形产生的间隙而扩散。
此外，如果分离沟槽31是空的，则由于与半导体层12a之间存在大的折射率差异，靠近分离沟槽31的激光L波阵面被及大地朝向半导体层12a折射，并且电场强度被极大地散乱。这导致靠近半导体层12a端部使得激光L的强度散乱，并且不理想地，通过激光剥离工艺去除基板1的状况容易不稳定。
与此不同，在本实施方式中，分离沟槽31被充填绝缘膜15。这降低了折射率差异并且减少了激光L波阵面的偏折。因此，激光L的强度分布可以更稳定，并且可以防止剥离条件的不稳定。
分离沟槽31优选被充填绝缘膜15。然而，即使不是被充填，只要绝缘膜15靠近半导体层12a周边设置在基板1的主表面上，因折射率差异导致的前述激光L波阵面偏折也可被抑制。这可以获得稳定强度分布和促进剥离条件的稳定化的效果。
如前所述，本实施方式可防止半导体层12a、12b在被施加激光L时受损。这使得能够防止光发射效率和光输出效率降低和电流泄漏。
对于另一发光元件12也是如此，如示于图2B，激光L被施加，以使得激光L照射区域的边缘部分50定位在分离沟槽31中。因此，对于发光元件12也是如此，基板1c可从半导体层12a分离，而不会损伤半导体层12a、12b。
如前所述施加激光L的过程对于每个发光元件12执行，以在整个晶圆中将基板1从半导体层12a、12b分离。此外，向分离沟槽31施加激光L降低了设在分离沟槽31中的绝缘膜15与基板1之间的附着强度。这使得基板1能够从发光元件12上面剥离。在分离沟槽31中绝缘膜15与基板1接触的面积远小于晶圆的总面积。因此，即使分离沟槽31中的绝缘膜15没有从基板1完全分离，也由于附着强度降低了而使得基板1易于剥离。
此外，示于图2A的在先施加过激光L的激光L照射区域在分离沟槽31中与示于图2B的在后由激光L照射的激光L照射区域略微重叠。这可以避免设置在分离沟槽31中的绝缘膜15出现未被激光L照射的区域，从而可靠地降低绝缘膜15和基板1之间的附着强度，并且便于剥离基板1。
这里，激光L的重叠部分位于绝缘膜15上。因此，同分离沟槽31是空的时相比，因折射率差异导致的激光L波阵面偏折被抑制。这可以获得稳定强度分布和促进剥离条件稳定化的效果。
作为替代，邻接的照射区域可以不在分离沟槽31中重叠。在这种情况下，未被激光L照射的部分出现在设于分离沟槽31中的绝缘膜15中。可以在基板1的剥离不受影响的程度上允许绝缘膜15中存在未照射部分。
通过首先在晶圆的外侧将激光施加至发光元件12，在晶圆内侧向发光元件12施加激光产生的气体可以通过位于外侧的半导体层12a与基板1之间的间隙和通过围绕该半导体层12a的分离沟槽31中的绝缘膜15与基板1之间的间隙释放到晶圆外侧的空间。也就是说，激光首先被施加至晶圆外侧以使得气体向晶圆外侧的释放路径依次连接至内侧。这可以在整个晶圆内防止每个发光元件12受损。
即使分离沟槽31被充填绝缘膜15，在气体压力升高时通过树脂变形或通过从基板1细微剥离的树脂产生的间隙，气体压力也可以被释放。因此，可实现减少半导体层12a、12b受损的效果。
激光L的施加并不局限于以一个接一个的方式施加至由分离沟槽31分开的发光元件12，而是还可以是在多个发光元件12构成的区块中实施。图3C示出了这样的例子，其中一次激光射击被示例性地实施于四个发光元件12。在多个发光元件12构成的区块中施加的情况下，激光L照射区域的边缘部分50也是定位在分离沟槽31中。
在基板1被剥离之后，如示于图2C，用作外部端子23的焊球、金属凸块或类似物被形成在n侧金属柱21和p侧金属柱22的下端部分上。接下来，沿着分离沟槽31执行切分，以实现单片化，如示于图2D。单片化可以对每个单一的发光元件12实施，也可以对多个发光元件12构成的区块实施。
直到切分的前述各个步骤都是在晶圆状态下集中执行的，因此能够实现低成本生产。此外，包含保护树脂、互连和电极的封装结构以晶圆级形成。这方便了小型化，其中半导体发光装置的平面尺寸接近于裸芯片(发光元件12)的平面尺寸。
接下来，图4A示出了一种实施方式，其中激光L照射区域的边缘部分50定位在半导体层12a的与分离沟槽31邻接的边缘部分12e或在半导体层12a侧位于该边缘部分12e的略微内侧。
当激光L被施加时，半导体层12a、12b的损伤容易发生在能量、温度、相态等变化很大的边界处。取决于激光照射条件和照射对象，能量、温度、相态等变化很大的边界不是必须与照射区域的边缘部分50重合。激光L的一些能量和热量可能到达该边缘部分50外侧的部分。在这种情况下，能量、温度、相态等变化很大的边界位于激光施加区域的边缘部分50的外侧。
因此，在示于图4A的实施方式中，激光L照射区域的边缘部分50定位在半导体层12a的边缘部分12e或在半导体层12a侧位于该边缘部分12e的略微内侧，以使得能量、温度、相态等变化很大的边界位于分离沟槽31中。由于半导体层12a、12b不存在于包括能量、温度、相态等变化很大的边界的分离沟槽31中，因此这可以防止半导体层12a、12b损伤。
此外，由于分离沟槽31中的绝缘膜15不覆盖激光L施加区域，因此可以抑制分离沟槽31中的绝缘膜15受到过度能量和热量的作用。这可以防止绝缘膜15中的裂纹而导致可靠性降低和由于绝缘膜15变形导致半导体层12a、12b受到应力。
接下来，图4B示出了一种实施方式，其中沟槽32形成在基板1中。沟槽32形成在基板1的与分离沟槽31相对的部分中。沟槽32示例性地在整个晶圆内形成网格状，类似于示于图3A的分离沟槽31。沟槽32的宽度小于分离沟槽31的宽度，半导体层12a的边缘部分不与沟槽32重叠。
当激光L被施加时，基板1和半导体层12a之间的界面处产生的气体可以通过沟槽32释放至晶圆外侧。施加激光L导致分离沟槽31中的绝缘膜15和基板1之间的附着强度降低，或绝缘膜15变形。这使得基板1和半导体层12a之间的界面处产生的气体容易穿过绝缘膜15和基板1之间并且到达沟槽32。
通过形成沟槽32，施加激光L时产生的气体可以有效地释放，并且可以防止靠近发光元件12气体压力升高。在这种情况下，激光的施加可以不从晶圆外侧进行。由于用于气体释放的沟槽32已经在整个晶圆内形成，即使激光的施加首先是在晶圆内侧进行的，产生的气体也可以通过沟槽32释放至晶圆外侧。
在通过前面描述的示于图1B的过程形成了分离沟槽31之后，沟槽32被形成在与分离沟槽31相对的部分中。接下来，绝缘膜15被形成在基板1的主表面上。绝缘膜15以液体或粘性状态供应至基板1的主表面，然后固化。因此，如果沟槽32的宽度小至例如1μm或以下，并且绝缘膜15示例性地由具有相对高粘度的聚酰亚胺制成，则沟槽32可以保持不被充填绝缘膜15。
作为替代，如示于图4C，沟槽33可以形成在绝缘膜15一侧。沟槽33被形成为设于分离沟槽31中的绝缘膜15中的空隙。沟槽33也被示例性地在整个晶圆内形成网格状，类似于示于图3A的分离沟槽31。沟槽33的宽度小于分离沟槽31的宽度，并且半导体层12a的边缘部分不与沟槽33重叠。
在这种情况下，同样，当激光L被施加时，基板1和半导体层12a之间的界面处产生的气体可以通过沟槽33释放至晶圆外侧。此外，激光的施加可以不从晶圆外侧进行。由于用于气体释放的沟槽33已经在整个晶圆内形成，即使激光的施加首先是在晶圆内侧进行的，产生的气体也可以通过沟槽33释放至晶圆外侧。
在图1D的过程之后，空隙可以通过激光烧蚀形成在绝缘膜15中，其中激光从基板1的后侧局部施加至设于分离沟槽31中的绝缘膜15。该激光的照射区域比用于剥离基板1的激光L窄，并且缩窄为斑状。通过这种激光烧蚀，设于分离沟槽31中的绝缘膜15一部分可以气化以形成沟槽33。因此，至少是将要形成沟槽33的部分优选可通过激光烧蚀而气化的树脂制成，例如聚酯，聚碳酸酯，和聚氨酯。由于沟槽33形成在整个晶圆内，气化的树脂通过沟槽33被释放至晶圆外侧。
图5A至5C示出了用于形成将半导体层12a分开的分离沟槽另一方法。
该方法执行直至图1D的各个步骤，但没有执行前面描述的示于图1B的阶段中形成分离沟槽31的过程。因此，如示于图5A，半导体层12a未被分开而是保持连接。
然后，如示于图5B，激光烧蚀被执行，其中激光L′从基板1的后侧仅被局部施加至分离沟槽将被形成的部分。该激光L′的照射区域比用于剥离基板的激光L窄，并且缩窄为斑状。通过该激光烧蚀，半导体层12a的一部分被气化和去除。因此，将半导体层12a分开的分离沟槽34被形成。由于绝缘膜15没有设置在该分离沟槽34中，因此分离沟槽34也被用作施加激光L以剥离基板时产生的气体的释放路径。分离沟槽34也被示例性地在整个晶圆内形成网格状。
为了确保半导体层12a完全分离，也选也通过激光烧蚀来去除绝缘膜15的一部分，该部分与半导体层12a中的用于形成分离沟槽34的部分相接触。因此，该部分优选可通过激光烧蚀而气化的树脂制成，例如前面描述的聚酯、聚碳酸酯和聚氨酯。通过去除绝缘膜15的一部分，气体释放路径的横截面面积可以增大，以便有效地释放气体。
为了剥离基板，如示于图5C，激光L被施加以使得激光L照射区域的边缘部分50定位在不存在发光元件12的分离沟槽34中。这可以防止发光元件12的损伤。此外，由于气体可以通过空隙形式的分离沟槽34释放，可以更有效地避免靠近发光元件12的气体压力升高。
图6A示出了这样的结构，其中半导体层12a、12b的侧表面被覆盖钝化膜70，其示例性地由电介质例如氧化硅和氮化硅制成。这可以抑制电流泄漏并且防止半导体层12a、12b侧表面氧化导致可靠性降低。通过在分离沟槽31中将钝化膜70分开，可以防止在通过激光剥离工艺去除基板1时造成的冲击通过钝化膜70传播至相邻的元件。
此外，如示于图6B，空隙71可以在分离沟槽31的位置形成在钝化膜70下面。因此，激光剥离时产生的气体的释放路径可以主动地被确保，并且可以抑制半导体层12a、12b因冲击而受损。通过在基板1上的分离沟槽31中形成牺牲层并且通过蚀刻等去除牺牲层，可以形成空隙71。
本领域技术人员可以对基板、发光元件、电极、互连层、金属柱、绝缘膜和树脂的材料、尺寸、形状、布局等做出各种修改，并且只要这些修改不脱离本发明的精神，它们就包含在本发明的范围内。
虽然这里描述了特定的实施方式，但这些实施方式仅仅是以示例的方式提供的，而非要限制本发明的范围。实际上，这里描述的创新装置和方法可以以各式各样的其它形式实现；此外，在不脱离本发明的精神的前提下，可以对这里描述的装置和方法作出各种省略、替换和改变。权利要求及等同替换所覆盖的范围涵盖了落在本发明精神内的各种形式和改型。

Claims (20)

1.一种半导体发光装置制造方法，包括：
在形成有包括发光层的半导体层的基板主表面上形成分离沟槽，分离沟槽将半导体层分隔为多个元件；
在基板主表面上形成绝缘膜，绝缘膜覆盖半导体层并且覆盖所述分离沟槽的位于基板上的底表面；以及
通过从与所述主表面相反的基板表面用激光照射半导体层而将基板从半导体层分离，
激光照射区域的边缘部分靠近与分离沟槽邻接的半导体层边缘部分定位。
2.如权利要求1所述的方法，其中，激光照射区域的边缘部分定位在分离沟槽中。
3.如权利要求1所述的方法，其中，激光照射区域的边缘部分定位在分离沟槽的半导体层侧。
4.如权利要求1所述的方法，还包括：
在基板的与分离沟槽相对的部分中形成沟槽。
5.如权利要求4所述的方法，其中，形成在基板中的沟槽的宽度小于分离沟槽的宽度。
6.如权利要求1所述的方法，还包括：
在分离沟槽的一部分中形成没有绝缘膜的空隙。
7.如权利要求6所述的方法，其中，形成空隙的步骤包括通过从与主表面相反的基板表面用第二激光局部照射分离沟槽中的绝缘膜而气化分离沟槽中的绝缘膜的一部分。
8.如权利要求1所述的方法，其中，基板在其平面图中包括多个区间，并且这些区间通过激光射击被照射。
9.如权利要求8所述的方法，其中，施加至这些区间中的相邻区间的激光照射区域在分离沟槽中彼此重叠。
10.如权利要求8所述的方法，其中，激光首先被施加至基板平面的外部区域。
11.如权利要求1所述的方法，其中，分离沟槽以网格状围绕元件周边形成。
12.如权利要求1所述的方法，其中，分离沟槽被充填用作绝缘膜的树脂。
13.如权利要求1所述的方法，还包括：
在与半导体层相反的绝缘膜表面上形成第一互连层和第二互连层，第一互连层和第二互连层被电连接至所述半导体层并且彼此分开。
14.如权利要求13所述的方法，还包括：
在与绝缘膜相反的第一互连层表面上形成第一金属柱；以及
在与绝缘膜相反的第二互连层表面上形成第二金属柱。
15.如权利要求14所述的方法，其中，第一互连层和第二互连层通过电镀而同时形成，并且第一金属柱和第二金属柱通过电镀而同时形成。
16.如权利要求14所述的方法，还包括：
利用树脂覆盖所述绝缘膜、第一金属柱周边和第二金属柱周边。
17.如权利要求16所述的方法，其中，在第一金属柱、第二金属柱和树脂形成之后，通过用激光照射半导体层而将基板与半导体层分离。
18.如权利要求1所述的方法，还包括：
在与基板相反的半导体层表面上形成电极；
在绝缘膜中形成到达电极的触点部；
在绝缘膜上形成互连层，互连层通过触点部被电连接至电极；以及
在互连层上形成金属柱。
19.如权利要求18所述的方法，还包括：
在绝缘膜上形成树脂层以便覆盖互连层和金属柱。
20.如权利要求19所述的方法，其中，分离沟槽被充填用作绝缘膜的树脂。
CN201010243804.6A 2009-08-03 2010-08-02 半导体发光装置制造方法 Active CN101989573B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310258023.8A CN103354253B (zh) 2009-08-03 2010-08-02 半导体发光装置制造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP180402/2009 2009-08-03
JP2009180402A JP4686625B2 (ja) 2009-08-03 2009-08-03 半導体発光装置の製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310258023.8A Division CN103354253B (zh) 2009-08-03 2010-08-02 半导体发光装置制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101989573A true CN101989573A (zh) 2011-03-23
CN101989573B CN101989573B (zh) 2015-11-25

Family

ID=43527419

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310258023.8A Active CN103354253B (zh) 2009-08-03 2010-08-02 半导体发光装置制造方法
CN201010243804.6A Active CN101989573B (zh) 2009-08-03 2010-08-02 半导体发光装置制造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310258023.8A Active CN103354253B (zh) 2009-08-03 2010-08-02 半导体发光装置制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (5) US8148183B2 (zh)
JP (1) JP4686625B2 (zh)
CN (2) CN103354253B (zh)
TW (2) TWI549315B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103403889A (zh) * 2011-05-17 2013-11-20 株式会社东芝 半导体发光二极管
CN106981454A (zh) * 2016-01-18 2017-07-25 英飞凌科技奥地利有限公司 用于处理衬底的方法以及电子器件
WO2023010292A1 (zh) * 2021-08-03 2023-02-09 重庆康佳光电技术研究院有限公司 发光器件及发光器件的制作方法

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9111950B2 (en) * 2006-09-28 2015-08-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Process for preparing a semiconductor structure for mounting
JP4724222B2 (ja) 2008-12-12 2011-07-13 株式会社東芝 発光装置の製造方法
JP4686625B2 (ja) * 2009-08-03 2011-05-25 株式会社東芝 半導体発光装置の製造方法
JP5612336B2 (ja) * 2010-03-08 2014-10-22 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子の製造方法
JP2011199193A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Toshiba Corp 発光装置及びその製造方法
JP4778107B1 (ja) * 2010-10-19 2011-09-21 有限会社ナプラ 発光デバイス、及び、その製造方法
JP5537446B2 (ja) 2011-01-14 2014-07-02 株式会社東芝 発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法
JP5603793B2 (ja) 2011-02-09 2014-10-08 株式会社東芝 半導体発光装置
JP5603813B2 (ja) 2011-03-15 2014-10-08 株式会社東芝 半導体発光装置及び発光装置
JP5535114B2 (ja) 2011-03-25 2014-07-02 株式会社東芝 発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法
DE102011015726B9 (de) * 2011-03-31 2023-07-13 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterchip, Display mit einer Mehrzahl von Halbleiterchips und Verfahren zu deren Herstellung
RU2604956C2 (ru) * 2011-06-01 2016-12-20 Конинклейке Филипс Н.В. Светоизлучающее устройство, присоединенное к опорной подложке
JP2013021175A (ja) * 2011-07-12 2013-01-31 Toshiba Corp 半導体発光素子
KR20130012376A (ko) * 2011-07-25 2013-02-04 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
JP5662277B2 (ja) 2011-08-08 2015-01-28 株式会社東芝 半導体発光装置及び発光モジュール
TWI447957B (zh) * 2011-08-22 2014-08-01 Chao Yuan Cheng Iii-v族晶圓可重複進行磊晶製程之方法與構造
JP2013065726A (ja) 2011-09-16 2013-04-11 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP2013140942A (ja) 2011-12-07 2013-07-18 Toshiba Corp 半導体発光装置
DE102012101409A1 (de) * 2011-12-23 2013-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
TWI489658B (zh) * 2012-05-25 2015-06-21 Toshiba Kk 半導體發光裝置及光源單元
FR2992465B1 (fr) * 2012-06-22 2015-03-20 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication collective de leds et structure pour la fabrication collective de leds
JP5685567B2 (ja) * 2012-09-28 2015-03-18 株式会社東芝 表示装置の製造方法
TWI583773B (zh) 2012-12-18 2017-05-21 財團法人工業技術研究院 有機發光二極體
JP6121281B2 (ja) * 2013-08-06 2017-04-26 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6428249B2 (ja) 2013-12-25 2018-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
US9991040B2 (en) * 2014-06-23 2018-06-05 Ferric, Inc. Apparatus and methods for magnetic core inductors with biased permeability
US9425351B2 (en) * 2014-10-06 2016-08-23 Wisconsin Alumni Research Foundation Hybrid heterostructure light emitting devices
CN104538529B (zh) * 2014-12-31 2017-03-22 江阴长电先进封装有限公司 一种led封装结构及其晶圆级封装方法
CN107408604B (zh) * 2015-04-03 2019-07-09 创光科学株式会社 氮化物半导体紫外线发光元件以及氮化物半导体紫外线发光装置
US9478576B1 (en) * 2015-04-28 2016-10-25 Omnivision Technologies, Inc. Sealed-sidewall device die, and manufacturing method thereof
JP2017054901A (ja) * 2015-09-09 2017-03-16 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光装置とその製造方法
CN105428488B (zh) * 2015-12-28 2018-04-17 上海交通大学 一种基于金丝球焊法的光刺激神经电极器件及其制备方法
DE102016103358A1 (de) * 2016-02-25 2017-08-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserbarren mit gräben
US10304720B2 (en) * 2016-07-15 2019-05-28 Brewer Science, Inc. Laser ablative dielectric material
KR102299465B1 (ko) 2017-03-24 2021-09-07 위스콘신 얼럼나이 리서어치 화운데이션 다층 p형 접촉자를 갖는 III-V족 질화물계 발광 소자
US10217897B1 (en) 2017-10-06 2019-02-26 Wisconsin Alumni Research Foundation Aluminum nitride-aluminum oxide layers for enhancing the efficiency of group III-nitride light-emitting devices

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007299935A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Showa Denko Kk 窒化物系半導体発光素子の製造方法、窒化物系半導体発光素子及びランプ
US20080142809A1 (en) * 2006-03-14 2008-06-19 Lg Electronics Inc. Light emitting device having vertical structure and method for manufacturing the same
US20080210955A1 (en) * 2007-01-29 2008-09-04 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6071795A (en) * 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
TWI246783B (en) 2003-09-24 2006-01-01 Matsushita Electric Works Ltd Light-emitting device and its manufacturing method
JP4449405B2 (ja) 2003-10-20 2010-04-14 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
WO2005043631A2 (en) 2003-11-04 2005-05-12 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. Semiconductor light emitting device, lighting module, lighting apparatus, and manufacturing method of semiconductor light emitting device
JP2005191530A (ja) 2003-12-03 2005-07-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
US7202141B2 (en) * 2004-03-29 2007-04-10 J.P. Sercel Associates, Inc. Method of separating layers of material
JP2005347647A (ja) * 2004-06-04 2005-12-15 Sony Corp 素子および素子転写方法
TWI420686B (zh) 2004-12-10 2013-12-21 Panasonic Corp 半導體發光裝置、發光模組及照明裝置
KR101166922B1 (ko) 2005-05-27 2012-07-19 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드의 제조 방법
JP2007081234A (ja) * 2005-09-15 2007-03-29 Toyoda Gosei Co Ltd 照明装置
JP2007115874A (ja) * 2005-10-20 2007-05-10 Toyoda Gosei Co Ltd 接合用パターンの構造、その形成方法及び発光装置
JP2007173465A (ja) * 2005-12-21 2007-07-05 Rohm Co Ltd 窒化物半導体発光素子の製造方法
KR100746646B1 (ko) 2006-07-11 2007-08-06 삼성전자주식회사 디스플레이 구동 회로 및 이를 갖는 액정 표시 장치
US10295147B2 (en) * 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
JP2008140873A (ja) 2006-11-30 2008-06-19 Toyoda Gosei Co Ltd フリップチップ実装されたｉｉｉ−ｖ族半導体素子およびその製造方法
KR100845856B1 (ko) * 2006-12-21 2008-07-14 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
DE102007037821A1 (de) * 2007-08-10 2009-02-12 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtmodul
JP2009070597A (ja) * 2007-09-11 2009-04-02 Seiko Epson Corp 発光装置
JP2009099823A (ja) * 2007-10-18 2009-05-07 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置
US20100006864A1 (en) * 2008-07-11 2010-01-14 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Implanted connectors in led submount for pec etching bias
JP4724222B2 (ja) * 2008-12-12 2011-07-13 株式会社東芝 発光装置の製造方法
JP4686625B2 (ja) * 2009-08-03 2011-05-25 株式会社東芝 半導体発光装置の製造方法
JP5349260B2 (ja) * 2009-11-19 2013-11-20 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
JP5414579B2 (ja) * 2009-11-19 2014-02-12 株式会社東芝 半導体発光装置
US8476659B2 (en) * 2010-07-15 2013-07-02 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Light emitting device
US8653542B2 (en) * 2011-01-13 2014-02-18 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Micro-interconnects for light-emitting diodes
US8241932B1 (en) * 2011-03-17 2012-08-14 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Methods of fabricating light emitting diode packages

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080142809A1 (en) * 2006-03-14 2008-06-19 Lg Electronics Inc. Light emitting device having vertical structure and method for manufacturing the same
JP2007299935A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Showa Denko Kk 窒化物系半導体発光素子の製造方法、窒化物系半導体発光素子及びランプ
US20080210955A1 (en) * 2007-01-29 2008-09-04 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103403889A (zh) * 2011-05-17 2013-11-20 株式会社东芝 半导体发光二极管
CN103403889B (zh) * 2011-05-17 2016-09-14 株式会社东芝 半导体发光二极管
CN106981454A (zh) * 2016-01-18 2017-07-25 英飞凌科技奥地利有限公司 用于处理衬底的方法以及电子器件
CN106981454B (zh) * 2016-01-18 2020-08-25 英飞凌科技奥地利有限公司 用于处理衬底的方法以及电子器件
WO2023010292A1 (zh) * 2021-08-03 2023-02-09 重庆康佳光电技术研究院有限公司 发光器件及发光器件的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20120153344A1 (en) 2012-06-21
CN103354253B (zh) 2016-05-11
US9105828B2 (en) 2015-08-11
CN101989573B (zh) 2015-11-25
US8852976B2 (en) 2014-10-07
JP2011035184A (ja) 2011-02-17
TW201407812A (zh) 2014-02-16
US8148183B2 (en) 2012-04-03
TWI549315B (zh) 2016-09-11
US20110027921A1 (en) 2011-02-03
US20140070264A1 (en) 2014-03-13
JP4686625B2 (ja) 2011-05-25
US8610163B2 (en) 2013-12-17
CN103354253A (zh) 2013-10-16
TWI430472B (zh) 2014-03-11
US9306141B2 (en) 2016-04-05
US20150303361A1 (en) 2015-10-22
TW201123526A (en) 2011-07-01
US20140329348A1 (en) 2014-11-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101989573B (zh) 半导体发光装置制造方法
US9978728B2 (en) Display apparatus and fabricating method thereof
EP3767688B1 (en) Light emitting diode
TWI419380B (zh) 半導體發光裝置的製造方法及半導體發光裝置
TWI423408B (zh) 半導體元件及其製造方法
CN103339749B (zh) 晶片级发光二极管封装件及制造此的方法
KR101230622B1 (ko) 집단 본딩을 이용한 반도체 디바이스 제조 방법 및 그것에 의해 제조된 반도체 디바이스
CN102376855B (zh) 发光器件和具有发光器件的照明系统
CN102194958B (zh) 发光器件和发光器件封装
US7589351B2 (en) Light-emitting device
US20140252397A1 (en) Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same
KR101007128B1 (ko) 발광소자 및 그 제조방법
JP2007527123A (ja) サブマウントを置かないフリップチップ発光ダイオード素子
CN102460737B (zh) 在半导体发光器件上形成电介质层的方法
CN102237460A (zh) 发光器件
KR102590229B1 (ko) Led 소자 및 led 소자의 제조 방법
US20100237379A1 (en) Light emitting device
CN103700736A (zh) 一种氮化镓基外延膜的选区激光剥离方法
TWI393273B (zh) 發光二極體組件之製造方法
CN207977346U (zh) 一种led器件及照明装置
TWI467808B (zh) 發光二極體元件、其製作方法以及發光裝置
CN114256399A (zh) 一种红光led组件、显示面板及制备方法
JP3917619B2 (ja) 半導体発光素子の製法
CN208570647U (zh) 一种led器件、led装置及照明装置
CN111864037B (zh) 微元件阵列基板、显示面板及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20180710

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: Toshiba electronic components and storage plant

Address before: Tokyo, Japan, Japan

Patentee before: Toshiba Corp

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20180912

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee after: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Toshiba electronic components and storage plant

TR01 Transfer of patent right