CN101978488A - 控制装置以及控制方法 - Google Patents

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Abstract

包括存储单元，存储表示从处理基板的多个处理单元中选择的一个基准处理单元和其他非基准处理单元的相对位置的第一信息；第一计算单元，计算用于修正位置偏移的第一修正值，所述位置偏移是当在被将基板运送到各个处理单元的运送装置中保持模仿所述基板的样板的状态下驱动该运送装置、运送装置的样板针对基准处理单元的交接位置和预定的第一交接目标位置之间的位置偏移；以及第二计算单元，基于第一修正值和第一位置信息，计算用于修正运送装置的样板针对非基准处理单元的交接位置和预定的第二交接目标位置之间的位置偏移的第二修正值。

Description

控制装置以及控制方法
技术领域
本发明涉及用于控制例如将半导体晶片等基板交接到处理单元的载置台上的基板运送装置的交接位置的调整的控制装置以及控制方法。
背景技术
例如半导体晶片的制造工序中的照相平板印刷工序通常使用涂敷显影处理装置进行。涂敷显影处理装置例如包括：运入运出部，用于相对外部运入基板或运出基板；处理部，配置有进行抗蚀剂涂敷处理、显影处理以及热处理等的各种处理的多个处理单元；以及接口部，用于在该处理部与作为其他的装置的曝光装置之间进行基板的交接的接口部。并且，涂敷显影处理装置例如具有在上述各部间和处理单元间运送基板的多个基板运送装置。
基板运送装置具有保持基板的臂。在基板运送装置中，当在处理单元内交接基板时，为了避免半导体晶片产生错位，臂的位置调整变得尤为重要。以往，实际在运送半导体晶片之前，计算与目标晶片交接位置的位置偏移量，来基于该计算结果对基板运送装置进行基板的交接位置的调整操作。晶片的交接位置的调整操作按照各处理单元来实际进行对基板运送装置进行驱动(例如专利文献1、专利文献2)。
专利文献1：日本专利文献特开2002-313872号公报(0050段)；
专利文献2：日本专利文献特开2005-19963号公报(0035～0052段)。
发明内容
但是，在具有如涂敷显影处理装置那样的多个处理单元的处理装置中，如果按照各个处理单元实际逐一驱动基板运送装置来进行位置调整操作，则存在需要较长时间并且操作效率低的问题。并且，在基板运送装置具有多个臂的情况下，由于按照每个臂而进行位置调整操作而需要更长时间。
鉴于以上情况，本发明的目的在于提供一种大幅度削减位置调整操作所需要的时间、并提高操作效率的控制装置以及控制方法。
当解决以上问题时，本发明的主要观点涉及的控制装置，对基板处理装置中的运送装置的交接位置的调整进行控制，所述基板处理装置包括对基板进行预定的处理的多个处理单元以及能够进行驱动以保持并运送所述基板来向所述各个处理单元进行交接的运送单元，所述控制装置包括：存储单元，存储表示从所述各个处理单元中选择的一个基准处理单元和其他非基准处理单元的相对位置的第一信息；第一计算单元，计算用于修正位置偏移的第一修正值，所述位置偏移是当在被所述运送装置中保持模仿所述基板的样板的状态下驱动该运送装置、所述运送装置的所述样板针对所述基准处理单元的交接位置和预定的第一交接目标位置之间的位置偏移；以及第二计算单元，基于所述第一修正值和所述第一位置信息，计算用于修正所述运送装置的所述样板针对所述非基准处理单元的交接位置和预定的第二交接目标位置之间的位置偏移的第二修正值。
这里所谓基板处理装置例如为涂敷显影装置、成膜装置、蚀刻装置、清洗装置等。另外，所述运送装置例如叫做运送臂及其驱动机构。根据该结构，通过计算第一修正值能修正基准单元中的位置偏移，并且使用该第一修正值、以及表示基准处理单元和非基准处理单元的相对位置的第一位置信息计算第二修正值，由此能够不对非基准处理单元驱动运送装置，修正非基准处理单元的位置偏移。因此，与实际逐一驱动非基准处理单元的位置偏移来进行各位置修正的情况相比，能够大幅缩短位置偏移修正所需要的时间，并提高基板处理装置的处理效率。
另外，所述运送装置具有用于保持所述基板的多个臂，所述存储单元存储表示所述各个臂间的相对位置的第二位置信息，所述第一计算单元按照所述每个臂计算所述第一修正值，所述第二计算单元基于关于所述各个臂的所述各个第一修正值、所述第一位置信息以及所述第二位置信息计算针对所述非基准处理单元的所述运送装置的各个臂的所述第二修正值。
由此，即使运送装置具有多个臂的情况下，通过使用对于基准处理单元计算出的各个臂的第一修正值和表示各臂间的相对位置的第二位置信息，能够不对非基准处理单元驱动各个臂计算各个臂的第二修正值，并能够大幅缩短各个处理单元中的各个臂的位置偏移修正所需要的时间。
另外，还包括操作输入部，输入用于从所述各个处理单元中选择所述基准处理单元的第一用户操作以及用于改变所述被选择的基准处理单元的第二用户操作。
由此，即使在被选择的基准处理单元中产生某些故障的情况下，通过改变基准处理单元也能顺利地进行位置偏移修正。
另外，所述运送装置具有用于保持所述基板的多个臂，所述存储单元存储表示所述各个臂间的相对位置的第二位置信息，所述第一计算单元计算从所述多个臂选择的一个臂的所述第一修正值，并基于该一个臂的第一修正值和所述第二位置信息计算其他臂的所述第一修正值，所述第二计算单元基于所述一个臂的第一修正值、所述第一位置信息以及所述第二位置信息，计算针对所述非基准处理单元的所述运送装置的各个臂的所述第二修正值。
由此，即使运送装置具有多个臂的情况下，根据对于基准处理单元计算出的一个臂的第一修正值和表示各个臂间的相对位置的第二位置信息能够计算针对基准处理单元的一个臂以外的其他臂的第一修正值，而不需要按照每个臂来计算修正值。并且，通过使用一个臂的第一修正值、第二位置信息、表示基准处理单元和非基准处理单元的相对位置的第一位置信息，能够不对非基准处理单元驱动各个臂而计算出各个臂的第二修正值。因此，能够大幅度地缩短各个处理单元中的各个臂的位置偏移修正所需要的时间。
本发明的其他观点涉及的控制方法，对基板处理装置中的运送装置的交接位置的调整进行控制，所述基板处理装置包括对基板进行预定的处理的多个处理单元、以及能够进行驱动以保持并运送所述基板来向所述各个处理单元进行交接的运送单元，所述控制方法包括：存储表示从所述各个处理单元中选择的一个基准处理单元和其他非基准处理单元的相对位置的第一信息；计算用于修正位置偏移的第一修正值，所述位置偏移是当在被所述运送装置中保持模仿所述基板的样板的状态下驱动该运送装置、所述运动装置的所述样板针对所述基准处理单元的交接位置和预定的第一交接目标位置之间的位置偏移；以及基于所述第一修正值和所述第一位置信息，计算用于修正所述运送装置的所述样板针对所述非基准处理单元的交接位置和预定的第二交接目标位置之间的位置偏移的第二修正值。
如上所述，根据本发明能够提供一种大幅度削减位置调整操作所需要的时间、并提高操作效率的控制装置以及控制方法。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式的涂敷显影处理装置的结构的简要平面图；
图2是图1的涂敷显影处理装置的正面图；
图3是图1的涂敷显影处理装置的背面图；
图4是示出调整(teaching)用PC的图；
图5是运送单元的立体图；
图6是CCD相机盘的平面图；
图7是目标盘的平面图；
图8是高度调整盘的平面图；
图9是示出使用目标盘的位置调整操作的情况的简要立体图；
图10是抗蚀剂涂敷单元的简要截面图；
图11是用于说明位置调整处理的流程图。
标号的说明
1…涂敷显影处理装置、7a…第一臂、7b…第二臂、7c…第三臂、22…第三晶片运送单元、27…第一晶片运送单元、29…第二晶片运送单元、200…调整用计算机、201…CPU、202…ROM、401…CCD相机盘、403…目标盘、405…高度调整盘、500…第一位置信息、501、600、700…第一修正值、800…第二位置信息、900…第二修正值、A1…第一运送单元、BAKE…高温热处理单元、BARC…防反射膜形成单元、COL…清洁单元、COT…抗蚀剂涂敷单元、CHM…化学室、CPL……散热板单元、DEV…显影单元、PAB…预烘焙单元、PEB…曝光后烘焙(Post ExposureBaking)单元、POST…后烘焙单元、SBU…缓冲箱单元、TRS…传递单元、WEE…周边曝光单元
具体实施方式
下面，对本发明的实施方式进行说明。图1是表示作为具有本实施方式涉及的控制装置的基板处理装置的涂敷显影处理装置1的结构的简略平面图。图2是涂敷显影处理装置1的正面图，图3是涂敷显影处理装置1的背面图。
涂敷显影处理装置1如图1所示，例如在作为覆盖装置整体的框体的框架1a内将箱站10、处理站3、接口部14一体连接构成，其中所述盒站10将为例如25枚基板的晶片W以盒为单位从外部向涂敷显影处理装置1运入运出、或者相对盒CR来运入运出晶片W，所述处理站3多级配置有在涂敷显影工序中为片式实施预定处理的各种处理单元，所述接口部14在与该处理站3相邻设置的曝光装置100之间进行晶片W的交接。
在盒站10中能够在盒载置台20上的预定位置处将多个盒CR沿X方向(图1中的上下方向)载置成一列。在盒站10中设置有能够沿X方向在运送路径21上移动的第三晶片运送单元22。第三晶片运送单元22也能在上下方向移动，并能够对在盒CR内排列在上下方向的晶片W选择性地进行访问。第三晶片运送单元22能够绕铅直方向的轴(θ方向)旋转，并也能对后述的处理站12侧的第三处理单元组G3中的单元进行存取。
处理站12如图1所示，具有多个处理单元被配置成多级的例如七个处理单元组G1～G7。在作为处理站12的正面侧的X方向的负方向(图1的下方)侧，从盒站12侧开始依次配置第一处理单元组G1、第二处理单元组G2。在处理站12的中央部，从盒站10侧开始依次配置第3处理单元组G3、第4处理单元组G4、以及第5处理单元组G5。在作为处理站12的背面侧的X方向正向(图1中的上方)侧从盒站10侧开始依次配置第6处理单元组G6、第7处理单元组G7。
在第3处理单元组G3和第4处理单元组G4之间设置有第一运送单元A1。第一运送单元A1具有能在θ方向旋转、并能在水平方向和上下方向移动的臂部16。作为运送装置的第一运送单元A1通过使臂16在相邻的第一处理单元组G1、第3处理单元组G3、第4处理单元组G4以及第6处理单元组G6中的各个单元进出，能够将晶片W在该各处理单元组G1、G2、G3以及G6中的各单元间运送晶片W。
在第4处理单元组G4和第5处理单元组G5之间设置有第2运送单元A2。作为运送装置的第2运送单元A2与第一运送单元A1同样具有臂部17，并能够对第2处理单元组G2、第4处理单元组G4、第5处理单元组G5以及第7处理单元组G7的各单元选择性地进行访问并运送晶片。
如图2所示，第一处理单元组G1从下面开始依次重叠向晶片W提供预定液体来进行处理的液体处理单元，例如三级将抗蚀剂液体涂敷在晶片W上来形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷单元(COT)、两级形成用于防止曝光时的光反射的防反射膜的防反射膜形成单元(Bottom Coating(底部抗反射涂层)，BARC)。第二处理单元组G2从下面开始依次重叠液体处理单元，例如五级对晶片W进行显影处理的显影单元(DEV)。另外，在第一处理单元组G1和第二处理单元组G2的最下级分别设置有用于向各处理单元组G1和G2中的所述液体处理单元提供各种处理液体的化学室(CHM)26、28。
例如图3所示，在第三处理单元组G3中，从下面开始依次重叠共9级的用于进行晶片W交接的传递单元(TRS)、对晶片W进行温度处理的温度调节处理单元(散热板单元，CPL)、以及通过高温对晶片W进行加热处理的高温热处理单元(BAKE)。
在第4处理单元组G4中，从下面开始依次重叠共10级的例如散热板单元(CPL)、通过高精度温度管理来冷却晶片W的散热单元(COL)、对抗蚀剂涂敷处理后的晶片W进行加热处理的预烘焙单元(PAB)以及对显影处理后的晶片W进行加热处理的后烘焙单元(POST)。
在第5处理单元组G5中，从下面开始依次重叠共10级的例如散热单元(COL)、作为对曝光后的晶片W进行加热处理的热处理单元的曝光后烘焙(Post Exposure Baking)单元(PEB)。曝光后烘焙单元(PEB)例如具有在容器内载置晶片W来进行加热的加热板和在容器内载置晶片W来进行冷却的冷却板，能够进行晶片W的加热和冷却。
在第6处理单元组G6中，例如图3所示，从下面开始依次重叠共三级后烘焙单元(POST)。
在第7处理单元组G7中，例如图3所示，从下面开始依次重叠共四级用于对晶片W进行疏水化处理的粘着单元(adhesion，AD)以及对晶片W进行加热处理的加热处理单元(BAKE)。
接口部14例如图1所示，从处理站12侧依次具有第一接口部140和第二接口部141。第一接口部140例如将第一晶片运送单元27设置在与第5处理单元组G5对应的位置。在第一晶片运送单元27的X方向的两侧例如配置由两个单元组H1、H2。
例如在X方向正向侧的单元组H1如图3所示，从下面开始依次配置例如作为容纳部的缓冲箱单元(SBU)以及仅对晶片W的外周部选择性曝光的周边曝光单元(WEE)。在X方向负向侧的单元组H2如图2所示，从下面开始依次配置例如散热单元(COL)、传递单元(TRS)。
如图1所示，第一晶片运送单元27例如能够在水平方向和上下方向上移动、并且能够绕θ方向旋转，并能够对第5处理单元组G5、单元组H1以及单元组G2中的各单元进行访问。
在第二接口部141例如设置有沿朝向X方向设置的沿运送路径28移动的第二晶片运送单元29。第二晶片运送单元29能够在Z方向上移动并且能够绕θ方向旋转，例如能够在单元组H2内的各单元和曝光装置100中的交接台之间运送晶片W。
如图1所示，作为本实施方式的基板处理装置的涂敷显影处理装置1具有作为控制装置的调整用个人计算机(下面简称为调整用PC)200以及与所述调整用PC200连接的图像处理装置300，所述调整用个人计算机控制作为运送装置的第一运送单元A1、第二运送单元A2、第一晶片运送单元27、第二晶片运送单元29、第三晶片运送单元22的晶片交接位置的调整。
如图5所示，第一运送单元A1(第二运送单元A2)包括臂部16(17)、与臂部16(17)连接并使其在xy平面上绕θ方向旋转的旋转轴46、以及与旋转轴46连接并能在Z轴方向上移动的移动基体45。并且，第一运送单元A1(第二运送单元A2)具有导轨33和间隔板34，所述间隔板34具有与该导轨33连接的多个运送口41。臂部16(17)包括保持晶片W的多个(例如三个)的第一臂7a、第二臂7b、第三臂7c，进退自如地支撑该第一臂7a、第二臂7b、第三臂7c的基部54，以及保持基部54的基台55。旋转轴46与臂部16(17)的基台55连接。运送口41在各个长方体状的间隔板34的四个侧面上沿Z轴方向设置多个，该运送口41为针对各个处理单元的晶片交接口。移动基体45沿槽33a滑行移动，由此第一臂7a、第二臂7b、第三臂7c能够在上下方向(Z轴方向)上移动，其中，槽33a在导轨33中沿Z轴方向设置。并且，旋转轴46能够绕θ方向旋转，由此能够改变第一臂7a、第二臂7b、第三臂7c在水平面内的朝向，并且能够经由希望的运送口41而使用第一臂7a、第二臂7b、第三臂7c到处理单元内进行晶片W的交接。第一臂7a、第二臂7b、第三臂7c分别被构成为能够保持晶片W。
作为控制装置的调整用PC 200在使用涂敷显影处理装置1正式地进行晶片W的处理之前，使用模仿晶片W的样板，在第一运送单元A1、第二运送单元A2、第一晶片运送单元27、第二晶片运送单元29、第三晶片运送单元22的每一个中求出样板的交接位置与预定的交接目标位置之间的位置偏移量，并基于该位置偏移量进行交接位置的调整，以使各个运送单元的臂在交接目标位置能够进行晶片W的交接。
第一运送单元A1和第二运送单元A2如上所述分别具有三个臂。第一晶片运送单元27、第二晶片运送单元29、以及第三晶片运送单元22分别具有一个臂。
本实施方式中的调整用PC 200如图4所示，具有键盘等操作输入部207、显示调整时的用于操作的画面的显示部206、CPU(CentralProcessing Unit，中央运算处理单元)201、ROM(Read Only Memory，只读存储器)202、RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)203、HDD(Hard Disk Drive，硬盘驱动器)205、总线208、以及输入输出接口204。经由总线208在CPU 201、ROM 202、RAM 203、输入输出接口204、HDD 205以及显示部206之间传递信息。操作输入部207通过来自操作输入部207的基于用户操作的输入，来经由输入输出接口204与总线208连接。
ROM 202是存储第一位置信息的存储单元，所述第一位置信息表示从一个运送单元访问的多个处理单元中选择的一个基准处理单元与其他的非基准处理单元的相对位置。
CPU 201作为第一计算单元和第二计算单元而发挥作用，所述第一计算单元计算用于修正位置偏移的第一修正值，所述位置偏移表示在运送单元中以保持模仿晶片W的样板的状态驱动运送单元时的针对基准处理单元的运送单元的样板的交接位置和预定的第一交接目标位置之间的位置偏移，所述第二计算单元计算基于第一修正值和第一位置信息计算用于修正针对非基准处理单元的运送单元的样板的交接位置和预定的第二交接目标位置之间的位置偏移的第二修正值。
即，在CPU 201中，通过第一计算单元计算针对基准处理单元的每个臂的第一修正值，通过第二计算单元计算针对非基准处理单元的运送单元的每个臂的第二修正值。另外，在CPU 201中，当运送单元具有多个臂时，基于针对基准处理单元的各个臂的第一修正值计算表示各个臂间的相对位置的第二位置信息。
RAM 203是为了CPU 201中的运算处理而暂时存储第一修正值和第二位置信息的存储单元。
HDD 205是用于存储所计算出的第一修正值和第二修正值的存储部。各个运送单元的各个臂基于该第一修正值和第二修正值来调整位置，以使目标交接位置交接晶片W。另外，HDD 205存储本实施方式中的用于执行位置调整处理的软件(下面称为调整软件)。
在操作输入部207中，能够从各个处理单元输入用于选择基准单元的第一用户操作和用于改变被选择的基准单元的第二用户操作。由此，即使在被选择的处理基准单元中发生某些故障时，也能通过改变处理基准单元来顺利地进行位置偏移修正处理。
接着，使用图6～图8对在进行位置调整操作时使用的模仿晶片W的样板进行说明。在本实施方式中使用三种样板。图6～图8的各图分别是三种样板的简要平面图，分别示出了被臂保持的状态。
如图6所示，第一个样板是模仿圆形晶片W的外形大致是圆形的CCD相机盘401。该CCD相机盘401在中央安装有作为拍摄单元的CCD相机402，并且当在处理单元中运送CCD相机盘401时在相当于CCD相机盘401的运送方向的前端的位置安装有狭缝传感器407。CCD相机盘401例如被设置在图5所示的运送单元A1(A2)的调整用臂8(在图5中省略图示)保持。在通过调整用臂8保持CCD相机盘401的状态下，能过通过CCD相机402对CCD相机盘401的下侧区域进行拍摄。CCD相机402与图像处理装置300连接，被CCD相机402拍摄的图像数据被图像处理装置300处理。另外，狭缝传感器407检测在移动目的地是否有某些物品，并被使用在向处理单元内运送晶片W的、设置在间隔板34上的运送口41的检测上。
如图7所示，第二个样板是模仿圆形晶片W的、外形是圆形的目标盘403，在中央具有圆形的孔404。如图9所示，在处理单元内与晶片目标交接位置的中央对应的位置形成标记421，在将目标盘403载置在处理单元内的载置台420上的状态下，平面地观察，标记421位于目标盘403的孔404中。如上所述，在将目标盘403载置在处理单元中的载置台420上的状态下，将由调整用臂8保持的CCD相机盘401运送到处理单元中，通过CCD相机402对标记421和孔404进行拍摄，由图像处理装置300进行图像处理。在晶片交接位置和实际交接晶片的位置没有位置偏移而一致的状态下，标记421位于孔404的中央部。在晶片交接目标位置和实际交接位置发生了位置偏移的状态下，标记没有位于孔404的中央部。在产生位置偏移的情况下，用户一边观看通过图像处理装置300进行图像处理并被显示在监视器上的图像，一边移动目标盘403来调整位置偏移，以使标记421位于孔404的中央部。由此，能够计算出调整水平面中的xy轴方向以及θ方向的位置偏移的第一修正值。
如图8所示，第三个样板是模仿圆形的晶片W、外形大致为圆形的高度调整盘405。高度调整盘405具有环状的外侧盘405a和内侧盘405b，所述内侧盘405b具有与该外侧盘405a的中央部的圆孔形状基本相同的外形。外侧盘405a和内侧盘405b部分重合，两者能够分离。并且，在外侧盘405a隔着中央部的孔相对地设置两个传感器。通过使用高度调整盘405能够计算出晶片交接位置的高度方向、即Z轴方向的调整晶片交接位置和第一交接目标位置的位置偏移的第一修正值。
接着，以具有三个臂的第一运送单元A1为例，使用图4～图11对使用上述三种样板的臂的位置调整方法进行说明。
图9是使用CCD相机盘401和目标盘403时的抗蚀剂涂敷单元(COT)内的简略立体图。图10是抗蚀剂涂敷单元(COT)内的简要截面图。图11是用于说明位置调整处理的流程图。
如图10所示，在抗蚀剂涂敷单元(COT)中设置有对晶片W的内表面进行吸附保持的载置台420。在载置台420上设置有可升降设置的三根支撑杆422。支撑杆422在上升的状态下能够从载置台420突出，在下降的状态下能够没入到载置台420。另外，在抗蚀剂涂敷单元(COT)中设置有用于向晶片W上涂敷膜的涂敷液体供给喷嘴(未图示)等。
在本实施方式中，将处于第一运送单元A1访问的处理单元组G1的三个抗蚀剂涂敷单元(COT)中的一个设为基准处理单元。处于该基准处理单元以外的处理单元组G1的处理单元、处于处理单元组G3、G4以及G6的处理单元为非基准处理单元。这里，作为基准处理单元选择了抗蚀剂涂敷单元(COT)，但是能够通过用户适当地选择其他处理。
下面，按照图11的流程图来进行说明。
在ROM 202中预先存储表示运送单元A1访问的基准处理单元和其他非基准处理单元的相对位置的第一位置信息500。
首先，在调整用PC中，上述调整软件被启动。另外，通过调整用臂8保持CCD相机盘401，通过第一臂7a保持目标盘403。下面的各个处理在调整软件的指示下被执行，该执行情况被显示在显示部206。例如显示执行当前调整处理中的处理单元、安装样板、各臂的位置信息等。
接着，如图10所示，通过安装在由调整用臂8保持的CCD相机盘401上的狭缝传感器407能够检测运送口41，所述运送口41能够对作为基准处理单元的抗蚀剂涂敷单元(COT)进行访问(S1)。
接着，在三个支撑柱422从载置台420突出的状态下驱动第一臂7a，并沿着箭头430方向将目标盘403运送到抗蚀剂涂敷单元(COT)内。之后，使第一臂7a向箭头431方向下降并将目标盘403交接到三根支撑柱422上之后，使第一臂7a向抗蚀剂涂敷单元(COT)的外面移动。这里，通过从载置台420突出的支撑柱422保持样板的位置为晶片交接位置。并且，作为基准处理单元的抗蚀剂涂敷单元(COT)中本来应该有的正确交接位置为第一交接目标位置。接着，使三根支撑柱422下降而没入到载置台420，由此在载置台420上载置目标盘403(S2)。
接着，如图9所示，在目标盘403被载置到载置台420上的状态下，驱动调整用臂8，来将CCD相机盘401运送到抗蚀剂涂敷单元(COT)中(S3)。并且，通过CCD相机盘401的CCD 402对附在抗蚀剂涂敷单元(COT)的标记421和目标盘403的孔404的图像进行拍摄，并通过图像处理装置300进行图像处理。根据该图像处理结果，检测出第一交接目标位置和实际交接晶片W的位置在水平面中的XY轴方向以及θ方向的位置偏移(S4)，第一臂7a的XY轴方向和θ方向的第一修正值501通过CPU 201计算出(S5)。被计算出的XY轴方向和θ方向的第一修正值501被存储在RAM 203和HDD 205中。
接着，在保持CCD相机盘401的状态下驱动调整用臂8，并将CCD相机盘401运送到抗蚀剂涂敷单元(COT)的外面(S6)。接着，使三根支撑柱422上升，并使第一臂7a移动到抗蚀剂涂敷单元(COT)内。第一臂7a接收并保持由三根支撑柱422保持的目标盘403，并将目标盘403运出到抗蚀剂涂敷单元(COT)(S7)。
接着，用户取出由第一臂7a保持的目标盘403，取而代之将高度调整盘405载置到第一臂7a上。
接着，在三根支撑柱422从载置台420突出的状态、即交接位置的状态下驱动第一臂7a，将高度调整盘405沿箭头430方向向抗蚀剂涂敷单元(COT)内运送，并运送到载置台420的上方(S8)。之后，驱动第一臂7a并使其向箭头431方向下降，在通过第一臂7a保持高度调整盘405的外侧盘405a的周边部的状态下，将内侧盘405b载置在支撑柱422上。之后，使第一臂7a继续下降超过内侧盘405b的厚度的量，来使外侧盘405a和内侧盘405b分离。根据此时的两个光传感器406的输出信号的输出信号变化来检测三根支撑柱422的支撑位置以及倾斜。由此，检测第一交接目标位置和实际交接晶片W的位置在Z轴方向上的位置偏移量(S9)，第一臂7a的Z轴方向的第一修正值502通过CPU 201计算出(S10)。计算出的Z轴方向的第一修正值502被存储在RAM 203和HDD 205中。
接着，使第一臂7a上升来接收由支撑柱422保持的内侧盘405b，外侧盘405a和内侧盘405b再次重合而成为分离前的高度调整盘405的状态。并且，在使第一臂7a上升来使支撑柱422和高度调整盘405分离之后，当使第一臂7a在水平方向上移动时，高度调整盘405被运出到抗蚀剂涂敷单元(COT)外。
根据上述，结束计算针对基准单元的关于第一臂7a的第一修正值501的处理。
接着，用户使第二臂7b保持目标盘403。
接着，通过安装在由调整用臂8保持的CCD相机盘401的狭缝传感器407来检测运送口41(S101)，所述运送口41能够对作为基准处理单元的抗蚀剂涂敷单元(COT)内进行存取。
接着，在三根支撑柱422从载置台420突出的状态下驱动第二臂7b，并将目标盘403沿着箭头430的方向运送到抗蚀剂涂敷单元(COT)内。之后，使第二臂7b向箭头431方向下降，并将目标盘403交接到三根支撑柱422上后，使第二臂7b向抗蚀剂涂敷单元(COT)的外侧移动。这里，通过从载置台420突出的支撑柱422保持样板的位置为晶片交接位置。并且，作为基准处理单元的抗蚀剂涂敷单元(COT)中的本来应有的正确交接位置成为第一交接目标位置。接着，使三根支撑柱422下降来没入到载置台420中，由此在载置台420上载置目标盘403(S102)。
接着，如图9所示，在目标盘403被载置在载置台420上的状态下，驱动调整用臂8，来将CCD相机盘401运送到抗蚀剂涂敷单元(COT)内(S103)。并且，通过CCD相机盘401的CCD 402对附着在抗蚀剂涂敷单元(COT)上的标记421和目标盘403的孔404的图像进行拍摄，并通过图像处理装置300进行图像处理。根据该图像处理结果，检测第一交接目标位置和实际接收晶片W的位置在水平面中的XY轴方向和θ方向的位置偏移(S 104)，并通过CPU 201计算出第二臂7b的XY轴方向和θ方向中的第一修正值601(S105)。计算出的XY轴方向以及θ方向的第一修正值被存储在RAM 203和HDD 205中。
接着，在保持有CCD相机盘401的状态下驱动调整用臂8，并将CCD相机盘401运出到抗蚀剂涂敷单元(COT)的外面(S106)。接着，使三根支撑柱422上升，并使第二臂7b移动到抗蚀剂涂敷单元(COT)中。该第二臂7b接收并保持由三根支撑柱422保持的目标盘403，将目标盘403运出到抗蚀剂涂敷单元(COT)外(S107)。
接着，用户取出由第二臂7b保持的目标盘403，并取而代之将高度调整盘405载置在第一臂7a上。
接着，在三根支撑柱422从载置台420突出的状态下、即交接位置的状态下驱动第二臂7b，将高度调整盘405沿着箭头430的方向运送到抗蚀剂涂敷单元(COT)内，并运送到载置台420的上方(S108)。之后，驱动第二臂7b向箭头431方向下降，在通过第二臂7b保持高度调整盘405的外侧盘405a的周边部的状态下，将内侧盘405b载置在支撑柱422上。之后，还使第二臂7b下降超过内侧盘405b的厚度大小的量，来使外侧盘405a和内侧盘405b分离开。根据此时的两个光传感器406的输出信号的输出信号的变化来检测三根支撑柱422的支撑位置和倾斜度。由此，能够检测出第一交接目标位置和实际交接晶片W的位置在Z轴方向的位置偏移量(S109)，通过CPU 201计算出第二臂7b的在Z轴方向的第一修正值602(S110)。计算出的Z轴方向的第一修正值被存储在RAM 203和HDD 205中。
接着，当使第二臂7b上升时，第二臂7b接收由支撑柱422保持的内侧盘405b，外侧盘405a和内侧盘405b再次重合而成为分离前的高度调整盘405的状态。并且，在使第二臂7b上升来使支撑柱422和高度调整盘405分离后，当使第二臂7b在水平方向移动时，高度调整盘405被运出到抗蚀剂涂敷单元(COT)外。
根据上述，结束计算针对基准单元的关于第二臂7b的第一修正值600的处理。
接着，用户使第三臂7c保持目标盘403。
接着，通过在由调整用臂8保持的CCD相机盘401上安装的狭缝传感器407来检测运送41(S201)，所述运送口41能够对作为基准处理单元的抗蚀剂涂敷单元(COT)内进行存取。
接着，在三根支撑柱422从载置台420突出了的状态下，驱动第一臂7c使目标盘403沿着箭头430方向运送到抗蚀剂涂敷单元(COT)内。之后，在使第三臂7c向箭头431方向下降并在三根支撑柱422上交接目标盘403之后，使第三臂7c向抗蚀剂涂敷单元(COT)的外面移动。这里，通过从载置台420突出的支撑柱422保持样板的位置为晶片交接位置。并且作为基板处理单元的抗蚀剂涂敷单元(COT)中的本来应有的正确交接位置为第一交接目标位置。接着，使三根支撑柱422下降并没入到载置台420，由此在载置台420上载置目标盘403(S202)。
接着，如图9所示，在目标盘403被载置在载置台420上的状态下，驱动调整用臂8，来将CCD相机盘401运送到抗蚀剂涂敷单元(COT)内(S203)。并且，通过CCD相机盘401的CCD 402对附着在抗蚀剂涂敷单元(COT)上的标记421和目标盘403的孔404的图像进行拍摄，并通过图像处理装置300进行图像处理。根据该图像处理结果，检测第一交接目标位置和实际接收晶片W的位置在水平面中的XY轴方向和θ方向的位置偏移(S204)，并通过CPU 201计算出第三臂7c在XY轴方向和θ方向中的第一修正值701(S205)。计算出的XY轴方向以及θ方向的第一修正值701被存储在RAM 203和HDD 205中。
接着，在保持有CCD相机盘401的状态下驱动调整用臂8，并将CCD相机盘401运出到抗蚀剂涂敷单元(COT)的外面(S206)。接着，使三根支撑柱422上升，并使第三臂7c移动到抗蚀剂涂敷单元(COT)中。该第三臂7c接收并保持由三根支撑柱422保持的目标盘403，将目标盘403运出到抗蚀剂涂敷单元(COT)外(S207)。
接着，用户取出由第三臂7c保持的目标盘403，并取而代之将高度调整盘405载置在第三臂7c上。
接着，在三根支撑柱422从载置台420突出的状态下、即交接位置的状态下驱动第二臂7b，并将高度调整盘405沿着箭头430的方向运送到抗蚀剂涂敷单元(COT)内，并运送到载置台420的上方(S208)。之后，驱动第三臂7c向箭头431方向下降，在通过第三臂7c保持高度调整盘405的外侧盘405a的周边部的状态下，将内侧盘405b载置在支撑柱422上。之后，还使第三臂7c下降超过内侧盘405b的厚度大小的量，来使外侧盘405a和内侧盘405b分离开。根据此时的两个光传感器406的输出信号的输出信号的变化来检测三根支撑柱422的支撑位置和倾斜度。由此，能够检测出第一交接目标位置和实际交接晶片W的位置在Z轴方向的位置偏移量(S209)，通过CPU 201计算出第三臂7c的在Z轴方向的第一修正值702(S210)。计算出的Z轴方向的第一修正值702被存储在RAM203和HDD 205中。
接着，当使第三臂7c上升时，第三臂7c接收由支撑柱422保持的内侧盘405b，外侧盘405a和内侧盘405b再次重合而成为分离前的高度调整盘405的状态。并且，在使第三臂7c上升来使支撑柱422和高度调整盘405分离后，当使第三臂7c在水平方向移动时，高度调整盘405被运出到抗蚀剂涂敷单元(COT)外。
根据上述，结束计算针对基准单元的关于第三臂7c的第一修正值700的处理。
CPU 201根据暂时存储在RAM 203中的、三个臂7a、7b、7c的各个第一修正值501、600、700计算出表示各个臂的相对位置的第二位置信息800。该第二位置信息800暂时被存储在RAM 203中。并且，基于暂时存储在RAM 203中的第一修正值501、600、700和第二位置信息800、以及存储在ROM 202中的第一位置信息500，来通过CPU 201按照每个非基准处理单元计算出针对非基准处理单元的各臂中的第二修正值900。被计算出的第二修正值900被存储到HDD205中。
基于被存储在HDD 205中的第一修正值501、600、700以及第二修正值900能够按照每个处理单元、每个臂进行交接位置调整。该位置调整处理自动地通过上述调整软件来执行。在该调整处理的执行中，通过调整软件当前调整中的处理单元以及臂、调整正常结束的处理单元和臂、调整异常结束的处理单元和臂等的信息被显示在显示部206(未图示)。
根据上述，在本实施方式中，以下两个位置偏移量被视为相同：基准处理单元和运送单元间的晶片交接位置和第一晶片交接目标位置的位置偏移量，以及与相同运送单元要存取的非基准处理单元和运送单元之间的晶片交接位置和第二晶片交接目标位置的偏移量。并且，按照每个臂计算用于修正基准处理单元和运送单元之间的晶片交接位置与第一晶片交接目标位置的位置偏移的第一修正值，根据该第一修正值、表示基准处理单元和非基准处理单元的相对位置的第一位置信息、表示臂间相对位置的第二位置信息，能够按照每个臂计算用于修正非基准处理单元与运送单元间的晶片交接位置和第二晶片交接目标位置的位置偏移的第二修正值。因此，不需要按照每个处理单元、进而按照每个臂来检测晶片交接位置和晶片交接目标位置的位置偏移，而能够大幅缩短臂的位置调整操作所需要的时间。例如，在运送单元具有三个臂、该运送单元对10个处理单元进行存取的情况下，以往当按照每个处理单元、按照每个臂进行位置调整操作时需要30次的处理。但是，在本实施方式中，仅进行三次的位置调整操作(第一修正值计算处理)，其他的27次量的位置调整处理不计算位置偏移量，而能够使用第一修正值通过调整软件自动地执行。
如上所述，在本实施方式中，以下两个位置偏移量被视为相同：基准处理单元和运送单元间的晶片交接位置和第一晶片交接目标位置的位置偏移量，以及与相同运送单元存取的非基准处理单元和运送单元之间的晶片交接位置和第二晶片交接目标位置的偏移量。除此以外，在被设置在相同运送单元的多个臂的每个中的晶片交接位置和晶片交接目标位置的位置偏移量被视为相同时，如上述的位置调整操作那样，仅对从多个臂中选择的一个臂使用样板计算第一修正值，对于其他的臂，能够根据表示关于一个臂的第一修正值和表示臂间的相对位置的第二位置信息计算第一修正值。因此不需要按照每个臂进行位置调整操作，能够大幅度地缩短臂的位置调整操作所需要的时间。
该情况下，在运送单元具有三个臂、该运送单元对10个处理单元进行存取的情况下，能够只针对基准处理单元的一个臂进行一次位置调整操作(第一修正值计算处理)，而使用第一修正值自动地执行其他的29次量的位置调整处理。另外，在该情况下，表示各臂间的相对位置的第二位置信息被预先存储在ROM 202中。
另外，在上述实施方式中，为了保持CCD相机盘401而使用调整专用的臂8。但是，当在包含不具有这样调整用臂的三根臂7a、7b、7c的运送单元中进行位置调整操作的情况下，例如使臂7a保持CCD相机盘401，在进行其他的臂7b、7c的位置调整操作之后，使CCD相机盘401替换载置在其他的臂例如臂7b上，而可以进行臂7a的位置调整操作。
并且，当在包括不具有调整用臂的三根臂7a、7b、7c的运送单元中进行位置调整操作的情况下，可以为以下的操作步骤。例如首先开始使臂7a保持CCD相机盘，使臂7b保持目标盘，使臂7c保持高度调整盘，并计算出臂7b在水平面中的第一修正值和臂7c在Z轴方向上的第一修正值。接着，将保持在臂7b和臂7c各个上的盘进行交换，并计算臂7b在Z轴方向的第一修正值和臂7c在水平面的第一修正值。接着，分别使臂7a保持在目标盘上，使臂7b保持在CCD相机盘上，来结算出臂7a在水平面的第一修正值。接着，将保持在臂7a上的盘置换为高度调整盘，并计算出臂7a在水平面的第一修正值。通过为以上的操作步骤，由于能够不进行盘交换而计算多个臂各个的第一修正值，因此能够缩短操作时间。
另外，即使在具有一个臂的第一晶片运送单元27、第二晶片运送单元29、第三晶片运送单元22中也与上述同样，能够检测出针对从对相同的运送单元进行访问的多个处理单元中选择一个基准处理单元的臂的位置偏移量来计算第一修正值。并且，基于该第一修正值和第一位置信息能够计算出针对非基准处理单元的第二修正值。因此，能够不需要按照每个处理单元进行位置调整操作，而缩短臂的位置调整操作所需要的时间。
另外，在本发明的上述实施方式中，使用作为安装了CCD相机402样板的CCD相机盘401进行位置调整操作，但是进行位置识别的样板并不限于此。例如在模仿晶片W的样板上，可以安装能够测量与相对物体的距离的电容传感器。具体而言，例如代替图6所示的CCD相机402而安装电容传感器。
另外，在该情况下，在各个处理单元中，在与被保持在第一运送单元A1等的运送位置的晶片W相对的位置预先设置为目标的凹坑或凸起。具体而言，例如在作为目标而设置凹坑的情况下，例如在图9所示的标记421所形成的位置形成凹坑。
该情况下，由于所述电容传感器识别与目标间的距离，因此能够检测出第一交接目标位置和实际接收晶片W的位置在水平面的XY轴方向和θ方向的位置偏移。并且，使用与上述实施方式同样的方法能够进行臂的位置调整。
并且，也能将基准处理单元中的目标和其他非处理处理单元中的目标的相对位置作为基准处理单元和其他非处理处理单元的相对位置信息、即第一位置信息500存储在ROM 202中。由此，例如即使在基准处理单元和其他非基准处理单元中的方法不同，如果各个处理单元的目标是相同的，则也能得到容易把握相对位置信息的效果。
产业上的实用性
本发明例如在对将半导体晶片等基板交接到处理单元的载置台上的基板运送装置的交接位置的调整进行控制时有用。

Claims (7)

1.一种控制装置，对基板处理装置中的运送装置的交接位置的调整进行控制，所述基板处理装置包括对基板进行预定的处理的多个处理单元以及能够进行驱动以保持并运送所述基板来向所述各个处理单元进行交接的运送单元，
所述控制装置包括：
存储单元，存储表示从所述各个处理单元中选择的一个基准处理单元和其他非基准处理单元的相对位置的第一信息；
第一计算单元，计算用于修正位置偏移的第一修正值，所述位置偏移是当在被所述运送装置中保持模仿所述基板的样板的状态下驱动该运送装置、所述运送装置的所述样板针对所述基准处理单元的交接位置和预定的第一交接目标位置之间的位置偏移；以及
第二计算单元，基于所述第一修正值和所述第一位置信息，计算用于修正所述运送装置的所述样板针对所述非基准处理单元的交接位置和预定的第二交接目标位置之间的位置偏移的第二修正值。
2.如权利要求1所述的控制装置，其中，
所述运送装置具有用于保持所述基板的多个臂，
所述存储单元存储表示所述各个臂间的相对位置的第二位置信息，
所述第一计算单元按照所述每个臂计算所述第一修正值，
所述第二计算单元基于关于所述各个臂的所述各个第一修正值、所述第一位置信息以及所述第二位置信息计算针对所述非基准处理单元的所述运送装置的各个臂的所述第二修正值。
3.如权利要求2所述的控制装置，其中，
还包括操作输入部，输入用于从所述各个处理单元中选择所述基准处理单元的第一用户操作以及用于改变所述被选择的基准处理单元的第二用户操作。
4.如权利要求1所述的控制装置，其中，
所述运送装置具有用于保持所述基板的多个臂，
所述存储单元存储表示所述各个臂间的相对位置的第二位置信息，
所述第一计算单元计算从所述多个臂选择的一个臂的所述第一修正值，并基于该一个臂的第一修正值和所述第二位置信息计算其他臂的所述第一修正值，
所述第二计算单元基于所述一个臂的第一修正值、所述第一位置信息以及所述第二位置信息，计算针对所述非基准处理单元的所述运送装置的各个臂的所述第二修正值。
5.如权利要求1所述的控制装置，其中，
在所述各个处理单元中，在与被保持在所述运送装置中的基板相对的位置设置目标，
所述第一位置信息表示所述基准处理单元中的目标和所述非基准处理单元中的目标的相对位置。
6.一种控制方法，对基板处理装置中的运送装置的交接位置的调整进行控制，所述基板处理装置包括对基板进行预定的处理的多个处理单元、以及能够进行驱动以保持并运送所述基板来向所述各个处理单元进行交接的运送单元，
所述控制方法包括：
存储表示从所述各个处理单元中选择的一个基准处理单元和其他非基准处理单元的相对位置的第一信息；
计算用于修正位置偏移的第一修正值，所述位置偏移是当在被所述运送装置中保持模仿所述基板的样板的状态下驱动该运送装置、所述运动装置的所述样板针对所述基准处理单元的交接位置和预定的第一交接目标位置之间的位置偏移；以及
基于所述第一修正值和所述第一位置信息，计算用于修正所述运送装置的所述样板针对所述非基准处理单元的交接位置和预定的第二交接目标位置之间的位置偏移的第二修正值。
7.如权利要求6所述的控制装置，其中，
在所述各个处理单元中，在与被保持在所述运送装置中的基板相对的位置设置目标，
所述第一位置信息表示所述基准处理单元中的目标和所述非基准处理单元中的目标的相对位置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113086552A (zh) * 2020-01-08 2021-07-09 细美事有限公司 输送机系统和输送机系统中的对准方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5449239B2 (ja) * 2010-05-12 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びプログラムを記録した記憶媒体
CN104752268B (zh) * 2013-12-31 2017-09-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 半导体工艺设备中物料移动控制的方法及系统
CN106945034B (zh) * 2016-01-07 2021-09-03 鸿富锦精密电子(郑州)有限公司 机器人点位调节方法与系统
JP6671993B2 (ja) * 2016-02-01 2020-03-25 東京エレクトロン株式会社 基板受け渡し位置の教示方法及び基板処理システム
US11468590B2 (en) * 2018-04-24 2022-10-11 Cyberoptics Corporation Wireless substrate-like teaching sensor for semiconductor processing
JP7365924B2 (ja) * 2020-02-13 2023-10-20 東京エレクトロン株式会社 ティーチング方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6244121B1 (en) * 1998-03-06 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Sensor device for non-intrusive diagnosis of a semiconductor processing system
KR100674624B1 (ko) * 1999-05-07 2007-01-25 동경 엘렉트론 주식회사 센서기판, 기판처리방법 및 기판처리장치
JP2001117064A (ja) * 1999-10-19 2001-04-27 Tokyo Electron Ltd 搬送装置の位置合わせ機構および位置合わせ方法、ならびに基板処理装置
JP3914451B2 (ja) * 2001-02-26 2007-05-16 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 測定された位置合わせマークの修正位置を決定するためのコンピュータプログラムと、デバイス製造方法と、該製造方法により製造されるデバイス
JP3920587B2 (ja) 2001-04-16 2007-05-30 東京エレクトロン株式会社 基板搬送手段のティーチング方法
CN1495540B (zh) * 2002-09-20 2010-08-11 Asml荷兰有限公司 利用至少两个波长的光刻系统的对准系统和方法
JP2004282002A (ja) * 2003-02-27 2004-10-07 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
KR101015778B1 (ko) * 2003-06-03 2011-02-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리장치 및 기판 수수 위치의 조정 방법
JP4376116B2 (ja) * 2003-06-03 2009-12-02 東京エレクトロン株式会社 基板受け渡し位置の調整方法
US6944517B2 (en) * 2003-07-03 2005-09-13 Brooks Automation, Inc. Substrate apparatus calibration and synchronization procedure
JP4849804B2 (ja) * 2004-09-28 2012-01-11 日本電産サンキョー株式会社 ロボットの作動方法
US8135485B2 (en) * 2007-09-28 2012-03-13 Lam Research Corporation Offset correction techniques for positioning substrates within a processing chamber
US8185242B2 (en) * 2008-05-07 2012-05-22 Lam Research Corporation Dynamic alignment of wafers using compensation values obtained through a series of wafer movements

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113086552A (zh) * 2020-01-08 2021-07-09 细美事有限公司 输送机系统和输送机系统中的对准方法

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