CN101916722A - 防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，该晶圆的表面上形成有钝化层，在所述钝化层边缘的表面上形成曝光后的负光刻胶，该曝光后的负光刻胶在刻蚀部分所述钝化层形成焊盘的过程中保护所述钝化层的边缘不被刻蚀。本发明的防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法有效防止晶圆边缘产生镀金属剥离。

Description

防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法
技术领域
本发明涉及半导体制造技术，尤其涉及一种防止晶圆边缘产生镀金属剥离(plating peeling)的方法。
背景技术
一些芯片封装技术要求在芯片的焊盘(pad)上镀金或者银等其他金属层，然后在该金或者银等其他金属层上制作铜等金属引线，所述金或者银金属层的作用是降低铜金属引线与焊盘的接触电阻。
参见图1A，在衬基101上沉积介质层102，通过光刻、刻蚀在所述介质层102内形成接触通孔103；
参见图1B，沉积金属填充所述接触通孔103，在所述介质层102的表面上形成一金属层104；
参见图1C，通过涂胶、曝光、显影在所述金属层104的表面上形成光刻胶图案105；
所述光刻胶图案105定义金属互连线；
参见图1D，以所述光刻胶图案105为掩蔽层，刻蚀掉部分所述金属层104，去光刻胶后，在所述介质层102的表面上形成金属互连线106；
表面覆盖有光刻胶的金属层在刻蚀过程中保留下来了，而表面未覆盖有光刻胶的金属层在刻蚀过程中被刻蚀掉，保留下的金属层构成金属互连线106；
参见图1E，在所述介质层102、金属互连线106的表面上形成一钝化层107；
参见图1F，在所述钝化层107的表面上旋涂正光刻胶(positive resist)108，采用晶圆边缘曝光(wafer edge exposure，WEE)对晶圆进行洗边处理；
正光刻胶的基本特征是，曝光的正光刻胶可在显影液中软化并溶解在其中，而没有曝光的正光刻胶不能溶解于显影液中；
采用晶圆边缘曝光WEE对晶圆进行洗边处理具体为：对晶圆边缘进行曝光，而晶圆其他区域则掩蔽起来不曝光，在显影液中去除晶圆边缘的部分正光刻胶，以去除晶圆边缘处的正光刻胶，达到洗边的目的；
该正光刻胶108用于定义接触窗口(即焊盘)，接触窗口上的钝化层将被刻蚀掉；
参见图1G，通过曝光、显影，在所述钝化层107的表面上形成定义接触窗口的正光刻胶图案109；
参见图1H，以所述正光刻胶图案109为掩蔽，刻蚀掉部分所述钝化层107，在刻蚀过程中，在需要形成接触窗口的区域，由于没有光刻胶的保护，该区域的钝化层被刻蚀掉，露出金属表面，形成接触窗口110(即焊盘)，在晶圆边缘也没有光刻胶的保护，晶圆边缘的钝化层和介质层被刻蚀掉，露出所述衬基101的表面，见图1H中的虚线圈；刻蚀后去除光刻胶；
接下来要在所述接触窗口110的表面上制作金属镀层(金或银)，通常采用在所述接触窗口110的表面上镀金属的方法，在镀金属的过程中，期望金属只镀在所述接触窗口110的金属表面上，而其他区域不期望镀上金属，即进行有选择性的镀金属；
但是，由于晶圆边缘的钝化层和介质层均被刻蚀掉，在镀金属的过程中，晶圆边缘容易镀上金属，而镀在晶圆边缘的金属不能与所述衬基101紧密粘合，容易剥离(peeling)，剥离的金属会污染晶圆，而且晶圆的边缘是不期望镀金属的区域，这会影响半导体器件的电学性能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，能有效防止晶圆边缘镀上金属，从而防止晶圆边缘产生镀金属剥离。
为了达到上述的目的，本发明提供一种防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，该晶圆的表面上形成有钝化层，在所述钝化层边缘的表面上形成曝光后的负光刻胶，该曝光后的负光刻胶在刻蚀部分所述钝化层形成焊盘的过程中保护所述钝化层的边缘不被刻蚀。
上述防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，其中，在所述钝化层边缘的表面上形成曝光后的负光刻胶的具体步骤是，在所述钝化层的表面上涂覆负光刻胶；通过晶圆边缘曝光将所述钝化层边缘表面上的负光刻胶曝光；通过显影去除所述钝化层表面上的未曝光的负光刻胶，在所述钝化层边缘的表面上形成负光刻胶环。
上述防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，其中，所述负光刻胶环的宽度为1～5毫米。
上述防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，其中，在所述钝化层边缘的表面上形成负光刻胶环后，在所述钝化层的表面上涂覆正光刻胶，所述负光刻胶环包围着所述正光刻胶。
上述防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，其中，所述钝化层表面上的正光刻胶用于定义制作焊盘的区域。
上述防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，其中，在所述钝化层边缘的表面上形成曝光后的负光刻胶的具体步骤是，在所述钝化层的表面上涂覆负光刻胶；通过曝光、显影在所述钝化层的表面上形成制作焊盘的负光刻胶图案。
本发明防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法在钝化层边缘的表面上形成曝光后的负光刻胶，该曝光后的负光刻胶保护钝化层边缘在刻蚀部分钝化层形成焊盘的过程中不被刻蚀，因此，在后续镀金属的过程中，金属不会被镀到衬基边缘的表面上，有效防止了晶圆边缘镀金属剥离的产生。
附图说明
本发明的防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法由以下的实施例及附图给出。
图1A～图1H是现有技术在晶圆的焊盘上制作金属镀层的流程图。
图2A～图2J是使用本发明一实施例制作焊盘的流程图。
图3是本发明中钝化层的表面上涂覆有负光刻胶环及正光刻胶时的俯视图。
图4A～图4I是使用本发明另一实施例制作焊盘的流程图。
具体实施方式
以下将结合图2A～图2J、图3及图4A～图4I对本发明的防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法作进一步的详细描述。
实施例一：
参见图2A，在衬基201的表面上形成有层间介质202，在所述层间介质202内形成有接触通孔203；
参见图2B，沉积金属填充所述接触通孔203，在所述介质层202的表面上形成一金属层204；
参见图2C，通过涂胶、曝光、显影在所述金属层204的表面上形成定义金属互连线的光刻胶图案205；
参见图2D，以所述定义金属互连线的光刻胶图案205为掩蔽层，刻蚀掉部分所述金属层204，去光刻胶后，在所述介质层202的表面上形成金属互连线206；
表面覆盖有光刻胶的金属层在刻蚀过程中保留下来了，而表面未覆盖有光刻胶的金属层在刻蚀过程中被刻蚀掉，保留下的金属层构成金属互连线206；
参见图2E，在所述介质层202、金属互连线206的表面上形成一钝化层207；
参见图2F，在所述钝化层207的表面上旋涂负光刻胶(negative photoresist)208；
负光刻胶的基本特征是当曝光后，光刻胶会因交联而变得不可溶解，并硬化，因此，曝光的负光刻胶不能在显影液中被洗掉，而未曝光的负光刻胶在显影液中软化并可溶解在其中，即可在显影液中被洗掉；
参见图2G，采用晶圆边缘曝光对晶圆进行洗边处理，在所述钝化层207边缘的表面上形成负光刻胶环209；
晶圆边缘曝光使所述钝化层207边缘表面上的负光刻胶被曝光，而所述钝化层207其他区域表面上的负光刻胶未被曝光，曝光的负光刻胶不能在显影液中被洗掉，未曝光的负光刻胶可在显影液中被洗掉，因此，洗边后，所述钝化层207边缘表面上的负光刻胶保留下来了，而所述钝化层207其他区域表面上的负光刻胶被去除，在所述钝化层207边缘的表面上形成负光刻胶环209；
所述负光刻胶环209的宽度为1～5毫米；
参见图2H，在所述钝化层207的表面上旋涂正光刻胶210；
所述钝化层207边缘的表面上涂覆有负光刻胶，所述钝化层207其他区域的表面上涂覆有正光刻胶210，所述正光刻胶210被所述负光刻胶环209包围着，如图3所示；
在所述钝化层207的表面上旋涂正光刻胶210时会有正光刻胶覆盖在所述负光刻胶环209的表面上，可采用晶圆边缘曝光对晶圆进行洗边处理，去除所述负光刻胶环209表面上的部分正光刻胶(如图2H所示，洗边后，仍有部分所述负光刻胶环209的表面上覆盖有正光刻胶)，洗边处理不会对所述负光刻胶环209产生影响；
参见图2I，通过曝光、显影，在所述钝化层207的表面上形成定义接触窗口的正光刻胶图案211；
在显影过程中，要制作接触窗口的区域的正光刻胶被洗掉；
参见图2J，以光刻胶(包括所述负光刻胶环209及未被洗掉的正光刻胶)为掩蔽，刻蚀掉部分所述钝化层207，再去除光刻胶；
在刻蚀过程中，在需要形成接触窗口的区域，由于没有光刻胶的保护，该区域的钝化层被刻蚀掉，露出金属表面，形成接触窗口213(即焊盘)，而其他区域都有光刻胶的保护，因此，其他区域的钝化层都被保留了下来；
本实施例中，晶圆边缘也有负光刻胶的保护，故，晶圆边缘的钝化层被保留了下来；
接下来要在所述接触窗口213的表面上制作金属镀层，通常采用在所述接触窗口213的表面上镀金属的方法，在镀金属的过程中，期望金属只镀在所述接触窗口213的金属表面上，而其他区域不期望镀上金属，即进行有选择性的镀金属；
本实施例中，由于晶圆边缘有钝化层的保护，金属镀不到晶圆边缘，因此，晶圆边缘不会产生金属剥离现象。
实施例二：
参见图4A，在衬基301的表面上形成有层间介质302，在所述层间介质302内形成有接触通孔303；
参见图4B，沉积金属填充所述接触通孔303，在所述介质层302的表面上形成一金属层304；
参见图4C，通过涂胶、曝光、显影在所述金属层304的表面上形成定义金属互连线的光刻胶图案305；
参见图4D，以所述定义金属互连线的光刻胶图案305为掩蔽层，刻蚀掉部分所述金属层304，去光刻胶后，在所述介质层302的表面上形成金属互连线306；
表面覆盖有光刻胶的金属层在刻蚀过程中保留下来了，而表面未覆盖有光刻胶的金属层在刻蚀过程中被刻蚀掉，保留下的金属层构成金属互连线306；
参见图4E，在所述介质层302、金属互连线306的表面上形成一钝化层307；
参见图4F，在所述钝化层307的表面上旋涂负光刻胶308；
参见图4G，通过曝光将掩模版309上的图案复制到所述负光刻胶308上，所述掩模版309上的图案定义了制作接触窗口(即焊盘)的区域；
所述掩模版309的图案是，对应于要制作接触窗口的区域为遮蔽区，其他区域为透明区；
此时，晶圆边缘涂覆的是负光刻胶，曝光后的效果是光刻胶因交联而变得不可溶解，并硬化，不能在显影液中被洗掉；
参见图4H，通过显影去除未曝光的负光刻胶；
在显影过程中，要制作接触窗口的区域的负光刻胶被洗掉，其他区域的负光刻胶保留下来了，即所述钝化层307边缘表面上的负光刻胶保留下来了；
参见图4I，以光刻胶为掩蔽，刻蚀掉部分所述钝化层307，再去除光刻胶；
在刻蚀过程中，在需要形成接触窗口的区域，由于没有光刻胶的保护，该区域的钝化层被刻蚀掉，露出金属表面，形成接触窗口310(即焊盘)，而其他区域都有光刻胶的保护，因此，其他区域的钝化层都被保留了下来；
本实施例中，晶圆边缘也有负光刻胶的保护，故，晶圆边缘的钝化层被保留了下来；
接下来要在所述接触窗口310的表面上制作金属镀层，通常采用在所述接触窗口310的表面上镀金属的方法，在镀金属的过程中，期望金属只镀在所述接触窗口310的金属表面上，而其他区域不期望镀上金属，即进行有选择性的镀金属；
本实施例中，由于晶圆边缘有钝化层的保护，金属镀不到晶圆边缘，因此，晶圆边缘不会产生金属剥离现象。

Claims (6)

1.一种防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，该晶圆的表面上形成有钝化层，其特征在于，在所述钝化层边缘的表面上形成曝光后的负光刻胶，该曝光后的负光刻胶在刻蚀部分所述钝化层形成焊盘的过程中保护所述钝化层的边缘不被刻蚀。
2.如权利要求1所述的防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，其特征在于，在所述钝化层边缘的表面上形成曝光后的负光刻胶的具体步骤是，在所述钝化层的表面上涂覆负光刻胶；通过晶圆边缘曝光将所述钝化层边缘表面上的负光刻胶曝光；通过显影去除所述钝化层表面上的未曝光的负光刻胶，在所述钝化层边缘的表面上形成负光刻胶环。
3.如权利要求2所述的防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，其特征在于，所述负光刻胶环的宽度为1～5毫米。
4.如权利要求2或3所述的防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，其特征在于，在所述钝化层边缘的表面上形成负光刻胶环后，在所述钝化层的表面上涂覆正光刻胶，所述负光刻胶环包围着所述正光刻胶。
5.如权利要求4所述的防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，其特征在于，所述钝化层表面上的正光刻胶用于定义制作焊盘的区域。
6.如权利要求1所述的防止晶圆边缘产生镀金属剥离的方法，其特征在于，在所述钝化层边缘的表面上形成曝光后的负光刻胶的具体步骤是，在所述钝化层的表面上涂覆负光刻胶；通过曝光、显影在所述钝化层的表面上形成制作焊盘的负光刻胶图案。
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Owner name: SHANGHAI HUAHONG GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING

Free format text: FORMER OWNER: HONGLI SEMICONDUCTOR MANUFACTURE CO LTD, SHANGHAI

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Effective date of registration: 20140514

Address after: 201203 Shanghai Zhangjiang hi tech park Zuchongzhi Road No. 1399

Applicant after: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation

Address before: 201203 Shanghai Guo Shou Jing Road, Zhangjiang hi tech Park No. 818

Applicant before: Hongli Semiconductor Manufacture Co., Ltd., Shanghai

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