CN101908491B - 基板的制造方法 - Google Patents

基板的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101908491B
CN101908491B CN 201010174856 CN201010174856A CN101908491B CN 101908491 B CN101908491 B CN 101908491B CN 201010174856 CN201010174856 CN 201010174856 CN 201010174856 A CN201010174856 A CN 201010174856A CN 101908491 B CN101908491 B CN 101908491B
Authority
CN
China
Prior art keywords
cofferdam material
cofferdam
substrate layer
substrate
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN 201010174856
Other languages
English (en)
Other versions
CN101908491A (zh
Inventor
片冈祐治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN101908491A publication Critical patent/CN101908491A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101908491B publication Critical patent/CN101908491B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Abstract

在基板层的主面的围堰材料的内侧填充树脂并使其固化而形成密封用的树脂层的基板的制造方法中,使围堰材料不会对后续的工序等造成不良影响。通过围堰材料形成工序,沿基板层(2)的主面的外周部配置由能从基板层(2)和树脂层(7)除去的材料形成的围堰材料(6),通过树脂层形成工序,在基板层(2)的主面的靠围堰材料(6)内侧的区域内以围堰材料(6)的高度以下的厚度填充树脂,使其固化,从而形成密封用的树脂层(7)。然后,在形成树脂层(7)后,通过围堰材料除去工序除去围堰材料(6),使围堰材料(6)不会对后续的切割工序造成不良影响。

Description

基板的制造方法
技术领域
本发明涉及在单层、多层的基板层或陶瓷的基板层等各种基板层的主面上形成密封用的树脂层而构成的基板的制造方法。
背景技术
以往在制造这种基板时,为了防止形成密封用树脂层时的树脂的垂挂(以下称作“树脂垂挂”),提出了使用围堰材料(ダム材)的技术方案(例如参照专利文献1(说明书摘要,段落[0007]、[0011]-[0030],图1、图6等))。
图6(a)、图6(b)是通过上述方案的制造方法制成的现有的这种基板100的一例的俯视图、剖视图,基板100中,沿作为基底的基板层101的外周部形成有围堰材料(围堰部)102,在围堰材料102的外侧残留有基板层101的周缘部101a。在基板层101的被围堰材料102包围的内侧的区域内隔开间隔配置有多个电子元器件200,在所述内侧的区域内填充密封用的热固性树脂并使其固化,从而通过树脂层300将电子元器件200密封。此时,通过使用围堰材料102,可实现基板层101的外周部的“树脂垂挂”的消除。另外,在使树脂层300热固化后,在树脂层300的表面对每个电子元器件200印刷例如规定的标记物。然后,将形成有树脂层300的基板100切割成具有单个电子元器件的子基板,进行单片化。
图7是不使用围堰材料102而制成的基板100的剖视图,如果不使用围堰材料102,则树脂层300在基板层101的周缘部101a处形成截面形状呈抛物线状(弧形)垂挂的形状,形成“树脂垂挂”。
专利文献1:日本专利特开平11-67799号公报
发明内容
所述基板100的制造方法中,为确实防止“树脂垂挂”,实际上如图8的剖视图所示,需要将围堰材料102形成为高于树脂层300,利用围堰材料102来堵住所填充的未固化的热固性树脂,从而使树脂层300的上表面平坦。尤其是近年要求元器件的进一步小型化等,有将电子元器件200配置在基板层101的周端缘部附近的趋势,因此,在围堰材料102的高度不足、外周部发生轻微的“树脂垂挂”的情况下,基板层101的外周部附近的电子元器件200可能会从树脂层300露出而发生树脂密封不良。为此,要求将围堰材料102形成为必须高于树脂层300。
但是,如果将围堰材料102形成为高于树脂层300,则围堰材料102与树脂层300相比朝上方突出,所以在后续(形成围堰材料后)的切割工序中会对围堰材料102造成不良影响。具体而言,在将基板100单片化成子基板或将包括围堰材料102的基板层101的外周部的不需要的“耳”的部分切掉的基板100的切割工序中,如果欲从基板层101的背面(下表面)侧插入刀片来切割基板100,则基板层101的正面侧因围堰材料102的突出而不平坦,因此会发生无法将基板100稳定地固定来进行切割的情况。此外,如果欲从基板层101的正面侧(上表面)侧、即树脂层300侧插入刀片来切割基板100,则围堰材料102的朝上方突出的部分会成为更深地插入刀片时的阻碍。
本发明的目的是提供在基板层主面的围堰材料的内侧填充树脂并使其固化而形成密封用树脂层的基板的制造方法,在填充树脂而形成密封用树脂层的基板的制造方法中,使围堰材料不会对后续的工序等造成不良影响。
为达到上述目的,本发明的基板的制造方法的特征在于,包括:围堰材料形成工序,在该围堰材料形成工序中,沿基板层的主面的外周部配置围堰材料;树脂层形成工序,在该树脂层形成工序中,在所述基板层的主面的被所述围堰材料包围的内侧的区域内以所述围堰材料的高度以下的厚度填充树脂,使其固化,从而形成密封用的树脂层;围堰材料除去工序,在该围堰材料除去工序中,在形成所述树脂层后将所述围堰材料除去;以及切割工序,在该切割工序中,在除去所述围堰材料后切割所述基板层和所述树脂层;所述围堰材料由能从所述基板层和树脂层除去的材料形成(权利要求1)。
此外,本发明的基板的制造方法的特征在于,所述围堰材料由乙烯类树脂形成,通过所述围堰材料除去工序将所述围堰材料从所述基板层和所述树脂层剥离除去(权利要求2)。
另外,本发明的基板的制造方法的特征在于,所述基板层的主面的外周部具有标记物,在所述围堰材料形成工序中,将所述围堰材料形成于所述标记物上(权利要求3)。
根据权利要求1的本发明的基板的制造方法,通过围堰材料形成工序,沿基板层的主面的外周部配置由能从基板层和树脂层除去的材料形成的围堰材料,然后通过树脂层形成工序,在基板层主面的靠围堰材料内侧的区域内以围堰材料的高度以下的厚度填充树脂,使其固化,从而形成密封用的树脂层。此时,因为以围堰材料的高度以下的厚度填充树脂,所以藉由围堰材料的堵塞效果,树脂层的上表面变得平坦,不会发生“树脂垂挂”,电子元器件不会从树脂层露出而被确实地密封。
而且,因为在形成树脂层后通过围堰材料除去工序除去围堰材料,所以在后续的基板层的切割工序等中不会对围堰材料造成不良影响,可使围堰材料不会对后续的工序等造成不良影响,从而制得基板。
根据权利要求2的本发明的基板的制造方法,因为围堰材料由能容易地从基板层和树脂层剥离的乙烯类树脂形成,所以通过围堰材料除去工序,能简单地将围堰材料从基板层和树脂层剥离除去。
根据权利要求3的本发明的基板的制造方法,因在围堰材料形成工序中在基板层主面的外周部的标记物上形成围堰材料,所以不用在基板层主面的靠围堰材料外侧处准备标记物的空间,基板层的利用效率相应提高。而且,因为在形成密封用的树脂层后除去围堰材料,所以围堰材料不会对基于标记物的后续工序造成不良影响。
附图说明
图1(a)~图1(e)是说明本发明的一个实施方式的基板的制造工序的剖视图。
图2是图1的基板的设置围堰材料之前的俯视图。
图3是图1的基板的设置围堰材料并形成了树脂层的状态的俯视图。
图4是图1的基板的除去了围堰材料之后的俯视图。
图5(a)、图5(b)分别是图1的基板和用于比较的基板的配置了围堰材料的状态的基板层的一部分的放大俯视图。
图6(a)、图6(b)是现有基板的俯视图、剖视图。
图7是未设置围堰材料而形成的基板的剖视图。
图8是表示树脂层上表面变得平坦的围堰材料的高度与树脂层的厚度之间的关系的剖视图。
符号说明
1基板
2基板层
4标记物
6围堰材料
7树脂层
具体实施方式
参照图1~图5对本发明的一个实施方式进行详述。
图1表示基板1的制造工序,首先,通过图1(a)的准备工序准备基板层2。
基板层2的材质、结构、尺寸等可以是任意的,本实施方式的情况下,基板层2是集合基板,由例如印刷基板之类的单层的树脂基板层或者陶瓷或树脂的多层基板层构成,通过后述的切割工序被单片化成多个子基板。
图2是基板层2的俯视图,如单点划线所示,基板层2的上表面侧的主面以行列状(矩阵状)被划分成各子基板的区域21,各区域21内配设有一个或多个电子元器件3。此外,在基板层2的上表面侧主面的外周部的“舍弃区域”内印刷有多个标记物(子基板切割对准标记)4,这些标记物4用于识别例如用于将基板层2单片化成各区域21的切割位置。另外,如图1(a)所示,各电子元器件3的电极通过焊锡凸点5等与基板层2的布线连接。
接着,通过图1(b)的围堰材料形成工序,沿基板层2的上表面主面的外周部配置围堰材料6,使其包围所有的区域21。此时,为了减少基板层2的外周部的“舍弃区域”以提高基板层2的利用效率,在基板层2的标记物4上以规定的宽度形成围堰材料6。此外,从基板层表面开始计算的围堰材料6的高度设定在后述的密封用的树脂层7的厚度以上。
围堰材料6由能在形成树脂层7后除去的例如热固性的材料形成。围堰材料6的材料优选在完全固化之前的加热温度下粘度不易下降、与基板层2良好地密合(粘接)且固化后能容易地从基板层2和树脂层7剥离除去的材料。
而且,具体而言,围堰材料6不是由现有的围堰材料102这样的环氧类树脂形成,而是由以氯乙烯类或乙酸乙烯酯类成分为主要成分的乙烯类树脂或丙烯酸类树脂形成。形成围堰材料6的乙烯类树脂的具体组成例例如下述表1的一例、表2的另一例或表3的又一例所示。这些表中的“重量%”是“重量百分比”。
[表1]
(围堰材料的组成的一例)
  聚氯乙烯  65重量%
  环氧      20重量%
  二氧化硅  5重量%
  阻聚剂、消泡剂
  其它
[表2]
(围堰材料的组成的另一例)
氯乙烯·乙酸乙烯酯共聚物  62重量%
环氧                      17重量%
二氧化硅                  5重量%
阻聚剂、消泡剂
其它
[表3]
(围堰材料的组成的又一例)
  丙烯酸树脂   60重量%
  增塑剂       30重量%
  阻聚剂、消泡剂
  其它
然后,通过分散方式、印刷方式等将上述组成的乙烯类树脂以规定的高度涂布于基板层2的外周部的标记物4上,加热固化,形成围堰材料6。围堰材料6也可以由光固化性的材料等形成。
接着,通过图1(c)的树脂层形成工序,在基板层2的主面的被围堰材料6包围的内侧的区域内以围堰材料6的高度以下的厚度填充树脂,使其固化,从而形成密封用的树脂层7。树脂层7如果是热固性的环氧树脂、酚醛树脂等的层,则通过分散方式、印刷方式等在上述内侧的区域内填充未固化的环氧树脂、酚醛树脂等,然后将基板层2加热至固化温度,在上述内侧的区域内形成围堰材料6的高度以下的厚度的树脂层7。此时,藉由围堰材料6的堵塞效果,所填充的具有流动性的树脂的上表面在整个区域内变得平坦,端面(侧面)沿围堰材料6的壁面垂直上升。因此,不会发生“树脂垂挂”,基板层2的外周部附近的子基板的电子元器件3也不会从树脂层7露出,而是被确实地埋设在树脂层7内,被树脂密封。其结果是,完全没有因“树脂垂挂”而导致元器件从树脂层7露出的不良情况,基板1的生产性提高。此外,因为基板层2的标记物4被围堰材料6覆盖,所以也不会发生标记物4被树脂层7覆盖而无法看见的不良情况。
图3是形成了树脂层7的状态的基板层2的俯视图,所有的电子元器件3均未露出,被埋设在树脂层7内,被树脂密封。此外,标记物4被围堰材料6覆盖,不会被树脂层7覆盖。
接着,到达密封用的树脂层7固化到至少不流动的程度的阶段后,通过图1(d)的围堰材料除去工序除去围堰材料6。此时,乙烯类树脂的围堰材料6可容易地从基板层2和树脂层7剥离,能简单地除去。
图4是除去了围堰材料6的基板层2的俯视图,通过除去围堰材料6,基板层2的标记物4出现在基板层2的外周部的树脂层7附近。
然后,通过图1(e)的切割工序,如图中的箭头所示沿基板层2的标记物4纵横地切割基板1,从而可将如上所述形成的基板1单片化成多个子基板。
此时,围堰材料6被除去,围堰材料6不会对单片化的切割造成不良影响。即,基板层2的正面侧与背面侧同样平坦,可将基板1稳定地固定来进行切割。此外,可将切割用的刀片更深地切入基板层2,从而确实地将基板1切断。因此,可由基板1以高原材料利用率形成单片化的子基板。
另外,因为在标记物4上形成围堰材料6,所以基板层2的外周部的“舍弃区域”与分别形成标记物4和围堰材料6的情况相比较少,基板层2的利用效率提高。
图5(a)将基板层2的外周部的一部分放大表示,通过树脂层形成工序形成有树脂层7的基板层2中,因为在标记物4上形成有围堰材料6,所以围堰材料6的形成位置尽可能地接近于基板层2的外周端,基板层2的“舍弃区域”相应减少,被树脂层7覆盖的子基板的区域相应地尽可能地向外周部方向扩大。
图5(b)将用于比较的基板层2*的与图5(a)相同的外周部的一部分放大表示,基板层2*中,因为与现有的基板同样无法除去围堰材料6*,所以在标记物4的印刷位置的内侧形成围堰材料6*。此时,围堰材料6*的形成位置与标记物4的印刷空间相对应地处于图5(a)的基板层2的内侧,被树脂层7*覆盖的子基板的区域比图5(a)的基板层2小。
而且,通过图5(a)的基板层2与图5(b)的基板层2*的比较可知,基板层2的被围堰材料6包围子基板的区域比基板层2*的被围堰材料6包围的子基板的区域大,将基板层2单片化而得的基板的个数比将基板层2*单片化而得的基板的个数多(或者面积大)。因此,基板层2的利用效率提高。
具体而言,例如在基板层2*中,作为外周部的“舍弃区域”需要至少宽6mm的区域,而在基板层2中,作为外周部的“舍弃区域”,只要宽3mm的区域即可,变得极小。因此,基板层2与相同基板尺寸的基板层2*相比,制品有效区域扩大,有效利用效率提高。
而且,本发明不限定于上述实施方式,只要不脱离其技术思想,除上述实施方式外也可进行各种改变,例如在切割工序中,也可不进行子基板的单片化的切割,只切割基板1的外周部的“耳”的区域。
此外,围堰材料6的除去也可通过溶解等来进行,围堰材料6的材料(原材料)只要是能容易地从基板层2和树脂层7除去的材料即可,可以是任意材料。此外,标记物4不限定于子基板切割对准标记。也包括形成树脂层7后的基板1的切割或通孔形成这样的后续工序中的任一种作为基准的标记物,或子基板的制品信息(批号、型号、特性信息等)等识别基板的标记物。
树脂层7还可以由光固化性树脂等形成。
另外,本发明可用于基板层由单层或多层的树脂基板层或者陶瓷层和树脂层的复合层等构成的各种基板的制造方法,还可用于在树脂层7上隔着布线层层叠树脂层而成的多层的基板的制造方法。

Claims (3)

1.一种基板的制造方法,其特征在于,包括:
围堰材料形成工序,在该围堰材料形成工序中,沿基板层的主面的外周部配置围堰材料;
树脂层形成工序,在该树脂层形成工序中,在所述基板层的主面的被所述围堰材料包围的内侧的区域内以所述围堰材料的高度以下的厚度填充树脂,使其固化,从而形成树脂层;
围堰材料除去工序,在该围堰材料除去工序中,在形成所述树脂层后将所述围堰材料除去;以及
切割工序,在该切割工序中,在除去所述围堰材料后切割所述基板层和所述树脂层;
所述围堰材料由以氯乙烯类或乙酸乙烯酯类成分为主要成分的乙烯类树脂或丙烯酸类树脂形成。
2.如权利要求1所述的基板的制造方法,其特征在于,
通过所述围堰材料除去工序将所述围堰材料从所述树脂层剥离除去。
3.如权利要求1或2所述的基板的制造方法,其特征在于,
所述基板层的主面的外周部具有标记物,
在所述围堰材料形成工序中,将所述围堰材料形成于所述标记物上。
CN 201010174856 2009-06-02 2010-04-29 基板的制造方法 Active CN101908491B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-133403 2009-06-02
JP2009133403A JP5263009B2 (ja) 2009-06-02 2009-06-02 基板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101908491A CN101908491A (zh) 2010-12-08
CN101908491B true CN101908491B (zh) 2012-10-17

Family

ID=43263910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201010174856 Active CN101908491B (zh) 2009-06-02 2010-04-29 基板的制造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5263009B2 (zh)
CN (1) CN101908491B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102157445A (zh) * 2011-03-31 2011-08-17 无锡中微高科电子有限公司 提高集成电路封装连接强度的方法
KR20140028770A (ko) * 2012-08-30 2014-03-10 현대모비스 주식회사 자동차의 조명장치의 제조방법
JP6387256B2 (ja) * 2014-07-07 2018-09-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US10796976B2 (en) * 2018-10-31 2020-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device and method of forming the same

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60134447A (ja) * 1983-12-22 1985-07-17 Rohm Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP3163419B2 (ja) * 1997-08-22 2001-05-08 日本レック株式会社 電子部品の製造方法
JP2002208658A (ja) * 2001-01-09 2002-07-26 Taiyo Yuden Co Ltd ハイブリッドic及びその製造方法
JP2002270627A (ja) * 2001-03-13 2002-09-20 New Japan Radio Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP4152855B2 (ja) * 2003-10-01 2008-09-17 リンテック株式会社 樹脂封止型の電子デバイスの製造方法。

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP昭60-134447A 1985.07.17
JP特开平11-67799A 1999.03.09

Also Published As

Publication number Publication date
CN101908491A (zh) 2010-12-08
JP5263009B2 (ja) 2013-08-14
JP2010283036A (ja) 2010-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101908491B (zh) 基板的制造方法
CN101533785B (zh) 薄tim无核高密度无凸点封装的形成方法和由此形成的结构
JP5942309B2 (ja) インモールド成形方法とインモールド転写フィルムおよびその製造方法
CN102576682A (zh) 半导体装置的制造方法
US6743316B2 (en) Multilayered ceramic substrate and production method therefor
CN106449436A (zh) 半导体装置的制造方法和半导体装置
US9780041B1 (en) Method for making EMI shielding layer on a package
KR101431911B1 (ko) 인쇄회로기판 및 그 제조방법
CN111186182A (zh) 一种用于向多层陶瓷的空腔内印刷牺牲材料的方法
JP4039881B2 (ja) 混成集積回路装置の製造方法
CN107919426B (zh) Uv led无机封装用陶瓷基座及其制作方法
CN116154048A (zh) 一种基于表面贴片制备led器件的方法
CN110556330B (zh) 支撑衬底、剥离装置、柔性显示面板及其制备方法
CN1661786A (zh) 用于半导体封装的引线框和制造该半导体封装的方法
JP4147229B2 (ja) 複合電子部品の製造方法
CN102064151A (zh) 用于制造半导体分立器件的引线框架及其制作方法
JP5278301B2 (ja) Led発光装置用ケースの製造方法
KR101403864B1 (ko) 다이싱 다이본딩 필름
JP4618995B2 (ja) セラミックグリーンシート−樹脂シート複合体の製造方法およびセラミック多層配線基板の製造方法
KR20100093857A (ko) 가열부를 갖는 다이 본딩 장치 및 이를 이용한 다이 본딩 방법
JPH09148352A (ja) 樹脂封止方法、電子部品製造方法及び電子部品
JP4511215B2 (ja) セラミック多層配線基板の製造方法
CN101859736A (zh) 半导体封装半成品及半导体封装工艺
KR20090127706A (ko) 반도체 패키지 및 그의 제조 방법
KR101835041B1 (ko) 글래스의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant