JPH09148352A - 樹脂封止方法、電子部品製造方法及び電子部品 - Google Patents
樹脂封止方法、電子部品製造方法及び電子部品Info
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- JPH09148352A JPH09148352A JP7302577A JP30257795A JPH09148352A JP H09148352 A JPH09148352 A JP H09148352A JP 7302577 A JP7302577 A JP 7302577A JP 30257795 A JP30257795 A JP 30257795A JP H09148352 A JPH09148352 A JP H09148352A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 モールド体の物性を向上できる樹脂封止方法
を提供することを目的とする。 【解決手段】 加熱される上型１３と下型１の間に形成
されたキャビティに封止対象を位置させ、キャビティに
ランナーを介して連通するポット２にエポキシ樹脂を挿
入し、エポキシ樹脂をプランジャ３で押上げて溶融した
エポキシ樹脂をキャビティ内へ流し込み、キャビティ内
のエポキシ樹脂が硬化した後上型１３と下型１を離型す
る樹脂封止方法であって、エポキシ樹脂は、異なる物性
を有し、且つタブレット状に形成された複数のエポキシ
樹脂４、５、６が、ポット２内において上下配置されて
いる。
を提供することを目的とする。 【解決手段】 加熱される上型１３と下型１の間に形成
されたキャビティに封止対象を位置させ、キャビティに
ランナーを介して連通するポット２にエポキシ樹脂を挿
入し、エポキシ樹脂をプランジャ３で押上げて溶融した
エポキシ樹脂をキャビティ内へ流し込み、キャビティ内
のエポキシ樹脂が硬化した後上型１３と下型１を離型す
る樹脂封止方法であって、エポキシ樹脂は、異なる物性
を有し、且つタブレット状に形成された複数のエポキシ
樹脂４、５、６が、ポット２内において上下配置されて
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止方法、電
子部品製造方法及び電子部品に関するものである。
子部品製造方法及び電子部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子部品には、基板に半導体チップを搭
載し、半導体チップの周囲をエポキシ樹脂からなるモー
ルド体で封止したタイプのものがある。近年、半導体チ
ップが大型化したり、電子部品を薄型化する傾向があ
り、モールド体の物性の改善が必要になってきている。
載し、半導体チップの周囲をエポキシ樹脂からなるモー
ルド体で封止したタイプのものがある。近年、半導体チ
ップが大型化したり、電子部品を薄型化する傾向があ
り、モールド体の物性の改善が必要になってきている。
【０００３】ところで、モールド体を構成するエポキシ
樹脂は、加熱されて一旦溶融して、半導体チップの周囲
へ流し込まれ、その後硬化するものであるが、この硬化
時に、エポキシ樹脂と基板、あるいはエポキシ樹脂と半
導体チップとの接触界面に内部応力が発生する。この内
部応力が大きいと、接触界面で接着が破壊され、クラッ
クを生じてしまう。
樹脂は、加熱されて一旦溶融して、半導体チップの周囲
へ流し込まれ、その後硬化するものであるが、この硬化
時に、エポキシ樹脂と基板、あるいはエポキシ樹脂と半
導体チップとの接触界面に内部応力が発生する。この内
部応力が大きいと、接触界面で接着が破壊され、クラッ
クを生じてしまう。
【０００４】モールド体の物性を改善するためには、内
部応力をより小さく（低応力化）する必要がある。具体
的には、エポキシ樹脂の弾性率を小さくしたり、エポキ
シ樹脂のガラス転移温度を下げるとよい。
部応力をより小さく（低応力化）する必要がある。具体
的には、エポキシ樹脂の弾性率を小さくしたり、エポキ
シ樹脂のガラス転移温度を下げるとよい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、エポキ
シ樹脂の内部応力を小さくして接着性を向上すると、確
かにクラックが発生するおそれが小さくなるものの、一
方で樹脂封止時に使用される金型にもエポキシ樹脂が強
く付着してしまい、離型性が悪くなる。ここで、単一種
のエポキシ樹脂によりモールド体を構成していた従来の
樹脂封止方法では、接着性を高くするために、より低応
力化したいにもかかわらず、離型性が不良にならぬ程度
までしか低応力化できないという問題点があった。
シ樹脂の内部応力を小さくして接着性を向上すると、確
かにクラックが発生するおそれが小さくなるものの、一
方で樹脂封止時に使用される金型にもエポキシ樹脂が強
く付着してしまい、離型性が悪くなる。ここで、単一種
のエポキシ樹脂によりモールド体を構成していた従来の
樹脂封止方法では、接着性を高くするために、より低応
力化したいにもかかわらず、離型性が不良にならぬ程度
までしか低応力化できないという問題点があった。
【０００６】そこで本発明は、モールド体の物性を向上
できる樹脂封止方法を提供することを目的とする。
できる樹脂封止方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止方法
は、加熱される上型と下型の間に形成されたキャビティ
に封止対象を位置させ、キャビティにランナーを介して
連通するポットにエポキシ樹脂を挿入し、エポキシ樹脂
をプランジャで押上げて溶融したエポキシ樹脂をキャビ
ティ内へ流し込み、キャビティ内のエポキシ樹脂が硬化
した後上型と下型を離型する樹脂封止方法であって、エ
ポキシ樹脂は、異なる物性を有し、且つタブレット状に
形成された複数のエポキシ樹脂が、ポット内において上
下に層状に配置されている。
は、加熱される上型と下型の間に形成されたキャビティ
に封止対象を位置させ、キャビティにランナーを介して
連通するポットにエポキシ樹脂を挿入し、エポキシ樹脂
をプランジャで押上げて溶融したエポキシ樹脂をキャビ
ティ内へ流し込み、キャビティ内のエポキシ樹脂が硬化
した後上型と下型を離型する樹脂封止方法であって、エ
ポキシ樹脂は、異なる物性を有し、且つタブレット状に
形成された複数のエポキシ樹脂が、ポット内において上
下に層状に配置されている。
【０００８】
【発明の実施の形態】上記構成により、物性が異なるエ
ポキシ樹脂が溶融し、キャビティ内に充満し、そして硬
化する。ここで、後述する本発明者の実験結果から明ら
かなように、ポット内において、タブレット状に形成さ
れたエポキシ樹脂の上下の位置関係によって、封止対象
の近傍とその外側とに位置するエポキシ樹脂の種類をコ
ントロールすることができる。したがって、例えば封止
対象の近傍に接着性を向上させるべく低応力化されたエ
ポキシ樹脂を配置し、その外側に金型との離型性を向上
させるべく高応力のエポキシ樹脂を配置するようにする
ことができる。また、同実験結果で述べているように、
モールド体において、異なる種類のエポキシ樹脂同士
は、完全に層状に分離して存在しているのではなく、一
部が互いに混在した状態になっており、モールド体全体
として機械的特性が不連続になることはないし、プラン
ジャを一度押し上げる動作のみで、上述したような機能
的なモールド体を構成することができる。
ポキシ樹脂が溶融し、キャビティ内に充満し、そして硬
化する。ここで、後述する本発明者の実験結果から明ら
かなように、ポット内において、タブレット状に形成さ
れたエポキシ樹脂の上下の位置関係によって、封止対象
の近傍とその外側とに位置するエポキシ樹脂の種類をコ
ントロールすることができる。したがって、例えば封止
対象の近傍に接着性を向上させるべく低応力化されたエ
ポキシ樹脂を配置し、その外側に金型との離型性を向上
させるべく高応力のエポキシ樹脂を配置するようにする
ことができる。また、同実験結果で述べているように、
モールド体において、異なる種類のエポキシ樹脂同士
は、完全に層状に分離して存在しているのではなく、一
部が互いに混在した状態になっており、モールド体全体
として機械的特性が不連続になることはないし、プラン
ジャを一度押し上げる動作のみで、上述したような機能
的なモールド体を構成することができる。
【０００９】次に図面を参照しながら本発明の実施の形
態を説明する。まず図１〜図８を参照しながら本発明者
が行った実験結果について説明する。また図１〜図８
は、本実施の形態の樹脂封止方法の各プロセスにおい
て、封止装置を停止させ、停止時の各エポキシ樹脂の挙
動を本発明者が逐次観察した結果を示すものである。
態を説明する。まず図１〜図８を参照しながら本発明者
が行った実験結果について説明する。また図１〜図８
は、本実施の形態の樹脂封止方法の各プロセスにおい
て、封止装置を停止させ、停止時の各エポキシ樹脂の挙
動を本発明者が逐次観察した結果を示すものである。
【００１０】さて図１において、１は下型であり、図１
の下型１右側には円筒状をなし垂直なポット２が開けら
れている。３はポット２内を図示しない昇降手段によっ
て上下にスライドするプランジャであり、プランジャ３
には、第１樹脂４、第２樹脂５及び第３樹脂６の３種類
のエポキシ樹脂が上下に層状に配置されている。これら
第１、第２、第３樹脂４、５、６は、それぞれタブレッ
ト状をなし、エポキシ、硬化剤、フィラー及び添加剤の
成分、配合比等を変更することにより、各物性を異なら
しめることができる。なおこの実験では、これらの樹脂
４、５、６の挙動を観察しやすくするため、それぞれ異
なる色を着けた。しかし、図面では色彩を表現できない
ので、図中便宜上異なるパターンのハッチングを施して
ある。
の下型１右側には円筒状をなし垂直なポット２が開けら
れている。３はポット２内を図示しない昇降手段によっ
て上下にスライドするプランジャであり、プランジャ３
には、第１樹脂４、第２樹脂５及び第３樹脂６の３種類
のエポキシ樹脂が上下に層状に配置されている。これら
第１、第２、第３樹脂４、５、６は、それぞれタブレッ
ト状をなし、エポキシ、硬化剤、フィラー及び添加剤の
成分、配合比等を変更することにより、各物性を異なら
しめることができる。なおこの実験では、これらの樹脂
４、５、６の挙動を観察しやすくするため、それぞれ異
なる色を着けた。しかし、図面では色彩を表現できない
ので、図中便宜上異なるパターンのハッチングを施して
ある。
【００１１】また、下型１の上部のうち、ポット２の左
側には、キャビティ７となるための凹部が形成されてお
り、この凹部には封止対象８が載置してある。封止対象
８のうち、９は半導体チップ１０が搭載されるアイラン
ド、１１はリードであり、半導体チップ１０とリード１
１はワイヤ１２により電気的に接続されている。またア
イランド９とリード１１は基板（リードフレーム）を構
成するものである。
側には、キャビティ７となるための凹部が形成されてお
り、この凹部には封止対象８が載置してある。封止対象
８のうち、９は半導体チップ１０が搭載されるアイラン
ド、１１はリードであり、半導体チップ１０とリード１
１はワイヤ１２により電気的に接続されている。またア
イランド９とリード１１は基板（リードフレーム）を構
成するものである。
【００１２】次に図２に示すように、上型１３を下型１
に重ねる。すると、モールド体の形状を決定するキャビ
ティ７が上型１３と下型１との間に形成され、ポット２
の上部とキャビティ７とは、上型１３と下型１との間に
形成されるランナー１４を介して連通する。勿論、上型
１３と下型１とは、金型を構成するものであって、高温
になるように加熱されている。そして、プランジャ３を
一定速度でゆっくり上昇させる。
に重ねる。すると、モールド体の形状を決定するキャビ
ティ７が上型１３と下型１との間に形成され、ポット２
の上部とキャビティ７とは、上型１３と下型１との間に
形成されるランナー１４を介して連通する。勿論、上型
１３と下型１とは、金型を構成するものであって、高温
になるように加熱されている。そして、プランジャ３を
一定速度でゆっくり上昇させる。
【００１３】すると、図３に示すように、第１樹脂４、
第２樹脂５、第３樹脂６は、ゆっくり上昇するが、上型
１３に接する第１樹脂４のかなりの部分が高温になって
溶融しはじめる。また、ポット２の壁面だけでなくプラ
ンジャ３にも接する第３樹脂６が、その周面付近及び底
面付近から溶融をしはじめる。一方、第２樹脂５は、周
面のみが高温部に接しているので、溶融が最も遅れてい
る。
第２樹脂５、第３樹脂６は、ゆっくり上昇するが、上型
１３に接する第１樹脂４のかなりの部分が高温になって
溶融しはじめる。また、ポット２の壁面だけでなくプラ
ンジャ３にも接する第３樹脂６が、その周面付近及び底
面付近から溶融をしはじめる。一方、第２樹脂５は、周
面のみが高温部に接しているので、溶融が最も遅れてい
る。
【００１４】さらにプランジャ３を上昇させると、図４
に示すようにランナー１４が溶融した第１樹脂４及び第
３樹脂６で充填される。ここで、第３樹脂６は、第１樹
脂４よりもランナー１４から遠い位置にあり、ランナー
１４に流れ込む量は、第１樹脂４の方が第３樹脂６より
も多い。
に示すようにランナー１４が溶融した第１樹脂４及び第
３樹脂６で充填される。ここで、第３樹脂６は、第１樹
脂４よりもランナー１４から遠い位置にあり、ランナー
１４に流れ込む量は、第１樹脂４の方が第３樹脂６より
も多い。
【００１５】次に図５に示すように、ランナー１４を充
填していた第１樹脂４及び第３樹脂６は、キャビティ７
内へ到達する。さらに、プランジャ３を上昇させると、
図６に示すように、遅れて第２樹脂５がランナー１４を
通過し一部がキャビティ７内へ進入してくる。
填していた第１樹脂４及び第３樹脂６は、キャビティ７
内へ到達する。さらに、プランジャ３を上昇させると、
図６に示すように、遅れて第２樹脂５がランナー１４を
通過し一部がキャビティ７内へ進入してくる。
【００１６】このとき、図示できないのが残念である
が、第１樹脂４と第２樹脂５との間や、第２樹脂５と第
３樹脂６との間の、境界部分において樹脂同士が一部混
濁する。また、第１樹脂４及び第３樹脂６は、先にキャ
ビティ７内へ進入し、キャビティ７内の奥側には未だ充
填されていない空間が空いているので、第１樹脂４及び
第３樹脂６が奥側へ押し込まれ、これらの樹脂４、６間
に、遅れて進入した第２樹脂５が入り込む現象が観察さ
れた。
が、第１樹脂４と第２樹脂５との間や、第２樹脂５と第
３樹脂６との間の、境界部分において樹脂同士が一部混
濁する。また、第１樹脂４及び第３樹脂６は、先にキャ
ビティ７内へ進入し、キャビティ７内の奥側には未だ充
填されていない空間が空いているので、第１樹脂４及び
第３樹脂６が奥側へ押し込まれ、これらの樹脂４、６間
に、遅れて進入した第２樹脂５が入り込む現象が観察さ
れた。
【００１７】そして、図７に示すように、プランジャ３
が上昇限界近くまで上昇すると、図８に拡大して示して
いるように、封止対象８の周囲に、遅れてキャビティ７
内に進入した第２樹脂５が存在し、その上下に先にキャ
ビティ７内に進入した第１樹脂４及び第３樹脂６が存在
するという位置関係になる。また上述したように、各樹
脂の境界付近では、樹脂の混濁が発生し、モールド体は
厚さ方向に関していわゆる傾斜組織構造となっている。
が上昇限界近くまで上昇すると、図８に拡大して示して
いるように、封止対象８の周囲に、遅れてキャビティ７
内に進入した第２樹脂５が存在し、その上下に先にキャ
ビティ７内に進入した第１樹脂４及び第３樹脂６が存在
するという位置関係になる。また上述したように、各樹
脂の境界付近では、樹脂の混濁が発生し、モールド体は
厚さ方向に関していわゆる傾斜組織構造となっている。
【００１８】そして、各樹脂４、５、６の硬化が済む
と、上型１３と下型１をと離型する。ここで、上記混濁
が発生しているので、各樹脂４、５、６は完全に層状に
分離して存在しているのではなく、分かれてはいるもの
の連続的に分散して存在しているのである。したがっ
て、その機械的特性も連続的に変化しているものであ
る。また、この実験から明らかなように、異なる種類の
エポキシ樹脂をタブレット状にして上下３段に配置する
と、モールド体となったときに、上段、下段の樹脂はモ
ールド体の上下部、即ち上型１３及び下型１の付近に存
在し、中段の樹脂は、封止対象の周囲に存在するのであ
る。
と、上型１３と下型１をと離型する。ここで、上記混濁
が発生しているので、各樹脂４、５、６は完全に層状に
分離して存在しているのではなく、分かれてはいるもの
の連続的に分散して存在しているのである。したがっ
て、その機械的特性も連続的に変化しているものであ
る。また、この実験から明らかなように、異なる種類の
エポキシ樹脂をタブレット状にして上下３段に配置する
と、モールド体となったときに、上段、下段の樹脂はモ
ールド体の上下部、即ち上型１３及び下型１の付近に存
在し、中段の樹脂は、封止対象の周囲に存在するのであ
る。
【００１９】次に以上の封止方法を用いた本実施の形態
の電子部品製造方法について、図９を参照しながら説明
する。
の電子部品製造方法について、図９を参照しながら説明
する。
【００２０】まず図９（ａ）に示すように、基板のアイ
ランド９に半導体チップ１０を搭載する。次に図９
（ｂ）に示すように、半導体チップ１０とリード１１を
ワイヤ１２で接続する。
ランド９に半導体チップ１０を搭載する。次に図９
（ｂ）に示すように、半導体チップ１０とリード１１を
ワイヤ１２で接続する。
【００２１】次に、第１樹脂４、第２樹脂５及び第１樹
脂４をこの順で上下にポット２内に層状に配置し、上述
した要領で樹脂封止を行い、モールド体Ｍを構成する。
すると、半導体チップ１０の周囲には第２樹脂５が存在
し、その上下に第１樹脂４が存在することになる。
脂４をこの順で上下にポット２内に層状に配置し、上述
した要領で樹脂封止を行い、モールド体Ｍを構成する。
すると、半導体チップ１０の周囲には第２樹脂５が存在
し、その上下に第１樹脂４が存在することになる。
【００２２】次にリード１１のフォーミングを行って、
図９（ｄ）に示すような電子部品を得るものである。
図９（ｄ）に示すような電子部品を得るものである。
【００２３】次に図１０〜図１４を参照しながら、本実
施の形態の応用例を説明する。 （第１例）図１０（ａ）に示すように、ポット２内にお
いて、中段に低応力エポキシ樹脂１７を、上下段に低応
力エポキシ樹脂よりも高応力で離型性がよい標準エポキ
シ樹脂１６より形成された三層構造のタブレットを配置
する。なお、以下標準エポキシ樹脂１６とは、それと対
比されるエポキシ樹脂に対して、相対的に異なる反対の
性質を有するエポキシ樹脂という意味であり、特定のエ
ポキシ樹脂自体を指すものではない。
施の形態の応用例を説明する。 （第１例）図１０（ａ）に示すように、ポット２内にお
いて、中段に低応力エポキシ樹脂１７を、上下段に低応
力エポキシ樹脂よりも高応力で離型性がよい標準エポキ
シ樹脂１６より形成された三層構造のタブレットを配置
する。なお、以下標準エポキシ樹脂１６とは、それと対
比されるエポキシ樹脂に対して、相対的に異なる反対の
性質を有するエポキシ樹脂という意味であり、特定のエ
ポキシ樹脂自体を指すものではない。
【００２４】さて第１例のようにすると、図１０（ｂ）
に示すように、半導体チップ１０等の周囲に低応力エポ
キシ樹脂１７が、その上下に標準エポキシ樹脂１６が存
在するモールド体Ｍが得られる。このようにすると、半
導体チップ１０や基板とエポキシ樹脂の密着性が向上す
る。また、低応力エポキシ樹脂１７のみからモールド体
Ｍを構成したものに比べ、離型性を良くすることができ
る。
に示すように、半導体チップ１０等の周囲に低応力エポ
キシ樹脂１７が、その上下に標準エポキシ樹脂１６が存
在するモールド体Ｍが得られる。このようにすると、半
導体チップ１０や基板とエポキシ樹脂の密着性が向上す
る。また、低応力エポキシ樹脂１７のみからモールド体
Ｍを構成したものに比べ、離型性を良くすることができ
る。
【００２５】（第２例）図１１（ａ）に示すように、ポ
ット２内の配置を、耐湿性エポキシ樹脂１８、標準エポ
キシ樹脂１６、耐湿性エポキシ樹脂１８の順にすると、
図１１（ｂ）に示すように、半導体チップ１０等の周囲
に標準エポキシ樹脂１６、上下に耐湿性エポキシ樹脂１
８が存在するモールド体Ｍが得られる。
ット２内の配置を、耐湿性エポキシ樹脂１８、標準エポ
キシ樹脂１６、耐湿性エポキシ樹脂１８の順にすると、
図１１（ｂ）に示すように、半導体チップ１０等の周囲
に標準エポキシ樹脂１６、上下に耐湿性エポキシ樹脂１
８が存在するモールド体Ｍが得られる。
【００２６】このようにすると、外部からの水分の浸入
を阻止して、リフロー時等の加熱時に水分の膨張に起因
するクラック発生を防止することができる。
を阻止して、リフロー時等の加熱時に水分の膨張に起因
するクラック発生を防止することができる。
【００２７】（第３例）モールド体Ｍの成形時における
ワイヤ１２の変形を防止するには、図１２（ａ）に示す
ように、中段に低粘度エポキシ樹脂２０、上下段に標準
エポキシ樹脂１６を配置する。このようにすると、図１
２（ｂ）に示すように、低粘度エポキシ樹脂２０がワイ
ヤ１２の周囲に存在した状態でエポキシ樹脂の充填及び
硬化が行われるので、ワイヤ１２に作用するせん断力を
小さくして、ワイヤ１２の変形を極力少なくすることが
できる。
ワイヤ１２の変形を防止するには、図１２（ａ）に示す
ように、中段に低粘度エポキシ樹脂２０、上下段に標準
エポキシ樹脂１６を配置する。このようにすると、図１
２（ｂ）に示すように、低粘度エポキシ樹脂２０がワイ
ヤ１２の周囲に存在した状態でエポキシ樹脂の充填及び
硬化が行われるので、ワイヤ１２に作用するせん断力を
小さくして、ワイヤ１２の変形を極力少なくすることが
できる。
【００２８】（第４例）ボイドの発生を防止するには、
図１３（ａ）に示すように、中段に標準エポキシ樹脂１
６を、上下段に低硬化速度エポキシ樹脂２１を配置す
る。
図１３（ａ）に示すように、中段に標準エポキシ樹脂１
６を、上下段に低硬化速度エポキシ樹脂２１を配置す
る。
【００２９】ここで、キャビティ７内に先行して進入す
るエポキシ樹脂は、一般に早く硬化が進行する傾向があ
る。そこで、先行してキャビティ７内に進入する上下段
に低硬化速度エポキシ樹脂２１を配置することで、キャ
ビティ７内の硬化を均一化あるいは、外周部に存在する
エポキシ樹脂の硬化を意図的に遅らせる様にし、内部に
存在している気泡を外部に押出して、その後全体の硬化
が完了する様にしている。このようにすれば、モールド
体Ｍにボイドが発生しないようにすることができる。
るエポキシ樹脂は、一般に早く硬化が進行する傾向があ
る。そこで、先行してキャビティ７内に進入する上下段
に低硬化速度エポキシ樹脂２１を配置することで、キャ
ビティ７内の硬化を均一化あるいは、外周部に存在する
エポキシ樹脂の硬化を意図的に遅らせる様にし、内部に
存在している気泡を外部に押出して、その後全体の硬化
が完了する様にしている。このようにすれば、モールド
体Ｍにボイドが発生しないようにすることができる。
【００３０】（第５例）金型とエポキシ樹脂の離型性を
向上するには、図１４（ａ）に示すように、上下段に高
応力エポキシ樹脂２２を、中段に標準エポキシ樹脂１６
を配置する。
向上するには、図１４（ａ）に示すように、上下段に高
応力エポキシ樹脂２２を、中段に標準エポキシ樹脂１６
を配置する。
【００３１】このようにすると、図１４（ｂ）に示すよ
うに、上型１３あるいは下型１に接する部分に、高応力
エポキシ樹脂２２が存在することとなり、基板とエポキ
シ樹脂の接着性をそこなうことなく金型とエポキシ樹脂
の接着性を低下させて、良好な離型性を得ることができ
る。
うに、上型１３あるいは下型１に接する部分に、高応力
エポキシ樹脂２２が存在することとなり、基板とエポキ
シ樹脂の接着性をそこなうことなく金型とエポキシ樹脂
の接着性を低下させて、良好な離型性を得ることができ
る。
【００３２】勿論第１例〜第５例を便宜組み合わせて樹
脂封止あるいは電子部品製造を行っても良い。
脂封止あるいは電子部品製造を行っても良い。
【００３３】
【発明の効果】本発明の樹脂封止方法は、加熱される上
型と下型の間に形成されたキャビティに封止対象を位置
させ、キャビティにランナーを介して連通するポットに
エポキシ樹脂を挿入し、エポキシ樹脂をプランジャで押
上げて溶融したエポキシ樹脂をキャビティ内へ流し込
み、キャビティ内のエポキシ樹脂が硬化した後上型と下
型を離型する樹脂封止方法であって、エポキシ樹脂は、
異なる物性を有し、且つタブレット状に形成された複数
のエポキシ樹脂が、ポット内において上下配置されてい
るので、モールド体全体を一様のエポキシ樹脂で構成す
るのではなく、適材適所に必要な物性を有するエポキシ
樹脂を配置でき、モールド体の物性を格段に向上するこ
とができ、しかも一回の封止のみで上述したモールド体
を得ることができる。
型と下型の間に形成されたキャビティに封止対象を位置
させ、キャビティにランナーを介して連通するポットに
エポキシ樹脂を挿入し、エポキシ樹脂をプランジャで押
上げて溶融したエポキシ樹脂をキャビティ内へ流し込
み、キャビティ内のエポキシ樹脂が硬化した後上型と下
型を離型する樹脂封止方法であって、エポキシ樹脂は、
異なる物性を有し、且つタブレット状に形成された複数
のエポキシ樹脂が、ポット内において上下配置されてい
るので、モールド体全体を一様のエポキシ樹脂で構成す
るのではなく、適材適所に必要な物性を有するエポキシ
樹脂を配置でき、モールド体の物性を格段に向上するこ
とができ、しかも一回の封止のみで上述したモールド体
を得ることができる。
【図１】本発明の一実施の形態における樹脂封止方法の
工程説明図
工程説明図
【図２】本発明の一実施の形態における樹脂封止方法の
工程説明図
工程説明図
【図３】本発明の一実施の形態における樹脂封止方法の
工程説明図
工程説明図
【図４】本発明の一実施の形態における樹脂封止方法の
工程説明図
工程説明図
【図５】本発明の一実施の形態における樹脂封止方法の
工程説明図
工程説明図
【図６】本発明の一実施の形態における樹脂封止方法の
工程説明図
工程説明図
【図７】本発明の一実施の形態における樹脂封止方法の
工程説明図
工程説明図
【図８】本発明の一実施の形態における樹脂封止方法の
工程説明図
工程説明図
【図９】（ａ）本発明の一実施の形態における電子部品
製造方法の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態における電子部品製造方法
の工程説明図 （ｃ）本発明の一実施の形態における電子部品製造方法
の工程説明図 （ｄ）本発明の一実施の形態における電子部品製造方法
の工程説明図
製造方法の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態における電子部品製造方法
の工程説明図 （ｃ）本発明の一実施の形態における電子部品製造方法
の工程説明図 （ｄ）本発明の一実施の形態における電子部品製造方法
の工程説明図
【図１０】（ａ）本発明の一実施例におけるエポキシ樹
脂の配置図 （ｂ）本発明の一実施例における電子部品の断面図
脂の配置図 （ｂ）本発明の一実施例における電子部品の断面図
【図１１】（ａ）本発明の一実施例におけるエポキシ樹
脂の配置図 （ｂ）本発明の一実施例における電子部品の断面図
脂の配置図 （ｂ）本発明の一実施例における電子部品の断面図
【図１２】（ａ）本発明の一実施例におけるエポキシ樹
脂の配置図 （ｂ）本発明の一実施例における電子部品の断面図
脂の配置図 （ｂ）本発明の一実施例における電子部品の断面図
【図１３】（ａ）本発明の一実施例におけるエポキシ樹
脂の配置図 （ｂ）本発明の一実施例における電子部品の断面図
脂の配置図 （ｂ）本発明の一実施例における電子部品の断面図
【図１４】（ａ）本発明の一実施例におけるエポキシ樹
脂の配置図 （ｂ）本発明の一実施例における電子部品の断面図
脂の配置図 （ｂ）本発明の一実施例における電子部品の断面図
１ 下型 ２ ポット ３ プランジャ ４ 第１樹脂 ５ 第２樹脂 ６ 第３樹脂 ７ キャビティ ８ 封止対象 １３ 上型 １４ ランナー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31 // Ｂ２９Ｋ 63:00 Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (18)
- 【請求項１】加熱される上型と下型の間に形成されたキ
ャビティに封止対象を位置させ、前記キャビティにラン
ナーを介して連通するポットにエポキシ樹脂を挿入し、
前記エポキシ樹脂をプランジャで押上げて溶融したエポ
キシ樹脂を前記キャビティ内へ流し込み、前記キャビテ
ィ内のエポキシ樹脂が硬化した後前記上型と前記下型を
離型する樹脂封止方法であって、 前記エポキシ樹脂は、異なる物性を有し、且つタブレッ
ト状に形成された複数のエポキシ樹脂が、前記ポット内
において上下に層状に配置されていることを特徴とする
樹脂封止方法。 - 【請求項２】前記エポキシ樹脂は、低応力エポキシ樹脂
を前記低応力エポキシ樹脂よりも高応力の標準エポキシ
樹脂で上下に挟むように配置されていることを特徴とす
る請求項１記載の樹脂封止方法。 - 【請求項３】前記エポキシ樹脂は、耐湿性エポキシ樹脂
で前記耐湿性エポキシ樹脂よりも耐湿性が低い標準エポ
キシ樹脂を上下に挟むように配置されていることを特徴
とする請求項１記載の樹脂封止方法。 - 【請求項４】前記エポキシ樹脂は、低粘度エポキシ樹脂
を前記低粘度エポキシ樹脂よりも粘度が高い標準エポキ
シ樹脂で上下に挟むように配置されていることを特徴と
する請求項１記載の樹脂封止方法。 - 【請求項５】前記エポキシ樹脂は、低硬化速度エポキシ
樹脂で前記低硬化速度エポキシ樹脂よりも硬化速度が大
きい標準エポキシ樹脂を上下に挟むように配置されてい
ることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止方法。 - 【請求項６】前記エポキシ樹脂は、高応力エポキシ樹脂
で前記高応力エポキシ樹脂よりも応力が低い標準エポキ
シ樹脂を上下に挟むように配置されていることを特徴と
する請求項１記載の樹脂封止方法。 - 【請求項７】基板に半導体チップを搭載するステップ
と、前記半導体チップと前記基板をワイヤで接続するス
テップと、前記半導体チップと前記基板をモールド体で
封止するステップとを含む電子部品製造方法であって、 前記モールド体は、異なる物性を有し、且つタブレット
状に形成された複数のエポキシ樹脂が上下に層状に配置
された状態から溶融された後硬化して形成されているこ
とを特徴とする電子部品製造方法。 - 【請求項８】前記エポキシ樹脂は、低応力エポキシ樹脂
を前記低応力エポキシ樹脂よりも高応力の標準エポキシ
樹脂で上下に挟むように配置されていることを特徴とす
る請求項７記載の電子部品製造方法。 - 【請求項９】前記エポキシ樹脂は、耐湿性エポキシ樹脂
で前記耐湿性エポキシ樹脂よりも耐湿性が低い標準エポ
キシ樹脂を上下に挟むように配置されていることを特徴
とする請求項７記載の電子部品製造方法。 - 【請求項１０】前記エポキシ樹脂は、低粘度エポキシ樹
脂を前記低粘度エポキシ樹脂よりも粘度が高い標準エポ
キシ樹脂で上下に挟むように配置されていることを特徴
とする請求項７記載の電子部品製造方法。 - 【請求項１１】前記エポキシ樹脂は、低硬化速度エポキ
シ樹脂で前記低硬化速度エポキシ樹脂よりも硬化速度が
大きい標準エポキシ樹脂を上下に挟むように配置されて
いることを特徴とする請求項７記載の電子部品製造方
法。 - 【請求項１２】前記エポキシ樹脂は、高応力エポキシ樹
脂で前記高応力エポキシ樹脂よりも応力が低い標準エポ
キシ樹脂を上下に挟むように配置されていることを特徴
とする請求項７記載の電子部品製造方法。 - 【請求項１３】基板と、前記基板に搭載された半導体チ
ップと、前記半導体チップの周囲を封止するモールド体
とを備え、 前記モールド体は、異なる物性を有し、且つタブレット
状に形成された複数のエポキシ樹脂が溶融した後硬化し
て形成されていることを特徴とする電子部品。 - 【請求項１４】前記エポキシ樹脂は、低応力エポキシ樹
脂を前記低応力エポキシ樹脂よりも高応力の標準エポキ
シ樹脂で上下に挟むように配置されていることを特徴と
する請求項１３記載の電子部品。 - 【請求項１５】前記エポキシ樹脂は、耐湿性エポキシ樹
脂で前記耐湿性エポキシ樹脂よりも耐湿性が低い標準エ
ポキシ樹脂を上下に挟むように配置されていることを特
徴とする請求項１３記載の電子部品。 - 【請求項１６】前記エポキシ樹脂は、低粘度エポキシ樹
脂を前記低粘度エポキシ樹脂よりも粘度が高い標準エポ
キシ樹脂で上下に挟むように配置されていることを特徴
とする請求項１３記載の電子部品。 - 【請求項１７】前記エポキシ樹脂は、低硬化速度エポキ
シ樹脂で前記低硬化速度エポキシ樹脂よりも硬化速度が
大きい標準エポキシ樹脂を上下に挟むように配置されて
いることを特徴とする請求項１３記載の電子部品。 - 【請求項１８】前記エポキシ樹脂は、高応力エポキシ樹
脂で前記高応力エポキシ樹脂よりも応力が低い標準エポ
キシ樹脂を上下に挟むように配置されていることを特徴
とする請求項１３記載の電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07302577A JP3141758B2 (ja) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | 樹脂封止方法および電子部品製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07302577A JP3141758B2 (ja) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | 樹脂封止方法および電子部品製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148352A true JPH09148352A (ja) | 1997-06-06 |
| JP3141758B2 JP3141758B2 (ja) | 2001-03-05 |
Family
ID=17910662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07302577A Expired - Fee Related JP3141758B2 (ja) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | 樹脂封止方法および電子部品製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3141758B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001261941A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | タブレット及び半導体装置 |
| JP2014506395A (ja) * | 2010-12-14 | 2014-03-13 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 成形体を有する電子ユニットを製造する方法 |
| WO2018147006A1 (ja) * | 2017-02-10 | 2018-08-16 | 株式会社デンソー | 樹脂封止部品及びその製造方法 |
| WO2018154744A1 (ja) * | 2017-02-27 | 2018-08-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-11-21 JP JP07302577A patent/JP3141758B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001261941A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | タブレット及び半導体装置 |
| JP2014506395A (ja) * | 2010-12-14 | 2014-03-13 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 成形体を有する電子ユニットを製造する方法 |
| WO2018147006A1 (ja) * | 2017-02-10 | 2018-08-16 | 株式会社デンソー | 樹脂封止部品及びその製造方法 |
| JP2018129477A (ja) * | 2017-02-10 | 2018-08-16 | 株式会社デンソー | 樹脂封止部品及びその製造方法 |
| WO2018154744A1 (ja) * | 2017-02-27 | 2018-08-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
| JPWO2018154744A1 (ja) * | 2017-02-27 | 2019-11-07 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3141758B2 (ja) | 2001-03-05 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |