CN101846777A - 光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种光器件。光器件1具备：光检测元件6和光波导基板2，光波导基板2具有包括在与层厚方向交叉的方向上延伸的芯部4a～4c以及覆盖芯部4a～4c的包层部4h的光波导层4，并且在侧面2a上具有与光检测元件6光学耦合的芯部4c的端面4g。光波导基板2具有相互的主面3a及5a相向地配置的基板3及5。光波导层4设置在基板3和基板5之间。光检测元件6设置在光波导基板2的侧面2a中的设置区域2c上。设置区域2c设定为包括芯部4c的端面4g、基板3的侧面3b的一部分、以及基板5的侧面5b的一部分。由此，由光器件可以提高发光元件和光检测元件等半导体光元件与光波导管的光耦合效率。

Description

光器件
本申请是申请日为2006年6月22日、申请号为200610093139.0、发明名称为光器件的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种具有半导体光元件及光波导管的光器件。
背景技术
在光通信领域中，为了对光学纤维等的光传输介质入射信号光，或读取进入光传输介质中的信号光，可以使用具有在光学纤维中结合有光波导管的光波导基板。例如，在日本特开平10-293219号公报中记载的光波导耦合器，在石英类基板上有光波导管，在形成在该光波导管上的多个切割槽内埋设有滤波器或反射镜，在该槽上粘结有光检测元件或发光元件。
但是，在日本特开平10-293219号公报中记载的光波导耦合器，存在以下问题。即，在该光波导耦合器中，在通过光检测元件检测在光波导管中波导的光时，通过光波导管周围的石英类基板(包层部)检测。另外，向光波导管中入射来自发光元件的光时，通过光波导管周围的石英类基板(包层部)入射。于是，由于光会因光波导管周围的石英类基板(包层部)而散乱，所以，发光元件或光检测元件和光波导管的光耦合效率(即光的读取效率和入射效率)会下降。
发明内容
本发明即鉴于上述问题而完成，目的是提供一种可以提高发光元件和光检测元件等的半导体光元件和光波导管的光耦合效率的光器件。
为了解决上述课题，根据本发明的光器件，其特征在于，具备半导体光元件，以及，具有包括在与层厚方向交叉的方向上延伸的芯部、以及覆盖芯部的包层部的光波导层、并在侧面具有与半导体光元件光学耦合的芯部的端面的光波导基板；光波导基板还具有彼此的主面相向配置的第1和第2基板；光波导层设置在第1基板与第2基板之间；半导体光元件设置在光波导基板的侧面的设置区域上；设置区域包括芯部的端面、第1基板侧面的一部分以及第2基板侧面的一部分。
在上述光器件中，用于设置例如光检测元件和发光元件等半导体光元件的设置区域设置在光波导基板的侧面，并且，设置区域包括成为光波导管的芯部端面及第1和第2基板的各侧面的一部分。通过该结构，可以在光波导基板的侧面上确保可设置半导体光元件的空间，同时通过半导体光元件跨过芯部的端面半导体光元件与芯部的端面可以不通过包层部而光耦合。所以，根据光器件，可以提高半导体光元件和芯部(光波导管)的光耦合效率。
另外，光器件可以制成设置区域包含在形成在光波导基板的侧面上的凹部底面上。由此，在形成在光波导基板侧面的凹部上可容易地形成粘结剂层和折射率匹配用的树脂层等。
另外，光器件还可以制成光波导基板的凹部包含在各第1和第2基板中沿主面的边缘而形成的阶梯部分而构成。这样的阶梯部分，可通过在将第1和第2基板从晶片切出时，预先形成沿切断线的矩形断面槽而容易地形成。因此，根据该光器件，可以容易地在光波导基板的侧面形成在底面含设置区域的凹部。
另外，光器件还可以制成，光波导基板在侧面具有显示在沿第1和第2基板主面的边缘的方向上的端面位置的第1标记。在光波导层中，芯部和包层部二者，有时由对光透明的材料构成。此时，即使制成芯部的端面从光波导层的侧面露出，也难以目视辨认该端面。但是，若不能把握芯部端面的正确位置，芯部端面和半导体光元件的相对位置有可能发生错位。于是，在芯部端面和半导体光元件的相对位置精度低的情况下，该端面与半导体光元件的光耦合效率被低抑制。然而，根据上述光器件，通过在光波导基板的侧面，设有显示在沿第1和第2基板主面边缘方向上的端面位置的第1标记，可容易并正确地目视辨认沿该主面边缘方向的芯部端面的位置，可以位置精度好地安装半导体光元件。于是，根据该光器件，因为可以提高半导体光元件和芯部端面的相对位置的精度，所以可以进一步提高半导体光元件和芯部端面的光耦合效率。
另外，光器件还可以制成，第1标记由以达到光波导基板侧面的方式形成在第1基板主面的槽构成。由此，可将容易形成并可明确目视辨认的第1标记设置在光波导基板的侧面。
另外，光器件还可以制成，光波导层在侧面有显示层厚方向上的端面位置的第2标记。由此，可容易并正确地目视辨认层厚方向上的芯部端面的位置，可以位置精度高地安装半导体光元件。于是，根据该光器件，因为可以提高半导体光元件和芯部端面的相对位置的精度，所以可以进一步提高半导体光元件和芯部端面的光耦合效率。
另外，光器件还可以制成，第2标记由以含与包层部不同的材料且从包层部的侧面露出的方式埋入包层部的膜构成。由此，可将可明确目视辨认的第2标记形成在光波导层的侧面。
另外，光器件还可以制成，光波导基板在设置区域中的第1和第2基板的各个侧面之间有阶梯。若在这样的设置区域上设置半导体光元件，则通过第1和第2基板的侧面之间的阶梯，半导体光元件相对从芯部端面射出的被检测光的光轴倾斜。所以，根据该光器件，在特别使用光检测元件作为半导体光元件时，可使该光检测元件的光检测面相对被检测光的光轴恰当地倾斜，光检测面的被检测光的反射光可以降低再入射到芯部的菲涅耳反射。另外，因为由第1和第2基板侧面间的阶梯而在半导体光元件和芯部端面之间产生间隙，所以可容易地使折射率匹配用树脂流入该间隙。
另外，光器件还可以制成，光波导基板在设置区域中的第1和第2基板的各个侧面上，进一步具有与半导体光元件电连接的配线图案。由此，可确保半导体光元件的电连接方式，将半导体光元件直接安装在光波导基板的侧面上。
另外，光器件还可以制成，在光波导基板的侧面和半导体光元件之间，进一步具备具有与半导体光元件电连接的配线图案的配线基板，配线基板在对应芯部端面的位置有光通过部。另外，光通过部可以是例如在配线基板上形成的开口(贯通孔)，也可以是埋入配线基板的透镜。由此，可将半导体光元件适当地安装在光波导基板的侧面上，同时，可通过设置在配线基板的光通过部而使半导体光元件与芯部的端面适当地光耦合。
另外，光器件还可以制成，光波导基板在第2基板与光波导层之间进一步具有用于接合第2基板与光波导层的金属层。在制造光波导基板时，例如通过接合形成在第1基板主面上的光波导层的表面和第2基板主面，可以适当地制造在第1和第2基板间具有光波导层的光波导基板。此时，通过在光波导层的表面及第2基板主面二者上形成金属膜，并使这些金属膜相互热压接，可牢固地接合光波导层与第2基板。所以，根据上述光器件，可以实现光波导层及第2基板相互牢固接合的光波导基板。
另外，本发明的光器件，其特征在于，包括n个(n为2以上的整数)半导体光元件，以及，包括在与层厚方向交叉的方向上延伸的芯部及覆盖芯部的包层部且在层厚方向上层积了的n层光波导层、并且在侧面有与各n个半导体光元件光耦合的各光波导层的芯部端面的光波导基板；光波导基板还具有以与n层光波导层交替的方式在层厚方向层积的(n+1)片基板；n个半导体光元件，分别设置在光波导基板侧面上的n个设置区域上；n个设置区域分别包括n层光波导层中对应的光波导层的芯部的端面，以及配置在该光波导层相邻两侧的基板各侧面的一部分。
在上述光器件中，在光波导基板的侧面设有用于设置n个半导体光元件的n个设置区域，并且，n个设置区域分别含n层光波导层中对应的光波导层的芯部的端部，和配置在该光波导层相邻两侧的基板的各侧面的一部分。通过该结构，在光波导基板的侧面上可确保可设置n个半导体光元件的空间，同时n个半导体光元件分别，通过跨过对应的光波导层的芯部的端面，可不通过包层部而使各光波导层的芯部端面与各半导体光元件光耦合。所以，根据该光器件，可以提高各光波导层的芯部与各半导体光元件的光耦合效率。另外，通过在层厚方向层积n层光波导层，可在光器件内集成很多光波导管，并且可使光器件小型化。
另外，本发明的光器件，其特征在于，包括多个半导体光元件，以及，具有包括在与层厚方向交叉的方向延伸的芯部以及覆盖芯部的包层部的光波导层、并在侧面上具有与多个半导体光元件光学耦合的芯部的多个端面的光波导基板；光波导基板还有彼此的主面相向配置的第1和第2基板；光波导层被设置在第1基板与第2基板之间；多个半导体光元件分别设置在光波导基板侧面上的多个设置区域上；各多个设置区域包括芯部的多个端面中至少一个端面、第1基板的侧面的一部分、以及第2基板侧面的一部分。
在上述光器件中，在光波导基板的侧面设有用于设置多个半导体光元件的多个设置区域，并且，各多个设置区域，包括芯部的多个端面中的至少一个端面、第1基板侧面的一部分、以及第2基板侧面的一部分。通过该结构，可在光波导基板的侧面上确保可设置多个半导体光元件的空间，同时各多个半导体光元件通过跨过对应的端面，可以不通过包层部而光耦合各半导体光元件与芯部的各端面。所以，根据该光器件，可以提高各半导体光元件与芯部的光耦合效率。另外，通过在光波导基板的侧面设置多个半导体光元件，可在光器件内集成很多半导体光元件，并且可使光器件小型化。
另外，在上述各光器件中，所谓具有多个(或n个)半导体光元件，意思是包括具备多个(或n个)具有一个能动区域(光感应区域和发光区域等)的半导体光元件的情况，和至少具有一个这样的多个半导体光元件一体形成的半导体光元件阵列的情况的两种情况。
从以下给出的详细说明以及附图中，可以更加充分地理解本发明，但它们仅以示例方式给出并且不能被认为是限定本发明。
由以下给出的详细说明，本发明的应用范围将更加清楚。然而，应当理解，由于由这些详细说明在本发明的精神和范围内的各种变化和修改对于本领域的技术人员是显而易见的，所以这些表明本发明的优选实施方式的详细说明和特定例子，只是以示例方式给出。
附图说明
图1(a)表示第1实施方式的光器件结构的斜视图。图1(b)是从沿着该光器件具有的光波导管(芯部)的方向看图1(a)所示的光器件的侧视图。
图2(a)是表示沿着图1(a)所示的光器件的I-I线的截面(即，含光器件具有的光波导管(芯部)的截面)的侧面截面图。图2(b)是从沿着该光器件具有的光波导管(芯部)的方向看图1(a)所示的光器件的侧视图。
图3是表示在芯部的端面耦合了光学纤维的状态的图。
图4(a)、(b)是表示根据第1实施方式的光波导基板的制造工序的图。
图5是表示根据第1实施方式的光波导基板的制造工序的图。
图6是表示根据第1实施方式的光波导基板的制造工序的图。
图7是表示根据第1实施方式的光波导基板的制造工序的图。
图8(a)、(b)是表示根据第1实施方式的光波导基板的制造工序的图。
图9(a)、(b)是表示根据第1实施方式的光波导基板的制造工序的图。
图10(a)、(b)是表示根据第1实施方式的光波导基板的制造工序的图。
图11(a)、(b)是表示根据第1实施方式的光波导基板的制造工序的图。
图12是表示根据第1实施方式的光波导基板的制造工序的图。
图13(a)表示根据本发明的光器件的第2实施方式的结构的斜视图。图13(b)是从沿着该光器件具有的芯部方向看图13(a)所示的光器件的侧面图。
图14(a)～(d)是依次表示根据第2实施方式的光器件的制造工序的侧面截面图。
图15(a)～(c)是依次表示根据第2实施方式的光器件的制造工序的侧面截面图。
图16(a)、(b)是依次表示根据第2实施方式的光器件的制造工序的侧面截面图。
图17是作为根据第1实施方式的光器件的第1变形例而表示光波导基板的结构的斜视图。
图18(a)是表示作为根据第1实施方式的光器件的第2变形例的光波导基板的结构的斜视图。图18(b)是表示根据第2变形例的光器件的结构的侧面图。
图19是表示根据第1实施方式的光器件的第3变形例的结构的斜视图。
图20是表示作为第3变形例的其他形态的光器件的结构的斜视图。
图21是表示根据第1实施方式的光器件的第4变形例的结构的斜视图。
图22是表示作为根据第1实施方式的光器件的第5变形例的光波导基板的结构的斜视图。
图23是表示根据第1实施方式的光器件的变形例的结构的侧面截面图。
图24是表示作为第7变形例的光波导层的其他的制造方法。
图25(a)、(b)是表示作为第7变形例的光波导层的其他的制造方法的图。
图26(a)、(b)是表示作为第7变形例的光波导层的其他的制造方法的图。
图27是表示作为第7变形例的光波导层的其他的制造方法的图。
图28是表示作为第7变形例的光波导层的其他的制造方法的图。
图29是表示作为第7变形例的光波导层的其他的制造方法的图。
具体实施方式
下面，参照附图详细说明根据本发明的光器件的实施方式。另外，在附图说明中，相同的元素用相同的符号，省略重复的说明。
第1实施方式
图1及图2是表示根据本发明的光器件的结构的图。图1(a)是表示本实施方式的光器件1的结构的斜视图。图1(b)是从沿着该光器件1具有的光波导管(芯部)4a及4b的方向看图1(a)所示光器件1的侧面图。图2(a)是表示沿着图1(a)所示的光器件1的I-I线的截面(即，包括光器件1具有的光波导管(芯部)4a～4c的截面)的侧面截面图。图2(b)是从沿着该光器件1具有的光波导管(芯部)4c方向看图1(a)所示光器件1的侧面图。另外，为了容易理解，图2(b)中省略了光器件1具有的半导体光元件(光检测元件)6的图示。
参照图1及图2，本实施方式的光器件1，包括光波导基板2及光检测元件6。光波导基板2为所谓的埋入型光波导基板，有2块基板3和5、以及在基板3和5之间配置的光波导层4。基板3和5分别为本实施方式中的第1和第2基板。
基板3和5，分别有主面3a和5a，其平面形状(即从与主面3a和5a垂直的方向看的形状)形成为矩形状。另外，基板3和5配置为使主面3a和5a互相相向。在基板3的一个侧面3b，沿着在该侧面3b上的主面3a的边缘形成有阶梯部分3c。与此相同，在基板5的一个侧面5b上，沿着在该侧面5b上的主面5a的边缘形成有阶梯部分5c。从而，阶梯部分3c和5c，以及光波导层4的侧面4r整齐地排列在同一面内，并在光波导基板2的侧面2a上构成凹部2b的底面。
在基板3的主面3a上形成有槽3d～3f。槽3d～3f为，在光波导基板2的侧面2a上，分别表示在沿主面3a和5a的边缘的方向上的端面4e～4g位置的第1标记。另外，端面4e～4g为设置在光波导层4的内部的芯部4a～4c(后述)的各端面。即，槽3d～3f作为长度方向形成与主面3a的边缘交叉的方向，从光波导基板2的侧方向可以看到，形成为其一端到达与光波导基板2的侧面上的端面4e～4g对应的位置。槽3d～3f优选形成为例如中心位置有明确的V字形截面的形状。但是，若槽3d～3f的深度太深的话，在涂布光波导层4的包层部4h(后述)时产生涂布聚集，所以优选其槽3d～3f的深度在20μm～50μm的范围，特别优选在30μm左右。另外，关于槽3d～3f的宽度，例如在通过用碱溶液的各向异性蚀刻而形成槽3d～3f时，考虑基板3主面3a上的结晶轴方向来决定。
基板3和5可用例如硅、聚酰亚胺、玻璃、石英、玻璃环氧树脂、陶瓷等材料构成。在光波导层4由聚合物(高分子)构成时，由于热硬化光波导层4时光波导层4收缩，为了使热膨胀率匹配优选基板3和5也由与光波导层4同种材料构成。但是，若使用Si基板，由于Si基板自身几乎无热收缩，所以可维持作为基板整体的对准精度。另外，可用湿式蚀刻高效率地形成V槽等的“第1标记”，位置精度也良好。在使用Si基板时，虽然不能完全消除热膨胀系数的差，但作为解决对策，通过例如在Si基板与光波导层4之间，设置具有Si基板和光波导层4的中间的热膨胀系数的层，可以减小热收缩中的应力差。在考虑到光波导管特性时，为了使热膨胀系数匹配优选使用由与光波导层4同种材料构成的基板，但考虑对准精度和对准标记(第1标记，槽3d～3f)的形成等，考虑器件整体时，更优选Si基板作为基板3和5。另外，在基板3和5为由与光波导层4不同种材料构成时(例如相对聚酰亚胺制的光波导层4使用硅基板、玻璃基板时等)，为了抑制因光波导层4的收缩引起的光波导基板2的翘曲，优选使基板3和5(特别是基板3)的厚度比较厚(例如厚度300μm以上1mm以下)。
光波导层4为包括波导光的芯部4a～4c的层，设置在基板3的主面3a和基板5的主面5a之间。光波导层4，与基板3和5同样其平面形状形成为矩形，有包括在光波导基板2的侧面2a的侧面4r，以及沿着与该侧面4r交叉的方向延伸的侧面4p和4q(参照图2(b))。
另外，光波导层4有包层部4h，以及比包层部4h折射率大的芯部4a～4c。包层部4h在基板3的主面3a上(即基板3的主面3a和基板5的主面5a之间)形成为层状，芯部4a～4c被包层部4h覆盖。芯部4a～4c沿着与光波导层4的层厚方向(相对主面3a和5a垂直的方向)交叉的方向，换言之沿着主面3a和5a的方向延伸。在本实施方式中，芯部4a和4b以与侧面4p和4q交叉的方向为长度方向而形成，芯部4c以与侧面4r交叉的方向为长度方向而形成。芯部4a的一端在侧面4p露出，成为端面4e。芯部4b的一端在侧面4q露出，成为端面4f。芯部4c的一端在侧面4r露出，成为端面4g。芯部4a的另一端与芯部4b的另一端在光波导层4的内部互相相向，芯部4c的另一端朝向芯部4a和4b的另一端之间的间隙而配置。
另外，光波导层4包括波长滤波器4d。波长滤波器4d为根据该波长而选择性地反射光所含的波长成分的光学部件，被包层部4h包覆。波长滤波器4d有根据波长选择性地反射光的反射面，在芯部4a和4b的间隙中沿着主面3a设置，使得由芯部4a波导的光在该反射面内向芯部4c反射(反过来讲，使由芯部4c波导的光在该反射面上向芯部4a反射)。波长滤波器4d由例如基部和设置在该基部的反射面一侧的电介体多层膜构成。电介体多层膜层积有具有规定厚度和折射率的多个电介体层，能够根据波长选择性地反射光。
光波导层4的芯部4a～4c和包层部4h，由例如含以聚酰亚胺、硅酮、环氧树脂、丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)之类的有机类材料中的至少一种材料为主剂的聚合物构成。或者，为了得到根据被波导的光的波长的最佳透过特性，芯部4a～4c和包层部4h，也可以由含以在这些有机类材料的C-H基中的H被重氢取代的重氢化物(例如：重氢化硅酮)、或者在C-H基中的H被氟取代的氟化物(例如：氟化聚酰亚胺)为主剂的聚合体构成。(另外，在以下说明中，将以这些有机类材料或其重氢化物、氟化物为主剂的聚合体简单地称作“聚酰亚胺等的聚合物”。)另外，芯部4a～4c和包层部4h，即使在这些有机类材料中，还是优选含有玻璃转变温度高的耐热性优异的聚酰亚胺而构成。通过芯部4a～4c和包层部4h含有聚酰亚胺，可以长期维持光波导层4的可靠性，同时也可以耐焊接时的热。另外，更为合适的是，芯部4a～4c和包层部4h，考虑到光透过率、折射率特性等也可以含氟化聚酰亚胺而构成。
另外，在芯部4a～4c和包层部4h由聚酰亚胺等的聚合物(高分子)构成时，由于在使芯部4a～4c和包层部4h热硬化时芯部4a～4c和包层部4h收缩，为了使热膨胀率匹配，波长滤波器4d也和芯部4a～4c和包层部4h同样优选含聚酰亚胺等的聚合物而构成。另外更为优选的是，波长滤波器4d与芯部4a～4c和包层部4h含同种材料。例如，芯部4a～4c和包层部4h由以氟化聚酰亚胺为主剂的聚合物构成时，优选波长滤波器4d也由以氟化聚酰亚胺为主剂的聚合物构成。
这里，光波导层4还有膜4i～4o。膜4i～4o是在光波导层4的层厚方向上的、表示芯部4a～4c的端面4e～4g的位置的第2标记。膜4i～4o由含与包层部4h不同的材料(例如金属)构成，以从包层部4h的侧面4p～4r露出的方式埋入包层部4h的内部。
具体的是，膜4i和4j，在芯部4a的端面4e附近，并列配置在与光波导层4的层厚方向和芯部4a的长度方向二者交叉的方向上，并且，配置为使得芯部4a位于膜4i和4j之间。另外，膜4i和4j，在光波导层4的内部与芯部4a同样在层内形成，为了可从光波导层4的侧面4p侧目视辨认，其一端在侧面4p上露出。膜4k和4m，在芯部4b的端面4f附近，并列配置在与光波导层4的层厚方向和芯部4b的长度方向二者交叉的方向，并且，配置为使芯部4b位于膜4k和4m之间。膜4k和4m，在光波导层4的内部与芯部4b同样形成在层内，为了可从光波导层4的侧面4q侧目视辨认，其一端在侧面4q露出。另外，膜4n和4o，在芯部4c的端面4g附近，并列配置在与光波导层4的层厚方向和芯部4c的长度方向二者交叉的方向，并且，配置为使芯部4c位于膜4n和4o之间。膜4n和4o，在光波导层4的内部与芯部4c同样形成在层内，为了可从光波导层4的侧面4r侧目视辨认，膜4n和4o的一端在侧面4r露出。
另外，由于膜4i～4o与芯部4a～4c位于相同层，所以若形成在距离芯部4a～4c太近的位置会影响芯部4a～4c内的光的传播。所以，在膜4i～4o与芯部4a～4c之间，优选设有充分的间隔(例如20μm)。
另外，芯部4a与膜4i和4j的间隔，以及芯部4b与膜4k和4m的间隔，优选根据结合在芯部4a、4b的端面4e、4f的光学纤维的直径而设定。这里，图3是表示在端面4e、4f结合光学纤维的状态的图。另外，在图3中，圆周10表示光学纤维的外边缘。例如，一般单模光学纤维的直径d为125μm。因此，若将芯部4a与膜4i和4j的间隔(芯部4b与膜4k和4m的间隔)x设定为例如直径d的一半62.5μm，则由于纤维端的外周10与膜4i～4m的端部的位置一致，所以可以精度很好而适当地进行光学纤维的对准。另外，可以将膜4i～4m作为光学纤维接合后的对准精度的确认用而使用。
作为膜4i～4o的材料，可以用例如Al、Ti、Cr和WSi等。另外，虽然若膜4i～4o的厚度比较厚则在侧面4p～4r上容易目视辨认膜4i～4o，但由于如后面说明的那样膜4i～4o通过干式蚀刻等形成，所以若考虑其蚀刻条件则膜4i～4o的合适厚度为例如0.2μm～1.5μm。
光检测元件6为本实施方式的半导体光元件。作为光检测元件6，适合使用例如光电二极管。本实施方式的光检测元件6，在其表面有光检测区域(光检测面)6a。另外，光检测元件6朝着光检测区域6a与光波导基板2的侧面2a相向的方向，设置在该侧面2a的设置区域2c(参照图2(b))上。设置区域2c，在光波导基板2的侧面2a上，设定为含芯部4c的端面4g、基板3的侧面3b的一部分、和基板5的侧面5b的一部分的区域。由此，光检测元件6跨过芯部4c的端面4g，设置于从基板3的侧面3b上至基板5的侧面5b上。从而光检测元件6被定位为使光检测区域6a与芯部4c的端面4g相互光耦合。
此外，光检测元件6被设置在侧面2a上的没有图示的粘结剂层固定在光波导基板2上。该粘结剂层由例如透明的树脂构成，通过使光检测元件6与光波导基板2相互固定的同时，掩埋光检测元件6的光检测区域6a与芯部4c的端面4g的间隙，可具有使光检测区域6a与端面4g的折射率匹配的功能。该粘结剂层通过使透明树脂流入光波导基板2的凹部2b并固化而形成。所以，优选设置区域2c包含在凹部2b的底面内。
另外，作为本实施方式的光检测元件6，适宜使用例如背面入射型的光电二极管。另外，作为光器件1具备的半导体光元件，不限于光检测元件6，也可以使用发光元件(例如激光二极管、LED等)。另外，在芯部4a的端面4e和芯部4b的端面4f上，与例如光学纤维一类的光传输介质，或与光检测元件6结合有其他的半导体光元件。
对具有以上结构的光器件1中，光波导基板2的制造方法进行说明。图4～图12是依次表示本实施方式的光波导基板2的制造工序的图。
首先，如图4(a)所示，准备有主面30a的晶片30。另外，图4(a)为表示晶片30外观的平面图，图4(b)为切取图4(a)所示晶片30的一部分30b的斜视图。接着，如图4(a)和图4(b)所示，在晶片30的主面30a形成槽3d～3f。此时，作为例子，在使用Si基板时，例如若通过湿式蚀刻形成槽3d～3f，可形成具有如图所示的V字形截面的槽3d～3f。另外，若通过例如干式蚀刻形成槽3d～3f，可形成具有矩形截面的槽3d～3f。
接着，如图5所示，在晶片30的主面30a上形成下部包层40a。该下部包层部40a，为构成图1和图2所示的包层部4h的一部分的层。此时，在用聚酰亚胺等的聚合物形成下部包层40a时，可通过在主面30a上涂布(优选旋涂)形成下部包层40a。然后，在下部包层40a上形成膜4i～4o。具体的是，通过在下部包层部40a上形成金属膜，使用具有根据膜4i～4o的平面形状的图案的掩模蚀刻该金属膜(优选干蚀刻)，形成膜4i～4o。
接着，如图6所示，在下部包层40a上形成芯部4a～4c。具体的是，在下部包层40a上涂布形成由芯部4a～4c的材料构成的芯层，在其上，形成具有根据芯部4a～4c的平面形状(芯图案)的图案的掩模。然后，通过该掩模蚀刻芯层，形成芯部4a～4c。此时，用比下部包层40a的折射率高的材料形成芯部4a～4c。然后，如图7所示，在下部包层40a上设置波长滤波器4d。
接着，如图8(a)和图8(b)所示，将与下部包层40a同样的包层部材料，涂布形成为，将下部包层40a、芯部4a～4c以及波长滤波器4d全部包覆。如此，形成内部含有芯部4a～4c以及波长滤波器4d的包层40b。
接着，如图9(a)和图9(b)所示，在晶片30的主面30a上形成矩形截面的槽30c。此时，可以通过沿着下面工序中的切断预定线的至少一部分，至晶片30的厚度的中途进行切割(半切断)形成槽30c。在图9所示的例中，槽30c沿着应该形成有芯部4a～4c的端面4e～4g的面而形成。通过该槽30c，包层40b被切断，形成具有侧面4p～4r的光波导层4，同时形成芯部4a～4c的端面4e～4g。另外通过槽30c，形成在晶片30的主面30a上槽3d～3f、以及形成在光波导层4内部的膜4i～4o，在侧面4p～4r露出。
接着，如图10(a)和图10(b)所示，将晶片30通过切割沿切断线A1切断成片状。此时，在沿着切断线A1形成槽30c时，沿着槽30c的中心线切断晶片30。此外，图10(b)为表示切断后的片的斜视图。如图10(b)所示，通过该切断工序，形成具有侧面3b和阶梯部分3c的基板3。
另外，如图11(a)和图11(b)所示，准备不同于晶片30的其他的晶片50，在晶片50的主面50a上形成矩形截面的槽50c。此时，槽50c形成在与图9所示的槽30c对称的位置。然后，通过切割等将晶片50沿切断线A2切断成片状。此时，在沿着切断线A2形成槽50c时，沿着槽50c的中心线切断晶片50。图11(b)为表示切断后的芯片的斜视图。如图11(b)所示，通过该切断工序，形成具有主面5a、侧面5b和阶梯部分5c的基板5。另外，形成该基板5的工序，可在形成上述基板3和光波导层4的工序之前进行，也可以与这些工序并行进行。
接着，如图12所示，通过贴合基板3和光波导层4构成的片和基板5，完成光波导基板2。此时，以使基板3的侧面3b和基板5的侧面5b互相整齐的方式使主面3a和主面5a相向，使基板3上的光波导层4的表面和基板5的主面5a相互贴合。另外，此时，可通过例如树脂等粘结剂贴合光波导层4和基板5。这样就完成了本实施方式的光波导基板2。在制造本实施方式的光器件1时，在该光波导基板2的设置区域2c上设置光检测元件6。此时，在光波导基板2的侧面2a，形成有表示芯部4c的端面4g的位置的槽3f和膜4n和4o，所以可容易地在端面4g上定位光检测元件6的光检测区域6a(参照图1和图2)。
另外，光波导基板2的侧面的凹部(例如2b)，可通过形成图9和图11所示的槽30c和50c实现。因此，通过沿着晶片30和50的切断线A1、A2中的任意切断线A1、A2形成槽30c和50c，可在光波导基板2的任意侧面形成凹部。
另外，在上述制造方法中，在分别个别地切断晶片30和50后，贴合片状的基板3和5形成光波导基板2。除了该制造方法以外，也可以通过在例如晶片30和50上分别形成槽30c和50c后，在切成片状之前互相贴合晶片30和50，一起切断晶片30和50，形成光波导基板2。此时，由于使槽30c和50c相向地相互贴合晶片30和50，所以贴合后槽30c和50c隐藏起来。因此，可在贴合晶片30和50前，预先在晶片30和50的里面标记表示切断线A1、A2的记号，在晶片30和50互相贴合后，对着该记号切断晶片30和50。另外，在贴合晶片30和50时使用树脂等粘合剂时，优选不使该粘合剂进入槽30c和50c。
另外，在用单模波导光时，下部包层40a(图5)的厚度，优选为例如10μm以上20μm以下。特别是在由氟化聚酰亚胺形成光波导层4时，下部包层40a的合适厚度为例如15μm。另外，芯部4a～4c(图6)的厚度(层厚方向的高度)，优选为例如5μm以上10μm以下。特别是在通过氟化聚酰亚胺形成光波导层4时，芯部4a～4c的合适厚度为例如9μm。另外，包层40b(图8)的厚度，优选为例如从芯部4a～4c的上面起10μm以上30μm以下。特别是在通过氟化聚酰亚胺形成包层40b时，包层40b的合适厚度为例如从芯部4a～4c的上面起20μm。
另外，在用多模波导光时，下部包层40a、芯部4a～4c、以及包层40b的厚度，可在例如10μm～数百μm的宽范围中自由设定，根据用途决定。
另外，在平行主面3a的方向的波长滤波器4d的厚度，例如在波长滤波器4d由聚酰亚胺构成时，优选为30μm～100μm左右。但是，为了抑制透过波长滤波器4d的光的损失，波长滤波器4d的厚度越薄越好(例如30μm～40μm)。另外，由于需要用包层40b包覆波长滤波器4d，所以波长滤波器4d的高度(即在主面3a的法线方向的波长滤波器4d的宽度)，优选例如在30μm～50μm左右。另外，在平行主面3a的方向的波长滤波器4d的宽度，可根据波长滤波器4d的设置稳定性和设置空间的宽度适当决定，例如在200μm～400μm左右比较适当。
下面对以上说明的本实施方式的光器件1所具有的效果进行说明。在本实施方式的光器件1中，用于设置光检测元件6的设置区域2c被设置在光波导基板2的侧面2a上，并且，设置区域2c，含成为光波导管的芯部4c的端面4g以及基板3和5的各侧面3b和5b的一部分。通过该结构，可在光波导基板2的侧面2a上确保可设置光检测元件6的空间，同时通过光检测元件6跨过芯部4c的端面4g，可不通过包层部4h而光耦合光检测元件6与芯部4c的端面4g。所以，根据本实施方式的光器件1，可以避免日本特开平10-293219号公报所公开的在光波导耦合器中产生的因包层部等引起的光散射，所以可以提高光检测元件6的光检测区域6a与芯部4c的光耦合效率。
另外，在日本特开平10-293219号公报中所公开的在光波导耦合器中，波长滤波器埋设置在切割槽内。但是，切割槽是沿着一个方向直线性地形成的，所以在与切割槽的形成方向交叉的方向延伸的光波导管全部被切断，绕过波长滤波器的光波导管也被切断。对此，由于在本实施方式的光器件1中，是在光波导层4的侧面4r上使芯部4c与光检测元件6光耦合的结构，例如即使是在绕过波长滤波器4d并使端面4e与端面4f直接光耦合的情况下，也可以将这样绕过用的芯部适当地形成在光波导层4内。
另外，如本实施方式，设置区域2c，优选被包含在形成在光波导基板2的侧面2a的凹部2b的底面上。由此，可以通过将用于粘结、折射率匹配的树脂层流入凹部2b内而容易的形成。
另外，如本实施方式，光波导基板2的凹部2b，优选含有在各基板3和5中沿着主面3a和5a的边缘形成的阶梯部分3c和5c而构成。这样的阶梯部分3c和5c，在从晶片30和50切出基板3和5时，可以通过预先形成沿着切断线A1和A2的矩形截面的槽30c和50c而容易地形成(参照图9～图11)。因此，根据本实施方式的光器件1，可容易地在光波导基板2的侧面2a上形成底面含设置区域2c的凹部2b。
另外，如本实施方式，优选在光波导基板2的侧面2a，形成表示在沿基板3和5的主面3a和5a的方向上的芯部4a～4c的端面4e～4g的位置的第1标记(槽3d～3f)。在光波导层4中，多数情况下，芯部4a～4c和包层部4h二者，由相对波导光透明的材料构成。在这样的情况下，即使制成芯部4a～4c的端面4e～4g从光波导层4的侧面4p～4r露出，也难以目视辨认该端面4e～4g。但是，若不能把握端面4e～4g的正确位置，端面4g与光检测元件6的相对位置，或端面4e和4f与光传输介质的相对位置有可能产生错位。从而，在端面4e～4g与光检测元件6或与光传输介质的相对位置精度低的情况下，这些端面与光检测元件6或与光传输介质的光耦合效率被抑制低。
对此，根据本实施方式的光器件1，通过在光波导基板2的侧面(2a等)，形成表示沿着主面3a和5a的方向上的端面4e～4g的位置的第1标记，可容易并正确地目视辨认沿着这些主面3a和5a的边缘的方向的端面4e～4g的位置，所以，可在光波导基板2的侧面(2a等)上位置精度很好的安装光检测元件6或光传输介质。于是，根据本实施方式的光器件1，由于可以提高光检测元件6或光传输介质与端面4e～4g的相对位置精度，所以可进一步提高光检测元件6与端面4g的光耦合效率，还可以提高光传输介质与端面4e和4f的光耦合效率。
另外，如本实施方式，表示端面4e～4g的位置的第1标记，优选由达到光波导基板2的侧面地形成在基板3的主面3a的槽3d～3f构成。由此，可在光波导基板2的侧面(2a等)设置可容易形成且确实地目视辨认的第1标记。
另外，如本实施方式，光波导层4，优选在侧面4p～4r有表示在层厚方向的端面4e～4g的位置的第2标记。由此，可容易并正确地目视辨认光波导层4的层厚方向上的端面4e～4g的位置，所以，可在光波导基板2的侧面(2a等)上位置精度很好地安装光检测元件6或光传输介质。于是，根据本实施方式的光器件1，由于可以提高光检测元件6或光传输介质与端面4e～4g的相对位置精度，所以可进一步提高光检测元件6与端面4g的光耦合效率，还可以提高光传输介质与端面4e和4f的光耦合效率。
另外，如本实施方式，表示端面4e～4g的位置的第2标记，优选是以从含与包层部4h不同材料的包层部4h的侧面4p～4r露出的方式埋入包层部4h的膜4i～4o。由此，可在光波导层4的侧面4p～4r形成可确实目视辨认的第2标记。
第2实施方式
图13(a)表示本发明的光器件的第2实施方式的结构的斜视图。图13(b)是沿着该光器件11具有的芯部4a和4b方向看图13(a)所示光器件11的侧面图。本实施方式的光器件11与上述第1实施方式的光器件1在结构上的不同点在于金属膜7a和7b的有无。即，如图13(a)和图13(b)所示，本实施方式的光器件11具备的光波导基板21，除了第1实施方式的光波导基板2的结构之外还有金属膜7a和7b。另外，关于光器件11中金属膜7a和7b以外的结构，因为与上述第1实施方式的光器件1的结构同样，所以省略详细的说明。
金属膜7a和7b是由例如Cr/Au、Ti/Pt/Au、Au/Sn一类的金属构成的膜。金属膜7a，形成在基板3的侧面3b上(本实施方式中，阶梯部分3c上)。另外金属膜7b，形成在基板5的侧面5b上(阶梯部分5c上)，以及基板5的主面5a和光波导层4之间。其中，金属膜7a和金属膜7b中在基板5的阶梯部分5c上形成的部分，构成与光检测元件6电连接的配线图案。另外，位于金属膜7b中基板5的主面5a与光波导层4之间的部分，构成用于使基板5和光波导层4互相接合的层(金属层)。
即，金属膜7a，在基板3的阶梯部分3c上沿着主面3a的边缘的方向上延伸，在其设置区域2c内的部分上，接合有光检测元件6的突起电极(bump electrode)6b。另外，金属膜7a的设置区域2c以外的部分，通过未图示的焊丝等电连接于光器件11的外部电路。另外，金属膜7b中基板5的阶梯部分5c上所设置的部分，在该阶梯部分5c沿着主面5a的边缘的方向延伸，在其设置区域2c内的部分，接合有光检测元件6的其他的突起电极6b。另外，金属膜7b的设置区域2c以外的部分，通过未图示的焊丝等电连接在光器件11的外部电路。另外，作为本实施方式的光检测元件6，适合使用例如表面入射型的光电二极管。
另外，位于金属膜7b中基板5的主面5a与光波导层4之间的部分，在基板5的主面5a与光波导层4之间形成为层状。金属膜7b的这部分，为在光波导基板21的制造工序中接合基板5和光波导层4时所使用的部分，如后面所述，在光波导层4上形成的金属膜(例如Cr/Au)，与形成在基板5的主面5a上的金属膜(例如Cr/Au)相互热压接。
下面对具有以上结构的本实施方式的光器件11的制造方法进行说明。图14～图16是依次表示光器件11的制造工序的侧面截面图。
首先，如图14(a)所示，在晶片30的主面30a上形成光波导层4，在晶片30形成槽30c。另外，光波导层4和槽30c的形成方法，与上述第1实施方式(图4～图9)同样。然后，如图14(b)所示，在光波导层4上，以及晶片30的槽30c的底面上和侧面上，用蒸镀或溅射形成由例如Cr/Au、Ti/Pt/Au、Au/Sn构成的金属膜70。然后，以使光波导层4的侧面4p～4r从金属膜70露出的方式，将仅在槽30c的侧面上形成的金属膜70中在光波导层4的侧面4p～4r上所形成的部分通过切割半切断而削薄(图14(c))。另外，也可以用蚀刻等去除金属膜70的这部分。然后，如图14(d)所示，通过沿着切断线A1(参照图10)切断晶片30，形成基板3。
此外，如图15(a)所示，在晶片50的主面50a上形成槽50c，另外，槽50c的形成方法，与上述第1实施方式(参照图11)同样。接着，如图15(b)所示，在晶片50的主面50a上，以及槽50c的底面上和侧面上，蒸镀形成由Cr/Au构成的金属膜71。然后，如图15(c)所示，通过沿着切断线A2(参照图11)切断晶片50，形成基板5。
然后，如图16(a)所示，通过贴合由基板3和光波导层4构成的片和基板5，完成光波导基板21。此时，使基板3的主面3a与基板5的主面5a互相相向，边加热边相互压接光波导层4上的金属膜70和主面5a上的金属膜71。此时，如图16(b)所示，光波导层4上的金属膜70和主面5a上的金属膜71成为一体，金属膜7b中光波导层4与基板5之间的层状部分被形成。如此，形成本实施方式的光波导基板21。最后，通过在形成在基板3的阶梯部分3c中设置区域2c所含的部分上的金属膜70(即金属膜7a)，以及形成在基板5的阶梯部分5c中设置区域2c所含的部分上的金属膜71(即金属膜7b中阶梯部分5c上的部分)上，通过光检测元件6的突起电极6b接合光检测元件6，将光检测元件6设置(安装)在光波导基板21上。另外，在本实施方式的金属层(金属膜7a、7b)中使用Au/Sn时，只要半导体光元件侧有电极面，也可以没有突起电极而接合。如此完成本实施方式的光器件11。
根据本实施方式的光器件11，与上述第1实施方式的光器件1同样，既可以在光波导基板21上确保可设置光检测元件6的空间，也可以使光波导层4的芯部4c的端面与光检测元件6合适地光耦合。所以，可以提高光检测元件6的光检测区域6a与芯部4c的光耦合效率。
另外，如本实施方式的光器件11，光波导基板21也可以在设置区域2c的基板3和5的各侧面3b和5b上(在本实施方式中，阶梯部分3c和5c上)，具有与光检测元件6电连接的金属膜7a、7b一类的配线图案。由此，可以在光波导基板21的侧面上确保光检测元件6的电连接方式，可直接在光波导基板21的侧面上安装光检测元件6。另外，在本实施方式的光器件11中，由于可提高光波导层4的芯部4c与光检测元件6的光检测区域6a的间隙中的光耦合效率，所以优选在光波导层4的芯部4c的端面与光检测元件6之间形成折射率匹配用的树脂层。
另外，如本实施方式的光器件11，光波导基板21也可以在基板5和光波导层4之间有用于接合基板5和光波导层4的金属层(金属膜7b)。即，在制造光波导基板21时，如上所述在光波导层4的表面上，以及基板5的主面5a上分别形成金属膜70和71，通过热压接金属膜70和71，可使光波导层4和基板5牢固接合。所以，根据本实施方式的光器件11，可实现光波导层4和基板5相互牢固接合的光波导基板21。
第1变形例
图17是作为上述第1实施方式的光器件1的第1变形例，表示光波导基板22的结构的斜视图。本变形例的光波导基板22与第1实施方式的光波导基板2在结构上的不同点在于，凹部2b(参照图1)的有无。即，本变形例的光波导基板22，其侧面22a被形成为平坦。具体的是，光波导基板22具有基板31和51、以及设置在基板31和51之间的光波导层4。于是，基板31的侧面31b，以及基板51的侧面51b，分别平坦地形成。基板31和51的这样的侧面31b和51b，通过例如在图9～图11所示的制造工序中，不形成槽30c和50c而分别切断晶片30和50，可以适当形成。
另外，本变形例的光波导基板22的侧面22a中，用于设置光检测元件6的设置区域2c，设置在含芯部4c的端面4g、该端面4g附近的基板3的侧面31b的一部分、以及该端面4g附近的基板5的侧面51b的一部分的区域上。
光器件具有的光波导基板，如本变形例的光波导基板22那样，其侧面也可以平坦地形成。通过光器件具有这样的光波导基板22，可以得到与第1实施方式的光器件1同样的作用效果。
第2变形例
图18(a)是作为上述第1实施方式的光器件1的第2变形例，表示光波导基板23的结构的斜视图。图18(b)是表示本变形例的光器件12的结构的侧面图。另外，图18(b)是从沿着该光器件12具有的芯部4a和4b方向看光器件12的侧面图。
本变形例的光器件12与第1实施方式的光器件1在结构上的不同点在于，光波导基板23的形状。即，本变形例的光波导基板23，有基板52代替第1实施方式的基板5。并且，基板52的阶梯部分52c，形成得比基板3的阶梯部分3c浅。由此，在基板3的侧面3b和基板52的侧面52b之间产生阶梯。该阶梯在基板3的侧面3b中的设置区域2c所含的部分，以及在基板52的侧面52b中的设置区域2c中所含的部分之间也产生。因此，如图18(b)所示，在光器件12中，设置在光波导基板23的侧面23a上的光检测元件6倾斜。
这样，根据本变形例的光器件12，通过在基板3的侧面3b和基板52的侧面52b之间的阶梯，光检测元件6相对从芯部4c的端面4g射出的光(被检测光)的光轴倾斜。所以，在如本变形例这样使用光检测元件6作为半导体光元件时，使该光检测元件6的光检测区域6a相对被检测光的光轴适当地倾斜，可以减少在光检测区域6a中的菲涅尔反射。菲涅尔反射是指在光波导管入射部、出射部的边界端面上的反射。通过在边界面具有角度，可以减少因反射引起的返回光。这里，在本实施方式的情况中，通过倾斜地装载光检测元件可以减少菲涅尔反射，而其角度在约8°为佳。另外，由于由在侧面3b与侧面52b之间的阶梯而在光检测元件6的光检测区域6a和芯部4c的端面4g之间产生间隙，所以可容易地使折射率匹配用的树脂流入该间隙，可进一步提高光检测元件6与芯部4c的光耦合效率。
第3变形例
图19是作为上述第1实施方式的光器件1的第3变形例，表示光器件13的结构的斜视图。本变形例的光器件13与第1实施方式的光器件1在结构上的不同点在于，光检测元件6的个数。即，本变形例的光器件13，具有多个(例如4个)光检测元件6。并且，本变形例的光波导基板24具有光波导层41代替第1实施方式的光波导层4。光波导层41，构成为包含对应于光检测元件6的个数的数的芯部4c和波长滤波器4d。
具体的是，光波导基板24具有基板32(第1基板)和基板5(第2基板)、以及设置在基板32与基板5之间的光波导层41。其中，基板5的构成，除了只有多个光检测元件6设置的部分尺寸长之外，其他与第1实施方式同样。光波导层41包括对应于光检测元件6的个数的多个芯部4c和波长滤波器4d，多个芯部4c的各端面4g，在光波导层41的侧面4r露出。这些端面4g沿着主面3a和5a的边缘的方向，并列配置在光波导层41的侧面4r。并且，作为用于表示层厚方向的各端面4g的位置的标记，光波导层41在各端面4g的附近包含露出在侧面4r的膜4n和4o。另外，光波导层41有芯部4f。芯部4f配置在多个波长滤波器4d之间，以与侧面4p和4q交叉的方向为长度方向形成。在基板32上，用于表示各端面4g的位置的多个槽3f，根据沿主面3a的边缘的方向的各端面4g的位置形成。
在光波导基板24的侧面，设定根据光检测元件6的个数的多个设置区域2c。这些各多个设置区域2c，设定为含各端面4g、基板32的侧面3b的一部分(本变形例中，阶梯部分3c的一部分)、以及基板5的侧面5b的一部分(阶梯部分5c的一部分)。并且，各多个光检测元件6，分别设置在多个设置区域2c上。
根据本变形例的光器件13，可以在光波导基板24的侧面上确保可设置多个光检测元件6的空间的同时，各多个光检测元件6通过跨过对应的端面4g，可不通过包层部4h而使各光检测元件6与芯部4c的各端面4g光耦合。因此，根据本变形例的光器件13，与上述第1实施方式的光器件1同样，可以避免包层部等引起的光散射，提高各光检测元件6与各芯部4c的光耦合效率。另外，通过多个各光检测元件6设置在光波导基板24的侧面，可在光器件13中集成很多各光检测元件6，并且可以使光器件13小型化。
另外，在日本特开平10-293219号公报中公开的光波导耦合器中，由于用于设置波长滤波器的槽形成为使光波导管断开，所以由于该槽光被衰减。所以，在经过芯部被波导的光被多个波长滤波器分支时，由于光的损失大所以分支的数(即设置的半导体光元件的个数)被抑制少。相对于此，在本变形例的光器件13中，由于各光检测元件6与各芯部4c相互直接光耦合，所以光的损失变小，可以增多光的分支数(光检测元件6的个数)。另外，若使用反射波长分别不同的多个波长滤波器，可以只分波半导体光元件的个数分波长成分。
另外，在日本特开平10-293219号公报中公开的光波导耦合器中，由于光波导管与半导体光元件通过包层光耦合，所以在具有多个半导体光元件时，光会在包层部传播，可能会在互相相邻的半导体光元件之间发生串扰。另外，为了避免串扰，多个半导体光元件需要相互具有充分的间隔而配置。相对于此，在本变形例的光器件13中，由于各光检测元件6与各芯部4c相互直接光耦合，所以可以减少在相邻的光检测元件6之间的串扰。因此，由于可以短间隔配置多个光检测元件6，所以与日本特开平10-293219号公报中公开的光波导耦合器比较，可将多个光检测元件6更加高密度地集成，或更加小型化。
图20是作为本变形例的其他的方式，表示光器件14的结构的斜视图。该光器件14与图19所示的光器件13在结构上的不同之处在于，代替多个光检测元件6而具有光检测元件阵列61。即，光器件14在光波导基板24的侧面上具备多个光检测元件形成为一体的光检测元件阵列61。光检测元件阵列61设置在光波导基板24的侧面中的整个多个设置区域2c上，多个光检测区域6a分别对应于多个设置区域2c。
像该光器件14那样，通过使用多个光检测元件一体形成的光检测元件阵列61代替多个光检测元件6，也可合适地得到本变形例的上述效果。
第4变形例
图21是作为上述第1实施方式的光器件1的第4变形例，表示光器件15的结构的斜视图。本变形例的光器件15与第1实施方式的光器件1在结构上的主要不同点在于，基板31与51的形状、基板31和光波导层4的层数、以及光检测元件6的个数。即，本变形例的光波导基板25，有在层厚方向层积了n层(n是2以上的整数，图21表示n＝4的情况作为一例)的光波导层4。这些n层的光波导层4，分别具有与第1实施方式的光波导层4同样的结构。并且，光波导基板25，具有与n层的光波导层4交替在层厚方向层积的n块基板31和一块基板51。具体的是，在各n块基板31上形成各n层的光波导层4，由基板31和光波导层4构成的单元在层厚方向被分n层层积，相互接合。并且，在位于层厚方向最端部的光波导层4的表面上接合有基板51。另外，本变形例的基板31和51，与已经叙述的第1变形例的基板31和51同样，其侧面31b和51b形成为平坦。
另外，在波导路基板25的侧面25a，设定n个设置区域2c。各n个设置区域2c，被设定为包括与n层光波导层4中对应的光波导层4的芯部4c的端面4g、配置在该光波导层4的相邻两侧的基板31的侧面31b(和基板51的侧面51b)的一部分。并且，各n个光检测元件6，分别设置在n个设置区域2c上。
根据本变形例的光器件15，可在光波导基板25的侧面上确保可设置n个光检测元件6的空间的同时，各n个光检测元件6通过跨过对应的光波导层4的芯部4c的端面4g，可不通过包层部4h而使各光波导层4的芯部4c的端面4g与各光检测元件6光耦合。因此，根据本变形例的光器件15，与上述第1实施方式的光器件1同样，可以避免包层部等引起的光散射并提高各光波导层4的芯部4c与各光检测元件6的光耦合效率。另外，通过在层厚方向层积n层光波导层4，可在光器件15中集成很多光波导管(芯部4a～4c)，并且可以使光器件15小型化。
第5变形例
图22是作为上述第1实施方式的光器件1的第5变形例，表示光波导基板26的结构的斜视图。本变形例的光波导基板26与第1实施方式的光波导基板2在结构上的主要不同点在于，凹部2b(参照图1)的有无、以及配置在2块基板之间的光波导层4的层数。即，本变形例的光波导基板26，有相互的主面3a相向配置的2块基板31，在这2块基板31之间重叠配置2层光波导层4。另外，在本变形例中，2块基板31中的一块基板31为本发明中的第1基板，另一块基板31为本发明中的第2基板。另外，光波导层4的结构(芯部4a～4c、波长滤波器4d、包层部4h、以及膜4i～4o)，与第1实施方式的光波导层4的结构同样。
2块基板31，具有与上述的第1变形例(参照图17)的基板31同样的结构。在本变形例中，2块基板31各个的主面3a上形成光波导层4，通过这些光波导层4的表面相互接合，构成光波导基板26。另外，光波导基板26的侧面26a中的设置区域2c，如图22所示可以是集中包括2层光波导层4的芯部4c的端面4g的区域。或者，也可以对这些端面4g分别个别地设定设置区域2c。
如本变形例，光波导基板也可以是在2块基板31之间具有多个光波导层4的结构。即使是这样的结构，也可以得到与上述第1实施方式的光器件1同样的作用效果。
第6变形例
图23是作为第1实施方式的光器件1的第6变形例，表示光器件16的结构的侧面截面图。本变形例的光器件16与第1实施方式的光器件1在结构上的不同点在于，配线基板8的有无。即，本变形例的光器件16，在光波导基板2的侧面2a和光检测元件6之间，包括具有与光检测元件6电连接的配线图案(例如9a和9b)的配线基板8。另外，本变形例的光器件16中的光波导基板2的结构，与上述第1实施方式同样。
配线基板8为有主面8a的板状部件。配线基板8以其背面与光波导层4的侧面4r互相相向的方式设置在光波导基板2的侧面2a上。另外，配线基板8中，在对应于芯部4c的端面4g的位置上形成有开口(贯通孔)8b一类的光通过部，通过被检测光L通过该开口8b，使光检测元件6的光检测区域6a与芯部4c的端面4g相互光耦合。
另外，在配线基板8的主面8a上，设有金属制的配线图案9a和9b。配线图案9a和9b，在配线基板8的主面8a上，被设置在包括相当于用于设置光检测元件6的设置区域2c上的区域的区域上。在配线图案9a和9b上，通过光检测元件6的突起电极6b接合光检测元件6而安装光检测元件6。另外，配线图案9a和9b，通过电线10a和10b等与光器件16的外部电路电连接。
根据本变形例的光器件16，可以将光检测元件6适当地安装在光波导基板2的侧面2a上，同时通过设置在配线基板8上的开口8b可以恰当地光耦合光检测元件6与芯部4c的端面4g。另外，通过将光检测元件6安装在配线基板8上后，将配线基板8安装在光波导基板2上，特别在使用多个光检测元件6的情况等中(参照图19和图21)，可容易地安装光检测元件6。另外，作为设置在配线基板8上的光通过部，除了本变形例所示的开口8b以外，也可以应用例如埋入配线基板8的透镜、透明部件等可以使光(被检测光)通过的各种形式。
第7变形例
图24～图29作为第7变形例，表示第1实施方式的光器件1具有的光波导层4的其他的制造方法。
首先，如图24所示，准备具有主面30a的晶片30。接着，如图25(a)和它的局部放大图25(b)所示，在晶片30的主面30a上形成下部包层40a。此时，在用聚酰亚胺等的聚合物形成下部包层40a时，可通过在主面30a上涂布(优选旋涂)下部包层40a形成。
然后，如图26(a)和它的局部放大图26(b)所示，在下部包层40a上形成芯层40c。此时，用比下部包层40a折射率高的材料形成芯层40c。另外，在用聚酰亚胺等的聚合物形成芯层40c时，与下部包层40a同样，可通过在下部包层40a上涂布(优选旋涂)芯层40c形成。
然后，通过掩模蚀刻芯层40c和下部包层40a，如图27所示形成芯部4a～4c以及定位部4t和4u。此时，使用具有芯部4a～4c和定位部4t和4u的平面形状的掩模蚀刻(优选干蚀刻)芯层40c和下部包层40a。这里，定位部4t和4u，是用于规定以下工序中设置的波长滤波器4d的反射面的位置的部分。定位部4t和4u，沿着应设置波长滤波器4d的区域的长度方向相互排列形成。另外，定位部4t和4u，有由互相相对的侧面4v和4w、以及侧面4x构成的凹部，定位部4t和4u各个的凹部相互相向配置。另外，定位部4t和4u中蚀刻芯层40c而形成的部分，位于与芯部4a～4c同样的层，同时由同样材料构成。
在形成芯部4a～4c和定位部4t和4u时，优选用干式蚀刻刻蚀芯层40c和下部包层40a。另外，为了确保定位部4t和4u的高度，优选蚀刻芯层40c和下部包层40a时的蚀刻深度，比芯层40c的厚度深。例如，可蚀刻芯层40c和下部包层40a直至露出晶片30的主面30a。
然后，如图28所示，在晶片30的主面30a上设置波长滤波器4d。此时，设置波长滤波器4d使得将波长滤波器4d的反射面压进定位部4t和4u的侧面4v。这样，通过将用与芯部4a～4c同样的掩模形成的定位部4t和4u用于决定波长滤波器4d的反射面的位置，可以提高相对芯部4a～4c的波长滤波器4d的反射面的位置精度。另外，当在下面工序形成的包层40b含聚酰亚胺等的聚合物时，可同样设置含聚酰亚胺等的聚合物的波长滤波器4d。另外，更优选的是，可设置含与包层40b同种材料的波长滤波器4d。
然后，如图29所示，形成折射率比芯部4a～4c低的包层40b。此时，形成包层40b，使其完全包覆主面30a、芯部4a～4c、定位部4t和4u、以及波长滤波器4d。由此，形成内部包含芯部4a～4c和波长滤波器4d的包层40b。另外，在由聚酰亚胺等的聚合物形成的包层40b时，可以通过涂布(优选旋涂)形成包层40b。然后，通过进行与第1实施方式的图9～11所示的工序同样的工序，完成本变形例的光波导基板。
如以上说明，根据本发明的光器件的如上述的一个以上的实施方式和变形例，可以提高半导体光元件和光波导管的光耦合效率。
本发明的光器件，并不限定于上述的各实施方式和各变形例，也可以有其他的各种变形。例如，在上述各实施方式和各变形例中，例示了在光波导层内含波长滤波器一类的光学部件的情况，但也可以为光波导层内不含光学部件的结构。另外，作为光学部件，除了波长滤波器以外也可以使用各种部件(例如半透半反镜)。
从本发明的详细说明看出，本发明显而易见地可进行多种方式的变化。不能认为这些变化超出了本发明的精神和范围，并且这些对于本领域的技术人员显而易见的修改都被认为在以下权利要求的范围内。

Claims (9)

1.一种光器件，其特征在于，
具备：
半导体光元件，以及
光波导基板，该光波导基板具有包括在与层厚方向交叉的方向上延伸的芯部、以及覆盖所述芯部的包层部的光波导层，并且在侧面具有与所述半导体光元件光学耦合的所述芯部的端面；
所述光波导基板还具有配置为互相的主面相向的第1和第2基板；
所述光波导层设置在所述第1基板和所述第2基板之间；
所述半导体光元件设置在所述光波导基板的所述侧面上的设置区域上；
所述设置区域包括所述芯部的所述端面、所述第1基板的侧面的一部分、以及所述第2基板的侧面的一部分；
所述光波导基板在所述侧面上具有表示沿着所述第1和第2基板的所述主面的边缘的方向上的所述端面位置的第1标记；
所述第1标记由槽构成，所述槽以到达所述光波导基板的所述侧面的方式在所述第1基板的所述主面上形成。
2.如权利要求1所述的光器件，其特征在于，
所述设置区域包含在凹部的底面上，所述凹部通过在所述第1基板的侧面和所述第2基板的侧面上设置整齐地排列在与所述光波导层的侧面相同的面内的阶梯部分而形成。
3.如权利要求1所述的光器件，其特征在于
所述光波导基板的凹部，包含分别在所述第1和第2基板上沿着所述主面的边缘形成的阶梯部分而构成。
4.如权利要求1所述的光器件，其特征在于，
所述光波导基板，在所述设置区域上的各所述第1和第2基板的侧面之间具有阶梯。
5.如权利要求1所述的光器件，其特征在于，
所述光波导基板，在所述设置区域上的各所述第1和第2基板的侧面上，还具有与所述半导体光元件电连接的配线图案。
6.如权利要求1所述的光器件，其特征在于，
在所述光波导基板的所述侧面与所述半导体光元件之间，还具备具有与所述半导体光元件电连接的配线图案的配线基板，
所述配线基板，在对应于所述芯部的所述端面的位置上具有光通过部。
7.如权利要求1所述的光器件，其特征在于，
所述光波导基板，在所述第2基板与所述光波导层之间还具备用于接合所述第2基板和所述光波导层的金属层。
8.一种光器件，其特征在于，
具备：
n个半导体光元件，n为2以上的整数，以及
光波导基板，该光波导基板具有包括在与层厚方向交叉的方向上延伸的芯部及覆盖所述芯部的包层部且在所述层厚方向上层积的n层光波导层，并且在侧面上具有与所述n个半导体光元件的各个进行光学耦合的各光波导层的所述芯部的端面；
所述光波导基板，还具有与所述n层光波导层交替地在所述层厚方向上层积的(n+1)块基板；
所述n个半导体光元件，分别设置在所述光波导基板的所述侧面上的n个设置区域上；
所述n个设置区域的各个，包括所述n层光波导层中对应的所述光波导层的所述芯部的所述端面、以及配置在该光波导层的相邻两侧的各所述基板的侧面的一部分；
所述光波导基板在所述侧面上具有表示沿着所述基板的所述主面的边缘的方向上的所述端面位置的第1标记；
所述第1标记由槽构成，所述槽以到达所述光波导基板的所述侧面的方式在配置在所述光波导层的相邻两侧的所述基板中的一个基板的所述主面上形成。
9.一种光器件，其特征在于，
具备：
多个半导体光元件，以及
光波导基板，该光波导基板具有包括在与层厚方向交叉的方向上延伸的芯部、及覆盖所述芯部的包层部的光波导层，且在侧面上具有与所述多个半导体光元件光学耦合的所述芯部的多个端面；
所述光波导基板，还具有互相的主面相向地配置的第1和第2基板；
所述光波导层，设置在所述第1基板和所述第2基板之间；
所述多个半导体光元件，分别设置在所述光波导基板的所述侧面上的多个设置区域上；
所述多个设置区域的各个，包括所述芯部的所述多个端面中至少一个所述端面、所述第1基板的侧面的一部分、和所述第2基板的侧面的一部分；
所述光波导基板在所述侧面上具有表示沿着所述第1和第2基板的所述主面的边缘的方向上的所述端面位置的第1标记；
所述第1标记由槽构成，所述槽以到达所述光波导基板的所述侧面的方式在所述第1基板的所述主面上形成。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI509300B (zh) * 2011-12-14 2015-11-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 光耦合模組及其製作方法
CN107850732A (zh) * 2015-07-29 2018-03-27 住友电气工业株式会社 具有形成在半导体基板上的多模耦合器的光学模块

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100492079C (zh) * 2004-06-09 2009-05-27 日本电气株式会社 光波导模块
JP2007057859A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 光送受信モジュール
KR101420623B1 (ko) * 2007-05-02 2014-07-17 호야 코포레이션 유에스에이 광 도파로와, 다른 광 도파로, 부품 또는 디바이스 간의 자유 공간 전파를 위한 광학 소자
JP2010015135A (ja) * 2008-06-03 2010-01-21 Hitachi Cable Ltd 光ファイバ固定溝付き光導波路基板およびその製造方法、その製造方法に用いる型、ならびに、その光導波路基板を含む光電気混載モジュール
KR20110017545A (ko) * 2009-08-14 2011-02-22 한국전자통신연구원 광 결합기
JP2012008423A (ja) * 2010-06-28 2012-01-12 Sharp Corp 光走査装置、及び該光走査装置を備えた画像形成装置
KR101256000B1 (ko) * 2011-04-13 2013-04-18 엘지이노텍 주식회사 광 모듈용 인터포저 및 이를 이용한 광모듈, 인터포저의 제조방법
JP5316617B2 (ja) * 2011-09-30 2013-10-16 住友大阪セメント株式会社 光導波路デバイス及びその製造方法
JP2013092758A (ja) * 2011-10-04 2013-05-16 Citizen Holdings Co Ltd 光デバイス及び光デバイスの製造方法
US20140151095A1 (en) * 2012-12-05 2014-06-05 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Printed circuit board and method for manufacturing the same
JP6288144B2 (ja) * 2016-04-01 2018-03-07 住友大阪セメント株式会社 光変調器
JP2019219459A (ja) * 2018-06-18 2019-12-26 日本電信電話株式会社 平面光波回路及び光デバイス
US11361998B2 (en) * 2019-08-30 2022-06-14 Innolux Corporation Method for manufacturing an electronic device
JPWO2022163481A1 (zh) * 2021-01-29 2022-08-04

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5009477A (en) * 1989-05-12 1991-04-23 At&T Bell Laboratories Optical interconnect arrangement
JPH0618728A (ja) * 1992-07-02 1994-01-28 Hitachi Cable Ltd 光導波路及びその製造方法
US5539848A (en) * 1995-05-31 1996-07-23 Motorola Optical waveguide module and method of making
GB2314478B (en) * 1996-06-17 2000-11-01 Sharp Kk A color image sensor and a production method of an optical waveguide array for use therein
US5636298A (en) * 1996-08-19 1997-06-03 Motorola Coalescing optical module and method for making
JPH10293219A (ja) 1997-04-18 1998-11-04 Toyo Commun Equip Co Ltd 光導波路カプラの構造
JP3723371B2 (ja) * 1999-02-26 2005-12-07 沖電気工業株式会社 光モジュール，光導波路素子，光モジュールの製造方法，及び光導波路素子の製造方法
JP2000275472A (ja) * 1999-03-26 2000-10-06 Fujitsu Ltd 光導波路付基板と該基板を用いる光モジュール装置
JP3844326B2 (ja) * 1999-03-31 2006-11-08 松下電器産業株式会社 集積化光モジュールの実装方法
GB2352085A (en) * 1999-07-15 2001-01-17 Univ Bristol Integrated semiconductor optical devices
JP2001042170A (ja) * 1999-07-28 2001-02-16 Canon Inc 光配線装置、その駆動方法およびそれを用いた電子機器
JP2002250846A (ja) * 2001-02-26 2002-09-06 Seiko Epson Corp 光モジュール及びその製造方法並びに光伝達装置
JP3885602B2 (ja) * 2001-04-23 2007-02-21 オムロン株式会社 光学素子及び当該光学素子を用いた光トランシーバその他の光学装置
JP4036008B2 (ja) * 2002-02-13 2008-01-23 住友電気工業株式会社 パラレル送受信モジュール
JP3945322B2 (ja) * 2002-06-27 2007-07-18 富士ゼロックス株式会社 光学素子およびその製造方法
JP3858995B2 (ja) * 2002-07-02 2006-12-20 オムロン株式会社 光導波路装置の製造方法
JP3788397B2 (ja) * 2002-07-12 2006-06-21 オムロン株式会社 光導波路装置及び光導波路装置を用いた通信機器
JP3858989B2 (ja) * 2002-07-15 2006-12-20 オムロン株式会社 光導波路装置の製造方法
JP2004264505A (ja) * 2003-02-28 2004-09-24 Seiko Epson Corp 光ファイバ送受信モジュール、光ファイバ送受信モジュールの製造方法及び電子機器
JP2004361660A (ja) * 2003-06-04 2004-12-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> アレイ導波路型波長分波素子

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI509300B (zh) * 2011-12-14 2015-11-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 光耦合模組及其製作方法
CN107850732A (zh) * 2015-07-29 2018-03-27 住友电气工业株式会社 具有形成在半导体基板上的多模耦合器的光学模块

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