CN101809771B - 具有镜层的薄膜发光二极管及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种薄膜发光二极管，其包括：势垒层(3)，在势垒层(3)之后的第一镜层(2)，在第一镜层(2)之后的层堆叠(5)和在层堆叠(5)之后的至少一个接触结构(6)。层堆叠(5)具有至少一个有源层(5a)，所述有源层发射电磁辐射。接触结构(6)设置在辐射出射面(4)上并且具有接触面(7)。第一镜层(2)在与接触结构(6)的接触面对置的区域中具有凹处，该凹处大于接触结构(6)的接触面(7)。由此提高了薄膜发光二极管的效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种具有镜层的薄膜发光二极管(LED)和一种用于制造该薄膜发光二极管的方法。
背景技术
可参考以下专利文献来获得有关本发明的背景技术：US2007/114545A1，EP1383177A，US2006/011935A1，US2006/060879A1和US5404031A。
发明内容
本专利申请要求德国专利申请10 2007 046 519.1的优先权，其公开内容通过引用结合于此。
本发明所基于的任务是：提出一种在辐射耦合输出方面高效的薄膜LED，其特征尤其在于降低在接触层中对辐射的吸收；以及提出一种制造该薄膜LED的方法。
该任务通过下述薄膜LED以及通过下述制造该薄膜LED的方法来解决。以下也描述了本发明的有利的扩展方案和改进方案。
根据本发明的薄膜LED包括：势垒层；势垒层之后的第一镜层；第一镜层之后的层堆叠，该层堆叠具有至少一个发射电磁辐射的有源层；以及该层堆叠之后的接触结构。接触结构设置在薄膜LED的辐射出射面上并且具有接触面。第一镜层在与接触结构的接触面对置的区域中具有凹处，该凹处大于接触结构的接触面。
第一镜层于是结构化为使得势垒层的未被第一镜层覆盖的区域在垂直方向上与接触结构的接触面对置，其中所述区域大于接触结构的接触面。
在薄膜LED的一个扩展方案中，势垒层在第一镜层的凹处的区域中可以直接与层堆叠的与接触结构对置的界面邻接。
接触结构可以包括接合垫和/或多个与接合垫电连接的接触接片，以便实现更好的电流扩展。通过设置以多个与接合垫导电连接的接触接片，可以实现在薄膜LED中的比较均匀的电流分布。
在下文中，接触结构的接触面在使用接合垫的情况下理解为接合垫的主面。在使用具有多个与接合垫电连接的接触接片的接合垫的情况下，接触面在下文中理解为由接合垫和接触接片形成的整个主面。
第一镜层可以构建为反射接触层，其中第一镜层在与接触结构的接触面对置的区域中具有凹处。从有源层来看，与辐射出射面对置的第一镜层于是结构化为使得在垂直方向上从有源层来看，层堆叠的主面的未被第一镜层覆盖的区域与接触结构对置。
由于凹陷的区域并不具有用作反射接触层的第一镜层，所以在凹处中未形成与邻接的层堆叠的电接触。由此，降低了在辐射出射面上的接触结构与层堆叠的如下区域中的凹处之间的电流：该区域在垂直方向上在接触结构的接触面之下以及在该接触面近旁。在有源层的该区域中的辐射产生由此被降低，由此有利地减少了在接触结构内对辐射的吸收。此外，通过第一镜层的凹处减少了所发射的辐射的被第一镜层朝着接触结构方向反射的部分。以此方式进一步减少了在接触结构中对辐射的吸收。由此有利地提高了薄膜LED的效率。
根据本发明，LED实施为薄膜LED。在薄膜LED的情况下，局部或者完全去除制造衬底，其中在该制造衬底上制造了用于LED的层堆叠，尤其是沉积层堆叠。制造衬底优选是生长衬底，在该生长衬底上外延地生长层堆叠。制造衬底优选被去除，使得另外的处理可到达层堆叠的朝着制造衬底的表面。
优选地，第一镜层的凹处的横向伸展比接触结构的接触面的横向伸展大5μm到20μm。
通过凹处可以实现降低在有源层的在垂直方向上在接触结构的接触面之下的区域中和在垂直方向上在接触结构的接触面近旁的区域中的电流密度。这意味着，实现了在有源层的其中进行光产生的区域和有源层的其中仅仅进行少量的光产生或者优选不进行光产生的区域之间的空间分离。少量的光产生的区域直接在接触结构的接触面之下以及在其近旁，该接触面对于由有源层发射的辐射起吸收作用。通过空间分离减少了由有源层发射的辐射被接触结构吸收的部分。由此有利地提高了薄膜LED的效率。
可替选地，相对于接触面的横向伸展增大超过20μm的凹处的横向伸展也是可能的。由此尽管对薄膜LED的光耦合输出没有不利影响，然而通过增大超过20μm的凹处的横向伸展得到了提高的二极管电压，该二极管电压导致降低有源层的效率。
本发明的另一扩展方案设计了，层堆叠的与辐射出射面对置的界面在凹处区域中改变为使得提高在层堆叠与第一镜层的凹陷的区域之间的接触电阻。
另一优选的扩展方案设计了，层堆叠的与辐射出射面对置的界面在凹处区域中改变为使得层堆叠的在凹处的区域中的界面不导电。
由于在第一镜层的凹陷的区域中提高了在层堆叠与第一镜层的凹陷的区域之间的接触电阻和/或层堆叠在凹处区域中的界面是不导电的，所以降低了在接触结构之下以及在其近旁的区域中的有源层中的电流并因此降低了其中的光产生，由此减少了有源层发射的在接触结构中对辐射的吸收。
优选地，层堆叠在凹处区域中的界面改变为使得提高了在层堆叠与第一镜层的凹陷的区域之间的接触电阻，特别优选的是层堆叠在凹处区域中的界面是不导电的，其中第一镜层的凹处具有第二镜层。
通过层堆叠的改变的界面，降低了在有源层的在垂直方向上在接触结构的接触面之下以及在其近旁的区域中的电流密度，使得在接触结构的接触面之下产生较少的辐射。通过位于第一镜层的凹处中并且因此位于层堆叠的界面上的第二镜层，将所发射的辐射的朝着第一镜层的凹处的方向反射的部分在第二镜层上朝着辐射出射面的方向反射。由此，可以将所发射的辐射的这部分在薄膜LED的辐射出射面上耦合输出。以此方式有利地提高了薄膜LED的效率。
本发明的另一优选的扩展方案设计了，接触结构的朝着层堆叠的主面具有反射层。特别优选的是，反射层包含Ag、Al和/或Pt层。
通过在接触结构的朝着层堆叠的主面上的反射层，将所发射的辐射的被第二镜层朝着接触结构的主面方向反射的部分向回朝着第一或者第二镜层反射。所发射的辐射的该部分又在第一镜层或第二镜层上朝着薄膜LED的辐射出射面的方向反射。通过这种方式，降低了在接触结构中对辐射的吸收，特别优选的是所发射的辐射并未被接触结构吸收。由此有利地提高了薄膜LED的效率。
优选地，将层堆叠的辐射出射面粗化。通过将辐射出射面粗化，使得在层堆叠与包围层堆叠的介质之间的界面上的反射率降低。由此，将辐射的更多的射到界面上的部分从层堆叠中耦合输出。因此，降低了由有源层发射的辐射的、在辐射出射面上朝着有源层的方向向回反射的部分。有利地提高了薄膜LED的效率。
本发明的另一扩展方案设计了，层堆叠的其上设置有接触结构的区域与层堆叠的其上没有设置接触结构的区域相比具有更低的层高度。由此，可以实现进一步提高由层堆叠发射的辐射的强度。
优选地，其上没有施加接触结构的层堆叠具有4μm到8μm之间的层高度，特别优选为6μm的层高度。层堆叠的其上施加有接触结构的区域优选具有50nm到3.5μm之间的层高度，特别优选地具有在100nm到2μm之间的层高度。
优选地，层堆叠的侧面至少之一具有另外的反射层。由此，所发射的辐射的、在没有所述至少一个另外的反射层的情况下会从层堆叠横向耦合输出的部分被朝着层堆叠的方向反射。通过在层堆叠中进一步反射，可以将所发射的辐射的该部分朝着辐射出射面的方向反射并且耦合输出。由此，进一步有利地提高了薄膜LED的效率。
优选地，所述另外的反射层包含Ag、Al和/或Pt，所述另外的反射层施加在层堆叠的侧面的至少之一上。
在本发明的另一有利的扩展方案中，发光转换层施加在薄膜LED的辐射出射面的至少一个部分区域上。发光转换层包含至少一种发光转换材料，其适于将薄膜LED发射的辐射的至少一部分朝着较大的波长进行波长转换。以此方式，尤其是可以借助发射紫外或者蓝色辐射的薄膜LED通过将所发射的辐射的一部分波长转换至互补的光谱范围(例如黄色光谱)中来产生白色光。合适的发光转换材料譬如YAG:Ce在WO98/12757中已知，其尤其是与发光材料有关的内容由此通过引用结合于此。
由于有利地改进了薄膜LED的效率，得到施加在辐射出射面上的发光转换层的另一优点，因为通过发光转换层进一步减少了由有源层发射的辐射朝着层堆叠的方向向回反射的数量。这基于的是：优选在层堆叠与发光转换层之间的折射率差小于在层堆叠与包围层堆叠的介质之间的折射率差。由于在辐射出射面上的较低的折射率差，所以提高了辐射的从层堆叠耦合输出的部分。
优选地，薄膜LED的层堆叠基于氮化物化合物半导体。“基于氮化物化合物半导体”在本上下文中意味着：有源外延层序列或者其至少一个层包括氮化物-III/V-化合物半导体材料，优选为AlnGamIn1-n-mN，其中0≤n≤1，0≤m≤1，并且n+m≤1。在此，该材料不必一定具有根据上式的数学上精确的组成。更确切地说，其可以具有一种或者多种掺杂材料以及附加的组成部分，它们基本上不改变AlnGamIn1-n-mN材料的典型的物理特性。然而出于简单的原因，上式仅仅包含晶格的主要组成部分(Al、Ga、In、N)，即使它们可以部分地通过少量其他材料来替代。
第一和/或第二镜层优选包含Al和/或Pt，特别优选包含Ag。势垒层优选包含TiWN。
薄膜LED的有源层优选包括pn结、双异质结构、单量子阱或者特别优选多量子阱结构(MQW)，用于产生辐射。术语量子阱结构在此并不包含关于量化维度的说明。因此，量子阱结构尤其是包括量子槽、量子线和量子点以及这些结构的任意组合。
一种用于制造根据本发明的薄膜LED的方法，包括如下方法步骤：
-提供生长衬底，
-外延地生长层堆叠，其适于产生电磁辐射，
-施加第一镜层，其在与所设置的接触结构的区域对置的区域中具有凹处，
-将势垒层施加在第一镜层上，
-从生长衬底剥离层堆叠，
-将具有接触面的接触结构施加在层堆叠的与第一镜层对置的侧上，其中接触结构被施加在与第一镜层的凹处对置的区域中，并且接触结构的接触面小于第一镜层的凹处。
第一镜层于是结构化为使得在垂直方向上与接触结构的接触面对置有势垒层的未被第一镜层覆盖的区域，该区域大于接触结构的接触面。第一镜层优选构建为反射接触层，其优选建立与邻接的层堆叠的欧姆接触。
通过凹处降低了在有源层的如下区域中的电流密度：该区域在垂直方向上在接触结构的接触面之下且直接在其旁，使得在接触结构的接触面之下的有源层产生较少的辐射。此外，通过第一镜层的凹处减少了所发射的辐射的、被第一镜层朝着接触结构的接触面的方向反射的部分。以此方式减少了在接触结构中对辐射的吸收。由此有利地提高了薄膜LED的效率。
该方法的一个有利的改进方案设计了，在施加势垒层之前使层堆叠的在第一镜层的凹处区域中的界面通过等离子体工艺来损伤。尤其是，层堆叠的在第一镜层的凹处区域中的界面通过溅射工艺来损伤。优选地，层堆叠的在第一镜层的凹处区域中的界面被损伤为使得层堆叠的在该区域中的界面不导电。
由于层堆叠的在凹处中的界面优选是不导电的，所以降低了有源层在凹处区域中的电流密度，使得在接触结构的接触面之下的有源层产生较少的辐射。由此有利地减少了由有源层发射的辐射的被接触结构吸收的部分。
该方法的另一个有利的改进方案设计了，在施加势垒层之前将第二镜层施加到层堆叠的、在第一镜层的凹处中的受损伤的界面上。通过第二镜层，将所发射的辐射的朝着第一镜层的凹处方向反射的部分在第二镜层上朝着辐射出射面的方向反射。由此，所发射的辐射的该部分在薄膜LED的辐射出射面上耦合输出。有利地提高了薄膜LED的效率。
在至少一个另外的扩展方案中，在施加接触结构之前将层堆叠的辐射出射面粗化。通过将辐射出射面粗化，降低了在辐射出射面上的反射率，由此降低了在辐射出射面上朝着有源层的方向的向回反射的数量。由此，射到辐射出射面上的辐射的较大部分可以从薄膜LED耦合输出。有利地提高了薄膜LED的效率。
优选地，该方法的另一扩展方案设计了，在将接触结构施加到层堆叠上之前，将反射层施加到层堆叠的设计用于接触结构的部分区域上。由此，辐射的由薄膜LED的有源层发射的并且在没有附加的反射层的情况下会被接触结构吸收的部分朝着第一或者第二镜层的方向反射并且被该第一或者第二镜层又朝着辐射出射面的方向反射，使得辐射可以从薄膜LED耦合输出。由此进一步有利地提高了薄膜LED的效率。
该方法的另一有利的改进方案设计了，层堆叠的其上施加接触结构的区域在施加接触结构之前以干化学方式进行处理。由此得到了层堆叠的其上设置有接触结构的区域，这些区域具有比层堆叠的其上没有设置接触结构的区域更小的层高度。由此可以实现由薄膜LED发射的辐射强度的进一步提高。
优选地，该方法的一个改进方案设计了，将另外的反射层附加地施加到层堆叠的侧面的至少之一上。由此，辐射的由薄膜LED的有源层横向发射的部分朝着层堆叠的方向向回反射。通过在层堆叠中的进一步反射，可以将所发射的辐射的该部分朝着辐射出射面的方向反射并且耦合输出。由此进一步有利地提高了薄膜LED的效率。
附图说明
薄膜LED的其他特征、优点、优选的扩展方案和合乎目的性从以下结合图1至4所阐述的实施例中得到。其中：
图1示出了根据本发明的薄膜LED的第一实施例的示意性横截面，
图2示出了根据本发明的薄膜LED的第二实施例的示意性横截面，
图3示出了根据本发明的薄膜LED的第三实施例的示意性横截面，
图4示出了根据本发明的薄膜LED的第四实施例的示意性横截面。
相同或者作用相同的组成部分分别设置有相同的附图标记。所示的组成部分以及组成部分彼此间的大小关系并不应视为是合乎比例的。
具体实施方式
图1中所示的薄膜LED是薄膜LED的第一实施例。薄膜LED包括势垒层3、随后的第一镜层2和设置在第一镜层上的层堆叠5。层堆叠5具有有源层5a，其在工作中发射电磁辐射。构建为接合垫的接触结构6设置在辐射出射面4上并且具有接触面7。第一镜层2在与接合垫6的接触面7对置的区域中具有凹处，其中第一镜层2的凹处大于接合垫6的接触面7。
第一镜层2于是结构化为使得在垂直方向上势垒层3的未被第一镜层2覆盖的区域与接合垫6的接触面7对置。
第一镜层2构建为反射性的接触层，其形成薄膜LED的从有源层5a来看与接合垫6对置的第二电接触部。
薄膜LED优选基于氮化物化合物半导体。第一反射层2优选包含Ag。第一镜层2通过势垒层3来封装以便防止Ag迁移，该势垒层优选包含TiWN。
第一镜层2的凹处(并且因此反射性的接触层)具有如下优点：降低了有源层5a的在垂直方向上在接合垫6的接触面7之下以及在其近旁的区域中的电流密度，使得在接合垫6的接触面7之下以及在其近旁产生较少的辐射，由此减少了有源层5a发射的辐射的被接合垫6吸收的部分。此外，通过第一镜层2的凹处进一步降低了所发射的辐射的被第一镜层2朝着接合垫6的方向反射的部分。以此方式降低了在接合垫6中对辐射的吸收。由此有利地提高了薄膜LED的效率。
优选地，凹处的横向伸展比接合垫6的接触面7的横向伸展大5μm到20μm。由此，抑制了在用作吸收器的接合垫之下以及在其近旁的区域中的电流密度，由此提高了通过辐射出射面4耦合输出的辐射的部分。可替选地，相对于接触面7的横向伸展增大超过20μm的凹处的横向伸展也是可能的。然而，在此得到了提高的二极管电压并且因此产生了降低的有源层5a的效率。
在层堆叠5的与辐射出射面4对置的侧上，薄膜LED可以固定在支承体14上。例如，层堆叠5借助连接层13固定在支承体14上，该连接层尤其可以是焊剂层。支承体14例如是电路板，尤其是印刷电路板(Printed Circuit Board)。此外，支承体14可以由陶瓷形成，该陶瓷尤其可以包含氮化铝。也可以使用由半导体材料构成的支承体14譬如Ge支承体或者GaAs支承体。支承体14的与层堆叠5背离的背侧例如可以设置有电接触层1，该接触层形成薄膜LED的从有源层5a来看与接合垫6对置的第二电接触部。
通过势垒层3尤其是防止了例如为焊剂层的连接层13的材料扩散至第一镜层2中，该扩散尤其是会影响第一镜层2的反射。
图2所示的薄膜LED与图1中的薄膜LED相比在第一镜层2的凹处中具有第二镜层8，使得优选包含TiWN并且对于有源层5a发射的辐射起吸收作用的势垒层3并不直接与第一镜层2的凹处的区域中的层堆叠5邻接。
第二镜层8具有对层堆叠5的高的接触电阻，而第一镜层2具有对层堆叠5的低的接触电阻。在层堆叠5和第二镜层8之间的提高的接触电阻和低的导电性通过层堆叠5在凹处区域中的改变的界面来实现，使得层堆叠5在凹处区域中的界面是不导电的。
此外，存在如下可能性：通过合适的材料，第二镜层8与第一镜层2相比具有更低的导电性。
由于在凹陷的区域中通过改变层堆叠的界面在第二镜层2与邻接的层堆叠5之间并不形成电接触，所以降低了在辐射出射面4上的接合垫6与在层堆叠5的在垂直方向上在接合垫6的接触面7之下以及在其近旁的区域中的第二镜层8之间的电流。在有源层5a的该区域中的辐射产生因此降低，由此有利地减少了在接合垫6内对辐射的吸收。
第二镜层8优选包含Ag。可替选地，第二镜层8可以包含Pt。
图3中所示的薄膜LED与图2中所示的薄膜LED不同之处在于，接合垫6的朝着层堆叠5的主面具有反射层9。反射层9优选包含层Ag。可替选地，反射层可以包含Al和/或Pt。
图3中所实施的薄膜LED具有第一镜层2，该第一镜层构建为反射性的接触层，并且形成薄膜LED的、从有源层5a来看与接合垫6对置的第二电接触部。
通过在接合垫6的朝向层堆叠的主面上的反射层9，所发射的辐射的、被第一镜层2或第二镜层8朝着接合垫6的方向反射的部分被反射层9向回朝着第一镜层2和第二镜层8反射。所发射的辐射的该部分又在第一镜层2或第二镜层8上朝着薄膜LED的辐射出射面4反射，并且可以通过辐射出射面4从薄膜LED耦合输出。以此方式，进一步降低了在接合垫6中对辐射的吸收。优选地，所发射的辐射没有被接合垫6吸收。有利地提高了薄膜LED的效率。
优选地，薄膜LED的辐射出射面4被粗化。通过粗化降低了辐射出射面4的反射率。由此，由有源层发射的辐射的较小部分在辐射出射面4上朝着有源层5a的方向反射，由此有源层5a发射的辐射的较大的部分在辐射出射面4上耦合输出，并且由此提高了薄膜LED的效率。
图4中所示的薄膜LED与图3中的薄膜LED不同之处在于，接触结构由接合垫(未示出)和接触接片10构成。在接触接片10和接合垫之下使第一镜层2凹陷，其中与接触结构的接触面的横向伸展相比，凹处的横向伸展更大。层堆叠5的在第一镜层2的凹处区域中的界面被改变为使得层堆叠在凹处区域中的界面是不导电的。在凹处中分别设置有第二镜层8。
此外，与图3的实施例不同，在势垒层的与第一和第二镜层对置的侧上设置有接触层1，其形成薄膜LED的、从有源层5a来看与接触结构对置的第二电接触部。
通过改变层堆叠5在第二镜层8的区域中的界面，层堆叠5的该界面是不导电的，由此降低了在接触结构之下以及在其近旁的区域中的有源层5a中的光产生。由此，得到了在接触结构中对有源层5a发射的辐射的降低的吸收。
层堆叠5的侧面具有另外的反射层12，该反射层优选包含Ag、Al和/或Pt。此外，在不具有接合垫或者接触接片10的辐射出射面4上可以施加有发光转换层11。该发光转换层11包含至少一种发光转换材料，该发光转换材料适于将薄膜LED发射的辐射的至少一部分朝着更大的波长进行波长转换。以此方式，尤其是可以借助发射紫外或者蓝色辐射的薄膜LED通过将所发射的辐射的一部分波长转换至互补的光谱范围(优选黄色光谱范围)中来产生白色光。
层堆叠5的其上施加有接触接片10的区域优选具有比层堆叠5的其上未施加有接触接片10的区域更小的层高度。由此，可以实现薄膜LED发射的辐射强度的进一步提高。优选地，其上未施加接触接片10的层堆叠5具有在4μm到8μm之间的层高度，例如6μm的层高度。层堆叠5的其上施加有接触接片10的区域优选具有在50μm到3.5μm之间的层高度，例如1μm的层高度。
优选以干化学方式来降低层堆叠5的其上施加接触接片10的区域的层高度。层堆叠5的界面的改变优选通过等离子体工艺、特别优选通过溅射工艺来进行。
对实施例的描述并不应理解为限于各个层的数目。薄膜LED的各个层同样可以由层序列组成。同样，薄膜LED除了可以包含上述层之外例如还可以包含缓冲层和/或中间层。
参照上述的实施例对根据本发明的薄膜LED的阐述不应视为将本发明限制于此。更确切地说，本发明包括任意新的特征以及特征的任意组合，尤其是权利要求中的特征的任意组合，即使该特征或者该组合本身并未明确地在权利要求中或者在实施例中说明。
Claims (15)
1.一种薄膜发光二极管，包括
-势垒层(3)，
-在势垒层(3)之后的第一镜层(2)，
-在第一镜层(2)之后的层堆叠(5)，该层堆叠具有至少一个有源层(5a)，所述有源层发射电磁辐射，以及
-在层堆叠(5)之后的至少一个接触结构(6)，该接触结构设置在辐射出射面(4)上并且具有接触面(7)，其中第一镜层(2)在与该接触结构(6)的接触面(7)对置的区域中具有凹处，该凹处大于接触结构(6)的接触面(7)。
2.根据权利要求1所述的薄膜发光二极管，其中凹处的横向伸展比接触结构(6)的接触面(7)的横向伸展大5μm至20μm。
3.根据上述权利要求之一所述的薄膜发光二极管，其中层堆叠(5)的与辐射出射面(4)对置的界面在凹处的区域中改变为使得提高在层堆叠(5)和第一镜层(1)的凹陷的区域之间的接触电阻。
4.根据权利要求3所述的薄膜发光二极管，其中层堆叠(5)的与辐射出射面(4)对置的界面在凹处的区域中改变为使得层堆叠(5)的界面在凹处的区域中不导电。
5.根据权利要求3所述的薄膜发光二极管，其中第一镜层(2)的凹处具有第二镜层(8)。
6.根据权利要求1或2所述的薄膜发光二极管，其中接触结构(6)的朝着层堆叠(5)的主面具有反射层(9)。
7.根据权利要求1或2所述的薄膜发光二极管，其中层堆叠(5)的辐射出射面(4)被粗化。
8.根据权利要求1或2所述的薄膜发光二极管，其中层堆叠(5)的其上设置有接触结构(6)的区域具有比层堆叠(5)的其上未设置接触结构(6)的区域更小的层高度。
9.根据权利要求1或2所述的薄膜发光二极管，其中层堆叠(5)的侧面的至少之一具有另外的反射层(12)。
10.根据权利要求1或2所述的薄膜发光二极管，其中在薄膜发光二极管的辐射出射面(4)上施加有发光转换层(11)。
11.一种用于制造根据上述权利要求之一所述的薄膜发光二极管的方法，具有以下方法步骤：
-提供生长衬底，
-外延地生长层堆叠(5)，该层堆叠适于产生电磁辐射，
-施加第一镜层(2)，该第一镜层在与接触结构(6)的设置区域对置的区域中具有凹处，
-将势垒层(3)施加在第一镜层(2)上，
-从生长衬底剥离层堆叠(5)，
-将具有接触面(7)的接触结构(6)施加在层堆叠(5)的与第一镜层(2)对置的侧上，其中接触结构(6)被施加在与第一镜层(2)的凹处对置的区域中，并且接触结构(6)的接触面(7)小于第一镜层(2)的凹处。
12.根据权利要求11所述的方法，其中在施加势垒层(3)之前层堆叠(5)的界面在第一镜层的凹处区域中通过等离子体工艺或者溅射工艺受损伤。
13.根据权利要求12所述的方法，其中在施加势垒层(3)之前将第二层堆叠(8)引入第一镜层(2)的凹处中。
14.根据权利要求11至13之一所述的方法，其中在施加接触结构(6)之前将层堆叠(5)的与第一镜层(2)对置的界面粗化。
15.根据权利要求11至13之一所述的方法，其中在将接触结构(6)施加到层堆叠(5)上之前，将反射层(9)施加到层堆叠(5)的为接触结构(6)设置的部分区域上。
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