KR101624750B1 - 거울층을 포함한 박막 ｌｅｄ 및 그 제조 방법 - Google Patents

거울층을 포함한 박막 ｌｅｄ 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101624750B1
KR101624750B1 KR1020107008651A KR20107008651A KR101624750B1 KR 101624750 B1 KR101624750 B1 KR 101624750B1 KR 1020107008651 A KR1020107008651 A KR 1020107008651A KR 20107008651 A KR20107008651 A KR 20107008651A KR 101624750 B1 KR101624750 B1 KR 101624750B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
contact
layer stack
groove
contact structure
Prior art date
Application number
KR1020107008651A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100072277A (ko
Inventor
베르톨 한
안드레아스 웨이마르
요한네스 바우어
마티아스 사바틸
글렌-아이베스 플레인
Original Assignee
오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 filed Critical 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
Publication of KR20100072277A publication Critical patent/KR20100072277A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101624750B1 publication Critical patent/KR101624750B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H01L33/105—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector with a resonant cavity structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H01L33/145—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 장벽층(3), 상기 장벽층(3)에 후속한 제1거울층(2), 상기 제1거울층(2)에 후속한 층 스택(5) 및 상기 층 스택(5)에 후속한 적어도 하나의 접촉 구조체(6)를 포함하는 박막 LED에 관한 것이다. 상기 층 스택(5)은 전자기 복사를 방출하는 적어도 하나의 활성층(5a)을 포함한다. 상기 접촉 구조체(6)는 복사 출사면(4)상에 배치되고, 접촉면(7)을 포함한다. 상기 제1거울층(2)은 상기 접촉 구조체(6)의 접촉면에 대향된 영역에서 홈을 포함하고, 상기 홈은 상기 접촉 구조체(6)의 접촉면(7)보다 크다. 이를 통해 박막 LED의 효율이 증가한다.

Description

거울층을 포함한 박막 ＬＥＤ 및 그 제조 방법{THIN-FILM LED HAVING A MIRROR LAYER AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF}
본 발명은 특허 청구 범위 1항에 따른 거울층을 포함한 박막 LED 및 특허 청구 범위 16항에 따른 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 특허 출원은 독일 특허 출원 10 2007 046 519.1의 우선권을 주장하며, 이의 개시 내용은 참조로 포함된다.
본 발명은 복사 아웃커플링과 관련하여 효율적인 박막 LED, 특히 접촉층들에서 복사의 흡수가 감소되는 것을 특징으로 하는 박막 LED 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제는 제 1항의 특징들을 포함한 박막 LED 및 제 16항의 특징들을 포함한 그 제조 방법을 통해 해결된다. 본 발명의 유리한 형성예들 및 발전예들은 종속 청구항들에 기재된다.
본 발명에 따른 박막 LED는 장벽층, 상기 장벽층에 후속한 제1거울층, 상기 제1거울층 후속한 층 스택 및 상기 층 스택에 후속한 접촉 구조체를 포함하고, 상기 층 스택은 전자기 복사를 방출하는 적어도 하나의 활성층을 포함한다. 접촉 구조체는 박막 LED의 복사 출사면에 배치되고, 접촉면을 포함한다. 제1거울층은 상기 접촉 구조체의 접촉면에 대향된 영역에서 홈을 포함하고, 상기 홈은 상기 접촉 구조체의 접촉면보다 크다.
제1거울층은, 수직 방향으로 상기 제1거울층에 의해 덮이지 않은 장벽층의 영역이 접촉 구조체의 접촉면에 대향되도록 구조화되며, 이 때 상기 장벽층의 영역은 접촉 구조체의 접촉면보다 크다.
박막 LED의 일 형성예에서, 장벽층은 제1거울층의 홈의 영역에서, 상기 접촉 구조체에 대향된 층 스택의 경계면에 직접 접할 수 있다.
접촉 구조체는 더욱 양호한 전류 확산을 얻기 위해 본딩 패드 및/또는 상기 본딩 패드와 전기적으로 연결된 복수 개의 접촉바들(contact bars)을 포함할 수 있다. 본딩 패드와 전기 전도적으로 연결되며 배치된 복수 개의 접촉바들을 통해, 박막 LED에서 비교적 균일한 전류 분포가 달성될 수 있다.
이하, 본딩 패드의 사용 시, 접촉 구조체의 접촉면은 상기 본딩 패드의 주요면을 의미한다. 이하, 복수 개의 접촉바들과 전기적으로 연결된 본딩 패드를 사용하는 경우, 접촉면은 상기 본딩 패드 및 접촉바들로 형성되는 전체 주요면을 의미한다.
제1거울층은 반사 접촉층으로 형성될 수 있고, 이 때 상기 제1거울층은 상기 접촉 구조체의 접촉면에 대향된 영역에서 홈을 포함한다. 활성층으로부터 볼 때 복사 출사면에 대향된 제1거울층은, 상기 활성층으로부터 볼 때 수직 방향으로 상기 제1거울층에 의해 덮이지 않은 층 스택의 주요면 영역이 접촉 구조체에 대향되도록, 구조화된다.
상기 홈이 파인 영역은 반사 접촉층으로 역할하는 제1거울층을 포함하지 않으므로, 상기 홈에서는 인접한 층 스택과의 전기적 접촉이 발생하지 않는다. 이를 통해, 복사 출사면상의 접촉 구조체 및 수직 방향에서 상기 접촉 구조체의 접촉면의 하부 및 바로 측면에 위치하는 층 스택 영역의 홈 사이에 전류 흐름이 방지된다. 활성층의 상기 영역에서 복사 생성이 방지되므로, 유리하게도 접촉 구조체내에서 복사의 흡수가 감소한다. 또한, 제1거울층의 홈에 의해, 방출된 복사 중 상기 제1거울층으로부터 접촉 구조체의 방향으로 반사되는 복사 비율이 감소한다. 이러한 방식으로, 접촉 구조체에서 복사의 흡수가 더욱 감소한다. 그러므로, 박막 LED의 효율은 유리하게도 증가한다.
본 발명에 따르면, LED는 박막 LED로서 실시된다. 박막 LED의 경우, LED를 위한 층 스택이 제조되고 특히 증착되었던 제조용 기판은 국부적으로 또는 완전히 제거된다. 바람직하게는, 상기 제조용 기판은 층 스택이 에피택시얼 성장된 성장 기판이다. 바람직하게는, 제조 기판은, 상기 제조 기판을 향한 층 스택의 표면이 다른 공정을 위해 이용 가능하도록 제거된다.
바람직하게는, 제1거울층의 홈의 횡방향 범위는 접촉 구조체의 접촉면의 횡방향 범위에 비해 5 ㎛ 내지 20 ㎛만큼 더 크다.
상기 홈에 의해, 수직 방향으로 상기 접촉 구조체의 접촉면 하부에 위치한 활성층 영역 및 수직 방향에서 상기 접촉 구조체의 접촉면의 바로 측면에 위치한 영역에서의 전류 밀도가 감소할 수 있다. 즉, 광 생성이 시작되는 활성층의 영역들 및 광 생성이 적거나 광 생성이 전혀 시작되지 않는 것이 바람직한 활성층의 영역들이 서로 공간적으로 분리될 수 있다. 광 생성이 적은 영역들은, 활성층으로부터 방출된 복사를 흡수하는 접촉 구조체의 접촉면 바로 아래, 그리고 바로 옆에 위치한다. 상기 공간적인 분리에 의해, 활성층으로부터 방출되며 접촉 구조체에 의해 흡수되는 복사의 비율이 감소한다. 그러므로, 박막 LED의 효율이 유리하게도 증가한다.
또는, 홈의 횡방향 범위가 접촉면의 횡방향 범위에 비해 20 ㎛을 초과한 수치만큼 클 수도 있다. 이로 인해, 박막 LED의 광 아웃커플링이 부정적인 영향을 받진 않으나, 물론 홈의 횡방향 범위가 20 ㎛이 넘게 더 크면, 다이오드 전압이 증가하고, 이는 활성층의 효율을 감소시키는 결과를 초래한다.
본 발명의 다른 형성예에 따르면, 층 스택에서 복사 출사면에 대향된 경계면은 홈의 영역에서 변경되되, 층 스택 및 상기 홈이 파인 제1거울층의 영역 사이에 접촉 저항이 증가하도록 변경된다.
다른 형성예에 따르면, 층 스택에서 복사 출사면에 대향된 경계면은 홈의 영역에서 변경되되, 층 스택의 경계면이 상기 홈의 영역에서 전기 전도성을 가지지 않도록 변경된다.
제1거울층의 홈 영역에서 층 스택 및 상기 제1거울층의 홈 영역 사이의 접촉 저항이 증가하거나/증가하고 상기 홈의 영역에서 상기 층 스택의 경계면이 전기 전도성을 가지지 않으므로, 접촉 구조체의 하부 및 바로 측면에 위치한 활성층의 영역들에서 전류 흐름 및 광 생성이 감소하여, 상기 활성층으로부터 방출된 복사가 접촉 구조체에서 흡수되는 경우가 감소한다.
바람직하게는, 층 스택의 경계면은 홈의 영역에서 변경되되, 층 스택 및 제1거울층의 홈 영역 사이의 접촉 저항이 증가하도록 변경되며, 더욱 바람직하게는, 층 스택의 경계면이 상기 홈의 영역에서 전기 전도성을 가지지 않고, 이 때 상기 제1거울층의 홈은 제2거울층을 포함한다.
층 스택의 경계면이 변경됨으로써, 수직 방향으로 상기 접촉 구조체의 접촉면 하부 및 바로 측면에 위치한 활성층 영역에서의 전류 밀도가 감소하여, 접촉 구조체의 접촉면 하부에서는 복사가 적게 생성된다. 제1거울층의 홈 및 층 스택의 경계면에 위치하는 제2거울층에 의해, 방출된 후 제1거울층의 홈의 방향으로 반사된 복사 비율은 상기 제2거울층에서 복사 출사면의 방향으로 반사된다. 이를 통해, 상기 비율의 방출된 복사는 박막 LED의 복사 출사면에서 아웃커플링될 수 있다. 유리하게도, 이러한 방식으로 박막 LED의 효율이 증가한다.
본 발명의 다른 바람직한 형성예에 따르면, 층 스택을 향한 접촉 구조체의 주요면은 반사층을 포함한다. 더욱 바람직하게는, 반사층은 Ag, Al 및/또는 Pt을 함유한다.
층 스택을 향한 접촉 구조체의 주요면에 반사층이 위치함으로써, 방출된 후 제2거울층에 의해 상기 접촉 구조체의 주요면의 방향으로 반사되는 복사 비율은 상기 제1 또는 제2거울층의 방향으로 재귀 반사된다. 상기 비율의 방출된 복사는 다시 제1 또는 제2거울층에서 박막 LED의 복사 출사면의 방향으로 반사된다. 이러한 방식으로, 접촉 구조체에서의 복사 흡수가 감소하며, 더욱 바람직하게는 방출된 복사가 접촉 구조체에서 전혀 흡수되지 않는다. 따라서, 박막 LED의 효율이 유리하게도 증가한다.
바람직하게는, 층 스택의 복사 출사면은 러프닝(roughening)된다. 복사 출사면의 러프닝에 의해, 층 스택 및 상기 층 스택 주변 매질 간의 경계면에서 반사도가 낮아진다. 이를 통해, 상기 경계면에 입사되는 복사 중 더 많은 비율이 상기 층 스택으로부터 아웃커플링된다. 따라서, 활성층으로부터 방출된 복사 중 복사 출사면에서 활성층의 방향으로 재귀 반사되는 비율이 감소한다. 따라서, 유리하게도 박막 LED의 효율이 증가한다.
본 발명의 다른 형성예에 따르면, 접촉 구조체가 배치된 층 스택의 영역들은 접촉 구조체가 배치되지 않은 층 스택의 영역들에 비해 층 높이가 더 낮다. 이를 통해, 층 스택으로부터 방출된 복사의 세기가 더욱 향상될 수 있다.
바람직하게는, 접촉 구조체가 도포되지 않은 층 스택의 층 높이는 4 ㎛과 8 ㎛사이, 더욱 바람직하게는 6 ㎛이다. 바람직하게는, 접촉 구조체가 도포된 층 스택의 영역들의 층 높이는 50 nm과 3.5 ㎛사이이며, 더욱 바람직하게는 100 nm과 2 ㎛사이의 범위를 가진다.
바람직하게는, 층 스택의 측면들 중 적어도 하나는 다른 반사층을 더 포함한다. 이를 통해, 상기 적어도 하나의 다른 반사층이 없는 경우에 층 스택으로부터 횡방향로 아웃커플링되었을 방출 복사 비율이 층 스택의 방향으로 반사된다. 층 스택에서 반사가 더 이루어짐으로써, 상기 비율의 방출 복사는 복사 출사면의 방향으로 반사되어 아웃커플링될 수 있다. 그러므로, 유리하게도 박막 LED의 효율이 더욱 증가한다.
바람직하게는, 층 스택의 측면들 중 적어도 하나에 도포된 다른 반사층은 Ag, Al 및/또는 Pt을 함유한다.
본 발명의 다른 유리한 형성예에서, 박막 LED의 복사 출사면의 적어도 일부 영역에 발광 변환층(luminescence conversion layer)이 도포된다. 발광 변환층은 박막 LED로부터 방출된 복사의 적어도 일부를 더 큰 파장으로 파장 변환하기에 적합한 적어도 하나의 발광 변환 물질을 함유한다. 이러한 방식으로, 특히 자외 복사 또는 청색 복사를 방출하는 박막 LED의 경우, 방출된 복사의 일부를 예컨대 황색 스펙트럼 영역과 같은 보완적 스펙트럼 영역으로 파장 변환함으로써 백색광이 생성될 수 있다. 예컨대 YAG:Ce와 같은 적합한 발광 변환 물질은 WO 98/12757에 공지되어 있으며, 상기 문헌의 내용은 특히 발광체와 관련하여 참조로 포함된다.
복사 출사면상에 도포된 발광 변환층의 다른 이점은, 활성층으로부터 방출된 복사가 층 스택으로 재귀 반사되는 회수가 상기 발광 변환층에 의해 더욱 감소하므로, 박막 LED의 효율이 유리하게도 개선된다는 것에 있다. 이는, 바람직하게는 층 스택 및 발광 변환층 사이의 굴절률 차가 상기 층 스택 및 상기 층 스택 주변의 매질간의 굴절률차보다 작다는 점에 근거한다. 복사 출사면에서 굴절률 차가 작음으로써, 층 스택으로부터 아웃커플링되는 복사 비율이 증가한다.
바람직하게는, 박막 LED의 층 스택은 질화물 화합물 반도체계이다. 상기와 관련하여, "질화물 화합물 반도체계"란, 활성 에피택시 층 시퀀스 또는 상기 층 시퀀스 중 적어도 하나의 층은 질화물-III/V-화합물 반도체 물질, 바람직하게는 AlnGamIn1-n-mN을 포함하며 이 때 0≤n≤1, 0≤m≤1 및 n+m≤1임을 의미한다. 상기 물질은 상기 수식에 따라 수학적으로 정확한 조성을 반드시 포함할 필요는 없다. 오히려, AlnGamIn1-n-mN 물질의 특징적 물리적 특성을 실질적으로 변경시키지 않는 하나 이상의 도펀트 및 부가적 구성 성분을 포함할 수 있다. 그러나, 결정 격자의 실질적 구성 성분들(Al, Ga, In, N)만은, 비록 이들이 부분적으로 미량의 다른 성분으로 대체될 수 있다고 하더라도, 상기 수식에 포함되는 것이 간단하다.
바람직하게는, 제1 및/또는 제2층 스택은 Al 및/또는 Pt을 함유하고, 더욱 바람직하게는 Ag을 함유한다. 바람직하게는, 장벽층은 TiWN을 함유한다.
바람직하게는, 박막 LED의 활성층은 복사 생성을 위해 pn접합, 이중 이종 구조, 단일 양자 우물 구조 또는 더욱 바람직하게는 다중 양자 우물 구조(MQW)를 포함한다. 양자 우물 구조란 명칭은 양자화의 차원성에 대한 정보는 담고 있지 않다. 상기 명칭은 특히 양자 상자, 양자선, 양자점 및 이들 구조들의 조합을 포함한다.
본 발명에 따른 박막 LED의 제조 방법은:
성장 기판의 준비 단계,
전자기 복사를 생성하기에 적합한 층 스택의 에피택시얼 성장 단계,
소정의 접촉 구조체의 영역에 대향된 영역에서 홈을 포함하는 제1거울층의 도포 단계,
상기 제1거울층상에 장벽층의 도포 단계,
상기 성장 기판으로부터 상기 층 스택의 분리 단계,
상기 제1거울층에 대향된 층 스택의 측에 접촉면을 포함한 접촉 구조체의 도포 단계를 포함하며, 이 때 상기 접촉 구조체는 상기 제1거울층의 홈에 대향된 영역에 도포되고, 접촉 구조체의 접촉면은 제1거울층의 홈보다 작다.
제1거울층은, 상기 제1거울층에 의해 덮이지 않은 장벽층 영역이 수직 방향에서 접촉 구조체의 접촉면에 대향되도록 구조화되며, 이 때 상기 장벽층의 영역은 접촉 구조체의 접촉면보다 크다. 바람직하게는, 제1거울층은 반사 접촉층으로 형성되고, 바람직하게는, 상기 반사 접촉층은 인접한 층 스택에 대해 오믹 접촉(ohmic contact)을 형성한다.
상기 홈에 의해, 수직 방향에서 접촉 구조체의 접촉면 하부 및 바로 측면에 위치한 활성층 영역에서 전류 밀도가 감소함으로써, 접촉 구조체의 접촉면 하부에서는 활성층의 복사가 적게 생성된다. 또한, 제1거울층의 홈에 의해, 방출된 복사 중 상기 제1거울층으로부터 접촉 구조체의 접촉면의 방향으로 반사되는 비율이 감소한다. 이러한 방식으로, 접촉 구조체에서의 복사 흡수가 감소한다. 이를 통해, 박막 LED의 효율이 유리하게도 증가한다.
본 방법의 유리한 발전예에 따르면, 장벽층의 도포 단계 전에 층 스택의 경계면은 제1거울층의 홈의 영역에서 플라즈마 공정에 의해 손상된다. 특히, 제1거울층의 홈의 영역에서 층 스택의 경계면은 스퍼터링 공정에 의해 손상될 수 있다. 바람직하게는, 제1거울층의 홈의 영역에서 층 스택의 경계면이 손상되되, 상기 층 스택의 경계면이 상기 영역에서 전기 전도성을 가지지 않도록 손상된다.
바람직하게는 상기 홈에서 층 스택의 경계면이 전기 전도성을 가지지 않으므로, 상기 홈의 영역에서 활성층의 전류 밀도가 감소하여, 접촉 구조체의 접촉면 하부에서 활성층의 복사가 적게 생성된다. 그러므로, 유리하게도 활성층으로부터 방출되어 접촉 구조체에 의해 흡수되는 복사 비율이 감소한다.
본 방법의 다른 유리한 발전예에 따르면, 장벽층의 도포 단계 전에 상기 제1거울층의 홈에서 상기 층 스택의 손상된 경계면상에 제2거울층이 도포된다. 제2거울층에 의해, 방출된 후 제1거울층의 홈의 방향으로 반사되는 복사 비율은 상기 제2거울층에서 복사 출사면의 방향으로 반사된다. 이를 통해, 상기 비율의 방출 복사가 박막 LED의 복사 출사면에서 아웃커플링될 수 있다. 유리하게도, 박막 LED의 효율이 증가한다.
적어도 다른 형성예에서, 접촉 구조체의 도포 단계 전에 층 스택의 복사 출사면이 러프닝된다. 복사 출사면의 러프닝에 의해, 복사 출사면에서의 반사도가 낮아짐으로써, 상기 복사 출사면에서 활성층의 방향으로 재귀 반사되는 회수가 줄어든다. 그러므로, 복사 출사면에 입사되어 박막 LED로부터 아웃커플링되는 복사 비율이 더 클 수 있다. 유리하게도, 박막 LED의 효율이 증가한다.
본 방법의 다른 형성예에 따르면, 바람직하게는, 층 스택상에 접촉 구조체의 도포 전에 상기 층 스택에서 접촉 구조체를 위해 정해진 부분 영역들상에 반사층이 도포된다. 이를 통해, 부가적 반사층이 없는 경우에 박막 LED의 활성층으로부터 방출되어 접촉 구조체에 의해 흡수되었을 복사 비율이 제1 또는 제2거울층의 방향으로, 그리고 상기 거울층으로부터 다시 복사 출사면의 방향으로 반사되며, 따라서 박막 LED로부터 복사가 아웃커플링될 수 있다. 그러므로, 유리하게도, 박막 LED의 효율이 더욱 증가한다.
본 방법의 다른 유리한 발전예에 따르면, 상기 접촉 구조체의 도포 전에, 상기 접촉 구조체가 도포되는 층 스택의 영역들은 건식 화학적으로 처리된다. 이를 통해, 접촉 구조체가 배치된 층 스택의 영역들은 접촉 구조체가 배치되지 않은 층 스택의 영역들에 비해 층 높이가 더 낮다. 따라서, 박막 LED로부터 방출된 복사의 세기가 더욱 향상될 수 있다.
바람직하게는, 본 방법의 일 발전예에 따르면, 층 스택의 측면들 중 적어도 하나에 부가적으로 다른 반사층이 도포된다. 이를 통해, 박막 LED의 활성층으로부터 횡방향로 방출된 복사 비율이 상기 층 스택의 방향으로 재귀 반사된다. 층 스택에서 반사가 더 일어남으로써, 상기 비율의 방출 복사는 복사 출사면의 방향으로 반사되고, 아웃커플링될 수 있다. 그러므로, 유리하게도, 박막 LED의 효율이 더욱 증가한다.
이하, 박막 LED의 다른 특징들, 이점들, 바람직한 형성예들 및 적합성들은 도 1 내지 도 4와 관련하여 설명된 실시예들로부터 도출된다.
도 1은 본 발명에 따른 박막 LED의 제1실시예에 대한 개략적 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 박막 LED의 제2실시예에 대한 개략적 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 박막 LED의 제3실시예에 대한 개략적 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 박막 LED의 제4실시예에 대한 개략적 단면도이다.
동일하거나 동일하게 작용하는 구성 요소들은 각각 동일한 참조 번호를 가진다. 도시된 구성 요소들 및 그 구성 요소들간의 크기비는 축척에 맞는 것으로 볼 수 없다.
도 1에 도시된 박막 LED는 박막 LED의 제1실시예를 나타낸다. 박막 LED는 장벽층(3), 그에 후속하는 제1거울층(2) 및 그 위에 배치된 층 스택(5)을 포함한다. 층 스택(5)은 동작 시 전자기 복사를 방출하는 활성층(5a)을 포함한다. 본딩 패드로 형성된 접촉 구조체(6)는 복사 출사면(4)상에 배치되고, 접촉면(7)을 포함한다. 제1거울층(2)은 본딩 패드(6)의 접촉면(7)에 대향된 영역에서 홈을 포함하고, 이 때 상기 제1거울층(2)의 홈은 본딩 패드(6)의 접촉면(7)보다 크다.
제1거울층(2)은, 상기 제1거울층(2)에 의해 덮이지 않은 장벽층(3)의 영역이 수직 방향에서 본딩 패드(6)의 접촉면(7)에 대향되도록 구조화된다.
제1거울층(2)은 반사 접촉층으로 형성되고, 상기 반사 접촉층은 활성층(5a)으로부터 볼 때 상기 본딩 패드(6)에 대향되는 박막 LED의 제2전기 접촉부를 형성한다.
바람직하게는, 박막 LED는 질화물 화합물 반도체계이다. 바람직하게는, 제1거울층(2)은 Ag을 함유한다. 제1거울층(2)은 Ag-이동(migration)을 방지하기 위해 장벽층(3)으로 봉지된다. 바람직하게는, 상기 장벽층은 TiWN을 함유한다.
제1거울층(2)이자 반사 접촉층의 홈의 이점은, 수직 방향으로 상기 본딩 패드(6)의 접촉면(7)의 하부 및 바로 측면에 위치한 활성층(5a)의 영역에서 전류 밀도가 감소한다는 것이며, 따라서 상기 본딩 패드(6)의 접촉면(7) 하부 및 바로 옆에서 복사가 덜 생성됨으로써, 활성층(5a)으로부터 방출되어 본딩 패드(6)에 흡수되는 복사 비율이 줄어든다. 또한, 제1거울층(2)의 홈에 의해, 방출된 복사 중 상기 제1거울층(2)으로부터 본딩 패드(6)의 방향으로 반사되는 비율이 더욱 감소한다. 이러한 방식으로, 본딩 패드(6)에서 복사의 흡수가 감소한다. 그러므로, 유리하게도, 박막 LED의 효율이 증가한다.
바람직하게는, 본딩 패드(6)의 접촉면(7)의 횡방향 범위에 비해 상기 홈의 횡방향 범위가 5 ㎛ 내지 20 ㎛만큼 크다. 흡수체로 역할하는 본딩 패드의 하부 및 바로 측면에 위치한 영역에서 전류 밀도가 억제됨으로써, 복사 출사면(4)을 통해 아웃커플링되는 복사 비율이 증가한다. 또는, 접촉면(7)의 횡방향 범위에 비해 20 ㎛보다 더 큰 정도로 확대된 횡방향 범위의 홈도 가능하다. 물론, 이 경우 다이오드 전압이 증가하여 활성층(5a)의 효율이 감소한다.
복사 출사면(4)에 대향된 층 스택(5)의 측에서 박막 LED는 캐리어(14)상에 고정될 수 있다. 예컨대, 층 스택(5)은 결합층(13)을 이용하여 캐리어(14)상에 고정되며, 상기 결합층은 특히 땜납층일 수 있다. 캐리어(14)는 예컨대 도체판, 특히 인쇄 회로 기판(printed circuit board)이다. 또한, 캐리어(14)는 세라믹으로 구성될 수 있고, 상기 세라믹은 특히 알루미늄 질화물을 함유할 수 있다. 예컨대 Ge- 또는 GaAs-캐리어와 같이 반도체 물질 소재의 캐리어(14)도 사용될 수 있다. 층 스택(5)과 반대 방향인 캐리어(14)의 후측에는 예컨대 전기 접촉층(1)이 구비될 수 있고, 상기 전기 접촉층은 활성층(5a)으로부터 볼 때 본딩 패드(6)에 대향되는 박막 LED의 제2전기 접촉부를 형성한다.
특히, 장벽층(3)을 통해, 결합층(13)의 물질이 제1거울층(2)으로 확산되는 경우가 방지된다. 상기 확산의 경우, 특히 제1거울층(2)의 반사가 저하될 수 있다. 상기 결합층은 예컨대 땜납층이다.
도 1의 박막 LED와 달리, 도 2에 도시된 박막 LED는 제1거울층(2)의 홈에서 제2거울층(8)을 포함함으로써, 장벽층(3)은 상기 제1거울층(2)의 홈의 영역에서 상기 층 스택(5)에 직접 접하지는 않는다. 상기 장벽층은 TiWN을 함유하는 것이 바람직하며, 활성층(5a)으로부터 방출된 복사를 흡수하는 역할을 한다.
제2거울층(8)은 층 스택(5)에 대해 높은 접촉 저항을 가지는 반면, 제1거울층(2)은 층 스택(5)에 대한 접촉 저항이 낮다. 홈의 영역에서 층 스택(5)의 경계면이 변경되어, 층 스택(5)과 제2거울층(8)사이의 접촉 저항이 높고, 전도도가 낮아서, 상기 층 스택(5)의 경계면은 홈의 영역에서 전기 전도성이 없다.
또한, 적합한 물질을 이용하여 제2거울층(8)이 제1거울층(2)에 비해 더 낮은 전도도를 가질 수도 있다.
홈의 영역에서 층 스택의 경계면이 변경되어 제2거울층(2) 및 인접한 층 스택(5)간의 전기 접촉이 발생하지 않으므로, 수직 방향으로 본딩 패드(6)의 접촉면(7) 하부 및 바로 측면에 위치한 층 스택(5)의 영역에서, 복사 출사면(4)상의 본딩 패드(6) 및 제2거울층(8)간의 전류 흐름이 감소한다. 활성층(5a)의 상기 영역에서 복사 생성이 감소함으로써, 유리하게도 본딩 패드(6)내에서 복사의 흡수가 감소한다.
바람직하게는, 제2거울층(8)은 Ag을 함유한다. 또는, 제2거울층(8)은 Pt을 함유할 수 있다.
도 3에 도시된 박막 LED는 도 2에 도시된 박막 LED에 비해, 층 스택(5)을 향한 본딩 패드(6)의 주요면이 반사층(9)을 포함한다는 점에서 상이하다. 바람직하게는, 반사층(9)은 Ag을 함유한다. 또는, 반사층은 Al 및/또는 Pt을 함유할 수 있다.
도 3에 실시된 박막 LED는 반사 접촉층으로 형성된 제1거울층(2)을 포함하고, 상기 제1거울층은 활성층(5a)으로부터 볼 때 상기 본딩 패드(6)에 대향되는 박막 LED의 제2전기 접촉부를 형성한다.
층 스택을 향한 본딩 패드(6)의 주요면에 위치한 반사층(9)에 의해, 방출된 후 제1 또는 제2거울층(2, 8)으로부터 본딩 패드(6)의 방향으로 반사되는 복사 비율이 상기 반사층(9)에 의해 상기 제1 및 제2거울층(2, 8)의 방향으로 재귀 반사된다. 상기 비율의 방출 복사는 다시 제1 또는 제2거울층(2, 8)에서 박막 LED의 복사 출사면의 방향으로 반사되고, 상기 복사 출사면(4)을 통해 박막 LED로부터 아웃커플링될 수 있다. 이러한 방식으로, 본딩 패드(6)에서 복사의 흡수가 더욱 감소한다. 바람직하게는, 방출된 복사는 본딩 패드(6)에 의해 흡수되지 않는다. 유리하게도, 박막 LED의 효율이 증가한다.
바람직하게는, 박막 LED의 복사 출사면(4)은 러프닝된다. 상기 러프닝에 의해, 복사 출사면(4)의 반사도가 낮아진다. 그러므로, 활성층으로부터 방출되어 복사 출사면(4)에서 활성층(5a)의 방향으로 재귀 반사되는 복사 비율이 더 낮고, 활성층으로부터 방출되어 복사 출사면(4)에서 아웃커플링되는 복사 비율이 증가함으로써, 박막 LED의 효율이 증가한다.
도 4에 도시된 박막 LED는 도 3의 박막 LED에 비해, 접촉 구조체가 본딩 패드(미도시) 및 접촉바들(10)로 구성된다는 점에서 상이하다. 접촉바들(10) 및 본딩 패드 하부에서 제1거울층(2)은 홈이 파이고, 이 때 상기 홈의 횡방향 범위는 접촉 구조체의 접촉면의 횡방향 범위보다 크다. 층 스택(5)의 경계면은 제1거울층(2)의 홈의 영역에서 변경되되, 상기 층 스택의 경계면이 홈의 영역에서 전기 전도성을 가지지 않도록 변경된다. 상기 홈들에는 각각 제2거울층(8)이 배치된다.
또한, 도 3의 실시예와 달리, 제1 및 제2거울층에 대향된 장벽층의 측에 접촉층(1)이 배치되고, 상기 접촉층은 활성층(5a)으로부터 볼 때 접촉 구조체에 대향되는 박막 LED의 제2전기 접촉부를 형성한다.
제2거울층(8)의 영역들에서 층 스택(5)의 경계면이 변경되어, 상기 층 스택(5)의 경계면은 전기 전도성을 가지지 않음으로써, 접촉 구조체의 하부 및 바로 측면에 위치한 활성층(5a)의 영역들에서 광 생성이 감소한다. 이를 통해, 활성층(5a)으로부터 방출된 복사가 접촉 구조체에 흡수되는 경우가 감소한다.
층 스택(5)의 측면들은 다른 반사층(12)을 포함하며, 상기 다른 반사층은 Ag, Al 및/또는 Pt을 함유하는 것이 바람직하다. 또한, 본딩 패드 또는 접촉바들(10)을 포함하지 않는 복사 출사면(4)상에 발광 변환층(11)이 도포될 수 있다. 발광 변환층(11)은 박막 LED로부터 방출된 복사의 적어도 일부를 더 큰 파장으로 파장 변환하기에 적합한 적어도 하나의 발광 변환 물질을 함유한다. 이러한 방식으로, 특히, 자외 복사 또는 청색 복사를 방출하는 박막 LED의 경우 방출된 복사의 일부가 보완적 스펙트럼 영역, 바람직하게는 황색 스펙트럼 영역으로 파장 변환됨으로써 백색광이 생성될 수 있다.
바람직하게는, 접촉바들(10)이 도포된 층 스택(5)의 영역들은 접촉바들(10)이 도포되지 않은 층 스택(5)의 영역들에 비해 층 높이가 낮다. 이를 통해, 박막 LED로부터 방출된 복사의 세기가 더욱 향상될 수 있다. 바람직하게는, 접촉바들(10)이 도포되지 않은 층 스택(5)의 층 높이는 4 ㎛과 8 ㎛사이이며, 예컨대 6 ㎛이다. 접촉바들(10)이 도포된 층 스택(5)의 영역들의 층 높이는, 바람직하게는 50 nm과 3.5 ㎛사이이며, 예컨대 1 ㎛이다.
바람직하게는, 접촉바들(10)이 도포된 층 스택(5)의 영역들의 층 높이가 건식 화학적으로 감소한다. 바람직하게는, 층 스택(5)의 경계면 변화는 플라즈마 공정, 더욱 바람직하게는 스퍼터링 공정에 의해 이루어진다.
실시예들의 기재는 개별 층들의 수를 한정하는 것으로 이해될 수 없다. 마찬가지로, 박막 LED의 개별층들은 층 시퀀스로 구성될 수도 있다. 또한 마찬가지로, 박막 LED는 상기 명시된 층들에 대해 부가적으로 예컨대 버퍼층들 및/또는 개재층들을 포함할 수 있다.
상기 기재된 실시예들에 의거한 본 발명에 따른 박막 LED의 설명은 본 발명을 상기 설명에 한정하는 것으로 볼 수 없다. 오히려, 본 발명은 각각의 새로운 특징 및 특징들의 각 조합을 포함하고, 이는 특히 특허 청구 범위에서의 특징들의 각 조합을 포함하며, 비록 이러한 특징 또는 이러한 조합이 그 자체로 명백하게 특허 청구 범위 또는 실시예들에 제공되지 않더라도 그러하다.
2: 제 1 거울층
3: 장벽층
5: 층 스택
5a: 활성층
6: 접촉 구조체
7: 접촉면

Claims (15)

  1. 장벽층(3);
    장벽층(3)에 후속하는 제 1 거울층(2);
    상기 제 1 거울층(2)에 후속하고, 전자기 복사를 방출하는 적어도 하나의 활성층(5a)을 포함하는 층 스택(5); 및
    상기 층 스택(5)에 후속하는 적어도 하나의 접촉 구조체(6)
    를 포함하고, 상기 접촉 구조체는 복사 출사면(4) 상에 배치되고 접촉면(7)을 포함하며,
    상기 제 1 거울층(2)은 상기 접촉 구조체(6)의 접촉면(7)에 대향된 영역에 홈을 구비하고, 상기 홈은 상기 접촉 구조체(6)의 접촉면(7)보다 크며,
    상기 장벽층(3)은 제 1 거울층(2)으로의 물질의 확산을 방지하도록 되어 있고,
    상기 제 1 거울층(2)의 홈은 제 2 거울층(8)을 포함하며, 상기 층 스택의 경계면은, 상기 층 스택의 경계면이 상기 홈의 영역에서 전기 전도성을 갖지 않도록, 상기 홈의 영역에서 변경되는 것을 특징으로 하는 박막 LED.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 홈의 횡방향 범위는 상기 접촉 구조체(6)의 접촉면(7)의 횡방향 범위에 비해 5 ㎛ 내지 20 ㎛만큼 더 큰 것을 특징으로 하는 박막 LED.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 복사 출사면(4)에 대향된 상기 층 스택(5)의 경계면은 상기 홈의 영역에서 변경되되, 상기 층 스택(5) 및 상기 제 1 거울층(2)의 홈의 영역 사이의 접촉 저항이 증가하도록 변경되는 것을 특징으로 하는 박막 LED.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 복사 출사면(4)에 대향된 상기 층 스택(5)의 경계면은 상기 홈의 영역에서 변경되되, 상기 층 스택(5)의 경계면이 상기 홈의 영역에서 전기 전도성을 가지지 않도록 변경되는 것을 특징으로 하는 박막 LED.
  5. 삭제
  6. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 층 스택(5)을 향한 상기 접촉 구조체(6)의 주요면은 반사층(9)을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 LED.
  7. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 층 스택(5)의 복사 출사면(4)은 러프닝(roughening)되는 것을 특징으로 하는 박막 LED.
  8. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 접촉 구조체(6)가 배치된 상기 층 스택(5)의 영역들은 접촉 구조체(6)가 배치되지 않은 상기 층 스택(5)의 영역들에 비해 층 높이가 낮은 것을 특징으로 하는 박막 LED.
  9. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 층 스택(5)의 측면들 중 적어도 하나는 추가 반사층(12)을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 LED.
  10. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 박막 LED의 복사 출사면(4)상에 발광 변환층(11)이 적층되는 것을 특징으로 하는 박막 LED.
  11. 제 1항에 따른 박막 LED의 제조 방법에 있어서,
    성장 기판을 제공하는 단계;
    전자기 복사를 생성하는 데 적합한 층 스택(5)을 에피택시얼 성장시키는 단계;
    접촉 구조체(6)의 소정 영역에 대향된 영역에서 홈을 구비하는 제 1 거울층(2)을 적층하는 단계;
    상기 제 1 거울층(2) 상에 장벽층(3)을 적층하는 단계;
    상기 성장 기판으로부터 상기 층 스택(5)을 분리하는 단계; 및
    상기 제 1 거울층(2)과 대향된 층 스택(5)의 측에 접촉면(7)을 포함한 접촉 구조체(6)를 적층하는 단계
    를 포함하며, 상기 접촉 구조체(6)는 상기 제 1 거울층(2)의 홈에 대향된 영역에 적층되고, 상기 접촉 구조체(6)의 접촉면(7)은 상기 제 1 거울층(2)의 홈보다 작고, 상기 장벽층(3)은 제 1 거울층(2)으로의 물질의 확산을 방지하도록 되어 있으며,
    상기 층 스택(5)의 경계면은, 상기 장벽층(3)의 적층 단계 전에 상기 제 1 거울층(2)의 홈의 영역에서 플라즈마 공정 또는 스퍼터링 공정에 의해 손상됨으로써, 상기 홈의 영역에서 전기 전도성을 갖지 않고, 상기 장벽층(3)의 적층 단계 전에 제 2 거울층(8)이 상기 제 1 거울층(2)의 홈에 삽입되는 것을 특징으로 하는 박막 LED의 제조 방법.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제 11항에 있어서,
    상기 제 1 거울층(2)에 대향된 상기 층 스택(5)의 경계면이 상기 접촉 구조체(6)의 적층 단계 전에 러프닝되는 것을 특징으로 하는 박막 LED의 제조 방법.
  15. 제 11항에 있어서,
    상기 층 스택(5) 상에 상기 접촉 구조체(6)를 적층하는 단계 전에, 상기 접촉 구조체(6)를 위해 제공된 상기 층 스택(5)의 부분 영역들 상에 반사층(9)을 적층하는 것을 특징으로 하는 박막 LED의 제조 방법.
KR1020107008651A 2007-09-28 2008-09-04 거울층을 포함한 박막 ｌｅｄ 및 그 제조 방법 KR101624750B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007046519A DE102007046519A1 (de) 2007-09-28 2007-09-28 Dünnfilm-LED mit einer Spiegelschicht und Verfahren zu deren Herstellung
DE102007046519.1 2007-09-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100072277A KR20100072277A (ko) 2010-06-30
KR101624750B1 true KR101624750B1 (ko) 2016-05-26

Family

ID=40278952

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107008651A KR101624750B1 (ko) 2007-09-28 2008-09-04 거울층을 포함한 박막 ｌｅｄ 및 그 제조 방법

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9252331B2 (ko)
EP (2) EP2191520B8 (ko)
JP (1) JP2010541218A (ko)
KR (1) KR101624750B1 (ko)
CN (1) CN101809771B (ko)
DE (1) DE102007046519A1 (ko)
TW (1) TWI431803B (ko)
WO (1) WO2009039820A1 (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007046519A1 (de) 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-LED mit einer Spiegelschicht und Verfahren zu deren Herstellung
JP2010263085A (ja) * 2009-05-07 2010-11-18 Toshiba Corp 発光素子
US8076682B2 (en) * 2009-07-21 2011-12-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Contact for a semiconductor light emitting device
US20130107573A1 (en) * 2010-08-26 2013-05-02 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Wavelength conversion element, light source, and backlight unit for liquid crystals
DE102012102114B4 (de) * 2012-03-13 2021-09-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil, Beleuchtungsvorrichtung und Anzeigevorrichtung
DE102012111358A1 (de) * 2012-11-23 2014-05-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Vereinzeln eines Verbundes in Halbleiterchips und Halbleiterchip
DE102013113106A1 (de) * 2013-11-27 2015-06-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlung emittierender Halbleiterchip
JP2016092235A (ja) * 2014-11-05 2016-05-23 ウシオ電機株式会社 半導体発光素子
JP6690139B2 (ja) * 2015-06-12 2020-04-28 ウシオ電機株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JP2017005156A (ja) * 2015-06-12 2017-01-05 ウシオ電機株式会社 半導体発光素子及びその製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003218383A (ja) * 2002-01-18 2003-07-31 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
US20060091411A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Ouderkirk Andrew J High brightness LED package
JP2007095807A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2007180504A (ja) * 2005-12-26 2007-07-12 Samsung Electro Mech Co Ltd 垂直構造の窒化物半導体発光素子及びその製造方法

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2798545B2 (ja) * 1992-03-03 1998-09-17 シャープ株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JPH06104480A (ja) 1992-09-21 1994-04-15 Nec Corp 半導体光素子の製造方法
JP2937692B2 (ja) * 1993-05-27 1999-08-23 シャープ株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
JP3152812B2 (ja) 1993-09-16 2001-04-03 株式会社東芝 半導体発光装置
JP3326545B2 (ja) * 1994-09-30 2002-09-24 ローム株式会社 半導体発光素子
US5710441A (en) * 1995-10-30 1998-01-20 Motorola, Inc. Microcavity LED with photon recycling
JP3239061B2 (ja) 1996-02-29 2001-12-17 シャープ株式会社 発光ダイオード及びその製造方法
JPH09326511A (ja) 1996-06-05 1997-12-16 Toshiba Electron Eng Corp 光半導体素子およびその製造方法
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US6784463B2 (en) * 1997-06-03 2004-08-31 Lumileds Lighting U.S., Llc III-Phospide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices
JPH1174559A (ja) 1997-08-28 1999-03-16 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体発光素子および露光装置
US20020000665A1 (en) * 1999-04-05 2002-01-03 Alexander L. Barr Semiconductor device conductive bump and interconnect barrier
US6222207B1 (en) * 1999-05-24 2001-04-24 Lumileds Lighting, U.S. Llc Diffusion barrier for increased mirror reflectivity in reflective solderable contacts on high power LED chip
US6577658B1 (en) * 1999-09-20 2003-06-10 E20 Corporation, Inc. Method and apparatus for planar index guided vertical cavity surface emitting lasers
US6744805B2 (en) * 2000-04-05 2004-06-01 Nortel Networks Limited Single mode operation of microelectromechanically tunable, half-symmetric, vertical cavity surface emitting lasers
US6765232B2 (en) * 2001-03-27 2004-07-20 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system
US6784462B2 (en) * 2001-12-13 2004-08-31 Rensselaer Polytechnic Institute Light-emitting diode with planar omni-directional reflector
US6455340B1 (en) * 2001-12-21 2002-09-24 Xerox Corporation Method of fabricating GaN semiconductor structures using laser-assisted epitaxial liftoff
JP2004055646A (ja) 2002-07-17 2004-02-19 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光ダイオード素子のｐ側電極構造
KR20040013569A (ko) * 2002-08-07 2004-02-14 삼성전자주식회사 파장 가변형 면방출 반도체 레이저
JP2003282946A (ja) 2003-02-06 2003-10-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード装置及びその製造方法
JP2004363206A (ja) * 2003-06-03 2004-12-24 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
JP4590905B2 (ja) * 2003-10-31 2010-12-01 豊田合成株式会社 発光素子および発光装置
US7058106B2 (en) * 2003-12-10 2006-06-06 Widjaja Wilson H Screenable moisture-passivated planar index-guided VCSEL
DE102005003460A1 (de) * 2004-01-26 2005-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-LED mit einer Stromaufweitungsstruktur
WO2005071763A2 (de) 2004-01-26 2005-08-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-led mit einer stromaufweitungsstruktur
JP4814503B2 (ja) 2004-09-14 2011-11-16 スタンレー電気株式会社 半導体素子とその製造方法、及び電子部品ユニット
US8513686B2 (en) 2004-09-22 2013-08-20 Cree, Inc. High output small area group III nitride LEDs
JP2006128227A (ja) 2004-10-26 2006-05-18 Mitsubishi Cable Ind Ltd 窒化物半導体発光素子
DE102004057802B4 (de) * 2004-11-30 2011-03-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement mit Zwischenschicht
KR20060077801A (ko) * 2004-12-31 2006-07-05 엘지전자 주식회사 고출력 발광 다이오드 및 그의 제조 방법
US7195944B2 (en) 2005-01-11 2007-03-27 Semileds Corporation Systems and methods for producing white-light emitting diodes
US7335920B2 (en) * 2005-01-24 2008-02-26 Cree, Inc. LED with current confinement structure and surface roughening
WO2006116030A2 (en) * 2005-04-21 2006-11-02 Aonex Technologies, Inc. Bonded intermediate substrate and method of making same
DE102005025416A1 (de) * 2005-06-02 2006-12-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip mit einer Kontaktstruktur
US20070036164A1 (en) * 2005-08-11 2007-02-15 Rolf Goehler Digital gateway for education systems
JP2007059418A (ja) * 2005-08-22 2007-03-08 Showa Denko Kk 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JP4841909B2 (ja) 2005-09-14 2011-12-21 昭和電工株式会社 窒化物系半導体発光素子
CN100388515C (zh) * 2005-09-30 2008-05-14 晶能光电（江西）有限公司 半导体发光器件及其制造方法
JP2007103689A (ja) * 2005-10-05 2007-04-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
KR100631418B1 (ko) 2005-11-15 2006-10-04 삼성전기주식회사 수직 구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자
KR100721147B1 (ko) * 2005-11-23 2007-05-22 삼성전기주식회사 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자
JP2007158133A (ja) 2005-12-06 2007-06-21 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
JP2007165409A (ja) * 2005-12-09 2007-06-28 Rohm Co Ltd 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
JP2007165612A (ja) 2005-12-14 2007-06-28 Showa Denko Kk 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
JP2007207981A (ja) 2006-02-01 2007-08-16 Rohm Co Ltd 窒化物半導体発光素子の製造方法
JP2007242669A (ja) 2006-03-06 2007-09-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
TWI285754B (en) * 2006-06-12 2007-08-21 Wintek Corp Polarizer having optical color transformation function and liquid crystal display (LCD) provided with the polarizer
JP4928927B2 (ja) * 2006-12-13 2012-05-09 日本オプネクスト株式会社 面発光半導体レーザ素子
DE102007046519A1 (de) 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-LED mit einer Spiegelschicht und Verfahren zu deren Herstellung
JP4640427B2 (ja) * 2008-03-14 2011-03-02 ソニー株式会社 ＧａＮ系半導体発光素子、発光素子組立体、発光装置、ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法、ＧａＮ系半導体発光素子の駆動方法、及び、画像表示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003218383A (ja) * 2002-01-18 2003-07-31 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
US20060091411A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Ouderkirk Andrew J High brightness LED package
JP2007095807A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2007180504A (ja) * 2005-12-26 2007-07-12 Samsung Electro Mech Co Ltd 垂直構造の窒化物半導体発光素子及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2191520A1 (de) 2010-06-02
EP2191520B8 (de) 2017-08-30
TWI431803B (zh) 2014-03-21
US9252331B2 (en) 2016-02-02
WO2009039820A1 (de) 2009-04-02
JP2010541218A (ja) 2010-12-24
US20100283073A1 (en) 2010-11-11
EP3206238A1 (de) 2017-08-16
DE102007046519A1 (de) 2009-04-02
EP3206238B1 (de) 2019-12-18
EP2191520B1 (de) 2017-04-26
TW200924247A (en) 2009-06-01
CN101809771B (zh) 2014-05-07
CN101809771A (zh) 2010-08-18
KR20100072277A (ko) 2010-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101624750B1 (ko) 거울층을 포함한 박막 ｌｅｄ 및 그 제조 방법
JP5362704B2 (ja) オプトエレクトロニクス半導体ボディおよびその製造方法
KR101302324B1 (ko) 반도체 발광 소자, 반도체 발광 장치 및 반도체 발광 소자의 제조 방법
US20090173961A1 (en) Led Semiconductor Body and Use of an Led Semiconductor body
US20100025652A1 (en) Multiple Quantum-Well Structure, Radiation-Emitting Semiconductor Base and Radiation-Emitting Component
JP5289448B2 (ja) 放射放出用の半導体ボディ
US11817537B2 (en) Interconnects for light emitting diode chips
JP5635517B2 (ja) オプトエレクトロニクス半導体ボディ
JP2011503898A (ja) ワイヤボンディングのないウェーハ段階のｌｅｄ
US8115219B2 (en) LED semiconductor body and use of an LED semiconductor body
TW201727946A (zh) 具有紋理化基板之波長轉換發光裝置
US8981404B2 (en) Optoelectronic semiconductor chip and a method for the production thereof
US11923481B2 (en) Reflective layers for light-emitting diodes
TWI659548B (zh) 發光裝置及其製造方法
KR101744933B1 (ko) 고효율 발광 다이오드
TW202412256A (zh) 用於減少接合金屬之空洞的發光二極體晶片中的接觸結構
KR101581789B1 (ko) 반도체 발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190508

Year of fee payment: 4