CN101752208A - 半导体高压终端结构及其制造方法 - Google Patents
半导体高压终端结构及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101752208A CN101752208A CN200810203922A CN200810203922A CN101752208A CN 101752208 A CN101752208 A CN 101752208A CN 200810203922 A CN200810203922 A CN 200810203922A CN 200810203922 A CN200810203922 A CN 200810203922A CN 101752208 A CN101752208 A CN 101752208A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- oxide layer
- terminal structure
- voltage terminal
- slope
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
Description
Claims (9)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 200810203922 CN101752208B (zh) | 2008-12-03 | 2008-12-03 | 半导体高压终端结构及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 200810203922 CN101752208B (zh) | 2008-12-03 | 2008-12-03 | 半导体高压终端结构及其制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101752208A true CN101752208A (zh) | 2010-06-23 |
CN101752208B CN101752208B (zh) | 2013-06-19 |
Family
ID=42478971
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 200810203922 Active CN101752208B (zh) | 2008-12-03 | 2008-12-03 | 半导体高压终端结构及其制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101752208B (zh) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102157374A (zh) * | 2011-01-28 | 2011-08-17 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 梯形场氧化层的制作方法 |
CN102184947A (zh) * | 2011-03-15 | 2011-09-14 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种高压半导体结构及其制备方法 |
CN102354680A (zh) * | 2011-11-02 | 2012-02-15 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 场氧化物湿法刻蚀方法以及半导体器件 |
CN102779750A (zh) * | 2012-04-23 | 2012-11-14 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 沟槽绝缘栅双极型晶体管的制造方法 |
CN104576345A (zh) * | 2013-10-29 | 2015-04-29 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 功率器件中斜坡场板结构的制备方法 |
WO2015058691A1 (zh) * | 2013-10-23 | 2015-04-30 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 功率二极管的制备方法 |
CN105845614A (zh) * | 2015-01-15 | 2016-08-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件及其制作方法 |
CN106847897A (zh) * | 2017-01-04 | 2017-06-13 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 平面栅超级结器件的制造方法 |
CN107591324A (zh) * | 2017-08-24 | 2018-01-16 | 西安电子科技大学 | 结终端扩展终端结构的制备方法及结构 |
CN110491779A (zh) * | 2019-08-22 | 2019-11-22 | 吉林华微电子股份有限公司 | Vld终端的制造方法及vld终端 |
CN111785640A (zh) * | 2020-08-26 | 2020-10-16 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种调整ldmos晶体管中氧化物场板角度的方法 |
CN112310188A (zh) * | 2019-07-23 | 2021-02-02 | 珠海格力电器股份有限公司 | 横向变掺杂终端结构及其制造方法 |
CN112447821A (zh) * | 2019-09-02 | 2021-03-05 | 珠海零边界集成电路有限公司 | 一种终端结构制造方法 |
CN113053999A (zh) * | 2021-03-12 | 2021-06-29 | 深圳方正微电子有限公司 | 金属氧化物半导体晶体管及其制备方法 |
CN113223945A (zh) * | 2021-04-28 | 2021-08-06 | 杰华特微电子股份有限公司 | 横向变掺杂结构的制造方法及横向功率半导体器件 |
CN113314405A (zh) * | 2021-05-26 | 2021-08-27 | 四川上特科技有限公司 | 半导体功率器件斜坡场板的制作方法 |
CN114300530A (zh) * | 2022-03-09 | 2022-04-08 | 芯众享(成都)微电子有限公司 | 一种碳化硅功率器件结终端结构及其制备方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5381031A (en) * | 1993-12-22 | 1995-01-10 | At&T Corp. | Semiconductor device with reduced high voltage termination area and high breakdown voltage |
CN1367528A (zh) * | 2000-12-19 | 2002-09-04 | 先进功率半导体股份有限公司 | 制造功率整流器件以改变工作参数的改进方法及所得器件 |
CN1937257A (zh) * | 2006-09-14 | 2007-03-28 | 电子科技大学 | 高压SensorFET器件 |
US20070120187A1 (en) * | 2003-05-13 | 2007-05-31 | Cambridge Semiconductor Limited | Lateral soi semiconductor device |
CN101118840A (zh) * | 2007-08-31 | 2008-02-06 | 江苏宏微科技有限公司 | 功率半导体分立器件第一层光刻对位标记的制作方法 |
CN101150145A (zh) * | 2006-09-19 | 2008-03-26 | 电子科技大学 | 利用场板达到最佳表面横向通量的横向高压器件 |
CN101221980A (zh) * | 2007-01-11 | 2008-07-16 | 富士电机电子设备技术株式会社 | 电力半导体装置 |
-
2008
- 2008-12-03 CN CN 200810203922 patent/CN101752208B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5381031A (en) * | 1993-12-22 | 1995-01-10 | At&T Corp. | Semiconductor device with reduced high voltage termination area and high breakdown voltage |
CN1367528A (zh) * | 2000-12-19 | 2002-09-04 | 先进功率半导体股份有限公司 | 制造功率整流器件以改变工作参数的改进方法及所得器件 |
US20070120187A1 (en) * | 2003-05-13 | 2007-05-31 | Cambridge Semiconductor Limited | Lateral soi semiconductor device |
CN1937257A (zh) * | 2006-09-14 | 2007-03-28 | 电子科技大学 | 高压SensorFET器件 |
CN101150145A (zh) * | 2006-09-19 | 2008-03-26 | 电子科技大学 | 利用场板达到最佳表面横向通量的横向高压器件 |
CN101221980A (zh) * | 2007-01-11 | 2008-07-16 | 富士电机电子设备技术株式会社 | 电力半导体装置 |
CN101118840A (zh) * | 2007-08-31 | 2008-02-06 | 江苏宏微科技有限公司 | 功率半导体分立器件第一层光刻对位标记的制作方法 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102157374A (zh) * | 2011-01-28 | 2011-08-17 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 梯形场氧化层的制作方法 |
CN102184947A (zh) * | 2011-03-15 | 2011-09-14 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种高压半导体结构及其制备方法 |
CN102354680A (zh) * | 2011-11-02 | 2012-02-15 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 场氧化物湿法刻蚀方法以及半导体器件 |
CN102779750A (zh) * | 2012-04-23 | 2012-11-14 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 沟槽绝缘栅双极型晶体管的制造方法 |
WO2015058691A1 (zh) * | 2013-10-23 | 2015-04-30 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 功率二极管的制备方法 |
US9502497B2 (en) | 2013-10-23 | 2016-11-22 | Csmc Technologies Fab1 Co., Ltd. | Method for preparing power diode |
CN104576345A (zh) * | 2013-10-29 | 2015-04-29 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 功率器件中斜坡场板结构的制备方法 |
CN104576345B (zh) * | 2013-10-29 | 2017-06-06 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 功率器件中斜坡场板结构的制备方法 |
CN105845614A (zh) * | 2015-01-15 | 2016-08-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件及其制作方法 |
CN106847897B (zh) * | 2017-01-04 | 2019-12-10 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 平面栅超级结器件的制造方法 |
CN106847897A (zh) * | 2017-01-04 | 2017-06-13 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 平面栅超级结器件的制造方法 |
CN107591324A (zh) * | 2017-08-24 | 2018-01-16 | 西安电子科技大学 | 结终端扩展终端结构的制备方法及结构 |
CN112310188A (zh) * | 2019-07-23 | 2021-02-02 | 珠海格力电器股份有限公司 | 横向变掺杂终端结构及其制造方法 |
CN110491779A (zh) * | 2019-08-22 | 2019-11-22 | 吉林华微电子股份有限公司 | Vld终端的制造方法及vld终端 |
CN112447821A (zh) * | 2019-09-02 | 2021-03-05 | 珠海零边界集成电路有限公司 | 一种终端结构制造方法 |
CN111785640A (zh) * | 2020-08-26 | 2020-10-16 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种调整ldmos晶体管中氧化物场板角度的方法 |
CN113053999A (zh) * | 2021-03-12 | 2021-06-29 | 深圳方正微电子有限公司 | 金属氧化物半导体晶体管及其制备方法 |
CN113053999B (zh) * | 2021-03-12 | 2023-02-21 | 深圳方正微电子有限公司 | 金属氧化物半导体晶体管及其制备方法 |
CN113223945A (zh) * | 2021-04-28 | 2021-08-06 | 杰华特微电子股份有限公司 | 横向变掺杂结构的制造方法及横向功率半导体器件 |
CN113314405A (zh) * | 2021-05-26 | 2021-08-27 | 四川上特科技有限公司 | 半导体功率器件斜坡场板的制作方法 |
CN113314405B (zh) * | 2021-05-26 | 2022-07-26 | 四川上特科技有限公司 | 半导体功率器件斜坡场板的制作方法 |
CN114300530A (zh) * | 2022-03-09 | 2022-04-08 | 芯众享(成都)微电子有限公司 | 一种碳化硅功率器件结终端结构及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101752208B (zh) | 2013-06-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101752208B (zh) | 半导体高压终端结构及其制造方法 | |
JP6499654B2 (ja) | シリコン基板上に堆積されたマスクの選択的エッチング方法 | |
US9991116B1 (en) | Method for forming high aspect ratio patterning structure | |
CN102044410B (zh) | 减少微负载的等离子体蚀刻方法 | |
CN104882369A (zh) | 碳化硅离子注入掺杂掩膜结构及其制备方法 | |
CN101673687B (zh) | 场效应晶体管制造方法 | |
CN101572229A (zh) | 多晶硅表面平坦化的方法 | |
US9583587B2 (en) | Method for manufacturing injection-enhanced insulated-gate bipolar transistor | |
CN102110593B (zh) | 一种提高多晶硅薄膜电阻稳定性的方法 | |
CN101572230A (zh) | 提高栅极侧壁氧化层厚度一致性的方法及栅极的制造方法 | |
CN102479718B (zh) | 一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制作方法 | |
CN104347346B (zh) | 不同结构的深沟槽平坦化方法 | |
CN101826457B (zh) | 栅极及mos晶体管的制作方法 | |
CN103943486B (zh) | 多晶硅膜层形貌的形成方法 | |
CN103137443A (zh) | 无定形碳硬掩膜层的形成方法及刻蚀方法 | |
CN102099915A (zh) | 采用双硬掩模涂层制造cmos图像传感器的方法 | |
DE102016100938A1 (de) | Steuern des Reflow-Verhaltens von BPSG-Filmen und hiermit hergestellte Vorrichtungen | |
CN103165451B (zh) | 半导体器件的结构及制造方法 | |
CN100369204C (zh) | 利用双镶嵌工艺来制造t型多晶硅栅极的方法 | |
CN102403272B (zh) | 高压互补金属氧化物半导体的制备方法 | |
CN101740368A (zh) | 半导体器件及其栅极的形成方法 | |
CN101587834B (zh) | 栅极结构的制造方法 | |
CN105655253A (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
CN1877798A (zh) | 基于mosfet工艺的硅基单电子器件结构及其制备方法 | |
CN105845614A (zh) | 半导体器件及其制作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SHANG HAIHAN Free format text: FORMER OWNER: SHINGHAI XINNENG ELECTRONIC TECNOLOGY CO., LTD. Effective date: 20100727 |
|
C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 200001 ROOM 609-2, AREA B, KEJIJINGCHENG, NO.666, BEIJING EAST ROAD, HUANGPU DISTRICT, SHANGHAI CITY TO: 200060 NO.247, LANE 1281, XIKANG ROAD, PUTUO DISTRICT, SHANGHAI CITY |
|
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20100727 Address after: Shanghai City, Putuo District Xikang Road 200060 Lane 1281 No. 247 Applicant after: Shang Haihan Address before: 200001, room 609-2, B District, science capital, 666, Huangpu District, Shanghai, Beijing East Road Applicant before: Shanghai Xineng Electronic Technology Co., Ltd. |
|
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |