CN101746738A - 纳米片状Bi2Se3热电化合物的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种Bi2Se3热电化合物的制备方法。纳米片状Bi2Se3热电化合物的制备方法,其特征在于它包括如下的步骤:1)按NH3·H2O-NH4Cl缓冲溶液∶Bi(NO3)3·5H2O∶C10H14N2Na2O8·2H2O=1 L∶0.02mol∶0.02mol进行配料,混合,并磁力搅拌30min,得到混合溶液A;2)在混合溶液A中按化学式Bi2Se3的化学计量比加入硒代硫酸钠,搅拌均匀得到混合溶液B;3)混合溶液B在氩气保护气氛下,搅拌,得产物C;4)将步骤3)中得到的产物C进行离心,离心得到的沉淀进行冷冻干燥,得到纳米片状Bi2Se3热电化合物。本方法原材料易得,无需还原剂,节约成本,反应时间短,能耗低,重复性好,设备简单,工艺简单,安全无污染,适用于大规模工业生产。
Description
技术领域
本发明属于新能源材料领域,具体涉及一种Bi2Se3热电化合物的制备方法。
背景技术
热电转换技术是利用半导体热电材料的Seebeck效应将热能直接转换成电能的技术。由于其不含其它发电技术所需要的庞大传动机构,具有体积小、寿命长、可靠性高、制造工艺简单、制造及运行成本低、应用面广等特点而受到科学工作者的重视,在诸多领域有着广阔的发展前景。
Bi2Se3化合物是研究较早的一种n型热电材料,室温下具有较高的电导率,使该材料具有较高的ZT值,在室温附近具有很好的应用前景。但是由于该材料Seebeck系数较低,热导率较高,因此我们需要采取新的方法提高Seebeck系数,降低热导率来改善其热电性能。结构低维化,会引起量子限域效应,提高Seebeck系数,降低热导率。对于六方层状结构的Bi2Se3热电化合物,制备高度取向性的片状结构,也有利于提高其热电性能。目前,对于Bi2Se3多晶化合物的制备方法有:固相反应法(Solid state reaction,SSR)、熔融法(Melt reaction,MR)、溶剂热法(Solvothermal method,SM)、电化学沉积法(Electrochemical depositionmethod,EDM)等,但是上述方法需要高温高压,或者反应周期较长,工艺过程较为复杂,能源消耗较大,并且不同的制备方法得到的Bi2Se3多晶材料的形貌各不相同。
发明内容
本发明的目的在于提供一种纳米片状Bi2Se3热电化合物的制备方法,该方法具有成本低、反应时间短、工艺简单的特点。
为了实现上述目的,本发明的技术方案是:纳米片状Bi2Se3热电化合物的制备方法,其特征在于它包括如下的步骤:
1)以pH=10的NH3·H2O-NH4Cl缓冲溶液作为溶剂,以Bi(NO3)3·5H2O作为铋源,以C10H14N2Na2O8·2H2O为络合剂,按NH3·H2O-NH4Cl缓冲溶液∶Bi(NO3)3·5H2O∶C10H14N2Na2O8·2H2O=1L∶0.02mol∶0.02mol进行配料,混合,并磁力搅拌30min(室温下),得到混合溶液A(混合溶液A中形成Bi3+,金属离子浓度0.02mol/L,C10H14N2Na2O8·2H2O摩尔浓度为0.02mol/L);
2)以合成的硒代硫酸钠作为硒源,在混合溶液A中按化学式Bi2Se3的化学计量比加入硒代硫酸钠,搅拌均匀(室温下,搅拌时间为5min),得到混合溶液B;
3)混合溶液B在氩气保护气氛下,45℃~85℃磁力搅拌,充分反应2~8h;得产物C;
4)将步骤3)中得到的产物C进行离心(时间为3min,转速为8000rpm),离心得到的沉淀进行冷冻干燥(温度为-85℃,时间为10h),得到纳米片状Bi2Se3热电化合物。
本发明获得的纳米片状Bi2Se3热电化合物可以应用于制备Bi2Se3块体热电材料。
本发明的有益效果是:采用一步湿化学反应制得单相纳米结构的Bi2Se3,产物形状规则,分布均匀。本发明原材料易得、无需还原剂(节约成本)、设备简单、工艺简单、方法易控、反应时间短(反应周期短)、能耗低、安全无污染。重复性好,且可用于大规模制备纳米片状Bi2Se3热电化合物。
附图说明
图1是本发明的工艺流程图。
图2是本发明实施例1制备的纳米片状Bi2Se3热电化合物的XRD图谱。
图3是本发明实施例1制备的纳米片状Bi2Se3热电化合物的SEM形貌图。
图4是本发明实施例2制备的纳米片状Bi2Se3热电化合物的XRD图谱。
图5是本发明实施例2制备的纳米片状Bi2Se3热电化合物的SEM形貌图。
图6是本发明实施例3制备的纳米片状Bi2Se3热电化合物的XRD图谱。
图7是本发明实施例3制备的纳米片状Bi2Se3热电化合物的SEM形貌图。
具体实施方式
为了更好地理解本发明,下面结合实例进一步阐明本发明的内容,但本发明的内容不仅仅局限于下面的实施例。
实施例1:
如图1所示,纳米片状Bi2Se3热电化合物的制备方法(一步湿化学反应制备),它包括如下的步骤:
1)以pH=10的NH3·H2O-NH4Cl缓冲溶液作为溶剂,以Bi(NO3)3·5H2O作为铋源,以C10H14N2Na2O8·2H2O为络合剂,按NH3·H2O-NH4Cl缓冲溶液∶Bi(NO3)3·5H2O∶C10H14N2Na2O8·2H2O=1L∶0.02mol∶0.02mol进行配料,混合,并磁力搅拌30min,得到混合溶液A(混合溶液A中形成Bi3+,金属离子浓度0.02mol/L,C10H14N2Na2O8·2H2O摩尔浓度为0.02mol/L);
2)以合成的硒代硫酸钠作为硒源,在混合溶液A中按化学式Bi2Se3的化学计量比加入硒代硫酸钠(即按Bi(NO3)3·5H2O中的Bi3+∶硒代硫酸钠中的Se2+=0.02mol∶0.03mol进行配料),搅拌均匀(室温下,搅拌时间为5min),得到混合溶液B;
3)混合溶液B在氩气保护气氛下,55℃磁力搅拌,充分反应2h;得产物C;
4)将步骤3)中得到的产物C进行离心(时间为3min,转速为8000rpm),离心得到的沉淀进行冷冻干燥(温度为-85℃,时间为10h),得到纳米片状Bi2Se3热电化合物(最终产物)。
图2说明所得到产物体为单相Bi2Se3热电化合物;图3说明所得产物为形状规则的Bi2Se3纳米片,且分布均匀。
实施例2:
如图1所示,纳米片状Bi2Se3热电化合物的制备方法(一步湿化学反应制备),它包括如下的步骤:
1)以pH=10的NH3·H2O-NH4Cl缓冲溶液作为溶剂,以Bi(NO3)3·5H2O作为铋源,以C10H14N2Na2O8·2H2O为络合剂,按NH3·H2O-NH4Cl缓冲溶液∶Bi(NO3)3·5H2O∶C10H14N2Na2O8·2H2O=1L∶0.02mol∶0.02mol进行配料,混合,并磁力搅拌30min,得到混合溶液A(混合溶液A中形成Bi3+,金属离子浓度0.02mol/L,C10H14N2Na2O8·2H2O摩尔浓度为0.02mol/L);
2)以合成的硒代硫酸钠作为硒源,在混合溶液A中按化学式Bi2Se3的化学计量比加入硒代硫酸钠(即按Bi(NO3)3·5H2O中的Bi3+∶硒代硫酸钠中的Se2+=0.02mol∶0.03mol进行配料),搅拌均匀(室温下,搅拌时间为5min),得到混合溶液B;
3)混合溶液B在氩气保护气氛下,65℃磁力搅拌,充分反应6h;得产物C;
4)将步骤3)中得到的产物C进行离心(时间为3min,转速为8000rpm),离心得到的沉淀进行冷冻干燥(温度为-85℃,时间为10h),得到纳米片状Bi2Se3热电化合物(最终产物)。
图4说明所得到的最终产物为单相Bi2Se3热电化合物,图5说明所得的产物为形状规整的纳米片,且纳米片的厚度小于20nm,边长在100-200nm之间。
实施例3:
如图1所示,纳米片状Bi2Se3热电化合物的制备方法(一步湿化学反应制备),它包括如下的步骤:
1)以pH=10的NH3·H2O-NH4Cl缓冲溶液作为溶剂,以Bi(NO3)3·5H2O作为铋源,以C10H14N2Na2O8·2H2O为络合剂,按NH3·H2O-NH4Cl缓冲溶液∶Bi(NO3)3·5H2O∶C10H14N2Na2O8·2H2O=1L∶0.02mol∶0.02mol进行配料,混合,并磁力搅拌30min,得到混合溶液A(混合溶液A中形成Bi3+,金属离子浓度0.02mol/L,C10H14N2Na2O8·2H2O摩尔浓度为0.02mol/L);
2)以合成的硒代硫酸钠作为硒源,在混合溶液A中按化学式Bi2Se3的化学计量比加入硒代硫酸钠(即按Bi(NO3)3·5H2O中的Bi3+∶硒代硫酸钠中的Se2+=0.02mol∶0.03mol进行配料),搅拌均匀(室温下,搅拌时间为5min),得到混合溶液B;
3)混合溶液B在氩气保护气氛下,85℃磁力搅拌,充分反应8h;得产物C;
4)将步骤3)中得到的产物C进行离心(时间为3min,转速为8000rpm),离心得到的沉淀进行冷冻干燥(温度为-85℃,时间为10h),得到纳米片状Bi2Se3热电化合物(最终产物)。
图6说明所得到的最终产物为单相Bi2Se3热电化合物,图7说明所得的产物为形状规整的纳米片,且纳米片的厚度在20-25nm之间,边长在200nm左右。
本发明的各工艺参数(如温度、时间)的上下限取值、区间值都能实现本发明,在此不一一列举实施例。
Claims (3)
1.纳米片状Bi2Se3热电化合物的制备方法,其特征在于它包括如下的步骤:
1)以pH=10的NH3·H2O-NH4Cl缓冲溶液作为溶剂,以Bi(NO3)3·5H2O作为铋源,以C10H14N2Na2O8·2H2O为络合剂,按NH3·H2O-NH4Cl缓冲溶液∶Bi(NO3)3·5H2O∶C10H14N2Na2O8·2H2O=1L∶0.02mol∶0.02mol进行配料,混合,并磁力搅拌30min,得到混合溶液A;
2)以合成的硒代硫酸钠作为硒源,在混合溶液A中按化学式Bi2Se3的化学计量比加入硒代硫酸钠,搅拌均匀得到混合溶液B;
3)混合溶液B在氩气保护气氛下,45℃~85℃磁力搅拌,充分反应2~8h;得产物C;
4)将步骤3)中得到的产物C进行离心,离心得到的沉淀进行冷冻干燥,得到纳米片状Bi2Se3热电化合物。
2.根据权利要求1所述的纳米片状Bi2Se3热电化合物的制备方法,其特征在于:离心的时间为3min,转速为8000rpm。
3.根据权利要求1所述的纳米片状Bi2Se3热电化合物的制备方法,其特征在于:冷冻干燥的温度为-85℃,时间为10h。
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