CN103086331A - 一种超薄硒化铋二元化合物纳米片的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种超薄硒化铋二元化合物纳米片的制备方法。将300毫升乙二醇加入到三口烧瓶中,用机械搅拌装置将三口烧瓶固定在加热套上;在溶液中,加入1-3毫摩尔的乙二胺四乙酸,搅拌溶解;加入与乙二胺四乙酸等摩尔量的氯化铋,搅拌溶解;加入0.1-0.5摩尔/升的NaOH,搅拌溶解;按照BiCl2:SeO2为2:3的比例,在溶液中加入氧化硒粉末,搅拌溶解;升温至120-190摄氏度,保温0.5-8个小时;冷却到室温,抽滤,在120摄氏度下烘干。本发明操作简单,容易实现,适宜于批量生产。且该发明合成的硒化铋片层薄,结晶性好,纳米片尺寸均匀。作为拓扑绝缘体材料,有效的降低时间反演对称性散射,进一步提高材料的热电性能,在热电器件、热电制冷领域具有广阔的应用前景。
Description
技术领域
本发明属于纳米材料制备技术领域,尤其涉及一种超薄硒化铋二元化合物纳米片的制备方法。
背景技术
当今社会,新能源的探索和环境保护两大课题是全人类所面临的严峻挑战。传统能源的不可再生性以及对环境的污染问题,使得人们必须寻找对环境友好型,最好是可再生的新能源或能源转换技术。热电转换技术就是一种新型环保的能源转换技术。它是采用一种能够实现热能和电能直接转换的功能材料,热电材料,来实现的。热电材料具有体积小、污染少、无噪音、使用寿命长、安全可靠等优点,在温差发电和制冷两方面都具有重要的应用前景。
根据热电材料的使用温度,可将其分文室温、中温和高温三类。而硒化铋是室温下应用最多的热电材料之一。硒化铋的本征ZT就能达到1左右,通过优化制备方案,能够进一步提高ZT值。目前对于硒化铋类的热电材料的改性方法主要有合金化和低维化。根据热电材料的特性,低维化能够提高热电材料的热电优值。这是由于一方面在纳米材料中存在大量的晶界,其有利于加强对低频声子的散射,可以大幅度降低晶格热导率;另一方面降低材料的维度,由于量子限域效应使费米能级附近的态密度增加,载流子有效质量也增加,材料的Seebeck系数也随着增加。硒化铋具有很高的电导率和较大的Seebeck系数,但其热导率也较高。Dresselhaus等人通过理论计算首次提出材料的低维化可以引起量子尺寸效应、限域效应,晶界对声子散射等,可以很好的降低晶格热导率。硒化铋热电材料通过低维化热电优值得到大幅度提高,在室温附近就能较高的热电转换效率,可以取代传统的氟利昂压缩制冷机,从而降低了氟利昂对臭氧层的破坏,在一定程度上保护了环境。同时,当硒化铋在低维结构中也具有很多新奇的物理现象。比如,当硒化铋片层厚度小于5nm时,它会具有拓扑绝缘体态。因此,以这类材料为基础的热电器件在制冷领域将会有重要的应用价值。对其低维化的制备方法的探索具有重要的意义。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足,提供一种超薄硒化铋二元化合物纳米片的制备方法。
超薄硒化铋二元化合物纳米片的制备方法包括以下步骤:
步骤1:将300毫升乙二醇加入到500毫升的三口烧瓶中,用机械搅拌装置将三口烧瓶固定在加热套上,搅拌;
步骤2:在搅拌均匀地情况下,加入1-3毫摩尔的乙二胺四乙酸,搅拌溶解;
步骤3:加入与乙二胺四乙酸等摩尔量的氯化铋,搅拌溶解;
步骤4:加入0.1-0.5 摩尔/升 的NaOH,搅拌溶解;
步骤5:按照BiCl2 : SeO2 为2:3的比例,在溶液中加入氧化硒粉末,搅拌溶解;
步骤6:升温至120-190摄氏度,保温0.5-8个小时;
步骤7:冷却到室温,抽滤,在120摄氏度下烘干,得到银白色粉末。
本发明采用乙二醇为溶剂和还原剂,一步法制备出超薄硒化铋的纳米片。制备工艺简单,纳米片尺寸均匀,易于批量生产,并且合成的硒化铋材料在热电器件中有重要的应用。
附图说明
图1(a)为硒化铋的扫描电子显微镜图片;
图1(b)为硒化铋的X射线衍射图;
图2(a)为硒化铋的透射电子显微镜照片;
图2(b)为硒化铋的选区衍射照片。
具体实施方式
超薄硒化铋二元化合物纳米片的制备方法包括以下步骤:
步骤1:将300毫升乙二醇加入到500毫升的三口烧瓶中,用机械搅拌装置将三口烧瓶固定在加热套上,搅拌;
步骤2:在搅拌均匀地情况下,加入1-3毫摩尔的乙二胺四乙酸,搅拌溶解;
步骤3:加入与乙二胺四乙酸等摩尔量的氯化铋,搅拌溶解;
步骤4:加入0.1-0.5 摩尔/升 的NaOH,搅拌溶解;
步骤5:按照BiCl2 : SeO2 为2:3的比例,在溶液中加入氧化硒粉末,搅拌溶解;
步骤6:升温至120-190摄氏度,保温0.5-8个小时;
步骤7:冷却到室温,抽滤,在120摄氏度下烘干,得到银白色粉末。
所述的步骤1所述的采用乙二醇既为溶剂又作为还原剂,一步还原法合成硒化铋。步骤2所述的采用的乙二胺四乙酸为络合剂,能与等摩尔量的氯化铋形成稳定的络合物,保护溶液中的Bi3+,使反应更均匀,从而控制反应过程中生成的硒化铋结晶生长方式,形成更好的六边形结构。步骤2和步骤5所述的采用氯化铋和氧化硒作为硒化铋纳米片的前驱体。步骤4所述的NaOH为pH调节剂,乙二醇还原体系中的氧化还原反应与溶液的pH值密切相关。
实施例1:
在500毫升的三口烧瓶中加入300毫升的乙二醇,将三口烧瓶固定在机械搅拌装置上,均匀搅拌。往乙二醇溶液中加入1毫摩尔的乙二胺四乙酸,搅拌溶解;然后加入1毫摩尔的氯化铋粉末,搅拌溶解;再加入0.1摩尔/升的NaOH,搅拌溶解。最后加入1.5毫摩尔的氧化硒粉末,搅拌溶解后升温至120摄氏度,保温8个小时。关掉加热装置,搅拌冷却至室温,抽滤,清洗。然后在120摄氏度下烘干,得到银白色的粉末。
取一部分粉末做形貌、结构表征和相分析,结果如图1和图2所示。我们通过溶液加热搅拌法得到的粉末为六边形结构,相为硒化铋,并且单个六边形片的结晶性良好,为单晶结构。
实施例2:
在500毫升的三口烧瓶中加入300毫升的乙二醇,将三口烧瓶固定在机械搅拌装置上,均匀搅拌。往乙二醇溶液中加入2毫摩尔的乙二胺四乙酸,搅拌溶解后;然后加入2毫摩尔的氯化铋粉末,搅拌溶解,再加入0.3摩尔/升的NaOH,搅拌溶解。最后加入3毫摩尔的氧化硒粉末,搅拌溶解后升温至160摄氏度,保温2个小时。关掉加热装置,搅拌冷却至室温,抽滤,清洗。然后在120摄氏度下烘干。
实施例3:
在500毫升的三口烧瓶中加入300毫升的乙二醇,将三口烧瓶固定在机械搅拌装置上,均匀搅拌。往乙二醇溶液中加入3毫摩尔的乙二胺四乙酸,搅拌溶解;然后加入3毫摩尔的氯化铋粉末,搅拌溶解,再加入0.2摩尔/升的NaOH,搅拌溶解。最后加入4.5毫摩尔的氧化硒粉末,搅拌溶解后升温至190摄氏度,保温0.5个小时。关掉加热装置,搅拌冷却至室温,抽滤,清洗。然后在120摄氏度下烘干。
Claims (1)
1.一种超薄硒化铋二元化合物纳米片的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
步骤1:将300毫升乙二醇加入到500毫升的三口烧瓶中,用机械搅拌装置将三口烧瓶固定在加热套上,搅拌;
步骤2:在搅拌均匀地情况下,加入1-3毫摩尔的乙二胺四乙酸,搅拌溶解;
步骤3:加入与乙二胺四乙酸等摩尔量的氯化铋,搅拌溶解;
步骤4:加入0.1-0.5 摩尔/升 的NaOH,搅拌溶解;
步骤5:按照BiCl2 : SeO2 为2:3的比例,在溶液中加入氧化硒粉末,搅拌溶解;
步骤6:升温至120-190摄氏度,保温0.5-8个小时;
步骤7:冷却到室温,抽滤,在120摄氏度下烘干,得到银白色粉末。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104384527A (zh) * | 2014-12-10 | 2015-03-04 | 黑龙江大学 | 一种自支撑的二维过渡金属/金属氧化物混相纳米片的制备方法 |
CN109569475A (zh) * | 2017-09-28 | 2019-04-05 | 中国电力科学研究院 | 一种热电材料制备装置及方法 |
CN110660898A (zh) * | 2019-10-10 | 2020-01-07 | 中国科学院电工研究所 | 一种柔性热电薄膜的制备方法 |
CN112281183A (zh) * | 2020-09-16 | 2021-01-29 | 华南理工大学 | 团簇状硒化铋及其制备方法与电催化还原二氧化碳的应用 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101513994A (zh) * | 2009-03-10 | 2009-08-26 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种铋基储氢材料及其制备方法 |
CN101746738A (zh) * | 2009-09-29 | 2010-06-23 | 武汉理工大学 | 纳米片状Bi2Se3热电化合物的制备方法 |
CN102760827A (zh) * | 2012-07-23 | 2012-10-31 | 浙江大学 | Bi2Te3薄片/石墨烯复合材料及其制备方法和应用 |
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2013
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101513994A (zh) * | 2009-03-10 | 2009-08-26 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种铋基储氢材料及其制备方法 |
CN101746738A (zh) * | 2009-09-29 | 2010-06-23 | 武汉理工大学 | 纳米片状Bi2Se3热电化合物的制备方法 |
CN102760827A (zh) * | 2012-07-23 | 2012-10-31 | 浙江大学 | Bi2Te3薄片/石墨烯复合材料及其制备方法和应用 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
孙倩等: "Bi2Te3和Bi2Se3纳米粉末的化学合成", 《万方数据库》, 30 June 2010 (2010-06-30) * |
谢振等: "微波湿化学方法制备纳米Bi2Te3/ Bi2Se3系热电材料", 《万方数据库》, 14 March 2011 (2011-03-14) * |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104384527A (zh) * | 2014-12-10 | 2015-03-04 | 黑龙江大学 | 一种自支撑的二维过渡金属/金属氧化物混相纳米片的制备方法 |
CN104384527B (zh) * | 2014-12-10 | 2016-06-01 | 黑龙江大学 | 一种自支撑的二维过渡金属/金属氧化物混相纳米片的制备方法 |
CN109569475A (zh) * | 2017-09-28 | 2019-04-05 | 中国电力科学研究院 | 一种热电材料制备装置及方法 |
CN110660898A (zh) * | 2019-10-10 | 2020-01-07 | 中国科学院电工研究所 | 一种柔性热电薄膜的制备方法 |
CN110660898B (zh) * | 2019-10-10 | 2023-02-07 | 中国科学院电工研究所 | 一种柔性热电薄膜的制备方法 |
CN112281183A (zh) * | 2020-09-16 | 2021-01-29 | 华南理工大学 | 团簇状硒化铋及其制备方法与电催化还原二氧化碳的应用 |
CN112281183B (zh) * | 2020-09-16 | 2022-01-18 | 华南理工大学 | 团簇状硒化铋及其制备方法与电催化还原二氧化碳的应用 |
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