CN110660898A - 一种柔性热电薄膜的制备方法 - Google Patents

一种柔性热电薄膜的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110660898A
CN110660898A CN201910956453.4A CN201910956453A CN110660898A CN 110660898 A CN110660898 A CN 110660898A CN 201910956453 A CN201910956453 A CN 201910956453A CN 110660898 A CN110660898 A CN 110660898A
Authority
CN
China
Prior art keywords
bismuth selenide
preparation
selenide powder
drying
bismuth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910956453.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110660898B (zh
Inventor
邹琪
丁发柱
古宏伟
商红静
张贺
黄大兴
谢波玮
李太广
张华�
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
China United Test & Certification Co ltd
Institute of Electrical Engineering of CAS
Original Assignee
China United Test & Certification Co ltd
Institute of Electrical Engineering of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by China United Test & Certification Co ltd, Institute of Electrical Engineering of CAS filed Critical China United Test & Certification Co ltd
Priority to CN201910956453.4A priority Critical patent/CN110660898B/zh
Publication of CN110660898A publication Critical patent/CN110660898A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110660898B publication Critical patent/CN110660898B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/81—Structural details of the junction
    • H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/85—Thermoelectric active materials
    • H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/85—Thermoelectric active materials
    • H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/853—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising arsenic, antimony or bismuth

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

本发明提供了一种柔性热电薄膜的制备方法，属于功能性薄膜技术领域。本发明提供的制备方法包括如下步骤：(1)将硝酸铋、亚硒酸钠和乙二醇混合后，在保护气氛中进行还原反应，然后加入异丙醇进行沉淀反应，再依次经清洗和干燥，得到硒化铋粉体；所述硝酸铋和亚硒酸钠的摩尔比为2:3；(2)在保护气的气流中，将所述硒化铋粉体在300～350℃进行热处理，得到高纯硒化铋粉体；(3)将所述高纯硒化铋粉体、PVDF和溶剂混合后依次经铸膜和干燥，得到柔性热电薄膜。本发明采用化学溶液法和流延法结合即可得到柔性热电薄膜，该方法所需设备简单，制备条件温和，在常压即可完成，易于操控。

Description

一种柔性热电薄膜的制备方法
技术领域
本发明涉及功能性薄膜技术领域，尤其涉及一种柔性热电薄膜的制备方法。
背景技术
能源问题是21世纪人类面对的巨大挑战之一，经济的发展与能源的可持续利用关系密切。以石油、煤炭为代表的化石能源只能供人类使用200年左右，但是一些新型的能源，如太阳能、地热能、海洋能既属于绿色环保能源，又取之不尽用之不竭，温差发电技术能将这些新能源转化为电能，将带来可观的经济和社会效益。热电材料实现能量转换源于三个基本效应：塞贝克效应(Seebeck effect)、帕尔贴效应(Peltier effect)和汤姆逊效应(Thomson effect)。热电器件就是基于这三个基本效应制造的能实现热能和电能相互转换的器件，主要有两个方面的应用，一是温差发电；二是热电制冷、制热。热电材料是环境友好、有广泛应用前景的新型能源材料。
Bi2Se3系热电材料是室温附近性能最好的材料之一，是由Ⅴ、Ⅵ族元素构成的化合物半导体，在化学稳定性较好的化合物中，它是分子量最大的二元化合物。对Bi2Se3系块体材料而言，提高材料的热电转换效率的主要方式为四个方面的优化，即成分优化、结构优化、合成优化和成型优化。Bi2Se3系热电薄膜材料的维数比块体材料的低，一方面维数的降低会形成界面散射效应降低材料的热导率，增大材料的ZT值；当薄膜厚度在纳米量级时还能产生量子禁闭效应提高材料的功率因子；另一方面，低维热电材料具有高的响应速度(其响应速度是块体材料的23000倍)、高的冷却和加热性能、高能量密度和小型静态局域化的能力。因此，Bi2Se3系热电薄膜是近年来的研究热点。
目前，Bi2Se3系热电薄膜通常通过溅射法或电沉积法制备得到，整个制备过程需要高温和高真空条件，制备条件苛刻。
发明内容
本发明的目的在于提供一种柔性热电薄膜的制备方法，本发明提供的制备方法简单，易于实施，且制备条件相对温和，适合工业化应用。
为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：
一种柔性热电薄膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)将硝酸铋、亚硒酸钠和乙二醇混合后，在保护气氛中进行还原反应，然后加入异丙醇进行沉淀反应，再将所得沉淀物依次经清洗和干燥，得到硒化铋粉体；所述硝酸铋和亚硒酸钠的摩尔比为2:3；
(2)在保护气的气流中，将所述硒化铋粉体在300～350℃进行热处理，得到高纯硒化铋粉体；
(3)将所述高纯硒化铋粉体、PVDF和溶剂混合后依次经铸膜和干燥，得到柔性热电薄膜。
优选的，所述还原反应的温度为190～200℃，时间为3～5h。
优选的，所述异丙醇与乙二醇的体积比为1:05～2。
优选的，所述清洗用洗液为乙醇。
优选的，所述步骤(1)中干燥的温度为55～65℃，时间为4～6h。
优选的，所述热处理的时间为0.8～1.5h。
优选的，所述高纯硒化铋粉体与PVDF、溶剂的用量比为1g:0.3～1g:15～20mL。
优选的，所述溶剂为N,N-二甲基甲酰胺。
优选的，所述步骤(3)中干燥的温度为40～80℃，时间为10～15h。
本发明提供了一种柔性热电薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)将硝酸铋、亚硒酸钠和乙二醇混合后，在保护气氛中进行还原反应，然后加入异丙醇进行沉淀反应，再依次经清洗和干燥，得到硒化铋粉体；所述硝酸铋和亚硒酸钠的摩尔比为2:3；(2)在保护气的气流中，将所述硒化铋粉体在300～350℃进行热处理，得到高纯硒化铋粉体；(3)将所述高纯硒化铋粉体、PVDF和溶剂混合后依次经铸膜和干燥，得到柔性热电薄膜。本发明采用化学溶液法在常压下制备硒化铋粉体，然后经热处理，将其他比例的硒铋产物(即除硒化铋Bi2Se3以外的硒铋化合物)去除，得到高纯硒化铋粉体，以此高纯硒化铋粉体为主要原料采用流延法得到柔性热电薄膜，该方法所需设备简单，制备条件温和，在常压即可完成，易于操控。此外，本发明所提供的制备方法所得柔性热电薄膜的Seebeck系数得到明显改善，且具有较高的功率因数，制备的硒化铋热电薄膜的性能大幅提高。
附图说明
图1实施例1所得柔性热电薄膜的XRD图；
图2实施例2所得柔性热电薄膜的XRD图；
图3实施例3所得柔性热电薄膜的XRD图；
图4实施例1所得柔性热电薄膜的SEM图；
图5实施例2所得柔性热电薄膜的SEM图；
图6实施例3所得柔性热电薄膜的SEM图；
图7实施例1所得柔性热电薄膜的Seebeck系数和功率因数随温度的变化图；
图8实施例2所得柔性热电薄膜的Seebeck系数和功率因数随温度的变化图；
图9实施例3所得柔性热电薄膜的Seebeck系数和功率因数随温度的变化图；
图10对比例1所得柔性热电薄膜的Seebeck系数和功率因数随温度的变化图。
具体实施方式
本发明提供了一种柔性热电薄膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)将硝酸铋、亚硒酸钠和乙二醇混合后，在保护气氛中进行还原反应，然后加入异丙醇进行沉淀反应，再将所得沉淀物依次经清洗和干燥，得到硒化铋粉体；所述硝酸铋和亚硒酸钠的摩尔比为2:3；
(2)在保护气的气流中，将所述硒化铋粉体在300～350℃进行热处理，得到高纯硒化铋粉体；
(3)将所述高纯硒化铋粉体、PVDF和溶剂混合后依次经铸膜和干燥，得到柔性热电薄膜。
本发明以乙二醇作为溶剂和还原剂对硝酸铋和亚硒酸钠起到溶解和还原的作用，在还原反应过程中，将+4价Se还原为-2价Se，与铋离子生成硒化铋，并稳定分散于体系中，通过加入异丙醇，硒化铋沉淀，体系分为上下两层，硒化铋沉于下层，将沉淀反应所得沉淀物(即下层混和液)经清洗后干燥，得到硒化铋粉体，将硒化铋粉体在300～350℃进行热处理，可使其他比例的硒铋产物(即除硒化铋Bi2Se3以外的硒铋化合物)挥发，从而去除，得到高纯硒化铋粉体，将所得高纯硒化铋粉体、PVDF(聚偏氟乙烯)和溶剂混合后依次经铸膜和干燥，得到柔性热电薄膜。
本发明将硝酸铋、亚硒酸钠和乙二醇混合后，在保护气氛中进行还原反应，然后加入异丙醇进行沉淀反应，再依次经清洗和干燥，得到硒化铋粉体；所述硝酸铋和亚硒酸钠的摩尔比为2:3。
在本发明中，所述硝酸铋和乙二醇的用量比优选为1g：70～100mL，更优选为1g:70～85mL。在本发明中，所述乙二醇既作为溶剂，又作为还原剂使用，在还原反应过程中，将+4价Se还原为-2价Se，与铋离子生成硒化铋。
如果没有特殊说明，本发明中所述的保护气氛均优选为氮气氛围或惰性气体氛围。在本发明中，所述保护气氛可防止原料氧化，以避免产生杂质。
在本发明中，所述还原反应的温度优选为190～200℃，更优选为193～198℃，时间优选为3～5h，更优选为3.5～4.5h。
还原反应完成后，本发明向还原反应所得反应液中加入异丙醇进行沉淀反应。在本发明中，所述沉淀反应的时间优选为8～15min，所述沉淀反应过程中优选辅以超声；所述沉淀反应的温度优选为室温，即不需要进行冷却或加热。
在本发明中，所述异丙醇与乙二醇的体积比优选为1:05～2，更优选为1:1～1.5。在本发明中，所述异丙醇为极性液体，当加入异丙醇时，硒化铋从体系中沉淀出来，沉于底层。
本发明优选将沉淀反应后所得混合液的上层清液倒出，得到沉淀物。在本发明中，还原反应所得副产物如硝酸钠溶于体系中，在上层清液倒出时，大部分硝酸钠随上清液排出。
得到沉淀物后，本发明将所得沉淀物依次经清洗和干燥，得到硒化铋粉体。
在本发明中，所述清洗的方式优选为离心洗涤；所述离心洗涤的转速优选为6000～8000rpm，更优选为6500～7500rpm，最优选为7000rpm，所述离心洗涤的时间优选为5～10min；所述清洗用洗液优选为乙醇。在本发明中，所述清洗能够将未反应的乙二醇和副产物(硝酸钠、乙二醇反应后生成的乙二醛)去除。本发明对所述离心洗涤的次数没有特殊限定，能够将杂质去除即可。
在本发明中，所述干燥的温度优选为55～65℃，更优选为60℃。本发明对所述干燥的时间没有特殊限定，能够得到恒重的产品即可。
得到硒化铋粉体后，本发明在保护气的气流中，将所述硒化铋粉体在300～350℃进行热处理，得到高纯硒化铋粉体。在本发明中，上述热处理温度可将其他比例的硒铋产物(如Bi8Se9)和杂质(如氧化亚硒)去除，得到高纯硒化铋粉体。
在本发明中，所述保护气优选为氮气流或惰性气体流；所述保护气的流速优选为250～350sccm，更优选为300sccm。
在本发明中，所述热处理的时间优选为0.8～1.5h，更优选为1h。
热处理完成后，本发明优选随炉冷却至室温，得到高纯硒化铋粉体；所述随炉冷却过程中维持保护气氛。
得到高纯硒化铋粉体后，本发明将所述高纯硒化铋粉体、PVDF和溶剂混合后依次经铸膜和干燥，得到柔性热电薄膜。在本发明中，所述PVDF起到粘结剂的作用。
在本发明中，所述高纯硒化铋粉体与PVDF的用量比优选为1g:0.3～1g，更优选为1g:0.5g；所述高纯硒化铋粉体与溶剂的用量比优选为1g:15～20mL，更优选为1g:18.5mL。在本发明中，上述配比有利于进行铸膜。
在本发明中，所述溶剂优选为N,N-二甲基甲酰胺。
在本发明中，所述高纯硒化铋粉体、PVDF和溶剂的混合方式优选为超声分散；所述超声分散的时间优选为2～4h，更优选为3h。
在本发明中，所述铸膜用载体优选为玻璃片；所述载体使用前优选进行预处理，所述预处理包括依次进行的水洗、乙醇洗涤和干燥；所述水洗和乙醇洗涤的方式优选为超声清洗；本发明对所述干燥的方式没有特殊限定，能够得到干燥的载体即可。
本发明对所述铸膜的具体方式没有特殊限定，可以采用本领域常规的铸膜方式，如涂覆。
在本发明中，所述步骤(3)中干燥的温度优选为40～80℃。本发明对所述干燥的时间没有特殊限定，能够得到恒重的产品即可。
在本发明中，所述柔性热电薄膜的厚度优选为40～65μm。
下面结合实施例对本发明提供的一种柔性热电薄膜的制备方法进行详细的说明，但是不能把它们理解为对本发明保护范围的限定。
实施例1
将0.4850g硝酸铋和0.2594g亚硒酸钠溶解在35mL乙二醇中，在氮气气氛下，升温到190℃反应4h，得到稳定的硒化铋分散液；
向稳定的硒化铋分散液中加入35mL异丙醇，然后超声10min，得到上下两层，倒去上清液，得到下层沉淀，用乙醇离心洗涤下层沉淀3次，每次离心洗涤的转速为1000rpm，时间为5min，然后将洗涤后的沉淀在60℃干燥4h，得到硒化铋粉体；
将所述硒化铋粉体在流速为300sccm的氮气气流中，于300℃热处理1h，然后随炉冷却得到高纯硒化铋粉体；
将所述0.270g高纯硒化铋粉体、0.135g PVDF和5mLN,N-二甲基甲酰胺混合，超声分散3h，得到铸膜液；
将玻璃片依次置于超纯水和乙醇中，分别超声清洗10min，然后干燥，得到洁净玻璃片；
将所述铸膜液涂覆在玻璃片上，在80℃干燥10h，在玻璃片上得到厚度为45.73μm的柔性热电薄膜。
实施例2
将0.4850g硝酸铋和0.2594g亚硒酸钠溶解在40mL乙二醇中，在氮气气氛下，升温到195℃反应4h，得到稳定的硒化铋分散液；
向稳定的硒化铋分散液中加入40mL异丙醇，然后超声10min，得到上下两层，倒去上清液，得到下层沉淀，用乙醇离心洗涤下层沉淀3次，每次离心洗涤的转速为1000rpm，时间为5min，然后将洗涤后的沉淀在60℃干燥5h，得到硒化铋粉体；
将所述硒化铋粉体在流速为300sccm的氮气气流中，于320℃热处理1h，然后随炉冷却得到高纯硒化铋粉体；
将所述0.270g高纯硒化铋粉体、135g PVDF和5mLN,N-二甲基甲酰胺混合，超声分散3h，得到铸膜液；
将玻璃片依次置于超纯水和乙醇中，分别超声清洗10min，然后干燥，得到洁净玻璃片；
将所述铸膜液涂覆在玻璃片上，在60℃干燥13h，在玻璃片上得到厚度为40.56μm的柔性热电薄膜。
实施例3
将0.4850g硝酸铋和0.2594g亚硒酸钠溶解在40mL乙二醇中，在氮气气氛下，升温到200℃反应5h，得到稳定的硒化铋分散液；
向稳定的硒化铋分散液中加入40mL异丙醇，然后超声10min，得到上下两层，倒去上清液，得到下层沉淀，用乙醇离心洗涤下层沉淀3次，每次离心洗涤的转速为1000rpm，时间为5min，然后将洗涤后的沉淀在60℃干燥6h，得到硒化铋粉体；
将所述硒化铋粉体在流速为300sccm的氮气气流中，于350℃热处理1h，然后随炉冷却得到高纯硒化铋粉体；
将所述0.270g高纯硒化铋粉体、0.135g PVDF和5mLN,N-二甲基甲酰胺混合，超声分散3h，得到铸膜液；
将玻璃片依次置于超纯水和乙醇中，分别超声清洗10min，然后干燥，得到洁净玻璃片；
将所述铸膜液涂覆在玻璃片上，在40℃干燥15h，在玻璃片上得到厚度为64.04μm的柔性热电薄膜。
对比例1
采用实施例1的方法制备柔性热电薄膜，不同之处在于，不进行热处理。
测试实施例1～3所得柔性热电薄膜的XRD图，结果分别如图1～3所示，通过与标准卡片峰的对比，可知图1～3中不含有其他杂质峰，均为Bi2Se3的特征峰，说明实施例1～3得到了较高纯度的Bi2Se3。
测试实施例1～3所得柔性热电薄膜的SEM图，分别如图4～6所示，由图4～6可知，柔性热电薄膜中的Bi2Se3为层状结构，晶粒大多呈不规则的六边形层状结构，并且晶粒尺寸大都在微米级别，因此，薄膜结构中会引入更多的界面，很大程度上增加了声子散射，降低了热导率，有利于薄膜热电性能的提高。
测试实施例1～3和对比例1所得柔性热电薄膜的Seebeck系数和功率因数，结果如图7～10所示，图7～10中的(a)均为Seebeck系数随温度的变化曲线，(b)均为功率因数随温度的变化曲线。由图7～10可知，在300K时，实施例1～3和对比例1所得柔性热电薄膜的Seebeck系数依次为-180.45μV/K、-147.85μV/K、-176.66μV/K、-75μV/K左右，功率因数依次为15.26μW/mK2、80.28μW/mK2、9.8μW/mK2、27μW/mK2，实施例1～3所得柔性热电薄膜的Seebeck系数得到了显著提高，具有明显的温差电效应，是优异的温差材料，此外，其还具有较高的功率因数，说明本发明的方法所得热点薄膜具有良好的导电性。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种柔性热电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)将硝酸铋、亚硒酸钠和乙二醇混合后，在保护气氛中进行还原反应，然后加入异丙醇进行沉淀反应，再将所得沉淀物依次经清洗和干燥，得到硒化铋粉体；所述硝酸铋和亚硒酸钠的摩尔比为2:3；
(2)在保护气的气流中，将所述硒化铋粉体在300～350℃进行热处理，得到高纯硒化铋粉体；
(3)将所述高纯硒化铋粉体、PVDF和溶剂混合后依次经铸膜和干燥，得到柔性热电薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述还原反应的温度为190～200℃，时间为3～5h。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述异丙醇与乙二醇的体积比为1:05～2。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述清洗用洗液为乙醇。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中干燥的温度为55～65℃，时间为4～6h。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述热处理的时间为0.8～1.5h。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述高纯硒化铋粉体与PVDF、溶剂的用量比为1g:0.3～1g:15～20mL。
8.根据权利要求1或7所述的制备方法，其特征在于，所述溶剂为N,N-二甲基甲酰胺。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中干燥的温度为40～80℃，时间为10～15h。
CN201910956453.4A 2019-10-10 2019-10-10 一种柔性热电薄膜的制备方法 Active CN110660898B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910956453.4A CN110660898B (zh) 2019-10-10 2019-10-10 一种柔性热电薄膜的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910956453.4A CN110660898B (zh) 2019-10-10 2019-10-10 一种柔性热电薄膜的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110660898A true CN110660898A (zh) 2020-01-07
CN110660898B CN110660898B (zh) 2023-02-07

Family

ID=69040405

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910956453.4A Active CN110660898B (zh) 2019-10-10 2019-10-10 一种柔性热电薄膜的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110660898B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10308538A (ja) * 1997-05-08 1998-11-17 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 熱電素子及びその製造方法
CN101513994A (zh) * 2009-03-10 2009-08-26 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种铋基储氢材料及其制备方法
CN103086331A (zh) * 2013-03-01 2013-05-08 浙江大学 一种超薄硒化铋二元化合物纳米片的制备方法
WO2013178036A1 (zh) * 2012-05-28 2013-12-05 广东先导稀材股份有限公司 三硒化二铋的制备方法
CN104209524A (zh) * 2014-09-11 2014-12-17 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 柔性热电薄膜的制备方法
CN107636431A (zh) * 2015-06-11 2018-01-26 佛罗里达大学研究基金会有限公司 单分散ir 吸收纳米颗粒以及相关方法和装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10308538A (ja) * 1997-05-08 1998-11-17 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 熱電素子及びその製造方法
CN101513994A (zh) * 2009-03-10 2009-08-26 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种铋基储氢材料及其制备方法
WO2013178036A1 (zh) * 2012-05-28 2013-12-05 广东先导稀材股份有限公司 三硒化二铋的制备方法
CN103086331A (zh) * 2013-03-01 2013-05-08 浙江大学 一种超薄硒化铋二元化合物纳米片的制备方法
CN104209524A (zh) * 2014-09-11 2014-12-17 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 柔性热电薄膜的制备方法
CN107636431A (zh) * 2015-06-11 2018-01-26 佛罗里达大学研究基金会有限公司 单分散ir 吸收纳米颗粒以及相关方法和装置

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
孙倩: "BI<,2>TE<,3>和BI<,2>SE<,3>纳米粉末的化学合成", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 (基础科学辑)》 *
孙正亮等: "化学浴沉积法合成硒化铋纳米结构薄膜", 《材料科学与工程学报》 *
褚颖等: "纳米碲化铋化合物的溶剂热合成与热电性能", 《金属功能材料》 *
谢振: "微波湿化学方法制备纳米Bi_2Te_3/Bi_2Se_3系热电材料", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 (基础科学辑)》 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN110660898B (zh) 2023-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Yu et al. Near-room-temperature thermoelectric materials and their application prospects in geothermal power generation
Chang et al. Facile colloidal synthesis of quinary CuIn 1− x Ga x (S y Se 1− y) 2 (CIGSSe) nanocrystal inks with tunable band gaps for use in low-cost photovoltaics
CN109564948B (zh) 有机铅卤化物钙钛矿薄膜及制造其的方法
CN109956493B (zh) 一种铈或/和锌掺杂氧化亚铜纳米材料的制备方法
CN106399937A (zh) 一种制备择优取向碲化铋热电薄膜的方法
CN109437129A (zh) 二维氨基化氮化硼的一步制备方法
Wang et al. Binary copper oxides as photovoltaic absorbers: recent progress in materials and applications
CN103555986B (zh) 一种(Bi0.8Sb0.2)2Te3纳米热电材料的制备方法
TWI469927B (zh) 新穎化合物半導體及其應用
CN110660898B (zh) 一种柔性热电薄膜的制备方法
CN109554674A (zh) 一种具有异质结构的碲化铋热电薄膜的制备方法
CN109659427B (zh) 一种过渡金属包覆In2O3(ZnO)5核-壳结构热电材料的制备方法
JP6315357B2 (ja) 熱電材料の製造方法及び熱電素子
CN110344025B (zh) 一种二维Zn掺杂Ca2Si纳米薄膜及其化学气相沉积方法
CN110344022B (zh) p型戴维南星形MoS2单层二维材料、制备方法及电子器件
KR101801787B1 (ko) 고효율 열전 소재 및 그 제조 방법
CN111864045A (zh) 一种制备高性能聚乙烯吡咯烷酮/硒化银/尼龙柔性复合热电薄膜的方法
CN102912333B (zh) 利用层层自组装制备热电薄膜的方法
Burkov et al. Silicide Thermoelectrics
CN113707799A (zh) 一种柔性自支撑pedot纳米线热电材料的制备方法
CN108821771B (zh) 一种高热电性能银硒三元化合物多晶块体材料的制备方法
CN109659426B (zh) 一种超晶格结构热功能陶瓷材料及其制备方法与应用
CN112481593A (zh) 一种气固反应制备太阳能电池吸收层四硫化锑三铜薄膜的方法
CN112376028A (zh) 一种Sn掺杂Ge2Sb2Te5热电薄膜及其制备方法
CN115010482B (zh) 一种大功率用高导电氧化锌基陶瓷的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant