CN101677059A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的基板处理装置能够同时实现高吞吐量化和省占地面积化这样相反的条件，并能够确保晶片的保护层剥离均匀性。本发明的基板处理装置具有：对基板进行处理的处理室；内置在所述处理室中的基板载置台；能够在所述基板载置台的上方使基板临时待机的基板输送部件；以包围所述基板载置台的方式设置的排气孔；在连结所述排气孔和所述基板载置台的上端部的线、和所述基板载置台之间使所述基板输送部件退避的退避空间。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及基板处理装置及基板处理方法。
背景技术
作为基板处理装置的一例，按照装载端口、装载锁定室、输送室和处理室的顺序输送晶片，并在处理室进行处理。
处理室是被闸阀遮蔽的独立空间，在各室中能够分别进行晶片的处理。
通常，在基座(susceptor)上进行处理的结构中，成为在一个室中只进行一个晶片的处理。专利文献1公开了一种技术，将未处理的晶片交替地向处理室输送，晶片从各处理室返回到已处理的晶片基板支承体时，更换成下一个要进行处理的未处理晶片。
专利文献1：日本特开2006-86180号公报
以往的基板处理装置是由存放晶片的装载锁定室两个室、具有将晶片移载到各室的机器人的输送室一个室、处理晶片的处理室两个室构成的。在本装置的构成中，要使单位时间的吞吐量超过200张是困难的。在以进一步提高吞吐量为目标的情况下，单纯地向输送室外周部追加处理室，能够实现吞吐量的提高。但是，相对地输送室内的输送机器人就变得大型化，而且由于增加处理室占地面积(footprint)变大是无法避免的。另外，处理室内的排气流量发生波动时，会对灰化率、膜处理的均匀性产生波动。
发明内容
本发明的目的是提供一种基板处理装置及基板处理方法，能够同时实现高吞吐量化和省占地面积化这样相反的条件，并能够确保晶片的保护层剥离均匀性。
根据本发明的一方式，提供一种基板处理装置，具有：对基板进行处理的处理室；内置在所述处理室中的基板载置台；能够在所述基板载置台的上方使基板临时待机的基板输送部件；以包围所述基板载置台的方式设置的排气孔；在连结所述排气孔和所述基板载置台的上端部的线、和所述基板载置台之间使所述基板输送部件退避的退避空间。
另外，根据本发明的另一方式，提供一种基板处理方法，具有以下步骤：设置在输送室的第1基板输送部件将基板移动到处理室的第1基板载置台上部的步骤；从所述第1基板输送部件将基板移载到第1基板支承部和第2基板输送部件上的步骤；所述第2基板输送部件向所述第2基板载置台上移动并待机的步骤；所述第2基板输送部件向在连结以包围所述第2基板载置台的方式设置的排气孔的端部和所述第2基板载置台的上端部的线、和所述第2基板载置台之间设置的退避空间退避，同时向所述第2基板载置台载置基板的步骤；向所述处理室供给处理气体并对所述基板进行处理，同时从所述排气孔排出气体的步骤。
发明的效果
根据本发明，提供一种基板处理装置及基板处理方法，能够同时实现高吞吐量化和省占地面积化这样相反的条件，并能够确保晶片的保护层剥离均匀性。
附图说明
图1是本发明的实施方式使用的基板处理装置的整体结构图，是从上方观察的概念图。
图2是本发明的实施方式使用的基板处理装置的整体结构图的纵剖视图。
图3是表示本发明的实施方式的基板处理装置的处理室的立体图。
图4是从上方观察本发明的实施方式的基板处理时的第2基板输送部件周边的图。
图5是表示本发明的实施方式中的处理室内的气体流动示意图。
图6是本发明的实施方式中的基板处理时的第2基板输送部件周边的纵剖视图。
图7是从上方观察基板处理时的第2基板输送部件周边的图，图7(a)表示比较例的挡圈周边，图7(b)表示本发明的实施方式中的挡圈周边。
图8是从上方观察基板处理后的第2基板输送部件周边的图，图8(a)表示使用了比较例的挡圈时的灰化面内均匀性，图8(b)表示使用了本发明的实施方式的挡圈时的面内均匀性。
图9是本发明的实施方式中的处理室内的排气系统图。
图10是表示本发明的实施方式中的处理室内的晶片移载的流程的立体图。
附图标记的说明
1 晶片
10 基板处理装置
12 输送室
14 装载锁定室
16 处理室
30 第1基板输送部件
35 闸阀
36 第1处理部
37 第1基板载置台
38 第2处理部
39 基板保持销
40 第2基板输送部件
41 第2基板载置台
49 挡圈
49a 排气孔
具体实施方式
以下，根据附图说明本发明的实施方式。
图1是本发明的实施方式的基板处理装置10的整体结构图，是从装置10的上方观察的概念图。
在基板处理装置10中，例如以输送室12为中心，配置有两个装载锁定室14a、14b及两个处理室16a、16b，在装载锁定室14a、14b的上游侧配置有前端模块即EFEM(Equipment Front End Module)18。
在EFEM18中，成为能够搭载三台存放晶片1的环箍(25张)的构造。
在EFEM18内，载置有在大气中能够同时移载多张(5张)晶片的大气机器人(未图示)，能够在两个装载锁定室14a、14b之间进行晶片移载。
如图2所示，在装载锁定室14a、14b中，设置有在纵向上隔开一定间隔收容例如25张基板的基板支承体(舟皿)20。基板支承体20由例如碳化硅或铝构成，并具有连接上部板22和下部板24的例如三个支柱26。在支柱26的长度方向内侧，平行地形成有例如25个载置部28。另外，基板支承体20是在装载锁定室14a、14b内，沿铅直方向移动(沿上下方向移动)，并且以沿铅直方向延伸的旋转轴为轴旋转。
在输送室12中，设置有在装载锁定室14a、14b和处理室16a、16b之间输送晶片1的第1基板输送部件30。第1基板输送部件30具有臂34，该臂34设置有由上机械手32a及下机械手32b构成的机械手对32。上机械手32a及下机械手32b具有例如相同的形状，并在上下方向上分离规定间隔，并从臂34开始分别沿大致水平的方向延伸，能够分别支承晶片1。臂34以沿铅直方向延伸的旋转轴为轴旋转，并且沿水平方向移动。输送室12和处理室16a、以及输送室12和处理室16b如图3所示地分别通过闸阀35连通。在处理室16a和处理室16b之间具有分界壁48，通过该分界壁48使各处理室的环境气体成为独立的状态。
因此，存放在装载锁定室14a、14b中的未处理的晶片由配置在输送室12的第1基板输送部件30同时地每次2张地经由闸阀35向处理室16a、16b移载。已处理的晶片从处理室16a、16b由第1基板输送部件30一次2张地向装载锁定室14a、14b移载。
在图3中，表示了处理室16的概要。
在处理室16中，配置有2个基座，并由具有输送室12侧的基座即第1基板载置台37的第1处理部36、和具有另一个基座即第2基板载置台41的第2处理部38构成。
第1处理部36和第2处理部38是相互独立的构造，从装置整体来看，与晶片处理流动方向同向并成为一列。
即，第2处理部38从输送室12隔着第1处理部36向远处配置。
第1处理部36和第2处理部38连通，处理室16内能够升温到300℃。
第1处理部36和第2处理部38是由例如铝(A5052、A5056等)形成，被内插的加热器(未图示)加热。
为了实现省空间、低成本化的目的，也可以由例如铝(A5052)一个部件形成装载锁定室14a、14b、输送室12及处理室16a、16b。
第1基板载置台37及第2基板载置台41是在处理室16内被固定部件(未图示)固定在装置主体11上。另外，在第1基板载置台37及第2基板载置台41的外周，沿铅直方向贯通有3个基板保持销39，通过基板保持销上下升降，使基板大致水平地升降。因此，通过闸阀35由第1基板输送部件30输送的晶片通过基板保持销39被载置在处理部上。也就是说，通过控制部(未图示)的控制，马达旋转及反转，由此基板保持销39沿上下方向移动。
在处理室16内的第1处理部36和第2处理部38之间的内侧即靠分界壁48一侧，设置有第2基板输送部件40。第2基板输送部件40将由第1基板输送部件30输送的、位于第1处理部36上的2张未处理晶片中的1张移载到第2处理部38的第2基板载置台41，再将第2基板载置台41的已处理的晶片向第1基板输送部件30的机械手上移载。
图4表示处理部16内的第2基板输送部件40在第2处理部38侧待机时(基板处理时)的情况。
第2基板输送部件40具有：外径比晶片1的外径大的基板载置部即圆弧部43a；从圆弧部43a被切口的切口部43b；从圆弧部43a朝向圆弧部的中心大致水平地设置的载置晶片的爪部43c；设置有支承圆弧部43a的框架部43d的臂47。
圆弧部43a是与框架部43d连续地形成，从臂47被大致水平安装，并通过爪部43c支承晶片1。
臂47是以沿铅直方向延伸的轴部43e为旋转轴旋转，并且沿铅直方向升降。
切口部43b是，当轴部43e旋转且处在第1处理部36一侧时，被配置在与输送室12和处理室16之间设置的闸阀35相对的位置。
因此，第2基板输送部件40是通过旋转轴即轴部43e旋转而升降。由此，将被第1基板输送部件30输送到处理室16内的2张晶片中的1张晶片，从第1处理部36的第1基板载置台37上方向位于输送室12的远处的第2处理部38的第2基板载置台41输送并载置。
由于第2基板输送部件40通过来自第1基板载置台37及第2基板载置台41的热辐射成为高温(250℃左右)，优选由例如氧化铝陶瓷(纯度99.6％以上)形成。通过由热膨胀系数比金属部件小的例如氧化铝陶瓷(纯度99.6％以上)形成，能够防止因热变形产生的挠曲等导致输送可靠性劣化。但是，在第2基板输送部件40的基部，为了进行高度位置水平调整，使用金属部件。
第2基板输送部件40是以轴部43e中心旋转的，轴部43e被配置在分界壁48侧。
另一个处理室中的第2基板输送部件40以隔着分界壁48而与一个处理室的第2基板输送部件40相对地配置。通过相对地配置，在处理室16的下部，能够将用于控制各第2基板输送部件40的配线集中地配设在水平方向上的装置中央，即在分界壁48附近。其结果，在配线空间中，能够按照部件集中地设置配线，能使配线空间高效率化。另外，由于以配置在分界壁48附近的轴部43e为中心旋转，所以能够使处理室16的外侧为圆形。通过作成圆形，能够使装置主体11的外轮廓11a成为斜状，其结果，能够进一步大地确保供维修人员进入的维护空间17。假设，将轴部43e配置在处理室16的外侧时，不能够使外轮廓11a为斜状，就不能够进一步大地确保供维修人员进入的维护空间17。
在第1基板载置台37、第2基板载置台41的外周，分别设置有挡圈49。挡圈49是厚度为2～5mm左右的板状的环型，考虑到维护性，通常为分割成2～3份的构造。另外，在挡圈49的外周部形成有对处理室内的气体进行排气的多个排气孔49a。即，从基板载置台的外周隔开所希望的距离，已分别均等地包围的方式成环状地形成排气孔群。与基板载置台没有所希望的距离时，会使排气流动紊乱，结果导致排气效率变差。另外，通过设置成环状，能够均匀地排气。排气孔49a朝向第1基板载置台37、第2基板载置台41的中心并列地配置2个，第2基板输送部件40退避到后述的退避空间中时，而被配置在外径比第2基板输送部件40的圆弧部43a的外径大的位置。具体地，圆弧部43a的外径为例如φ380～390mm左右，排气孔49a沿例如φ420～435mm左右的圆进行配置。此外，越靠近基板载置台一侧的排气孔49a，孔径越大，排气效率越好。
图5表示气流示意图。
向载置在第1处理部36、第2处理部38上方的等离子发生部66导入O2气体并活性化，分解成O2等离子、自由基等。在本装置中，对向晶片只供给晶片损坏小的自由基进行了研究。向第1处理部36、第2处理部38供给的气体到达载置在第1处理部36、第2处理部38的外周的挡圈49，通过位于挡圈49外周部的排气孔49a而被排气。排气孔49a在处理室16内的气体传导最小，该处决定晶片面内的气流均匀性(圆周方向的气体紊乱)。在第2处理部38的周边，存在第2基板输送部件40等的非对称以及可能局部地阻碍气流的部位。由此，再通过后述的应对方式确保气流均匀化。
图6表示第2基板输送部件40周边的剖视图。
第2基板输送部件40为了与第1基板输送部件30进行晶片的交接，而相对于圆周方向，设有开口部(切口部43b)。
第2基板输送部件40从气流的角度来考虑位于第1处理部36和第2处理部38的大致中间位置，从而必须向气流阻碍影响小的位置退避。具体地，进行基板处理时，向设置在第2基板载置台41的终端部即第2基板载置台41的外周的退避空间42退避。通过向退避空间42退避，第2基板输送部件40能够减小气流阻碍的影响。另外，更优选的是，在连结所述排气孔49a的第2基板载置台41侧的上端部和第2基板载置台41的角部41a的线、和第2基板载置台41之间(退避空间)，向第2基板载置台41的外周退避。即，使第2基板输送部件40下降到与图6的虚线相比的下方。由此，在第2处理部38上方，气体(等离子)变得更均匀，由于第2基板输送部件40不会对气体排气产生障碍，所以能够均匀地对气体排气，能够均匀地对载置在第2处理部38的晶片进行灰化。另外，由于第2基板输送部件40自身也具有厚度(例如8～10mm左右)，所以使从第2基板输送部件40上方到第2处理部38底面的距离为A，从第2处理部38上方到第2处理部38底面的距离为B时，优选A＜B/2。
图7是从上方观察基板处理时的第2基板输送部件周边的图，图7(a)表示比较例的挡圈周边，图7(b)表示本发明的实施方式的挡圈周边。
在图7(a)所示的比较例的挡圈51上，φ4.5mm的排气孔51a为64个，并形成在圆周方向间隔角度11.3°的位置。
在比较例的挡圈51上，第2基板输送部件40的框架43d以不能堵塞排气孔51a的方式配置。由此，孔数和圆周方向的间隔尺寸没有限定，每个孔的排气气体量管理是严格的，出现了因组装、加工误差的影响导致的均匀性劣化的现象。
在图7(b)所示的本发明的实施方式的挡圈49上，φ2.5mm的排气孔49a为720个，并形成在圆周方向间隔角度2°的位置。
图7(b)的C部分及D部分成为通过第2基板输送部件40的框架43d遮蔽排气传导的位置。具体地，阻挡的孔数在C部分为12个左右，在D部分为7个左右，相对于整体的孔数，被遮蔽的孔的比率是在C部为1.7％，在D部分为1.0％。为该形状的情况下，孔的总传导是各孔的传导总和。因此，也可以把孔数的遮蔽比率认为是传导比率。
使用图7(a)的比较例的挡圈51和图7(b)的本发明的实施方式的挡圈49，以除挡圈以外同等的条件进行灰化。结果，如图8(a)所示，使用图7(a)的比较例的挡圈51的情况下，为6～7％左右的灰化率(ashing rate)面内均匀性，但如图8(b)所示，使用图7(b)的本发明的实施方式的挡圈49的结果，为5～6％左右的灰化率面内均匀性，均匀性改善的效果被确认。
即，第2基板输送部件40退避到上述退避空间时，第2基板输送部件40的框架部43d以大于总排气传导的0％小于等于3％的比率遮蔽排气孔，由此能够使灰化率面内均匀性提高。另外，第2基板输送部件40退避到上述退避空间时，在由2个支承部构成的框架部43d内，1个支承部以大于总排气传导的0％小于等于2％的比率遮蔽排气孔，由此能够使灰化率面内均匀性提高。即，不变更第2基板输送部件40等主要部件，以相同的部件个数进行变更，作业效率也同等地提高，能够均匀地进行晶片的灰化。
图9表示处理室16内的排气系统图。
在第1处理部36下方，通过对气体进行排气的第1配管50、第1阀50a、第2配管52、APC阀54、主阀56与泵58连接，通过APC阀54、空气阀60与出口62连接。
因此，第1处理部36周边的气体通过排气孔49a，从第1处理部36下方，通过第1配管50、第1阀50a、第2配管52、APC阀54、主阀56被排出到泵58，并通过第1配管50、第1阀50a、第2配管52、APC阀54、空气阀60被排出到出口62。
在第2处理部38下方，通过对气体进行排气的第3配管64、第2阀64a、第2配管52、APC阀54、主阀56与泵58连接，通过APC阀54、空气阀60与出口62连接。
因此，第2处理部38周边的气体通过排气孔49a，从第2处理部38下方，经由第3配管64、第2阀64a、第2配管52、APC阀54、主阀56被排出到泵58，并通过第3配管64、第2阀64a、第2配管52、APC阀54、空气阀60被排出到出口62。
处理室16内部与泵58连接，达到0.1Pa左右的真空为目标。由此，在第2基板输送部件40的轴部43e，必须是与大气真空隔绝的构造，在本装置中，将磁密封部载置在轴部43e和臂驱动马达(未图示)上进行真空隔绝。而且，作为热对策，在磁密封部部实施水冷。
与处理室16连接的泵58必须为通常10000～20000l/min等级的规格，成本也高。为了尽可能地减少使用台数，如上所述地与第1处理部36和第2处理部38连接的泵58为共用。
关于供给气体，以剥离保护层为目的，导入例如活性化了的O2气体。气体流量为例如2～15slm，过程压力为例如100～1000Pa的范围。由于传导的影响，为了维持该压力带，使排气配管的内径为例如φ80～100mm左右。
合流前载置的第1阀50a及第2阀64a优选为手动阀，通常采用蝶式的，开度为0～90°，并具有节距刻度0.3～0.5°的开度调整功能。通过使用该第1阀50a及第2阀64a，根据用于供给气体的MFC(质量流量控制器)的个体差(流量精度、设定±3％)、第2基板输送部件待机(第2处理部侧)的气流影响、其他组装误差的影响，能够缓和第1处理部36和第2处理部38之间的灰化率差。合流后的气体通过自动压力调整机构即APC阀54、主阀56被泵58排气。各单元的排气传导采用比200L/s大的装置。在APC阀54附近设置有通常的压力计(电容压力计等)(未图示)，能够向所希望的压力值(过程条件、其他)进行调压。
图10表示处理室16内的晶片移载的流程的概要。
此外，在以下说明中，构成基板处理装置10的各部件的动作被控制器84控制。
但是，为了确保处理室16内的观察确认性，为了方便而，没有图示晶片。
(步骤1)
第1基板输送部件30同时输送被载置在上机械手32a和下机械手32b上的2张晶片，并从输送室12通过闸阀35向处理室16移动，并在第1处理部36上方停止。此时，第2基板输送部件40在机械手对32的上机械手32a和下机械手32b之间的高度位置待机。在第1基板输送部件30一直不动作的状态下，第1基板载置台37的基板保持销39上升，将载置在下机械手32b上的晶片载置到第1基板载置台37的基板保持销39上。而且，通过使第2基板输送部件40上升，将载置在上机械手32a的晶片载置到第2基板输送部件40的爪部43c上。
(步骤2)
进行将各晶片载置在第1处理部36、第2处理部38的基板载置台上的动作。在第1基板载置台37上，通过使基板保持销39下降，在该状态下将晶片载置在第1基板载置台37上。第2基板输送部件40朝向第2处理部38的第2基板载置台41上方大致水平地旋转，第2基板载置台41的基板保持销39上升，并将已载置在第2基板输送部件40上的晶片载置在第2基板载置台41的基板保持销39上。而且，第1基板输送部件30返回到输送室12内。
(步骤3)
对向第2处理部38侧的晶片载置完成后的第2基板输送部件40的动作进行表示。由于第2基板输送部件40在晶片处理过程中在处理室16内待机，所以阻碍从第2处理部38上方供给的处理气体(例如O2自由基等)的气流，会使晶片面内的均匀性恶化。由此，在连结第2基板载置台41的排气孔49a的第2基板载置台41侧的上端部和第2基板载置台41的角部41a的线、和第2基板载置台41之间(退避空间)，向第2基板载置台41的外周移动。即，使第2基板输送部件40下降到图6的虚线的下方。
在基板处理后，实施相反的程序。
根据本发明，与以往相比，能够实现省空间及高吞吐量化(每小时250张)，构建高均匀的气流构造，在晶片的面内灰化分布上确保高均匀的分布，并能够确保晶片保护层剥离均匀性。
本发明涉及半导体制造技术，尤其是关于将被处理基板收容在处理室并在通过加热器加热的状态下实施处理的热处理技术，例如，对作入有半导体集成电路装置(半导体设备)的半导体晶片进行氧化处理、扩散处理、离子注入后的载体活性化、用于平坦化的回流、退火及热CVD反应的成膜处理等时所使用的基板处理装置能够有效地利用该技术。
根据本发明的一方式，提供一种基板处理装置，具有：对基板进行输送的输送室；从所述输送室接受基板并处理的处理室。所述输送室具有将基板从所述输送室向所述处理室输送的第1基板输送部件。所述处理室具有：与所述输送室邻接，并具有第1基板载置台的第1处理部；与所述第1处理部中的所述输送室一侧的不同侧邻接，并具有第2基板载置台的第2处理部；在所述第1处理部和所述第2处理部之间输送基板的第2基板输送部件；以包围所述第2基板载置台的方式设置的排气孔群；在连结所述排气孔的端部和所述第2基板载置台的上端部的线、和所述第2基板载置台之间使所述第2基板输送部件退避的退避空间。因此，第2基板输送部件不会成为气体排气的障碍，从而能够均匀地对气体进行排气，并能够使载置在第2基板载置台上的晶片的灰化均匀地进行。
优选地，所述排气孔群是，均等地以包围所述第2基板载置台的方式配设排气孔。
优选地，所述退避空间如下构成：所述第2基板输送部件不超出连结所述排气孔的端部和所述第2基板载置台的上端部的线。
优选地，所述排气孔的端部是在排气孔径的内最接近所述第2基板载置台的端部。
优选地，所述第2基板输送部件具有：轴部；载置基板的基板载置部；支承所述基板载置部的支承部。所述第2基板输送部件退避到所述退避空间时，所述支承部以大于所述排气孔群的总排气传导的0％小于等于3％的比率遮蔽所述排气孔。
优选地，所述第2基板输送部件具有：轴部；载置基板的基板载置部；支承所述基板载置部的支承部。所述第2基板输送部件退避到所述退避空间时，所述支承部至少在两个位置阻挡所述排气孔，所述两个阻挡位置中的一个位置是以大于所述排气孔群的总排气传导的0％小于等于2％的比率遮蔽所述排气孔。
根据本发明的另一方式，提供一种基板处理方法，具有以下步骤：设置在输送室的第1基板输送部件将基板移动到处理室的第1基板载置台上部的步骤；从所述第1基板输送部件将基板移载到第1基板支承部和第2基板输送部件上的步骤；所述第2基板输送部件向所述第2基板载置台上移动并待机的步骤；所述第2基板输送部件向在连结以包围所述第2基板载置台的方式设置的排气孔的端部和所述第2基板载置台的上端部的线、和所述第2基板载置台之间设置的退避空间退避，同时向所述第2基板载置台载置基板的步骤；向所述处理室供给处理气体并对所述基板进行处理，同时从所述排气孔排出气体的步骤。
根据本发明的又一方式，提供一种基板处理装置，具有：对基板进行处理的处理室；内置在所述处理室中的基板载置台；能够在所述基板载置台的上方使基板临时待机的基板输送部件；以包围所述基板载置台方式设置的排气孔；在连结所述排气孔和所述基板载置台的上端部的线、和所述基板载置台之间使所述基板输送部件退避的退避空间。

Claims (5)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
对基板进行处理的处理室；
内置在所述处理室中的基板载置台；
能够在所述基板载置台的上方使基板临时待机的基板输送部件；
以包围所述基板载置台的方式设置的排气孔；
在连结所述排气孔和所述基板载置台的上端部的线、和所述基板载置台之间使所述基板输送部件退避的退避空间。
2.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
对基板进行输送的输送室；
从所述输送室接受基板并处理的处理室，
所述输送室具有将基板从所述输送室向所述处理室输送的第1基板输送部件，
所述处理室具有：与所述输送室邻接，并具有第1基板载置台的第1处理部；与在所述第1处理部中的所述输送室一侧不同侧邻接，并具有第2基板载置台的第2处理部；在所述第1处理部和所述第2处理部之间输送基板的第2基板输送部件；以包围所述第2基板载置台的方式设置的排气孔群；在连结所述排气孔的端部和所述第2基板载置台的上端部的线、和所述第2基板载置台之间使所述第2基板输送部件退避的退避空间。
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述退避空间如下构成：所述第2基板输送部件不超出连结所述排气孔的端部和所述第2基板载置台的上端部的线。
4.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，所述第2基板输送部件具有：轴部；载置基板的基板载置部；支承所述基板载置部的支承部，
所述第2基板输送部件退避到所述退避空间时，所述支承部以大于所述排气孔群的总排气传导的0％小于等于3％的比率遮蔽所述排气孔。
5.一种基板处理方法，其特征在于，具有以下步骤：
设置在输送室的第1基板输送部件将基板移动到处理室的第1基板载置台上部的步骤；
从所述第1基板输送部件将基板移载到第1基板支承部和第2基板输送部件上的步骤；
所述第2基板输送部件向所述第2基板载置台上移动并待机的步骤；
所述第2基板输送部件向在连结以包围所述第2基板载置台的方式设置的排气孔的端部和所述第2基板载置台的上端部的线、和所述第2基板载置台之间设置的退避空间退避，同时向所述第2基板载置台载置基板的步骤；
向所述处理室供给处理气体并对所述基板进行处理，同时从所述排气孔排出气体的步骤。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104733351A (zh) * 2013-12-20 2015-06-24 株式会社Eugene科技 衬底处理模块、包括该衬底处理模块的衬底处理设备以及衬底传输方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109300806B (zh) * 2010-12-29 2022-04-15 瑞士艾发科技 真空处理设备
JP5171969B2 (ja) * 2011-01-13 2013-03-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US9076644B2 (en) 2011-01-18 2015-07-07 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus, substrate supporter and method of manufacturing semiconductor device
JP6082188B2 (ja) * 2012-05-09 2017-02-15 リンテック株式会社 板状部材の処理装置および処理方法
JP6341565B2 (ja) * 2014-07-03 2018-06-13 国立研究開発法人物質・材料研究機構 プラズマキャビティ用フランジ、プラズマキャビティ及びプラズマｃｖｄ装置
US11024523B2 (en) * 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0624187B2 (ja) * 1986-09-24 1994-03-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP3209472B2 (ja) * 1993-11-05 2001-09-17 東京エレクトロン株式会社 ネジキャップおよび処理装置
JPH07321178A (ja) * 1994-05-24 1995-12-08 Hitachi Ltd 搬送装置およびその搬送装置を有するマルチチャンバ装置
JPH11111820A (ja) 1997-10-03 1999-04-23 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置
JPH11163075A (ja) * 1997-12-01 1999-06-18 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JP2002170823A (ja) * 2000-09-19 2002-06-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置および半導体装置の製造方法並びにそれに使用されるカバー部材
KR100519778B1 (ko) * 2004-01-30 2005-10-07 삼성전자주식회사 양면 코팅용 플라즈마 ｃｖｄ 장치 및 플라즈마 ｃｖｄ 방법
JP2006024837A (ja) * 2004-07-09 2006-01-26 Olympus Corp 保持機構およびそれを用いた保持装置
JP4086826B2 (ja) 2004-09-14 2008-05-14 株式会社日立国際電気 基板の処理方法
KR20080004118A (ko) * 2006-07-04 2008-01-09 피에스케이 주식회사 기판 처리 설비

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104733351A (zh) * 2013-12-20 2015-06-24 株式会社Eugene科技 衬底处理模块、包括该衬底处理模块的衬底处理设备以及衬底传输方法

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