KR100519778B1 - 양면 코팅용 플라즈마 ｃｖｄ 장치 및 플라즈마 ｃｖｄ 방법 - Google Patents

양면 코팅용 플라즈마 ｃｖｄ 장치 및 플라즈마 ｃｖｄ 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100519778B1
KR100519778B1 KR10-2004-0006105A KR20040006105A KR100519778B1 KR 100519778 B1 KR100519778 B1 KR 100519778B1 KR 20040006105 A KR20040006105 A KR 20040006105A KR 100519778 B1 KR100519778 B1 KR 100519778B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
substrate
sides
coil
gas
Prior art date
Application number
KR10-2004-0006105A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050078010A (ko
Inventor
박영수
톨마체프유리
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR10-2004-0006105A priority Critical patent/KR100519778B1/ko
Priority to CNA2005100061082A priority patent/CN1648283A/zh
Priority to US11/044,278 priority patent/US20050170668A1/en
Priority to JP2005022618A priority patent/JP2005217425A/ja
Publication of KR20050078010A publication Critical patent/KR20050078010A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100519778B1 publication Critical patent/KR100519778B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/507—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using external electrodes, e.g. in tunnel type reactors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
    • H01L21/31608—Deposition of SiO2
    • H01L21/31612—Deposition of SiO2 on a silicon body

Abstract

본 발명은 양면 코팅용 플라즈마 CVD 장치 및 플라즈마 CVD 방법에 관한 것이다. 가스 흡기구 및 가스 배기 장치가 형성된 챔버; 상기 챔버 내부의 중앙 영역에 배치되며 기판의 양쪽 면을 노출시키며 상기 기판을 지지하는 기판 홀더부; 및 상기 챔버 외부의 양측부에 형성되며, 유도 자기장을 발생시키는 제 1 코일부 및 제 2 코일부;를 포함하는 플라즈마 CVD 장치를 제공하여, 기판 양면 모두 균일한 증착층을 얻을 수 있도록 독립적으로 플라즈마 밀도 분포를 변화시킬 수 있는 양면 코팅용 플라즈마 CVD 장치를 제공할 수 있다.

Description

양면 코팅용 플라즈마 ＣＶＤ 장치 및 플라즈마 ＣＶＤ 방법{Plaza Chemical Vapor Deposition System and Method for Double Side Coating}
본 발명은 양면 코팅용 플라즈마 CVD 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판의 양면에 원하는 물질을 보다 균일하게 증착시킬 수 있는 양면 코팅용 플라즈마 CVD 장치에 관한 것이다.
일반적인 플라스틱 기판은 유리 기판에 비해 가볍고, 깨지지 않는 장점이 있어 종래의 TFT LCD에 사용되던 유리 기판의 대체용 또는 향후의 유기 EL 기판 재료로 많은 연구가 행해지고 있다. 이러한 플라스틱 기판은 기존의 실리콘이나 유리 기판에 비해 강도가 작아서 외부의 응력에 의해서 쉽게 휘어지는 가요성(flexibility)을 지니고 있다.
TFT LCD나 유기 EL 등과 같은 응용 분야에서는 비정질 실리콘 막, 금속 막, 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막과 같은 여러 막들이 적층되게 되어 기판에 큰 응력을 가하게 된다. 기존의 실리콘이나 유리 기판에 대해 이와 같은 적층 막에 의한 응력이 어느 정도 가해져도 기판이 휘어지는 범위가 작으므로 심각한 문제가 되지 않는다. 하지만 플라스틱 기판의 경우 적층 막에 의해 기판이 심하게 휘어지게 되어 얼라인(align)이 재대로 이루어지지 않거나 적층막 자체에 크랙이 발생하는 등과 같은 심각한 문제가 발생한다. TFT LCD 제조 공정 초기의 보호막인 실리콘 산화막 이외에 층간 절연막(Interlayer Dielectric : ILD), 금속간 절연막(Intermetallic Dielectric : IMD) 제조 공정에 사용되는 실리콘 산화막은 그 두께가 3000Å~6000Å으로 두껍기 때문에 전 공정 중에서 기판에 가해주는 응력이 가장 크게 발생하는 공정이다. 따라서 이 공정에서 실리콘 산화막을 편면 (片面) 코팅하게 되면 기판이 심하게 휘게되며 다시 뒤집어서 코팅하더라도 심하게 휜 부분에는 크랙이 발생하게 된다.
도면 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 의해 실리콘 산화막을 플라스틱 기판 상에 편면 코팅한 후에 다시 뒤집어서 코팅한 경우를 나타낸 도면이다.
도 1a는 유도결합형 플라즈마 CVD 장비를 이용하여 플라스틱 기판(101) 상부에 실리콘 산화막(102)을 약 3000Å 두께로 편면 코팅한 결과로서 플라스틱 기판(101)이 심하게 휘어지는 현상을 나타낸다.
도 1b는 플라스틱 기판(101)을 뒤집어서 동일한 조건으로 실리콘 산화막(102)을 코팅한 것으로, 플라스틱 기판(101)은 평평하게 되지만 곡률 변화가 심하게 발생한 플라스틱 기판(101) 주변부에는 크랙(103)들이 무수히 존재하게 된다.
도 1c는 이러한 크랙 발생 부위를 광학 현미경으로 관찰한 결과이다. 즉, 플라스틱 기판(101) 상에 약 3000Å 정도의 실리콘 산화막(102) 증착에 의해 플라스틱 기판(101)은 심하게 휘게 되며 이를 평평하게 만들기 위해 플라스틱 기판(101)을 뒤집어 코팅하게 되면 평평하게 되는 목적은 달성되지만, 주변에 심한 크랙(103)이 발생하여 큰 문제점을 가지게 된 것을 알 수 있다. 또한, 플라스틱 기판(101)을 사용하여 디스플레이를 만드는 공정 중에서 IMD, ILD의 실리콘 산화막을 형성시키는 공정은 플라스틱 기판 양면에 대해 동시에 행해지지 않으면, 필연적으로 큰 문제점이 남게 됨을 알 수 있다.
따라서, 상기한 바와 같은 문제점을 방지하기 위해 플라스틱 기판 양면을 코팅하는 방법이 연구되고 있다. 플라스틱 디스플레이 이외에도 하드 디스크 또는 태양 전지 분야에도 양면 코팅법이 요구되고 있으며, 이를 구현하기 위한 CVD 장비들이 제안되고 있다. 일본 공개 특허 평14-093722호에서는 태양 전지 제조를 위하여 실리콘 기판을 반전시키지 않고, 그 양면을 코팅하는 CVD 장비를 개시하고 있다. 그리고 일본 공개 특허 평14-105651호에서는 하드 디스크 양면에 DLC(Diamond Like Carbon)를 코팅하기 위하여 필라멘트 열선이 장착된 양면 코팅 장비를 소개하고 있다. 하지만 상기한 두 장비는 모두 캐소드(Cathode)와 애노드(Anode) 두 전극을 사용하는 유전형(Capacitive) 플라즈마 CVD 장치이다.
그러나 평판형의 캐소드와 에노드 전극을 사용하는 플라즈마 장비는 고저항 기판이나 절연성 기판 상에 박막을 형성시키는 경우 기판의 후면에 애노드 역할을 하는 이면판이 필요한 문제점이 있다. 상기 이면판이 없을 경우, 고주파 전류가 기판을 통해 흐르기 어렵기 때문에 기판 표면에서의 플라즈마 밀도가 현저하게 감소하게 된다. 따라서 기판의 주변부와 중심부에 적층된 박막의 두께 차가 발생하고 이는 막 특성의 불균일성까지 유발시킨다. 이러한 경향은 기판의 크기가 클 수록 현저하게 나타나기 때문에 실제 응용성이 떨어지는 문제점이 있다.
상기한 바와 같은 두 전극을 사용하는 유전형(Capacitive) 플라즈마 양면 코팅 CVD 장치의 문제점을 해결하기 위해서 국제 공개 WO2002/581,121호에는 유도 결합형 플라즈마 발생 장치에 관한 기술이 소개되었다. 도 1d 및 도 1e는 이와 같은 유도 결합형 플라즈마 양면 코팅 CVD 장비를 나타낸 도면이다. 도 1d 및 도 1e를 참조하면, 두 개의 유도 결합형 전극(11, 11')을 챔버(12) 내부에 배치하고 그 중간에 기판(13)을 기판 홀더(14) 상에 장착하였다. 그리고, 챔버(12)의 일측에 반응 가스 주입구(15, 15')를 형성시키고, 그 반대쪽 타측에 가스 배기구(16)를 설치한 구조를 지닌다.
이와 같은 장비는 가스 주입구(15, 15')에서 발생한 플라즈마가 확산 형태로 기판(13) 상에 도달하는 형태이다. 따라서, 기존의 유전형(Capacitive) 플라즈마 장비와 같이 고저항 기판이나 절연성 기판을 사용하더라도 기판의 위치에 따른 고주파 전류의 크기가 변하는 문제는 발생하지 않는다. 그러나 챔버(12) 내부에 유도 결합형 전극(11, 11')이 형성됨으로서 챔버(12) 내부의 플라즈마 스퍼터링이나 아킹(Arcing) 현상에 의해 전극(11, 11') 물질이 증착하고자 하는 물질 내부에 불순물로 혼입될 수가 있다.
또한, 이와 같은 구조에서는 유도 결합형 전극(11, 11')이 챔버(12)에 고정되어 있기 때문에 위치 조정이 불가능하므로 기판(13)과 유도 결합형 전극(11, 11') 사이의 위치에 따른 플라즈마 밀도 분포를 변화시키기 매우 어려운 문제점이 있다. 일반적인 편면(one-side) 코팅용 장비에서는 유도 결합형 전극이 고정되더라도 기판이 상하로 이동할 수 있기 때문에 전극과 기판 사이에서 가장 균일한 플라즈마 밀도를 갖는 위치를 찾아서 코팅을 할 수 있다. 하지만 도 1d 및 도 1e와 같이 전극(11, 11')이 고정된 양면 코팅용 장비는 기판(13)을 중심으로 양쪽 전극(11, 11')이 서로 대칭적인 관계를 갖기 때문에 한쪽 면의 균일한 증착을 위하여 기판(13)을 움직이게 되면 반대쪽 면에 증착되는 막의 균일성이 떨어질 수 밖에 없는 문제점이 있다.
본 발명에서는 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 기판의 양면 모두 균일한 증착층을 얻기 위해서 기판은 고정되어 있더라도 독립적으로 플라즈마 밀도 분포를 변화시킬 수 있는 양면 코팅용 플라즈마 CVD 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에서는 상기 목적을 달성하기 위하여,
가스 흡기구 및 가스 배기 장치가 형성된 챔버;
상기 챔버 내부의 중앙 영역에 배치되며 기판의 양쪽 면을 노출시키며 상기 기판을 지지하는 기판 홀더부; 및
상기 챔버 외부의 양측부에 형성되며, 유도 자기장을 발생시키는 제 1 코일부 및 제 2 코일부;를 포함하는 플라즈마 CVD 장치를 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 배기 장치는 상기 챔버 내의 상기 기판 홀더부를 둘러싸며 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 배기 장치는 외주면에 형성되며, 외부의 진공 펌프와 연결된 외부 배기구와 내주면에 형성되며 상기 챔버 내부의 가스가 일차적으로 빠져나가는 내부 배기구를 포함하며, 상기 내부 배기구는 둘 이상으로 형성되며, 상기 외부 배기구와의 거리가 멀어질 수록 배기구의 직경이 작아지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 제 1 코일부 및 제 2 코일부는 상기 챔버의 양측부에서 상호 마주보는 형태의 평면 안테나 코일 또는 상기 챔버의 양측부를 원형으로 감고 있는 원형 코일인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 제 1 코일부 및 상기 제 2 코일부 사이의 거리를 조절 가능하도록 비고정형으로 형성하며, 상기 기판 홀더부를 중심으로 상기 챔버 외부에 대칭적으로 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 제 1 코일부 및 상기 제 2 코일부는 고주파 발생기를 상호 공유하고 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 가스 흡입구는 상기 챔버 양측에 상호 대칭적으로 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서는 가스 흡기구 및 가스 배기 장치가 형성된 챔버 내부의 중앙 영역에 기판의 양쪽 면을 노출시키며 상기 기판을 지지하는 기판 홀더부를 배치하며, 상기 챔버 외부의 양측부에 유도 자기장을 발생시키는 제 1 코일부 및 제 2 코일부를 형성하여, 상기 제 1 코일부 및 상기 제 2 코일부에 고주파 전위를 인가하여 상기 챔버 내부의 상기 기판 양측부에 균일한 자기장을 발생시킴으로써 상기 기판 양쪽 면에 박막을 형성하는 플라즈마 CVD 방법을 제공한다.
이하, 도면을 참조하며 본 발명에 의한 양면 코팅용 플라즈마 CVD 장치를 상세히 설명하고자 한다. 도 2a는 본 발명의 실시예에 의한 양면 코팅용 플라즈마 CVD 장치를 나타낸 도면이다.
도 2a를 참조하면, 챔버(21) 내부에 원하는 물질을 증착시키기 위한 기판(22)이 기판 안착부(22')에 장착되어 있으며, 기판(22)을 중심으로 챔버(21) 양쪽은 자장을 발생시키기 위한 제 1, 2코일(23, 23')이 형성되어 있다. 상기 코일은 챔버(21)를 감고 있는 제 1, 2코일(23, 23')은 헬리컬 형태(helical type)이거나 상호 마주보는 형태의 평면 안테나 코일로 형성시킬 수 있다. 상기 코일(23, 23')의 일단부는 챔버(21)의 고주파 발생기(24) 및 매칭 박스(matching box)(25)와 전기적으로 연결되어 있으며, 그 반대쪽 단부는 각각 튜닝 캐패시터(tuning capacitor)(C1, C2)에 연결되어 있다. 본 발명에 의한 양면 코팅용 플라즈마 CVD 장치의 주요 특징부는 상기한 바와 같이, 기판(22)이 장착되는 챔버(21) 양 측부에 유도 자기장을 발생시키는 코일(23, 23')을 설치한 것이다.
그리고, 챔버(21)에는 챔버(21) 내부에 플라즈마를 발생시키기 위한 가스 및 기판(22) 상에 증착시키고자 하는 반응 가스를 주입할 수 있는 다수의 가스 주입구가 마련되어 있다. 기판(22)의 양면에 코팅을 하기 위해서 이와 같은 가스 주입구를 챔버(21) 양쪽에 대칭적으로 형성시키는 것이 바람직하다. 상기 다수의 주입구는 조절하여 설치할 수 있다.
챔버(21)의 중앙 영역에는 가스 배기 장치(26)가 마련되며, 챔버(21) 내부의 반응 가스 등을 균일하게 배기하기 위해 배기구의 크기를 조절하여 형성시키는 것이 바람직하다. 도 2b는 본 발명에 의한 양면 코팅을 위한 플라즈마 CVD 장치에 사용되는 가스 배기 장치(26)의 일 실시예를 나타낸 도면이다. 도 2b를 참조하면, 가스 배기 장치(26)의 내주면에는 챔버(21) 내의 가스가 빠져나가는 내부 배기구(26a)가 형성되며, 외주면에는 펌프와 연결된 외부 배기구(26b)가 형성되어 있다. 펌프와 연결된 외부 배기구(26b)에서 거리가 먼쪽의 내부 배기구(26a)를 크게 형성시키고, 상대적으로 거리가 가까울수록 내부 배기구(26a)를 작게 형성시킴으로써, 챔버(21) 내부의 균일한 가스 배기를 도모할 수 있다.
이와 같이 본 발명에 의한 플라즈마 CVD 장치에서는 챔버(21)의 양측부를 둘러싸고 있는 헬리컬 형태의 코일(23, 23')에 의해 챔버(21) 내에 균일한 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 그리고 발생된 플라즈마를 챔버(21) 중심부에 장착된 기판(22)에 확산시켜 원하는 박막을 증착하게 된다. 챔버(21)는 일반적인 쿼츠 관(Quartz Tube)으로 형성시킬 수 있으며, 코일(23, 23')은 그 양측부에 감겨져 있어 양쪽으로 자유롭게 이동할 수 있는 구조로 되어 있어 기판(22)과 챔버(21) 내의 플라즈마 발생부 사이의 플라즈마 밀도 분포를 조절할 수 있다. 여기서, 헬리컬 코일(23, 23')을 자유롭게 이동시키지 않더라도 각각의 코일(23, 23')에 커패시터( C1, C2)를 장착하여 코일(23, 23')에 가해주는 전류의 양을 조절할 수 있다. 따라서, 기계적으로 코일(23, 23')을 움직이지 않더라고 기판(22) 상에서의 플라즈마 밀도 분포를 변화시킬 수 있다. 유도 전류 발생을 위한 고주파 발생기(24) 및 매칭 박스(25)는 양쪽 코일(23, 23')이 공유하여 사용할 수 있다.
여기서, 챔버(21)를 감고 있는 코일(23, 23')은 챔버(21) 내부에 형성시켜 균일한 플라즈마의 형성을 도모할 수 있으나, 챔버(21) 내부에서 플라즈마에 의한 스퍼터링 현상이 발생하여 기판(22) 상에 증착되어 오염 물질로 작용할 수 있으므로 코일(23, 23')은 챔버(21) 외부를 감고 있는 구조로 형성시키는 것이 바람직하다. 이때, 제 1, 2 코일(23, 23')는 챔버(21) 외부에 고정시킬 수 있으나, 코일(23, 23')간의 거리를 조절할 수 있도록 고정시키지 않는 것이 바람직하다. 두개의 코일(23, 23')은 서로 마주보고 있는 구조로 되어 있으며 고주파 발생기(24) 등을 공유하여 동시에 챔버(21) 내에 자기장을 가한다. 이러한 구조를 지니는 플라즈마 CVD 장치는 챔버의 한쪽에만 코일이 존재하는 것보다 코일이 양쪽에 형성된 구조가 챔버 내의 자기장 분포 측면에서도 보다 유리하다.
도 2a와 같은 구조를 지닌 본 발명에 의한 양면 코팅용 플라즈마 CVD 장치에서 기판(22) 양쪽에 원하는 박막을 증착시키는 과정을 간단히 설명하면 다음과 같다. 챔버(21)의 양쪽에 형성된 가스 주입구를 통하여 아르곤과 같은 비활성 가스를 공급하여 챔버(21) 내부의 기판(22) 양쪽에서 플라즈마를 발생시킨다. 발생된 비활성 가스 플라즈마가 기판(22) 양면 상부로 확산되어 기판(22) 주위에서 분사되는 증착 원료 가스(예를 들어 Gas 3)를 분해하여 기판(22) 상에 소정의 박막이 증착된다.
증착된 박막의 두께 균일성은 기판(22) 상에서의 플라즈마 밀도 뿐만 아니라 증착 원료 가스의 균일한 흐름에도 의존한다. 이러한 목적을 달성하기 위해 종래의 편면 증착 장비에서는 기판 홀더 하부에 배기구를 설치하여 배기의 흐름이 기판 부위에서 동심원을 이루면서 균일하게 발생하도록 유도하였다. 그러나 챔버의 중앙 영역에 기판이 떠 있는 구조를 갖는 양면 코팅 장비에서는 기판을 중심으로 균일한 배기가 이루어 지도록 구성하는 것이 용이하지 않다. 따라서, 본 발명에서는 이러한 문제점을 해결하기 위해 기판(22) 주위에 배기 장치(26)를 설치하여 도 2b에 나타낸 바와 같이 외부 배기구(26b)에서 멀어질수록 배기 구멍이 커지는 형태의 원형 내부 배기구(26a)를 형성시켜 기판(22) 상에서 균일한 기체의 흐름을 유도하는 구조를 지니도록 하였다.
본 발명에 의한 양면 코팅용 플라즈마 CVD 장치에 의해 예를 들어, 플라스틱 기판 상에 박막을 증착하는 과정을 설명하면 다음과 같다. 플라스틱 디스플레이 제작을 위한 TFT(Thin Film Transistor)를 제조하는 공정에서는 플라스틱 기판 상에 실리콘 산화막을 보호막, 층간 절연막(Interlayer Dielectric : ILD) 및 금속간 절연막(Intermetallic Dielectric : IMD) 등을 플라즈마 CVD 장치로 형성시킨다. 플라스틱 디스플레이는 투광성이 좋아야 그 응용 분야의 제한을 적게 받는다. 따라서, 플라스틱 유기물 기판과 무기물 증착층 사이의 접착력을 향상시키기 위해 투명한 실리콘 산화막이 보호막으로 코팅된다. 실리콘 산화막은 투명하기 때문에 양면에 코팅되어도 플라스틱 기판의 투광성을 저해하지 않는다.
먼저 플라스틱 기판 도 2a에 나타낸 양면 코팅용 플라즈마 CVD 장치의 기판 홀더(22')에 장착한다. 챔버(21)를 고진공 상태로 만들기 위해 챔버(21) 내부의 가스를 펌핑하고, 플라즈마 발생용 비활성 가스인 아르곤(Ar) 등을 챔버(21) 내에 주입한다. 그리고, 고주파 발생기(24)를 통해서 코일(23, 23')로 고주파를 인가하여 챔버(21) 내에 플라즈마를 발생시킨다. 다음으로, 기판(22) 양면에 보호막인 실리콘 산화막을 코팅하기 위해서 반응 가스인 SiH4와 N2O 가스를 도 2a의 반응가스 주입구(26, 26', 27, 27')를 통해서 공급한다. 플라즈마 발생을 위한 아르곤 가스는 챔버 양쪽의 가스 주입구(29, 29')를 통해서 공급한다. 이때 챔버(21) 내부에 발생된 플라즈마는 기판(21) 양쪽에 균일한 밀도 분포를 가지며, 이에 따라 기판(21) 양면에 실리콘 산화막이 균일하게 증착된다.
이와 같은 공정 초기의 보호막인 실리콘 산화막 이외에, 층간 절연막(Interlayer Dielectric : ILD) 및 금속간 절연막(Intermetallic Dielectric : IMD)을 증착시키는 공정 시, 본 발명에 의한 플라즈마 CVD 장치에서 양면 코팅 공정을 수행한다. 증착 공정이 진행되거나 끝나면, 챔버(21) 내의 반응 가스 등을 펌핑 장치(26)에 형성된 내부 배기구(26a) 및 외부 배기구(26b)를 통해 외부 펌프로 배기한다. 상기한 바와 같이, 배기 장치(26)의 배기구(26a, 26b)는 이중으로 형성시키고, 내부 배기구(26a)의 크기는 외부 배기구(26b)로부터 거리가 멀어짐에 따라 상대적으로 크게 형성시킨다. 따라서, 기판(22)을 중심으로 균일하게 가스가 빠져 나가도록 한다.
이하, 도 3a 내지 도 3c를 참조하여, 챔버 한쪽에만 코일을 형성시킨 경우와 챔버 양쪽에 코일을 형성시킨 경우의 자기장 분포를 상호 비교해 보기로 한다.
도 3a는 챔버의 한쪽 면에만 코일이 존재 할 때의 자기장 분포를 보여주는 그래프이다. 여기서, 가로축 R은 챔버에 코일이 감긴 방향으로의 챔버 좌측부에서의 거리를 나타내며, 세로축 Z는 코일 내부에 형성된 자장 방향으로의 거리를 나타낸다. 도 3a를 참조하면, 챔버 일측부에만 코일을 형성시킨 경우에는 자기장이 균일한 영역이 존재하지 않고 코일에서부터 거리가 멀어짐에 따라 비례해서 동일 자기장 선 폭이 넓어지는 것을 알 수 있다. 즉 자기장을 따라 플라즈마 내부 발생 전자의 이동이 불균일하게 되고 기판 상에서의 위치에 따라 플라즈마 밀도가 변화한다고 볼 수 있다.
그러나, 도 3b 및 도 3c에 나타낸 바와 같이 두개의 코일을 챔버 양쪽에 상호 대칭에 가까운 구조로 형성시킨 경우에는, 코일 사이의 기판이 존재하는 영역에서 두 코일에 의한 자기장의 상호 간섭 현상에 의해 균일한 자기장 분포가 나타나는 것을 알 수 있다. 또한, 양쪽 코일들 사이의 거리 D를 변화시켰을 때에도 큰 변화 없이 균일한 자기장 분포가 유지되는 것을 볼 수 있다. 따라서 양면 코팅을 위해 마주보는 형태의 코일 구조를 이용하는 경우 기판에서 더욱 균일한 플라즈마 밀도가 얻어짐을 알 수 있다.
도면 3b 및 도 3c와 같이 코일 사이의 거리를 조정하여 기판에서의 플라즈마 밀도 분포를 조정할 수도 있지만, 도 2a에 나타낸 바와 같이 두 코일에 각각 캐패시터 C1, C2를 장착하여 유도 전류를 변화시켜주게 되면 D 값을 변화시키지 않고도 플라즈마 분포 조절이 가능하다.
도 3b 및 도 3c에서는 양쪽 코일에 흐르는 전류가 동상(同相, inphase)인 경우에 대해 나타내었으나, 양쪽 코일에 흐르는 전류가 이상(異相, antiphase)인 경우에도 적용시킬 수 있다. 이때 이상 전류가 흐르는 양쪽 코일의 거리 D에 따라 자장의 분포를 살펴보면 도면 4b 및 도 4c 와 같은 결과를 얻을 수 있다.
도 4a는 도 2a의 챔버(21)를 감고 있는 양쪽 코일(23, 23')에 흐르는 전류 방향을 다르게 한 경우를 나타낸 것이며, 도 4b 및 도 4c는 코일 간의 거리를 서로 다르게 한 경우(D=12cm, 20cm)의 R 값에 따른 자장 분포를 나타낸 것이다. 도 4b 및 도 4c를 참조하면 이상 (異相) 코일 전류 상태에서도 수직한 방향으로의 자기장 Bz은 코일간의 거리 D에는 거의 영향을 받지 않고 일정한 것을 알 수 있다. 그러나 동심원 방향의 자기장 Br은 코일간의 거리 D의 변화에 따라 크게 변화하는 것을 알 수 있다. D가 20cm에서 12cm로 감소하게 되면 기판 중심인 R=0에서부터 R이 커지게 되면 자기장이 강해지게 되는 것을 알 수 있다. 즉 플라즈마의 밀도는 챔버(21) 벽 근처가 높고 중심부로 갈 수록 작아지게 된다는 것을 의미한다. 이러한 플라즈마 밀도의 분포는 실제 상황에서 기판(22) 주변에 균일한 방사형 플라즈마 밀도를 얻는데 도움이 된다.
도 4d는 도 2a의 플라즈마 챔버(21)에서의 밀도 분포 및 그에 따른 기판(22) 주변에서의 플라즈마 밀도 분포를 보여주고 있다. 챔버(21) 벽에서는 전자들이 쉽게 확산하여 플라즈마 효율이 감소하게 된다. 따라서 플라즈마 발생 부위의 챔버(21) 벽에 가까운 부위에서의 플라즈마 밀도가 높으면 최종적으로 챔버(21) 중심부에 장착된 기판(22) 표면에서의 플라즈마 밀도는 도면 4d와 같은 균일한 분포가 얻어져서 기판(22)상에 형성되는 막의 균일성을 향상시킨다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
본 발명은 다음과 같은 장점이 있다.
첫째, 플라스틱 기판과 같은 가요성 기판을 사용하는 분야에서 편면(片面) 코딩에 의해 발생하는 기판의 휨 현상에 의한 박막 내부의 크랙 발생을 원천적으로 방지하여 우수한 성능의 플라스틱 디스플레이 또는 플라스틱 기판을 이용한 디바이스 구현을 가능하게 한다.
둘째, 플라즈마를 발생시키는 코일은 챔버 외부에 형성시켜 플라즈마와 전극과의 스퍼터링 현상에 의한 불순물 오염을 원천적으로 방지할 수 있다.
세째, 플라즈마 발생을 위한 코일의 위치를 챔버 외부에서 용이하게 조절할 수 있어 원하는 공정 조건에서 기판 주위의 플라즈마 밀도를 균일하게 형성시킬 수 있는 장점이 있다. 또한 코일에 흐르는 전류를 동상 (同相) 또는 이상 (異相)으로 선택하게 되면 동심원 방향으로 플라즈마 밀도를 변화시킬 수 있어, 매우 용이하게 기판 부위에서 균일한 플라즈마 밀도를 얻을 수 있는 장점이 있다.
네째, 챔버 내부의 가스를 배기하는 배기구를 두 겹으로 구성하여 주 배기구는 펌프와 연결되지만 챔버 내부의 가스를 직접적으로 배기를 위한 챔버 벽면 배기구는 주 배기구에서부터 먼 곳으로 직경이 커지도록 하여 하나의 챔버 내부의 가스 배기는 방사형으로 균일하게 이루어지는 장점이 있다.
도면 1a 및 도 1b는 종래 기술에 의해 실리콘 산화막을 플라스틱 기판 상에 편면 코팅한 후에 다시 뒤집어서 코팅한 경우를 나타낸 도면이다.
도 1c는 종래 기술에 의한 플라즈마 CVD 장치에 의해 플라스틱 기판 상에 소정 물질을 코팅한 뒤 증착된 실리콘 산화막의 크랙(crack)의 발생을 보여주는 광학 현미경 사진을 나타낸 것이다.
도 1d 및 도 1e는 종래 기술에 의한 플라즈마 CVD 장치를 나타낸 도면이다.
도 2a는 본 발명의 실시예에 의한 양면 코팅용 플라즈마 CVD 장치의 단면도를 나타낸 것이다.
도 2b는 본 발명에 의한 양면 코팅용 플라즈마 CVD 장치에 사용되는 펌핑 장치를 나타낸 도면이다.
도 3a는 종래 기술에 의한 플라즈마 CVD 장치의 편측 코일 구조에서의 불균일한 자장 분포를 나타낸 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명에 의한 플라즈마 CVD 장치의 양측 코일 구조에서의 균일한 자장 분포를 나타낸 도면이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 의한 플라즈마 CVD 장치의 코일 구조 및 코일 거리에 따른 자장 분포를 나타낸 도면이다.
도 4d는 본 발명에 의한 플라즈마 CVD 장치에서의 플라즈마 챔버 내주의 플라즈마 밀도 분포에 따른 기판 상의 플라즈마 밀도 분포를 나타낸 도면이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
101, 13, 22... 기판 102... 실리콘 산화막
103... 크랙 11, 11'... 유도 결합형 전극
12... 챔버 14, 22'... 기판 홀더
15, 15'... 반응 가스 주입구 16... 가스 배출구
21... 챔버 23, 23'... 코일
24... 고주파 발생기 25... 매칭 박스
26... 펌핑 장치 26a... 내부 배기구
26b... 외부 배기구
27, 27', 28, 28', 29, 29'... 가스 주입구

Claims (10)

  1. 플라즈마 CVD 장치에 있어서,
    가스 흡기구 및 가스 배기 장치가 형성된 챔버;
    상기 챔버 내부의 중앙 영역에 배치되며 기판의 양쪽 면을 노출시키며 상기 기판을 지지하는 기판 홀더부; 및
    상기 챔버 외부의 양측부에 형성되며, 유도 자기장을 발생시키는 제 1 코일부 및 제 2 코일부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 배기 장치는 상기 챔버 내의 상기 기판 홀더부를 둘러싸며 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 배기 장치는 외주면에 형성되며, 외부의 진공 펌프와 연결된 외부 배기구와 내주면에 형성되며 상기 챔버 내부의 가스가 일차적으로 빠져나가는 내부 배기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 내부 배기구는 둘 이상으로 형성되며, 상기 외부 배기구와의 거리가 멀어질 수록 배기구의 직경이 작아지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 코일부 및 제 2 코일부는 상기 챔버의 양측부에서 상호 마주보는 형태의 평면 안테나 코일 또는 상기 챔버의 양측부를 원형으로 감고 있는 원형 코일인 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 코일부 및 상기 제 2 코일부 사이의 거리를 조절 가능하도록 비고정형으로 형성시킨 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 코일부 및 상기 제 2 코일부는 상기 기판 홀더부를 중심으로 상기 챔버 외부에 대칭적으로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD 장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 코일부 및 상기 제 2 코일부는 일단부는 고주파 발생기를 상호 공유하며, 타단부는 각각 캐패시터와 연결된 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD 장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 가스 흡입구는 상기 챔버 양측에 상호 대칭적으로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD 장치.
  10. 가스 흡기구 및 가스 배기 장치가 형성된 챔버 내부의 중앙 영역에 기판의 양쪽 면을 노출시키며 상기 기판을 지지하는 기판 홀더부를 배치하며, 상기 챔버 외부의 양측부에 유도 자기장을 발생시키는 제 1 코일부 및 제 2 코일부를 형성하여,
    상기 제 1 코일부 및 상기 제 2 코일부에 고주파 전위를 인가하여 상기 챔버 내부의 상기 기판 양측부에 균일한 자기장을 발생시킴으로써 상기 기판 양쪽 면에 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 CVD 방법.
KR10-2004-0006105A 2004-01-30 2004-01-30 양면 코팅용 플라즈마 ｃｖｄ 장치 및 플라즈마 ｃｖｄ 방법 KR100519778B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2004-0006105A KR100519778B1 (ko) 2004-01-30 2004-01-30 양면 코팅용 플라즈마 ｃｖｄ 장치 및 플라즈마 ｃｖｄ 방법
CNA2005100061082A CN1648283A (zh) 2004-01-30 2005-01-28 等离子体化学气相沉积系统及涂覆衬底两侧的方法
US11/044,278 US20050170668A1 (en) 2004-01-30 2005-01-28 Plasma chemical vapor deposition system and method for coating both sides of substrate
JP2005022618A JP2005217425A (ja) 2004-01-30 2005-01-31 両面コーティング用のプラズマｃｖｄ装置およびプラズマｃｖｄ方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2004-0006105A KR100519778B1 (ko) 2004-01-30 2004-01-30 양면 코팅용 플라즈마 ｃｖｄ 장치 및 플라즈마 ｃｖｄ 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050078010A KR20050078010A (ko) 2005-08-04
KR100519778B1 true KR100519778B1 (ko) 2005-10-07

Family

ID=34806045

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2004-0006105A KR100519778B1 (ko) 2004-01-30 2004-01-30 양면 코팅용 플라즈마 ｃｖｄ 장치 및 플라즈마 ｃｖｄ 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20050170668A1 (ko)
JP (1) JP2005217425A (ko)
KR (1) KR100519778B1 (ko)
CN (1) CN1648283A (ko)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7663607B2 (en) 2004-05-06 2010-02-16 Apple Inc. Multipoint touchscreen
CN104965621B (zh) 2006-06-09 2018-06-12 苹果公司 触摸屏液晶显示器及其操作方法
US8243027B2 (en) * 2006-06-09 2012-08-14 Apple Inc. Touch screen liquid crystal display
US8654083B2 (en) 2006-06-09 2014-02-18 Apple Inc. Touch screen liquid crystal display
US8493330B2 (en) 2007-01-03 2013-07-23 Apple Inc. Individual channel phase delay scheme
US9710095B2 (en) 2007-01-05 2017-07-18 Apple Inc. Touch screen stack-ups
KR100916931B1 (ko) * 2008-05-14 2009-09-15 주식회사 테스 기판 처리 장치
JP4703749B2 (ja) * 2008-09-17 2011-06-15 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び基板処理方法
CN101886253B (zh) * 2010-06-25 2013-09-11 合肥科烨电物理设备制造有限公司 潘宁放电离子源柔性材料真空镀膜机
CN102560436B (zh) * 2010-12-13 2014-07-16 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种气相沉积设备
US8804056B2 (en) 2010-12-22 2014-08-12 Apple Inc. Integrated touch screens
US9297075B2 (en) 2011-08-30 2016-03-29 Mitsubishi Electric Corporation Plasma deposition apparatus and plasma deposition method
US9234278B2 (en) * 2012-01-20 2016-01-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. CVD conformal vacuum/pumping guiding design
CN102683250B (zh) * 2012-05-22 2015-02-04 山东力诺太阳能电力股份有限公司 晶体硅太阳能电池镀膜设备
CN102677020B (zh) * 2012-05-22 2014-04-23 山东力诺太阳能电力股份有限公司 一种晶体硅太阳能电池双层镀膜设备
US9121540B2 (en) 2012-11-21 2015-09-01 Southwest Research Institute Superhydrophobic compositions and coating process for the internal surface of tubular structures
US10669625B2 (en) * 2013-03-15 2020-06-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Pumping liner for chemical vapor deposition
JP2015142033A (ja) * 2014-01-29 2015-08-03 株式会社 天谷製作所 常圧気相成長装置および常圧気相成長方法
US10151025B2 (en) * 2014-07-31 2018-12-11 Seagate Technology Llc Helmholtz coil assisted PECVD carbon source
CN108631047A (zh) * 2018-03-23 2018-10-09 四川大学 阻断式感容耦合螺旋等离子体天线
CN114836736A (zh) * 2021-02-01 2022-08-02 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 等离子体镀膜设备和镀膜方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5779621A (en) * 1980-11-05 1982-05-18 Mitsubishi Electric Corp Plasma processing device
KR930003136B1 (ko) * 1987-10-14 1993-04-22 후루가와덴기 고오교오 가부시기가이샤 프라즈마 cvd에 의한 박막 형성장치
US4952273A (en) * 1988-09-21 1990-08-28 Microscience, Inc. Plasma generation in electron cyclotron resonance
US6077384A (en) * 1994-08-11 2000-06-20 Applied Materials, Inc. Plasma reactor having an inductive antenna coupling power through a parallel plate electrode
US5670415A (en) * 1994-05-24 1997-09-23 Depositech, Inc. Method and apparatus for vacuum deposition of highly ionized media in an electromagnetic controlled environment
JP3582287B2 (ja) * 1997-03-26 2004-10-27 株式会社日立製作所 エッチング装置
US6103074A (en) * 1998-02-14 2000-08-15 Phygen, Inc. Cathode arc vapor deposition method and apparatus
US6464912B1 (en) * 1999-01-06 2002-10-15 Cvd, Incorporated Method for producing near-net shape free standing articles by chemical vapor deposition
EP1199378A4 (en) * 2000-03-27 2006-09-20 Mitsubishi Heavy Ind Ltd METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING A METAL FILM
US6666920B1 (en) * 2000-08-09 2003-12-23 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Gas collector for providing an even flow of gasses through a reaction chamber of an epitaxial reactor
US6776849B2 (en) * 2002-03-15 2004-08-17 Asm America, Inc. Wafer holder with peripheral lift ring

Also Published As

Publication number Publication date
US20050170668A1 (en) 2005-08-04
KR20050078010A (ko) 2005-08-04
CN1648283A (zh) 2005-08-03
JP2005217425A (ja) 2005-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100519778B1 (ko) 양면 코팅용 플라즈마 ｃｖｄ 장치 및 플라즈마 ｃｖｄ 방법
US5855685A (en) Plasma enhanced CVD apparatus, plasma enhanced processing apparatus and plasma enhanced CVD method
US8074599B2 (en) Plasma uniformity control by gas diffuser curvature
KR100856690B1 (ko) 가스 확산홀 구조에 의한 균일한 플라즈마 제어
CN1322793C (zh) 用多缝隙天线的表面波等离子体处理装置
TWI242604B (en) Apparatus and method for deposition of protective film for organic electroluminescence
CN101443474B (zh) 改善大面积基板均匀性的方法和设备
JP2938361B2 (ja) 薄膜トランジスタのための多段階ｃｖｄ法
CN101208457B (zh) 制造平板基体的方法
JP2886752B2 (ja) 無端環状導波管を有するマイクロ波導入装置及び該装置を備えたプラズマ処理装置
EP0764969B1 (en) Microwave plasma processing apparatus and microwave plasma processing method
TW201143549A (en) Plasma processing apparatus and method
US11770964B2 (en) Thin-film encapsulation
US9340868B2 (en) Sputtering device
US20070283889A1 (en) Apparatus of processing substrate
US5558719A (en) Plasma processing apparatus
JP3118121B2 (ja) マイクロ波プラズマｃｖｄ装置及び堆積膜形成方法
JPH11243000A (ja) マイクロ波導入方法及びプラズマ処理方法
JPH0610140A (ja) 薄膜堆積装置
JP3295336B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2001345312A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びに構造体の製造方法
JPH10158846A (ja) バッチ式マイクロ波プラズマ処理装置及び処理方法
US20120103802A1 (en) Thin film depositing apparatus
TW201036497A (en) Inductively coupled plasma generation source electrode and substrate processing apparatus comprising the same
JP2001250778A (ja) プラズマ処理装置及び処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080708

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee