CN104733351A - 衬底处理模块、包括该衬底处理模块的衬底处理设备以及衬底传输方法 - Google Patents

衬底处理模块、包括该衬底处理模块的衬底处理设备以及衬底传输方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104733351A
CN104733351A CN201410805920.0A CN201410805920A CN104733351A CN 104733351 A CN104733351 A CN 104733351A CN 201410805920 A CN201410805920 A CN 201410805920A CN 104733351 A CN104733351 A CN 104733351A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pedestal
substrate
support
lifter pin
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410805920.0A
Other languages
English (en)
Inventor
玄俊镇
宋炳奎
金劲勋
金龙基
申良湜
金苍乭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Eugene Technology Co Ltd
Original Assignee
Eugene Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Eugene Technology Co Ltd filed Critical Eugene Technology Co Ltd
Publication of CN104733351A publication Critical patent/CN104733351A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • H01L21/205—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供了一种衬底处理模块、包括该衬底处理模块的衬底处理设备以及衬底传输方法。该衬底处理模块包括：具有通道的腔室，通道形成在其一侧上并允许衬底通过其进入或离开；安装在腔室内的第一基座，其设置在通道的前面，具有以贯穿的方式形成在其上表面中的至少一个通孔，并且允许衬底在处理期间放置在其上；安装在腔室内的第二基座，其设置到第一基座的后面，并且允许衬底在处理期间放置在其上；设置在腔室内并基于预设位置旋转的旋转部件；连接到旋转部件的支架，支架与旋转部件一起旋转并具有允许衬底放置在其上的安装表面；连接到旋转部件并驱动旋转部件将支架移动到对应于第一基座的备用位置或对应于第二基座的输送位置的支架驱动模块。

Description

衬底处理模块、包括该衬底处理模块的衬底处理设备以及衬底传输方法
相关申请交叉引用
本申请要求于2013年12月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2013-0160268的优先权，其公开内容通过引用并入本文。
背景技术
本发明涉及一种衬底处理模块、一种包括该衬底处理模块的衬底处理设备以及一种衬底传输方法，且更特别地涉及一种允许增加腔室内的衬底的量的衬底处理模块以及包括该衬底处理模块的衬底处理设备。
通常，在基于化学汽相淀积过程的衬底处理设备中，传输机械手用于将两个或更多个晶片传输到腔室的基座，以便在单个腔室内处理该两个或更多个晶片。
【相关技术文献】
(专利文献1)韩国专利公开号2007-0080767，2007年8月13日公布
发明内容
本公开的一个方面可提供一种用于同时在多个衬底上实施处理的衬底处理模块、一种包括所述衬底处理模块的衬底处理设备以及一种衬底传输方法。
本公开的一个方面还可提供一种用于有效地将多个衬底装载到腔室中或从腔室卸载多个衬底的衬底处理模块、一种包括所述衬底处理模块的衬底处理设备以及一种衬底传输方法。
通过以下结合附图描述的实施例，本发明的其他方面将变得明显。
根据本发明的一个方面，一种衬底处理模块包括：腔室，所述腔室具有通道，该通道形成在腔室的一侧并允许衬底经由该通道进入或离开；第一基座，所述第一基座安装在所述腔室内，设置在所述通道的前面，具有以贯穿的方式形成在第一基座的上表面中的至少一个通孔，并允许所述衬底在处理期间放置在第一基座上；第二基座，所述第二基座安装在所述腔室内，设置在所述第一基座的后面，并且允许所述衬底在处理期间放置在第二基座上；旋转部件，所述旋转部件设置在所述腔室内并基于预设位置旋转；支架，所述支架连接到所述旋转部件，与所述旋转部件一起旋转并具有允许所述衬底放置在其上的安装表面；以及支架驱动模块，所述支架驱动模块连接到所述旋转部件，并驱动所述旋转部件，以将所述支架移动到对应于所述第一基座的位置的备用位置或移动到对应于所述第二基座的位置的输送位置。
根据本发明的另一方面，一种衬底处理模块可包括：腔室，所述腔室具有由分隔件划分而成的第一处理空间和第二处理空间，并具有第一通道和第二通道，所述第一通道和第二通道形成在所述腔室的一侧并分别允许衬底进入和离开所述第一处理空间和第二处理空间；第一和第三基座，所述第一和第三基座安装在所述腔室内，分别被设置在所述第一通道的前面和所述第二通道的前面，具有以贯穿的方式形成在所述第一和第三基座的上表面中的至少一个通孔，并允许所述衬底在处理期间放置在所述第一和第三基座上；第二和第四基座，所述第二和第四基座安装在所述腔室内，分别设置在所述第一基座和所述第三基座的后面，并允许所述衬底在处理期间放置在所述第二和第四基座上；第一旋转部件和第二旋转部件，所述第一旋转部件和第二旋转部件安装在所述腔室内并分别基于预设位置旋转；第一支架，所述第一支架连接到所述第一旋转部件，以与所述第一旋转部件一起旋转，并且所述第一支架具有允许所述衬底放置在其上的安装表面；第二支架，所述第二支架连接到所述第二旋转部件以与其一起旋转，并且所述第二支架具有允许所述衬底放置在其上的安装表面；第一支架驱动模块，所述第一支架驱动模块连接到所述第一旋转部件以驱动所述第一旋转部件，并将所述第一支架移动到对应于所述第一基座的第一备用位置或移动到对应于所述第二基座的第一输送位置；第二支架驱动模块，所述第二支架驱动模块连接到所述第二旋转部件以驱动所述第二旋转部件，并将所述第二支架移动到对应于所述第三基座的第二备用位置或移动到对应于所述第四基座的第二输送位置；至少一个升降销，所述至少一个升降销分别安装在所述第一和第三基座的下方，并移动穿过所述至少一个通孔；以及升降销驱动模块，所述升降销驱动模块连接到所述至少一个升降销，并使所述至少一个升降销在升降销容纳水平和升降销装载水平之间移动，其中，在所述升降销容纳水平处，所述至少一个升降销的上端被定位成比所述第一和第三基座高，而在所述升降销装载水平处，所述安装表面被定位成比所述第一和第三基座的上表面低。
根据本发明的另一方面，一种衬底处理设备可包括：负载锁定腔室，所述负载锁定腔室允许从外侧传输的衬底放置在所述负载锁定腔室上，并具有从真空状态变化到大气压力状态的内部；衬底处理模块，所述衬底处理模块在所述衬底上实施处理；以及衬底传输模块，所述衬底传输模块设置在所述负载锁定腔室和所述衬底处理模块之间，并具有在所述负载锁定腔室和所述衬底处理模块之间传输所述衬底的衬底传输机械手，其中，所述衬底处理模块包括：腔室，所述腔室具有通道，所述通道形成在所述腔室的一侧并允许衬底经由该通道进入或离开；第一基座，所述第一基座安装在所述腔室内，设置在所述通道的前面，具有以贯穿的方式形成在其上表面中的至少一个通孔，并允许所述衬底在处理期间放置在第一基座上；第二基座，所述第二基座安装在所述腔室内，设置在所述第一基座的后面，并允许所述衬底在处理期间放置在第二基座上；旋转部件，所述旋转部件设置在所述腔室内并基于预设位置旋转；支架，所述支架连接到所述旋转部件，与所述旋转部件一起旋转并具有允许所述衬底放置在其上的安装表面；以及支架驱动模块，所述支架驱动模块连接到所述旋转部件，并驱动所述旋转部件，以将所述支架移动到对应于所述第一基座的备用位置或对应于所述第二基座的输送位置。
根据本发明的另一个方面，一种通过使用前述衬底处理模块来传输衬底的衬底传输方法可包括：将第一衬底放置在第一基座上的第一安装操作；将处于备用位置中的支架从支架装载水平改变到支架容纳水平的第一改变操作；旋转所述支架以移动到输送位置的第一移动操作；将处于输送位置中的支架从支架容纳水平改变到支架装载水平的第二改变操作；以及，将第二衬底放置在第一基座上的第二安装操作。
附图说明
从结合附图的以下详细描述中，将更加清楚地理解本发明的以上和其他方面、特征和其他优点，其中：
图1是示意性地示出了根据本发明的示例性实施例的衬底处理设备的视图；
图2是示意性地示出了图1所示的衬底处理模块的视图；
图3是沿图2的线A-A截取的剖视图；
图4是沿图2的线B-B截取的剖视图；
图5是示出了图2中所示的基座的视图；
图6是示出了图2中所示的支架的视图；并且
图7A至8E是示出了图2中所示的支架的操作的视图。
具体实施方式
下文中，将参考附图详细地描述本发明的示例性实施例。
然而，本公开可以许多不同的形式来实施，并且不应视为限于再次阐述的具体实施例。相反地，提供了这些实施例以使得本发明将是全面和完整的，并将为本领域技术人员充分地传达本发明的范围。
在附图中，元件的形状和尺寸可为了清晰而被放大，并且在全文中使用相同的附图标记来指代相同或相似的元件。
下文中下，以示例性方式描述了沉积过程，但是本发明可适用于包括沉积过程的各种过程。
图1是示意性地示出了根据本发明的示例性实施例的衬底处理设备的视图。衬底处理设备1包括处理装置(equipment)2、装置前端模块(EFEM)3以及接口壁4。EFEM 3安装在处理装置2的前面，以在容纳衬底的容器(未示出)和该处理装置之间传输衬底。
EFEM 3包括多个装载口60和框架50。框架50被定位在装载口60和处理装置2之间。通过诸如高空传输单元、高空输送单元或自动引导车的传输单元(未示出)将容纳衬底的容器放置在装载口60上。
该容器可以是诸如前开式标准晶圆盒(FOUP)的气密容器。在放置于装载口60上的容器和处理装置2之间传输衬底的框架机械手70被安装在框架50内。自动打开和关闭该容器的门的开门器(未示出)可安装在框架50中。同样，将清洁空气供应到框架50的内部使得清洁空气在框架50内向下流动(即，从上到下)的风机过滤单元(FFU)(未示出)可设置在框架50中。
用于处理衬底的预定过程在处理装置2中实施。处理装置2包括衬底传输模块102、负载锁定腔室106和衬底处理模块110。当从上方观察时，衬底传输模块102大致具有多边形形状，并且，该负载锁定腔室106和衬底处理模块110安装在衬底传输模块102的侧面。
负载锁定腔室106被定位在衬底传输模块102的多个侧面中的与EFEM 3相邻的一侧。衬底被临时地保持在负载锁定腔室106内并被装载到处理装置2中以进行处理，在完成该处理之后，衬底被从处理装置2卸载并临时地保持在负载锁定腔室106内。衬底传输模块102和衬底处理模块110的内部被保持处于真空状态，并且负载锁定腔室106被改变以处于真空状态或具有大气压力。负载锁定腔室106防止外部污染物被引入到衬底传输模块102和衬底处理模块110的内部。此外，当传输衬底时，衬底不暴露于空气中，防止了氧化膜在衬底上的生长。
在负载锁定腔室106和衬底传输模块102之间以及在负载锁定腔室106和EFEM 3之间安装有闸门阀(未示出)。当在EFEM 3和负载锁定腔室106之间传输衬底时，设置在负载锁定腔室106和衬底传输模块102之间的闸门阀被关闭，并且当在负载锁定腔室106和衬底传输模块102之间传输衬底时，设置在负载锁定腔室106和EFEM 3之间的闸门阀被关闭。
衬底传输模块102包括衬底传输机械手104。衬底传输机械手104在负载锁定腔室106和衬底处理模块110之间传输衬底。当衬底传输模块102传输衬底时，衬底传输模块102被气密地密封，以维持真空。维持真空是为了防止衬底暴露于污染物(如，O2、颗粒物等)。
衬底处理模块110被设置为将薄膜沉积在衬底上。图1示出了三个衬底处理模块110，但本发明不限于此，而是可以提供四个或更多个衬底处理模块110。此外，可在衬底传输模块102的侧面上安装实施不同过程(例如，清洗或蚀刻)的模块。
图2是示意性地示出了图1所示的衬底处理模块的视图，并且图3是沿图2的线A-A截取的剖视图。如图2所示，衬底处理模块110包括腔室120，该腔室120具有通道130，通道130允许衬底W经由该通道130进入和离开。腔室120提供了处理空间，并且在该处理空间内实施衬底W的处理。分隔件122安装在腔室120内，并且腔室120的处理空间由该分隔件122分隔成第一处理空间120a和第二处理空间120b。
腔室120可具有形成在其一侧的通道130，并且衬底W经由该通道130进入腔室120。即，第一通道131形成在腔室120的对应于第一处理空间120a的一侧，并且第二通道132形成在腔室120的对应于第二处理空间120b的一侧。闸门阀170可安装在第一和第二通道131和132的外侧，并且第一和第二通道131和132可由闸门阀170打开或关闭。如上所讨论的，衬底传输机械手104与衬底W一起经由第一和第二通道131和132移动到腔室120的内部，将衬底W安装在如下所述的升降销161或叉155的上端上，并从腔室120移动通过第一和第二通道131和132。这里，第一和第二通道131和132由闸门阀170被打开。
如图2和3所示，多个基座140安装在腔室120内。第一和第二基座141和142被顺序地设置成在衬底W被引入的方向上平行。第一基座141设置在与第一通道131对应的位置，并且第二基座142相对于第一基座141向内设置。此外，第三和第四基座143和144被顺序地设置成在衬底W被引入的方向上平行。第三基座143设置在与第二通道132对应的位置，并且第四基座144相对于第三基座143向内设置。
衬底W通过衬底传输机械手104移动到腔室120的内部，并且当实施该过程时，衬底W放置在第一至第四基座141、142、143和144上。第一至第四基座141、142、143和144由支撑轴146支撑，并且支撑轴146固定到腔室120的下表面。
如图2所示，第一基座141和第三基座143分别定位在第一通道131和第二通道132的前面(即，衬底W通过通道131和132被引入腔室120的内部的部分)。在每个基座上放置单个衬底W的状态下开始处理，这里，该处理可分别同时在衬底W上实施。因此，可对四个衬底W完成处理，由此可提高生产率。
同时，如上所述，衬底W可经由衬底传输机械手104传输到腔室120的内部，该衬底传输机械手104将衬底W放置在升降销161或叉155上。
如图2和6所述，支架150的叉155可经由臂156连接到旋转轴157，并且可基于旋转轴157的中心(或腔室120的预设位置)旋转。在这里，叉155可具有围绕衬底W的边缘的圆弧形状，具体地弧形形状(或扇形)。此外，该扇形可具有180度或更大的中心角(centralangle)，以在衬底W被拾起和传输时提供稳定性。旋转轴157穿过通过腔室120的下壁，安装在腔室120的预设中心中，并在该预设中心上旋转。旋转轴157连接到支架驱动模块159，并且通过支架驱动模块159被提升或降低和旋转。支架151和152与旋转轴157一起被提升和降低以及旋转。支架驱动模块159固定到支撑板158，该支撑板158固定地安装在腔室120的下壁上。
旋转轴157设置在腔室120的内部空间中。旋转轴157在基于衬底W进入和离开通道130的方向的腔室120的宽度方向上定位在腔室120的端部处，并且在腔室120的纵向方向上设置在腔室120的中心。例如，腔室120的第一处理空间120a具有与在衬底进入第一通道131的方向上的第一处理空间120a的宽度相等的宽度，以及在垂直于进入方向的方向上的第一处理空间120a的长度。这里，第一旋转轴157a设置在第一处理空间120a的长度的中心并设置在第一处理空间120a的宽度的两端处。从第一旋转轴157a到第一基座141的中心的距离与从第一旋转轴157a的中心到第二基座142的中心的距离可以相等。因此，连接到第一旋转轴157a的第一支架151可将衬底W从第一基座141精确地移动到第二基座142。在第一旋转轴157a和第一基座141之间的距离可以小于第一处理空间120a的宽度。到目前为止，已经描述了第一旋转轴157a，这里，安装在第二处理空间120b中的第二旋转轴157b可具有与第一旋转轴157a相同的结构和操作效果。
第一和第二支架151和152可通过旋转而分别定位在第一和第二通道131和132的前面(“备用位置”)，或可定位在第一和第二通道131和132的后面(“输送位置”)。即，第一和第二支架151和152可旋转以放置在对应于第一和第三基座141和143的备用位置或对应于第二和第四基座142和144的输送位置。衬底传输机械手104可将衬底W放置在第一和第三基座141和143的升降销161的上端上。此外，衬底传输机械手104还可将衬底W放置在定位在备用位置中的第一和第二支架150上，这里，衬底W被放置在如下描述的支撑销155a的上表面上。在接收衬底W后，支架150可旋转以从备用位置移动到输送位置。
同时，当支架150移动到输送位置时，放置有衬底W的支架151和152可不定位在第一和第三基座141和143中。这里，分别设置在第一和第三基座141和143下方的升降销161以贯穿的方式穿过通孔145以从衬底传输机械手104接收衬底W。以该方式，多个衬底W可放置在第一至第四基座141、142、143和144上。以下将详细描述升降销161的操作。
此外，衬底W可放置在第一至第四基座141、142、143和144上，或在支架151和152上升和下降时与第一到第四基座141、142、143和144的支撑表面147分离。以下将详细描述支架151和152的上升或下降。
如图2和3所示，腔室120具有形成在其底部表面的边缘上的至少一个排气口124，并且所述至少一个排气口124设置在基座141、142、143和144的外侧。当实施处理时，副产物和未反应气体通过所述至少一个排气口124从腔室120向外排出。
图4是沿着图2的线B-B截取的剖视图。多个通孔145被形成为穿过第一和第三基座141和143的上表面。升降销161可分别安装在第一和第三基座141和143下方，并移动穿过所述通孔145。即，升降销161的上端穿过通孔145以便从第一和第三基座141和143的上表面突起，升降销161可定位在以下描述的升降销容纳水平处，并且在升降销161的上端被定位在通孔145内或在第一和第三基座141和143下方时，升降销161可定位在如下描述的升降销装载水平处。在升降销容纳水平处的升降销161可分别从衬底传输机械手104接收衬底W，并且随着升降销161移动到升降销装载水平，所输送的衬底W被放置在第一和第三基座141和143上。
图5是示出了图2中所示的基座的视图。参考图5，基座140具有支撑表面147，并且支撑表面147与衬底W的形状大致相同。插入凹槽149从支撑表面147凹陷，并且如下描述，当支架150下降时，支撑销155a插入到插入凹槽149中。类似地，容纳凹部(recess)148被形成为凹陷的，低于支撑表面147，并且当支架150下降时，叉155容纳在容纳凹部148内。插入凹槽149可具有与支撑销155a大致相同的尺寸和形状，并且容纳凹部148可具有与叉155大致相同的尺寸和形状。基座140可包括用于在处理期间对放置在其上的衬底W加热的加热板(未示出)。
图6是示出了图2中所示的支架的视图。支架150包括叉155和支撑销155a。叉155可具有圆弧形状，该圆弧形状具有比衬底W直径大的内径。叉155可具有中心角等于或大于180°的圆弧形状。换句话说，叉155可具有围绕衬底W的边缘的圆弧形状，具体地弧形形状。此外，扇形可具有等于或大于180°的中心角以在衬底W被拾起和传输时提供稳定性。支撑销155a连接到叉155，并突起到叉155的内侧。支撑销155a可设置至少在叉155的中心和两端处。放置在支架150上的衬底W定位在叉155内侧并放置在支撑销155a的上表面(或安装面)上。衬底W可由以120°的相等角度设置的三个支撑销155a稳定地支撑。除了本发明示例性实施例的形状以外，支架150还可具有任何形状。
图7A到8E是示出了图2中所示的支架的操作的视图。下文中，将参考图7A到8E描述将衬底W安装在基座上的过程以及从基座移除衬底的方法。下文中，将仅描述单个支架15和两个基座141和142，但这些描述也可以相同的方式适用其余的支架152和基座143和144。
参考图7A到8E，升降销161可通过升降销驱动模块162来提升或降低，并且叉155和支撑销155a可通过支架驱动模块159来提升或降低。此外，当叉155被定位在容纳水平处时，叉155可旋转以移动到输送位置。
如图7A所示，衬底W1由衬底传输机械手104通过第一通道131放置在升降销161的上端上。在这里，升降销161的上端比第一基座141高(“升降销容纳水平”)。在这种情形中，第一支架151的支撑销155a的上表面(或安装表面)比第一基座141的支撑表面147低(“支架装载水平”)，支撑销155a插入到插入凹槽149中，并且叉155被容纳在容纳凹部148内。
如图7B所示，升降销161的上端通过升降销驱动模块162移动到升降销162装载水平。衬底W1安装在第一基座141的支撑表面147上。这里，描述了衬底W1放置在升降销161的上端上，并且升降销161的上端被移动到升降销装载水平，但本申请并不限于此，并且在其中升降销161的上端被放置在低于基座141的支撑表面147的位置(“升降销装载水平”)并且叉155和支撑销155a被定位为高于基座141(“支架容纳水平”)的状态中，衬底W1可放置在支撑销155的上表面上。在这种情况下，图7A和7B的过程可以省略。
如图7C所示，第一支架151通过支架驱动模块159被提升到支架容纳水平。衬底W1由第一支架151的支撑销155a支撑，并与支撑销155a一起被定位在支架容纳水平处。如图7D所示，第一支架151通过支架驱动模块159旋转以移动到输送位置。
如图7E所示，放置在输送位置中的第一支架151从支架容纳水平移动到支架装载水平。衬底W1安装在第二基座142的支撑表面147上。如图7F和7G所示，衬底W2由衬底传输机械手104通过第一通道131放置在升降销161的上端上。在这种情形中，升降销161的上端被定位在升降销容纳水平处。升降销161通过升降销驱动模块162降低到升降销装载水平。
如上所述，当在两个支架中的每一个支架上放上单个衬底W时，衬底W通过支架被传输到第二和第四基座142和144，并且两个另外的衬底通过升降销161放置在第一和第三基座141和143上。随后，分别在衬底W上同时进行处理。
下文中，将参考图8A到8E描述在完成衬底W上实施的处理后，从腔室120卸载衬底W的过程。
如图8A所示，第一基座141的升降销161通过升降销驱动模块162被提升到升降销容纳水平。放置在第一基座141上的衬底W2被定位在升降销容纳水平处，并且通过衬底传输机械手104从腔室120卸载衬底W。此后，第一基座141的升降销161返回到升降销装载水平并等待衬底W1。
如图8B所示，第一支架151通过支架驱动模块159从支架装载高度移动到支架容纳水平。衬底W2与第一支架151的支撑销155一起被定位在支架容纳水平处。
如图8C所述，第一支架151从输送位置旋转以移动到备用位置。第一支架151在备用位置中被定位在支架容纳水平处。在这种情形中，衬底W2被定位在支架容纳水平处，并且衬底W2可由衬底传输机械手104从腔室120卸载。
如图8D所述，第一支架151可由支架驱动模块159降低，以便定位在支架装载水平处。衬底W2安装在第一基座141的支撑表面147上。如图8E所示，第一基座141的升降销161通过升降销驱动模块162从升降销装载水平提升到升降销容纳水平。衬底W2被定位在升降销容纳水平处，并且衬底W2由衬底传输机械手104从腔室120卸载。
如上所述，第一支架和第三支架可旋转以将衬底放置在备用位置或输送位置，并且第二基座和第一基座的升降销将衬底定位在升降销装载水平或升降销容纳水平处，从而允许所述多个衬底进入和离开腔室。
如上所阐明的，根据本发明的示例性实施例，多个衬底可被高效地装载到腔室中或从腔室卸载。此外，可在多个衬底上同时实施处理。
虽然以上已经示出和描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员来说显而易见的是，能够在不背离由所附权利要求限定的本发明范围内做出改型和变型。

Claims (15)

1.一种衬底处理模块，包括：
腔室，所述腔室具有通道，所述通道形成在所述腔室的一侧并允许所述衬底经由所述通道进入或离开；
第一基座，所述第一基座安装在所述腔室内，设置在所述通道的前面，具有以贯穿的方式形成在所述第一基座的上表面中的至少一个通孔，并允许所述衬底在处理期间放置在所述第一基座上；
第二基座，所述第二基座安装在所述腔室内，设置在所述第一基座的后面，并允许所述衬底在处理期间放置在所述第二基座上；
旋转部件，所述旋转部件设置在所述腔室内，并基于预设位置而旋转；
支架，所述支架连接到所述旋转部件，与所述旋转部件一起旋转并具有安装表面，所述安装表面允许所述衬底放置在所述安装表面上；以及
支架驱动模块，所述支架驱动模块连接到所述旋转部件，并驱动所述旋转部件，以将所述支架移动到对应于所述第一基座的备用位置或移动到对应于所述第二基座的输送位置。
2.根据权利要求1所述的衬底处理模块，还包括：
至少一个升降销，所述至少一个升降销安装在所述第一基座下方，并移动穿过所述至少一个通孔；以及
升降销驱动模块，所述升降销驱动模块连接到所述至少一个升降销，并使所述至少一个升降销在升降销容纳水平和升降销装载水平之间移动，
其中，在所述升降销容纳水平处，所述至少一个升降销的上端被定位成比所述第一基座高，而在所述升降销装载水平处，所述安装表面被定位成比所述第一基座的上表面低。
3.根据权利要求1所述的衬底处理模块，其中，所述旋转部件设置在所述腔室的长度的中心处并在所述腔室的宽度的端部处。
4.根据权利要求1所述的衬底处理模块，其中，所述支架驱动模块提升所述旋转部件，以将所述支架移动到支架容纳水平和支架装载水平，在所述支架容纳水平处，所述支架被定位成比所述第一基座和所述第二基座高，而在所述支架装载水平处，所述安装表面被定位成比所述第一基座和所述第二基座的上表面低。
5.根据权利要求4所述的衬底处理模块，其中，所述支架在被放置在所述支架容纳水平的状态下移动到所述输送位置。
6.根据权利要求4所述的衬底处理模块，其中，所述支架包括：
叉，所述叉具有弧形形状并向所述腔室的外侧打开；以及
一个或多个支撑销，所述一个或多个支撑销连接到所述叉，朝向所述叉的内侧突出，并延展所述安装表面，
其中，所述第一基座和所述第二基座具有一个或多个插入凹槽，当位于上方的所述支架移动到所述支架装载水平时，所述一个或多个支撑销插入到所述一个或多个插入凹槽中。
7.根据权利要求6所述的衬底处理模块，其中，具有扇形形状的所述叉的中心角等于或大于180°。
8.根据权利要求6所述的衬底处理模块，其中，所述第一基座和所述第二基座具有支撑表面，所述支撑表面允许所述衬底放置在所述支撑表面上，并且所述一个或多个插入凹槽形成在所述支撑表面的边缘上。
9.一种衬底处理模块，包括：
腔室，所述腔室具有由分隔件划分而成的第一处理空间和第二处理空间，并具有第一通道和第二通道，所述第一通道和所述第二通道形成在所述腔室的一侧并分别允许所述衬底进入和离开所述第一处理空间和所述第二处理空间；
第一基座和第三基座，所述第一基座和所述第三基座安装在所述腔室内，分别设置在所述第一通道的前面和所述第二通道的前面，具有以贯穿的方式形成在所述第一基座和所述第三基座的上表面的至少一个通孔，并允许所述衬底在处理期间放置在所述第一基座和所述第三基座上；
第二基座和第四基座，所述第二基座和所述第四基座安装在所述腔室内，分别设置在所述第一基座和所述第三基座的后面，并允许所述衬底在处理期间放置在所述第二基座和所述第四基座上；
第一旋转部件和第二旋转部件，所述第一旋转部件和所述第二旋转部件安装在所述腔室内，并分别基于预设位置而旋转；
第一支架，所述第一支架连接到所述第一旋转部件，以与所述第一旋转部件一起旋转，并且所述第一支架具有安装表面，所述第一支架的所述安装表面允许所述衬底放置在所述第一支架的所述安装表面上；
第二支架，所述第二支架连接到所述第二旋转部件，以与所述第二旋转部件一起旋转，并且所述第二支架具有安装表面，所述第二支架的所述安装表面允许所述衬底放置在所述第二支架的所述安装表面上；
第一支架驱动模块，所述第一支架驱动模块连接到所述第一旋转部件以驱动所述第一旋转部件，并将所述第一支架移动到对应于所述第一基座的第一备用位置或对应于所述第二基座的第一输送位置；
第二支架驱动模块，所述第二支架驱动模块连接到所述第二旋转部件以驱动所述第二旋转部件，并将所述第二支架移动到对应于所述第三基座的第二备用位置或对应于所述第四基座的第二输送位置；
至少一个升降销，所述至少一个升降销分别安装在所述第一基座和所述第三基座的下方，并移动穿过所述至少一个通孔；以及
升降销驱动模块，所述升降销驱动模块连接到所述至少一个升降销，并使所述至少一个升降销在升降销容纳水平和升降销装载水平之间移动，
其中，在所述升降销容纳水平处，所述至少一个升降销的上端被定位成比所述第一基座和所述第三基座高，而在所述升降销装载水平处，所述安装表面被定位成比所述第一基座和所述第三基座的上表面低。
10.一种衬底处理设备，包括：
负载锁定腔室，所述负载锁定腔室允许从外侧传输的衬底放置在所述负载锁定腔室上，并具有从真空状态变化到大气压力状态的内部；
衬底处理模块，所述衬底处理模块对所述衬底实施处理；以及
衬底传输模块，所述衬底传输模块设置在所述负载锁定腔室和所述衬底处理模块之间，并具有衬底传输机械手，所述衬底传输机械手在所述负载锁定腔室和所述衬底处理模块之间传输所述衬底，
其中，所述衬底处理模块包括：
腔室，所述腔室具有通道，所述通道形成在所述腔室的一侧并允许衬底经由所述通道进入或离开；
第一基座，所述第一基座安装在所述腔室内，设置在所述通道的前面，具有以贯穿的方式形成在所述第一基座的上表面中的至少一个通孔，并允许所述衬底在处理期间放置在所述第一基座上；
第二基座，所述第二基座安装在所述腔室内，设置在所述第一基座的后面，并允许所述衬底在处理期间放置在所述第二基座上；
旋转部件，所述旋转部件设置在所述腔室内，并基于预设位置而旋转；
支架，所述支架连接到所述旋转部件，与所述旋转部件一起旋转并具有安装表面，所述安装表面允许所述衬底放置在所述安装表面上；以及
支架驱动模块，所述支架驱动模块连接到所述旋转部件，并驱动所述旋转部件，以将所述支架移动到对应于所述第一基座的备用位置或移动到对应于所述第二基座的输送位置。
11.根据权利要求9所述的衬底处理设备，其中，所述衬底处理模块包括：
至少一个升降销，所述至少一个升降销分别安装在所述第一基座和所述第三基座下方，并移动穿过所述至少一个通孔；以及
升降销驱动模块，所述升降销驱动模块连接到所述至少一个升降销，并使所述升降销移动到升降销容纳水平和升降销装载水平，在所述升降销容纳水平处，所述至少一个升降销的上端被定位成比所述第一基座和所述第三基座高，而在所述升降销装载水平处，所述安装表面被定位成比所述第一基座和所述第三基座的上表面低。
12.一种通过使用权利要求1至8中的任一项所述的衬底处理模块来传输衬底的衬底传输方法，所述衬底传输方法包括：
将第一衬底放置在第一基座上的第一安装操作；
将处于备用位置中的支架从支架装载水平改变到支架容纳水平的第一改变操作；
旋转所述支架以移动到输送位置的第一移动操作；
将处于所述输送位置中的所述支架从所述支架容纳水平改变到所述支架装载水平的第二改变操作；以及
将第二衬底放置在所述第一基座上的第二安装操作。
13.根据权利要求12所述的衬底传输方法，还包括：
从所述第一基座释放所述第二衬底的第一释放操作；
将处于所述输送位置中的所述支架从所述支架装载水平移动到所述支架容纳水平的第三改变操作；
旋转所述支架以移动到所述备用位置的第二移动操作；
将处于所述输送位置中的所述支架从所述支架容纳水平移动到所述支架装载水平的第四改变操作；以及
从所述第一基座的上部释放所述第一衬底的第一释放操作。
14.根据权利要求12所述的衬底传输方法，其中，所述第一安装操作是这样的操作：将升降销提升到升降销容纳水平，将所述第一衬底放置在处于所述升降销容纳水平的所述升降销的上端上，并将所述升降销移动到升降销装载水平。
15.根据权利要求12所述的衬底传输方法，其中，所述第二安装操作是这样的操作：将升降销提升到升降销容纳水平，将所述第二衬底放置在处于所述升降销容纳水平的所述升降销的上端上，并将所述升降销移动到升降销装载水平的操作。
CN201410805920.0A 2013-12-20 2014-12-19 衬底处理模块、包括该衬底处理模块的衬底处理设备以及衬底传输方法 Pending CN104733351A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2013-0160268 2013-12-20
KR1020130160268A KR101530024B1 (ko) 2013-12-20 2013-12-20 기판 처리 모듈, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 전달 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104733351A true CN104733351A (zh) 2015-06-24

Family

ID=53400836

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410805920.0A Pending CN104733351A (zh) 2013-12-20 2014-12-19 衬底处理模块、包括该衬底处理模块的衬底处理设备以及衬底传输方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20150179489A1 (zh)
JP (1) JP2015122502A (zh)
KR (1) KR101530024B1 (zh)
CN (1) CN104733351A (zh)
TW (1) TWI534935B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107029813A (zh) * 2017-05-05 2017-08-11 华南师范大学 一种多角度低温水热反应衬底支架
CN108350572A (zh) * 2015-09-22 2018-07-31 应用材料公司 大面积双基板处理系统
CN110168749A (zh) * 2016-11-18 2019-08-23 应用材料公司 用于异质结太阳能电池形成的更换和翻转腔室设计
CN110176427A (zh) * 2018-02-21 2019-08-27 Psk有限公司 基板处理设备及使用该基板处理设备的基板处理方法
CN110268513A (zh) * 2017-01-27 2019-09-20 东京毅力科创Fsi公司 用于在工艺室中旋转和平移衬底的系统和方法
CN114551293A (zh) * 2017-01-23 2022-05-27 朗姆研究公司 优化的低能量/高生产率沉积系统

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102020188B1 (ko) * 2017-09-28 2019-09-10 주식회사 테스 기판처리장치의 기판 로딩 및 언로딩 방법
JP7014055B2 (ja) * 2018-06-15 2022-02-01 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置、真空処理システム、及び真空処理方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998001378A1 (en) * 1996-07-09 1998-01-15 Gamma Precision Technology, Inc. A wafer transfer system and method of using the same
CN1913098A (zh) * 2005-08-11 2007-02-14 中微半导体设备(上海)有限公司 半导体工艺件装卸装置及其装载和卸载方法
CN101101888A (zh) * 2006-07-04 2008-01-09 Psk有限公司 衬底传送装置以及使用该装置的衬底加工系统
CN101677059A (zh) * 2008-09-17 2010-03-24 株式会社日立国际电气 基板处理装置及基板处理方法
JP2010153808A (ja) * 2008-11-26 2010-07-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
CN102439710A (zh) * 2010-03-25 2012-05-02 应用材料公司 用于多个基材处理的分段基材负载

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3947761B2 (ja) * 1996-09-26 2007-07-25 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板搬送機および基板処理方法
JP2000127067A (ja) * 1998-10-22 2000-05-09 Daikin Ind Ltd ウェハ搬送装置
US20020096114A1 (en) * 2001-01-22 2002-07-25 Applied Materials, Inc. Series chamber for substrate processing
JP5004612B2 (ja) * 2007-02-15 2012-08-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR100968813B1 (ko) * 2007-12-27 2010-07-08 세메스 주식회사 지지유닛 및 상기 지지유닛의 기판 처리 방법, 그리고 상기지지유닛을 구비하는 베이크 장치
JP5689483B2 (ja) * 2011-01-18 2015-03-25 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板支持具及び半導体装置の製造方法
JP2013143413A (ja) * 2012-01-10 2013-07-22 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置
JP2013143513A (ja) * 2012-01-12 2013-07-22 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置
KR101372333B1 (ko) * 2012-02-16 2014-03-14 주식회사 유진테크 기판 처리 모듈 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998001378A1 (en) * 1996-07-09 1998-01-15 Gamma Precision Technology, Inc. A wafer transfer system and method of using the same
CN1913098A (zh) * 2005-08-11 2007-02-14 中微半导体设备(上海)有限公司 半导体工艺件装卸装置及其装载和卸载方法
CN101101888A (zh) * 2006-07-04 2008-01-09 Psk有限公司 衬底传送装置以及使用该装置的衬底加工系统
CN101677059A (zh) * 2008-09-17 2010-03-24 株式会社日立国际电气 基板处理装置及基板处理方法
JP2010153808A (ja) * 2008-11-26 2010-07-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
CN102439710A (zh) * 2010-03-25 2012-05-02 应用材料公司 用于多个基材处理的分段基材负载

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108350572A (zh) * 2015-09-22 2018-07-31 应用材料公司 大面积双基板处理系统
CN110168749A (zh) * 2016-11-18 2019-08-23 应用材料公司 用于异质结太阳能电池形成的更换和翻转腔室设计
CN114551293A (zh) * 2017-01-23 2022-05-27 朗姆研究公司 优化的低能量/高生产率沉积系统
CN110268513A (zh) * 2017-01-27 2019-09-20 东京毅力科创Fsi公司 用于在工艺室中旋转和平移衬底的系统和方法
CN107029813A (zh) * 2017-05-05 2017-08-11 华南师范大学 一种多角度低温水热反应衬底支架
CN110176427A (zh) * 2018-02-21 2019-08-27 Psk有限公司 基板处理设备及使用该基板处理设备的基板处理方法
CN110176427B (zh) * 2018-02-21 2023-08-08 Psk有限公司 基板处理设备及使用该基板处理设备的基板处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI534935B (zh) 2016-05-21
JP2015122502A (ja) 2015-07-02
KR101530024B1 (ko) 2015-06-22
US20150179489A1 (en) 2015-06-25
TW201526147A (zh) 2015-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104733351A (zh) 衬底处理模块、包括该衬底处理模块的衬底处理设备以及衬底传输方法
US8007218B2 (en) Unit and method for transferring substrates and apparatus and method for treating substrates with the unit
JP4583461B2 (ja) 基板の搬送方法、基板処理方法、半導体装置の製造方法および基板処理装置
CN101728238B (zh) 处理装置及处理方法
US20050220576A1 (en) Substrate manufacturing apparatus and substrate transfer module used therein
KR20140123479A (ko) 기판 수용 용기의 퍼지 장치 및 퍼지 방법
KR101453189B1 (ko) 반송 장치
CN103377973B (zh) 多腔室基片处理设备
KR20180124726A (ko) 할로겐 제거 모듈 및 연관된 시스템들 및 방법들
KR101372333B1 (ko) 기판 처리 모듈 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP6212063B2 (ja) 基板搬送ロボット及びそれを用いた基板処理装置
JP4255222B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法
KR100553685B1 (ko) 반도체 기판을 컨테이너로부터 언로딩하는 이송장치 및이송방법
JP4275184B2 (ja) 基板処理装置、ロードポート、半導体装置の製造方法および収納容器の搬送方法
JPH10270530A (ja) 基板搬送処理装置
US10403529B2 (en) Carrier transport device and carrier transport method
KR101768519B1 (ko) 기판 처리 설비
JP2002134588A (ja) 基板搬送処理装置
JP2002009131A (ja) 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法
JP4473897B2 (ja) 基板を移送する装置及び方法
KR101413243B1 (ko) 웨이퍼 전달모듈 및 이를 구비한 박막 증착 시스템
JP4728383B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
WO2023140259A1 (ja) 搬送装置および搬送方法
JP2004296646A (ja) 基板処理装置
KR102139613B1 (ko) 기판 반송 장치 및 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20150624