CN101728238B - 处理装置及处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供处理装置及处理方法。该处理装置包括：搬入容纳容器的搬入区域、维持为与该搬入区域不同的气氛的移载区域、划分搬入区域和移载区域的隔离壁、形成于隔离壁上的开口部、用于开闭开口部的门、将容纳容器配置在搬入区域侧的载置部，上述容纳容器容纳有多个被处理基板，该容纳容器在上部设有凸缘部，在前表面的取出口能装卸地安装有盖。在将容纳容器载置保持于载置部上之后使其抵接于开口部，打开门及盖而将容纳容器内的被处理基板输送到移载区域侧进行处理，该处理装置设有将与开口部相抵接的容纳容器的凸缘部推压到开口部侧的推压机构。

Description

处理装置及处理方法
技术领域
本专利申请享有2008年10月16日提交的日本申请、即日本特愿2008-267584号的利益。引用这些在先申请中的全部公开内容作为本说明书的一部分。
本发明涉及从在前表面的取出口安装有盖的容纳容器中取出被处理基板而进行规定的处理、例如热处理的处理装置及处理方法。
背景技术
作为半导体制造装置之一，公知有对许多个被处理基板、例如半导体晶圆(以下也称作晶圆)实施例如CVD(ChemicalVapor Deposition)等热处理的热处理装置。该热处理装置包括：由自动输送机器人或操作者搬入容纳了多个晶圆的容纳容器的搬入区域；将容纳容器内的晶圆移载到作为基板保持器具的舟皿(boat)上后将其相对于热处理炉进行搬入或搬出的移载区域即负载区域。
在这样的热处理装置中，为了使负载区域成为比搬入区域清洁度高的环境、并防止晶圆产生自然氧化膜等，优选利用隔离壁分隔大气侧的搬入区域和负载区域，将负载区域内做成由惰性气体、例如氮气(N2)充满的惰性气体气氛。另外，在这种情况下，为了抑制晶圆的微粒污染，优选应用在容纳容器的前表面的取出口能够装卸地安装有盖的密闭型容纳容器(FOUP：front openning unify pod，以下也称作传送盒)。
图9A表示使密闭型的容纳容器抵接于上述隔离壁的状态。图中附图标记5是分隔搬入区域S1和负载区域S2的隔离壁，附图标记25是形成于该隔离壁5上的开口部，附图标记27是用于开闭该开口部25的门。传送盒3被载置于设置在搬入区域S1中的载置台(也称作移载台)7上。接着，传送盒3在由锁定机构19保持之后，被作为抵接驱动部的例如气缸16推到隔离壁5侧，传送盒3的取出口11的周缘部与设置在开口部25周缘部的气密件26相抵接。之后，传送盒3的盖12被打开。
在门27上安装有用于开闭盖12的盖开闭机构13。移载台7借助滑动引导件52能沿前后方向(即，图9A纸面中的左右方向)自由滑动地支承在架台51上。在移载台7上突出设置有用于对传送盒3进行定位的多个定位销8。上述锁定机构19设置于移载台7上，使卡合构件18与形成在传送盒3底部的卡合凹部17相卡合而保持传送盒3。
在打开盖12的情况下，在关闭门27的状态下利用盖开闭机构13打开盖12，利用未图示的氮气置换部件以氮气置换传送盒3内之后，使门27及盖12自开口部25退避，将传送盒3内的晶圆W搬入到负载区域S2侧，由于能够抑制负载区域内的氧浓度上升，因此优选。这样的技术记载于日本特开平11-274267号公报中。
但是，在打开了上述传送盒3的盖12的情况下，传送盒3会承受负载区域S2侧的内压与搬入区域S1侧的大气压的压力差。但是，在上述热处理装置中，由于对这样的压力差的耐受性较低，因此，如图9B所示，存在因压力差而使传送盒3偏移或者传送盒3相对于隔离壁5的开口部25倾斜而引起错位的情况，会导致以下问题。
即，因传送盒3发生错位而发生晶圆W的映射(wafermapping)错误、晶圆W的移载错误，或者因氮气泄漏而使负载区域S2内的氧浓度上升，或者需要用氮气再次置换负载区域内部，因此，存在影响TAT(Turn Around Time)等问题。另外，也认为会向负载区域S2内流入水分、有机物成分等。
另外，该问题可由本申请人的专利申请中的日本特开平4-6804号公报来解决，但在日本特开平4-6804号公报的情况下，由于从上方相对于载置台推容纳容器，因此，难以应用于难以在容纳容器的上方确保足够空间的类型的处理装置。
发明内容
本发明解决上述以往技术所具有的问题，提供能够谋求提高对移载区域侧与搬入区域侧的压力差的耐受性、能够抑制容纳容器在隔离壁的开口部处的错位的处理装置及处理方式。
本发明的特征在于，该处理装置包括：壳体，其具有被搬入容纳容器的搬入区域和被维持为与上述搬入区域不同的气氛的移载区域，该容纳容器容纳有多个被处理体，在上部设有凸缘部，在前表面设有取出口，并在该取出口上能装卸地安装有盖；隔离壁，其设置在上述壳体内，用于划分上述搬入区域和上述移载区域，并且形成有开口部；门，其设置于上述隔离壁上，用于开闭上述隔离壁的上述开口部；载置部，其设置在上述搬入区域内，用于载置上述容纳容器；推压机构，其设置在上述搬入区域内，将处于与上述开口部周围的上述隔离壁相抵接的状态的上述容纳容器的上述凸缘部推压到上述隔离壁的上述开口部侧；在将上述容纳容器载置保持于上述载置部上之后，使上述容纳容器抵接于上述开口部周围的上述隔离壁，在利用上述推压机构将处于与上述开口部周围的上述隔离壁相抵接的状态的上述容纳容器的上述凸缘部推压到上述开口部侧之后，打开上述门及上述盖而将上述容纳容器内的上述被处理体从上述搬入区域例输送到上述移载区域侧进行处理。
本发明的特征在于，上述推压机构包括：推压臂，其从上述搬入区域一侧的容纳位置朝向上述凸缘部的后部水平旋转而推压上述凸缘部；驱动部，其与上述推压臂相连结，用于驱动上述推压臂旋转。
本发明的特征在于，上述推压机构包括：推压臂，为了使其从上述搬入区域一例的容纳位置朝向上述凸缘部的后部水平旋转而推压凸缘部，将推压臂的基端部借助支承轴能转动地支承在上述容纳位置；驱动缸，其与上述推压臂相连结，用于驱动上述推压臂绕支承轴旋转。
本发明的特征在于，上述推压机构包括：推压臂，其借助支承轴能水平旋转地设置在上述搬入区域一侧的容纳位置，用于推压上述凸缘部的后部；驱动缸，其与上述推压臂相连结，为了驱动上述推压臂而沿上下方向设置在上述容纳位置；连杆，其架设在上述驱动缸的输出部与上述推压臂的长度方向大致中间部之间，将上述输出部的上下方向的力变换为上述推压臂的旋转方向的力。
本发明的特征在于，上述搬入区域侧的气氛为大气，上述移载区域侧的气氛为惰性气体或者清洁干燥空气。
本发明的处理方法采用下述处理装置，上述处理装置包括：壳体，其具有被搬入容纳容器的搬入区域和被维持为与上述搬入区域不同的气氛的移载区域，该容纳容器容纳有多个被处理体，在上部设有凸缘部，在前表面设有取出口，并在该取出口能装卸地安装有盖；隔离壁，其设置在上述壳体内，用于划分上述搬入区域和上述移载区域，并且形成有开口部；门，其设置于上述隔离壁上，用于开闭上述隔离壁的上述开口部；载置部，其设置在上述搬入区域内，用于载置上述容纳容器；其特征在于，该处理方法包括：将上述容纳容器载置保持于上述载置部上的工序；使上述容纳容器抵接于上述开口部周围的上述隔离壁的工序；打开上述门及上述盖而将上述容纳容器内的上述被处理体从上述搬入区域侧输送到上述移载区域侧进行处理的工序，在利用推压机构将处于与上述开口部周围的上述隔离壁相抵接的状态的上述容纳容器的上述凸缘部推压到上述开口部侧之后，打开上述门及上述盖。
本发明的特征在于，上述推压机构包括：推压臂，其从上述搬入区域一侧的容纳位置朝向上述凸缘部的后部水平旋转而推压上述凸缘部；驱动部，其与上述推压臂相连结，用于驱动上述推压臂旋转。
本发明的特征在于，上述推压机构包括：推压臂，为了使其从上述搬入区域一侧的容纳位置朝向上述凸缘部的后部水平旋转而推压凸缘部，将推压臂的基端部借助支承轴能转动地支承在上述容纳位置；驱动缸，其与上述推压臂相连结，用于驱动上述推压臂绕支承轴旋转。
本发明的特征在于，上述推压机构包括：推压臂，其借助支承轴能水平旋转地设置在上述搬入区域一侧的容纳位置，用于推压上述凸缘部的后部；驱动缸，其与上述推压臂相连结，为了驱动上述推压臂而沿上下方向设置在上述容纳位置；连杆，其架设在上述驱动缸的输出部与上述推压臂的长度方向大致中间部之间，将上述输出部的上下方向的力变换为上述推压臂的旋转方向的力。
本发明的特征在于，上述搬入区域侧的气氛为大气，上述移载区域侧的气氛为惰性气体或者清洁干燥空气。
采用本发明，能够谋求提高对移载区域侧与搬入区域侧的压力差的耐受性，能够抑制容纳容器在隔离壁的开口部处的错位。
附图说明
图1是概略表示作为本发明处理装置的一个实施方式的纵型热处理装置的纵剖侧视图。
图2是概略表示上述纵型热处理装置的横剖俯视图。
图3是图2中的B-B概略剖视图。
图4A及图4B是表示图1中的A部的图，其中，图4A是主视图，图4B是图4A中的B-B俯视图。
图5的A～C是表示推压机构的图，其中，图5的A是工作前的立体图，图5的B是工作中段的立体图，图5的C是工作状态的立体图。
图6是概略表示推压机构的其他实施方式的立体图。
图7是概略表示推压机构的其他实施方式的立体图。
图8A及图8B是概略表示推压机构的其他实施方式的立体图。
图9A及图9B是用于说明以往技术的问题点的图，其中，图9A是打开隔离壁的门之前的侧视图，图9B是打开隔离壁的门时的侧视图。
具体实施方式
下面，根据附图详细说明本发明的一个实施方式。
图1是概略表示作为本发明处理装置的一个实施方式的纵型热处理装置的纵剖侧视图，图2是概略表示上述纵型热处理装置的横剖俯视图。
如图1～图2所示，纵型热处理装置(以下也称作热处理装置)1具有形成其轮廓的壳体2。在该壳体2内形成有：用于相对于热处理装置1搬入及搬出容纳了作为被处理体的晶圆W的传送盒3的搬入区域S1；用于输送传送盒3内的晶圆W而将其搬入到后述的热处理炉4内的移载区域即负载区域S2。搬入区域S1与负载区域S2被隔离壁5分隔。搬入区域S1为大气气氛，负载区域S2为惰性气体气氛、例如氮(N2)气气氛。另外，负载区域S2也可以为清洁干燥气体(微粒及有机物成分较少，露点为-60℃以下的空气)气氛。
在搬入区域S1的热处理装置的正面侧设置有能左右载置两个传送盒3的第1载置台(加载舟皿)6，在搬入区域S1的里侧设置有能载置1个传送盒3的载置部即第2载置台(移载台)7。另外，在第1载置台6的载置面及第2载置台7的载置面上突出设置有销8(参照图3)，该销8用于与设置在传送盒3底部的凹部(省略图示)相嵌合而定位保持(3点支承)传送盒。在壳体2的正面部设有用于相对于加载舟皿6搬入及搬出传送盒3的开口部9，在该开口部9上安装有能升降的门10。
传送盒3能够以货架状排列多张、例如25张例如直径300mm的晶圆W地容纳晶圆W，在传送盒3的前表面的取出口11上装卸自由地安装有盖12。该盖12具有用于将其保持于传送盒3的取出口11上的未图示的锁紧机构。该锁紧机构通过由后述的盖开闭机构13解除而自取出口11拆下盖12。另外，在盖12中设有键孔，向该键孔内插入盖开闭机构13侧的键而解除锁紧机构(省略图示)。作为盖开闭机构13，能够应用例如日本特开2002-353289号公报等中所述的盖装卸装置。另外，在传送盒3的上表面，与该上表面隔着间隙地设有自动输送机器人能把持的平面四边形的凸缘部14。
移载台7构成为能够利用驱动部16(参照图3)例如气缸在传送盒3被后述的传送盒输送机构15载置的位置与传送盒3抵接于隔离壁5的位置之间前后移动。
在移载台7上为了保持传送盒3而设有锁定机构19，该锁定机构19具有与形成在传送盒3底部的卡合凹部17卡合的钩型的卡合构件18。该锁定机构19构成为能够利用驱动部20使卡合构件18绕水平的轴线转动，该卡合构件18在与卡合凹部17相卡合的位置与该卡合被解除的位置之间转动。
另一方面，在搬入区域S1中的加载舟皿6的上方和移载台7的上方设有能够暂时保管多个传送盒3的多个保管架部21。而且，在搬入区域S1中设有在加载舟皿6和移载台7以及保管架部21之间输送传送盒3的传送盒输送机构15。该传送盒输送机构15具有左右延伸且能升降的引导部22、沿着该引导部22左右移动的移动部23、设置于该移动部23上且保持着传送盒3的底部而沿水平方向输送传送盒3的关节臂24。
在隔离壁5上形成有开口部25，该开口部25在被载置于移载台7上的传送盒3抵接于隔离壁5时将传送盒3内与负载区域S2内相连通。在该开口部25的搬入区域S1侧的周缘部设有密封构件26，该密封构件26用于将相抵接的传送盒3的取出口11的周缘部与开口部25的周缘部之间气密地密封。在隔离壁5的负载区域S2侧设有用于开闭开口部25的门27。在该门27上设有在关闭门27的状态下开闭传送盒3的盖12的盖开闭机构13。该门27构成为在传送盒3的盖12打开之后利用未图示的门开闭机构使该门27与盖开闭机构13及盖12一同退避到例如上方侧，以避免干扰晶圆W的移载。
为了利用氮气置换传送盒3内部的空气，在隔离壁5的开口部25的左右相对缘部的一侧设有氮气供给孔部，在其另一侧设有排气孔部(省略图示)。
在负载区域S2的上方设有下端作为炉口4a开口的纵型热处理炉4。在该热处理炉4的下方，隔着绝热部29在盖体30上载置有作为保持器具的舟皿28，该舟皿28以货架状保持许多张、例如100张晶圆W。盖体30被升降机构31支承，在利用该升降机构31相对于热处理炉4搬入或搬出舟皿28的同时，盖体30堵塞或打开热处理炉4的炉口4a。
在负载区域S2内的舟皿28与隔离壁5的开口部25之间还设有移载机构32，该移载机构32在与开口部25周围的隔离壁5相抵接的传送盒3与舟皿28之间输送或移载晶圆W。该移载机构32具有左右延伸且能升降的引导部33、能沿着该引导部33左右移动且能绕铅直轴线转动的长方体状的基座34、能在该基座34上沿其长度方向往返移动的移动体35、设置于该移动体35上的多个例如5个叉子36。晶圆W被各叉子36支承。
另外，在图1中，附图标记37是用于使设置在晶圆W外周的切口部(例如槽口)在一个方向上对齐的校对装置(定位器)。校对装置37设置为通过设置于隔离壁5上的开口与负载区域S2侧相面对，利用上述移载机构32将例如晶圆经由校对装置37从传送盒3移载到舟皿28上。
在搬入区域S1中设有将传送盒3从上述传送盒输送机构15交接到移载台7上的传送盒接收器(交接机构)38。该传送盒接收器38主要由利用设置于搬入区域S1的一侧部(图示例子中从正面侧看的左侧)的升降机构38a进行升降移动的升降臂38b、设置于该升降臂38b上且用于把持传送盒3的凸缘部14的把持机构38c构成。传送盒接收器38例如自传送盒输送机构15接收传送盒3而待机，在传送盒输送机构15将传送盒3从移载台7输送到保管架部21或加载舟皿6的期间里，传送盒接收器38将下一个传送盒3放置于移载台7上，从而谋求输送作业的效率化。
而且，在热处理装置1中，为了提高对负载区域S2侧与搬入区域S1侧的压力差的耐受性而抑制传送盒3在隔离壁5的开口部25处的错位，设有用于将抵接于开口部25的传送盒3的凸缘部14向开口部25侧(即，隔离壁5侧)推压的推压机构39。在这种情况下，推压机构39优选设置在搬入区域S1一例(图示例子中从正面侧看的右侧)，以避免与图4A所示地由传送盒输送机构15或传送盒接收器38输送的传送盒3(虚线所示)相干涉，且避免与如图4B所示地由传送盒输送机构15输送的传送盒3(虚线所示)相干涉。
如图4A～图4B及图5的A～C所示，推压机构39主要由自搬入区域S1一侧的容纳位置40朝向凸缘部14的后部水平旋转而推压凸缘部14的推压臂41、驱动该推压臂41旋转的驱动部42构成。在本实施方式中，为了在狭窄的空间中获得较大的推压力，推压机构39包括：借助支承轴43能水平旋转地设置于搬入区域一侧的容纳位置40处且用于推压凸缘部14的后部的推压臂41、为了驱动该推压臂41而沿上下方向设置在容纳位置40处的驱动缸(驱动部)42、架设在该驱动缸42的输出部44与推压臂41的长度方向大致中间部之间的、将输出部44的上下方向的力变换为推压臂41的旋转方向的力的连杆45。
推压机构39具有安装于壳体2内的一侧壁上的托架46。在该托架46上，借助支承轴43能水平旋转地安装有推压臂41，并安装有驱动缸(例如气缸)42。驱动缸42以活塞杆42a朝下的状态铅直地设置。在这种情况下，为了通过连杆45有效地对推压臂41施加驱动缸42的力，优选支承轴43与驱动缸42沿搬入区域的前后方向互相偏置。
在驱动缸42的活塞杆42a的前端部连结有升降块(输出部)44，该升降块44滑动自由地支承在安装于托架46上的铅直的引导件47上。在该升降块44的下部设有能绕铅直轴线旋转的第1支承构件48，在该第1支承构件48上，能绕水平轴线转动地支承有连杆45的一端部。
推压臂41的前端部侧自其长度方向大致中间部相对于支承轴43偏置，在该推压臂41的长度方向大致中间部设有能绕铅直轴线旋转的第2支承构件49。并且，在该第2支承构件49上，能绕水平轴线转动地支承有连杆45的另一端部。
在此，在图4A及图4B中，在将连杆45相对于水平面的倾斜角度设为θ2、自驱动缸42对该连杆45的一端施加的力设为f时，作用于第2支承构件49的水平方向的力f1为f1＝f/tanθ2。在将连结第2支承构件49的铅直轴线和支承轴43的线与连杆45相交的角度设为θ1、推压臂41在第2支承构件49的铅直轴线与支承轴43之间的长度设为L1、从支承轴43到推压臂41的前端部的长度设为L2、作用于推压臂41的前端部的力(推压力)设为F时，f1·sinθ1·L1＝F·L2，因此F＝f(L1·sinθ1/tanθ2)/L2。在实验中，可获得与驱动缸42的力f(195N)大致相同的推压力F(196N)。由此，对压力差的耐受性从400Pa提高到1000Pa，最大压力差时传送盒3的错位从1mm降低到0.5mm。
下面，说明上述实施方式的作用。首先，由自动输送机器人或者操作者将传送盒3载置于加载舟皿6上。接着，利用传送盒输送机构15将上述传送盒3输送到移载台7上。在传送盒3被载置于移载台7上时，首先，图3所示的卡合构件18转动而卡合于传送盒3底部的卡合凹部17，接着，移载台7移动到隔离壁5侧而使传送盒3的取出口11的周缘部气密地抵接于隔离壁5的开口部25周缘部的密封构件26。
接着，利用推压机构39的驱动缸42，借助升降块44将连杆45的一端从向斜上方倾斜的状态按下到水平状态。此时，推压臂41利用在连杆45的另一端产生的水平方向的力以支承轴43为支点自容纳位置40水平转动。由此，推压臂41的前端部与载置在移载台7上的传送盒3的凸缘部14的后部相抵接，将该凸缘部14向前方(隔离壁5侧)推压。这样，传送盒3的不仅下部、其上部也能被推压于隔离壁上，因此，对负载区域侧与搬入区域侧的压力差的耐受性例如从400Pa提高到1000Pa，能够将最大压力差时传送盒的错位从1mm降低到0.5mm。
之后，盖开闭机构13的未图示的键插入到传送盒3的盖12的键孔中而将盖12自传送盒3上拆下，门27、盖开闭机构13及盖12例如上升而自开口部25退避，成为传送盒3内与负载区域S2连通了的状态。
然后，利用移载机构32依次取出传送盒3内的晶圆W而将其移载到舟皿28上。在传送盒3内的晶圆W为空时，利用与上述相反的动作关闭传送盒3的盖12。接着，移载台7后退而使传送盒3自隔离壁5离开，利用传送盒输送机构15将传送盒3输送到保管架部21暂时保管。
另一方面，在舟皿28上搭载有规定张数的晶圆W时，将其搬入到热处理炉4内而对晶圆W进行热处理例如CVD、退火处理、氧化处理等。在热处理结束时，利用与上述相反的动作使晶圆W返回到传送盒3内。另外，推压机构39解除推压的时机、即在该例子中推压臂41返回到待机位置的时机是在例如传送盒3的取出口11被盖12关闭之后。
采用上述实施方式，移载台7上的传送盒3不会因负载区域S2侧与搬入区域S1侧的压力差而偏移或者相对于隔离壁倾斜，提高了对压力差的耐受性，能够保持稳定的姿态。因此，由于不破坏传送盒3与隔离壁5的气密状态，因此，能够防止大气从作为大气侧的搬入区域S1侧流向负载区域S2侧，从而能抑制负载区域S2内的氧浓度上升。另外，由于也不会产生晶圆W飞出，因此，也不会妨碍之后由移载机构32进行的晶圆W的取出动作、映射动作。
另外，在利用惰性气体置换传送盒3内部的情况下，即使增大惰性气体的流量，传送盒也不会偏移而能够增大惰性气体的流量，因此，能够缩短惰性气体的置换所需要的时间，从而能够提高生产率。并且，即使开闭传送盒3的盖12时的冲撞较大，也能通过将传送盒3按压于隔离壁5上而使传送盒3的姿态稳定。另外，推压机构39将被载置在移载台7上的传送盒3的自动输送用的凸缘部14推压到隔离壁5侧，使推压臂41自一侧的容纳位置40水平旋转而推压凸缘部14。因此，也能够将这样的推压机构39应用于在载置于移载台7上的传送盒3的上方存在障碍物、例如传送盒接收器38等而难以确保足够空间的类型的处理装置。
图6～图8是概略表示推压机构的其他实施方式的立体图。图6所示的推压机构39主要由推压臂41和驱动缸42构成；为了使上述推压臂41自搬入区域S1一侧的容纳位置40朝向凸缘部14的后部水平旋转而推压凸缘部14，将上述推压臂41的基端部借助支承轴43能转动地支承于容纳位置40；上述驱动缸42驱动该推压臂41绕支承轴旋转。另外，驱动缸42与上述实施方式不同，其横向设置。
图7所示的推压机构39主要由自搬入区域S1一侧的容纳位置40朝向凸缘部14的后部水平旋转而推压凸缘部14的推压臂41、驱动该推压臂41旋转的驱动部(例如带齿轮电动机)42构成。
图8A及图8B所示的推压机构利用传送盒接收器38。在传送盒接收器38的升降臂38b上设有推压块50，该推压块50具有从上方抵接于传送盒3的凸缘部14的后部而将朝下的力变换(分解)为向隔离壁5侧的横向力和向下的力的倾斜面50a。采用本实施方式，由于能够利用传送盒接收器38，因此，能谋求结构简化及成本降低。
以上，根据附图详细说明了本发明的实施方式，但本发明并不限定于上述实施方式，能够在不脱离本发明主旨的范围内变更各种设计等。例如，本发明并不限定于纵型热处理装置，能够应用于例如单张式的热处理装置、进行抗蚀剂涂敷、显影的装置、离子注入装置等对被处理基板进行规定处理的装置。另外，本发明也能够应用于搬入传送盒的区域与搬出传送盒的区域设置在不同的场所的装置。

Claims (4)

1.一种处理装置，其特征在于，该处理装置包括：
壳体，其具有被搬入容纳容器的搬入区域和被维持为与上述搬入区域不同的气氛的移载区域，该容纳容器容纳有多个被处理体，该容纳容器在上部设有凸缘部，在前表面设有取出口，并在该取出口能装卸地安装有盖；
隔离壁，其设置在上述壳体内，用于划分上述搬入区域和上述移载区域，并且形成有开口部；
门，其设置于上述隔离壁上，用于开闭上述隔离壁的上述开口部；
载置部，其设置在上述搬入区域内，用于载置上述容纳容器；
推压机构，其设置在上述搬入区域内，将处于与上述开口部周围的上述隔离壁相抵接的状态的上述容纳容器的上述凸缘部推压到上述隔离壁的上述开口部侧，
在将上述容纳容器载置保持于上述载置部上之后，使上述容纳容器与上述开口部周围的上述隔离壁相抵接，在利用上述推压机构将处于与上述开口部周围的上述隔离壁相抵接的状态的上述容纳容器的上述凸缘部推压到上述开口部侧之后，打开上述门及上述盖而将上述容纳容器内的上述被处理体从上述搬入区域侧输送到上述移载区域侧进行处理，
上述推压机构包括：
推压臂，其借助支承轴能水平旋转地设置在上述搬入区域一侧的容纳位置，用于推压上述凸缘部的后部；
驱动缸，其与上述推压臂相连结，为了驱动上述推压臂而沿上下方向设置在上述容纳位置；
连杆，其架设在上述驱动缸的输出部与上述推压臂的长度方向大致中间部之间，将上述输出部的上下方向的力变换为上述推压臂的旋转方向的力。
2.根据权利要求1所述的处理装置，其特征在于，
上述搬入区域侧的气氛为大气，上述移载区域侧的气氛为惰性气体或者清洁干燥空气。
3.一种处理方法，该处理方法采用下述处理装置，上述处理装置包括：壳体，其具有被搬入容纳容器的搬入区域和被维持为与上述搬入区域不同的气氛的移载区域，该容纳容器容纳有多个被处理体，该容纳容器在上部设有凸缘部，在前表面设有取出口，并在该取出口上能装卸地安装有盖；隔离壁，其设置在上述壳体内，用于划分上述搬入区域和上述移载区域，并且形成有开口部；门，其设置于上述隔离壁上，用于开闭上述隔离壁的上述开口部；载置部，其设置在上述搬入区域内，用于载置上述容纳容器；其特征在于，
该处理方法包括：
将上述容纳容器载置保持于上述载置部上的工序；
使上述容纳容器抵接于上述开口部周围的上述隔离壁的工序；
打开上述门及上述盖而将上述容纳容器内的上述被处理体从上述搬入区域侧输送到上述移载区域侧进行处理的工序，
在利用推压机构将处于与上述开口部周围的上述隔离壁相抵接的状态的上述容纳容器的上述凸缘部推压到上述开口部侧之后，打开上述门及上述盖，
上述推压机构包括：
推压臂，其借助支承轴能水平旋转地设置在上述搬入区域一侧的容纳位置，用于推压上述凸缘部的后部；
驱动缸，其与上述推压臂相连结，为了驱动上述推压臂而沿上下方向设置在上述容纳位置；
连杆，其架设在上述驱动缸的输出部与上述推压臂的长度方向大致中间部之间，将上述输出部的上下方向的力变换为上述推压臂的旋转方向的力。
4.根据权利要求3所述的处理方法，其特征在于，
上述搬入区域侧的气氛为大气，上述移载区域侧的气氛为惰性气体或者清洁干燥空气。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5617708B2 (ja) * 2011-03-16 2014-11-05 東京エレクトロン株式会社 蓋体開閉装置
NL1038714C2 (nl) * 2011-03-30 2012-10-02 Ferdar Automation Technology Nederland B V Opslag- en/of orderverzamelsysteem.
US9387787B1 (en) * 2011-08-26 2016-07-12 McClinton Energy Group, LLC Portable storage unit for storing fluid particulates
JP5894825B2 (ja) * 2012-03-21 2016-03-30 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置及びウエハ搬送ユニット
JP6231078B2 (ja) * 2012-04-26 2017-11-15 インテヴァック インコーポレイテッド 真空プロセスのためのシステム構成
JP2014067744A (ja) * 2012-09-24 2014-04-17 Tokyo Electron Ltd 搬送装置及び処理装置
JP6111171B2 (ja) * 2013-09-02 2017-04-05 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
CN104576461A (zh) * 2014-12-31 2015-04-29 上海新阳半导体材料股份有限公司 晶圆存储盒开盖装置
NL1041164B1 (nl) 2015-01-30 2016-10-12 I-Collector Holding B V Inrichting en werkwijze voor het beheren van de opslag van artikelen.
CN106128990A (zh) * 2016-08-25 2016-11-16 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 一种用于扩散炉内的石英舟传送机构
KR20180045316A (ko) * 2016-10-25 2018-05-04 삼성전자주식회사 설비 전방 단부 모듈 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치
CN108962804B (zh) * 2017-05-19 2021-08-10 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 一种不间断式进片回片装置及控制方法
JP6939335B2 (ja) 2017-09-27 2021-09-22 Tdk株式会社 ロードポート装置、ロードポート装置の駆動方法
JP7422577B2 (ja) 2020-03-23 2024-01-26 平田機工株式会社 ロードポート及び制御方法
CN112885759A (zh) * 2021-01-14 2021-06-01 上海新昇半导体科技有限公司 圆传送盒顶部连接件的拆除装置及拆除方法
KR102372514B1 (ko) * 2021-05-10 2022-03-10 주식회사 위존 Fims 시스템의 풉 고정장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5730573A (en) * 1994-02-22 1998-03-24 Tdk Corporation Clean transfer method and apparatus therefor
CN1639857A (zh) * 2002-04-12 2005-07-13 东京毅力科创株式会社 半导体处理装置中的端口结构
CN101140893A (zh) * 2006-09-04 2008-03-12 东京毅力科创株式会社 处理装置和处理方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4207341C1 (zh) * 1992-03-09 1993-07-15 Acr Automation In Cleanroom Gmbh, 7732 Niedereschach, De
KR100221983B1 (ko) 1993-04-13 1999-09-15 히가시 데쓰로 처리장치
JP3372585B2 (ja) * 1993-04-13 2003-02-04 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP3500455B2 (ja) * 1993-12-10 2004-02-23 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US6447232B1 (en) * 1994-04-28 2002-09-10 Semitool, Inc. Semiconductor wafer processing apparatus having improved wafer input/output handling system
US5586585A (en) * 1995-02-27 1996-12-24 Asyst Technologies, Inc. Direct loadlock interface
US5788458A (en) * 1995-07-10 1998-08-04 Asyst Technologies, Inc. Method and apparatus for vertical transfer of a semiconductor wafer cassette
US5895191A (en) * 1995-08-23 1999-04-20 Asyst Technologies Sealable, transportable container adapted for horizontal loading and unloading
JP3656701B2 (ja) 1998-03-23 2005-06-08 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US6135168A (en) * 1999-12-22 2000-10-24 Industrial Technology Research Institute Standard mechanical interface wafer pod gas filling system
JP4447184B2 (ja) 2001-05-30 2010-04-07 東京エレクトロン株式会社 ウェハキャリア用蓋体の着脱装置
JP4421806B2 (ja) 2002-04-05 2010-02-24 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及びそのシャッター機構並びにその作動方法
JP3369165B1 (ja) 2002-04-09 2003-01-20 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
JP4328123B2 (ja) * 2002-04-12 2009-09-09 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US7314068B2 (en) * 2004-05-12 2008-01-01 Miraial Co., Ltd. Apparatus for replacing gas in storage container and method for replacing gas therewith
FR2874744B1 (fr) * 2004-08-30 2006-11-24 Cit Alcatel Interface sous vide entre une boite de mini-environnement et un equipement
JP2006179613A (ja) 2004-12-21 2006-07-06 Rigaku Corp 半導体ウエハ縦型熱処理装置用磁性流体シールユニット
JP4826941B2 (ja) * 2005-08-22 2011-11-30 ムラテックオートメーション株式会社 スタッカクレーン
JP4994724B2 (ja) 2006-07-07 2012-08-08 株式会社東芝 成膜装置及び成膜方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5730573A (en) * 1994-02-22 1998-03-24 Tdk Corporation Clean transfer method and apparatus therefor
CN1639857A (zh) * 2002-04-12 2005-07-13 东京毅力科创株式会社 半导体处理装置中的端口结构
CN101140893A (zh) * 2006-09-04 2008-03-12 东京毅力科创株式会社 处理装置和处理方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2001-127138A 2001.05.11

Also Published As

Publication number Publication date
TW201029096A (en) 2010-08-01
JP5134495B2 (ja) 2013-01-30
KR20100042601A (ko) 2010-04-26
TWI464822B (zh) 2014-12-11
JP2010098121A (ja) 2010-04-30
US20100098517A1 (en) 2010-04-22
US8414242B2 (en) 2013-04-09
KR101302812B1 (ko) 2013-09-02
CN101728238A (zh) 2010-06-09

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