CN101578660A - 磁头悬浮组件、滑架组件以及磁头滑动器组件的制造方法 - Google Patents

磁头悬浮组件、滑架组件以及磁头滑动器组件的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种磁头悬浮组件、滑架组件以及磁头滑动器组件的制造方法。光学元件(36)被夹在磁头滑动器(23)的支撑面(23a)和磁头悬浮器(22)之间。在光学元件(36)上划分出聚光面(72)和反射面(73)。由聚光面(72)会聚后的光由反射面(73)反射。由此，光被引导到磁头滑动器(23)的光波导(71)上。在制造这种磁头悬浮组件(21)时，调整磁头滑动器(23)的光波导(71)和光学元件(36)的相对位置。磁头滑动器(23)和光学元件(36)相比以前更容易定位。容易实施磁头悬浮组件(21)的装配。

Description

磁头悬浮组件、滑架组件以及磁头滑动器组件的制造方法
技术领域
本发明涉及存储介质驱动装置，所述存储介质驱动装置在进行磁信息的写入和读出时，使热量作用于存储介质的磁记录层。
背景技术
例如，在硬盘驱动装置(HDD)中采用所谓的热辅助(assist)方式，以避免热波动。例如，如专利文献4的图11和图12公开的那样，在规定于介质相对面的背面侧的磁头滑动器的支撑面上安装有棱镜。棱镜接住光纤。在磁头滑动器的空气流出侧端面上安装有透镜。在棱镜上划分出将光引导到透镜上的反射面。
光从光纤入射到棱镜上。反射面通过反射将光引导到透镜上。光被透镜会聚。从透镜向磁盘提供光。磁记录层的温度上升。磁记录层的顽磁力减小。此时，磁头滑动器的电磁转换元件将磁信息写入磁记录层。在磁记录层的温度返回室温时，顽磁力增大。磁信息被可靠地保持。
专利文献1：日本特开2001-34982号公报
专利文献2：日本特开平11-213436号公报
专利文献3：日本特开2006-196140号公报
专利文献4：日本特开2003-67901号公报
专利文献5：日本特开2005-18895号公报
专利文献6：日本特开2005-216405号公报
专利文献7：日本特开2000-113499号公报
专利文献8：日本特开2004-30840号公报
专利文献9：美国专利第5986978号说明书
专利文献10：日本特开2002-298302号公报
在磁头滑动器上安装有棱镜和透镜。在调整提供给磁记录层的光的焦点时，必须相对磁头滑动器准确地定位棱镜和透镜。此时，必须同时微调整棱镜和透镜的相对位置。导致装配作业花费时间。
发明内容
本发明正是鉴于上述实际情况而提出的，其目的在于，提供一种容易进行装配的磁头悬浮组件和滑架组件。本发明的目的还在于，提供一种非常有助于实现这种磁头悬浮组件和滑架组件的磁头滑动器组件的制造方法。
为了达到上述目的，根据第一发明提供一种磁头悬浮组件，其特征在于，所述磁头悬浮组件具有：磁头悬浮器；磁头滑动器，其在介质相对面上面对存储介质，在介质相对面的背面侧的支撑面上被磁头悬浮器接住；电磁转换元件，其被埋入磁头滑动器的介质相对面中；光波导，其被装配在磁头滑动器上，从支撑面朝向介质相对面延伸；以及光学元件，其被夹在支撑面和磁头悬浮器之间，在光学元件上划分出聚光面和反射面，所述聚光面会聚与支撑面平行地入射的光，所述反射面使与支撑面平行地入射的光以预定的角度反射，并引导到光波导上。
在这种磁头悬浮组件中，光学元件被夹在磁头滑动器的支撑面和磁头悬浮器之间。在光学元件上划分出聚光面和反射面。由聚光面会聚后的光由反射面反射。由此，光被引导到磁头滑动器的光波导上。在制造磁头悬浮组件时，调整磁头滑动器的光波导和光学元件的相对位置。磁头滑动器和光学元件相比以前更容易定位。容易实施磁头悬浮组件的装配。
在磁头悬浮组件中，也可以是，电磁转换元件具有与光波导相比配置在空气流出侧的写入磁头元件。此时，也可以是，光波导被埋入利用正面接住所述写入磁头元件的第1折射率的非磁性绝缘层中，并利用大于第1折射率的第2折射率的材料构成。
根据第二发明提供一种滑架组件，其特征在于，所述滑架组件具有：滑架臂，其由支撑轴支撑着自由旋转；一对磁头悬浮器，其安装在滑架臂的前端；磁头滑动器，其在介质相对面上面对存储介质，在介质相对面的背面侧的支撑面上被各个磁头悬浮器接住；电磁转换元件，其被埋入磁头滑动器的介质相对面中；光波导，其被装配在磁头滑动器上，从支撑面朝向介质相对面延伸；光学元件，其被夹在支撑面和磁头悬浮器之间，将从聚光面入射的光引导到光波导上；形成于滑架臂上的开口；配置在开口内的单个支撑体；以及一对光源，其支撑在支撑体上，向各个光学元件的聚光面独立地提供光。
在这种滑架组件中，与前述相同，光学元件被夹在磁头滑动器的支撑面和磁头悬浮器之间。在光学元件上划分出聚光面和反射面。由光源提供的光由聚光面会聚。会聚后的光由反射面反射。由此，光被引导到磁头滑动器的光波导上。在制造滑架组件时，调整磁头滑动器的光波导和光学元件的相对位置。磁头滑动器和光学元件相比以前更容易定位。容易实施滑架组件的装配。
而且，在滑架臂的开口内配置有单个的支撑体。支撑体支撑光源。能够尽量避免滑架臂的重量增大。此外，支撑体配置在开口内。与支撑体配置在滑架臂的正面上时相比，能够避免滑架臂的厚度增大。
在滑架组件中，也可以是，电磁转换元件具有与光波导相比配置在空气流出侧的写入磁头元件。此时，也可以是，光波导被埋入利用正面接住所述写入磁头元件的第1折射率的非磁性绝缘层中，并利用大于第1折射率的第2折射率的材料构成。
根据第三发明提供一种存储介质驱动装置，其特征在于，所述存储介质驱动装置具有：框体；滑架臂，其被装配在框体内，由支撑轴支撑着自由旋转；一对磁头悬浮器，其安装在滑架臂的前端；磁头滑动器，其在介质相对面上面对存储介质，在介质相对面的背面侧的支撑面上被各个磁头悬浮器接住；电磁转换元件，其被埋入磁头滑动器的介质相对面中；光波导，其被装配在磁头滑动器上，从支撑面朝向介质相对面延伸；光学元件，其被夹在支撑面和磁头悬浮器之间，将从聚光面入射的光引导到光波导上；形成于滑架臂上的开口；配置在开口内的单个支撑体；以及一对光源，其支撑在支撑体上，向各个光学元件的聚光面独立地提供光。根据这种存储介质驱动装置，能够实现与前述相同的作用效果。
根据第四发明提供一种磁头滑动器组件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：利用模具成型横向尺寸较长的成型品，在成型品上沿横向扩展的基准面的一端，沿着棱线以预定的间隔将多个聚光面横向排列成一列的步骤；在所述棱线的相反侧对成型品的棱线实施研磨处理，形成以预定的倾斜角与基准面交叉并横向延伸的反射面的步骤；在成型品的基准面上粘贴尺寸较长的晶片型材，所述尺寸较长的晶片型材被以所述预定的间隔横向一列地划分出多个磁头滑动器的步骤；以及从基准面的背面侧研磨成型品，切削出与基准面平行的面的步骤。
在这种制造方法中，在成型品的基准面上粘贴有晶片型材，在晶片型材上划分出多个磁头滑动器。在成型品上形成有聚光面和反射面。这样可以一次制造多个磁头滑动器组件。这种制造方法能够非常有助于实现前述的磁头悬浮组件和滑架组件。
也可以是，磁头滑动器组件的制造方法还包括：在粘贴晶片型材时，在基准面的预定位置测定通过聚光面并由反射面反射的光的光量的步骤；根据光量的大小相对成型品定位晶片型材的步骤。这样，能够容易地根据光量的大小相对成型品定位晶片型材。磁头滑动器组件的制造容易实施。
根据第五发明提供一种磁头悬浮组件，其特征在于，所述磁头悬浮组件具有：磁头悬浮器；磁头滑动器，其在介质相对面上面对存储介质，在介质相对面的背面侧的支撑面上被磁头悬浮器接住；电磁转换元件，其被埋入磁头滑动器的介质相对面中；光波导，其被装配在磁头滑动器上，从支撑面朝向介质相对面延伸；以及光学元件，其被夹在支撑面和磁头悬浮器之间，在光学元件上划分出聚光面和反射面，所述聚光面会聚与支撑面平行地入射的光，所述反射面使从聚光面入射到光学元件上的光以预定的角度反射，并引导到光波导上。
在这种磁头悬浮组件中，与前述相同，光学元件被夹在磁头滑动器的支撑面和磁头悬浮器之间。在光学元件上划分出聚光面和反射面。从光源提供的光由聚光面会聚。会聚后的光由反射面反射。由此，光被引导到磁头滑动器的光波导上。在制造磁头悬浮组件时，调整磁头滑动器的光波导和光学元件的相对位置。磁头滑动器和光学元件相比以前更容易定位。容易实施磁头悬浮组件的装配。
在磁头悬浮组件中，所述光学元件规定有：被所述磁头滑动器的支撑面接住的第1平坦面；与第1平坦面平行地扩展的第2平坦面；包含所述聚光面，并将第1平坦面和第2平坦面连接的第1侧面；以及包含所述反射面，将第1平坦面和第2平坦面连接，面对第1侧面的第2侧面，所述第1侧面随着远离与所述第1平坦面平行地扩展的第1基准面，远离相对所述光学元件的轮廓线直立的第1虚拟壁面，所述第2侧面随着远离与所述第1平坦面平行地扩展的第2基准面，远离相对所述光学元件的轮廓线直立的第2虚拟壁面。
在这种磁头悬浮组件中，在形成光学元件时使用模具。光学元件的第1侧面和第2侧面随着分别远离第1基准面和第2基准面而分别远离第1虚拟壁面和第2虚拟壁面。第1和第2虚拟壁面相对光学元件的轮廓线直立，所以光学元件能够容易地从模具中取出。例如，能够容易地利用2个模具制造光学元件，能够一次生产大量的光学元件。
在所述光学元件中，在所述聚光面和所述反射面之间，所述光连接焦点。根据这种光学元件，在形成焦点时，能够将从磁头滑动器的支撑面到反射面的距离设定得比较长。结果，不需变更最佳的NA，反射面即可在更大的范围内进行会聚。光被有效利用。另外，在这种光学元件中，聚光面和反射面的距离增大。结果，光学元件能够以较大的面积接触磁头滑动器。光学元件和磁头滑动器的接合强度提高。
在所述光学元件上还划分出配置于所述聚光面和所述反射面之间的第2反射面。根据这种光学元件，由于划分出反射面，所以能够将从磁头滑动器的支撑面到反射面的距离设定得比较长。结果，不需变更最佳的NA，反射面即可在更大的范围内进行会聚。光被有效利用。另外，在这种光学元件中，聚光面和反射面的距离增大。结果，光学元件能够以较大的面积接触磁头滑动器。光学元件和磁头滑动器的接合强度提高。
根据第六发明提供一种磁头悬浮组件，其特征在于，所述磁头悬浮组件具有：磁头悬浮器；磁头滑动器，其在介质相对面上面对存储介质，在介质相对面的背面侧的支撑面上被磁头悬浮器接住；电磁转换元件，其被埋入磁头滑动器的介质相对面中；光波导，其被装配在磁头滑动器上，从支撑面朝向介质相对面延伸；光学元件，其被夹在支撑面和磁头悬浮器之间；反射面，其是在光学元件上划分形成的，使与支撑面平行地入射的光以预定的角度反射，并引导到光波导上；以及折射率分布透镜，其使入射到光学元件上的光透射。
根据这种磁头悬浮组件，能够实现与前述相同的作用效果。而且，借助折射率分布透镜的作用使光聚焦。聚焦后的光入射到光学元件上。入射的光由反射面以预定的角度反射。由此光被引导到光波导上。这种光学元件例如通过切割加工形成。对通过切割加工切取的成型品实施研磨加工。由此规定入射面和反射面，能够一次生产大量的光学元件。
根据第七发明提供一种磁头悬浮组件，其特征在于，所述磁头悬浮组件具有：磁头悬浮器；磁头滑动器，其在介质相对面上面对存储介质，在介质相对面的背面侧的支撑面上被磁头悬浮器接住；电磁转换元件，其被埋入磁头滑动器的介质相对面中；光波导，其被装配在磁头滑动器上，从支撑面朝向介质相对面延伸；被磁头悬浮器接住的片状包层；以及芯体，其被埋入包层内并延伸到磁头滑动器的支撑面上，将光引导到磁头滑动器的光波导上。
在这种磁头悬浮组件中，片状包层被磁头悬浮器接住。芯体被埋入包层内。在形成这种磁头悬浮组件时，将预先形成的包层和芯体粘贴在磁头悬浮器上。容易实施磁头悬浮组件的装配。也可以是，所述芯体通过弯曲从所述磁头滑动器的空气流出端一侧向所述光波导提供光。同样，也可以是，所述芯体划分出反射面，所述反射面使与所述支撑面平行地传播的光朝向所述光波导反射。
也可以是，所述芯体划分出细头部，所述细头部从所述芯体的入射面朝向所述芯体的出射面在预定的长度内逐渐缩小开口。在细头部上，开口从入射面朝向出射面逐渐缩小。结果，芯体的入射面可以规定得比较大。由此，在入射面上可以确立多模光。另一方面，在细头部的前端上可以确立单模光。借助这种细头部的作用，在入射面上芯体的开口增大。结果，针对入射到芯体的光的位置而允许的误差增大。能够比较容易地定位芯体的位置和入射光的位置。磁头悬浮组件还具有折射率分布透镜，所述折射率分布透镜从所述芯体的入射面朝向所述芯体的出射面在预定的长度内被埋入所述包层内，并与所述芯体相邻，随着接近所述芯体而增大折射率。在这种磁头悬浮组件中，折射率分布透镜按照预定的长度构成芯体。借助折射率分布透镜的作用使光聚焦。结果，针对入射到芯体的光的位置而允许的误差增大，能够比较容易地定位芯体的位置和入射光的位置。
根据第八发明提供一种磁头悬浮组件，其特征在于，所述磁头悬浮组件具有：磁头悬浮器；磁头滑动器，其在介质相对面上面对存储介质，在介质相对面的背面侧的支撑面上被磁头悬浮器接住；电磁转换元件，其被埋入磁头滑动器的介质相对面中；光波导，其被装配在磁头滑动器上，从支撑面朝向介质相对面延伸；光学元件，其被夹在支撑面和磁头悬浮器之间，将光引导到光波导上；被磁头悬浮器接住的片状包层；以及芯体，其被埋入包层内，将光引导到光学元件上。根据这种磁头悬浮组件，能够实现与前述相同的作用效果。
也可以是，所述芯体通过弯曲从所述磁头滑动器的空气流出端一侧向所述光波导提供光。此外，与前述相同，也可以是，所述芯体划分出细头部，所述细头部从所述芯体的入射面朝向所述芯体的出射面在预定的长度内逐渐缩小开口。并且，也可以是，磁头悬浮组件还具有折射率分布透镜，所述折射率分布透镜从所述芯体的入射面朝向所述芯体的出射面在预定的长度内被埋入所述包层内，并与所述芯体相邻，随着接近所述芯体而增大折射率。
根据第九发明提供一种磁头悬浮组件，其特征在于，所述磁头悬浮组件具有：磁头悬浮器；被磁头悬浮器接住的挠性体；磁头滑动器，其在介质相对面上面对存储介质，在介质相对面的背面侧的支撑面上被支撑在挠性体的支撑板上；电磁转换元件，其被埋入磁头滑动器的介质相对面中；光波导，其被装配在磁头滑动器上，从支撑面朝向介质相对面延伸；光学元件，其被夹在支撑面和挠性体的支撑板之间，将光引导到光波导上；以及光源，其被挠性体的支撑板接住，向光学元件提供光。根据这种磁头悬浮组件，能够实现与前述相同的作用效果。
根据第十发明提供一种滑架组件，其特征在于，所述滑架组件具有：滑架块，其由支撑轴支撑着自由旋转；滑架臂，其是在滑架块上划分形成的；一对磁头悬浮器，其安装在滑架臂的前端；磁头滑动器，其在介质相对面上面对存储介质，在介质相对面的背面侧的支撑面上被各个磁头悬浮器接住；电磁转换元件，其被埋入磁头滑动器的介质相对面中；光波导，其被装配在磁头滑动器上，从支撑面朝向介质相对面延伸；被磁头悬浮器接住的片状包层；芯体，其被埋入包层内，将光独立地引导到磁头滑动器的光波导上；以及光源，其被安装在滑架块上，向各个芯体的入射面提供光。
根据这种滑架组件，能够实现与前述相同的作用效果。在滑架组件中，也可以是由一对所述光源向一对所述芯体独立地提供光。另一方面，也可以是，滑架组件还具有切换机构，所述切换机构配置在所述光源和所述芯体的入射面之间，向一对所述芯体的任意一方提供光。
附图说明
图1是简要表示本发明涉及的存储介质驱动装置的一个具体示例、即硬盘驱动装置的内部构造的俯视图。
图2是简要表示本发明的第1实施方式涉及的滑架组件的构造的部分放大俯视图。
图3是简要表示光源和支撑体的构造的部分放大立体图。
图4是简要表示磁头滑动器组件的构造的部分放大立体图。
图5是简要表示一个具体示例涉及的磁头滑动器的构造的立体图。
图6是电磁转换元件的放大主视图。
图7是沿图6中的7-7线的剖视图。
图8是简要表示光波导和光学元件的构造的部分分解立体图。
图9是简要表示一个具体示例涉及的光学元件的构造的俯视图。
图10是简要表示一个具体示例涉及的光学元件的构造的侧视图。
图11是简要表示滑架组件面对存储介质的状态的部分剖视图。
图12是简要表示成型品的构造的立体图。
图13是简要表示在成型品上形成有反射面的状态的立体图。
图14是简要表示在成型品的基准面上粘贴有晶片型材(wafer bar)的状态的部分透视立体图。
图15是简要表示将成型品和晶片型材定位的状态的立体图。
图16是简要表示在成型品上形成平行面的状态的立体图。
图17是简要表示从成型品和晶片型材切取磁头滑动器组件的状态的立体图。
图18是简要表示一个变形示例涉及的光学元件的构造的俯视图。
图19是简要表示一个变形示例涉及的光学元件的构造的侧视图。
图20是简要表示本发明的第2实施方式涉及的滑架组件的构造的剖视图。
图21是简要表示光源和耦合透镜的相对位置的剖视图。
图22是简要表示本发明的第3实施方式涉及的滑架组件的构造的剖视图。
图23是简要表示耦合器元件上形成反射面的状态的立体图。
图24是简要表示本发明的第4实施方式涉及的滑架组件的构造的剖视图。
图25是简要表示本发明的第5实施方式涉及的滑架组件的构造的剖视图。
图26是简要表示光纤和光学元件的构造的立体图。
图27是简要表示本发明的第6实施方式涉及的滑架组件的构造的剖视图。
图28是简要表示本发明的第7实施方式涉及的滑架组件的构造的剖视图。
图29是简要表示本发明的第8实施方式涉及的滑架组件的构造的剖视图。
图30是简要表示本发明的第9实施方式涉及的滑架组件的构造的剖视图。
图31是简要表示一个具体示例涉及的光学元件的构造的立体图。
图32是简要表示光学元件的构造的俯视图。
图33是简要表示光学元件的构造的侧视图。
图34是简要表示模具的构造的部分透视立体图。
图35是简要表示模具的构造的垂直剖视图。
图36是简要表示一个变形示例涉及的光学元件的构造的部分剖视图。
图37是简要表示一个变形示例涉及的光学元件的构造的立体图。
图38是表示NA与耦合效率的关系的曲线图。
图39是简要表示其他变形示例涉及的光学元件的构造的部分剖视图。
图40是简要表示其他变形示例涉及的光学元件的构造的立体图。
图41是简要表示其他变形示例涉及的光学元件的构造的部分剖视图。
图42是简要表示其他变形示例涉及的光学元件的构造的立体图。
图43是简要表示其他变形示例涉及的光学元件的构造的部分剖视图。
图44是简要表示其他变形示例涉及的光学元件的构造的立体图。
图45是简要表示模具的构造的垂直剖视图。
图46是简要表示其他变形示例涉及的光学元件的构造的立体图。
图47是简要表示其他变形示例涉及的光学元件的构造的部分剖视图。
图48是简要表示本发明的第10实施方式涉及的滑架组件的构造的俯视图。
图49是沿图48中的49-49线的放大部分剖视图。
图50是简要表示光源和光波导的构造的部分放大剖视图。
图51是简要表示光波导和光学元件的构造的部分放大剖视图。
图52是简要表示其他具体示例涉及的光波导的构造的部分放大剖视图。
图53是简要表示本发明的第11实施方式涉及的滑架组件的构造的俯视图。
图54是简要表示光波导和光学元件的构造的部分放大剖视图。
图55是简要表示光波导和光学元件的构造的部分放大分解立体图。
图56是简要表示光波导的构造的部分放大剖视图。
图57是表示形成光波导的步骤的部分放大剖视图。
图58是表示形成光波导的步骤的部分放大剖视图。
图59是表示形成光波导的步骤的部分放大剖视图。
图60是简要表示本发明的第12实施方式涉及的滑架组件的构造的俯视图。
图61是简要表示另一个具体示例涉及的光波导的构造的部分放大俯视图。
图62是简要表示光源和光波导的构造的部分放大剖视图。
图63是简要表示本发明的第13实施方式涉及的滑架组件的构造的俯视图。
图64是简要表示一个具体示例涉及的光学模块的构造的图。
图65是简要表示其他具体示例涉及的光学模块的构造的图。
图66是简要表示另一个具体示例涉及的光学模块的构造的图。
图67是简要表示一个变形示例涉及的光波导的构造的部分放大立体图。
图68是简要表示一个变形示例涉及的光波导的构造的部分放大剖视图。
图69是简要表示其他变形示例涉及的光波导的构造的部分放大剖视图。
图70是简要表示另一个变形示例涉及的光波导的构造的部分放大剖视图。
图71是简要表示本发明的第14实施方式涉及的滑架组件的构造的部分放大分解立体图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。
图1简要表示本发明的一个实施方式涉及的存储介质驱动装置即硬盘驱动装置(HDD)11的内部构造。该HDD11具有框体即壳体12。壳体12由箱形的基座13和盖(未图示)构成。基座13划分例如平坦长方体的内部空间即收容空间。基座13例如可以利用铝这样的金属材料通过铸造成形。盖接合在基座13的开口上。在盖和基座13之间密封着收容空间。盖例如利用一块板材通过冲压加工成形。
在收容空间中收容有作为存储介质的两个以上的磁盘14。磁盘14被安装在主轴电机15的旋转轴上。主轴电机15能够使磁盘14例如以5400rpm或7200rpm、10000rpm、15000rpm的高速度旋转。磁盘14使用所谓的垂直磁盘。
在收容空间中还收容有滑架组件16。该滑架组件16具有滑架块17。滑架块17与沿垂直方向延伸的支撑轴18连接并可自由旋转。在滑架块17上划分出从支撑轴18沿水平方向延伸的刚体的滑架臂19。滑架块17例如可以利用铝通过铸造成型。众所周知，在相邻的各个磁盘14之间配置有一个滑架臂19。
在滑架臂19的前端安装有磁头悬浮组件21。磁头悬浮组件21具有磁头悬浮器22。磁头悬浮器22从滑架臂19的前端朝向前方延伸。在磁头悬浮器22的前端支撑着浮起磁头滑动器23。浮起磁头滑动器23面对磁盘14的正面。众所周知，在相邻的各个磁盘14之间的滑架臂19上支撑着两个磁头悬浮器22。
在浮起磁头滑动器23上搭载有电磁转换元件。关于电磁转换元件的具体情况将在后面说明。按压力从磁头悬浮器22朝向磁盘14的正面作用于浮起磁头滑动器23。在磁盘14旋转时，沿着磁盘14的正面形成气流。借助该气流的作用，浮力作用于浮起磁头滑动器23。通过使磁头悬浮器22的按压力和浮力均衡，浮起磁头滑动器23能够在磁盘14旋转时以比较高的刚性持续浮起。
在滑架块17上连接有动力源即音圈电机(VCM)24。借助该VCM24的作用，滑架块17能够围绕支撑轴18旋转。这样，通过滑架块17的旋转，实现滑架臂19和磁头悬浮器22的摇动。如果滑架臂19在浮起磁头滑动器23浮起时围绕支撑轴18摇动，则浮起磁头滑动器23能够沿半径方向横穿磁盘14的正面。这样，通过浮起磁头滑动器23沿半径方向移动，电磁转换元件被定位于目标的记录磁道。
图2简要表示本发明的第1实施方式涉及的滑架组件16的构造。在各个滑架臂19上形成有开口25。在开口25上配置有单个的支撑部件26。如图3所示，在配置于相邻的各个磁盘14之间的滑架臂19中，在支撑部件26上安装有一对光源即LD(激光二极管)芯片27。LD芯片27朝向滑架臂19的前端输出光。LD芯片27可以通过从晶片上切取制得。在支撑部件26上支撑着光检测元件28，其位于LD芯片27的后方。光检测元件28根据HDD11内的温度，将从LD芯片27输出的光的强度保持固定。通过布线(未图示)向LD芯片27和光检测元件28提供电力。布线例如可以安装在滑架臂29上。
在支撑部件26上支撑有一对耦合透镜29。各个耦合透镜29配置在LD芯片27的前方。在耦合透镜29上划分出预定曲率的聚光面31。LD芯片27的前端对聚光面31。LD芯片27的光通过聚光面31被转换为平行光或聚焦光的任意一种光。另外，在最上段和最下段的滑架臂19上支撑有一个磁头悬浮器22。在最上段和最下段的滑架臂19中，在支撑部件26上支撑有一个LD芯片27和一个耦合透镜29。
在此，从LD芯片27输出的光的波长被设定为约660nm。LD芯片27的光的扩散角度被设定为18度。在形成平行光时，将耦合透镜29的焦距设定为0.75mm即可。在形成聚焦光时，将耦合透镜29的焦距设定为2.00mm即可。这样，可以将通过耦合透镜29形成的平行光和聚焦光的直径设定为约400μm。
如图4所示，浮起磁头滑动器23被支撑在挠性体32上。挠性体32具有被固定在磁头悬浮器22上的固定板33。在固定板33上连接有支撑板34，支撑板34在其正面上接住浮起磁头滑动器23的支撑面23a。在支撑面23a的背面侧规定有介质相对面23b。固定板33和支撑板34可以利用一个板簧部件形成。板簧部件例如可以利用板厚均匀的不锈钢构成。支撑板34即浮起磁头滑动器23能够相对固定板33改变状态。
光学元件即耦合器元件36被夹在浮起磁头滑动器23的支撑面23a和支撑板34之间。耦合器元件36可以粘接在支撑面23a和支撑板34上。耦合器元件36可以利用透明的玻璃材料或透明的塑料材料通过成型形成。玻璃材料例如可以使用SF6。SF6具有1.7956的折射率。塑料材料的成型例如可以采用注射模塑成形法。耦合器元件36的大小例如被设定为长0.80mm、宽0.60mm、厚0.23mm左右。另外，浮起磁头滑动器23和耦合器元件36构成本发明的磁头滑动器组件。
图5表示一个具体示例涉及的浮起磁头滑动器23。该浮起磁头滑动器23具有例如形成为平坦长方体的滑动器主体41。在滑动器主体41的空气流出侧端面上层叠有非磁性绝缘层即元件内置膜42。在该元件内置膜42上装配有前述的电磁转换元件43。关于电磁转换元件43的具体情况将在后面说明。
滑动器主体41例如可以利用Al2O3-TiC这样的硬质非磁性材料形成。元件内置膜42例如可以利用Al2O3(氧化铝)这样的比较软质的绝缘非磁性材料形成。滑动器主体41在介质相对面23b上面对磁盘14。在介质相对面23b上规定有平坦的基础面45即基准面。在磁盘14旋转时，气流46从滑动器主体41的前端朝向后端作用于介质相对面23b。
在介质相对面23b上形成有一道前轨道47，其在前述气流46的上游侧即空气流入侧从基础面45立起来。前轨道47沿着基础面45的空气流入端向滑动器宽度方向延伸。同样，在介质相对面23b上形成有后轨道48，其在气流的下游侧即空气流出侧从基础面45立起来。后轨道48配置在滑动器宽度方向的中央位置。
在介质相对面23b上还形成有左右一对的辅助后轨道49、49，其在空气流出侧从基础面45立起来。辅助后轨道49、49分别沿着基础面45的左右缘部配置。结果，各个辅助后轨道49、49沿滑动器宽度方向隔开间隔配置。在各个辅助后轨道49、49之间配置有后轨道48。
在前轨道47、后轨道48和辅助后轨道49、49的顶面上规定有所谓的空气轴承面(ABS)51、52、53。空气轴承面51、52、53的空气流入端通过阶梯54、55、56与轨道47、48、49的顶面连接。通过磁盘14旋转而形成的气流46被介质相对面23b接住。此时，借助阶梯54、55、56的作用，在空气轴承面51、52、53上形成比较大的正压即浮力。而且，在前轨道47的后方即背后形成较大的负压。根据这些浮力和负压的平衡，确立浮起磁头滑动器23的浮起状态。另外，浮起磁头滑动器23的形式不限于这种形式。
图6具体表示电磁转换元件43的情况。电磁转换元件43具有写入磁头元件即单磁极磁头61和读出磁头元件62。在元件内置膜42内，单磁极磁头61与读出磁头元件62相比配置在空气流出侧。众所周知，单磁极磁头61能够利用例如由磁性线圈产生的磁场，向磁盘14写入2值信息。读出磁头元件62可以使用磁阻抗效应(MR)元件，例如巨大磁阻抗效应(GMR)元件和沟道耦合磁阻抗效应(TMR)元件。众所周知，读出磁头元件62能够从磁盘14根据随着作用磁场而变化的电阻来检测2值信息。
单磁极磁头61和读出磁头元件62被埋入元件内置膜42内。在读出磁头元件62中，沟道耦合膜这样的磁阻抗效应膜63夹在上下一对的导电层即下部屏蔽层64和上部屏蔽层65之间。下部屏蔽层64和上部屏蔽层65可以利用例如FeN和NiFe这样的磁性材料构成。下部屏蔽层64和上部屏蔽层65彼此的间隔决定磁盘14上的记录磁道的线方向的磁记录的分辨率。
单磁极磁头61具有在空气轴承面53上露出的主磁极66和辅助磁极67。主磁极66和辅助磁极67可以利用例如FeN和NiFe这样的磁性材料构成。一并参照图7，在主磁极66和辅助磁极67之间形成有磁性线圈即薄膜线圈68。主磁极66的后端在薄膜线圈68的中心位置通过连接片69与辅助磁极67磁连接。这样，主磁极66、辅助磁极67和连接片69形成贯穿薄膜线圈68的中心位置的磁性芯体。
光波导即芯体71被埋入单磁极磁头61和读出磁头元件62之间的元件内置膜42中。单磁极磁头61、读出磁头元件62和芯体71的芯体宽度方向的中心线一致。芯体71可以使用例如2.4折射率的TiO2。芯体71从浮起磁头滑动器23的支撑面23a朝向介质相对面23b即空气轴承面52延伸。芯体71的前端在空气轴承面52上露出。芯体71随着从支撑面23a朝向空气轴承面52而缩小宽度。元件内置膜42具有小于芯体71的折射率，所以元件内置膜42作为包层发挥作用。
如图8所示，耦合器元件36在从支撑板34的正面立起来的端面上规定聚光面72。聚光面72面对前述的LD芯片27。聚光面72会聚与浮起磁头滑动器23的支撑面23a平行地入射的光。在此，聚光面72构成各向同性透镜即可。聚光面72的曲率例如被设定为0.56mm。另一方面，在聚光面72的相反侧，在耦合器元件36上形成有反射面73。反射面73面对聚光面72。反射面73沿着例如以45度倾斜角与支撑板34的正面交叉的虚拟平面规定。反射面73使光在耦合器元件36内反射。
如图9所示，聚光面72构成各向同性透镜，所以入射到聚光面72的光在耦合器元件36的厚度方向和宽度方向聚焦。如图10所示，聚焦后的光由反射面73反射。反射面73使光以预定的角度反射。这样，光朝向芯体71聚焦。结果，光从耦合器元件36的上端面入射到芯体71上。入射到芯体71上的光从空气轴承面52朝向磁盘14照射。在此，在耦合器元件36的上端面，数值孔径(NA)被设定为0.33左右。光的直径被设定为2μm左右。
现在，假设向磁盘14写入2值信息的场景。首先，浮起磁头滑动器23被定位在目标的记录磁道上。如图11所示，LD芯片27向耦合器元件36独立地提供光。耦合器元件36的聚光面72使光聚焦。反射面73通过反射将光引导到芯体71上。结果，从芯体71的前端照射磁盘14的磁记录层(未图示)。光的能量在磁记录层被转换为热的能量。磁记录层被加热。磁记录层的温度上升。在磁记录层中顽磁力下降。
此时，向薄膜线圈68提供写入电流。在薄膜线圈68产生磁场。磁通在主磁极66、辅助磁极67和连接片69内流通。磁通从介质相对面23b泄露出去。泄露出去的磁通形成记录磁场。由此，向磁盘14写入2值信息。在电磁转换元件43通过后，磁记录层的温度返回为室温。磁记录层的顽磁力增大。结果，能够在磁记录层中可靠地保持2值信息。
在以上所述的HDD11中，耦合器元件36被夹在浮起磁头滑动器23和支撑板34之间。在耦合器元件36上划分出聚光面72和反射面73。由聚光面72会聚后的光由反射面73反射。由此，光被引导到浮起磁头滑动器23的芯体71上。如后面所述，在制造磁头滑动器组件时，调整浮起磁头滑动器23和耦合器元件36的相对位置。浮起磁头滑动器23和耦合器元件36相比以前更容易定位。容易实施磁头悬浮组件21的装配。
而且，在配置于相邻的各个磁盘14之间的滑架臂19中，一对LD芯片27支撑在单个支撑部件26上。能够尽可能避免滑架臂19的重量增大。此外，支撑部件26被配置在滑架臂19的开口25内。与支撑部件26被配置在滑架臂19的正面上时相比，能够避免滑架臂19的厚度增大。
另外，单磁极磁头61与芯体71相比配置在空气流出侧。借助从芯体71照射的光的作用，在磁记录层被加热后，单磁极磁头61能够马上通过磁记录层。在实现了顽磁力下降后，能够马上写入2值信息。光能够被有效利用。在写入2值信息时，确立强度较小的记录磁场即可。
下面，简单说明磁头滑动器组件的制造方法。首先，如图12所示，利用模具成型横向尺寸较长的成型品75。成型品75例如具有约2～5mm的厚度。在成型品75上沿横向扩展的基准面76的一端，沿着棱线77以预定的间隔横向排列一列前述聚光面72。在此，例如排列有3个聚光面72。然后，在棱线77的相反侧对棱线78实施研磨处理。结果，如图13所示，形成以预定的倾斜角与基准面76交叉的反射面73。反射面73沿横方向延伸。倾斜角例如被设定为45度。
如图14所示，在成型品75的基准面76上粘贴尺寸较长的晶片型材79。在晶片型材79上以与聚光面72相同的间隔划分一列横向的多个磁头滑动器。即，在晶片型材79上划分出3个磁头滑动器。在晶片型材79的正面预先确立介质相对面23b。电磁转换元件43和芯体71被预先埋入晶片型材79中。众所周知，晶片型材79是从晶片中切取出来的。利用众所周知的光刻技术，预先在晶片上层叠形成读出磁头元件62、芯体71和单磁极磁头61。
如图15所示，在晶片型材79的正面配置例如2个显微镜81。在显微镜81上连接有例如视频摄像机。显微镜81被定位在晶片型材79两端的芯体71上。通过聚光面72的光由反射面73反射。利用显微镜81测定光量。结果，能够根据光量的大小，相对成型品75来定位晶片型材79。此时，预先在成型品75和晶片型材79之间涂敷例如紫外线固化型的粘接剂。在定位之后，向成型品75照射紫外线，使粘接剂固化。
在粘接成型品75和晶片型材79之后，从基准面76的背面侧研磨成型品75。结果，如图16所示，在成型品75上切削出与基准面76平行的面75a。成型品75的厚度被设定为0.23mm左右。然后，如图17所示，从成型品75和晶片型材79切取各个磁头滑动器组件。然后，将各个磁头滑动器组件粘贴在挠性体32的支撑板34上。
另外，如图18所示，也可以在磁头悬浮组件21上装配取代耦合器元件36的耦合器元件36a。在该耦合器元件36a中，聚光面72a规定为圆筒面。圆筒面的中心轴沿与耦合器元件36a的正面正交的方向延伸。圆筒面的曲率可以设定为0.56mm。一并参照图19，反射面73a规定为抛物面。结果，入射到聚光面72a的光只沿耦合器元件36a的宽度方向聚焦。聚焦后的光由反射面73a反射。与前述方式相同，反射面73a使光以预定的角度反射。由此，光从耦合器元件36a的上端面入射到芯体71上。
图20简要表示本发明的第2实施方式涉及的滑架组件16a的构造。在该滑架组件16a中，光倾斜地入射到耦合器元件36上。在此，光的入射角度被设定为相对与基座13的底面平行的水平面为0.2度～3.0度的范围。光随着远离LD芯片27而远离滑架臂19的正面。此外，对与前面叙述的滑架组件16相同的结构和构造标注相同的参照标号。
如图21所示，在调整入射角度时，使LD芯片27的光轴与耦合透镜29的中心轴错开即可。入射角度θ和LD芯片27的光轴与耦合透镜29的中心轴的偏移量ΔX之间的关系，被定义为ΔX＝f×sinθ。其中，f表示耦合透镜29的焦距。根据这种滑架组件16a，在LD芯片27的光轴距滑架臂19的正面的高度和耦合器元件36距滑架臂19的正面的高度不同时，也能够可靠地从LD芯片27向耦合器元件36提供光。
图22简要表示本发明的第3实施方式涉及的滑架组件16b的构造。在该滑架组件16b中，在支撑部件26上支撑有取代耦合透镜29的耦合器元件82。耦合器元件82具有与LD芯片27的前端面对的聚光面83、和将从聚光面83入射的光提供给耦合器元件36的2个反射面84、85。反射面84、85沿与基座13的底面正交的垂直方向排列。反射面84规定为平面。反射面85规定为抛物面。此外，对与前面叙述的滑架组件16相同的结构和构造标注相同的参照标号。
在这种滑架组件16b中，在LD芯片27的光轴距滑架臂19的正面的高度和耦合器元件36距滑架臂19的正面的高度不同时，也能够借助耦合器元件82的作用，可靠地从LD芯片27向耦合器元件36提供光。在制造这种耦合器元件82时，成型如图23所示的成型品86。然后，对成型品86的棱线87实施研磨处理。
图24简要表示本发明的第4实施方式涉及的滑架组件16c的构造。在该滑架组件16c中，LD芯片27采用面发光激光器的芯片。在LD芯片27的正面安装有耦合器元件88。耦合器元件88规定反射面89。借助反射面89的作用，入射到耦合器元件88上的来自LD芯片27的光以预定的角度反射。结果，能够可靠地向耦合器元件36提供光。此外，对与前面叙述的滑架组件16相同的结构和构造标注相同的参照标号。这样，通过在LD芯片27上确立面发光，能够避免滑架臂19的厚度增大。
图25简要表示本发明的第5实施方式涉及的滑架组件16d的构造。在该滑架组件16d中，耦合透镜29和耦合器元件36通过光纤91连接。聚焦光从耦合透镜29入射到光纤91的一端。从光纤91的另一端向耦合器元件36提供聚焦光。光纤91的NA被设定为0.2左右。光纤91具有例如约4μm的芯径和例如约125μm的包层径。
如图26所示，在耦合器元件36上形成有用于支撑光纤91的另一端的槽92。在槽92的内端规定有聚光面72。光纤91的另一端和聚光面72的距离被设定为0.2mm左右。聚光面72的曲率被设定为0.12mm左右。聚光面72和浮起磁头滑动器23的芯体71的距离被设定为例如0.5mm左右。此时，在聚光面72确立0.28的NA。入射到芯体71的光的直径被设定为2.4μm。此外，对与前面叙述的滑架组件16相同的结构和构造标注相同的参照标号。
在这种滑架组件16d中，借助光纤91的作用，能够可靠地从LD芯片27向耦合器元件36提供光。而且，光纤91从LD芯片27直直地延伸到耦合器元件36。在光纤91即所谓的单模光纤中，能够可靠地保存偏振光。光纤91例如不需要使用保存偏振光的光纤。此外，根据光纤91，例如允许LD芯片27和耦合器元件36的位置偏移。
图27简要表示本发明的第6实施方式涉及的滑架组件16e的构造。在该滑架组件16e中，在支撑部件26上支撑有一个LD芯片27和一个耦合透镜29。在耦合透镜29上连接有光束分离器93。光束分离器93被支撑在支撑部件26上。借助耦合透镜29的作用，向光束分离器93提供平行光。此外，对与前面叙述的滑架组件16相同的结构和构造标注相同的参照标号。
在光束分离器93上划分出透射面94和反射面95。透射面94使从耦合透镜29入射的光透射，同时使从耦合透镜29入射的光反射。透射与反射的比率被设定为例如约50％。在透射面94透射的光被提供给一方耦合器元件36。另一方面，在透射面94反射的光以预定的角度由反射面95反射。反射率大致规定为100％。反射后的光被提供给另一方耦合器元件36。这样，能够从一个LD芯片27向2个耦合器元件36独立地提供光。
图28简要表示本发明的第7实施方式涉及的滑架组件16f的构造。该滑架组件16f使用了耦合器元件36b。在耦合器元件36b上沿与前述相反的方向接住浮起磁头滑动器23。即，空气流入端被规定在滑架组件16f的前端侧。空气流出端被规定在滑架组件16f的基部端侧。元件内置模42配置在滑架组件16f的基部端侧。在HDD11中，磁盘14沿与前述方向相反的方向旋转。电磁转换元件43和芯体71与前述相同地制造。
耦合器元件36b在面对LD芯片27的端面上划分反射面73b。反射面73b使由LD芯片27提供的光在空气中反射。也可以在反射面73b上形成保护膜(未图示)。向芯体71提供光。在此，反射面73b兼做聚光面。提供给反射面73b的光会聚于芯体71。此外，对与前面叙述的滑架组件16相同的结构和构造标注相同的参照标号。在这种滑架组件16f中，与元件内置膜42配置在滑架组件16f的前端时相比，能够缩短与LD芯片27之间的距离。光能够被有效利用。
图29简要表示本发明的第8实施方式涉及的滑架组件16g的构造。在该滑架组件16g中省略了耦合器元件36、36a、36b。浮起磁头滑动器23被支撑在挠性体32的支撑板34的正面上。与滑架组件16f相同，浮起磁头滑动器23将空气流入端规定在滑架组件16g的前端侧，将空气流出端规定在滑架组件16g的基部端侧。在HDD11中，磁盘14沿与前述方向相反的方向旋转。
在该浮起磁头滑动器23中，芯体71部分地露出于空气流出侧端面。在露出部分中，在芯体71上形成有光栅(grating)97。从LD芯片27直接向该露出部分提供光。借助光栅97的作用使光散射。由此，光入射到芯体71上。此外，对与前述相同的结构和构造标注相同的参照标号。
图30简要表示本发明的第9实施方式涉及的滑架组件16h的构造。该滑架组件16h使用了耦合器元件36c。耦合器元件36c具有聚光面72c和反射面73c。前述光纤91的另一端与聚光面72c面对。光纤91的一端与LD芯片27面对。由此，光纤91朝向聚光面72c提供聚焦光。聚焦光在聚光面72c上会聚。会聚后的光以预定的角度由反射面73c反射。结果，光被引导到芯体71上。在此，光纤91的另一端和聚光面72c的距离被设定为约0.3mm。从聚光面72c到光的焦点的距离被设定为约0.3mm。此外，对与前述相同的结构和构造标注相同的参照标号。
耦合器元件36c规定接住浮起磁头滑动器23的支撑面23a的第1平坦面98、和与第1平坦面98平行地扩展的第2平坦面99。耦合器元件36c在第2平坦面99上被支撑板34接住。第1平坦面98和第2平坦面99通过包含聚光面72c的第1侧面101和包含反射面73c的第2侧面102相互连接。第1侧面101与第2侧面102面对。如图31所示，第1平坦面98和第2平坦面99通过相互平行地扩展的第3侧面103和第4侧面104连接。在此，聚光面72c规定为弯曲面即变形非球面。另一方面，反射面73c规定为平面。
如图32所示，第1～第4虚拟壁面相对在俯视时确立的耦合器元件36c的轮廓线C直立起来。第1虚拟壁面105a和第2虚拟壁面105b规定为相互平行。第3虚拟壁面105c和第4虚拟壁面105d规定为相互平行。耦合器元件36c的第3侧面103沿着第3虚拟壁面105c扩展。第4侧面103沿着第4虚拟壁面105d扩展。另一方面，如图33所示，第1侧面101即聚光面72c随着远离与第1平坦面98平行地扩展的第1基准面P1而远离第1虚拟壁面105a。另一方面，第2侧面102从第1平坦面98开始一部分沿着第2虚拟壁面105b扩展。第1侧面102即反射面73c随着远离与第1平坦面98平行地扩展的第2基准面P2而远离第2虚拟壁面105b。
下面，说明耦合器元件36c的制造方法。图34表示在制造耦合器元件36c时使用的模具106的构造。模具106具有例如圆盘形的下模具107、和与下模具107的正面重合的例如圆盘形的上模具108。下模具107的轴芯和上模具108的轴芯一致。在下模具107上划分出腔室109。腔室109模仿例如横向排列的3个耦合器元件36c的轮廓。在上模具108上划分出从上模具108的背面突出的突片111。在上模具108的背面与下模具107的正面重合时，突片111被收纳在腔室109内。从而腔室109被密封。
在腔室109内，在下模具107上规定有互相面对的第1侧壁109a和第2侧壁109b、以及互相面对的第3侧壁109c和第4侧壁109d。第1侧壁109a规定耦合器元件36c的第1侧面101。同样，第3侧壁109c规定第3侧面103。第4侧壁109d规定第4侧面104。腔室109的底面规定第1平坦面98。另一方面，一并参照图35，在上模具108的突片111上规定有侧面111a。侧面111a规定耦合器元件36c的第2侧面102。在上模具108的背面与下模具107的正面重合时，腔室109划分耦合器元件36c的轮廓。在突壁111的外侧，上模具108的背面规定第2平坦面99。
在制造耦合器元件36c时，在腔室109内配置有预塑形坯(pre form)。预塑形坯例如采用玻璃材料。玻璃材料被加热。玻璃材料熔融。熔融后的玻璃材料扩散到腔室109内。下模具107和上模具108沿着轴心相互接近。结果，上模具108的背面与下模具107的正面重合。下模具107和上模具108以预定的按压力相互按压。玻璃材料在腔室109内均匀扩散。然后，玻璃材料被冷却。玻璃材料通过冷却而固化。结果，玻璃材料被成型为预定的形状。从腔室109取出成型后的成型品。然后，从成型品切取各个耦合器元件36c。由此制造耦合器元件36c。
在以上所述的制造方法中，耦合器元件36c的第1侧面101和第2侧面102随着分别远离第1基准面P1和第2基准面P2而分别远离第1虚拟壁面105a和第2虚拟壁面105b。第3侧面103和第4侧面104沿着第3虚拟壁面105c和第4虚拟壁面105d规定。第1～第4虚拟壁面105a～105d相对轮廓线C直立，所以能够容易地从模具106上取下成型品即耦合器元件36c。耦合器元件36c能够容易地利用2个模具即下模具107和上模具108制得。能够一次生产大量的耦合器元件36c。
如图36所示，也可以在滑架组件16h上装配取代前述耦合器元件36c的耦合器元件36d。在该耦合器元件36d中，如图37所示，聚光面72c规定为圆筒面。圆筒面的母线例如以预定的倾斜角与第1平坦面98交叉。另一方面，反射面73c规定为圆筒面。圆筒面的母线沿与第1虚拟壁面105a平行的方向延伸。由此，反射面73c可以作为聚光面发挥作用。此外，对与前述耦合器元件36c相同的结构和构造标注相同的参照标号。
这种耦合器元件36d与前述耦合器元件36c相同地制造。因此，能够一次生产大量的耦合器元件36c。而且，聚光面72c是按照预定的母线描画形成的，所以在磨削制造耦合器元件36c时使用的模具时，只要能够实现磨削刀具的平行移动即可。不需要包括磨削刀具的方向控制在内的三维的复杂加工。由此能够容易地制造模具。
反射面73c作为聚光面发挥作用。结果，在距支撑面23a和反射面73c的距离比较短时，如果光在较大的范围内会聚，将导致NA增大。NA的增大使得耦合效率下降。图38表示入射到单模光纤的光的NA与耦合效率的关系。根据该曲线图可知，在NA被设定为0.10时，耦合效率最高。因此，只要根据耦合器元件36d的设计来设定最佳的NA即可。而且，在耦合器元件36d中，从浮起磁头滑动器23的支撑面23a到反射面73c的距离被设定得比较长。结果，不需变更最佳的NA，反射面73c即可在更大的范围内进行会聚。光能够被有效利用。
如图39所示，也可以在滑架组件16h上装配取代前述耦合器元件36c、36d的耦合器元件36e。在该耦合器元件36e中，聚光面72c规定为圆筒面。圆筒面的母线沿与第1虚拟壁面105a平行的方向延伸。另一方面，反射面73c同样规定为圆筒面。根据图40可知，圆筒面的母线例如以预定的倾斜角与第2平坦面99交叉。由此，反射面73c可以作为聚光面发挥作用。此外，对与前述耦合器元件36c、36d相同的结构和构造标注相同的参照标号。
这种耦合器元件36e与前述耦合器元件36c相同地制造。因此，能够一次生产大量的耦合器元件36c。而且，聚光面72c是按照预定的母线描画形成的，所以能够容易地制造模具。此外，在耦合器元件36e中，从浮起磁头滑动器23的支撑面23a到反射面73c的距离被设定得比较长。结果，不需变更最佳的NA，反射面73c即可在更大的范围内进行会聚。光能够被有效利用。
如图41所示，也可以在滑架组件16h上装配取代前述耦合器元件36c～36e的耦合器元件36f。在该耦合器元件36f中，聚光面72c与前述耦合器元件36c相同地规定为变形非球面。另一方面，如图42所示，反射面72c规定为例如椭圆面这样的旋转对称非球面即可。结果，反射面73c可以作为聚光面发挥作用。此外，反射面73c也可以规定为双曲面。
在该耦合器元件36f中，与前述相比，聚光面72c和反射面73c的距离增大。光路长度相比前述增大。结果，在聚光面73c和反射面73c之间，光连接焦点。从焦点到聚光面72c的距离和从焦点到反射面73c的距离被设定为相等。由此，会聚于芯体71的光的NA被设定为与入射到聚光面72c的光的NA相等。此外，对与前述耦合器元件36c～36e相同的结构和构造标注相同的参照标号。
这种耦合器元件36f与前述耦合器元件36c相同地制造。因此，能够一次生产大量的耦合器元件36f。而且，聚光面72c是按照预定的母线描画形成的，所以能够容易地制造模具。此外，在耦合器元件36e中，从浮起磁头滑动器23的支撑面23a到反射面73c的距离被设定得比较长。结果，不需变更最佳的NA，反射面73c即可在更大的范围内进行会聚。光能够被有效利用。另外，伴随聚光面72c和反射面73c的距离的增大，第1平坦面98的面积增大。耦合器元件36f与浮起磁头滑动器23的接合强度提高。
如图43所示，也可以在滑架组件16h上装配取代前述耦合器元件36c～36f的耦合器元件36g。在该耦合器元件36g中，聚光面72c规定为圆筒面。圆筒面的母线与第1虚拟壁面105a平行地延伸。在此，聚光面72c随着远离前述第2基准面P2而远离第1虚拟壁面105a。另一方面，反射面73c可以规定为平面。
在该耦合器元件36g中，与前述耦合器元件36f相同，聚光面72c和反射面73c的距离比较大。结果，从聚光面72c入射的光由第1平坦面98反射。即，第1平坦面98构成第2反射面。反射后的光被引导到反射面73c。此外，对与前述耦合器元件36c～36f相同的结构和构造标注相同的参照标号。
在制造这种耦合器元件36g时，例如使用如图45所示的模具113。模具113具有下模具114和上模具115。在下模具114上划分出腔室116。在上模具115的背面与下模具114的正面重合时，腔室116被密封。根据图45可知，耦合器元件36g的聚光面72c和反射面73c均规定于下模具114的腔室116上。因此，例如与反射面73c规定于上模具115的背面上时相比，能够以更高的精度形成聚光面72c和反射面73c。
与前述相同地，能够一次生产大量这种耦合器元件36g。而且，聚光面72c是按照预定的母线描画形成的，所以能够容易地制造模具。此外，伴随聚光面73c和反射面72c的距离的增大，第1平坦面98的面积增大。耦合器元件36f与浮起磁头滑动器23的接合强度提高。
如图46所示，也可以在滑架组件16h上装配取代前述耦合器元件36c～36g的耦合器元件36h。在该耦合器元件36h上形成有接住光纤91的另一端的槽118。在槽118的内端规定有入射面119。入射面119规定为平面。入射面119面对光纤91的另一端。另一方面，在耦合器元件36h上形成有反射面121。反射面121规定为平面。反射面121面对入射面119。
在光纤91的另一端和入射面119之间配置有例如圆柱形的折射率分布透镜122。折射率分布透镜122与光纤91的另一端接合。折射率分布透镜122被设定成为随着远离其中心轴而朝向外围，其折射率变小。如图47所示，在光从光纤91的另一端入射到折射率分布透镜122时，光由折射率分布透镜122聚焦。聚焦后的光从入射面121入射到耦合器元件36h。入射后的光以预定的角度由反射面121反射。由此，光被引导到芯体71。此外，对与前述耦合器元件36c～36g相同的结构和构造标注相同的参照标号。
在这种耦合器元件36h中，入射面119和反射面121规定为平面。结果，耦合器元件36h例如可以通过切割加工形成。对通过切割加工切取的成型品实施研磨加工。由此，规定入射面119和反射面121。这种耦合器元件36h能够一次大量生产。
图48简要表示本发明的第10实施方式涉及的滑架组件16i的构造。在该滑架组件16i中，在滑架臂19上安装有LD芯片27。LD芯片27能够向滑架臂19的前方照射光。在LD芯片27和浮起磁头滑动器23之间配置有光波导124。光波导124形成于滑架臂19和磁头悬浮器22上。在此，光波导124从LD芯片27直直地延伸到浮起磁头滑动器23。在浮起磁头滑动器23的空气流入侧，光波导124从挠性体32的固定板33跨越到支撑板34。
如图49所示，光波导124具有例如聚酰亚胺树脂制的支撑板125。在支撑板125上形成有片状的包层126。芯体127被埋入包层126内。包层126和芯体127利用例如光聚合物这样的紫外线固化型树脂材料形成。此时，只要包层126的折射率和芯体127的折射率存在差异即可。在芯体127中，偏振的方向被设定为预定的方向。在挠性体32上，可以在光波导124上配置导电图案(未图示)。另外，光波导124也可以配置在导电图案上。并且，导电图案也可以与光波导124一体化。
如图50所示，光波导124的一端即入射面124a面对LD芯片27的前方。在此，LD芯片27可以使用例如Fabry-Perot型。LD芯片27朝向入射面124a提供光。另一方面，如图51所示，前述的耦合器元件36被夹在浮起磁头滑动器23的支撑面23a和支撑板34之间。光波导124的另一端即出射面124b面对耦合器元件36的聚光面72。此外，对与前述相同的结构和构造标注相同的参照标号。
在这种滑架组件16i中，从LD芯片27照射的光提供给光波导124的芯体127。光从入射面124a入射到芯体127。光在芯体127内传播。由此，光从芯体127的出射面124b出射。出射的光被引导到耦合器元件36上。结果，光被引导到浮起磁头滑动器23的芯体71上。另外，在制造滑架组件16i时，只要将预先制造的光波导124粘贴在滑架臂19和磁头悬浮器22上即可。根据这种滑架组件16i，能够实现与前述相同的作用效果。
在以上所述的滑架组件16i中，预先制造的光波导124被粘贴在滑架臂19和磁头悬浮器22上。在预先制造的光波导124中，偏振的方向被设定为预定的方向。因此，光波导124能够容易地被定位在滑架臂19和磁头悬浮器22上。能够避免实施偏振方向的微调整这样的烦杂作业。结果，能够容易地生产大量的滑架组件16i，抑制滑架组件16i的生产成本。
此外，也可以取代前述的粘贴方式，使光波导124形成在滑架臂19和磁头悬浮器22上。在形成光波导124时，例如利用旋转涂敷法在滑架臂19和磁头悬浮器22上涂敷紫外线固化型的树脂材料。然后，通过照射紫外线，形成包层126和芯体127。
如图52所示，也可以在滑架组件16i上装配取代光波导124的光波导128。该光波导128具有利用玻璃材料形成的包层129和芯体131。包层129具有支撑层129a和在支撑层129a的正面覆盖芯体131的被覆层129b。光波导124通过支撑层129a粘贴在滑架臂119和磁头悬浮器22上。支撑层129a例如利用硼硅酸盐玻璃形成。支撑层129a具有例如约30～50μm的厚度。硼硅酸盐玻璃具有1.473的折射率。被覆层129b例如利用BK7形成。BK7具有例如约0.02mm的厚度。BK7具有1.53的折射率。
芯体131被埋入支撑层129a和被覆层129b即包层129内。芯体131例如利用硅玻璃(BPSG)形成。芯体131具有例如约5μm的厚度。硅玻璃具有2.0的折射率。这种光波导128利用玻璃材料形成时，具有例如400nm波长的光的透射率提高。此外，由于玻璃材料的耐热温度比较高，所以在滑架组件16i中能够使用高能量的光。
在形成这种光波导128时，首先准备硼硅酸盐玻璃片。玻璃片构成支撑层129a。在支撑层129a的正面上，利用例如等离子化学气相生长法(PECVD)形成硅玻璃层。利用例如Cr掩模对硅玻璃层实施蚀刻。由此，在支撑层129a的正面上切削形成芯体131。然后，在支撑层129a的正面上利用RF溅射法形成BK7的被覆层129b。然后，例如通过激光加工切削形成光波导128的轮廓。另外，也可以取代前述的粘贴方式，使光波导128形成在滑架臂19和磁头悬浮器22上。
图53简要表示本发明的第11实施方式涉及的滑架组件16j的构造。在该滑架组件16j中，前述的光波导124也可以通过弯曲延伸到浮起磁头滑动器23的空气流出侧。在光波导124的弯曲区域中，在芯体127上规定反射面133、134。反射面133、134例如规定为平面。反射面133、134与挠性体32的正面正交。从LD芯片27入射到光波导124的芯体127上的光由反射面133、134全反射。结果，光能够被引导到光波导124的出射面124b上。另外，也可以使用取代光波导124的光波导128。
如图54所示，前述的耦合器元件36b被夹在浮起磁头滑动器23的支撑面23a和支撑板34之间。光波导124的出射面124b面对耦合器元件36b的反射面73b。反射面73b例如规定为圆筒面。如前面所述，反射面73b兼做聚光面。反射面73b面对浮起磁头滑动器23的芯体71。结果，从光波导124的出射面124b出射的光被引导到浮起磁头滑动器23的芯体71上。此外，对与前述相同的结构和构造标注相同的参照标号。在这种滑架组件16j中，能够实现与前述相同的作用效果。
图55简要表示本发明的第12实施方式涉及的滑架组件16k的构造。在该滑架组件16k中，光波导124也可以延伸到浮起磁头滑动器23的支撑面23a。由此，光波导124的另一端被夹在支撑面23a和支撑板34之间。光波导124的另一端在支撑面23a和支撑板34之间以均匀的厚度扩展。在此，光波导124的另一端可以具有与浮起磁头滑动器23相同的轮廓。在光波导124中，芯体127延伸到支撑面23a和支撑板34之间。
一并参照图56，在包层126上划分出开口135。芯体127在开口135内被分割。在一方芯体127的端面形成有出射面124b。另一方面，在另一方芯体127的端面规定有反射面136。反射面136与出射面124b面对。反射面136规定为例如以45度的倾斜角与支撑板34的正面交叉的倾斜面即可。在芯体127内传播的光从出射面124b出射。光由反射面136反射。反射后的光入射到芯体71。此外，对与前述滑架组件16j相同的结构和构造标注相同的参照标号。
在形成这种光波导124时，如图57所示，例如利用旋转涂敷法在支撑板125上涂敷厚度均匀的包层用的光聚合物材料137。光聚合物材料137通过照射紫外线而固化。例如利用旋转涂敷法在光聚合物材料137上涂敷厚度均匀的芯体用的光聚合物材料138。然后，利用掩模向光聚合物材料138照射紫外线。由此，光聚合物材料138固化成为芯体127的轮廓。然后，在光聚合物材料137上涂敷光聚合物材料139。光聚合物材料139通过照射紫外线而固化。
然后，如图58所示，向光聚合物材料139照射加工用激光。通过照射加工用激光，在预定的范围内去除光聚合物材料139。结果，在光聚合物材料139上形成开口135。光聚合物材料138的正面露出于开口135内。在开口135内，向光聚合物材料138的正面照射加工用激光。结果，如图59所示，在光聚合物材料139上形成倾斜面即反射面136。同时，在光聚合物材料139上形成出射面124b。在使反射面136变平坦时，再次向反射面136照射加工用激光。由此形成光波导124。
图60简要表示本发明的第13实施方式涉及的滑架组件16m的构造。在该滑架组件16m中，在滑架臂19上配置有光波导124，在磁头悬浮器22上配置有光波导128。光波导124被粘贴在滑架臂19上。另一方面，光波导128可以通过图案加工形成在磁头悬浮器22上。光波导124的端面面对光波导128的端面。在各个端面之间可以夹入例如粘接剂。由此将各个端面粘接。此外，对与前述相同的结构和构造标注相同的参照标号。
另外，如图61所示，在光波导128中，包层129也可以在磁头悬浮器22的正面的整个面上扩散。这种光波导128例如可以通过激光加工切取形成。此外，如图62所示，LD芯片27也可以使用面发光激光器(VCSEL)的芯片。此时，可以在光波导124的芯体127上形成反射面127a。LD芯片27朝向反射面127a照射光。
图63简要表示本发明的第14实施方式涉及的滑架组件16n的构造。在该滑架组件16n中，在提供光时，在滑架块17的侧面安装有光学模块141。从光学模块141向光波导124的入射面124a提供光。在此，光波导124通过弯曲延伸到滑架臂19的外缘。在弯曲区域中，在芯体127上形成有反射面142。光波导124的入射面124a面对光学模块141的反射镜143。反射镜143面对光学模块141的光学单元144。从光学单元144照射的光由反射镜143反射。反射后的光被引导到入射面124a上。
如图64所示，光学单元144具有第1封装LD145和第2封装LD146。第1封装LD145和第2封装LD146配置在相互正交的直线上。在第1封装LD145上装配有彼此相邻的第1LD芯片147a和第2LD芯片147b。在第2封装LD146上装配有彼此相邻的第3LD芯片147c和第4LD芯片147d。在本实施方式中使用第1LD芯片147a～第4LD芯片147d这4个LD芯片，所以本实施方式能够应对例如2个磁盘14。
光束分离器148面对第1封装LD145和第2封装LD146。第1封装LD145面对光束分离器148的第1入射面148a。第2封装LD146面对第2入射面148b。第1入射面148a和第2入射面148b相互正交。光束分离器148具有反射面149。反射面149使所谓的P偏振光透射，使所谓的S偏振光反射。在光束分离器148和反射镜143之间配置有一对物镜151。借助物镜151的作用，从LD芯片147a～147d输出的光扩大。光束分离器148和物镜151构成本发明的切换机构。
在这种滑架组件16n中，各个第1～第4LD芯片147a～147d对应于各个磁盘14的正面和背面。在此，从第1LD芯片147a和第2LD芯片147b输出的光在反射面149透射。另一方面，从第3LD芯片147c和第4LD芯片147d输出的光由反射面149反射。例如，从第2LD芯片147b输出的光在反射面149透射后，借助物镜151的作用而折射。结果，光被引导到与上侧磁盘14的正面侧对应的光波导124-1的入射面124a。同样，从第1LD芯片147a输出的光被引导到与下侧磁盘14的正面侧对应的光波导124-3的入射面124a。
另一方面，从第3LD芯片147c输出的光由反射面149反射后，借助物镜151的作用而折射。结果，光被引导到与上侧磁盘14的背面侧对应的光波导124-2的入射面124a。同样，从第4LD芯片147d输出的光被引导到与下侧磁盘14的背面侧对应的光波导124-4的入射面124a。这样，各个第1～第4LD芯片147a～147d分别对应光波导124。因此，在写入磁信息时，只要第1～第4LD芯片147a～147d中的任意一方输出光即可。结果，在各个第1～第4LD芯片147a～147d之间抑制热量的相互干涉的影响。此外，对与前述相同的结构和构造标注相同的参照标号。
如图65所示，也可以在滑架组件16n上装配光学模块141a。在该光学模块141a上装配光学单元144a。光学单元144a具有一个LD芯片153。在LD芯片153和反射镜143之间配置有第1物镜154和第2物镜155。第2物镜155例如能够沿与支撑轴18的轴心平行的方向上下移动。为了实现上下移动，可以将第2物镜155安装在例如压电元件上。通过第2物镜155的这种上下移动，从LD芯片153输出的光被独立地引导到各个光波导124-1～124-4的入射面124a上。在此，第2物镜155构成本发明的切换机构。此外，对与前述相同的结构和构造标注相同的参照标号。
如图66所示，也可以在滑架组件16n上装配取代光学模块141、141a的光学模块141b。在该光学模块141b上装配光学单元144b。光学单元144b具有一个LD芯片156。在LD芯片156和反射镜143之间装配有切换机构即偏振光机构157。偏振光机构157具有例如沿与支撑轴18的轴心平行的上下方向叠放的5段的第1～第5光束分离器158a～158e。各个光束分离器158a～158e规定反射面159。各个反射面159相互平行地扩展。反射面159使P偏振光透射，使S偏振光反射。并且，最下段的第1光束分离器158a的透射率被设定为约5％。最上段的第5光束分离器158e的透射率被设定为0％。在此，第4和第5光束分离器158d、158e分别对应于上侧磁盘14的背面和正面。同样，第2和第3光束分离器158b、158c分别对应于下侧磁盘14的背面和正面。
偏振光机构157具有被夹在相邻的各个光束分离器158a～158e之间的第1～第4液晶(LC)面板161a～161d。各个LC面板161a～161d能够把入射到LC面板161的P偏振光转换为S偏振光。偏振光机构157具有配置在光束分离器158a～158e和反射镜143之间的半波长板162。半波长板162例如能够把S偏振光转换为P偏振光。例如，在光波导124的芯体127最适合采用P偏振光时，可以配置半波长板162。在芯体127最适合采用S偏振光时，可以省略配置半波长板162。偏振光机构157具有配置在半波长板162和反射镜143之间的透镜组163。透镜组163具有面对各个光束分离器158a～158e的出射面的多个透镜164。透镜164使光会聚。
偏振光机构157具有配置在最下段的第1光束分离器158a的入射面和LD芯片156之间的准直透镜165。准直透镜165能够把从LD芯片156输出的光转换为平行光的P偏振光。另一方面，偏振光机构157具有面对第1光束分离器158a的出射面的光电二极管(PD)166。PD166在进行光的自动光量控制(Auto Power Control)时使用。如前面所述，在第1光束分离器158a中设定约5％的透射率，所以光被输出给PD166。根据这种光，将LD芯片156的光的输出控制为固定状态。此外，对与前述相同的结构和构造标注相同的参照标号。
现在，例如假设朝向配置于下侧磁盘14的正面侧的光波导124提供光的场景。首先，从LD芯片156输出的光通过准直透镜165被转换为平行光的P偏振光。P偏振光入射到第1光束分离器158a上。由于反射面159的透射率被设定为约5％，所以P偏振光的大部分由反射面159反射。结果，P偏振光入射到第1LC面板161a上。第1LC面板161a使P偏振光透射。P偏振光入射到第2光束分离器158b上。第2光束分离器158b的反射面159使P偏振光透射。这样，P偏振光入射到第2LC面板161b上。第2LC面板161b把P偏振光转换为S偏振光。S偏振光入射到第3光束分离器158c上。S偏振光由第3光束分离器158c的反射面159反射。结果，S偏振光通过透镜164聚焦。聚焦后的S偏振光通过反射镜143被引导到光波导124的入射面124a上。这样，从一个LD芯片156输出的光能够被独立地引导到各个光波导124的入射面124a上。
在以上所述的滑架组件16i～16n中，如图67所示，光波导124的芯体127从入射面124a朝向出射面124b沿着预定的长度划分形成细头部171。细头部171随着从基端朝向前端而缩小开口。细头部171沿芯体127的厚度方向和宽度方向逐渐缩小。在此，芯体127具有例如矩形的断面。一并参照图68，在芯体127的上端面沿厚度方向形成有多个阶梯172。借助阶梯172，使芯体127的厚度逐渐减小。另一方面，芯体127的宽度随着远离入射面124a而逐渐减小。即，芯体127的两侧面随着远离入射面124a而逐渐接近。细头部171的长度被规定为距入射面124a例如约为10μm。
在此，由入射面124a规定的细头部171的大小例如被设定为光的10个波长以上、即约5μm。这样，在入射面124a上确立多模光。另一方面，在细头部171的前端确立单模光。借助细头部171的这种作用，芯体127的开口在入射面124a上增大。结果，针对入射到芯体127的光的位置而允许的误差增大，能够比较容易地定位芯体127的位置和入射光的位置。此外，对与前述相同的结构和构造标注相同的参照标号。
在形成这种光波导124时，例如在硼硅酸盐玻璃片上形成厚度均匀的硅玻璃层。在玻璃片上，从硅玻璃层切削形成芯体127的轮廓。然后，利用抗蚀剂材料对硅玻璃层实施蚀刻。通过反复形成抗蚀剂材料和进行蚀刻而形成阶梯172。由此形成芯体127。然后，与前述相同地在玻璃片上利用BK7实施RF溅射法即可。由此形成包层126。结果，形成光波导124。
另外，如图69所示，在前述的光波导124中，在形成细头部171时，也可以在芯体127的下端面形成阶梯172。芯体127的上端面可以规定为平坦面。此外，对与前述相同的结构和构造标注相同的参照标号。在这种光波导124中，能够实现与前述相同的作用效果。在形成这种光波导124时，通过蚀刻在玻璃片的正面形成多个阶梯172。然后，在玻璃片上形成芯体127。对芯体127的上端面实施研磨处理。与前述相同地在芯体127上利用BK7实施RF溅射法即可。由此形成包层126。结果，形成光波导124。
另外，如图70所示，在前述的光波导124中，也可以在芯体127的上端面形成取代细头部171的折射率分布透镜173。折射率分布透镜173的一端在芯体127的入射面124a露出。折射率分布透镜173从芯体127的入射面124a朝向出射面124b按照预定的长度与芯体127相邻。在这种折射率分布透镜173中，折射率随着接近芯体127而增大。折射率分布透镜173的光行进方向的长度被设定为约10μm。此外，对与前述相同的结构和构造标注相同的参照标号。
在这种光波导124中，折射率分布透镜173的折射率随着接近芯体127而增大，所以入射到折射率分布透镜173的光朝向芯体127聚焦。结果，针对入射到芯体127的光的位置而允许的误差增大。能够比较容易地定位芯体127的位置和入射光的位置。
在形成这种光波导124时，通过PFCVD在芯体127上层叠硅玻璃。此时，调整硅玻璃的生长速率即可。通过调整生长速率，折射率随着硅玻璃的层叠而减小。这样，在芯体127上形成折射率分布透镜173。然后，在折射率分布透镜173上形成包层126。此外，生长速率的调整也可以分阶段地实施。并且，也可以在芯体127上层叠随着远离芯体127而减小折射率的多层层叠体。
图71简要表示本发明的第15实施方式涉及的滑架组件16p的构造。在该滑架组件16p中，LD芯片27被安装在挠性体32的支撑板34上，并且相比浮起磁头滑动器23更靠近空气流入侧。LD芯片27例如锡焊焊接在支撑板34上即可。此外，也可以在LD芯片27和支撑板34之间夹入散热片(未图示)。前述的耦合器元件36a被夹在浮起磁头滑动器23的支撑面23a和支撑板34之间。LD芯片27朝向聚光面72a提供光。此外，对与前述相同的结构和构造标注相同的参照标号。
在这种滑架组件16p中，能够实现与前述相同的作用效果。而且，LD芯片27的热量传递给挠性体32的支撑板34。另一方面，耦合器元件36a被夹在浮起磁头滑动器23和支撑板34之间。耦合器元件36a利用玻璃材料或塑料材料形成，所以能够尽量避免从支撑板34向浮起磁头滑动器23的热量传递。因此，能够防止浮起磁头滑动器23的温度上升。

Claims (29)

1.一种磁头悬浮组件，其特征在于，所述磁头悬浮组件具有：磁头悬浮器；磁头滑动器，其在介质相对面上面对存储介质，在介质相对面的背面侧的支撑面上被磁头悬浮器接住；电磁转换元件，其被埋入磁头滑动器的介质相对面中；光波导，其被装配在磁头滑动器上，从支撑面朝向介质相对面延伸；以及光学元件，其被夹在支撑面和磁头悬浮器之间，在光学元件上划分出聚光面和反射面，所述聚光面会聚与支撑面平行地入射的光，所述反射面使与支撑面平行地入射的光以预定的角度反射，并引导到光波导上。
2.根据权利要求1所述的磁头悬浮组件，其特征在于，所述电磁转换元件具有与光波导相比配置在空气流出侧的写入磁头元件。
3.根据权利要求2所述的磁头悬浮组件，其特征在于，所述光波导被埋入利用正面接住所述写入磁头元件的第1折射率的非磁性绝缘层中，并利用大于第1折射率的第2折射率的材料构成。
4.一种滑架组件，其特征在于，所述滑架组件具有：滑架臂，其由支撑轴支撑着自由旋转；一对磁头悬浮器，其安装在滑架臂的前端；磁头滑动器，其在介质相对面上面对存储介质，在介质相对面的背面侧的支撑面上被各个磁头悬浮器接住；电磁转换元件，其被埋入磁头滑动器的介质相对面中；光波导，其被装配在磁头滑动器上，从支撑面朝向介质相对面延伸；光学元件，其被夹在支撑面和磁头悬浮器之间，将从聚光面入射的光引导到光波导上；形成于滑架臂上的开口；配置在开口内的单个支撑体；以及一对光源，其支撑在支撑体上，向各个光学元件的聚光面独立地提供光。
5.根据权利要求4所述的滑架组件，其特征在于，所述电磁转换元件具有与光波导相比配置在空气流出侧的写入磁头元件。
6.根据权利要求5所述的滑架组件，其特征在于，所述光波导被埋入利用正面接住所述写入磁头元件的第1折射率的非磁性绝缘层中，并利用大于第1折射率的第2折射率的材料构成。
7.一种存储介质驱动装置，其特征在于，所述存储介质驱动装置具有：框体；滑架臂，其被装配在框体内，由支撑轴支撑着自由旋转；一对磁头悬浮器，其安装在滑架臂的前端；磁头滑动器，其在介质相对面上面对存储介质，在介质相对面的背面侧的支撑面上被各个磁头悬浮器接住；电磁转换元件，其被埋入磁头滑动器的介质相对面中；光波导，其被装配在磁头滑动器上，从支撑面朝向介质相对面延伸；光学元件，其被夹在支撑面和磁头悬浮器之间，将从聚光面入射的光引导到光波导上；形成于滑架臂上的开口；配置在开口内的单个支撑体；以及一对光源，其支撑在支撑体上，向各个光学元件的聚光面独立地提供光。
8.根据权利要求7所述的存储介质驱动装置，其特征在于，所述电磁转换元件具有与光波导相比配置在空气流出侧的写入磁头元件。
9.根据权利要求8所述的存储介质驱动装置，其特征在于，所述光波导被埋入利用正面接住所述写入磁头元件的第1折射率的非磁性绝缘层中，并利用大于第1折射率的第2折射率的材料构成。
10.一种磁头滑动器组件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：利用模具成型横向尺寸较长的成型品，在成型品上沿横向扩展的基准面的一端，沿着棱线以预定的间隔将多个聚光面横向排列成一列的步骤；在所述棱线的相反侧对成型品的棱线实施研磨处理，形成以预定的倾斜角与基准面交叉并横向延伸的反射面的步骤；在成型品的基准面上粘贴尺寸较长的晶片型材，所述尺寸较长的晶片型材被以所述预定的间隔横向一列地划分出多个磁头滑动器的步骤；以及从基准面的背面侧研磨成型品，切削出与基准面平行的面的步骤。
11.根据权利要求10所述的磁头滑动器组件的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：在粘贴所述晶片型材时，在基准面的预定位置测定通过所述聚光面并由反射面反射的光的光量的步骤；根据光量的大小相对成型品定位晶片型材的步骤。
12.一种磁头悬浮组件，其特征在于，所述磁头悬浮组件具有：磁头悬浮器；磁头滑动器，其在介质相对面上面对存储介质，在介质相对面的背面侧的支撑面上被磁头悬浮器接住；电磁转换元件，其被埋入磁头滑动器的介质相对面中；光波导，其被装配在磁头滑动器上，从支撑面朝向介质相对面延伸；以及光学元件，其被夹在支撑面和磁头悬浮器之间，在光学元件上划分出聚光面和反射面，所述聚光面会聚与支撑面平行地入射的光，所述反射面使从聚光面入射到光学元件上的光以预定的角度反射，并引导到光波导上。
13.根据权利要求12所述的磁头悬浮组件，其特征在于，所述光学元件规定有：被所述磁头滑动器的支撑面接住的第1平坦面；与第1平坦面平行地扩展的第2平坦面；包含所述聚光面，并将第1平坦面和第2平坦面连接的第1侧面；以及包含所述反射面，将第1平坦面和第2平坦面连接，面对第1侧面的第2侧面，所述第1侧面随着远离与所述第1平坦面平行地扩展的第1基准面，远离相对所述光学元件的轮廓线直立的第1虚拟壁面，所述第2侧面随着远离与所述第1平坦面平行地扩展的第2基准面，远离相对所述光学元件的轮廓线直立的第2虚拟壁面。
14.根据权利要求12所述的磁头悬浮组件，其特征在于，在所述光学元件中，在所述聚光面和所述反射面之间，所述光连接焦点。
15.根据权利要求12所述的磁头悬浮组件，其特征在于，在所述光学元件上还划分出配置于所述聚光面和所述反射面之间的第2反射面。
16.一种磁头悬浮组件，其特征在于，所述磁头悬浮组件具有：磁头悬浮器；磁头滑动器，其在介质相对面上面对存储介质，在介质相对面的背面侧的支撑面上被磁头悬浮器接住；电磁转换元件，其被埋入磁头滑动器的介质相对面中；光波导，其被装配在磁头滑动器上，从支撑面朝向介质相对面延伸；光学元件，其被夹在支撑面和磁头悬浮器之间；反射面，其是在光学元件上划分形成的，使与支撑面平行地入射的光以预定的角度反射，并引导到光波导上；以及折射率分布透镜，其使入射到光学元件上的光透射。
17.一种磁头悬浮组件，其特征在于，所述磁头悬浮组件具有：磁头悬浮器；磁头滑动器，其在介质相对面上面对存储介质，在介质相对面的背面侧的支撑面上被磁头悬浮器接住；电磁转换元件，其被埋入磁头滑动器的介质相对面中；光波导，其被装配在磁头滑动器上，从支撑面朝向介质相对面延伸；被磁头悬浮器接住的片状包层；以及芯体，其被埋入包层内并延伸到磁头滑动器的支撑面上，将光引导到磁头滑动器的光波导上。
18.根据权利要求17所述的磁头悬浮组件，其特征在于，所述芯体通过弯曲从所述磁头滑动器的空气流出端一侧向所述光波导提供光。
19.根据权利要求17所述的磁头悬浮组件，其特征在于，所述芯体划分出反射面，所述反射面使与所述支撑面平行地传播的光朝向所述光波导反射。
20.根据权利要求17所述的磁头悬浮组件，其特征在于，所述芯体划分出细头部，所述细头部从所述芯体的入射面朝向所述芯体的出射面在预定的长度内逐渐缩小开口。
21.根据权利要求17所述的磁头悬浮组件，其特征在于，所述磁头悬浮组件还具有折射率分布透镜，所述折射率分布透镜从所述芯体的入射面朝向所述芯体的出射面在预定的长度内被埋入所述包层内，并与所述芯体相邻，随着接近所述芯体而增大折射率。
22.一种磁头悬浮组件，其特征在于，所述磁头悬浮组件具有：磁头悬浮器；磁头滑动器，其在介质相对面上面对存储介质，在介质相对面的背面侧的支撑面上被磁头悬浮器接住；电磁转换元件，其被埋入磁头滑动器的介质相对面中；光波导，其被装配在磁头滑动器上，从支撑面朝向介质相对面延伸；光学元件，其被夹在支撑面和磁头悬浮器之间，将光引导到光波导上；被磁头悬浮器接住的片状包层；以及芯体，其被埋入包层内，将光引导到光学元件上。
23.根据权利要求22所述的磁头悬浮组件，其特征在于，所述芯体通过弯曲从所述磁头滑动器的空气流出端一侧向所述光学元件提供光。
24.根据权利要求22所述的磁头悬浮组件，其特征在于，所述芯体划分出细头部，所述细头部从所述芯体的入射面朝向所述芯体的出射面在预定的长度内逐渐缩小开口。
25.根据权利要求22所述的磁头悬浮组件，其特征在于，所述磁头悬浮组件还具有折射率分布透镜，所述折射率分布透镜从所述芯体的入射面朝向所述芯体的出射面在预定的长度内被埋入所述包层内，并与所述芯体相邻，随着接近所述芯体而增大折射率。
26.一种磁头悬浮组件，其特征在于，所述磁头悬浮组件具有：磁头悬浮器；被磁头悬浮器接住的挠性体；磁头滑动器，其在介质相对面上面对存储介质，在介质相对面的背面侧的支撑面上被支撑在挠性体的支撑板上；电磁转换元件，其被埋入磁头滑动器的介质相对面中；光波导，其被装配在磁头滑动器上，从支撑面朝向介质相对面延伸；光学元件，其被夹在支撑面和挠性体的支撑板之间，将光引导到光波导上；以及光源，其被挠性体的支撑板接住，向光学元件提供光。
27.一种滑架组件，其特征在于，所述滑架组件具有：滑架块，其由支撑轴支撑着自由旋转；滑架臂，其是在滑架块上划分形成的；一对磁头悬浮器，其安装在滑架臂的前端；磁头滑动器，其在介质相对面上面对存储介质，在介质相对面的背面侧的支撑面上被各个磁头悬浮器接住；电磁转换元件，其被埋入磁头滑动器的介质相对面中；光波导，其被装配在磁头滑动器上，从支撑面朝向介质相对面延伸；被磁头悬浮器接住的片状包层；芯体，其被埋入包层内，将光独立地引导到磁头滑动器的光波导上；以及光源，其被安装在滑架块上，向各个芯体的入射面提供光。
28.根据权利要求27所述的滑架组件，其特征在于，一对所述光源向一对所述芯体独立地提供光。
29.根据权利要求27所述的滑架组件，其特征在于，所述滑架组件还具有切换机构，所述切换机构配置在所述光源和所述芯体的入射面之间，向一对所述芯体的任意一方提供光。
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