JP5001394B2 - スライダに固定されたレーザダイオードを備えた熱アシスト磁気記録ヘッド - Google Patents

Description

本発明は、記録媒体に近接場光を照射して記録媒体の保磁力を低下させて情報の記録を行う熱アシスト磁気記録に用いられる熱アシスト磁気記録ヘッドに関する。

近年、磁気ディスク装置等の磁気記録装置では、高記録密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドおよび記録媒体の性能向上が要求されている。薄膜磁気ヘッドとしては、基板に対して、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッドと書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。磁気ディスク装置において、薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒体の表面からわずかに浮上するスライダに設けられる。

磁気記録装置において、記録密度を高めるためには、記録媒体の磁性微粒子を小さくすることが効果的である。しかし、磁性微粒子を小さくすると、磁性微粒子の磁化の熱安定性が低下するという問題が発生する。この問題を解消するには、磁性微粒子の異方性エネルギーを大きくすることが効果的である。しかし、磁性微粒子の異方性エネルギーを大きくすると、記録媒体の保磁力が大きくなって、既存の磁気ヘッドでは情報の記録が困難になるという問題が発生する。

上述のような問題を解決する方法として、いわゆる熱アシスト磁気記録という方法が提案されている。この方法では、保磁力の大きな記録媒体を使用し、情報の記録時には、記録媒体のうち情報が記録される部分に対して磁界と同時に熱も加えて、その部分の温度を上昇させ保磁力を低下させて情報の記録を行う。情報が記録された部分は、その後、温度が低下して保磁力が大きくなり、磁化の熱安定性が高まる。

熱アシスト磁気記録では、記録媒体に対して熱を加える方法としては、近接場光を用いる方法が一般的である。近接場光を発生させる方法としては、微小な金属片であるプラズモン・アンテナにレーザ光を照射する方法が知られている。プラズモン・アンテナは、近接場光を発生させる先鋭部である近接場光発生部を有している。プラズモン・アンテナでは、照射されたレーザ光によって表面プラズモンが励起される。この表面プラズモンは、プラズモン・アンテナの近接場光発生部に伝播され、この近接場光発生部において、表面プラズモンに基づいて、近接場光が発生される。プラズモン・アンテナより発生される近接場光は、光の回折限界よりも小さな領域にのみ存在する。この近接場光を記録媒体に照射することにより、記録媒体における微小な領域のみを加熱することができる。

一般的に、近接場光の発生に利用されるレーザ光は、スライダに設けられた導波路によって、スライダの媒体対向面の近傍に設けられたプラズモン・アンテナに導かれる。ここで、レーザ光を出射する光源の配置の方法には、大きく分けて、以下の２つの方法がある。第１の方法は、光源をスライダから離れた位置に配置する方法である。第２の方法は、光源をスライダに固定する方法である。

第１の方法は、例えば特許文献１に記載されている。第２の方法は、特許文献２や特許文献３、特許文献４に記載されている。

米国特許出願公開第２００６／０２３３０６２Ａ１号明細書 特開２００８−５９６９７号公報 米国特許出願公開第２００８／０００２２９８Ａ１号明細書 特開２００８−１６０９６号公報

第１の方法では、光源から導波路まで光を導くために、ミラー、レンズ、光ファイバの光学素子を含む、長い光の経路が必要になり、その結果、この経路における光のエネルギーの損失が大きくなるという問題が生じる。第２の方法によれば、光源から導波路まで光を導くための光の経路が短くなるため、上記の問題は生じない。

しかしながら、第２の方法では、以下のような問題が生じる。以下、第２の方法において生じる問題について詳しく説明する。第２の方法では、一般的に、光源としてレーザダイオードが用いられる。このレーザダイオードには、端面発光型レーザダイオードと面発光型レーザダイオードとがある。端面発光型レーザダイオードでは、レーザダイオードにおいて活性層の面に平行な方向の端に位置する端面にレーザ光の出射部が設けられ、この出射部から、活性層の面に平行な方向にレーザ光が出射される。面発光型レーザダイオードでは、レーザダイオードにおいて活性層の面に垂直な方向の端に位置する面にレーザ光の出射部が設けられ、この出射部から、活性層の面に垂直な方向にレーザ光が出射される。

レーザダイオードから出射されたレーザ光を導波路に入射させる方法としては、例えば特許文献２に記載されているように、出射部が導波路の入射端に対向するように端面発光型レーザダイオードを配置して、出射部より出射されたレーザ光を、光学素子を介さずに導波路の入射端に入射させる方法がある。この方法では、導波路の入射端が配置されたスライダの端面に対してレーザダイオードの長手方向すなわち出射部より出射されるレーザ光の光軸方向が垂直になるように、レーザダイオードが配置される。この場合、導波路の光軸に対して出射部より出射されるレーザ光の光軸が傾かないように、レーザダイオードを精度よく配置する必要がある。導波路の光軸に対して出射部より出射されるレーザ光の光軸が傾いた場合には、十分な強度のレーザ光がプラズモン・アンテナまで伝達されないことが起こり得る。しかし、導波路の入射端が配置されたスライダの端面に対してレーザダイオードの長手方向が垂直になるようにレーザダイオードを配置する場合には、導波路の入射端が配置されたスライダの端面に垂直な方向に対してレーザダイオードの長手方向が傾きやすく、導波路に対するレーザ光の位置合わせが難しいという問題点がある。

特許文献４には、スライダの媒体対向面とは反対側の背面に、端面発光型レーザダイオードが取り付けられたユニット基板と、レーザダイオードから出射されたレーザ光を導波路の入射端に導く伝播層とを配置したヘッドが記載されている。このヘッドにおいて、レーザダイオードは、背面に平行な方向にレーザ光を出射する。伝播層は、レーザダイオードから出射されたレーザ光の進行方向を変更する全反射面を有している。このヘッドでは、レーザダイオードにおけるレーザ光の出射部から全反射面までの距離、および全反射面から導波路の入射端までの距離が、いずれも比較的長い。そのため、導波路の入射端の位置におけるレーザ光の径が大きくなりすぎて、レーザ光の一部が導波路に入射しなくなって導波路を伝播するレーザ光の光量が少なくなるおそれがある。

また、レーザダイオードから出射されたレーザ光を導波路に入射させる他の方法としては、例えば特許文献３に記載されているように、出射部がスライダのトレーリング側の面に対向するように面発光型レーザダイオードを配置して、出射部より出射されたレーザ光を、導波路の上方から導波路に入射させる方法がある。この方法では、導波路に対するレーザ光の位置合わせが容易になる。しかし、一般的に、端面発光型レーザダイオードに比べて面発光型レーザダイオードの光出力は小さい。そのため、この方法では、近接場光の発生に利用されるレーザ光の強度を十分に大きくすることが難しいという問題点がある。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、近接場光の発生に利用される光を出射する光源として端面発光型のレーザダイオードを用いながら、導波路に対するレーザ光の位置合わせを容易に行うことができ、且つレーザダイオードにおけるレーザ光の出射部から導波路までのレーザ光の経路を短くすることができるようにした熱アシスト磁気記録ヘッド、ならびに、この熱アシスト磁気記録ヘッドに用いられるレーザアセンブリおよびその製造方法を提供することにある。

本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドは、スライダと、スライダに固定された端面発光型のレーザダイオードと、スライダの外部に設けられた外部ミラーとを備えている。

スライダは、
記録媒体に対向する媒体対向面と、
媒体対向面に配置された端面を有し、情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極と、
光を伝播させる導波路と、
媒体対向面に配置された近接場光発生部を有し、導波路を伝播する光に基づいて表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンが近接場光発生部に伝播され、この表面プラズモンに基づいて近接場光発生部より近接場光を発生する近接場光発生素子と、
磁極、近接場光発生素子および導波路が積層された基板とを備えている。

レーザダイオードは、活性層と、活性層の面に平行な方向の端に位置し、レーザ光の出射部を含む出射端面と、活性層の面に垂直な方向の端に位置し、スライダに向いた取付面とを有している。

外部ミラーは、出射端面に平行であって出射端面に向いた第１の基準面と、取付面に平行であって取付面と同じ方向に向いた第２の基準面と、第１の基準面と第２の基準面の各々に対して傾斜して第１の基準面と第２の基準面とを連結し、出射部より出射されたレーザ光を導波路に向けて反射する反射面とを有している。

本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、第１の基準面は出射端面に接していてもよい。また、第２の基準面はスライダに接していてもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、反射面は、第１の基準面と第２の基準面の各々に対して４５°の角度をなしていてもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、スライダは、媒体対向面とは反対側の背面を備え、導波路は、背面に配置され外部ミラーで反射されたレーザ光が入射する入射端面を有し、レーザダイオードは、取付面が背面に向くように配置されていてもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、基板は、磁極、近接場光発生素子および導波路に向いた上面を有し、スライダは、基板の上面の上方の端に位置する上面を有し、レーザダイオードは、取付面がスライダの上面に向くように配置されていてもよい。この場合、スライダは、更に、外部ミラーで反射されたレーザ光を、導波路内を媒体対向面に向けて進行するように反射する内部ミラーを備えていてもよい。レーザダイオード、外部ミラー、内部ミラーおよび導波路は、スライダの上面の上方から見たときに、出射部より出射されたレーザ光の進行方向と内部ミラーで反射された後のレーザ光の進行方向が直交するように配置されていてもよい。あるいは、レーザダイオード、外部ミラー、内部ミラーおよび導波路は、出射部より出射されたレーザ光の進行方向と内部ミラーで反射された後のレーザ光の進行方向が平行になるように配置されていてもよい。また、導波路は、スライダの上面に配置され外部ミラーで反射されたレーザ光が入射する入射端面を有していてもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、レーザダイオードは、取付面とは反対側の背面を有し、取付面と出射部との間の距離は、レーザダイオードの背面と出射部との間の距離よりも小さくてもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、近接場光発生素子は、前記媒体対向面に配置された第１の端面と、前記媒体対向面からより遠い第２の端面と、第１の端面と第２の端面を連結する連結部とを含む外面を有し、第１の端面は前記近接場光発生部を含んでいてもよい。この場合、媒体対向面に垂直な方向についての近接場光発生素子の長さは、基板の上面に垂直な方向についての第１の端面の長さよりも大きく、導波路は、連結部の一部に対向する対向部分を含む外面を有していてもよい。また、この場合、スライダは、更に、導波路の屈折率よりも小さい屈折率を有し、対向部分と近接場光発生素子との間に介在する介在層を備えていてもよい。

また、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドにおいて、外部ミラーは、第１および第２の基準面と、第１の基準面と第２の基準面の各々に対して傾斜して第１の基準面と第２の基準面とを連結する傾斜面とを有するブロックと、傾斜面に付着し反射面を構成する金属膜とを有していてもよい。

本発明のレーザアセンブリは、前記のスライダと共に熱アシスト磁気記録ヘッドを構成するものである。本発明のレーザアセンブリは、スライダに固定される端面発光型のレーザダイオードと、スライダの外部に設けられる外部ミラーとを備えている。レーザダイオードは、活性層と、活性層の面に平行な方向の端に位置し、レーザ光の出射部を含む出射端面と、活性層の面に垂直な方向の端に位置し、スライダに向けられる取付面とを有している。外部ミラーは、出射端面に平行であって出射端面に向いた第１の基準面と、取付面に平行であって取付面と同じ方向に向いた第２の基準面と、第１の基準面と第２の基準面の各々に対して傾斜して第１の基準面と第２の基準面とを連結し、出射部より出射されたレーザ光を導波路に向けて反射する反射面とを有している。第１の基準面は出射端面に接合されている。

本発明のレーザアセンブリにおいて、反射面は、第１の基準面と第２の基準面の各々に対して４５°の角度をなしていてもよい。

また、本発明のレーザアセンブリにおいて、レーザダイオードは、取付面とは反対側の背面を有し、取付面と出射部との間の距離は、背面と出射部との間の距離よりも小さくてもよい。

また、本発明のレーザアセンブリにおいて、外部ミラーは、第１および第２の基準面と、第１の基準面と第２の基準面の各々に対して傾斜して第１の基準面と第２の基準面とを連結する傾斜面とを有するブロックと、傾斜面に付着し反射面を構成する金属膜とを有していてもよい。

本発明のレーザアセンブリの製造方法は、外部ミラーを作製する工程と、外部ミラーの第１の基準面を、レーザダイオードの出射端面に接合する工程とを備えている。

外部ミラーを作製する工程は、
後に第１の基準面となる部分を含む第１の初期基準面と、後に第２の基準面となる部分を含み、第１の初期基準面に直交する第２の初期基準面と、第１の初期基準面と第２の初期基準面との間に形成された角部とを有する初期ブロックを作製する工程と、
初期ブロックの角部を研磨して、第１および第２の基準面と、第１の基準面と第２の基準面の各々に対して傾斜して第１の基準面と第２の基準面とを連結する傾斜面とを有するブロックを作製する工程と、
傾斜面に、反射面を構成する金属膜を付着させる工程とを有している。

本発明のレーザアセンブリの製造方法において、反射面は、第１の基準面と第２の基準面の各々に対して４５°の角度をなしていてもよい。

また、本発明のレーザアセンブリの製造方法において、レーザダイオードは、取付面とは反対側の背面を有し、取付面と出射部との間の距離は、背面と出射部との間の距離よりも小さくてもよい。

また、本発明のレーザアセンブリの製造方法において、初期ブロックは、直方体形状を有していてもよい。

なお、本出願において、レーザ光の進行方向とは、レーザビームの中心の進行方向を指す。また、本出願では、熱アシスト磁気記録ヘッドにおける基板以外の構成要素に関して、基板の上面により近い面を「下面」と定義し、基板の上面からより遠い面を「上面」と定義する。

本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドでは、端面発光型のレーザダイオードは、活性層の面に垂直な方向の端に位置する取付面がスライダに向くように配置されて、スライダに固定される。これにより、本発明によれば、レーザダイオードの出射部より出射されるレーザ光の光軸が所望の方向に対して傾かないように、スライダに対してレーザダイオードを位置合わせすることが可能になる。また、本発明では、出射部より出射されたレーザ光は、外部ミラーで反射されて導波路に向けられる。外部ミラーは、出射端面に平行であって出射端面に向いた第１の基準面と、取付面に平行であって取付面と同じ方向に向いた第２の基準面とを有している。本発明によれば、第１の基準面と第２の基準面の少なくとも一方を用いて、反射面で反射されたレーザ光の光軸が所望の方向に対して傾かないように、スライダおよびレーザダイオードに対して外部ミラーを位置合わせすることが可能である。また、本発明では、外部ミラーの反射面は、出射端面に向いた第１の基準面と、取付面と同じ方向に向いた第２の基準面とを連結している。そのため、本発明によれば、出射部から反射面までの距離と、反射面からスライダまでの距離を、共に短くすることができる。以上のことから、本発明によれば、近接場光の発生に利用される光を出射する光源として端面発光型のレーザダイオードを用いながら、導波路に対するレーザ光の位置合わせを容易に行うことが可能になり、且つ出射部から導波路までのレーザ光の経路を短くすることが可能になるという効果を奏する。

本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの斜視図である。 図１におけるＡ方向から見た熱アシスト磁気記録ヘッドを示す側面図である。 図１におけるレーザダイオードおよび外部ミラーを示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態におけるスライダの構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態におけるスライダの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドにおける近接場光発生素子の近傍を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 図８に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図９に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１０に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１１に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１２に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１３に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１４に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１５に示した工程に続く工程を示す説明図である。 本発明の第１の実施の形態における外部ミラーの作製方法における一工程を示す斜視図である。 図１７に示した工程に続く工程を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態の変形例における導波路の一部と近接場光発生素子を示す平面図である。 図１９に示した近接場光発生素子の斜視図である。 本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの斜視図である。 図２１に示した熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。 本発明の第２の実施の形態におけるスライダの構成を示す断面図である。 本発明の第２の実施の形態におけるスライダの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドにおける近接場光発生素子の近傍を示す斜視図である。 本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 図２６に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図２７に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図２８に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図２９に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３０に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３１に示した工程に続く工程を示す説明図である。 本発明の第３の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの斜視図である。 図３３に示した熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。 本発明の第４の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドを示す断面図である。 本発明の第５の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１および図２を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドと磁気ディスク装置について説明する。図１は、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの斜視図である。図２は、図１におけるＡ方向から見た熱アシスト磁気記録ヘッドを示す側面図である。

本実施の形態における磁気ディスク装置は、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド２００を備えている。この熱アシスト磁気記録ヘッド２００は、図示しないサスペンションによって支持されて、回転駆動される円盤状の記録媒体（磁気ディスク）に対向するように配置される。図１および図２において、Ｘ方向は記録媒体のトラック横断方向であり、Ｙ方向は記録媒体の表面に垂直な方向であり、Ｚ方向は熱アシスト磁気記録ヘッド２００から見た記録媒体の進行方向である。Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向は互いに直交している。

熱アシスト磁気記録ヘッド２００は、スライダ２０１と、このスライダ２０１に固定された端面発光型のレーザダイオード２０２と、スライダ２０１の外部に設けられた外部ミラー２０３とを備えている。スライダ２０１は、ほぼ六面体形状をなし、記録媒体に対向する媒体対向面２０１ａと、その反対側の背面２０１ｂと、媒体対向面２０１ａと背面２０１ｂとを連結する４つの面とを有している。レーザダイオード２０２は、背面２０１ｂに固定されている。媒体対向面２０１ａと背面２０１ｂとを連結する４つの面のうちの１つは、上面２０１ｃである。スライダ２０１は、上面２０１ｃに設けられた複数の端子２１０を備えている。本実施の形態では、外部ミラー２０３はレーザダイオード２０２に固定されている。

記録媒体が回転してＺ方向に進行すると、記録媒体とスライダ２０１との間を通過する空気流によって、スライダ２０１に、図１におけるＹ方向に揚力が生じる。スライダ２０１は、この揚力によって記録媒体の表面から浮上するようになっている。

次に、図５ないし図７を参照して、スライダ２０１の構成について詳しく説明する。図５は、スライダ２０１の構成を示す断面図である。図６は、スライダ２０１の媒体対向面２０１ａを示す正面図である。図７は、熱アシスト磁気記録ヘッド２００における近接場光発生素子の近傍を示す斜視図である。図５ないし図７には、図１に示したＸ，Ｙ，Ｚの各方向も示している。図５において、Ｘ方向はＹ方向およびＺ方向に直交する方向であり、図６において、Ｙ方向はＸ方向およびＺ方向に直交する方向である。

図５および図６に示したように、スライダ２０１は、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなり、上面１ａを有する基板１と、この基板１の上面１ａ上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層２と、この絶縁層２の上に配置された磁性材料よりなる下部シールド層３と、絶縁層２の上において下部シールド層３の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層３１とを備えている。絶縁層２，３１は、例えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）によって形成されている。下部シールド層３および絶縁層３１の上面は平坦化されている。

スライダ２０１は、更に、下部シールド層３および絶縁層３１の上面の上に配置された絶縁膜である下部シールドギャップ膜４と、この下部シールドギャップ膜４の上に配置された再生素子としてのＭＲ（磁気抵抗効果）素子５と、このＭＲ素子５の上に配置された絶縁膜である上部シールドギャップ膜６と、この上部シールドギャップ膜６の上に配置された磁性材料よりなる上部シールド層７と、上部シールドギャップ膜６の上において上部シールド層７の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層３２とを備えている。絶縁層３２は、例えばアルミナによって形成されている。上部シールド層７および絶縁層３２の上面は平坦化されている。

ＭＲ素子５の一端部は、媒体対向面２０１ａに配置されている。ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。ＧＭＲ素子としては、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ平行な方向に流すＣＩＰ（Current In Plane）タイプでもよいし、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ垂直な方向に流すＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）タイプでもよい。下部シールド層３から上部シールド層７までの部分は、再生ヘッドを構成する。

スライダ２０１は、更に、非磁性材料よりなり、上部シールド層７および絶縁層３２の上面の上に配置された非磁性層８と、非磁性層８の上に配置された磁性材料よりなるリターン磁極層１０と、非磁性層８の上においてリターン磁極層１０の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層３３とを備えている。非磁性層８と絶縁層３３は、例えばアルミナによって形成されている。リターン磁極層１０および絶縁層３３の上面は平坦化されている。

スライダ２０１は、更に、リターン磁極層１０および絶縁層３３の上面の一部の上に配置された絶縁層１１と、この絶縁層１１の上に配置されたコイル１２と、リターン磁極層１０の上に配置された連結層１３とを備えている。リターン磁極層１０と連結層１３は、いずれも磁性材料によって形成されている。これらの材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。絶縁層１１は、例えばアルミナによって形成されている。コイル１２は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。コイル１２は、平面渦巻き形状をなし、連結層１３を中心として巻回されている。また、コイル１２は、銅等の導電材料によって形成されている。

スライダ２０１は、更に、コイル１２の巻線間および周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層１４と、絶縁層１１の上において絶縁層１４および連結層１３の周囲に配置された絶縁層１５と、コイル１２および絶縁層１４，１５の上に配置された絶縁層１６とを備えている。コイル１２、連結層１３および絶縁層１４，１５の上面は平坦化されている。絶縁層１４は、例えばフォトレジストによって形成されている。絶縁層１５，１６は、例えばアルミナによって形成されている。

スライダ２０１は、更に、連結層１３および絶縁層１６の上に配置された磁性材料よりなる下部ヨーク層１７と、絶縁層１６の上において下部ヨーク層１７の周囲に配置された非磁性材料よりなる非磁性層１８とを備えている。下部ヨーク層１７の材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。非磁性層１８は、例えばアルミナによって形成されている。下部ヨーク層１７は、媒体対向面２０１ａにより近い端面を有し、この端面は媒体対向面２０１ａから離れた位置に配置されている。下部ヨーク層１７および非磁性層１８の上面は平坦化されている。

スライダ２０１は、更に、磁極２０を備えている。磁極２０は、第１層２０Ａと第２層２０Ｂとを有している。第１層２０Ａは、下部ヨーク層１７および非磁性層１８の上に配置されている。また、第１層２０Ａは、媒体対向面２０１ａに配置された端面を有している。この端面の形状は、例えば矩形である。

第２層２０Ｂは、媒体対向面２０１ａの近傍において、第１層２０Ａの上に配置されている。第２層２０Ｂは、媒体対向面２０１ａに配置された前端面と、その反対側の後端面とを有している。第２層２０Ｂの前端面の形状は、例えば矩形である。

磁極２０は、コイル１２によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。記録媒体に記録されるビットパターンの端部の位置は、第２層２０Ｂの前端面における上端部すなわち基板１の上面１ａからより遠い端部の位置によって決まる。また、第２層２０Ｂの前端面における上端部の幅がトラック幅を規定する。

媒体対向面２０１ａに配置された第１層２０Ａの端面の幅は、第２層２０Ｂの前端面の幅と等しくてもよいし、第２層２０Ｂの前端面の幅よりも大きくてもよい。

また、図５に示したように、第２層２０Ｂは、前端面を有する第１の部分と、この第１の部分よりも媒体対向面２０１ａから遠い位置に配置され、第１の部分よりも小さな厚みを有する第２の部分とを有している。第１の部分は、媒体対向面２０１ａからの距離に応じて変化しない厚みを有している。第１の部分における上面は、第２の部分における上面よりも基板１の上面１ａから遠い位置に配置されている。そのため、第２層２０Ｂの上面は屈曲している。

第１層２０Ａおよび第２層２０Ｂは、金属磁性材料によって形成されている。第１層２０Ａおよび第２層２０Ｂの材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。

スライダ２０１は、更に、非磁性層１８の上において第１層２０Ａの周囲に配置された非磁性材料よりなる非磁性層２１を備えている。非磁性層２１は、例えばアルミナによって形成されている。第１層２０Ａおよび非磁性層２１の上面は平坦化されている。

スライダ２０１は、更に、第１層２０Ａおよび非磁性層２１の上面の上に配置されたクラッド層２２と、このクラッド層２２の上に配置された導波路２６およびクラッド層２８とを備えている。クラッド層２２は、第２層２０Ｂの周囲における第１層２０Ａおよび非磁性層２１の上面、ならびに第２層２０Ｂの後端面および上面の一部（第２の部分の上面）を覆うように配置されている。クラッド層２８は、導波路２６の周囲に配置されている。導波路２６は、後述するレーザ光を通過させる誘電体材料によって形成されている。クラッド層２２，２８は、導波路２６の屈折率よりも小さい屈折率を有する誘電体材料によって形成されている。導波路２６の材料としては、例えば、屈折率が約２．１のＴａ_２Ｏ_５が用いられ、クラッド層２２，２８の材料としては、例えば、屈折率が約１．８のアルミナが用いられる。第２層２０Ｂの第１の部分、導波路２６およびクラッド層２２，２８の上面は平坦化されている。導波路２６の形状については、後で詳しく説明する。

スライダ２０１は、更に、第２層２０Ｂの第１の部分、導波路２６およびクラッド層２２，２８の上面の上に配置された介在層２５を備えている。介在層２５は、導波路２６の屈折率よりも小さい屈折率を有し、レーザ光を通過させる誘電体材料によって形成されている。介在層２５の材料としては、例えば、屈折率が約１．８のアルミナが用いられる。介在層２５の厚みは、例えば、３０〜７０ｎｍの範囲内である。

スライダ２０１は、更に、介在層２５の上に配置された近接場光発生素子２３と、介在層２５の上において近接場光発生素子２３の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層２４と、近接場光発生素子２３および絶縁層２４の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層２９とを備えている。近接場光発生素子２３および絶縁層２４の上面は平坦化されている。近接場光発生素子２３は、金属によって形成されている。具体的には、近接場光発生素子２３は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒのいずれか、またはこれらのうちの複数の元素よりなる合金によって形成されている。絶縁層２４，２９は、例えばアルミナによって形成されている。絶縁層２９の上面は、スライダ２０１の上面２０１ｃを構成している。スライダ２０１において、基板１は、磁極２０、近接場光発生素子２３および導波路２６に向いた上面１ａを有し、スライダ２０１の上面２０１ｃは、基板１の上面１ａの上方の端に位置している。

図７に示したように、近接場光発生素子２３は、媒体対向面２０１ａに配置された近接場光発生部２３ｇを有している。また、近接場光発生素子２３は、以下のような外面を有する三角柱形状をなしている。近接場光発生素子２３の外面は、媒体対向面２０１ａに配置された第１の端面２３ａと、媒体対向面２０１ａからより遠い第２の端面２３ｂと、第１の端面２３ａと第２の端面２３ｂを連結する連結部とを含んでいる。連結部は、基板１の上面１ａからより遠い上面２３ｃと、基板１の上面１ａに近づくに従って互いの距離が小さくなる２つの側面２３ｄ，２３ｅと、２つの側面２３ｄ，２３ｅを接続するエッジ部２３ｆとを含んでいる。第１の端面２３ａの形状は、頂点が下を向いた二等辺三角形である。第１の端面２３ａは、近接場光発生部２３ｇを含んでいる。近接場光発生部２３ｇは、具体的には、端面２３ａにおけるエッジ部２３ｆの端部およびその近傍の部分である。

ここで、図７に示したように、媒体対向面２０１ａに垂直な方向についての近接場光発生素子２３の長さを記号Ｈ_PAで表し、第１の端面２３ａの上端部の幅を記号Ｗ_PAで表し、基板１の上面１ａに垂直な方向についての第１の端面２３ａの長さを記号Ｔ_PAで表す。媒体対向面２０１ａに垂直な方向についての近接場光発生素子２３の長さＨ_PAは、基板１の上面１ａに垂直な方向についての第１の端面２３ａの長さＴ_PAよりも大きい。Ｗ_PAとＴ_PAは共に、導波路２６を伝播する光の波長以下である。Ｗ_PAは例えば５０〜１５０ｎｍの範囲内である。Ｔ_PAは例えば５０〜１５０ｎｍの範囲内である。Ｈ_PAは例えば０．２５〜２．５μｍの範囲内である。

次に、図１および図４を参照して、導波路２６の形状について詳しく説明する。図４は、熱アシスト磁気記録ヘッド２００の要部を示す斜視図である。図１および図４に示したように、導波路２６は、媒体対向面２０１ａに垂直な方向（Ｙ方向）に延びている。また、導波路２６は、外面を有している。この外面は、媒体対向面２０１ａにより近い前端面２６ａと、背面２０１ｂに配置された入射端面２６ｂと、基板１の上面１ａからより遠い上面２６ｃと、基板１の上面１ａにより近い下面２６ｄと、トラック幅方向の両側に位置する２つの側面２６ｅ，２６ｆとを有している。前端面２６ａは、クラッド層２２を介して第２層２０Ｂの後端面に対向している。

図７に示したように、導波路２６の外面は、近接場光発生素子２３の外面のうちの連結部の一部に対向する対向部分２６ｇを含んでいる。本実施の形態では、特に、対向部分２６ｇは、導波路２６の上面２６ｃのうち、介在層２５を介して、近接場光発生素子２３のエッジ部２３ｆの一部およびその近傍部分に対向する部分である。前述の媒体対向面２０１ａに垂直な方向についての近接場光発生素子２３の長さＨ_PAが、基板１の上面１ａに垂直な方向についての第１の端面２３ａの長さＴ_PAよりも大きいという要件は、導波路２６の上面２６ｃの一部である対向部分２６ｇが、介在層２５を介して、近接場光発生素子２３のエッジ部２３ｆの一部およびその近傍部分に対向するために必要な要件である。

次に、図３を参照して、レーザダイオード２０２と外部ミラー２０３について説明する。図３は、レーザダイオード２０２および外部ミラー２０３を示す斜視図である。まず、レーザダイオード２０２について詳しく説明する。図３に示したように、レーザダイオード２０２は、互いに反対側を向いた２つの面を有するｎ基板２１１と、ｎ基板２１１の一方の面に接合されたｎ電極２１３と、ｎ基板２１１の他方の面に集積されたレーザ構造部２１２と、ｎ基板２１１との間でレーザ構造部２１２を挟む位置に配置されてレーザ構造部２１２に接合されたｐ電極２１４とを備えている。レーザ構造部２１２は、少なくとも、ｎクラッド層２２１、活性層２２２およびｐクラッド層２２３を含んでいる。ｎクラッド層２２１は、ｎ基板２１１と活性層２２２の間に配置されている。ｐクラッド層２２３は、ｐ電極２１４と活性層２２２の間に配置されている。活性層２２２は、ｎクラッド層２２１に向いた面と、ｐクラッド層２２３に向いた面とを有している。

また、レーザダイオード２０２は、活性層２２２の面に垂直な方向の端に位置する取付面２０２ａと、取付面２０２ａとは反対側の背面２０２ｂと、この取付面２０２ａと背面２０２ｂとを連結する４つの面とを有する直方体形状をなしている。取付面２０２ａと背面２０２ｂは、活性層２２２の面に平行である。取付面２０２ａは、ｐ電極２１４の表面によって形成されている。背面２０２ｂは、ｎ電極２１３の表面によって形成されている。取付面２０２ａと背面２０２ｂとを連結する４つの面のうちの１つは、活性層２２２の面に平行な方向の端に位置する出射端面２０２ｃである。出射端面２０２ｃは、活性層２２２の端に位置するレーザ光の出射部２２２ａを含んでいる。取付面２０２ａおよび背面２０２ｂは、出射端面２０２ｃよりも面積が大きい。

図３に示したように、本実施の形態では、レーザダイオード２０２の取付面２０２ａと出射部２２２ａとの間の距離Ｄ１は、レーザダイオード２０２の背面２０２ｂと出射部２２２ａとの間の距離Ｄ２よりも小さい。Ｄ１は、６〜８μｍ程度である。Ｄ２は５０μｍ程度である。一般的に、ｎ電極２１３が接合されるｎ基板２１１の面は研磨されるため、ｎ基板２１１の厚みにはばらつきが生じ、その結果、Ｄ２にもばらつきが生じる。Ｄ１のばらつきは、Ｄ２のばらつきに比べて小さい。

図５に示したように、熱アシスト磁気記録ヘッド２００は、更に、スライダ２０１の背面２０１ｂのうち基板１の表面によって形成された部分を覆う絶縁層２０５と、この絶縁層２０５の上に配置された導体層２０６とを備えている。絶縁層２０５は、例えばアルミナによって形成されている。導体層２０６は、Ｃｕ，Ａｕ等の金属によって形成されている。なお、図１および図２では、絶縁層２０５の図示を省略している。基板１が十分な絶縁性を有している場合には、絶縁層２０５は設けなくてもよい。

図１および図２に示したように、レーザダイオード２０２は、取付面２０２ａがスライダ２０１の背面２０１ｂに向き、出射端面２０２ｃがＺ方向に向いた姿勢で、ｐ電極２１４（図３参照）が導体層２０６に接合されることによって、スライダ２０１に固定されている。

図１に示したように、熱アシスト磁気記録ヘッド２００は、更に、導体層２０６と１つの端子２１０とを電気的に接続するボンディングワイヤ２０７と、ｎ電極２１３と他の１つの端子２１０とを電気的に接続するボンディングワイヤ２０８とを備えている。ｐ電極２１４は、導体層２０６およびボンディングワイヤ２０７を介して１つの端子２１０に電気的に接続されている。

次に、外部ミラー２０３について詳しく説明する。図３に示したように、外部ミラー２０３は、五角柱形状を有している。すなわち、外部ミラー２０３は、互いに反対側を向いた２つの端面２０３ａ，２０３ｂと、この２つの端面２０３ａ，２０３ｂを連結する５つの面とを有している。５つの面は、第１の基準面２０３ｃ、第２の基準面２０３ｄ、反射面２０３ｅ、面２０３ｆおよび面２０３ｇである。第１の基準面２０３ｃは、レーザダイオード２０２の出射端面２０２ｃに平行であって出射端面２０２ｃに向いている。第２の基準面２０３ｄは、レーザダイオード２０２の取付面２０２ａに平行であって取付面２０２ａと同じ方向に向いている。反射面２０３ｅは、第１の基準面２０３ｃと第２の基準面２０３ｄの各々に対して傾斜して第１の基準面２０３ｃと第２の基準面２０３ｄとを連結している。面２０３ｆは、第１の基準面２０３ｃとは反対側に位置し、第１の基準面２０３ｃに平行である。面２０３ｇは、第２の基準面２０３ｄとは反対側に位置し、第２の基準面２０３ｄに平行である。面２０３ｆ，２０３ｇは直交し、面２０３ｃ，２０３ｇは直交し、面２０３ｄ，２０３ｆは直交している。反射面２０３ｅは、第１の基準面２０３ｃと第２の基準面２０３ｄの各々に対して４５°の角度をなしている。

ここで、図３に示したように、第２の基準面２０３ｄに垂直な方向（Ｙ方向）についての反射面２０３ｅの両端間の距離（高低差）を符号Ｈｍで表す。距離Ｈｍは、例えば５．０〜９．０μｍの範囲内である。

また、外部ミラー２０３は、五角柱形状のブロック２３１を有している。このブロック２３１は、端面２０３ａ，２０３ｂ、第１の基準面２０３ｃ、第２の基準面２０３ｄ、面２０３ｆ，面２０３ｇおよび傾斜面２３１ｅを有している。傾斜面２３１ｅは、第１の基準面２０３ｃと第２の基準面２０３ｄの各々に対して傾斜して第１の基準面２０３ｃと第２の基準面２０３ｄとを連結している。傾斜面２３１ｅは、第１の基準面２０３ｃと第２の基準面２０３ｄの各々に対して４５°の角度をなしている。外部ミラー２０３は、更に、傾斜面２３１ｅに付着し反射面２０３ｅを構成する金属膜２３２を有している。

ブロック２３１を構成する材料は、ガラス、樹脂等の絶縁材料でもよいし、シリコン等の半導体材料でもよいし、金属材料でもよい。金属膜２３２は、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｌ等の金属によって形成されている。金属膜２３２の厚みは、５０〜２００ｎｍ程度である。

第１の基準面２０３ｃは、レーザダイオード２０２の出射端面２０２ｃに接している。本実施の形態では、特に、外部ミラー２０３は、第１の基準面２０３ｃが出射端面２０２ｃに接合されることによって、レーザダイオード２０２に固定されている。反射面２０３ｅは、出射部２２２ａの前方に配置されている。第２の基準面２０３ｄは、スライダ２０１の背面２０１ｂに接していてもよいし、接していなくてもよい。

レーザダイオード２０２と外部ミラー２０３は、本実施の形態に係るレーザアセンブリ２０４を構成する。レーザアセンブリ２０４は、スライダ２０１と共に熱アシスト磁気記録ヘッド２００を構成する。また、スライダ２０１におけるリターン磁極層１０から絶縁層２９までの部分およびレーザアセンブリ２０４は、記録ヘッドを構成する。

次に、図１ないし図５を参照して、レーザダイオード２０２の出射部２２２ａより出射されたレーザ光の経路について説明する。レーザダイオード２０２の出射部２２２ａより出射されたレーザ光は、外部ミラー２０３の反射面２０３ｅで反射されて、入射端面２６ｂから導波路２６内に入射して、導波路２６内を媒体対向面２０１ａ（前端面２６ａ）に向けて進行する。

図１および図４には、導波路２６の形状の一例を示している。この例における導波路２６では、２つの側面２６ｅ，２６ｆにおける前端面２６ａの近傍の部分は、上方から見た形状が放物線形状の反射面になっている。この反射面は、導波路２６によって伝播される光を、前端面２６ａの近傍に集光する機能を有している。

ここで、図４を参照して、本実施の形態におけるレーザ光の偏光方向について説明する。本実施の形態では、レーザダイオード２０２は、出射部２２２ａから、電界の振動方向が活性層２２２の面に垂直な直線偏光すなわちＴＭモードのレーザ光を出射する。出射部２２２ａより出射されたレーザ光における電界の振動方向は、ＹＺ平面に平行である。出射部２２２ａより出射されたレーザ光は、外部ミラー２０３の反射面２０３ｅで反射されて、入射端面２６ｂから導波路２６内に入射する。このときのレーザ光における電界の振動方向は、ＹＺ平面に平行である。このレーザ光は、導波路２６内を伝播して、上面２６ｃの一部である対向部分２６ｇに至る。このレーザ光における電界の振動方向は、上面２６ｃ（対向部分２６ｇ）に対して垂直である。これにより、近接場光発生素子２３において大きな強度の表面プラズモンを発生させることができる。

以上説明したように、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド２００は、スライダ２０１と、このスライダ２０１に固定された端面発光型のレーザダイオード２０２と、スライダ２０１の外部に設けられた外部ミラー２０３とを備えている。スライダ２０１は、記録媒体に対向する媒体対向面２０１ａと、再生ヘッドと、記録ヘッドのうちのレーザダイオード２０２および外部ミラー２０３を除いた部分（以下、記録ヘッドのスライダ内部分という。）を備えている。再生ヘッドと、記録ヘッドのスライダ内部分は、基板１の上に積層されている。記録ヘッドのスライダ内部分は、再生ヘッドに対して、記録媒体の進行方向（Ｚ方向）の前側（トレーリング側）に配置されている。

再生ヘッドは、再生素子としてのＭＲ素子５と、媒体対向面２０１ａ側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置された、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層７と、ＭＲ素子５と下部シールド層３との間に配置された下部シールドギャップ膜４と、ＭＲ素子５と上部シールド層７との間に配置された上部シールドギャップ膜６とを備えている。

記録ヘッドのスライダ内部分は、リターン磁極層１０と、コイル１２と、連結層１３と、下部ヨーク層１７と、磁極２０とを備えている。コイル１２は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。リターン磁極層１０、連結層１３、下部ヨーク層１７および磁極２０は、コイル１２が発生する磁界に対応した磁束を通過させる磁路を形成する。磁極２０は、第１層２０Ａと第２層２０Ｂとを有している。磁極２０は、コイル１２によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。記録媒体に記録されるビットパターンの端部の位置は、媒体対向面２０１ａに配置された第２層２０Ｂの前端面における上端部すなわち基板１の上面１ａからより遠い端部の位置によって決まる。また、媒体対向面２０１ａに配置された第２層２０Ｂの前端面における上端部の幅がトラック幅を規定する。リターン磁極層１０、連結層１３および下部ヨーク層１７は、磁極２０より発生されて、記録媒体を磁化した磁束を、磁極２０に還流させる機能を有する。

記録ヘッドのスライダ内部分は、更に、近接場光発生素子２３と、介在層２５と、導波路２６と、クラッド層２２，２８とを備えている。基板１は、磁極２０、近接場光発生素子２３および導波路２６に向いた上面１ａを有している。導波路２６は、第１層２０Ａに対して基板１の上面１ａからより遠い位置に配置されている。導波路２６の前端面２６ａは、第２層２０Ｂの後端面に対向している。近接場光発生素子２３は、第２層２０Ｂに対して基板１の上面１ａからより遠い位置に配置されている。

近接場光発生素子２３の外面は、媒体対向面２０１ａに配置された第１の端面２３ａと、媒体対向面２０１ａからより遠い第２の端面２３ｂと、第１の端面２３ａと第２の端面２３ｂを連結する連結部とを含んでいる。連結部は、基板１の上面１ａからより遠い上面２３ｃと、基板１の上面１ａに近づくに従って互いの距離が小さくなる２つの側面２３ｄ，２３ｅと、２つの側面２３ｄ，２３ｅを接続するエッジ部２３ｆとを含んでいる。第１の端面２３ａは、近接場光発生部２３ｇを含んでいる。媒体対向面２０１ａに垂直な方向（Ｙ方向）についての近接場光発生素子２３の長さＨ_PAは、基板１の上面１ａに垂直な方向についての第１の端面２３ａの長さＴ_PAよりも大きい。後で詳しく説明するが、近接場光発生素子２３では、導波路２６を伝播する光に基づいて表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンが近接場光発生部２３ｇに伝播され、この表面プラズモンに基づいて近接場光発生部２３ｇより近接場光が発生される。

導波路２６は、近接場光発生素子２３に対して、基板１の上面１ａにより近い位置に配置されている。導波路２６の外面は、介在層２５を介して、近接場光発生素子２３のエッジ部２３ｆの一部に対向する対向部分２６ｇを含んでいる。

介在層２５とクラッド層２２，２８は、いずれも、導波路２６の屈折率よりも小さい屈折率を有する誘電体材料によって形成されている。従って、導波路２６の外面のうち入射端面２６ｂ以外の部分は、導波路２６の屈折率よりも小さい屈折率を有する誘電体材料によって覆われている。

記録ヘッドは、更に、スライダ２０１に固定された端面発光型のレーザダイオード２０２と、スライダ２０１の外部に設けられた外部ミラー２０３とを備えている。スライダ２０１は、記録媒体に対向する媒体対向面２０１ａと、その反対側の背面２０１ｂとを有している。レーザダイオード２０２は、活性層２２２と、活性層２２２の面に平行な方向の端に位置し、レーザ光の出射部２２２ａを含む出射端面２０２ｃと、活性層２２２の面に垂直な方向の端に位置する取付面２０２ａとを有している。レーザダイオード２０２は、取付面２０２ａがスライダ２０１の背面２０１ｂに向き、出射端面２０２ｃがＺ方向に向いた姿勢で、スライダ２０１に固定されている。外部ミラー２０３の反射面２０３ｅは、出射部２２２ａより出射されたレーザ光を、スライダ２０１内の導波路２６に向けて反射する。外部ミラー２０３で反射されたレーザ光は、入射端面２６ｂから導波路２６内に入射され、導波路２６内を媒体対向面２０１ａ（前端面２６ａ）に向けて進行する。

ここで、本実施の形態における近接場光発生の原理と、近接場光を用いた熱アシスト磁気記録の原理について詳しく説明する。レーザダイオード２０２の出射部２２２ａより出射されたレーザ光は、上述のように、外部ミラー２０３で反射され、入射端面２６ｂから導波路２６内に入射して、導波路２６内を媒体対向面２０１ａ（前端面２６ａ）に向けて進行する。このレーザ光は、導波路２６内を伝播して、対向部分２６ｇの近傍に達する。ここで、対向部分２６ｇと介在層２５との界面において、レーザ光が全反射することによって、介在層２５内にしみ出すエバネッセント光が発生する。その結果、このエバネッセント光と、近接場光発生素子２３の外面のうちの連結部の一部（エッジ部２３ｆの一部およびその近傍部分）における電荷の集団振動すなわち表面プラズモンとが結合した系である表面プラズモン・ポラリトンが励起される。このようにして、近接場光発生素子２３に表面プラズモンが励起される。

近接場光発生素子２３に励起された表面プラズモンは、近接場光発生素子２３のエッジ部２３ｆに沿って近接場光発生部２３ｇに向けて伝播する。その結果、近接場光発生部２３ｇにおいて表面プラズモンが集中し、この表面プラズモンに基づいて、近接場光発生部２３ｇから近接場光が発生する。この近接場光は、記録媒体に向けて照射され、記録媒体の表面に達し、記録媒体の磁気記録層の一部を加熱する。これにより、その磁気記録層の一部の保磁力が低下する。熱アシスト磁気記録では、このようにして保磁力が低下した磁気記録層の一部に対して、磁極２０より発生される記録磁界を印加することによってデータの記録が行われる。

次に、図８ないし図１６を参照して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド２００の製造方法について説明する。図８ないし図１６において、（ａ）は、それぞれ、熱アシスト磁気記録ヘッド２００の製造過程における積層体の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示している。図８ないし図１６の（ａ）において、記号“ＡＢＳ”は、媒体対向面２０１ａが形成される予定の位置を表している。図８ないし図１６において、（ｂ）は、それぞれ、図８ないし図１６の（ａ）における位置ＡＢＳにおける断面を示している。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド２００の製造方法では、まず、図８に示したように、基板１の上に絶縁層２を形成する。次に、絶縁層２の上に下部シールド層３を形成する。次に、下部シールド層３を覆うように絶縁層３１を形成する。次に、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、下部シールド層３が露出するまで絶縁層３１を研磨して、下部シールド層３および絶縁層３１の上面を平坦化する。次に、下部シールド層３および絶縁層３１の上に下部シールドギャップ膜４を形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上にＭＲ素子５と、ＭＲ素子５に接続される図示しないリードとを形成する。次に、ＭＲ素子５およびリードを覆うように上部シールドギャップ膜６を形成する。次に、上部シールドギャップ膜６の上に上部シールド層７を形成する。次に、上部シールド層７を覆うように絶縁層３２を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、上部シールド層７が露出するまで絶縁層３２を研磨して、上部シールド層７および絶縁層３２の上面を平坦化する。次に、上部シールド層７および絶縁層３２の上に非磁性層８を形成する。次に、非磁性層８の上にリターン磁極層１０を形成する。次に、リターン磁極層１０を覆うように絶縁層３３を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、リターン磁極層１０が露出するまで絶縁層３３を研磨して、リターン磁極層１０および絶縁層３３の上面を平坦化する。次に、リターン磁極層１０および絶縁層３３の上面の一部の上に絶縁層１１を形成する。

図９は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばフレームめっき法によって、絶縁層１１の上にコイル１２を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、リターン磁極層１０の上に連結層１３を形成する。なお、連結層１３を形成した後に、コイル１２を形成してもよい。次に、コイル１２の巻線間およびコイル１２の周囲に、例えばフォトレジストよりなる絶縁層１４を選択的に形成する。次に、例えばスパッタ法によって、積層体の上面全体の上に、絶縁層１５を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、コイル１２および連結層１３が露出するまで絶縁層１５を研磨して、コイル１２、連結層１３および絶縁層１４，１５の上面を平坦化する。

図１０は、次の工程を示す。この工程では、まず、絶縁層１６を形成する、次に、例えばフレームめっき法によって、連結層１３および絶縁層１６の上に下部ヨーク層１７を形成する。次に、積層体の上面全体の上に、非磁性層１８を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、下部ヨーク層１７が露出するまで非磁性層１８を研磨して、下部ヨーク層１７および非磁性層１８の上面を平坦化する。

図１１は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばフレームめっき法によって、下部ヨーク層１７および非磁性層１８の上に第１層２０Ａを形成する。次に、積層体の上面全体の上に、非磁性層２１を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第１層２０Ａが露出するまで非磁性層２１を研磨して、第１層２０Ａおよび非磁性層２１の上面を平坦化する。

図１２は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばフレームめっき法によって、第１層２０Ａの上に、後に第２層２０Ｂとなる磁性層を形成する。次に、例えばイオンビームエッチングによって、磁性層に第１の部分と第２の部分が形成されて、磁性層が第２層２０Ｂになるように、磁性層の一部をエッチングする。

図１３は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、クラッド層２２を形成する。次に、クラッド層２２の上に、パターニングされた導波路２６を形成する。

図１４は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、クラッド層２８を形成する。次に、第２層２０Ｂの第１の部分が露出するまで導波路２６およびクラッド層２２，２８を研磨して、第２層２０Ｂの第１の部分、導波路２６およびクラッド層２２，２８の上面を平坦化する。

図１５は、次の工程を示す。この工程では、まず、第２層２０Ｂの第１の部分、導波路２６およびクラッド層２２，２８の上に介在層２５を形成する。次に、介在層２５の上に絶縁層２４を形成する。次に、絶縁層２４を選択的にエッチングして、絶縁層２４に、近接場光発生素子２３を収容するための溝部を形成する。次に、絶縁層２４の溝部内に収容されるように近接場光発生素子２３を形成する。

次に、図１６に示したように、積層体の上面全体の上に、絶縁層２９を形成する。次に、絶縁層２９の上面に配線や端子２１０等を形成する。

次に、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面２０１ａおよび背面２０１ｂの研磨、ならびに媒体対向面２０１ａにおける浮上用レールの作製等の加工を行う。次に、図５に示したように、背面２０１ｂ上に、絶縁層２０５と導体層２０６を順に形成する。

次に、レーザダイオード２０２の取付面２０２ａがスライダ２０１の背面２０１ｂに向き、出射端面２０２ｃがＺ方向に向いた姿勢で、レーザダイオード２０２のｐ電極２１４を導体層２０６に接合することによって、レーザアセンブリ２０４をスライダ２０１に固定する。スライダ２０１に対するレーザアセンブリ２０４の位置合わせは、例えばフリップチップボンダを用いて行うことができる。また、レーザダイオード２０２のｐ電極２１４と導体層２０６との接合は、半田、導電性接着剤等の導電性の接合材を用いて行ってもよいし、超音波接合によって行ってもよい。

次に、図１に示したように、ボンディングワイヤ２０７によって、導体層２０６と１つの端子２１０とを電気的に接続し、ボンディングワイヤ２０８によって、レーザダイオード２０２のｎ電極２１３と他の１つの端子２１０とを電気的に接続する。以上の一連の工程により、熱アシスト磁気記録ヘッド２００が完成する。

次に、本実施の形態に係るレーザアセンブリ２０４の製造方法について説明する。本実施の形態に係るレーザアセンブリ２０４の製造方法は、外部ミラー２０３を作製する工程と、この外部ミラー２０３の第１の基準面２０３ｃを、レーザダイオード２０２の出射端面２０２ｃに接合する工程とを備えている。出射端面２０２ｃに対する第１の基準面２０３ｃの接合は、例えば接着剤によって行われる。

次に、図１７および図１８を参照して、外部ミラー２０３を作製する工程について説明する。図１７は、外部ミラー２０３の作製方法における一工程を示す斜視図である。外部ミラーを作製する工程では、まず、図１７に示した初期ブロック２３１Ｐを作製する。初期ブロック２３１Ｐは、後に研磨されることによってブロック２３１となるものであり、直方体形状を有している。初期ブロック２３１Ｐは、端面２３１Ｐａ，２３１Ｐｂと、この２つの端面２３１Ｐａ，２３１Ｐｂを連結する４つの面とを有している。４つの面は、第１の初期基準面２３１Ｐｃ、第２の初期基準面２３１Ｐｄ、面２０３ｆおよび面２０３ｇである。第１の初期基準面２３１Ｐｃは、後に第１の基準面２０３ｃとなる部分を含んでいる。第２の初期基準面２３１Ｐｄは、後に第２の基準面２０３ｄとなる部分を含み、第１の初期基準面２３１Ｐｃに直交している。面２０３ｆは、第１の初期基準面２３１Ｐｃとは反対側に位置し、第１の初期基準面２３１Ｐｃに平行である。面２０３ｇは、第２の初期基準面２３１Ｐｄとは反対側に位置し、第２の初期基準面２３１Ｐｄに平行である。面２０３ｆ，２０３ｇは直交し、面２３１Ｐｃ，２０３ｇは直交し、面２３１Ｐｄ，２０３ｆは直交している。また、初期ブロック２３１Ｐは、第１の初期基準面２３１Ｐｃと第２の初期基準面２３１Ｐｄとの間に形成された角部２３１Ｐｅを有している。

次に、図１７に示した治具３００に、１つまたは複数の初期ブロック２３１Ｐを固定する。治具３００は、上面３００ａと、下面３００ｂと、上面３００ａから下面３００ｂにかけて貫通すると共に一方向に長い開口部３００ｃとを有している。開口部３００ｃは、下面３００ｂに近づくに従って互いの距離が小さくなる第１および第２の開口部側壁３００ｃ１，３００ｃ２を有している。第１の開口部側壁３００ｃ１と第２の開口部側壁３００ｃ２は、それぞれ、下面３００ｂに対して４５°の角度をなしている。なお、治具３００における開口部３００ｃの両側の２つの部分は、図示しない連結部によって連結されており、互いに分離しないようになっている。

図１７には、治具３００に複数の初期ブロック２３１Ｐを固定した例を示している。この場合、複数の初期ブロック２３１Ｐは、開口部３００ｃの長手方向に並ぶように開口部３００ｃ内に設置され、治具３００に対して固定される。第１の初期基準面２３１Ｐｃは第１の開口部側壁３００ｃ１に接し、第２の初期基準面２３１Ｐｄは第２の開口部側壁３００ｃ２に接する。角部２３１Ｐｅは、開口部３００ｃから、下面３００ｂの下方に向けて突出する。治具３００に対する１つまたは複数の初期ブロック２３１Ｐの固定は、例えば接着剤によって行われる。

図１８は、図１７に示した工程に続く工程を示す斜視図である。この工程では、治具３００の開口部３００ｃから、下面３００ｂの下方に向けて突出した角部２３１Ｐｅを研磨する。この研磨によって初期ブロック２３１Ｐに形成される面が傾斜面２３１ｅとなる。この研磨は、傾斜面２３１ｅが治具３００の下面３００ｂと同一平面を形成するまで行われる。この研磨により、端面２３１Ｐａ，２３１Ｐｂは端面２０３ａ，２０３ｂとなり、第１および第２の初期基準面２３１Ｐｃ，２３１Ｐｄは、第１および第２の基準面２０３ｃ，２０３ｄとなり、初期ブロック２３１Ｐはブロック２３１となる。このようにして、１つまたは複数のブロック２３１が作製される。

次に、蒸着法、スパッタ法等によって、ブロック２３１の傾斜面２３１ｅに、反射面２０３ｅを構成する金属膜２３２を付着させる。これにより、図３に示した外部ミラー２０３が完成する。

以上説明したように、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド２００では、端面発光型のレーザダイオード２０２は、活性層２２２の面に垂直な方向の端に位置する取付面２０２ａがスライダ２０１に向くように配置されて、スライダ２０１に固定されている。具体的には、レーザダイオード２０２は、取付面２０２ａがスライダ２０１の背面２０１ｂに向き、出射端面２０２ｃがＺ方向に向いた姿勢で、ｐ電極２１４が導体層２０６に接合されることによって、スライダ２０１に固定されている。取付面２０２ａは、活性層２２２の面に平行であり、且つ出射端面２０２ｃよりも面積が大きい。従って、本実施の形態では、出射部２２２ａより出射されるレーザ光の光軸がスライダ２０１の背面２０１ｂに平行になるように、レーザダイオード２０２をスライダ２０１に対して精度よく位置合わせすることは容易である。そのため、本実施の形態によれば、出射部２２２ａより出射されるレーザ光の光軸が所望の方向に対して傾かないように、スライダ２０１に対してレーザダイオード２０２を位置合わせすることが可能になる。

また、本実施の形態では、レーザダイオード２０２の出射部２２２ａより出射されたレーザ光は、外部ミラー２０３で反射されて、スライダ２０１内の導波路２６に向けられる。外部ミラー２０３は、出射端面２０２ｃに平行であって出射端面２０２ｃに向いた第１の基準面２０３ｃと、取付面２０２ａに平行であって取付面２０２ａと同じ方向に向いた第２の基準面２０３ｄとを有している。本実施の形態によれば、第１の基準面２０３ｃと第２の基準面２０３ｄの少なくとも一方を用いて、反射面２０３ｅで反射されたレーザ光の光軸が所望の方向に対して傾かないように、スライダ２０１およびレーザダイオード２０２に対して外部ミラー２０３を位置合わせすることが可能である。具体的には、本実施の形態では、第１の基準面２０３ｃがレーザダイオード２０２の出射端面２０２ｃに接することにより、反射面２０３ｅで反射されたレーザ光の光軸が所望の方向に対して傾かないように、スライダ２０１およびレーザダイオード２０２に対して外部ミラー２０３が位置合わせされる。

また、本実施の形態では、外部ミラー２０３の反射面２０３ｅは、出射端面２０２ｃに向いた第１の基準面２０３ｃと、取付面２０２ａと同じ方向に向いた第２の基準面２０３ｄとを連結している。そのため、反射面２０３ｅは、出射端面２０２ｃとスライダ２０１の両方に近い。従って、本実施の形態によれば、レーザダイオード２０２の出射部２２２ａから反射面２０３ｅまでの距離と、反射面２０３ｅからスライダ２０１（導波路２６の入射端２６ｂ）までの距離を、共に短くすることができる。

また、本実施の形態では、レーザダイオード２０２の取付面２０２ａと出射部２２２ａとの間の距離Ｄ１は、レーザダイオード２０２の背面２０２ｂと出射部２２２ａとの間の距離Ｄ２よりも小さい。また、Ｄ１のばらつきは、Ｄ２のばらつきに比べて小さい。従って、本実施の形態によれば、レーザダイオード２０２のｎ電極２１３がスライダ２０１の背面２０１ｂに向くようにレーザダイオード２０２を配置する場合に比べて、出射部２２２ａから導波路２６までのレーザ光の経路を短くすることができると共に、この経路の長さのばらつきを小さくすることができる。

以上のことから、本実施の形態によれば、近接場光の発生に利用される光を出射する光源として、光出力が大きい端面発光型のレーザダイオード２０２を用いながら、導波路２６に対するレーザ光の位置合わせを容易に行うことが可能になり、且つレーザダイオード２０２の出射部２２２ａから導波路２６までのレーザ光の経路を短くすることが可能になる。

また、本実施の形態では、レーザダイオード２０２は、取付面２０２ａがスライダ２０１の背面２０１ｂに向いた姿勢でスライダ２０１に固定されている。スライダ２０１の背面２０１ｂは、媒体対向面２０１ａを除いたスライダ２０１の５つの面のうちで最も面積の大きな面である。従って、本実施の形態によれば、大型で光出力の大きなレーザダイオード２０２を使用することが可能になる。

また、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド２００では、導波路２６の外面における対向部分２６ｇが、介在層２５を介して、近接場光発生素子２３の外面のうちの連結部の一部に対向する。本実施の形態では、導波路２６を伝播する光に基づいて、介在層２５においてエバネッセント光が発生し、このエバネッセント光に基づいて、近接場光発生素子２３に表面プラズモンが励起される。そして、この表面プラズモンが近接場光発生部２３ｇに伝播され、この表面プラズモンに基づいて近接場光発生部２３ｇより近接場光が発生される。本実施の形態によれば、レーザ光をプラズモン・アンテナに直接照射して近接場光を発生させる場合に比べて、導波路２６を伝播する光の近接場光への変換の効率を高めることができる。

また、本実施の形態では、導波路２６を伝播するレーザ光が近接場光発生素子２３に直接照射されないため、近接場光発生素子２３の温度上昇を抑制することができる。また、本実施の形態では、媒体対向面２０１ａに垂直な方向についての近接場光発生素子２３の長さＨ_PAが、基板１の上面１ａに垂直な方向についての第１の端面２３ａの長さＴ_PAよりも大きい。そのため、本実施の形態における近接場光発生素子２３の体積は、媒体対向面２０１ａに垂直な方向についての長さが、基板１の上面１ａに垂直な方向についての長さよりも小さい従来のプラズモン・アンテナに比べて大きい。この点からも、本実施の形態によれば、近接場光発生素子２３の温度上昇を抑制することができる。これらのことから、本実施の形態によれば、近接場光発生素子２３が媒体対向面２０１ａから突出することを抑制することができる。

［変形例］
以下、本実施の形態における変形例について説明する。図１９は、変形例における導波路２６の一部と近接場光発生素子２３を示す平面図である。図２０は、図１９に示した近接場光発生素子２３の斜視図である。変形例における近接場光発生素子２３では、側面２３ｄ，２３ｅは、媒体対向面２０１ａに近づくに従って、トラック幅方向についての互いに距離が小さくなる部分を有している。また、側面２３ｄと第２の端面２３ｂとの間の角部と、側面２３ｅと第２の端面２３ｂとの間の角部は、それぞれ丸められている。この変形例では、特に、上記の２つの角部を除いて、側面２３ｄ，２３ｅは、媒体対向面２０１ａに近づくに従って、トラック幅方向についての互いに距離が小さくなっている。

上面２３ｃは、第１の端面２３ａの上端に位置する第１の端縁２２３ａと、第２の端面２３ｂの上端に位置する第２の端縁２２３ｂと、側面２３ｄの上端に位置する第３の端縁２２３ｄと、側面２３ｅの上端に位置する第４の端縁２２３ｅとを有している。第３の端縁２２３ｄと第４の端縁２２３ｅは、第１の端縁２２３ａに近づくに従って、第１の端縁２２３ａに平行な方向についての互いに距離が小さくなる部分を有している。第２の端縁２２３ｂと第３の端縁２２３ｄとの間の角部と、第２の端縁２２３ｂと第４の端縁２２３ｅとの間の角部は、それぞれ丸められている。この変形例では、特に、上記の２つの角部を除いて、第３の端縁２２３ｄと第４の端縁２２３ｅは、第１の端縁２２３ａに近づくに従って、第１の端縁２２３ａに平行な方向についての互いに距離が小さくなっている。

また、変形例における近接場光発生素子２３は、基板１の上面１ａにより近い下面２３ｈを有している。導波路２６の上面２６ｃの一部は、介在層２５を介して、近接場光発生素子２３の下面２３ｈの一部に対向している。図１９には、導波路２６の前端面２６ａが媒体対向面２０１ａから離れた位置に配置されている例を示している。しかし、前端面２６ａは媒体対向面２０１ａに配置されていてもよい。

また、図２０に示したように、変形例における近接場光発生素子２３は、第１の端面２３ａに近い一部分（以下、前端近傍部分という。）において、第１の端面２３ａに近づくに従って、下端が基板１の上面１ａから遠ざかっている。また、近接場光発生素子２３の前端近傍部分においてのみ、側面２３ｄ，２３ｅがそれぞれ連続する上部と下部とを含み、側面２３ｄの下部と側面２３ｅの下部とがなす角度は、側面２３ｄの上部と側面２３ｅの上部とがなす角度よりも小さくなっている。近接場光発生素子２３の前端近傍部分以外の部分における側面２３ｄ，２３ｅの形状は、平面またはほぼ平面である。

第１の端面２３ａは、第１の側面２３ｄの端に位置する第１の辺１２３ｄと、第２の側面２３ｅの端に位置する第２の辺１２３ｅと、上面２３ｃの端に位置する第３の辺１２３ｃと、第１の辺１２３ｄと第２の辺１２３ｅが接して形成され、近接場光発生部２３ｇを形成する尖端１２３ｇとを含んでいる。近接場光発生部２３ｇは、具体的には、端面２３ａにおける尖端１２３ｇおよびその近傍の部分である。

第１の辺１２３ｄは、連続する上部と下部とを含んでいる。第２の辺１２３ｅは、連続する上部と下部とを含んでいる。第１の辺１２３ｄの下部と第２の辺１２３ｅの下部とがなす角度は、第１の辺１２３ｄの上部と第２の辺１２３ｅの上部とがなす角度よりも小さい。

ここで、図１９に示したように、媒体対向面２０１ａに垂直な方向についての近接場光発生素子２３の長さを記号Ｈ_PAで表し、第１の端面２３ａの上端部の幅を記号Ｗ_PAで表し、トラック幅方向（Ｘ方向）における近接場光発生素子２３の最大の幅を記号ＷＢ_PAで表す。また、図２０に示したように、基板１の上面１ａに垂直な方向についての第１の端面２３ａの長さを記号Ｔ_PAで表す。媒体対向面２０１ａに垂直な方向についての近接場光発生素子２３の長さＨ_PAは、基板１の上面１ａに垂直な方向についての第１の端面２３ａの長さＴ_PAよりも大きい。Ｗ_PAは例えば５０〜３５０ｎｍの範囲内である。Ｔ_PAは例えば６０〜３５０ｎｍの範囲内である。Ｈ_PAは例えば０．２５〜２．５μｍの範囲内である。ＷＢ_PAは例えば０．２５〜２．５μｍの範囲内である。

変形例では、導波路２６において、近接場光発生素子２３の外面のうちの連結部の一部（下面２３ｈの一部）に対向する対向部分の面積を大きくすることができる。これにより、近接場光発生素子２３の連結部（下面２３ｈ）において、より多くの表面プラズモンを励起させることができる。また、変形例では、近接場光発生素子２３において、側面２３ｄと第２の端面２３ｂとの間の角部と、側面２３ｅと第２の端面２３ｂとの間の角部が、それぞれ丸められている。これにより、これらの角部から近接場光が発生することを防止することができる。また、変形例では、上記の２つの角部を除いて、近接場光発生素子２３の側面２３ｄ，２３ｅは、媒体対向面２０１ａに近づくに従って、トラック幅方向についての互いに距離が小さくなっている。これにより、下面２３ｈにおいて励起された表面プラズモンが近接場光発生部２３ｇに伝播される際に、表面プラズモンを集中させることができる。これらのことから、変形例によれば、尖った形状の近接場光発生部２３ｇに、より多くの表面プラズモンを集中させることが可能になる。

［第２の実施の形態］
次に、図２１ないし図２５を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドについて説明する。図２１は、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの斜視図である。図２２は、図２１に示した熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。図２３は、本実施の形態におけるスライダの構成を示す断面図である。図２４は、本実施の形態におけるスライダの媒体対向面を示す正面図である。図２５は、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドにおける近接場光発生素子の近傍を示す斜視図である。

図２１に示したように、本実施の形態では、レーザダイオード２０２は、取付面２０２ａがスライダ２０１の上面２０１ｃに向き、出射端面２０２ｃがＸ方向に向いた姿勢で、ｐ電極２１４（図３参照）が上面２０１ｃに接合されることによって、スライダ２０１に固定されている。本実施の形態におけるレーザダイオード２０２は、出射部２２２ａから、電界の振動方向が活性層２２２の面に平行な直線偏光すなわちＴＥモードのレーザ光を出射する。レーザダイオード２０２のｐ電極２１４は、スライダ２０１の１つの端子２１０に電気的に接続され、レーザダイオード２０２のｎ電極２１３（図３参照）は、スライダ２０１の他の端子２１０に電気的に接続されている。

外部ミラー２０３の第１の基準面２０３ｃは、レーザダイオード２０２の出射端面２０２ｃに接し、第２の基準面２０３ｄは、スライダ２０１の上面２０１ｃに接している。外部ミラー２０３は、第１の基準面２０３ｃが出射端面２０２ｃに接合されることによって、レーザダイオード２０２に固定されている。また、外部ミラー２０３は、第２の基準面２０３ｄが上面２０１ｃに接合されることによって、スライダ２０１に固定されている。外部ミラー２０３の反射面２０３ｅは、出射部２２２ａの前方に配置されている。第１の実施の形態と同様に、本実施の形態においても、レーザダイオード２０２の取付面２０２ａと出射部２２２ａとの間の距離Ｄ１は、レーザダイオード２０２の背面２０２ｂと出射部２２２ａとの間の距離Ｄ２よりも小さい。

次に、図２３ないし図２５を参照して、本実施の形態におけるスライダ２０１の構成について詳しく説明する。本実施の形態におけるスライダ２０１のうち、基板１から下部ヨーク層１７および非磁性層１８までの構成は、第１の実施の形態におけるスライダ２０１と同様である。以下、本実施の形態におけるスライダ２０１が第１の実施の形態におけるスライダ２０１と異なる点について説明する。

本実施の形態におけるスライダ２０１は、下部ヨーク層１７および非磁性層１８の上に配置された磁極３０と、非磁性層１８の上において磁極３０の周囲に配置された非磁性材料よりなる非磁性層２１とを備えている。磁極３０は、媒体対向面２０１ａに配置された端面を有し、コイル１２によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。磁極３０は、金属磁性材料によって形成されている。磁極３０の材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。非磁性層２１は、例えばアルミナによって形成されている。磁極３０および非磁性層２１の上面は平坦化されている。

図２５に示したように、磁極３０は、媒体対向面２０１ａに配置された端面とその反対側の端部とを有するトラック幅規定部３０Ａと、このトラック幅規定部３０Ａの前記端部に接続され、トラック幅規定部３０Ａよりも大きな幅を有する幅広部３０Ｂとを有している。トラック幅規定部３０Ａは、媒体対向面２０１ａからの距離に応じて変化しない幅を有している。幅広部３０Ｂの幅は、例えば、トラック幅規定部３０Ａとの境界位置ではトラック幅規定部３０Ａの幅と等しく、媒体対向面２０１ａから離れるに従って、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。図２４および図２５に示した例では、媒体対向面２０１ａに配置されたトラック幅規定部３０Ａの端面の形状は、頂点が下を向いた二等辺三角形である。しかし、媒体対向面２０１ａに配置されたトラック幅規定部３０Ａの端面の形状は、矩形でもよいし、台形でもよい。

スライダ２０１は、更に、磁極３０および非磁性層２１の上面の上に配置された絶縁層３４を備えている。絶縁層３４は、例えばアルミナによって形成されている。絶縁層３４の厚みは、例えば、３０〜７０ｎｍの範囲内である。

スライダ２０１は、更に、絶縁層３４の上に配置された近接場光発生素子２３と、絶縁層３４の上において近接場光発生素子２３の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層３５とを備えている。近接場光発生素子２３および絶縁層３５の上面は平坦化されている。絶縁層３５は、例えばアルミナによって形成されている。近接場光発生素子２３の材料および形状は、第１の実施の形態と同様である。

スライダ２０１は、更に、近接場光発生素子２３および絶縁層３５の上面の上に配置された介在層３６と、この介在層３６の上に配置された導波路２６およびクラッド層３７，３９とを備えている。導波路２６は、レーザ光を通過させる誘電体材料によって形成されている。介在層３６は、導波路２６の屈折率よりも小さい屈折率を有し、レーザ光を通過させる誘電体材料によって形成されている。クラッド層３７，３９は、導波路２６の屈折率よりも小さい屈折率を有する誘電体材料によって形成されている。導波路２６の材料としては、例えば、屈折率が約２．１のＴａ_２Ｏ_５が用いられ、介在層３６およびクラッド層３７，３９の材料としては、例えば、屈折率が約１．８のアルミナが用いられる。介在層３６の厚みは、例えば、３０〜７０ｎｍの範囲内である。

図２１および図２２に示したように、導波路２６は、媒体対向面２０１ａに垂直な方向（Ｙ方向）に延びている。また、導波路２６は、外面を有している。この外面は、媒体対向面２０１ａにより近い前端面２６ａと、媒体対向面２０１ａからより遠い後端面２６ｈと、基板１の上面１ａからより遠い上面２６ｃと、基板１の上面１ａにより近い下面２６ｄと、トラック幅方向の両側に位置する２つの側面２６ｅ，２６ｆとを有している。図２２には、前端面２６ａが媒体対向面２０１ａから離れた位置に配置されている例を示している。しかし、前端面２６ａは媒体対向面２０１ａに配置されていてもよい。クラッド層３７は、後端面２６ｈに対して、媒体対向面２０１ａからより遠い位置に配置されている。クラッド層３９は、導波路２６およびクラッド層３７の周囲に配置されている。導波路２６およびクラッド層３７，３９の上面は平坦化されている。

また、導波路２６の外面は、近接場光発生素子２３の外面のうちの連結部の一部に対向する対向部分２６ｇを含んでいる。図２５に示したように、本実施の形態では、特に、導波路２６は、近接場光発生素子２３に対して、基板１の上面１ａからより遠い位置に配置され、導波路２６の下面２６ｄの一部が、介在層３６を介して、近接場光発生素子２３の上面２３ｃの一部に対向している。この上面２３ｃの一部に対向する導波路２６の下面２６ｄの一部が対向部分２６ｇである。媒体対向面２０１ａに垂直な方向についての近接場光発生素子２３の長さＨ_PAは、基板１の上面１ａに垂直な方向についての第１の端面２３ａの長さＴ_PAよりも大きい。これは、導波路２６の下面２６ｄの一部である対向部分２６ｇが、介在層３６を介して、近接場光発生素子２３の上面２３ｃの一部に対向するために必要な要件である。

図２３に示したように、後端面２６ｈは、基板１の上面１ａに垂直な方向に対して４５°の角度で傾いた斜面になっている。後端面２６ｈにおける任意の位置の媒体対向面２０１ａからの距離は、この任意の位置が基板１の上面１ａから離れるに従って大きくなっている。

スライダ２０１は、更に、導波路２６の後端面２６ｈに接するように、導波路２６とクラッド層３７との間に設けられた内部ミラー３８を備えている。内部ミラー３８は、例えば、Ｃｕ，Ａｕ等の金属による、厚みが５０〜２００ｎｍ程度の膜によって形成されている。内部ミラー３８は、導波路２６の上方に配置されたレーザダイオード２０２より出射されたレーザ光を、導波路２６内を媒体対向面２０１ａに向けて進行するように反射するようになっている。より詳しく説明すると、内部ミラー３８は、導波路２６の上面２６ｃから導波路２６内に入射して後端面２６ｈに至るレーザ光を、前端面２６ａに向けて進行するように反射するようになっている。

スライダ２０１は、更に、導波路２６およびクラッド層３７，３９の上面の上に配置されたクラッド層４０を備えている。クラッド層４０は、導波路２６の屈折率よりも小さい屈折率を有し、レーザ光を通過させる誘電体材料によって形成されている。導波路２６の材料として、例えば屈折率が約２．１のＴａ_２Ｏ_５が用いられる場合には、クラッド層４０の材料としては、例えば屈折率が約１．８のアルミナが用いられる。クラッド層４０の厚みは、例えば、０．１〜０．５μｍの範囲内である。クラッド層４０の上面は、スライダ２０１の上面２０１ｃを構成している。

レーザダイオード２０２と外部ミラー２０３は、本実施の形態に係るレーザアセンブリ２０４を構成する。レーザアセンブリ２０４は、スライダ２０１と共に熱アシスト磁気記録ヘッド２００を構成する。また、スライダ２０１におけるリターン磁極層１０からクラッド層４０までの部分およびレーザアセンブリ２０４は、記録ヘッドを構成する。

次に、図２２を参照して、レーザダイオード２０２の出射部２２２ａより出射されたレーザ光の経路について説明する。レーザダイオード２０２の出射部２２２ａより出射されたレーザ光は、外部ミラー２０３の反射面２０３ｅで反射されて、クラッド層４０を通過して、上面２６ｃから導波路２６内に入射して後端面２６ｈに至り、導波路２６内を媒体対向面２０１ａ（前端面２６ａ）に向けて進行するように、内部ミラー３８によって反射される。

ここで、出射部２２２ａより出射されたレーザ光を符号Ｌ１で示し、外部ミラー２０３で反射された後のレーザ光を符号Ｌ２で示し、内部ミラー３８で反射された後のレーザ光を符号Ｌ３で示す。本実施の形態では、レーザダイオード２０２、外部ミラー２０３、内部ミラー３８および導波路２６は、スライダ２０１の上面２０１ｃの上方から見たときに、出射部２２２ａより出射されたレーザ光Ｌ１の進行方向と内部ミラー３８で反射された後のレーザ光Ｌ３の進行方向が直交するように配置されている。

図２２には、導波路２６の形状の一例を示している。この例における導波路２６では、２つの側面２６ｅ，２６ｆにおける前端部２６ａの近傍の部分は、上方から見た形状が放物線形状の反射面になっている。この反射面は、導波路２６によって伝播される光を、前端部２６ａの近傍に集光する機能を有している。

ここで、図２２を参照して、本実施の形態におけるレーザ光の偏光方向について説明する。本実施の形態では、レーザダイオード２０２は、出射部２２２ａからＴＥモードのレーザ光を出射する。出射部２２２ａより出射されたレーザ光における電界の振動方向は、ＸＹ平面に平行である。出射部２２２ａより出射されたレーザ光は、外部ミラー２０３の反射面２０３ｅで反射されて、導波路２６に向かう。このときのレーザ光における電界の振動方向は、ＹＺ平面に平行である。このレーザ光は、クラッド層４０を通過して、上面２６ｃから導波路２６内に入射して、内部ミラー３８によって反射される。内部ミラー３８によって反射された後のレーザ光における電界の振動方向は、ＹＺ平面に平行である。内部ミラー３８によって反射されたレーザ光は、導波路２６内を伝播して、対向部分２６ｇに至る。このレーザ光における電界の振動方向は、対向部分２６ｇに対して垂直である。これにより、近接場光発生素子２３において大きな強度の表面プラズモンを発生させることができる。

次に、図２６ないし図３２を参照して、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド２００の製造方法について説明する。図２６ないし図３２において、（ａ）は、それぞれ、熱アシスト磁気記録ヘッド２００の製造過程における積層体の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示している。図２６ないし図３２の（ａ）において、記号“ＡＢＳ”は、媒体対向面２０１ａが形成される予定の位置を表している。図２６ないし図３２において、（ｂ）は、それぞれ、図２６ないし図３２の（ａ）における位置ＡＢＳにおける断面を示している。

本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド２００の製造方法では、図１０に示したように下部ヨーク層１７および非磁性層１８の上面を平坦化する工程までは、第１の実施の形態と同様である。

図２６は、次の工程を示す。この工程では、まず、下部ヨーク層１７および非磁性層１８の上に非磁性層２１を形成する。次に、非磁性層２１を選択的にエッチングして、非磁性層２１に、磁極３０を収容するための溝部を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、非磁性層２１の溝部内に収容されるように磁極３０を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、磁極３０および非磁性層２１を研磨して、磁極３０および非磁性層２１の上面を平坦化する。次に、磁極３０および非磁性層２１の上に絶縁層３４を形成する。

図２７は、次の工程を示す。この工程では、まず、絶縁層３４の上に絶縁層３５を形成する。次に、絶縁層３５を選択的にエッチングして、絶縁層３５に、近接場光発生素子２３を収容するための溝部を形成する。次に、絶縁層３５の溝部内に収容されるように近接場光発生素子２３を形成する。次に、近接場光発生素子２３および絶縁層３５の上に介在層３６を形成する。次に、介在層３６の上に、後にクラッド層３７となる誘電体層３７Ｐを形成する。

図２８は、次の工程を示す。この工程では、まず、誘電体層３７Ｐの上に、クラッド層３７の平面形状に対応した平面形状を有する図示しない金属製マスクを形成する。次に、例えば反応性イオンエッチング（以下、ＲＩＥと記す。）によって、誘電体層３７Ｐを選択的にエッチングして、クラッド層３７を形成する。このとき、クラッド層３７に、後にその上に内部ミラー３８が形成される傾斜面が形成されるように、誘電体層３７Ｐをテーパーエッチングする。次に、クラッド層３７の傾斜面の上に内部ミラー３８を形成する。

次に、図２９に示したように、積層体の上面全体の上に、後に導波路２６となる誘電体層２６Ｐを形成する。

図３０は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばＲＩＥによって、誘電体層２６Ｐを選択的にエッチングして、導波路２６を形成する。次に、積層体の上面全体の上に、後にクラッド層３９となる誘電体層を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、導波路２６が露出するまで誘電体層を研磨する。研磨後に残った誘電体層はクラッド層３９となる。また、この研磨により、導波路２６およびクラッド層３７，３９の上面が平坦化される。

次に、図３１に示したように、積層体の上面全体の上に、クラッド層４０を形成する。次に、クラッド層４０の上面に配線や端子２１０等を形成する。

図３２は、次の工程を示す。この工程では、クラッド層４０の上面すなわちスライダ２０１の上面２０１ｃに、レーザダイオード２０２および外部ミラー２０３を固定する。この工程では、予め互いに接合したレーザダイオード２０２および外部ミラー２０３をスライダ２０１の上面２０１ｃに固定してもよい。あるいは、スライダ２０１の上面２０１ｃにレーザダイオード２０２を固定した後、第１の基準面２０３ｃが出射端面２０２ｃに接し、第２の基準面２０３ｄがスライダ２０１の上面２０１ｃに接するように、外部ミラー２０３をレーザダイオード２０２の出射端面２０２ｃおよびスライダ２０１の上面２０１ｃに固定してもよい。あるいは、スライダ２０１の上面２０１ｃに外部ミラー２０３を固定した後、出射端面２０２ｃが第１の基準面２０３ｃに接し、取付面２０２ａがスライダ２０１の上面２０１ｃに接するように、レーザダイオード２０２を外部ミラー２０３の第１の基準面２０３ｃおよびスライダ２０１の上面２０１ｃに固定してもよい。なお、図３２（ａ）には、外部ミラー２０３のうち、反射面２０３ｅのみを示している。

スライダ２０１に対するレーザダイオード２０２および外部ミラー２０３の位置合わせは、例えばフリップチップボンダを用いて行うことができる。スライダ２０１に対するレーザダイオード２０２および外部ミラー２０３の固定は、例えば接着剤によって行われる。

スライダ２０１は、上面２０１ｃにおいて露出するように配置されて、レーザダイオード２０２のｐ電極２１４と１つの端子２１０とを電気的に接続する導体層を備えていてもよい。この場合には、レーザダイオード２０２のｐ電極２１４を導体層に接合してもよい。ｐ電極２１４と導体層との接合は、半田、導電性接着剤等の導電性の接合材を用いて行ってもよいし、超音波接合によって行ってもよい。レーザダイオード２０２のｎ電極２１３は、例えば、図示しないボンディングワイヤによって、他の端子２１０に電気的に接続される。

次に、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面２０１ａの研磨、浮上用レールの作製等を行って、熱アシスト磁気記録ヘッド２００が完成する。

以上説明したように、本実施の形態では、レーザダイオード２０２は、取付面２０２ａがスライダ２０１の上面２０１ｃに向くように配置されて、スライダ２０１に固定される。レーザダイオード２０２の出射部２２２ａより出射されたレーザ光は、外部ミラー２０３で反射されて導波路２６に向けられる。レーザダイオード２０２の取付面２０２ａは、活性層２２２の面に平行であり、且つ出射端面２０２ｃよりも面積が大きい。従って、本実施の形態では、出射部２２２ａより出射されるレーザ光の光軸がスライダ２０１の上面２０１ｃに平行になるように、レーザダイオード２０２をスライダ２０１に対して精度よく位置合わせすることは容易である。そのため、本実施の形態によれば、出射部２２２ａより出射されるレーザ光の光軸が所望の方向に対して傾かないように、スライダ２０１に対してレーザダイオード２０２を位置合わせすることが可能になる。

また、本実施の形態では、レーザダイオード２０２の出射部２２２ａより出射されたレーザ光は、外部ミラー２０３で反射されて、スライダ２０１内の導波路２６に向けられる。外部ミラー２０３は、出射端面２０２ｃに平行であって出射端面２０２ｃに向いた第１の基準面２０３ｃと、取付面２０２ａに平行であって取付面２０２ａと同じ方向に向いた第２の基準面２０３ｄとを有している。本実施の形態によれば、第１の基準面２０３ｃと第２の基準面２０３ｄの少なくとも一方を用いて、反射面２０３ｅで反射されたレーザ光の光軸が所望の方向に対して傾かないように、スライダ２０１およびレーザダイオード２０２に対して外部ミラー２０３を位置合わせすることが可能である。具体的には、本実施の形態では、第１の基準面２０３ｃがレーザダイオード２０２の出射端面２０２ｃに接し、第２の基準面２０３ｄがスライダ２０１の上面２０１ｃに接することにより、反射面２０３ｅで反射されたレーザ光の光軸が所望の方向に対して傾かないように、スライダ２０１およびレーザダイオード２０２に対して外部ミラー２０３が位置合わせされる。

また、本実施の形態では、外部ミラー２０３の反射面２０３ｅは、出射端面２０２ｃに向いた第１の基準面２０３ｃと、取付面２０２ａと同じ方向に向いた第２の基準面２０３ｄとを連結している。そのため、本実施の形態によれば、レーザダイオード２０２の出射部２２２ａから反射面２０３ｅまでの距離と、反射面２０３ｅからスライダ２０１までの距離を、共に短くすることができる。

以上のことから、本実施の形態によれば、近接場光の発生に利用される光を出射する光源として、光出力が大きい端面発光型のレーザダイオード２０２を用いながら、導波路２６に対するレーザ光の位置合わせを容易に行うことが可能になり、且つレーザダイオード２０２の出射部２２２ａから導波路２６までのレーザ光の経路を短くすることが可能になる。

また、本実施の形態では、図２２に示したように、レーザダイオード２０２、外部ミラー２０３、内部ミラー３８および導波路２６は、スライダ２０１の上面２０１ｃの上方から見たときに、出射部２２２ａより出射されたレーザ光Ｌ１の進行方向と内部ミラー３８で反射された後のレーザ光Ｌ３の進行方向が直交するように配置されている。このような配置により、本実施の形態によれば、内部ミラー３８で反射された後のレーザ光Ｌ３の偏光方向（電界の振動方向）を、出射部２２２ａより出射されたレーザ光Ｌ１の偏光方向に直交する方向に設定することができる。これにより、本実施の形態によれば、レーザダイオード２０２として、ＴＥモードのレーザ光を出射する一般的なレーザダイオードを用いながら、導波路２６を伝播するレーザ光の偏光方向を、近接場光発生素子２３において大きな強度の表面プラズモンを発生させることができる方向すなわち対向部分２６ｇに対して垂直な方向に設定することができる。

また、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド２００では、近接場光発生素子２３および導波路２６が、磁極３０に対して基板１の上面１ａからより遠い位置に配置され、導波路２６の上方に配置されたレーザダイオード２０２より出射された光が、内部ミラー３８によって、導波路２６内を媒体対向面２０１ａに向けて進行するように反射される。

ここで、本実施の形態における近接場光発生素子２３および導波路２６と磁極３０との位置関係とは逆に、近接場光発生素子および導波路が、磁極３０に対して基板１の上面１ａにより近い位置に配置されている場合について考える。この場合には、近接場光発生素子および導波路の上方に磁極３０が存在することになるため、本実施の形態のように導波路の上方にレーザダイオードを配置する場合、レーザダイオードから導波路までの光の経路が長くなり、光のエネルギーの損失が大きくなる。また、この場合、レーザダイオードから導波路までの光の経路が長いことから、レーザダイオードと導波路とを正確に位置合わせすることが難しく、レーザダイオードと導波路との位置ずれによる光のエネルギーの損失が発生しやすい。

これに対し、本実施の形態では、レーザダイオード２０２と導波路２６とを近付けることができ、その結果、短い経路によって、レーザダイオード２０２から、導波路２６の外面における対向部分２６ｇまで光を導くことが可能になる。これにより、本実施の形態によれば、光のエネルギーの損失を少なくすることができる。また、本実施の形態では、レーザダイオード２０２と導波路２６とを近付けることができることから、レーザダイオード２０２と導波路２６とを正確に位置合わせすることが容易である。そのため、本実施の形態によれば、レーザダイオード２０２と導波路２６との位置ずれによる光のエネルギーの損失を少なくすることができる。

また、本実施の形態では、導波路２６においてレーザ光が入射する上面の上に、導波路２６の屈折率よりも小さい屈折率を有するクラッド層４０が設けられている。そのため、導波路２６とクラッド層４０との界面に、導波路２６側から臨界角以上の入射角で入射する光は、界面で全反射される。これにより、レーザダイオード２０２より出射され、クラッド層４０を通過して導波路２６内に入射したレーザ光が、再びクラッド層４０を通過してレーザダイオード２０２に戻ることを抑制することができる。その結果、本実施の形態によれば、レーザ光の利用効率を高めることができると共に、レーザダイオード２０２に戻るレーザ光によってレーザダイオード２０２が損傷を受けることを防止することができる。

以上のことから、本実施の形態によれば、熱アシスト磁気記録ヘッド２００において、近接場光の発生に利用される光の利用効率を高めることが可能になる。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

［第３の実施の形態］
次に、図３３および図３４を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドについて説明する。図３３は、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの斜視図である。図３４は、図３３に示した熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。

図３３および図３４に示したように、本実施の形態では、レーザダイオード２０２、外部ミラー２０３、内部ミラー３８および導波路２６は、出射部２２２ａより出射されたレーザ光Ｌ１の進行方向と内部ミラー３８で反射された後のレーザ光Ｌ３の進行方向が平行になるように配置されている。

図３４に示したように、本実施の形態では、レーザダイオード２０２は、出射部２２２ａから、電界の振動方向が活性層２２２の面に垂直な直線偏光すなわちＴＭモードのレーザ光を出射する。出射部２２２ａより出射されたレーザ光における電界の振動方向は、ＹＺ平面に平行である。出射部２２２ａより出射されたレーザ光は、外部ミラー２０３の反射面２０３ｅで反射されて、導波路２６に向かう。このときのレーザ光における電界の振動方向は、ＹＺ平面に平行である。このレーザ光は、クラッド層４０を通過して、上面２６ｃから導波路２６内に入射して、内部ミラー３８によって反射される。内部ミラー３８によって反射された後のレーザ光における電界の振動方向は、ＹＺ平面に平行である。内部ミラー３８によって反射されたレーザ光は、導波路２６内を伝播して、対向部分２６ｇに至る。このレーザ光における電界の振動方向は、対向部分２６ｇに対して垂直である。これにより、近接場光発生素子２３において大きな強度の表面プラズモンを発生させることができる。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第２の実施の形態と同様である。

［第４の実施の形態］
次に、図３５を参照して、本発明の第４の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドについて説明する。図３５は、本実施の形態におけるスライダの構成を示す断面図である。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドにおけるスライダ２０１は、第２の実施の形態における導波路２６、クラッド層３７，３９，４０および内部ミラー３８の代りに、導波路５６およびクラッド層５７，５８，５９を備えている。

導波路５６は、介在層３６の上に配置されている。導波路５６のうち、媒体対向面２０１ａからより遠い端部の近傍以外の部分の形状は、導波路２６と同様である。導波路５６のうち、媒体対向面２０１ａからより遠い端部の近傍の部分は、媒体対向面２０１ａから離れるに従ってスライダ２０１の上面２０１ｃに向かうように屈曲している。導波路５６は、外面を有している。この外面は、媒体対向面２０１ａにより近い前端面５６ａと、前端面５６ａとは反対側の入射端面５６ｂと、基板１の上面１ａからより遠い上面と、基板１の上面１ａにより近い下面と、トラック幅方向の両側に位置する２つの側面とを有している。導波路５６の上面、下面および２つの側面のうちの、媒体対向面２０１ａからより遠い端部の近傍の部分は、媒体対向面２０１ａから離れるに従ってスライダ２０１の上面２０１ｃに向かうように屈曲している。入射端面５６ｂは、基板１の上面１ａに平行であり、上方に向いている。この入射端面５６ｂには、外部ミラー２０３で反射されたレーザ光が入射する。図３５には、前端面５６ａが媒体対向面２０１ａから離れた位置に配置されている例を示している。しかし、前端面５６ａは媒体対向面２０１ａに配置されていてもよい。

クラッド層５７は、導波路５６に対して、媒体対向面２０１ａからより遠い位置に配置されている。クラッド層５７は、導波路５６に接する、湾曲した端面５７ａを有している。クラッド層５８は、導波路５６のうちの下面と入射端面５６ｂを除いた部分を覆うように配置されている。入射端面５６ｂと、クラッド層５７，５８の上面は平坦化されている。クラッド層５９は、入射端面５６ｂと、クラッド層５７，５８の上面の上に配置されている。クラッド層５９の上面は、スライダ２０１の上面２０１ｃを構成している。

また、導波路５６の外面は、近接場光発生素子２３の外面のうちの連結部の一部に対向する対向部分５６ｇを含んでいる。本実施の形態では、特に、導波路５６は、近接場光発生素子２３に対して、基板１の上面１ａからより遠い位置に配置され、導波路５６の下面の一部が、介在層３６を介して、近接場光発生素子２３の上面２３ｃの一部に対向している。この上面２３ｃの一部に対向する導波路５６の下面の一部が対向部分５６ｇである。

クラッド層５７，５８，５９は、導波路５６の屈折率よりも小さい屈折率を有している。導波路５６の材料は、第２の実施の形態における導波路２６と同様である。クラッド層５７，５８，５９の材料は、第２の実施の形態におけるクラッド層３７，３９，４０と同様である。

次に、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド２００の製造方法について説明する。本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッド２００の製造方法は、介在層３６を形成する工程までは、第２の実施の形態と同じである。本実施の形態では、次に、介在層３６の上に、後にクラッド層５７となる図示しない誘電体層を形成する。次に、この誘電体層の上に、クラッド層５７の平面形状に対応した平面形状を有する図示しない金属製マスクを形成する。次に、例えばＲＩＥによって、誘電体層を選択的にエッチングして、クラッド層５７を形成する。このとき、クラッド層５７に端面５７ａを形成する。次に、積層体の上面全体の上に、後に導波路５６となる誘電体層を形成する。次に、例えばＲＩＥによって、誘電体層を選択的にエッチングして、導波路５６の前端面５６ａと２つの側面に対応する各面を誘電体層に形成する。次に、積層体の上面全体の上に、後にクラッド層５８となる他の誘電体層を形成する。

次に、例えばＣＭＰによって、クラッド層５７が露出するまで、上記の２つの誘電体層を研磨する。研磨後に残った２つの誘電体層は導波路５６とクラッド層５８となる。また、この研磨により、入射端面５６ｂが形成されると共に、入射端面５６ｂと、クラッド層５７，５８の上面が平坦化される。

次に、積層体の上面全体の上に、クラッド層５９を形成する。次に、クラッド層５９の上面に配線や端子２１０等を形成する。次に、クラッド層５９の上面すなわちスライダ２０１の上面２０１ｃに、レーザダイオード２０２および外部ミラー２０３を固定する。次に、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面２０１ａの研磨、浮上用レールの作製等を行って、熱アシスト磁気記録ヘッド２００が完成する。

本実施の形態では、レーザダイオード２０２の出射部２２２ａより出射されたレーザ光は、外部ミラー２０３の反射面２０３ｅで反射されて、クラッド層５９を通過して、入射端面５６ｂより導波路５６に入射する。この導波路５６に入射したレーザ光は、導波路５６とクラッド層５７，５８の界面で反射しながら、導波路５６内を媒体対向面２０１ａ（前端面５６ａ）に向けて進行する。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第２の実施の形態と同様である。

［第５の実施の形態］
次に、図３６を参照して、本発明の第５の実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドについて説明する。図３６は、本実施の形態に係る熱アシスト磁気記録ヘッドの要部を示す斜視図である。

本実施の形態では、ｎ電極２１３がスライダ２０１の上面２０１ｃに向くようにレーザダイオード２０２が配置されている。本実施の形態では、レーザダイオード２０２の取付面２０２ａはｎ電極２１３の表面によって形成され、レーザダイオード２０２の背面２０２ｂはｐ電極２１４の表面によって形成されている。本実施の形態では、取付面２０２ａと出射部２２２ａとの間の距離Ｄ３は、背面２０２ｂと出射部２２２ａとの間の距離Ｄ４よりも大きい。

本実施の形態における外部ミラー２０３では、第２の基準面２０３ｄに垂直な方向（Ｙ方向）についての反射面２０３ｅの両端間の距離（高低差）Ｈｍは、レーザダイオード２０２の取付面２０２ａと出射部２２２ａとの間の距離Ｄ３よりも大きい。

本実施の形態では、外部ミラー２０３の第１の基準面２０３ｃは、レーザダイオード２０２の出射端面２０２ｃに接していない。外部ミラー２０３は、第２の基準面２０３ｄがスライダ２０１の上面２０１ｃ（クラッド層４０の上面）に接するように、上面２０１ｃの所定の位置に接合されている。これにより、外部ミラー２０３は、スライダ２０１およびレーザダイオード２０２に対して位置合わせされる。

本実施の形態では、第２の実施の形態においてｐ電極２１４がスライダ２０１の上面２０１ｃに向くようにレーザダイオード２０２が配置されていることによる作用効果は得られない。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第２の実施の形態と同様である。

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、第２、第３および第５の実施の形態において、内部ミラー３８の代りに、上面２６ｃから導波路２６内に入射したレーザ光を、導波路２６内を媒体対向面２０１ａに向けて進行するように回折する回折格子を設けてもよい。

また、第４の実施の形態において、レーザダイオード２０２および外部ミラー２０３を、レーザダイオード２０２の出射部２２２ａより出射されたレーザ光の進行方向が、第３の実施の形態と同様にＹ方向になるように配置してもよい。

また、第５の実施の形態において、第３の実施の形態と同様に、レーザダイオード２０２、外部ミラー２０３、内部ミラー３８および導波路２６を、レーザダイオード２０２の出射部２２２ａより出射されたレーザ光の進行方向と内部ミラー３８で反射された後のレーザ光の進行方向が平行になるように配置してもよい。

また、本発明において、近接場光発生素子２３の形状は、図７、図２０にそれぞれ示した形状以外の形状であってもよい。

２００…熱アシスト磁気記録ヘッド、２０１…スライダ、２０２…レーザダイオード、２０２ａ…取付面、２０２ｃ…出射端面、２０３…外部ミラー、２０３ｃ…第１の基準面、２０３ｄ…第２の基準面、２０３ｅ…反射面。

Claims (22)

1. スライダと、前記スライダに固定された端面発光型のレーザダイオードと、前記スライダの外部に設けられた外部ミラーとを備え、
   前記スライダは、
   記録媒体に対向する媒体対向面と、
   前記媒体対向面に配置された端面を有し、情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極と、
   光を伝播させる導波路と、
   前記媒体対向面に配置された近接場光発生部を有し、前記導波路を伝播する光に基づいて表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンが前記近接場光発生部に伝播され、この表面プラズモンに基づいて前記近接場光発生部より近接場光を発生する近接場光発生素子と、
   前記磁極、近接場光発生素子および導波路が積層された基板とを備え、
   前記レーザダイオードは、活性層と、前記活性層の面に平行な方向の端に位置し、レーザ光の出射部を含む出射端面と、前記活性層の面に垂直な方向の端に位置し、前記スライダに向いた取付面とを有し、
   前記外部ミラーは、前記出射端面に平行であって前記出射端面に向いた第１の基準面と、前記取付面に平行であって前記取付面と同じ方向に向いた第２の基準面と、前記第１の基準面と第２の基準面の各々に対して傾斜して前記第１の基準面と第２の基準面とを連結し、前記出射部より出射されたレーザ光を前記導波路に向けて反射する反射面とを有し、
   前記出射部より出射されたレーザ光は、前記外部ミラーの内部を通過することなく前記反射面で反射されることを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
2. 前記第１の基準面は前記出射端面に接していることを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
3. 前記第２の基準面は前記スライダに接していることを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
4. 前記反射面は、前記第１の基準面と第２の基準面の各々に対して４５°の角度をなしていることを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
5. 前記スライダは、前記媒体対向面とは反対側の背面を備え、
   前記導波路は、前記背面に配置され前記外部ミラーで反射されたレーザ光が入射する入射端面を有し、
   前記レーザダイオードは、前記取付面が前記背面に向くように配置されていることを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
6. 前記基板は、前記磁極、近接場光発生素子および導波路に向いた上面を有し、
   前記スライダは、前記基板の上面の上方の端に位置する上面を有し、
   前記レーザダイオードは、前記取付面が前記スライダの上面に向くように配置されていることを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
7. 前記スライダは、更に、前記外部ミラーで反射されたレーザ光を、前記導波路内を前記媒体対向面に向けて進行するように反射する内部ミラーを備えたことを特徴とする請求項６記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
8. 前記レーザダイオード、外部ミラー、内部ミラーおよび導波路は、前記スライダの上面の上方から見たときに、前記出射部より出射されたレーザ光の進行方向と前記内部ミラーで反射された後のレーザ光の進行方向が直交するように配置されていることを特徴とする請求項７記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
9. 前記レーザダイオード、外部ミラー、内部ミラーおよび導波路は、前記出射部より出射されたレーザ光の進行方向と前記内部ミラーで反射された後のレーザ光の進行方向が平行になるように配置されていることを特徴とする請求項７記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
10. 前記導波路は、前記スライダの上面に配置され前記外部ミラーで反射されたレーザ光が入射する入射端面を有することを特徴とする請求項６記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
11. 前記レーザダイオードは、前記取付面とは反対側の背面を有し、前記取付面と出射部との間の距離は、前記レーザダイオードの背面と出射部との間の距離よりも小さいことを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
12. 前記近接場光発生素子は、前記媒体対向面に配置された第１の端面と、前記媒体対向面からより遠い第２の端面と、前記第１の端面と第２の端面を連結する連結部とを含む外面を有し、前記第１の端面は前記近接場光発生部を含み、
    前記媒体対向面に垂直な方向についての前記近接場光発生素子の長さは、前記基板の上面に垂直な方向についての前記第１の端面の長さよりも大きく、
    前記導波路は、前記連結部の一部に対向する対向部分を含む外面を有することを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
13. 前記スライダは、更に、前記導波路の屈折率よりも小さい屈折率を有し、前記対向部分と前記近接場光発生素子との間に介在する介在層を備えたことを特徴とする請求項１２記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
14. 前記外部ミラーは、前記第１および第２の基準面と、前記第１の基準面と第２の基準面の各々に対して傾斜して前記第１の基準面と第２の基準面とを連結する傾斜面とを有するブロックと、前記傾斜面に付着し前記反射面を構成する金属膜とを有することを特徴とする請求項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。
15. 記録媒体に対向する媒体対向面と、
    前記媒体対向面に配置された端面を有し、情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極と、
    光を伝播させる導波路と、
    前記媒体対向面に配置された近接場光発生部を有し、前記導波路を伝播する光に基づいて表面プラズモンが励起され、この表面プラズモンが前記近接場光発生部に伝播され、この表面プラズモンに基づいて前記近接場光発生部より近接場光を発生する近接場光発生素子と、
    前記磁極、近接場光発生素子および導波路が積層された基板とを備えたスライダと共に熱アシスト磁気記録ヘッドを構成するレーザアセンブリであって、
    前記スライダに固定される端面発光型のレーザダイオードと、
    前記スライダの外部に設けられる外部ミラーとを備え、
    前記レーザダイオードは、活性層と、前記活性層の面に平行な方向の端に位置し、レーザ光の出射部を含む出射端面と、前記活性層の面に垂直な方向の端に位置し、前記スライダに向けられる取付面とを有し、
    前記外部ミラーは、前記出射端面に平行であって前記出射端面に向いた第１の基準面と、前記取付面に平行であって前記取付面と同じ方向に向いた第２の基準面と、前記第１の基準面と第２の基準面の各々に対して傾斜して前記第１の基準面と第２の基準面とを連結し、前記出射部より出射されたレーザ光を前記導波路に向けて反射する反射面とを有し、
    前記出射部より出射されたレーザ光は、前記外部ミラーの内部を通過することなく前記反射面で反射され、
    前記第１の基準面は前記出射端面に接合されていることを特徴とするレーザアセンブリ。
    
16. 前記反射面は、前記第１の基準面と第２の基準面の各々に対して４５°の角度をなしていることを特徴とする請求項１５記載のレーザアセンブリ。
17. 前記レーザダイオードは、前記取付面とは反対側の背面を有し、前記取付面と出射部との間の距離は、前記背面と出射部との間の距離よりも小さいことを特徴とする請求項１５記載のレーザアセンブリ。
18. 前記外部ミラーは、前記第１および第２の基準面と、前記第１の基準面と第２の基準面の各々に対して傾斜して前記第１の基準面と第２の基準面とを連結する傾斜面とを有するブロックと、前記傾斜面に付着し前記反射面を構成する金属膜とを有することを特徴とする請求項１５記載のレーザアセンブリ。
19. 請求項１５記載のレーザアセンブリを製造する方法であって、
    前記外部ミラーを作製する工程と、
    前記外部ミラーの前記第１の基準面を、前記レーザダイオードの前記出射端面に接合する工程とを備え、
    前記外部ミラーを作製する工程は、
    後に前記第１の基準面となる部分を含む第１の初期基準面と、後に前記第２の基準面となる部分を含み、前記第１の初期基準面に直交する第２の初期基準面と、前記第１の初期基準面と第２の初期基準面との間に形成された角部とを有する初期ブロックを作製する工程と、
    前記初期ブロックの前記角部を研磨して、前記第１および第２の基準面と、前記第１の基準面と第２の基準面の各々に対して傾斜して前記第１の基準面と第２の基準面とを連結する傾斜面とを有するブロックを作製する工程と、
    前記傾斜面に、前記反射面を構成する金属膜を付着させる工程とを有することを特徴とするレーザアセンブリの製造方法。
20. 前記反射面は、前記第１の基準面と第２の基準面の各々に対して４５°の角度をなしていることを特徴とする請求項１９記載のレーザアセンブリの製造方法。
21. 前記レーザダイオードは、前記取付面とは反対側の背面を有し、前記取付面と出射部との間の距離は、前記背面と出射部との間の距離よりも小さいことを特徴とする請求項１９記載のレーザアセンブリの製造方法。
22. 前記初期ブロックは、直方体形状を有していることを特徴とする請求項１９記載のレーザアセンブリの製造方法。

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