CN101541553B - 光信息记录介质及其记录和/或再现方法 - Google Patents
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Abstract
通过在基板10上顺序地层叠反射层11、保护层12、记录层13、保护层14、以及透光保护层13来构造光信息记录介质1。可以采用包含ZnS、SiO2和Sb作为主要成分的记录层，或优选地由组成化学式[(ZnS)x(SiO2)1-x]y(SbzX1-z)1-y(其中满足0＜x≤1.0，0.3≤y≤0.7且0.8＜z≤1.0，X表示选自Ga、Te、V、Si、Zn、Ta和Tb的组中的至少一种元素)表示的记录层作为记录层13。
Description
技术领域
本发明涉及光信息记录介质及其记录和/或再现方法。本发明优选地特别适于一次写入型光信息记录介质。
背景技术
在包括CD和DVD的光信息记录介质中，目前有机染料材料主要被用作一次写入型信息记录介质材料。这是因为，当使用有机染料材料时，在记录或再现所用的激光的波带上，相对比较容易支持与根据标准需要相对较高反射率的只读存储器(ROM)之间的可互换性。此外，该记录介质可以通过在旋涂有机染料之后根据溅射法形成反射层的简单工艺来生产。使用有机染料材料在诸如设备投资的制造成本方面是有利的。
然而，由于在记录或再现时所采用的激光的波长已经变短，并且已经使用在蓝紫光的波带内的激光(波长大约为400nm)，情况变得不同了。具体地说，不容易制备在记录灵敏性和信号特性方面可以与该波长的激光相匹配的有机染料。通过传统的简单工艺不能容易地实现记录介质的层结构。此外，在高密度记录中的推挽信号或串扰方面还明显发现不利的情况，当根据旋涂法来制造记录介质时，不能保持岸部(land part)与槽部(groove part)的一致性。
为了满足要求，当前迫切希望应用无机记录材料而不是有机染料材料。尽管过去已经研究了采用无机记录材料的记录介质，但是由于这种记录介质难以与具有高反射率的ROM相互换，并且形成多层材料需要昂贵的溅射设备，所以这种记录介质的实际应用被搁置了。然而，无机记录介质对于所使用的激光的波长的依赖性通常不像有机材料那么高。而且，近年来已经实现的多个记录层的形成(包括多个记录层使得相同尺寸的光盘的记录容量变大二倍或更多)比采用有机染料材料更容易实现。因此，使用无机记录材料作为新一代的光记录材料来代替有机染料材料成为主流，并且无机记录材料已经被投入实际应用。
作为无机记录材料，过去提出了各种不同类型的材料。例如，提出了一种采用使由不同金属材料制成的两层或更多层薄膜连接的记录层的光记录介质(参见专利文献1)。在该光记录介质中，使用激光辐射所散发的热来使多层膜部分地重组成合金以形成单个膜，从而形成记录标记。作为应用该方法的各实例，随着材料的不同改变，而提出了各种不同的形式(例如，参考专利文献2)。此外，提出了使用用于记录层的氧化物的一次写入型光记录介质(例如，参考专利文献3和4)。
然而，前述记录介质不能被称作完全满足一次写入型光信息记录介质所需的所有条件。具体地说，记录在一次写入型光信息记录介质中的信息需要如其初始被写入的一样稳定地长期保存(档案特性)；在信号再现过程中，信号不能被再现激光破坏(再现稳定性)；以及写特性能够保持而不会由于正常的长期保存而导致其恶化(搁置寿命特性)。上述传统记录介质不能称作满意地具有这些特性。此外，从制造记录介质的成本或保留制造过程中的利润的角度来说，构成记录介质的层的数量需要尽可能的小，并且需要制造过程简单。而且，在记录和再现特性方面需要足够的灵敏性和足够的响应速度。从而对于较宽范围的线速度保证优秀的记录/再现信号。
提出一种采用无机记录材料的光记录介质：具有由包含Zn、Sn、Sb和Te的合金制成的记录层的介质(参考专利文献5)；具有包含由AxB1-x表示的化合物作为主要成分的记录材料制成的记录层的介质(其中A表示选自Zn、Ga、In、Si、Ge、Sn、Bi和Sb的组中的至少一种元素，B表示选自Se、Te、S和O的组中的至少一种元素，以及x表示用2.0～3.0的数值范围内的平均配位数的构成比)(参考专利文献6)；具有形成有表示为Mw((SbzTe1-z)1-w(0≤w＜0.3，0.5＜z＜0.9，以及M表示选自In、Ga、Zn、Ge、Sn、Si、Cu、Au、Ag、Pd、Pt、Pb、Cr、Co、O、S和Se的组中的至少一种元素)的合金薄膜的记录层的介质(参考专利文献7和8)；具有由包含作为主要成分的Te、作为次要成分的包含选自Ge、Sb、Bi、Se、S、As、Tl、In、Ga、Au、Ag、Cu、Pd、Pt、Ni和Co的组中的至少一种元素的原子百分比总数等于或大于30且小于60的合金、以及作为添加剂的选自ZnS、ZnTe、ZnSe、SiO2、TiO2、Al2O3、TiC、ZrC以及HfC的组中的至少一种材料的一种材料制成的记录层的介质(参考专利文献9)；包括具有被表示为SbaInbSncZndSieOfSh(其中a＞0，b＞0，c＞0，d＞0，e＞0，f＞0，h＞0，并且满足a+b+c+d+e+f+h＝100)的组成的记录层的介质(参考专利文献10)；包括具有表示为SbaXbSncZndSieOfSh(其中X表示选自In、Ge、Al、Zn、Mn、Cd、Ga、Ti、Si、Te、Nb、Fe、Co、W、Mo、S、Ni、O、Se、Tl、As、P、Au、Pd、Pt、Hf、以及V中的元素，并且a＞0，b＞0，c＞0，d＞0，e＞0，f＞0，h＞0，并且满足a+b+c+d+e+f+h＝100)的组成的记录层的介质(参考专利文献11)；以及包括包含选自Ni、Cu、Si、Ti、Ge、Zr、Nb、Mo、In、Sn、W、Pb、Bi、Zn和La的组中的至少一种金属M以及在被记录激光束照射时与金属M键联从而与金属M产生化合物晶体的元素X的记录层的介质(参考专利文献12和13)。
专利文献1：JP-A-62-204442
专利文献2：日本专利第3066088号
专利文献3：JP-B-54-7458
专利文献4：JP-A-2006-281751
专利文献5：JP-A-11-235873
专利文献6：JP-A-8-104060
专利文献7：JP-A-10-172179
专利文献8：JP-A-2001-236690
专利文献9：JP-A-5-124353
专利文献10：JP-A-2003-72244
专利文献11：JP-A-2003-182237
专利文献12：JP-A-2005-125726
专利文献13：JP-A-2005-129192
如上所述，难以廉价地提供一种具有以下特性的一次写入型光信息记录介质：长期稳定如初始般保存在其上记录的信息；在信号再现过程中信号不受到再现激光的损坏；维持写特性而不会由于正常长期保存而劣化；提供满意的灵敏度和满意的响应速度；以及相对于较宽范围的线速度或记录功率可以实现出色的记录和再现特性。
本发明所要解决的技术问题是提供一种满足上述的所有条件的光信息记录介质，以及该光信息记录介质的记录和/或再现方法。
发明内容
本发明的发明人等已经进行努力研究来解决上述问题。因此，本发明的发明人等已经找到并且试验验证了通过采用包含ZnS、SiO2和Sb作为主要成分的材料来作为光信息记录介质的记录层的材料能够满足前述的条件，进而作出本发明。
为了解决上述问题，第一发明提供了一种光信息记录介质，其特征在于，该光信息记录介质包括包含ZnS、SiO2和Sb作为主要成分的记录层。
第二发明提供了一种用于光信息记录介质的记录和/或再现方法，该光信息记录介质包括包含ZnS、SiO2和Sb作为主要成分的记录层。
该记录和/或再现方法的特征在于通过使波长等于或大于385nm且等于或小于415nm的激光落在记录层上来实现记录和/或再现。
在光信息记录介质中，通过激光的照射使记录层经历质变来记录信息，该质变伴随着光学常数的改变。
如果必要，除了ZnS、SiO2和Sb之外，记录层还可以包含选自Ga、Te、V、Si、Zn、Ta和Tb的组中的至少一种元素。记录层优选地具有满足下面化学式(1)的组成。
[(ZnS)x(SiO2)1-x]y(SbzX1-z)1-y (1)
其中，满足0＜x≤1.0，0.3≤y≤0.7，以及0.8＜z≤1.0，X表示选自Ga、Te、V、Si、Zn、Ta和Tb的组中的至少一种元素。
记录层的厚度是根据需要决定的。为了优异的记录和再现特性，该厚度优选地等于或大于3nm且等于或小于40nm。
在光信息记录介质中，通常记录层存在于基板上。除了记录层之外，光信息记录介质还可以设置有由金属或半金属制成的反射层，或由电介质形成的保护层，从而它可以表现出期望的记录和再现特性。层的数量和层的顺序可以根据期望的记录和再现特性自由地选择。通常，光信息记录介质具有介于基板和记录层之间的反射层。用于记录和/或再现的激光落在光信息记录介质的记录层侧上。反射层通常由确保高反射率的金属和/或半金属制成。光信息记录介质包括在记录介质的至少一侧面上与记录介质的表面接触布置的保护层，并且该保护层是由电介质形成的。或者，光信息记录介质包括介于基板和记录层之间的反射层，以及介于反射层和记录层之间的保护层，该保护层在记录层的一侧上与记录层的表面接触，并且由电介质形成。记录和/或再现激光落在光信息记录介质的记录层侧上。或者，光信息记录介质包括介于基板和记录层之间的反射层；介于反射层和记录层之间的第一保护层，该第一保护层在记录层的一侧上与记录层的表面接触，并由电介质形成；以及第二保护层，其设置为在与基板相对的记录层的一侧上与记录层的表面相接触，并由电介质形成。记录和/或再现激光落在光信息记录介质的记录层侧。
光信息记录介质可以包括一个记录层或可以包括多个记录层，即，可以是多层光信息记录介质。由于包括包含ZnS、SiO2和Sb作为主要成分的记录层或包括具有满足化学式(1)的组成的记录层的光信息记录介质表现出高反射率和宽功率范围，多层光信息记录介质通常可以包括作为最远离记录和/或再现激光的入射/发射侧的记录层的记录层，该记录层包含ZnS、SiO2、和Sb作为主要成分或具有满足化学式(1)的组成。可以采用已知的一次写入型或可再写型的记录层或仅允许再现的记录层作为除了最远的记录层之外的记录层。
用于在光信息记录介质上执行记录和/或再现的激光的波长通常等于或大于385nm且等于或小于415nm。然而，本发明不局限于该波长。
在具有前述结构的第一和第二发明中，包含ZnS、SiO2和Sb作为主要成分的记录层，或特别地，具有表示为[(ZnS)x(SiO2)1- x]y(SbzX1-z)1-y的组成的记录层稳定性极好并且表现了对波长等于或大于385nm且等于或小于415nm的激光的优异的灵敏性和响应速度。
根据本发明，记录的信息如其初始般被稳定地长期保存；信号在信号再现过程中不会被再现激光损坏；写特性被保持，而不会由于正常的长期保存而劣化；由于不仅构成记录介质的层的数量小，而且制造工艺简单，所以记录介质的制造成本和制造工艺的利润能够被确保；对于记录和/或再现激光提供满意的灵敏性和响应速度；相对于较宽范围的线速度或记录功率表现出的优异的记录和再现特性；对记录和/或再现激光的波长的依赖性是有限的；不需要初始化；即使对于再现激光的功率也能确保卓越的稳定性；以及环境可靠性高。
附图说明
图1是示出了根据本发明的第一实施例的光信息记录介质的主要部分的截面视图。
图2是示出了根据实例1的光信息记录介质的相对于记录功率的调制度的变化的曲线示意图。
图3是示出了根据实例1的光信息记录介质的相对于记录功率的抖动的变化的曲线示意图。
图4是示出了在根据实例1的光信息记录介质的落有记录/再现激光的那一侧上被用作保护层的Ta2O5膜的厚度和反射率之间的关系的曲线示意图。
图5是示出了根据实例1的光信息记录介质的记录层的组成与记录和再现特性之间的关系的曲线示意图。
图6是示出了根据实例1的光信息记录介质的记录层的组成和记录和再现特性之间的关系的曲线示意图。
图7是示出了根据实例1的光信息记录介质在80℃和85％RH的环境下保存200小时之前和之后所观测到的反射率的曲线示意图。
图8是示出了根据实例1的光信息记录介质在80℃和85％RH的环境下保存200小时之前和之后所观测到的调制度的曲线示意图。
图9是示出了根据实例1的光信息记录介质在80℃和85％RH的环境下保存200小时之前和之后所观测到的相对于记录功率的抖动的变化的曲线示意图。
图10是示出了在根据实例1的光信息记录介质上以0.6mW的功率、19.68m/s的线速度执行一百万次再现操作的情况下观测到的调制度的变化的曲线示意图。
图11是示出了在根据实例1的光信息记录介质上以0.6mW的功率、19.68m/s的线速度执行一百万次再现操作的情况下观测到的抖动的变化的曲线示意图。
图12是示出了根据本发明的第二实施例的光信息记录介质的主要部分的截面视图。
图13是示出了根据本发明的第三实施例的光信息记录介质的主要部分的截面视图。
图14是示出了根据本发明的第四实施例的光信息记录介质的主要部分的截面视图。
图15是示出了根据实例2的光信息记录介质的相对于记录功率的调制度的变化的曲线示意图。
图16是示出了根据实例2的光信息记录介质的相对于记录功率的抖动的变化的曲线示意图。
图17是示出了根据本发明的第五实施例的光信息记录介质的主要部分的截面视图。
具体实施方式
下面将参考附图描述本发明的实施例。在实施例的所有附图中，相同的附图标号表示相同或等同的部件。
图1示出了根据本发明的第一实施例的光信息记录介质1。
如图1所示，在光信息记录介质1中，反射层11、保护层12、记录层13、保护层14、以及透光保护层15依次层叠在基板10上。通过使波长例如等于或大于385nm且等于或小于415nm的激光进入或离开透光保护层15侧来在光信息记录介质1上执行记录/再现。光信息记录介质1通常具有盘状的形状。然而，光信息记录介质1的形状不限于盘状的形状。
记录层13包含ZnS、SiO2和Sb作为主要成分，如果必要的话，还包含选自Zn、Ga、Te、V、Si、Ta和Tb的组中的至少一种元素，并且优选地具有由化学式(1)所表示的组成。作为记录介质13的形成方法，优选地采用溅射方法。然而，形成记录介质13的方法不限于溅射方法。
基板10的材料、厚度以及形成方法在确保期望的特性的情况下可以任意选择。作为制成基板10的材料，考虑到成本，优选为诸如聚碳酸酯或丙烯酸树脂的塑料材料。然而，基板10的材料不限于塑料材料。可以采用诸如玻璃的任何其它材料。此外，在记录/再现激光进入或离开透光保护层15侧的情况下，基板10不需要是透明的。因此，诸如金属的非透明材料也可以被用作基板10的材料。当采用塑料材料作为基板10的材料时，采用紫外光固化树脂的注射成型法或光致聚合物法(2P法)可以被用于形成基板10。基板10的材料和形成方法不限于上面所提及的。只要能满意地保证期望的形状(例如，具有1.1mm的厚度和120mm的直径的盘状)和基板10的表面上的光平滑，任何材料和形成方法都可行。基板10的厚度不限于任何特定值，但是优选地等于或大于0.3mm且等于或小于1.3mm。当基板10的厚度小于0.3mm，光信息记录介质1的强度可能被恶化，并且光信息记录介质1很可能会翘曲。相反，如果基板10的厚度大于1.3mm，光信息记录介质1的厚度变为大于厚度为1.2mm的CD或DVD的厚度。在这种情况下，当构造与所有类型的记录介质相兼容的记录/再现驱动器时，可能不能共用相同的碟盘。
此外，凹凸槽轨道或坑点可以形成在基板10的一侧的表面中，在该侧上形成有记录层13和其它层。在该种情况下，记录/再现激光可以被槽引导以使该激光可以移动到光信息记录介质1上的任意位置，或能够获得地址信息。顺便提及，对于槽的形状，可以采用包括螺旋形、同心形和坑串的各种形状。
可以基于反射层11所要求表现的特性来任意选择和使用通常用于传统已知光盘的金属或半金属作为反射层11的材料，例如Ag合金或Al合金。此外，应该采用除了具有反光性之外还具有散热性的材料作为反射层11的材料。在这种情况下，反射层11可以被设置为具有作为散热层的功能。
保护层12和14旨在保护记录层13并控制记录/再现过程中的光特性和热特性。可以基于保护层12和14所需要表现的特性来任意选择和使用通常用于传统已知光盘的电介质作为保护层12和14的材料，例如SiN、ZnS-SiO2、或Ta2O3。
如上所述，当使记录/再现激光进入或离开透光保护层15侧时，透光保护层15优选地被形成为不表现出对激光的吸收性。具体地，例如，透光保护层15的厚度等于或小于0.3mm。此时，相对于记录/再现激光的透射率为90％或更高的材料优选地被选择作为透光保护层15的材料。特别地，当透光保护层15的厚度在3μm至177μm的范围内时，如果包括在用于光信息记录介质1的记录/再现驱动器的记录/再现光系统中的透镜的高数值孔径NA(例如，0.85)被结合使用，则可以实现高密度记录。
只要前述条件满足，透光保护层15的结构和形成方法不限于任何特定结构和形成方法。具体地，可以通过使用旋涂仪等施加0.3mm或更少(例如，0.1mm)的期望厚度的紫外光固化树脂，然后进行紫外光照射以固化树脂来形成透光保护层15，其中紫外光固化树脂经固化后在记录/再现激光的波带内不表现出吸收性。或者，通过将透光片(膜)放置在通过旋涂法施加的厚度在例如5至15μm范围内的紫外光固化型粘合剂上，然后进行紫外光照射来形成透光保护层15，透光片(膜)在光学上足够平滑，并且由厚度为0.3mm或更少的诸如聚碳酸酯树脂或丙烯酸树脂的塑料材料制成。或者，通过使用诸如压敏粘合剂(PSA)的粘合剂来粘合透光片可以形成透光保护层。
如果必要，由有机或无机材料制成的保护层(未示出)可以形成在透光保护层15的表面上，用于防止灰尘黏附到透光保护层15的表面或防止在透光保护层15的表面上形成瑕疵。保护层也优选地由对于记录/再现激光几乎不表现出吸收性的材料制成。
(实例1)
如下所述制造光信息记录介质1，采用了具有数值孔径为0.85的两组物镜和以在蓝紫外光的波带内的405nm波长发光的半导体激光源的光盘记录/再现装置在该光信息记录介质上执行记录/再现。
使用注射模制造在其一侧具有槽的聚碳酸酯基板作为基板10，聚碳酸酯基板具有1.1mm的厚度、0.32μm的轨道间距以及20nm的槽深。在聚碳酸酯基板上，根据溅射法顺序地形成作为反射层11的100nm厚的Ag合金膜、作为保护层12的30nm厚的Ta2O5膜、20nm厚的记录层13、以及作为保护层14的30nm厚的Ta2O5膜。另外，在根据旋涂法在最外层的Ta2O5膜上施加15μm厚的紫外光固化型粘合剂之后，在粘合剂上放置由聚碳酸酯制成的85μm厚的透光片(膜)，并进行紫外光照射以形成透光保护层15。这样制成光信息记录介质1。
为了根据溅射法形成记录层13，使用将ZnS、SiO2、Sb和Zn混合制备的单一物质靶，并以95sccm注入Ar气。在该状态下，执行共溅射。根据卢瑟福背散射分析方法(RBS)来测量所获得的薄膜的组成。原子序数比近似于Zn∶Sb∶Si∶S∶O＝14∶15∶2∶10∶9。这相当于被表示为化学式(1)的组成被赋值为x＝0.8，y＝0.45，且z＝0.9。
测量这样制成的光信息记录介质1。为了测量，采用了由Pulstec Industrial Co.，Ltd制造的ODU-1000(激光波长：405nm)、由Advantest Corp.制成的频谱分析仪R3267、和由Leader Electronics Corp.制造的抖动分析仪LE1876。在光信息记录介质1上以遵守蓝光盘25-GB密度标准的4.92m/s的线速度和74.50nm的信道比特长(channel bit length)执行信号测量。除了4.92m/s的线速度，还以9.84m/s的双倍线速度和19.68m/s的四倍线速度执行信号记录。为了进行抖动测量，采用由Pulstec IndustrialCo.，Ltd.制造的限制均衡器处理的信号。该均衡器增益为7.0dB。
这样，对光信息记录介质1执行记录/再现测量。在4.92m/s的线速度(一倍的速度)下，当记录功率为4.9mW时，抖动为5.9％。假设调制度被定义为相对于用于每8T空闲部(space part)的信号电平I8H和用于每8T标记部(mark part)的信号电平I8L的(I8H-I8L)/I8H，其值为53％。因此，表现了非常出色的记录和再现特性。
此外，在9.84m/s的双倍线速度(两倍的速度)下，当记录功率是6.8mW时，抖动(jitter)为6.3％，以及调制度为56％。在19.68m/s的四倍线速度(四倍的速度)下，当记录功率为7.2mW时，抖动为5.9％，以及调制度为64％。
图2和图3示出了记录/再现测量的结果。如图2所示，光信息记录介质1在任何线速度下都具有高记录灵敏性，并表现了非常出色的记录和再现特性。如图3所示，当将8.5％的抖动作为上限时，记录功率的变化幅度足够宽以容许在任何线速度下的大约±15％的功率变化。因此，光信息记录介质具有足够宽的功率幅度(powermargin)。
光信息记录介质1的反射率是16％。如果需要较高的反射率，如图4所示，通过控制在一侧上落有记录/再现激光的用作保护层14的Ta2O5膜的厚度，可以提供20％或更高的反射率。因此，通过优化光热特性可以进一步改善信号特性。
图5示出了当表示记录层13的组成的化学式(1)中的y发生变化时发生的抖动变化，图6示出了当化学式(1)中的x发生变化而其中的y固定为0.4时发生的抖动变化。图5和图6证明了提供在0＜x≤1.0且0.3≤y≤0.7之间的低抖动。此外，表1示出了当化学式(1)中的元素X改变时发生的记录和再现特性的改变。表1还示出了作为比较例，在Mg被作为X的情况下，所获得的记录和再现特性的测量的结果。表1证明了：当化学式(1)中的元素X是Ga、Te、V、Si、Zn、Ta或Tb时，提供了出色的记录和再现特性；但是在x为Mg的比较例中，没有提供出色的记录和再现特性。表2示出了在记录层13的组成被表示为[(ZnS)0.8(SiO2)0.2]0.4(SbzGa1-z)0.6情况下，当z改变时发生的记录和再现特性的改变。表2证明了当化学式(1)中的z满足0.8＜z≤1.0时，提供了出色的记录和再现特性。
表1
表2
如图5、图6、表1和表2所示，记录和再现特性可以通过改变记录层13的组成而被改变。图5证明当满足0.3≤y≤0.7，或更特别地，满足0.4≤y≤0.5时，提供了特别低的抖动。此外，图6证明了：当满足0＜x≤1.0时，如果x大约在0.4至1.0的范围内，则提供了特别低的抖动；并且当x大约在0.3至大约0.9的范围内，则提供更低的抖动。
在根据实例1的光信息记录介质1上执行预定记录之后，将其放入80和85％RH的恒温恒湿环境中。然后，经过200小时后，测量与前述相同的记录和再现特性。结果，如图7、图8和图9所示，所测量的反射率、调制度、以及抖动的值与在将光信息记录介质投入恒温恒湿环境之前所测量到的值相比没有改变。尽管图中未示出，所测量到的记录灵敏度和C/N的值与在将光信息记录介质投入恒温恒湿环境之前所测量到的值相比也没有改变。因此，光信息记录介质1即使在恶劣的环境下显然也可以长时间保持良好的特性。
在根据实例1的光信息记录介质1上执行预定记录，并在比通常更苛刻的再现功率条件下执行再现。如图10和图11所示，即使在以19.68m/s的四倍线速度且以0.6mW的功率执行一百万次再现时，抖动和调制度也没有改变。因此，光信息记录介质1即使重复再现显然也可以长时间保持满意的记录状态。
如上所述，根据第一实施例，当记录层13包含ZnS、SiO2和Sb作为主要成分，并且优选地具有表示为化学式(1)的组成时，可以廉价地提供一次写入型光信息记录介质，在该介质中，记录的信息可以长时间被稳定如初地保存；信号不会被信号再现时的再现激光破坏；写特性被保持而不会由正常长期保存引起恶化；提供了优异的灵敏性和优异的响应速度；以及相对于较宽的线性速度或记录功率范围可以实现出色的记录和再现信号特性。一次写入型光信息记录介质优选地用于波长等于或大于385nm且等于或小于415nm的激光被用于记录/再现的情况下。
接下来，下面将描述根据本发明的第二实施例的光信息记录介质。
图12示出了光信息记录介质2。
如图12所示，在光信息记录介质2中，类似于第一实施例的光信息记录介质1，反射层11、保护层12、记录层13、保护层14、以及透光保护层15层叠在基板10上。此外，保护层16介于保护层12和记录层13之间。保护层16旨在防止反射层12的材料(例如Ag合金膜)和记录层13的ZnS-SiO2彼此发生反应。采用具有对抗Ag原子或类似物的屏障功能的保护层，例如，采用SiN膜。
在第二实施例中，除了上述的不同点以外，其他结构都与第一实施例相同。
根据第二实施例，可以提供与第一实施例的优点相同的优点。
接下来，下面将描述根据本发明的第三实施例的光信息记录介质。
图13示出了光信息记录介质3。
如图13所示，在光信息记录介质3中，反射层11、保护层12、记录层13、以及保护层14的放置顺序与在根据第一实施例的光信息记录介质1中的放置顺序相反。具体地，在光信息记录介质3中，保护层14、记录层13、保护层12、以及反射层11顺序地层叠在基板10上，以及透光保护层15层叠在保护层11的最上层。通过使激光进入或离开基板10侧来在光信息记录介质3上执行记录/再现。在该种情况下，采用对记录/再现激光几乎不表现出吸收性的材料作为基板10的材料，例如，诸如聚碳酸酯或丙烯酸树脂的塑料材料。
在第三实施例中，除了上述的不同点以外，其他结构与第一实施例的结构相同。
根据第三实施例，可以提供与第一实施例的优点相同的优点。
接下来，下面将描述根据本发明的第四实施例的光信息记录介质。
图14示出了光信息记录介质4。
如图14所示，在光信息记录介质4中，类似于根据第一实施例的光信息记录介质1，反射层11、保护层12、记录层13、和保护层14顺序地层叠在基板10上。然而，与根据第一实施例的光信息记录介质1不同的是，在保护层14上顺序地层叠中间层17和记录层18，并且透光保护层15层叠在记录层18上。光信息记录介质4是包括两个记录层13和18的两层光信息记录介质。通过使激光进入或离开透光保护层15侧来在光信息记录介质4上执行记录/再现。
中间层17可以通过例如以下步骤形成：使用旋涂仪或类似物施加期望厚度(例如，20至30μm)的紫外光固化树脂，或者粘合光固化PSA，然后执行紫外光照射，其中，紫外光固化树脂被固化后在用于记录/再现的激光波带内不表现出吸收性，并且光固化PSA在被固化后在用于记录/再现的激光波带内不表现出吸收性。具有凹凸槽轨道的基板可以用于在紫外线照射过程中转印(transfer)凹凸槽轨道。
第二记录层18被构造为表现出足够高的透射率，以使记录/再现激光穿过第二记录层进入或离开第一记录层13来执行记录/再现。记录层18可以是一次写入型或可再写型的记录层，或者可以是仅允许再现的记录层。
(实例2)
如下所述，制造在其上由光盘记录/再现设备执行记录/再现的光信息记录介质4，光盘记录/再现设备采用具有0.85的数值孔径的两组物镜以及发出在蓝紫光的波带范围内的405nm波长的光的半导体激光源。
使用注射模制造在其一侧具有槽的聚碳酸酯基板作为基板10，聚碳酸酯基板具有1.1mm的厚度、0.32μm的轨道间距以及20nm的槽深。在聚碳酸酯基板上，根据溅射法顺序地形成作为反射层11的100nm厚的Ag合金膜，作为保护层12的30nm厚的Ta2O5膜、20nm厚的记录层13，以及作为保护层14的30nm厚的Ta2O5膜。在根据旋涂法在最外层的Ta2O5膜上施加25μm厚的紫外光固化型粘合剂之后，聚碳酸酯压模用于转印槽轨道，并且执行紫外光照射以形成中间层17。在中间层17上形成第二记录层18。此外，在根据旋涂法向记录层18施加15μm厚度的紫外光固化型粘合剂之后，放置85μm厚的聚碳酸酯透光片(膜)，然后执行紫外光照射以形成透光保护层15。这样，制成光信息记录介质4。
测量这样制成的光信息记录介质4。为了测量，采用了由Pulstec Industrial Co.，Ltd制造的ODU-1000(激光波长：405nm)、由Advantest Corp.制成的频谱分析仪R3267、和由Leader Electronics Corp.制造的抖动分析仪LE1876。在光信息记录介质4上以遵守蓝光盘DL50GB密度标准的4.92m/s的线速度和74.50nm的信道比特长执行信号测量。除了4.92m/s的线速度，还以9.84m/s的双倍线速度和19.68m/s的四倍线速度执行信号记录。为了进行抖动测量，采用由Pulstec Industrial Co.，Ltd.制造的限制均衡器处理的信号。该均衡器增益为7.0dB。
对光信息记录介质4执行记录/再现测量。在4.6％的反射率和4.92m/s的线速度(一倍的速度)下，当记录功率为9.1mW时，抖动为6.3％。当调制度被定义为相对于用于每8T空闲部(space part)的信号电平I8H和用于每8T标记部(mark part)的信号电平I8L的(I8H-I8L)/I8H，其值为57％。因此，光信息记录介质4表现了非常出色的记录和再现特性。
在9.84m/s的双倍线速度(两倍的速度)下，当记录功率是6.8mW时，抖动为6.5％，调制度为58％。在19.68m/s的四倍线速度(四倍的速度)下，当记录功率为11.9mW时，抖动为6.5％，调制度为65％。
图15和图16示出了记录/再现测量的结果。如图15所示，光信息记录介质4对于任何线速度都具有高记录灵敏性，并表现了非常出色的记录和再现特性。如图16所示，假设8.5％的抖动为上限时，记录功率中的变化幅度足够宽以容许在任何线速度下的大约±15％的功率变化。因此，光信息记录介质4具有足够宽的功率幅度。
根据第四实施例，具有与第一实施例的优点相同的优点的两层的一次性写光信息记录介质可以被廉价地提供。
接下来，下面将描述根据本发明的第五实施例的光信息记录介质。
图17示出了光信息记录介质5。
如图17所示，在光信息记录介质5中，类似于第一实施例的光信息记录介质1，反射层11、保护层12、记录层13、和保护层14可以顺序地层叠在基板10上。其不同于第一实施例的光信息记录介质1之处在于：中间层19、记录层20、中间层21、记录层22、中间层23、以及记录层24进一步顺序地层叠在保护层14上；并且透光保护层15层叠在记录层24上。光信息记录介质4是具有四层记录层13、20、22、和24的四层光信息记录介质。通过使激光进入或离开透光保护层15侧来在光信息记录介质4上执行记录/再现。
中间层19、21、和23可以通过以下步骤形成：使用旋涂仪或类似物施加期望厚度(例如，20至30μm)的紫外光固化树脂，或者粘合光固化PSA，然后执行紫外光照射，其中，紫外光固化树脂被固化后在用于记录/再现的激光波带内不表现出吸收性，并且光固化PSA在被固化后在用于记录/再现的激光波带内不表现出吸收性。具有凹凸槽轨道的基板可以用于在紫外线照射过程中转印凹凸槽轨道。
第二记录层20、第三记录层22、以及第四记录层24被构造为表现出足够高的透射率以使记录/再现激光穿过记录层进入或离开第一记录层13来执行记录/再现。记录层20、22、和24可以是一次写入型或可再写型的记录层，或者可以是仅允许再现的记录层。
根据第五实施例，具有与第一实施例的优点相同的优点的四层的一次性写光信息记录介质可以被廉价地提供。
以上具体地描述了本发明的实施例。然而，本发明不限于这些实施例。基于本发明的技术思想可以产生多种变形。
例如，在第一至第五实施例以及实例1和2中采用的数值、材料、结构和形状仅仅是示例性的。如有必要，可以采用不同的数值、材料、结构和形状。
Claims (10)
1.一种光信息记录介质，其特征在于，
所述光信息记录介质包括包含ZnS、SiO2和Sb作为主成分的记录层；
所述记录层包含选自Ga、Te、V、Si、Zn、Ta和Tb的组中的至少一种元素；以及
所述记录层具有满足下面公式(1)的组成：
[(ZnS)x(SiO2)1-x]y(SbzX1-z)1-y (1)
其中满足0＜x≤1.0，0.3≤y≤0.7，以及0.8＜z≤1.0，X表示选自Ga、Te、V、Si、Zn、Ta和Tb的组的至少一种元素。
2.根据权利要求1所述的光信息记录介质，其特征在于，所示记录层的厚度等于或大于3nm且等于或小于40nm。
3.根据权利要求1所述的光信息记录介质，其特征在于，所述光信息记录介质具有在基板上的所述记录层。
4.根据权利要求3所述的光信息记录介质，其特征在于，所述光信息记录介质在所述基板和所述记录层之间具有反射层；以及记录和/或再现激光进入所述记录层侧。
5.根据权利要求4所述的光信息记录介质，其特征在于，所述反射层由金属和/或半金属制成。
6.根据权利要求1所述的光信息记录介质，其特征在于，所述光信息记录介质包括保护层，其在所述记录层的至少一个侧面上与所述记录层的表面接触，并由电介质形成。
7.根据权利要求3所述的光信息记录介质，其特征在于，所述光信息记录介质包括介于所述基板和所述记录层之间的反射层；以及介于所述反射层和记录层之间，在所述记录层的一个侧面上与所述记录层的表面接触并由电介质形成的保护层；以及记录和/或再现激光进入所述记录层侧。
8.根据权利要求3所述的光信息记录介质，其特征在于，所述光信息记录介质包括介于所述基板和记录层之间的反射层；介于所述反射层和记录层之间，在所述记录层的一个侧面上与所述记录层的表面接触并由电介质形成的第一保护层；以及在与所述基板相对的所述记录层的一个侧面上与所述记录层的表面接触放置并由电介质形成的第二保护层；以及记录和/或再现激光进入所述记录层侧。
9.根据权利要求1所述的光信息记录介质，其特征在于，所述光信息记录介质包括多个记录层。
10.一种记录和/或再现方法，用于根据权利要求1所述的光信息记录介质，其特征在于，通过使波长等于或大于385nm且等于或小于415nm的激光进入所述记录层来执行记录和/或再现。
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| JPS57205192A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Optical information recording medium |
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| JPS61177284A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-08 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
| JPS62204442A (ja) | 1986-03-03 | 1987-09-09 | Toshiba Corp | 光記録媒体および光記録媒体の記録方法 |
| JPS62246158A (ja) * | 1986-04-19 | 1987-10-27 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報記録媒体 |
| JPS62275335A (ja) * | 1986-05-22 | 1987-11-30 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
| JPS6361432A (ja) * | 1986-08-30 | 1988-03-17 | Toshiba Corp | 光記録媒体 |
| JP2506696B2 (ja) * | 1986-12-04 | 1996-06-12 | 松下電器産業株式会社 | 光学情報記録再生消去部材 |
| JPS63173241A (ja) * | 1987-01-12 | 1988-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録媒体 |
| JP2830132B2 (ja) | 1989-08-04 | 1998-12-02 | 松下電器産業株式会社 | カセット蓋体の透明板及び操作釦取付け装置 |
| US5169745A (en) * | 1989-09-12 | 1992-12-08 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium |
| JP3066088B2 (ja) | 1990-12-29 | 2000-07-17 | 日立マクセル株式会社 | 光情報記録媒体および情報の記録再生方法 |
| JPH05124353A (ja) * | 1991-11-07 | 1993-05-21 | Toray Ind Inc | 光記録媒体 |
| JPH08104060A (ja) | 1994-10-04 | 1996-04-23 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体 |
| JP3255051B2 (ja) | 1996-12-05 | 2002-02-12 | 三菱化学株式会社 | 光学的情報記録用媒体 |
| JPH11235873A (ja) | 1998-02-23 | 1999-08-31 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体 |
| JP3255172B2 (ja) | 2001-01-09 | 2002-02-12 | 三菱化学株式会社 | 光学的情報記録用媒体 |
| US6544617B1 (en) | 2001-08-09 | 2003-04-08 | Eastman Kodak Company | Phase-change recording element for write once applications |
| KR100788650B1 (ko) * | 2001-10-13 | 2007-12-26 | 삼성전자주식회사 | 고밀도 디스크 |
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| US7260053B2 (en) | 2002-04-02 | 2007-08-21 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium, process for manufacturing the same, sputtering target for manufacturing the same, and optical recording process using the same |
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| JP4125566B2 (ja) * | 2002-09-02 | 2008-07-30 | 株式会社リコー | 多層相変化型光情報記録媒体及びその記録再生方法 |
| JP4248323B2 (ja) * | 2002-11-27 | 2009-04-02 | 株式会社リコー | 相変化型光記録媒体とその製造方法及び記録方法 |
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