CN101527312B - 固体摄像装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种固体摄像装置及其制造方法，该固体摄像装置包括：光电转换部，其用于将入射光转换为信号电荷；传输晶体管，其用于从光电转换部读取信号电荷并传输信号电荷；以及放大晶体管，其用于放大由传输晶体管读取的信号电荷，其中，在放大晶体管上形成具有压缩应力的压缩应力膜。所述固体摄像装置可抑制放大晶体管的1/f噪声中的波动的增加。于是，由于可以抑制信噪比的降低，因此可通过实现高信噪比而获得很好的图像质量。

Description

固体摄像装置及其制造方法 
相关申请的交叉引用 
本发明包含与2008年3月5日向日本专利局提交的日本专利申请JP2008-054560相关的主题，将该申请的全部内容通过引用并入此处。 
技术领域
本发明涉及固体摄像装置及其制造方法。 
背景技术
随着近来半导体元件的集成度的增加，固体摄像装置也在像素数量上有所增加并进一步小型化。 
另一方面，伴随而来的特性恶化成为大问题。 
例如，信噪比对于改善图像质量是重要的。具体说来，随着进一步的小型化，由于作为光电转换元件的光电二极管(PD)的小型化导致的光子的减少，不可避免地降低了信号量。于是有必要通过降低噪声以提高信噪比。 
在CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器中，具体如图14所示，在许多情况下，通过光电二极管221中的光电转换所得到的电荷经由传输晶体管222积聚在浮动扩散部226中并随后在放大晶体管224中进行信号放大。 
放大晶体管224中所产生的与频率成比例的噪声，或者1/f噪声，作为像素的随机噪声而占据主要，且重要的是要抑制该噪声。通常地，1/f噪声保持如下关系： 
in 2＝KF((IdAF)/(CoxWLefffEF))             …(1) 
其中，in 2是漏极电流噪声密度[A2/Hz]，KF(闪烁噪声系数)是取决于元件的因子，Id是漏极电流，Cox是每单位面积内的栅极电容，而Leff是有效栅极长度。 
IEEE Transaction on Electron Device，Vol.48，No.5，May 2001，pp.921～927公开了上述内容。 
根据上述等式(1)，放大晶体管224的线宽的降低，即放大晶体管224的小型化使噪声急剧地增加。KF是取决于放大晶体管224的因子，且受工艺因素的影响很大。 
所述工艺因素之一是施加于放大晶体管224的沟道部的应力。为了获得微小像素的高速和低功耗，通过将硅化物应用于像素区中的晶体管而降低栅极布线电阻和接触电阻是非常有效的手段，且放大晶体管224也不例外。 
通常，在CMOS逻辑中，硅化物技术已应用到0.25μm以后世代的产品中。 
对于CMOS图像传感器中的像素区，若保持有欧姆特性则非常可能作为器件工作，然而随着接触直径的减少，有必要采用诸如自对准多晶硅化物(salicide)形成等降低电阻的技术。 
然而，局部拉伸应力会出现在形成有自对准多晶硅化物的精细放大晶体管的沟道部。 
此外，发现在应力与1/f噪声之间存在相关性。无论在N-MOS和P-MOS中载流子类型是电子或空穴，或两种情况都有，拉伸应力的施加会增加1/f噪声(例如参见T.Ohguro、Y.Okayama、K.Matsuzawa、K.Matsunaga、N.Aoki、K.Kojima、H.S.Momose与K.Ishimaru所著的《Theimpact of oxynitride process，deuterium annealing and STI stress to 1/f noiseof 0.11CMOS》，2003Symposium on VLSI Technology Digest of TechnicalPapers，2003，p.37以及Shigenobu Maeda、You-Seung Jin、Jung-A Choi、Sun-Young Oh、Hyun-Woo Lee、Jae-Yoon Yoo、Min-Chul Sun、Ja-Hum Ku、Kwon Lee、Su-Gon Bae、Sung-Gun Kang、Jeong-Hwan Yang、Young-WugKim与Kwang-Pyuk Suh所著的《Impact of Mechanical Stress Engineeringon Flicker Noise Characteristics》，2004Symposium on VLSI TechnologyDigest of Technical Papers，2004，pp.102to 103)。 
由于上述原因，当像素被小型化并将自对准多晶硅化物应用于像素中时，当需要实现高信噪比时很难容忍噪声的恶化。 
以下将参照图15A到图15E描述相关技术中制造CMOS图像传感器的过程。 
如图15A所示，在N型硅基板211中形成P型阱区212。 
然后，在硅基板211的表面侧上的预定位置处形成执行光电转换的光电二极管221。通过使用离子注入掩模，以磷(P)作为N型杂质并以硼(B)作为P型杂质而进行离子注入，从底层由P型区、N型区和P型区形成光电二极管221，其中所述离子注入掩模是通过图形化形成于硅基板211上的抗蚀剂膜形成的。 
调节离子注入的能量以使得光电二极管221相对于可见光优选地形成于从半导体基板211的表面起至5μm～15μm的深度之间，例如形成于从半导体基板211的表面起至大约5μm的深度之间。 
如上所述，N型基板用作硅基板211，且因此光电二极管221的隔离由P型阱区212实现。 
然后，形成像素中的MOS型晶体管。 
如图15B所示，在硅基板211上形成栅极绝缘膜231，并随后形成用于形成栅极的多晶硅膜。接着，在多晶硅膜上形成用作形成栅极的蚀刻掩模的抗蚀剂掩模(未图示)。以抗蚀剂掩模作为蚀刻掩模对多晶硅膜进行图形化，其中，传输晶体管、复位晶体管、放大晶体管和选择晶体管的栅极232由多晶硅形成。 
随后，如图15C所示，在每个栅极232的侧部形成侧壁233以便抑制外围电路的MOS晶体管(未图示)、复位晶体管、放大晶体管、选择晶体管等的短沟道效应。侧壁233例如由氧化硅膜形成。然而，侧壁233也可由氮化硅膜形成。 
接着，形成抗蚀剂掩模(未图示)，并使用抗蚀剂掩模通过离子注入在半导体基板211中形成作为晶体管的源极和漏极的扩散层234、235、236、237。 
通常，当空穴和电子作为载流子互相比较时，空穴更易于被俘获于栅极绝缘膜231和界面上。于是，电子此时被选为载流子，即形成N-MOS。同时也通过离子注入形成浮动扩散部226。 
然后，如图15D所示，通过自对准多晶硅化物处理，在扩散层234到237、浮动扩散部226以及栅极232上分别形成硅化物层241到249。 
在自对准多晶硅化物之前，由于硅化物层具有较低的透光性，故在光电二极管221上形成硅化物阻挡膜251以避免在光电二极管221上形成硅化物层。硅化物阻挡膜251可以优选地由氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜等形成。硅化钛、硅化钽、硅化钼、硅化镍、硅化钨、硅化镍铂等可用作硅化物层241到249。 
接下来，如图15E所示，在硅基板211上的整个表面上形成用于在接触处理时暂时阻止蚀刻的蚀刻阻止膜252。蚀刻阻止膜252由氮化硅膜、氧氮化硅膜等形成，从而相对于后来形成的作为层间绝缘膜的氧化硅膜而言更容易获得可选的蚀刻比。 
之后，尽管未图示，形成层间绝缘膜，并使用钨形成接触部。 
而且，形成布线层、层间绝缘膜、平坦化绝缘膜、滤色层以及微芯片透镜等，从而完成CMOS图像传感器。 
然而，在上述CMOS图像传感器中，不仅由于放大晶体管(AMP)的更加精细的设计规则，而且由于放大晶体管224的硅化物层243和244造成的对沟道部的拉伸应力负荷，1/f噪声中的波动显著地增加。结果，信噪比降低了，并且难以获得足够好的图像质量。 
发明内容
有待于解决的问题是，当把硅化物层引入到像素等中的晶体管中以使像素小型化时，由于硅化物层对晶体管的沟道部造成的拉伸应力负荷，1/f噪声中的波动显著地增加，从而信噪比降低，并因而得不到足够好的图像质量。 
本发明通过抑制1/f噪声中的波动的增加而避免了信噪比的降低，从而即使当把硅化物层引入到晶体管中以使像素小型化时仍能得到足够好的图像质量。 
如本发明的一个实施例所述，提供了一种固体摄像装置，该装置包括：光电转换部，其用于将入射光转换为信号电荷；传输晶体管，其用于从光电转换部读取信号电荷并传输信号电荷；以及放大晶体管，其用于放大由传输晶体管读取的信号电荷，其中，所述固体摄像装置在所述放大晶体管的源区和漏区中设有金属硅化物层，并且在放大晶体管上形成用于将压缩应力施加到放大晶体管的沟道部的压缩应力膜。 
在如本发明的上述实施例所述的固体摄像装置中，在放大晶体管上形成有压缩应力膜。因此，施加于放大晶体管的沟道区的局部拉伸应力被压缩应力膜的压缩应力所缓解，从而放大晶体管的1/f噪声中的波动的增加可得到抑制。 
如本发明的一个实施例所述，提供了一种固体摄像装置的制造方法，所述固体摄像装置在半导体基板中包括用于将入射光转换为信号电荷的光电转换部、用于从光电转换部读取信号电荷并传输信号电荷的传输晶体管以及用于放大由传输晶体管读取的信号电荷的放大晶体管。所述方法包括以下步骤：当在半导体基板中形成放大晶体管之后，在半导体基板上形成绝缘膜，所述绝缘膜在放大晶体管上设有开口部；形成覆盖放大晶体管并对绝缘膜具有压缩应力的压缩应力膜；以及仅保留放大晶体管上的压缩应力膜并去除其它区域的压缩应力膜。 
在如本发明的上述实施例所述的固体摄像装置的制造方法中，在放大晶体管上形成有压缩应力膜。因此，施加于放大晶体管的沟道区的局部拉伸应力被压缩应力膜的压缩应力所缓解，从而放大晶体管的1/f噪声中的波动的增加可得到抑制。 
如本发明的一个实施例所述，提供了一种固体摄像装置的制造方法，所述固体摄像装置在半导体基板中包括用于将入射光转换为信号电荷的光电转换部、用于从光电转换部读取信号电荷并传输信号电荷的传输晶体管以及用于放大由传输晶体管读取的信号电荷的放大晶体管。所述方法包括以下步骤：当在半导体基板中形成放大晶体管之后，形成覆盖放大晶体管并对半导体基板有压缩应力的压缩应力膜；以及仅保留放大晶体管上的压缩应力膜而去除除了放大晶体管之外的区域上的压缩应力膜。 
在如本发明的上述实施例所述的固体摄像装置的制造方法中，在放大晶体管上形成有压缩应力膜。因此，施加于放大晶体管的沟道区的局部拉伸应力被压缩应力膜的压缩应力所缓解，从而放大晶体管的1/f噪声中的波动的增加可得到抑制。 
如本发明的一个实施例所述的固体摄像装置可抑制放大晶体管的1/f噪声中的波动的增加。于是，由于可以抑制信噪比的降低，因此有通过实现高信噪比而获得很好的图像质量的优点。 
如本发明的一个实施例所述的固体摄像装置的制造方法可抑制放大晶体管的1/f噪声中的波动的增加。于是，由于可以抑制信噪比的降低，故而有通过实现高信噪比而获得很好的图像质量的优点。 
附图说明
图1是如本发明所述的固体摄像装置的一个实施例(第一实施例)的示意性构造剖面图； 
图2是如本发明所述的固体摄像装置的一个实施例(第一实施例)的电路配置图； 
图3是表示固体摄像装置的第一实施例中另一电路配置的电路配置图； 
图4是如本发明所述的固体摄像装置的一个实施例(第二实施例)的示意性构造剖面图； 
图5是如本发明所述的固体摄像装置的一个实施例(第三实施例)的示意性构造剖面图； 
图6是如本发明所述的固体摄像装置的一个实施例(第四实施例)的示意性构造剖面图； 
图7A到图7I是如本发明所述的固体摄像装置的制造方法的一个实施例(第一实施例)的制造过程剖面图； 
图8A到图8B是如本发明所述的固体摄像装置的制造方法的一个实施例(第二实施例)的制造过程剖面图； 
图9是如本发明所述的固体摄像装置的制造方法的一个实施例(第三实施例)的制造过程剖面图； 
图10是如本发明所述的固体摄像装置的制造方法的一个实施例(第四实施例)的制造过程剖面图； 
图11是如本发明所述的固体摄像装置的制造方法的一个实施例(第五实施例)的制造过程剖面图； 
图12A到图12E是如本发明所述的固体摄像装置的制造方法的一个实施例(第六实施例)的制造过程剖面图； 
图13是后表面照射型的CMOS图像传感器的示意性立体剖面图； 
图14是相关技术中固体摄像装置的示例的示意性构造剖面图；以及 
图15A到图15E是相关技术中固体摄像装置的制造方法的示例的制造过程剖面图。 
具体实施方式
以下将参照图1的示意结构剖面图和图2的电路配置图描述如本发明所述的固体摄像装置的一个实施例(第一实施例)。图1表示CMOS图像传感器的像素部的传感器部以及像素内的一组晶体管。图2表示CMOS图像传感器的电路配置的示例。 
以下将参照图1和图2进行描述。 
第一导电类型的半导体基板11中形成有第二导电类型的阱区12，所述第二导电类型是与第一导电类型相反的导电类型。作为示例，下面的描述将假定第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。例如以N型硅基板作为上述半导体基板11。 
在半导体基板11的表面侧上的预定位置处形成有用于将入射光转换为信号电荷的光电转换部(例如光电二极管(PD))21。以下光电转换部21将描述为光电二极管21。 
光电二极管21例如从半导体基板11的底层由P型区、N型区和P型区形成。光电二极管21可以相对于可见光优选地形成于从半导体基板11的表面起至5μm～15μm的深度之间，例如形成于从半导体基板11的表面起至大约5μm的深度之间。 
如上所述，以N型硅基板作为半导体基板11，因此，光电二极管21的元件隔离由阱区12实现。 
在半导体基板11上形成有像素内的MOS型晶体管。 
栅极32形成于半导体基板11上，并在栅极32与半导体基板11之间夹有栅极绝缘膜31。所述栅极32是像素晶体管组中的复位晶体管的栅极32(32R)、像素晶体管组中的放大晶体管的栅极32(32A)以及像素晶体管组中的选择晶体管的栅极32(32S)。每个栅极32例如由多晶硅形成。 
此外，在光电二极管21附近形成用于读取来自光电二极管21的信号电荷并传输该信号电荷的传输晶体管的栅极32(32T)。 
顺便提及，每个栅极32例如具有0.1μm×0.1μm的非常精细的尺寸。 
在每个栅极32的侧部形成有侧壁33。侧壁33例如由氧化硅膜形成。可选择地，侧壁33也可由氮化硅膜形成。 
用作晶体管的源极和漏极的扩散层34、35、36和37在半导体基板11中形成于各栅极32的两侧。这种情况中，例如，扩散层35被共享为复位晶体管23的一个扩散层35和放大晶体管24的一个扩散层35，扩散层36被共享为放大晶体管24的另一扩散层36和选择晶体管25的一个扩散层36。浮动扩散部(FD)26也形成于半导体基板11中。 
通常，当空穴和电子作为载流子互相比较时，空穴更容易被俘获于栅极绝缘膜31和界面上。于是在这种情况下，电子被选为载流子，即形成NMOS晶体管。 
在扩散层34到37、浮动扩散部26以及栅极32上分别形成有硅化物层41到44、45以及46到49。 
此外，光电二极管21上形成有硅化物阻挡膜51以避免在光电二极管21上形成如上所述的硅化物层。硅化物阻挡膜51可以优选地由氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜等形成。硅化钛、硅化钽、硅化钼、硅化镍、硅化钨、硅化镍铂等可用作硅化物层41到49。 
传输晶体管22作为电荷-电压转换部连接于光电二极管21的阴极与浮动扩散部26之间。当对栅极(控制电极)32T提供传输脉冲TRG时，传输晶体管22把存储于光电二极管21中的作为由光电二极管21进行光电转换的结果的信号电荷(这里为电子)传输到浮动扩散部26。 
复位晶体管23的漏极(扩散层35)连接于复位线，且其源极(扩散层34)连接于浮动扩散部26。在信号电荷从光电二极管21传输到浮动扩散部26之前，当对栅极32R提供复位脉冲RST时，复位晶体管23将浮动扩散部26的电位复位到复位电压Vrst。 
放大晶体管24的栅极32A连接于浮动扩散部26，且其漏极(公共扩散层35)连接于像素电源Vdd。在浮动扩散部26的电位被复位晶体管23复位之后，放大晶体管24将浮动扩散部26的电位作为复位电平输出，并在传输晶体管22传输信号电荷之后将浮动扩散部26的电位作为信号电平输出。 
选择晶体管25例如将漏极(扩散层36)连接于放大晶体管24的源极(公共扩散层36)，且其源极连接于输出信号线。当对栅极32S提供选择脉冲SEL时，选择晶体管25设置为导通状态，并将从像素处于选中状态的放大晶体管24输出的信号输出到输出信号线(布线75)。顺便提及，选择晶体管25也可连接于像素电源Vdd与放大晶体管24的漏极之间。 
在半导体基板11上方的整个表面上形成有蚀刻阻止膜52，该蚀刻阻止膜52在放大晶体管24上形成有开口53。蚀刻阻止膜52由氮化硅膜、氧氮化硅膜等形成，从而相对于后来形成的作为层间绝缘膜的氧化硅膜而言更容易获得可选的蚀刻比。 
另一方面，具有压缩应力的压缩应力膜54形成于放大晶体管24上从而覆盖放大晶体管24。该压缩应力膜54例如由氧化硅膜形成。 
由于不同的膜类型便于获得处理(蚀刻)的可选择性，故蚀刻阻止膜52与压缩应力膜54优选为不同的膜类型。例如，如上所述，蚀刻阻止膜52由氮化硅膜形成，而压缩应力膜54由氧化硅膜形成。当然，反之亦可，或者可以选择并使用氮化硅膜、氧化硅膜以及氧氮化硅膜之中的两种。 
当蚀刻阻止膜52与压缩应力膜54属于同一类型时，需要在蚀刻阻止膜52与压缩应力膜54之间插入具有不同类型的中间膜的结构。 
尽管未图示，例如，当以氮化硅膜作为蚀刻阻止膜52时，以氧化硅膜作为中间膜。 
还形成有例如用于将传输晶体管的栅极32T与驱动电路(未图示)彼此连接的布线71、将复位晶体管23的栅极32R与驱动电路(未图示)彼此连接的布线72、将放大晶体管24的栅极32A与浮动扩散部26彼此连接的布线73、将选择晶体管25的栅极32S与驱动电路(未图示)彼此连接的布线74、将选择晶体管25的扩散层37与水平扫描电路(输出)(未图示)彼此连接的布线75、将复位晶体管23与放大晶体管24之间共享的扩散层35与像素电源Vdd(未图示)彼此连接的布线76等等。 
在如本实施例所述的固体摄像装置1中，在放大晶体管24上形成有具有压缩应力的压缩应力膜54。因此，压缩应力膜54的压缩应力可以缓解由形成于放大晶体管24的扩散层35和36上的硅化物层42和43引起的施加于放大晶体管24的沟道区的局部拉伸应力，从而可以抑制放大晶体管24的1/f噪声中的波动的增加。 
于是，由于抑制了信噪比的降低，故优点在于能够通过实现高信噪比而获得很好的图像质量。 
图2所示的像素晶体管部的电路配置可按图3所示形成。 
如图3所示，设有光电二极管21，且传输晶体管22设置为与光电二极管21相连。传输晶体管22作为电荷-电压转换部连接于光电二极管21的阴极与浮动扩散部26之间。当对栅极(控制电极)32T施加传输脉冲TRG时， 传输晶体管22将存储于光电二极管21中的作为光电二极管21进行光电转换的结果的信号电荷传输到浮动扩散部26。 
复位晶体管23的漏极(扩散层35)连接于像素电源Vdd，且其源极(扩散层34)连接于浮动扩散部26。在将信号电荷从光电二极管21传输到浮动扩散部26之前，当对栅极32R施加复位脉冲RST时，复位晶体管23将浮动扩散部26的电位复位到复位电压Vrst。 
放大晶体管24的栅极32A连接于浮动扩散部26。在浮动扩散部26的电位被复位晶体管23复位之后，放大晶体管24将该浮动扩散部26的电位作为复位电平输出，并在传输晶体管22传输信号电荷之后将浮动扩散部26的电位作为信号电平输出。 
选择晶体管25例如将漏极(扩散层36)连接于放大晶体管24的源极(公共扩散层36)，且其源极连接于输出信号线。当对栅极32S施加选择脉冲SEL时，选择晶体管25被设置为导通状态，并将从像素处于选中状态的放大晶体管24输出的信号输出到输出信号线(布线75)。 
以下将参照图4的示意性构造剖面图描述作为如本发明所述的固体摄像装置的实施例(第二实施例)的示例，其中在不形成蚀刻阻止膜的情况下形成压缩应力膜。 
在前述第一实施例中，形成蚀刻阻止膜以避免在形成接触时过多地蚀刻到扩散层中。当不需要蚀刻阻止膜时，可以在不形成蚀刻阻止膜的情况下形成压缩应力膜。 
以下将描述这种情况下(第二实施例)的固体摄像装置。 
如图4所示，第一导电类型的半导体基板11中形成有第二导电类型的阱区12，第二导电类型是与第一导电类型相反的导电类型。作为示例，以下的描述假定第一导电类型为N型而第二导电类型为P型。例如以N型硅基板作为上述半导体基板11。 
在半导体基板11的表面侧上的预定位置处形成有用于将入射光转换为信号电荷的光电转换部(例如光电二极管(PD))21。 
光电二极管21例如从半导体基板11的底层由P型区、N型区和P型区形成。光电二极管21可以相对于可见光优选地形成于从半导体基板11的表面起至5μm～15μm的深度之间，例如形成于从半导体基板11的表面起至大约5μm的深度之间。 
如上所述，以N型硅基板作为半导体基板11，因此，由阱区12实现光电二极管21的元件隔离。 
像素内的MOS型晶体管形成于半导体基板11上。 
半导体基板11上形成有栅极32，栅极32与半导体基板11之间夹有栅极绝缘膜31。所述栅极32是像素晶体管组的复位晶体管的栅极32(32R)、像素晶体管组的放大晶体管的栅极32(32A)以及像素晶体管组的选择晶体管的栅极32(32S)。每个栅极32例如由多晶硅形成。 
此外，用于读取来自光电二极管21的信号电荷并传输信号电荷的传输晶体管的栅极32(32T)形成于光电二极管21附近。 
顺便提及，每个栅极32例如具有0.1μm×0.1μm的非常精细的尺寸。 
在每个栅极32的侧部形成有侧壁33。侧壁33例如由氧化硅膜形成。可选择地，侧壁33也可由氮化硅膜形成。 
作为晶体管的源极和漏极的扩散层34、35、36和37在半导体基板11中形成于各栅极32的两侧。这种情况中，例如，扩散层35被共享为复位晶体管23的一个扩散层35和放大晶体管24的一个扩散层35，扩散层36被共享为放大晶体管24的另一扩散层36和选择晶体管25的一个扩散层36。浮动扩散部(FD)26也形成于半导体基板11中。 
通常，当空穴和电子作为载流子互相比较时，空穴更容易被俘获于栅极绝缘膜31和界面上。于是，这种情况下，电子被选为载流子，即形成NMOS晶体管。 
在扩散层34到37、浮动扩散部26以及栅极32上分别形成有硅化物层41到44、45以及46到49。 
此外，在光电二极管21上形成有硅化物阻挡膜51以避免如上所述的硅化物层形成于光电二极管21上。硅化物阻挡膜51优选地由氧化硅膜、 氮化硅膜、氧氮化硅膜等形成。硅化钛、硅化钽、硅化钼、硅化镍、硅化钨、硅化镍铂等可用作硅化物层41到49。 
传输晶体管22作为电荷-电压转换部连接于光电二极管21的阴极与浮动扩散部26之间。当对栅极(控制电极)32T提供传输脉冲TRG时，传输晶体管22把存储于光电二极管21中的作为由光电二极管21进行光电转换的结果的信号电荷(这里为电子)传输到浮动扩散部26。 
复位晶体管23的漏极(扩散层35)连接于复位线，且其源极(扩散层34)连接于浮动扩散部26。在将信号电荷从光电二极管21传输到浮动扩散部26之前，当对栅极32R提供复位脉冲RST时，复位晶体管23将浮动扩散部26的电位复位到复位电压Vrst。 
放大晶体管24的栅极32A连接于浮动扩散部26，且其漏极(公共扩散层35)连接于像素电源Vdd。在浮动扩散部26的电位被复位晶体管23复位之后，放大晶体管24将浮动扩散部26的电位作为复位电平输出，并在传输晶体管22传输信号电荷之后将浮动扩散部26的电位作为信号电平输出。 
选择晶体管25例如将漏极(扩散层36)连接于放大晶体管24的源极(公共扩散层36)，且其源极连接于输出信号线。当对栅极32S提供选择脉冲SEL时，选择晶体管25设置为导通状态，并将从像素处于选中状态的放大晶体管24输出的信号输出到输出信号线(布线75)。顺便提及，选择晶体管25也可连接于像素电源Vdd与放大晶体管24的漏极之间。 
具有压缩应力的压缩应力膜54形成于放大晶体管24上从而覆盖放大晶体管24。该压缩应力膜54例如由氧化硅膜形成。 
还形成有例如用于将传输晶体管22的栅极32T与驱动电路(未图示)彼此连接的布线71、将复位晶体管23的栅极32R与驱动电路(未图示)彼此连接的布线72、将放大晶体管24的栅极32A与浮动扩散部26彼此连接的布线73、将选择晶体管25的栅极32S与驱动电路(未图示)彼此连接的布线74、将选择晶体管25的扩散层37与水平扫描电路(输出)(未图示)彼此连接的布线75、将复位晶体管23与放大晶体管24之间共享的扩散层35与像素电源Vdd(未图示)彼此连接的布线76等等。 
在如本实施例所述的固体摄像装置2中，在放大晶体管24上形成有具有压缩应力的压缩应力膜54。因此，压缩应力膜54的压缩应力可以缓解由形成于放大晶体管24的扩散层35和36上的硅化物层42和43引起的施加于放大晶体管24的沟道区的局部拉伸应力，从而可以抑制放大晶体管24的1/f噪声中的波动的增加。 
于是，由于抑制了信噪比的降低，故优点在于能够通过实现高信噪比而获得很好的图像质量。 
此外，由于未形成如第一实施例中的蚀刻阻止膜，故优点在于能够减少薄膜形成步骤、光刻步骤以及蚀刻步骤中的每一个的步骤数目，例如与第一实施例所述的固体摄像装置1相比，步骤能够减少一步。 
以下将参照图5的示意性构造剖面图描述作为如本发明所述的固体摄像装置3的实施例(第三实施例)的例子，其中，通过在槽内形成绝缘体而得到浅槽元件隔离结构的元件隔离区，所述元件隔离区与放大晶体管的扩散层相邻。 
如图5所示，第一导电类型的半导体基板11中形成有第二导电类型的阱区12，第二导电类型是与第一导电类型相反的导电类型。作为例子，以下的描述假定第一导电类型为N型而第二导电类型为P型。例如以N型硅基板作为上述半导体基板11。 
形成STI(浅槽隔离)结构的元件隔离区96，其将形成于半导体基板11上的形成像素晶体管的区域分离，例如将形成复位晶体管的区域、形成放大晶体管的区域、形成选择晶体管的区域等分离。 
在半导体基板11的表面侧上的预定位置处形成有用于将入射光转换为信号电荷的光电转换部(例如光电二极管(PD))。 
光电二极管21例如从半导体基板11的底层由P型区、N型区和P型区形成。光电二极管21可以相对于可见光优选地形成于从半导体基板11的表面起至5μm～15μm的深度之间，例如形成于从半导体基板11的表面起至大约5μm的深度之间。 
如上所述，以N型硅基板作为半导体基板11，因此由阱区12实现光电二极管21的元件隔离。 
像素内的MOS型晶体管形成于半导体基板11上。 
在半导体基板11上形成有栅极32，栅极32与半导体基板11之间夹有栅极绝缘膜31。所述栅极32是像素晶体管组的复位晶体管的栅极32(32R)、像素晶体管组的选择晶体管的栅极32(32S)以及像素晶体管组的放大晶体管的栅极32(32A)。每个栅极32例如由多晶硅形成。 
此外，用于读取来自光电二极管21的信号电荷并传输信号电荷的传输晶体管的栅极32(32T)形成于光电二极管21附近。 
顺便提及，每个栅极32例如具有0.1μm×0.1μm的非常精细的尺寸。 
在每个栅极32的侧部形成有侧壁33。侧壁33例如由氧化硅膜形成。可选择地，侧壁33也可由氮化硅膜形成。 
作为晶体管的源极和漏极的扩散层34、35、38和39在半导体基板11中形成于各栅极32的两侧。这种情况中，例如，扩散层35被共享为复位晶体管23的一个扩散层35和选择晶体管25的一个扩散层35，扩散层38被共享为选择晶体管25的另一扩散层38和放大晶体管24的一个扩散层38。浮动扩散部(FD)26也形成于半导体基板11中。 
通常，当空穴和电子作为载流子互相比较时，空穴更容易被俘获于栅极绝缘膜31和界面上。于是在这种情况下，电子被选为载流子，即形成NMOS晶体管。 
硅化物层41、42、101、102、45以及46到49形成为分别对应于扩散层34、35、38及39、浮动扩散部26以及栅极32上。 
此外，在光电二极管21上形成有硅化物阻挡膜51以避免如上所述的硅化物层形成于光电二极管21上。硅化物阻挡膜51优选地由氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜等形成。硅化钛、硅化钽、硅化钼、硅化镍、硅化钨、硅化镍铂等可用作硅化物层41、42、101、102以及45到49。 
传输晶体管22作为电荷-电压转换部连接于光电二极管21的阴极与浮动扩散部26之间。当对栅极(控制电极)32T提供传输脉冲TRG时，传输晶体管22把存储于光电二极管21中的作为由光电二极管21进行光电转换的结果的信号电荷(这里为电子)传输到浮动扩散部26。 
复位晶体管23的漏极(扩散层35)连接于复位线，且其源极(扩散层34)连接于浮动扩散部26。在将信号电荷从光电二极管21传输到浮动扩散部26之前，当对栅极32R提供复位脉冲RST时，复位晶体管23将浮动扩散部26的电位复位到复位电压Vrst。 
放大晶体管24的栅极32A连接于浮动扩散部26。在浮动扩散部26的电位被复位晶体管23复位之后，放大晶体管24将浮动扩散部26的电位作为复位电平输出，并在传输晶体管22传输信号电荷之后将浮动扩散部26的电位作为信号电平输出。 
选择晶体管25例如将漏极(扩散层38)连接于放大晶体管24的源极(公共扩散层38)，且其源极连接于输出信号线。当对栅极32S提供选择脉冲SEL时，选择晶体管25设置为导通状态，并将从像素处于选中状态的放大晶体管24输出的信号输出到输出信号线(布线75)。 
在半导体基板11上方的整个表面上形成有蚀刻阻止膜52，该蚀刻阻止膜52在放大晶体管24上形成有开口53。蚀刻阻挡层52由氮化硅膜、氧氮化硅膜等形成，从而相对于后来形成的作为层间绝缘膜的氧化硅膜而言更容易获得可选的蚀刻比。 
另一方面，具有压缩应力的压缩应力膜54形成于放大晶体管24上从而覆盖放大晶体管24。该压缩应力膜54例如由氧化硅膜形成。 
由于不同的膜类型易于获得处理的(蚀刻)可选择性，故蚀刻阻止膜52与压缩应力膜54优选为不同的膜类型。例如，如上所述，蚀刻阻止膜52由氮化硅膜形成，而压缩应力膜54由氧化硅膜形成。当然，反之亦可，或者可以选择并使用氮化硅膜、氧化硅膜以及氧氮化硅膜之中的两种。 
当蚀刻阻止膜52与压缩应力膜54属于同一类型时，需要在蚀刻阻止膜52与压缩应力膜54之间插入不同类型的中间膜的结构。 
尽管未图示，例如，当以氮化硅膜作为蚀刻阻止膜52时，以氧化硅膜作为中间膜。 
还形成有例如用于将传输晶体管22的栅极32T与驱动电路(未图示)彼此连接的布线71、将复位晶体管23的栅极32R与驱动电路(未图示)彼此连接的布线72、将放大晶体管24的栅极32A与浮动扩散部26彼此连接的布 线73、将选择晶体管25的栅极32S与驱动电路(未图示)彼此连接的布线74、将放大晶体管24的扩散层39与水平扫描电路(输出)(未图示)彼此连接的布线75、将复位晶体管23与选择晶体管25之间共享的扩散层35与像素电源Vdd(未图示)彼此连接的布线76等等。 
在如本实施例所述的固体摄像装置3中，具有压缩应力的压缩应力膜54形成于放大晶体管24上。因此，压缩应力膜54的压缩应力可以缓解由形成于放大晶体管24的扩散层38和39以及元件隔离区96上的硅化物层101和102引起的施加于放大晶体管24的沟道区的局部拉伸应力，从而可以抑制放大晶体管24的1/f噪声中的波动的增加。 
因此，由于抑制了信噪比的降低，故优点在于能够通过实现高信噪比而获得很好的图像质量。 
于是噪声得以降低，从而可以形成STI元件隔离区以用于元件之间的隔离。因此元件之间可以形成更窄的空间，并达到更高的集成度。 
以下将参照图6的示意性构造剖面图描述作为如本发明所述的固体摄像装置4的实施例(第四实施例)。 
如图6所示，第一导电类型的半导体基板11中形成有第二导电类型的阱区12，第二导电类型是与第一导电类型相反的导电类型。作为例子，以下的描述假定第一导电类型为N型而第二导电类型为P型。例如以N型硅基板作为上述半导体基板11。 
在半导体基板11的表面侧上的预定位置处形成有用于将入射光转换为信号电荷的光电转换部21(例如光电二极管(PD))。以下将光电转换部21描述为光电二极管21。 
光电二极管21例如从半导体基板11的底层由P型区、N型区和P型区形成。光电二极管21可以相对于可见光优选地形成于从半导体基板11的表面起至5μm～15μm的深度之间，例如形成于从半导体基板11的表面起至大约5μm的深度之间。 
如上所述，以N型硅基板作为半导体基板11，从而由阱区12实现光电二极管21的元件隔离。 
半导体基板11上形成有像素内的MOS型晶体管。 
栅极32形成于半导体基板11上，栅极绝缘膜31夹于栅极32与半导体基板11之间。所述栅极32是像素晶体管组的复位晶体管的栅极32(32R)、像素晶体管组的放大晶体管的栅极32(32A)以及像素晶体管组的选择晶体管的栅极32(32S)。每个栅极32例如由多晶硅形成。 
此外，用于读取来自光电二极管21的信号电荷并传输信号电荷的传输晶体管的栅极32(32T)形成于光电二极管21附近。 
在每个栅极32的侧部形成有侧壁33。侧壁33例如由氮化硅膜形成。 
具体地，形成于放大晶体管24的栅极32A的侧部上的侧壁33(33A)由具有压缩应力的压缩应力膜形成。例如通过仅对形成于放大晶体管24的栅极32的侧部上的氮化硅膜进行电子束照射或进行氮离子注入以及热处理(例如RTA(快速热退火))而形成该压缩应力膜。当然，压缩应力膜可通过其它制造方法形成。 
作为晶体管的源极和漏极的扩散层34、35、36和37在半导体基板11中形成于各栅极32的两侧。这种情况中，例如，扩散层35被共享为复位晶体管23的一个扩散层35和放大晶体管24的一个扩散层35，扩散层36被共享为放大晶体管24的另一扩散层36和选择晶体管25的一个扩散层36。浮动扩散部(FD)26也形成于半导体基板11中。 
通常，当空穴和电子作为载流子互相比较时，空穴更容易被俘获于栅极绝缘膜31和界面上。于是，这种情况下，电子被选为载流子，即形成NMOS晶体管。 
在扩散层34到37、浮动扩散部26以及栅极32上分别形成有硅化物层41到44、45以及46到49。 
此外，在光电二极管21上形成有硅化物阻挡膜51以避免如上所述的硅化物层形成于光电二极管21上。硅化物阻挡膜51优选地由氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜等形成。硅化钛、硅化钽、硅化钼、硅化镍、硅化钨、硅化镍铂等可用作硅化物层41到49。 
传输晶体管22作为电荷-电压转换部连接于光电二极管21的阴极与浮动扩散部26之间。当对栅极(控制电极)32T提供传输脉冲TRG时，传输晶体管22把存储于光电二极管21中的作为由光电二极管21进行光电转换的结果的信号电荷(这里为电子)传输到浮动扩散部26。 
复位晶体管23的漏极(扩散层35)连接于复位线，且其源极(扩散层34)连接于浮动扩散部26。在信号电荷从光电二极管21传输到浮动扩散部26之前，当对栅极32R提供复位脉冲RST时，复位晶体管23将浮动扩散部26的电位复位到复位电压Vrst。 
放大晶体管24的栅极32A连接于浮动扩散部26，且其漏极(公共扩散层35)连接于像素电源Vdd。在浮动扩散部26的电位被复位晶体管23复位之后，放大晶体管24将该浮动扩散部26的电位作为复位电平输出，并在传输晶体管22传输信号电荷之后将浮动扩散部26的电位作为信号电平输出。 
选择晶体管25例如将漏极(扩散层36)连接于放大晶体管24的源极(公共扩散层36)，且其源极连接于输出信号线。当对栅极32S提供选择脉冲SEL时，选择晶体管25设置为导通状态，并将从像素处于选中状态的放大晶体管24输出的信号输出到输出信号线(布线75)。顺便提及，选择晶体管25也可连接于像素电源Vdd与放大晶体管24的漏极之间。 
在半导体基板11上的整个表面上形成有蚀刻阻止膜52，该蚀刻阻止膜52在放大晶体管24上形成有开口53。蚀刻阻挡层52由氮化硅膜、氧氮化硅膜等形成，从而相对于后来形成的作为层间绝缘膜的氧化硅膜而言更容易获得可选的蚀刻比。 
另一方面，具有压缩应力的压缩应力膜54形成于放大晶体管24上从而覆盖放大晶体管24。该压缩应力膜54例如由氧化硅膜形成。 
由于不同的膜类型易于获得处理(蚀刻)的可选择性，故蚀刻阻止膜52与压缩应力膜54需要是不同的膜类型。例如，如上所述，蚀刻阻止膜52由氮化硅膜形成，而压缩应力膜54由氧化硅膜形成。当然，反之亦可，或者可以选择并使用氮化硅膜、氧化硅膜以及氧氮化硅膜之中的两种。 
当蚀刻阻止膜52与压缩应力膜54属于同一类型时，需要在蚀刻阻止膜52与压缩应力膜54之间夹有不同类型的中间膜的结构。 
尽管未图示，例如，当以氮化硅膜作为蚀刻阻止膜52时，以氧化硅膜作为中间膜。 
还形成有例如用于将传输晶体管的栅极32T与驱动电路(未图示)彼此连接的布线71、将复位晶体管23的栅极32R与驱动电路(未图示)彼此连接的布线72、将放大晶体管24的栅极32A与浮动扩散部26彼此连接的布线73、将选择晶体管25的栅极32S与驱动电路(未图示)彼此连接的布线74、将选择晶体管25的扩散层37与水平扫描电路(输出)(未图示)彼此连接的布线75、将复位晶体管23与放大晶体管24之间共享的扩散层35与像素电源Vdd(未图示)彼此连接的布线76等等。 
在如本实施例所述的固体摄像装置4中，在放大晶体管24上形成有具有压缩应力的压缩应力膜54。因此，压缩应力膜54的压缩应力和由压缩应力膜形成的侧壁33A的压缩应力可以缓解由形成于放大晶体管24的扩散层35和36上的硅化物层42和43引起的施加于放大晶体管24的沟道区的局部拉伸应力，从而可以比第一到第三实施例更好地抑制放大晶体管24的1/f噪声中的波动的增加。 
于是，由于抑制了信噪比的降低，故具有能够通过实现高信噪比而获得很好的图像质量的优点。 
第四实施例适用于第二和第三实施例。 
以下参照图7A到图7I的制造过程剖面图描述如本发明所述的固体摄像装置的制造方法的实施例(第一实施例)。 
如图7A所示，在第一导电类型的半导体基板11中形成第二导电类型的阱区12，第二导电类型是与第一导电类型相反的导电类型。作为例子，以下的描述假定第一导电类型为N型而第二导电类型为P型。例如以N型硅基板作为上述半导体基板11。 
之后，在半导体基板11的表面侧上的预定位置处形成用于进行光电转换的光电二极管(PD)21。例如使用通过图形化形成于半导体基板11上的抗蚀剂膜而形成的离子注入掩模，以磷(P)作为N型杂质并以硼(B)作为 P型杂质进行离子注入，从底层由P型区、N型区和P型区形成光电二极管21。调节离子注入的能量使得光电二极管21相对于可见光优选地形成于从半导体基板11的表面至5μm～15μm的深度之间，例如形成于从半导体基板11的表面至大约5μm的深度之间。 
如上所述，以N型硅基板作为半导体基板11，因此由阱区12实现光电二极管21的元件隔离。 
此后，去除由抗蚀剂膜形成的离子注入掩模。 
接着，形成像素内的MOS型晶体管。 
如图7B所示，在半导体基板11上形成栅极绝缘膜31，并随后形成用于形成栅极的电极形成膜。电极形成膜例如由多晶硅形成。 
接下来，在电极形成膜上形成用于形成栅极的作为蚀刻掩模的抗蚀剂掩模(未图示)。使用抗蚀剂掩模作为蚀刻掩模对电极形成膜进行图形化，从而形成由电极形成膜制成的栅极32。这些栅极32是像素晶体管组的复位晶体管的栅极32(32R)、像素晶体管组的放大晶体管的栅极32(32A)以及像素晶体管组的选择晶体管的栅极32(32S)。 
此外，同时形成传输晶体管的栅极32(32T)。 
顺便提及，每个栅极32例如具有0.1μm×0.1μm的非常精细的尺寸。 
在此之后去除用作蚀刻掩模的抗蚀剂掩模。 
接下来，如图7C所示，在每个栅极32的侧部上形成侧壁33以便抑制外围电路、像素晶体管等的短沟道效应。侧壁33例如由氧化硅膜形成。代为替代，侧壁33也可由氮化硅膜形成。 
然后，抗蚀剂掩模(未图示)通过普通抗蚀剂涂敷和光刻技术形成，且用作晶体管的源极和漏极的扩散层34、35、36和37通过使用抗蚀剂掩模由离子注入而形成。这种情况下，作为示例，扩散层35被共享为复位晶体管23的一个扩散层35和放大晶体管24的一个扩散层35，而扩散层36被共享为放大晶体管24的另一个扩散层36和选择晶体管25的一个扩散层36。 
通常，当空穴和电子作为载流子互相比较时，空穴更易于被俘获于栅极绝缘膜31和界面上。于是，这种情况下，电子被选为载流子，即形成NMOS晶体管。同时还通过离子注入在半导体基板11上形成浮动扩散部(FD)26。 
此后，去除用作离子注入的掩模的抗蚀剂掩模。 
接下来，如图7D所示，通过自对准多晶硅化物处理，分别在扩散层34到37、浮动扩散部26以及栅极32上形成硅化物层41到44、45以及46到49。 
在自对准多晶硅化物处理之前，因为硅化物层具有较低的透光性，所以在光电二极管21上形成硅化物阻挡膜51以避免在光电二极管21上形成硅化物层。硅化物阻挡膜51优选地由氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜等形成。硅化钛、硅化钽、硅化钼、硅化镍、硅化钨、硅化镍铂等可用作硅化物层41到49。 
接下来，如图7E所示，在硅基板11上的整个表面上形成在接触处理时用于暂时阻挡蚀刻的蚀刻阻止膜52。蚀刻阻止膜52由氮化硅膜、氧氮化硅膜等形成，从而相对于后来形成的作为层间绝缘膜的氧化硅膜而言更容易获得可选的蚀刻比。 
接着，通过普通抗蚀剂涂敷技术在蚀刻阻止膜52上形成抗蚀剂膜61。例如以用于KrF的抗蚀剂作为抗蚀剂膜61。然后，通过普通光刻技术去除放大晶体管24上方的抗蚀剂膜61以便形成开口62。 
随后，以抗蚀剂膜61用作蚀刻掩模，去除放大晶体管24上的蚀刻阻止膜52。 
结果，如图7F所示，在放大晶体管24上的蚀刻阻止膜52中形成开口53。该蚀刻例如使用氟碳(CF)系气体作为蚀刻气体通过反应离子蚀刻(RIE)进行。 
在此之后去除抗蚀剂膜61(见图7E)。 
接着，如图7F所示，在蚀刻阻止膜52上形成具有压缩应力的压缩应力膜54从而覆盖放大晶体管24的顶部。该压缩应力膜54例如由氧化硅膜形成。 
接下来，如图7G所示，通过普通抗蚀剂涂敷技术在压缩应力膜54上形成抗蚀剂膜63。例如以用于KrF的抗蚀剂作为抗蚀剂膜63。然后，借助于普通光刻技术，仅保留放大晶体管24上方的抗蚀剂膜63，而去除其它部分上方的抗蚀剂膜63。 
当以正型抗蚀剂作为前述的抗蚀剂膜61时，使用负型抗蚀剂作为抗蚀剂膜63就会实现以一个掩模使两种抗蚀剂曝光，于是减少了掩模的数目。相反，当以负型抗蚀剂作为前述的抗蚀剂膜61时，使用正型抗蚀剂作为抗蚀剂膜63可以类似地减少掩模的数目。 
接着，如图7H所示，以抗蚀剂膜63(见图7G)作为蚀刻掩模，压缩应力膜54被保留在放大晶体管24上，而其它部分上方的压缩应力膜54被去除。该蚀刻例如使用氟碳(CF)系气体作为蚀刻气体通过反应离子蚀刻(RIE)实现。 
在此之后去除抗蚀剂膜63。附图7H表示去除了抗蚀剂膜63之后的状态。 
由于不同的膜类型易于得到处理(蚀刻)的可选择性，故蚀刻阻止膜52与压缩应力膜54优选为不同的膜类型。例如，如上所述，蚀刻阻止膜52由氮化硅膜形成，而压缩应力膜54由氧化硅膜形成。当然，反之亦可，或者可以选择并使用氮化硅膜、氧化硅膜以及氧氮化硅膜中的两种。 
压缩应力膜54可在以下条件下形成。 
作为示例，当使用平行板等离子体CVD(化学气相沉积)系统形成氧化硅膜时，以TEOS(正硅酸四乙酯)和氧气(O2)作为材料气体，以氦(He)作为载气。作为示例，假设各气体的流量为TEOS∶O2∶He＝2000cm3/min∶20000cm3/min∶2000cm3/min。此外，采用的条件为：等离子体产生功率为1500W，成膜气氛压强为1.07kPa，基板的温度为400℃。在该条件下形成的氧化硅膜的压缩应力为0.5GPa。 
作为另一示例，当使用平行板等离子体CVD系统形成氮化硅膜时，以甲硅烷(SiH4)和氮气(N2)作为材料气体。假定作为示例，各气体的流量为SiH4∶N2＝100cm3/min∶4000cm3/min。此外，采用的条件为：等离子体产生功率为500W，成膜气氛压强为400Pa，基板的温度为400℃。在该条件下形成的氮化硅膜的压缩应力为1GPa。 
此外，通过恰当地改变这些条件，可形成具有需要的压缩应力值的氧化硅膜或氮化硅膜的压缩应力膜。 
可替代地，当蚀刻阻止膜52与压缩应力膜54是相同类型时，需要在蚀刻阻止膜52与压缩应力膜54之间夹有不同类型的中间膜的结构。 
尽管未图示，例如，当以氮化硅膜作为蚀刻阻止膜52时，氧化硅膜被层叠为中间膜，且此后通过光刻和反应离子蚀刻(RIE)在放大晶体管24上方的蚀刻阻止膜52和中间膜中形成开口53。 
此后形成压缩应力膜54。然后形成仅覆盖放大晶体管24的顶部的抗蚀剂膜63。以抗蚀剂膜63作为蚀刻掩模，蚀刻保留放大晶体管24上的压缩应力膜54并去除其它部分上方的压缩应力膜54。在该蚀刻中，可保证氧化硅膜对中间膜的可选蚀刻比，并从而实现稳定的蚀刻处理。 
此外，即使当膜属于相同类型，可通过指定时间以控制对基膜的破坏以及挖掘的量来进行蚀刻。 
接下来，进行布线处理。例如，形成用于将传输晶体管22的栅极32T与驱动电路(未图示)彼此连接的布线71、用于将复位晶体管23的栅极32R与驱动电路(未图示)彼此连接的布线72、用于将放大晶体管24的栅极32A与浮动扩散部26彼此连接的布线73、用于将选择晶体管25的栅极32S与驱动电路(未图示)彼此连接的布线74、用于将选择晶体管25的扩散层37与水平扫描电路(输出)(未图示)彼此连接的布线75、用于将复位晶体管23与放大晶体管24之间共享的扩散层35与像素电源Vdd(未图示)彼此连接的布线76等等。 
如上所述的每段布线71到76等的形成与普通布线形成相类似。 
例如，如图7I所示，例如形成层间绝缘膜81和接触部73C以将浮动扩散部26与放大晶体管24的栅极32A彼此连接。接触部73C由普通钨插头形 成。同时还可形成例如与其它栅极32、扩散层34到37连接的接触部(未图示)。 
而且，通过形成用于将接触部73C彼此相连的连接布线73P而形成布线73，同时还形成其它布线(未图示)。而且，形成层间绝缘膜82、上层布线77、平坦化绝缘膜83、滤色层84、微芯片透镜85等多个层，从而完成固体摄像装置(CMOS图像传感器)1。 
在如本实施例所述的固体摄像装置1的制造方法中，在放大晶体管24上形成具有压缩应力的压缩应力膜54。因此，施加于放大晶体管24的沟道区的局部拉伸应力被压缩应力膜54的压缩应力缓解，从而放大晶体管24的1/f噪声中的波动的增加可得到抑制。 
于是，由于信噪比的降低可得到抑制，故具有能够通过实现高信噪比而得到很好图像质量的优点。 
以下将参照图8A和图8B的制造过程剖面图描述如本发明所述的固体摄像装置的制造方法的实施例(第二实施例)。 
在前述第一实施例中，形成蚀刻阻止膜以避免形成触点时过多地蚀刻到扩散层中。然而当不需要蚀刻阻止膜时，可在不形成蚀刻阻止膜的情况下形成压缩应力膜。 
下面将描述这种情况中(第二实施例)的制造方法。 
如图8A所示，如参照图7A到图7D所述，在第一导电类型的半导体基板11中形成第二导电类型的阱区12，第二导电类型是与第一导电类型相反的导电类型。作为例子，以下的描述假定第一导电类型为N型而第二导电类型为P型。例如以N型硅基板作为上述半导体基板11。 
之后，在半导体基板11的表面侧上的预定位置处形成用于进行光电转换的光电二极管(PD)21。例如使用通过图形化形成于半导体基板11上的抗蚀剂膜而形成的离子注入掩模，以磷(P)作为N型杂质并以硼(B)作为P型杂质进行离子注入，从底层由P型区、N型区和P型区形成光电二极管21。调节离子注入的能量使得光电二极管21相对于可见光优选地形成于从半导体基板11的表面至5μm～15μm的深度之间，例如形成于从半导体基板11的表面至大约5μm的深度之间。 
如上所述，以N型硅基板作为半导体基板11，且因此由阱区12实现光电二极管21的元件隔离。 
接着，形成像素内的MOS型晶体管。 
在半导体基板11上形成栅极绝缘膜31，并随后形成栅极32。这些栅极32是像素晶体管组的复位晶体管的栅极32(32R)、像素晶体管组的放大晶体管的栅极32(32A)以及像素晶体管组的选择晶体管的栅极32(32S)。 
此外，同时形成传输晶体管的栅极32(32T)。 
接下来，在每个栅极32的侧部上形成侧壁33以便抑制外围电路、像素晶体管等的短沟道效应。侧壁33例如由氧化硅膜形成。代为替代，侧壁33也可由氮化硅膜形成。 
然后，通过普通抗蚀剂涂敷和光刻技术形成抗蚀剂掩模(未图示)，且用作晶体管的源极和漏极的扩散层34、35、36和37通过使用抗蚀剂掩模进行离子注入而形成。这种情况下，作为示例，扩散层35被共享为复位晶体管23的一个扩散层35和放大晶体管24的一个扩散层35，而扩散层36被共享为放大晶体管24的另一个扩散层36和选择晶体管25的一个扩散层36。 
通常，当空穴和电子作为载流子互相比较时，空穴更容易被俘获于栅极绝缘膜31和界面上。于是，这种情况下，电子被选为载流子，即形成NMOS晶体管。同时还在半导体基板11上通过离子注入形成浮动扩散部(FD)26。 
此后，去除用作离子注入的掩模的抗蚀剂掩模。 
接下来，通过自对准多晶硅化物处理，分别在扩散层34到37、浮动扩散部26以及栅极32上形成硅化物层41到44、45以及46到49。 
在自对准多晶硅化物处理之前，因为硅化物层具有较低的透光性，所以在光电二极管21上形成硅化物阻挡膜51以避免在光电二极管21上形成硅化物层。硅化物阻挡膜51优选地由氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜等形成。硅化钛、硅化钽、硅化钼、硅化镍、硅化钨、硅化镍铂等可用作硅化物层41到49。 
接下来，具有压缩应力的压缩应力膜54形成于半导体基板11上方的整个表面上以便覆盖放大晶体管24的顶部。该压缩应力膜54例如由氮化硅膜或氧化硅膜形成。 
接着，通过普通抗蚀剂涂敷技术在压缩应力膜54上形成抗蚀剂膜63。例如以用于KrF的抗蚀剂作为抗蚀剂膜63。然后，通过普通光刻技术保留放大晶体管24上方的抗蚀剂膜63，而去除其它部分上方的抗蚀剂膜63。 
接着，如图8B所示，以抗蚀剂膜63(见图8B)作为蚀刻掩模，压缩应力膜54被保留在放大晶体管24上，而其它部分上方的压缩应力膜54被去除。例如通过使用氟碳(CF)系气体作为蚀刻气体以反应离子蚀刻(RIE)进行该蚀刻。 
此后去除抗蚀剂膜63。附图8B表示去除了抗蚀剂膜63之后的状态。 
压缩应力膜54可在以下条件下形成。 
作为示例，当使用平行板等离子体CVD(化学气相沉积)系统形成氧化硅膜时，以TEOS(正硅酸四乙酯)和氧气(O2)作为材料气体，以氦(He)作为载气。作为示例，假设各气体的流量为TEOS∶O2∶He＝2000cm3/min∶20000cm3/min∶2000cm3/min。此外，采用的条件为：等离子体产生功率为1500W，成膜气氛压强为1.07kPa，基板的温度为400℃。在该条件下形成的氧化硅膜的压缩应力为0.5GPa。 
作为另一示例，当使用平行板等离子体CVD系统形成氮化硅膜时，以甲硅烷(SiH4)和氮气(N2)作为材料气体。作为示例，假设各气体的流量为SiH4∶N2＝100cm3/min∶4000cm3/min。此外，采用的条件为：等离子体产生功率为500W，成膜气氛压强为400Pa，基板的温度为400℃。在该条件下形成的氮化硅膜的压缩应力为1GPa。 
此外，通过恰当地改变这些条件，可形成具有需要的压缩应力值的氧化硅膜或氮化硅膜的压缩应力膜。 
接下来，如上面参照图7H所述，进行布线处理。例如，形成用于将传输晶体管22的栅极32T与驱动电路(未图示)彼此连接的布线71、用于将复位晶体管23的栅极32R与驱动电路(未图示)彼此连接的布线72、用于将放大晶体管24的栅极32A与浮动扩散部26彼此连接的布线73、用于将选择 晶体管25的栅极32S与驱动电路(未图示)彼此连接的布线74、用于将选择晶体管25的扩散层37与水平扫描电路(输出)(未图示)彼此连接的布线75、用于将复位晶体管23与放大晶体管24之间共享的扩散层35与像素电源Vdd(未图示)彼此连接的布线76等等。 
如上所述的每段布线71到76等的形成与普通布线形成相类似。 
于是，固体摄像装置(CMOS图像传感器)2就完成了。 
在如本实施例所述的固体摄像装置2的制造方法中，在放大晶体管24上形成具有压缩应力的压缩应力膜54。因此，施加于放大晶体管24的沟道区的局部拉伸应力被压缩应力膜54的压缩应力缓解，从而放大晶体管24的1/f噪声中的波动的增加可得到抑制。 
于是，由于信噪比的降低可得到抑制，故具有能够通过实现高信噪比而得到很好图像质量的优点。 
还具有另一优点，即能够减少成膜步骤、光刻步骤以及蚀刻步骤的中的每一个的步骤数目，例如与第一实施例所述的制造方法相比，步骤能够减少一步。 
以下将参照图9的制造过程剖面图描述另一制造方法(第三实施例)，其中在放大晶体管24上形成具有压缩应力的压缩应力膜54。 
如图9所示，如以上参照图7A到图7E所述，在半导体基板11上例如由氮化硅膜形成覆盖栅极32等的蚀刻阻止膜52。 
此后，仅对放大晶体管24上的蚀刻阻止膜52进行局部的电子束固化。该固化增加了蚀刻阻止膜52的被电子束照射的区域的膜密度，从而可以仅将放大晶体管24上的蚀刻阻止膜52制成具有压缩应力的压缩应力膜54。 
例如，在电子束照射的气氛中，以1mA的电流和10keV的加速电压为电子束照射的条件在0.93kPa的压强下进行五分钟的照射。这些条件是一个例子，且电子束照射的条件可根据形成蚀刻阻止膜52时的膜密度、膜厚等进行恰当的改变。 
当以上述电子束照射氮化硅膜时，氮化硅膜中的硅-氢键(Si-H键)被打断，并出现过多的硅键。此时，膜中的过多的氮键与硅键结合以形成比硅-氢键更强的硅-氮键(Si-N键)。从而使氮化硅膜致密化。通常，使氮化硅膜致密化会使膜中的压缩应力增加。 
此后，如上面参照图7H和图7I所述，进行用于形成层间绝缘膜、形成布线等、形成平坦化膜、形成滤色器、形成聚光透镜等的处理。 
在如第三实施例所述的制造方法的情况中，与如第一实施例所述的制造方法一样，在放大晶体管24上形成具有压缩应力的压缩应力膜54。因此，施加于放大晶体管24的沟道区的局部拉伸应力由压缩应力膜54的压缩应力缓解，从而放大晶体管24的1/f噪声中的波动的增加可得到抑制。 
于是，由于信噪比的降低可得到抑制，故具有能够通过实现高信噪比而得到很好的图像质量的优点。 
而且，压缩应力膜54还可起蚀刻阻止膜的作用。因此当在放大晶体管24的栅极32A上方的一部分中例如形成用于连接作为连接于浮动扩散部26的一部分布线的接触部的连接孔时，压缩应力膜54可起蚀刻阻止物的作用以避免对作为基层的硅化物层48的过渡蚀刻。 
以下将参照图10的制造过程剖面图描述另一制造方法(第四实施例)，其中在放大晶体管24上形成具有压缩应力的压缩应力膜54。 
如图10所示，如以上参照图7A到图7E所述，在半导体基板11上形成例如由氮化硅膜形成的蚀刻阻止膜52以覆盖栅极32等。 
接下来，通过普通抗蚀剂涂敷技术在蚀刻阻止膜52上形成抗蚀剂膜65。例如以用于KrF的抗蚀剂作为抗蚀剂膜65。然后，通过普通光刻技术去除放大晶体管24上方的抗蚀剂膜65以便形成开口66。 
接着，以抗蚀剂膜65作为离子注入掩模，将氮离子注入到放大晶体管24上的蚀刻阻止膜52中。 
结果，放大晶体管24上的蚀刻阻止膜52变得致密并且膜密度增加，从而可以仅将放大晶体管24上的蚀刻阻止膜52制成具有压缩应力的压缩应力膜54。 
作为离子注入的条件，以氮离子被用作离子种类，将其剂量设为5×1014，加速能量设为5keV。这些条件是一个例子，且离子注入条件可根据形成蚀刻阻止膜52时的膜密度、膜厚等恰当地改变。 
此后去除抗蚀剂膜65。随后进行快速加热处理(RTA处理)以形成Si-N键，从而增加膜密度。此时，热处理的条件例如为850℃和20s。热处理条件可以在一定范围内恰当地改变，在该范围内能够通过形成Si-N键增加膜密度。 
当如上所述将氮离子注入到氮化硅膜中时，氮化硅膜中的硅-氢键(Si-H键)被打断，并出现过多的硅键。随后通过热处理，被注入离子的氮键与硅键结合以形成比硅-氢键更强的硅-氮键(Si-N键)。从而使氮化硅膜致密化。通常，使氮化硅膜致密化会使膜中的压缩应力增加。 
于是，需要引入足够的氮从而使蚀刻阻止膜52中的Si-H基团变为Si-N键。 
在如第四实施例所述的制造方法的情况中，与如第一实施例所述的制造方法中一样，在放大晶体管24上形成具有压缩应力的压缩应力膜54。因此，施加于放大晶体管24的沟道区的局部拉伸应力由压缩应力膜54的压缩应力缓解，从而放大晶体管24的1/f噪声中的波动的增加可得到抑制。 
于是，由于信噪比的降低可得到抑制，故具有能够通过实现高信噪比而得到很好的图像质量的优点。 
而且，压缩应力膜54还可起蚀刻阻止膜的作用。因此当在放大晶体管24的栅极32A上方的一部分中例如形成用于连接作为连接于浮动扩散部26的一部分布线的接触部的连接孔时，压缩应力膜54可起蚀刻阻挡物的作用以避免对作为基层的硅化物层48的过渡蚀刻。 
以下将参照图11的制造过程剖面图描述另一制造方法(第五实施例)，其中在第一到第四实施例中的栅极的侧部上形成的侧壁33由具有压缩应力的压缩应力膜形成。 
如图11所示，如上面参照图7A到图7C所述，在半导体基板11的每个栅极的侧部上形成侧壁33。 
此时，例如，形成用于形成覆盖栅极32的侧壁的氮化硅膜，并随后以电子束照射其中形成有放大晶体管24的区域中的氮化硅膜。从而使被电子束照射的部分的氮化硅膜致密化，以变成具有压缩应力的压缩应力膜。 
作为替代，在形成用于形成覆盖栅极32的侧壁的氮化硅膜之后，形成在放大晶体管24上设有开口的抗蚀剂掩模(未图示)，并将氮离子注入到形成有放大晶体管24的区域上的氮化硅膜中，从而使注入氮离子的部分的氮化硅膜致密化，以变成具有压缩应力的压缩应力膜。 
氮化硅膜的致密化效应的原因与第三实施例和第四实施例中的氮化硅膜的致密化的原因类似。 
此后，对用于形成侧壁的氮化硅膜进行全表面回蚀以在每个栅极的侧部上形成侧壁33。这时，形成于放大晶体管24的栅极32(32A)的侧部上的侧壁33(33A)是具有压缩应力的膜。 
形成侧壁33之后的处理类似于如第一到第四实施例所述的制造方法中形成侧壁33之后的处理。于是，尽管未图示，如第一到第四实施例所述的制造方法中那样在放大晶体管24上形成具有压缩应力的压缩应力膜54。 
在如第五实施例所述的制造方法的情况中，与如第一到第四实施例所述的制造方法中一样，在放大晶体管24上形成具有压缩应力的压缩应力膜54。因此，施加于放大晶体管24的沟道区的局部拉伸应力由压缩应力膜54的压缩应力缓解，从而放大晶体管24的1/f噪声中的波动的增加可得到抑制。 
于是，由于信噪比的降低可得到抑制，故具有能够通过实现高信噪比而得到很好的图像质量的优点。 
而且，由于放大晶体管24的侧壁33A也具有压缩应力，故可对沟道区施加更大的压缩应力。因此可以更多地抑制放大晶体管24的1/f噪声中的波动的增加。 
接下来，存在一种情况，即在第一到第五实施例中的放大晶体管24附近形成STI(浅槽隔离)结构的元件隔离区。将参照图12A到12E的制造过程剖面图描述该制造方法(第六实施例)。 
如图12A所示，如以上参照图7A到图7C所述，如同在第一到第五实施例中，在半导体基板11中形成阱区12。此后，在半导体基板11上例如形成氧化硅膜作为牺牲氧化膜91，并随后形成氮化硅膜92。 
接着，借助于普通光刻技术和蚀刻技术，去除用于形成STI结构的元件隔离区的区域上的氮化硅膜92与牺牲氧化膜91以形成开口93。 
接下来，如图12B所示，以氮化硅膜92作为蚀刻掩模对半导体基板11进行蚀刻以形成元件隔离沟94。该元件隔离沟94将例如将形成复位晶体管的区域、形成选择晶体管的区域以及形成放大晶体管的区域等形成像素晶体管的区域与例如形成光电二极管和传输晶体管的区域以及形成外围电路的区域(未图示)隔离开来。 
这种情况下，将举例描述一种用于在第一到第五实施例中的像素电源Vdd与放大晶体管的一个扩散层之间设有选择晶体管的构造的制造方法。因此，在形成像素晶体管的区域的一端设有放大晶体管。 
接着，在氮化硅膜92上形成绝缘膜95从而填充于元件隔离沟94中。绝缘膜95例如由氧化硅膜形成。此外，在填充绝缘膜95之前，例如可以通过热氧化方法使元件隔离沟94的内侧氧化而形成氧化硅膜(未图示)。 
然后，如图12C所示，通过化学机械研磨(CMP)研磨并去除绝缘膜95直到露出氮化硅膜92。此时，氮化硅膜92用作研磨阻挡膜。结果，在元件隔离沟94内形成由绝缘膜95制成的STI结构的元件隔离区96。 
此后，使用热磷酸以湿式蚀刻法去除氮化硅膜92。而且，通过氢氟酸等去除牺牲氧化膜91。结果如图12D所示，STI结构的元件隔离区96形成于半导体基板11中。 
此后进行类似于第一到第五实施例中的处理。顺便提及，在本实施例中，选择晶体管形成于第一到第五实施例中的像素电源Vdd与放大晶体管的一个扩散层之间。以下举例描述将如本实施例所述的元件隔离区96应用于第一实施例的构造的情况。 
结果如图12E所示，光电二极管21、复位晶体管23、放大晶体管24、选择晶体管25、浮动扩散部26等形成于半导体基板11中。这时，布置并形成放大晶体管24的一个扩散层39以与STI结构的元件隔离区96邻近。 
随后，形成蚀刻阻止膜52从而覆盖光电二极管21、复位晶体管23、选择晶体管25、浮动扩散部26等，并形成具有压缩应力的压缩应力膜54从而覆盖放大晶体管24。 
在上述第六实施例中，可以在半导体基板11中形成STI结构的元件隔离区96之后形成阱区12，并在此之后以类似于上述处理的处理形成光电二极管21、复位晶体管23、放大晶体管24、选择晶体管25、浮动扩散部26等。作为替代，可以在半导体基板11中形成阱区12之后形成STI结构的元件隔离区96，并在此之后以类似于上述处理的处理形成光电二极管21、复位晶体管23、放大晶体管24、选择晶体管25、浮动扩散部26等。 
在如第六实施例所述的制造方法的情况中，与如第一到第五实施例所述的制造方法中一样，在放大晶体管24上形成具有压缩应力的压缩应力膜54。因此，由放大晶体管24的扩散层38和39上形成的硅化物层101和102以及元件隔离区96引起的施加于放大晶体管24的沟道区的局部拉伸应力由压缩应力膜54的压缩应力缓解，从而放大晶体管24的1/f噪声中的波动的增加可得到抑制。 
于是，由于信噪比的降低可得到抑制，故具有能够通过实现高信噪比而得到很好的图像质量的优点。 
尽管以上描述是针对所述的前表面照射型的CMOS传感器而言的，然而如本发明的实施例所述的压缩应力膜类似地适用于例如图13所示的后表面照射型的CMOS传感器中的放大晶体管。 
如图13所示，具有例如用于将入射光转换为电信号的光电转换部(例如光电二极管)122、传输晶体管、复位晶体管、放大晶体管、选择晶体管等像素晶体管组123(图中示出其一部分)的多个像素部121形成于由半导体基板111形成的活性层112中。例如以硅基板用作半导体基板111。而且，形成有用于对从每个光电转换部122读取的信号电荷进行处理的信号处理部(未图示)。 
元件隔离区124形成于像素部121的周边的部分中，例如以行方向或以列方向形成于像素部121之间。 
此外，布线层131形成于半导体基板111的形成有光电转换部122的前表面侧(附图中为半导体基板111的下侧)。布线层131包括布线132以及覆盖布线132的绝缘膜133。支撑基板135形成于布线层131上。支撑基板135例如由硅基板形成。 
而且，在图13的固体摄像装置6中，具有透光性的平坦化膜141形成于半导体基板111的后表面侧。平坦化膜上(附图中为上表面)形成有滤色层142。此外，在滤色层142上形成有用于将入射光聚集到每个像素转换部122上的聚光透镜151。 
如本发明的实施例所述的压缩应力膜可应用到像素晶体管组123的放大晶体管上。 
在后表面照射型的CMOS图像传感器中，同样可以通过将如本发明的实施例所述的压缩应力膜应用到有拉伸应力施加于由NMOS晶体管形成的放大晶体管的沟道区的结构中而使1/f噪声得到抑制。 
如上所述，在本发明的实施例中，在放大晶体管24上形成压缩应力膜54从而将压缩应力施加于CMOS型图像传感器的像素晶体管组中的放大晶体管的沟道区。通常将拉伸应力施加于NMOS晶体管以便增加NMOS晶体管的沟道区的迁移率。然而，本发明的实施例通过抑制放大晶体管24的1/f噪声中的波动的增加避免了信噪比的降低，故可以通过实现高信噪比而获得很好的图像质量。此外，在这些实施例中，压缩应力膜54仅形成于放大晶体管24上，因此其它晶体管的迁移率不会恶化。 
本领域技术人员应当理解，只要在所附权利要求书及其等同物的范围之内，可以根据设计需要和其它因素而出现各种变化、组合、次组合和替代。 

Claims (13)

1.一种固体摄像装置，其包括：
光电转换部，其用于将入射光转换为信号电荷；
传输晶体管，其用于从所述光电转换部读取所述信号电荷并传输该信号电荷；以及
放大晶体管，其用于放大由所述传输晶体管读取的所述信号电荷，
其中，所述固体摄像装置在所述放大晶体管的源区和漏区中设有金属硅化物层，并且在所述放大晶体管上形成有具有压缩应力的压缩应力膜。
2.如权利要求1所述的固体摄像装置，其设有通过在沟内形成绝缘体而形成的浅槽元件隔离结构的元件隔离区，该元件隔离区邻近于所述放大晶体管的活性区。
3.如权利要求1所述的固体摄像装置，其中，在所述放大晶体管的栅极的侧部上形成有具有压缩应力的侧壁。
4.一种固体摄像装置的制造方法，所述固体摄像装置在半导体基板中包括：光电转换部，其用于将入射光转换为信号电荷；传输晶体管，其用于从所述光电转换部读取所述信号电荷并传输该信号电荷；以及放大晶体管，其用于放大由所述传输晶体管读取的所述信号电荷，所述方法包括以下步骤：
在所述半导体基板中形成所述放大晶体管之后，在该半导体基板上形成绝缘膜，然后在所述放大晶体管上的所述绝缘膜中形成开口部；
在所述绝缘膜上形成覆盖所述放大晶体管并具有压缩应力的压缩应力膜；以及
保留所述放大晶体管上的所述开口部中的压缩应力膜，并去除除了所述开口部之外的区域上的所述压缩应力膜。
5.如权利要求4所述的固体摄像装置的制造方法，其中，当在所述放大晶体管上形成氮化硅膜之后，通过以电子束照射所述放大晶体管上的所述氮化硅膜形成所述压缩应力膜。
6.如权利要求4所述的固体摄像装置的制造方法，其中，当在所述放大晶体管上形成氮化硅膜之后，通过将氮离子注入到所述放大晶体管上的所述氮化硅膜中形成所述压缩应力膜。
7.如权利要求4所述的固体摄像装置的制造方法，其中，形成所述放大晶体管的步骤包括以下步骤：
隔着栅绝缘膜在所述半导体基板上形成栅极；
在所述栅极的两侧的所述半导体基板中形成低浓度扩散层；
在所述栅极的侧部上形成具有压缩应力的侧壁；以及
隔着所述栅极侧的所述低浓度扩散层，在所述栅极的两侧的所述半导体基板中形成比所述低浓度扩散层的掺杂浓度高的高浓度扩散层。
8.如权利要求7所述的固体摄像装置的制造方法，其中，所述侧壁由具有压缩应力的压缩应力膜形成。
9.一种固体摄像装置的制造方法，所述固体摄像装置在半导体基板中包括：光电转换部，其用于将入射光转换为信号电荷；传输晶体管，其用于从所述光电转换部读取所述信号电荷并传输该信号电荷；以及放大晶体管，其用于放大由所述传输晶体管读取的所述信号电荷，所述方法包括以下步骤：
在所述半导体基板中形成所述放大晶体管之后，在所述半导体基板上形成覆盖所述放大晶体管并具有压缩应力的压缩应力膜；以及
仅保留所述放大晶体管上的所述压缩应力膜并去除除了所述放大晶体管以外的区域上的所述压缩应力膜。
10.如权利要求9所述的固体摄像装置的制造方法，其中，当在所述放大晶体管上形成氮化硅膜之后，通过以电子束照射所述放大晶体管上的所述氮化硅膜形成所述压缩应力膜。
11.如权利要求9所述的固体摄像装置的制造方法，其中，当在所述放大晶体管上形成氮化硅膜之后，通过将氮离子注入到所述放大晶体管上的所述氮化硅膜中形成所述压缩应力膜。
12.如权利要求9所述的固体摄像装置的制造方法，其中，形成所述放大晶体管的步骤包括以下步骤：
隔着栅绝缘膜在所述半导体基板上形成栅极；
在所述栅极的两侧的所述半导体基板中形成低浓度扩散层；
在所述栅极的侧部上形成具有压缩应力的侧壁；以及
隔着在所述栅极侧的所述低浓度扩散层，在所述栅极的两侧的所述半导体基板中形成比所述低浓度扩散层的掺杂浓度高的高浓度扩散层。
13.如权利要求12所述的固体摄像装置的制造方法，其中所述侧壁由具有压缩应力的压缩应力膜形成。
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