CN101490851A - 具有减少的基极扩散面积的太阳能电池 - Google Patents

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Abstract

在一个实施例中，太阳能电池(500)具有在背面上形成的基极和发射极扩散区域。发射极扩散区域(502)被配置为收集太阳能电池中的少数电荷载流子，而基极扩散区域(503)被配置为收集多数电荷载流子。发射极扩散区域(502)可以是分开基极扩散区域(503)的连续的区域。基极扩散区域(503)的每一个可以具有减少的面积来降低少数电荷载流子复合损耗，而基本不会由于多数电荷载流子的横流增加串行电阻损耗。例如，基极扩散区域(503)的每一个可以具有点的形状。

Description

具有减少的基极扩散面积的太阳能电池
发明背景
1、技术领域
【0001】本发明总的涉及太阳能电池，并且更具体地但不是唯一地涉及太阳能电池结构。
2、背景技术
【0002】太阳能电池是公知的用于将太阳能辐射转换成电能的装置。可以使用半导体加工工艺在半导体晶片上制造它们。总的来说，可以通过在硅衬底中形成P型和N型扩散区域来制造太阳能电池。冲击到太阳能电池上的太阳能辐射产生迁移到扩散区域的电子和空穴，从而在扩散区域之间产生电压差。在背面触点太阳能电池中，扩散区域和与其耦合的金属栅二者都位于太阳能电池的背面。金属栅允许外部电路被耦合到太阳能电池并且通过太阳能电池供电。在美国专利No.5，053,083和No.4,927,770中也公开了背面触点太阳能电池，上述两专利整体通过引用包括在本发明中。
【0003】效率是太阳能电池的重要特性，因为其直接关系到太阳能电池产生电力的能力。因此，提高太阳能电池效率的技术通常是期望的。本发明公开了改进的背面触点电池结构，其与传统的太阳能电池相比具有更高的效率。
发明内容
【0004】在一个实施例中，太阳能电池具有形成于背面上的基极和发射极扩散区域。发射极扩散区域被配置为收集太阳能电池中的少数电荷载流子，而基极扩散区域被配置为收集多数电荷载流子。发射极扩散区域可以是分开基极扩散区域的连续的区域。每一个基极扩散区域可以具有减少的面积来降低少数电荷载流子复合损耗，而基本没有增加由于多数电荷载流子的横流的串行电阻损耗。例如，每一个基极扩散区域可以具有点的形状。
【0005】本领域普通技术人员通过阅读包括附图和权利要求书的整个公开文本，本发明的这些和其它特征将显而易见。
附图说明
图1示出背面触点太阳能电池的截面，示意性图示电荷载流子的横向传输。
图2示意性图示如果扩散区域的间距小于晶片的厚度的图1的太阳能电池中的电荷载流子的纵向传输。
图3(a)和3(b)分别示出聚光器系统中使用的示例太阳能电池的截面图和透视图。
图4示意性示出具有带状扩散区域的示例太阳能电池。
图5示意性示出根据本发明的实施例的太阳能电池。
图6(a)、6(b)、7(a)、7(b)、8(a)和8(b)示意性示出根据本发明的实施例的图5的太阳能电池的变化。
图9(a)-9(e)示出根据本发明的实施例所制造的太阳能电池的截面图。
【0006】在不同的图中使用相同的附图标记表示相同或相似的部件。
具体实施方式
【0007】在本公开内容中，提供诸如结构和制造步骤的示例的多个具体细节来提供对本发明实施例的全面理解。但是本领域内的普通技术人员可以认识到，无需该具体细节中的一个或者多个也可以实现本发明。在其他情况中，公知的细节没有示出或者描述，以避免遮蔽本发明的方面。
【0008】本公开内容涉及太阳能电池的制造。在下述共同转让的公开文本中也公开了太阳能电池的制造过程，以下公开文本整体通过引用包括在本发明中：由William P.Mulligan、Michael J.Cudzinovic、Thomas Pass、David Smith、Neil Kaminar、Keith Mclntosh和Richard M.Swanson在2003年4月10日提交的申请号为No.10/412,638，题目为“Improved Solar Celland Method of Manufacture”(“改进的太阳能电池和制造方法”)的美国专利申请；由William P.Mulligan、Michael J.Cudzinovic、Thomas Pass、DavidSmith和Richard M.Swanson在2003年4月10日提交的公开号为No.2004/0200520(申请号为No.10/412,711)，题目为＂Metal ContactStructure For Solar Cell And Method Of Manufacture＂(“用于太阳能电池的金属触点结构及制造方法”)的美国专利申请；以及授权给Smith等人的美国专利No.6,998,288。
【0009】在正常操作中，在太阳能电池的发射极扩散区域中收集少数电荷载流子并且在基极扩散区域中收集多数电荷载流子。在具有N型衬底的背面触点太阳能电池的情况中，少数电荷载流子由P型扩散区域(在此情况中的“发射极扩散区域”)来收集，并且又被传导通过金属栅到正极端子。多数电荷载流子由N型扩散区域(在此情况中的“基极扩散区域”)来收集，并且又通过金属栅传导到负极端子。假定载流子的产生大部分发生在太阳能电池的前面，多数和少数电荷载流子二者必须从产生点移动到背表面以被扩散区域收集。这个也被称为“载流子路径长度”的距离是确定背面触点太阳能电池的性能的关键参数。
【0010】多数和少数电荷载流子路径长度依赖于太阳能电池的背面上扩散区域的间距(即，间隔)。间距越大，电荷载流子必须从产生点横向移动得更远以被收集。图1示出示例背面触点太阳能电池的截面，示意性图示电荷载流子的横向传输。在图1的示例中，太阳能电池包括晶片101，晶片的背面上具有基极扩散区域102和发射极扩散区域103。基极金属指状物(finger)105允许外部电连接到基极扩散区域102，而发射极金属指状物106允许外部电连接到发射极扩散区域。绝缘体层104形成在扩散区域上。在图1的示例中，晶片101为具有厚度大约0.200mm的N型硅晶片，并且扩散区域的间距大约2.000mm。填满的圆圈表示电子，在此示例中为多数电荷载流子。空的圆圈表示空穴，在此示例中为少数电荷载流子。虚线表示晶片101中的电荷载流子移动路径。
【0011】少数和多数电荷载流子的横向传输引入两种不期望的损耗机制到背面触点太阳能电池：(a)来自横向少数电荷载流子传输的增加的少数电荷载流子复合和(b)来自横向多数电荷载流子传输的增加的串行电阻。由于在图1示例中间距比晶片的厚度大几倍，所以电荷载流子的横向传输以及因此与其相关联的损耗变得显著。
【0012】如果间距是晶片的厚度的几分之一，则电荷载流子传输主要是一维的(纵向传输)并且前述横向损耗机制被最小化。这在图2中示意性图示，图2示出如果扩散区域的间距小于晶片101的厚度的图1的太阳能电池中的电荷载流子的纵向传输。除了晶片101的厚度和扩散区域的间距，图1和图2的太阳能电池相同。在图2的示例中，晶片101厚度为0.150mm，而扩散区域的间距大约为0.050mm。填满的圆圈表示电子，在此示例中为多数电荷载流子。空的圆圈表示空穴，在此示例中为少数电荷载流子。虚线表示晶片101中的电荷载流子移动路径。图2中的其它部件已经参照图1在之前讨论。
【0013】两种类型的高效背面扩散太阳能电池设计已经被用于最小化太阳能电池中的损耗。第一种是通常用于聚光器系统的点扩散(例如，参见＂AnOptimization Study of Point-Contact Concentrator Solar Cells＂，R.A.Sinton和R.M.Swanson，IEEE Photovoltaic Specialist Conference，1987，1201页-1208页)。第二种是通常用于一个太阳(one-sun)(非聚光)应用的带扩散(例如，参见＂7000 High-efficiency Cells for a Dream＂，P.J.Verlinden，R.M.Swanson和R.A.Crane，Progress in PhotoVoltaics，卷2，1994，143页-152页)。
【0014】聚光器系统使用光学器件来捕获照射在大面积上的太阳能并且随后将该能量聚集在太阳能电池所位于的较小面积上。来自所引用的R.A.Sinton和R.M.Swanson的出版物中的图3(a)和3(b)分别示出聚光器系统中所使用的示例太阳能电池的截面图和透视图。在这样的点扩散太阳能电池中的典型晶片厚度大约为150微米。在聚光器系统中使用点扩散背联结(back junction)设计以最小化和扩散相关联的Auger(俄歇)复合，同时保持短的多数和少数电荷载流子路径长度。所聚光的光下的太阳能电池操作在高的注入水平，其中主要的载流子复合机制为扩散中的Auger复合。为了最优化性能，优选使用点扩散设计，其中N型和P型扩散区域二者的尺寸被最小化，因此Auger复合被最小化。基极和发射极扩散区域二者的小尺寸(例如大约10微米)减少复合损耗。但是，保持扩散区域之间的距离为小也重要，以降低多数和少数电荷载流子路径长度。也应该注意，10微米数量级的扩散区域，如同用于点扩散设计的那些，涉及相对低的生产量、与低成本太阳能电池制造不兼容的昂贵设备。
【0015】带扩散太阳能电池用在非聚光应用中，也称为“一个太阳”或者“平板”系统。带扩散背联结设计用在非聚光应用中来最小化表面复合，同时保持短的多数和少数电荷载流子路径长度。一个太阳背联结太阳能电池中的主要复合机制为硅界面，即表面复合。在带设计中，太阳能电池的整个背面表面具有N型扩散区域或者P型扩散区域，因为这最小化复合。通过保持金属指状物的间距和对准容限允许的一样小，来最小化少数和多数电荷载流子路径长度。
【0016】图4示意性示出具有带扩散的示例太阳能电池400。在太阳能电池400中，N型扩散区域403和P型扩散区域402为在N型硅晶片401上的太阳能电池400的背面上形成的带状、矩形扩散区域。金属栅406接触N型扩散区域403(此例中的基极扩散区域)并且金属栅405接触也位于太阳能电池400的背面上的P型扩散区域402(此例中的发射极扩散区域)。
【0017】用于商业一个太阳应用的带扩散背联结太阳能电池已经使用相对低成本的图案化技术制造，诸如丝网印刷(例如，参见＂The Choice ofsilicon wafer for the production of low-cost rear-contact solar cells＂，K.Mclntosh，M.Cudzinovic，D.Smith，W.Mulligan和R.Swanson，Proceedingsof WCPEC-3，Osaka，Japan，May11-18，2003)。尽管更成本有效，但这些印刷技术相对于光刻法具有低得多的分辨度和对准精确度，导致间距显著大于晶片厚度。这些电池的性能受限于少数电荷载流子和多数电荷载流子二者的横向传输损耗。
【0018】使用这些低成本的图案化技术，带图案的设计要求少数电荷载流子的横向传输损耗和多数电荷载流子的横向传输损耗之间的折衷。电池设计者必须选择指状物间距来平衡(a)由于少数电荷载流子横向传输引发的少数电荷载流子复合和(b)由于多数电荷载流子横向传输引发的串行电阻损耗。通常，结果是使发射极扩散带(例如，P型扩散区域402)大于基极扩散带(例如，N型扩散区域403)以允许电池的大部分之上的少数电荷载流子的一维纵向流动。如果设计者增加间距，由于少数电荷载流子传输大部分是纵向的，所以少数电荷载流子扩散损耗可以降低，但是这也增加了多数电荷载流子的横向路径，导致增加的阻性损耗。如果设计者减小间距，阻性损耗将下降，但是少数电荷载流子的有效路径将增加，增加了少数电荷载流子复合损耗。
【0019】本发明的实施例通过使用具有减少的基极扩散区域面积的背面联结太阳能电池结构来减少二维效应的不利影响。在以下的示例中，基极扩散区域“成点”，使得每一个具有点的形状(例如，圆形、椭圆)。注意到点也可以使用矩形代替。成点的扩散区域在不降低本发明的优点下也可以具有其它形状。
【0020】图5示意性示出根据本发明的实施例的太阳能电池500。太阳能电池500被配置为用在一个太阳(即，无聚光器)应用中。太阳能电池500包括以成点的基极扩散区域503形式的具有减少面积的基极扩散区域。在图5的示例中，基极扩散区域503包括N型扩散区域，而连续的发射极扩散区域502包括P型扩散区域，两个扩散区域形成在N型硅晶片501中。金属栅506电耦合到基极扩散区域503(例如，到两个或者更多基极扩散区域503)并且金属栅505电耦合到连续的发射极扩散区域502。图5中金属栅506中的一个已经被绘成透明的，以示出基极扩散区域503的非矩形(此例中的点)。金属栅505和506可以互相交叉。外部电路可以耦合到金属栅505和506以接收来自太阳能电池500的电流。太阳能电池500为背面触点太阳能电池，扩散区域502和503以及金属栅506和505形成在太阳能电池500的背面上。与扩散区域503和502相对的晶片501的表面为太阳能电池500的前面，并且在正常操作期间面对着太阳。
【0021】如图5所示，成点的基极扩散设计具有覆盖太阳能电池500的背面表面的大部分的覆盖后部发射极扩散区域502，具有基极扩散区域503的周期的点。也就是，替代如带设计中的基极和发射极扩散区域的交替带，成点的基极扩散设计具有连续的发射极扩散区域，多个基极扩散区域形成于没有被发射极扩散区域占用的太阳能电池的背面中的区域中。连续的发射极扩散区域502围绕两个或者更多分离的扩散区域503。互相交叉的金属栅506和505连接扩散区域到它们各自的端子，即用于P型扩散区域502的正极和用于N型扩散区域503的负极。该设计的一个益处是，少数电荷载流子的传输大部分是纵向的(即一维的)，最小化了复合损耗。假定少数电荷载流子损耗已经大体上减少，少数和多数电荷载流子横向传输之间的设计折衷被显著转移向更小的间距和相等的指状物尺寸。这导致该设计也减少了和多数电荷载流子的横向传输相关联的串行电阻。也应该注意到，当使用低寿命硅作为衬底时，少数电荷载流子损耗的减少甚至将更加显著。这开启了使用更廉价、更低质硅(例如，多晶体或者低等级CZ硅)来制造高效背联结太阳能电池的可能性。
【0022】在图5的示例中，由于基极扩散区域503被散置并且被连续的发射极扩散区域502围绕，基极扩散区域503的金属栅506越过发射极扩散区域。因此需要注意要保证金属栅506和下面的发射极扩散502电绝缘，以防止分路损耗的引入。这可以通过负极栅和发射极扩散之间的无缺陷绝缘体层来实现。形成于绝缘体中的开口允许基极扩散区域503和金属栅506之间的接触。
【0023】图6(a)和6(b)分别示意性示出根据本发明的实施例的太阳能电池500A的透视图和俯视图。太阳能电池500A为图5中所示太阳能电池500的具体实施例。部件501、502、503、505和506因此与之前参考图5描述的相同。在图6(a)的示例中，在金属栅和扩散区域之间形成绝缘体层504以阻止电分路。接触孔508允许金属栅506电接触下面的基极扩散区域503。类似的，接触孔507允许金属栅505电接触下面的发射极扩散区域502。图6(b)示出太阳能电池500A的俯视图。在图6(b)的示例中，接触孔508小于基极扩散区域503。接触孔507简单的从金属栅505向下延伸到连续的发射极扩散区域502。
【0024】图7(a)和7(b)分别示意性示出根据本发明的实施例的太阳能电池500B的透视图和俯视图。太阳能电池500B为图6(a)和6(b)中所示太阳能电池500A的具体实施例。从而，部件501、502、503、505和506因此与之前参考图5描述的相同，而部件504、507和508与之前参考图6(a)和6(b)描述的相同。基本上，太阳能电池500B和太阳能电池500A相同，但增加了位于绝缘体层504和金属栅506之间的绝缘体层701。绝缘体层701在发射极区域502的部分上延伸，以提供金属栅506和发射极区域502之间的电绝缘的额外的层。绝缘体层701对于这样的应用有益，在该应用中绝缘体层504具有针孔或者能够导致金属栅506短路到发射极扩散区域502的其它缺陷。图7(b)示出太阳能电池500B的俯视图。在图7(b)的示例中，绝缘体层701被限制到金属栅506下面的面积。根据应用，绝缘体层701也可以被形成在金属栅505下面。
【0025】设计规则(即由给定图案化技术允许的最小对准容限和特征尺寸)指定带和成点的基极扩散设计二者中的基极扩散区域的尺寸。例如，允许200微米接触开口和200微米层到层容限的印刷的图案化技术将指定基极扩散区域的尺寸大约为600微米—对于标准设计的600微米宽的带或者对于成点的设计的600微米直径。成点的设计减少基极扩散区域覆盖部分，同时保持基极扩散区域间的距离相等，因此降低少数电荷载流子复合损耗，而不会增加和多数电荷载流子的横向流动相关联的串行电阻损耗。可选地，成点的扩散区域的间距可以被减少，而保持基极覆盖部分相同，因此减少串行电阻损耗，而不增加和基极扩散区域上少数电荷载流子的横向流动相关的少数电荷载流子复合。这两个限度之间的最佳配置将依赖于具体的太阳能电池。在任意情况中，成点的扩散设计相对于一个太阳应用中采用的带扩散设计或者聚光器应用中采用的点扩散设计应该导致更高的效率。
【0026】通过使用自对准接触，成点的基极扩散设计的性能可以被进一步提高。自对准接触包括使用绝缘体层中的接触孔来图案化基极扩散区域，该绝缘体层用于将基极扩散金属栅(例如，金属栅506)和连续的发射极扩散区域电隔离。自对准接触过程可以减少基极扩散区域的尺寸到接触孔的尺寸。例如，使用上述的相同设计规则，基极扩散区域的直径可以从600微米减少为200微米。假定基极扩散区域的尺寸接近于晶片的厚度，少数电荷载流子的横向传输被最小化，并且少数电荷载流子大部分纵向传输。
【0027】图8(a)和8(b)分别示意性示出根据本发明的实施例的太阳能电池500C的透视图和俯视图。太阳能电池500C为图6(a)和6(b)中所示太阳能电池500A的具体实施例。太阳能电池500C和太阳能电池500A相同，除了现在标为“503A”的其每一个基极扩散区域被使用接触孔508图案化。也就是，在太阳能电池500C中，现在标为“504A”的绝缘体层中的接触孔508被用来图案化基极扩散区域503A。这导致基极扩散区域503A具有和接触孔508相同的直径(也参见图8(b))。太阳能电池500A和500C的所有其他部件在其他方面相同。
【0028】图9(a)-9(e)示出根据本发明实施例制造太阳能电池500B(见图7(a)和7(b))的截面图。采用传统的半导体制造技术可以执行以下步骤。
【0029】在图9(a)中，在衬底的表面上形成掺杂二氧化硅层901。使用发射极的极性对层901进行掺杂。在此示例中，其中衬底为N型硅晶片501，二氧化硅层901使用诸如硼(例如BSG)的P型掺杂物来掺杂。如以下更明显的，层901的掺杂物被随后驱至晶片501，以在其中形成连续的发射极扩散区域。氧化物层901中的开口903为另一个掺杂氧化物层(图9(b)中的层902)留有空间，该另一个掺杂氧化物层902被用于形成由连续的发射极扩散区域围绕的散置的成点的扩散区域。因此，图9(a)的示例中的开口903具有成点的图案。
【0030】在图9(b)中，在层901和晶片501的暴露部分(即开口903)上形成掺杂二氧化硅层902。使用基极扩散区域的极性对层902进行掺杂。在此示例中，其中衬底为N型硅晶片501，层902使用诸如磷(例如PSG)的N型掺杂物来掺杂。
【0031】在图9(c)中，使用高温扩散过程来将氧化物层901和902的掺杂物驱至晶片501。这导致在晶片501中形成连续的发射极扩散区域502和多个基极扩散区域503(也参见图7(a)和7(b))。通过P型掺杂物从层901到晶片501的扩散来形成发射极扩散区域502。通过N型掺杂物从开口903(见图9(a))中的层902的部分的扩散来形成基极扩散区域502。层901用作扩散掩模，以阻止来自层902(见图9(b))的N型掺杂物扩散到发射极扩散区域502形成之处。掺杂层901和902共同在扩散过程之后用作绝缘体层504。
【0032】在图9(d)中，在位于基极扩散区域503和发射极扩散区域502的部分之上的绝缘体层504的部分上形成绝缘体层701。绝缘体层701优选的通过丝网印刷、喷墨印刷或者其他低成本的印刷技术来形成。因此，绝缘体层701可以包括由丝网印刷或者喷墨印刷形成的聚酰亚胺或者其它电介质。接触孔508被限定在绝缘体层701中，以允许随后形成的金属栅506电接触基极扩散区域503。
【0033】在图9(e)中，接触孔508下面的绝缘体层504的部分被蚀刻掉。同样，绝缘体层504的部分被蚀刻掉以形成接触孔507。金属栅506被形成在绝缘体层701上并且通过接触孔508，以建立金属栅506和基极扩散区域503之间的电连接。金属栅505形成在绝缘体层504上并且通过接触孔507，以建立金属栅507和发射极扩散区域502之间的电连接。
【0034】太阳能电池500B和此处公开的其它太阳能电池也可以使用共同转让的美国专利No.6998288中公开的制造步骤来制造，该美国专利整体通过引用包括在本发明中。也可以使用此处公开的用于制造太阳能电池结构的其它制造技术，而不会降低本发明的优点。
【0035】虽然已经提供本发明的具体实施例，但是应该理解这些实施例仅用于说明目的而非限制。对于本领域普通技术人员而言，通过阅读公开内容，许多附加实施例将是明显的。

Claims (20)

1、一种太阳能电池，包括：
连续的发射极扩散区域，用于收集太阳能电池中的少数电荷载流子，所述连续的发射极扩散区域被形成在所述太阳能电池的背面中；
多个成点的基极扩散区域，用于收集太阳能电池中的多数电荷载流子，所述多个成点的基极扩散区域被太阳能电池的背面中的所述连续的扩散区域围绕；
第一金属栅，电耦合到所述多个成点的基极扩散区域中的至少两个成点的基极扩散区域；
第一绝缘体层，位于所述第一金属栅和所述至少两个成点的基极扩散区域之间，所述第一金属栅通过穿过所述第一绝缘体层的至少两个接触孔电耦合到所述至少两个成点的基极扩散区域；和
第二金属栅，电耦合到所述连续的发射极扩散区域，其中，所述第一和第二金属栅被形成在所述太阳能电池的背面上。
2、根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述连续的发射极扩散区域和所述多个成点的基极扩散区域被形成在N型硅晶片中，所述连续的发射极扩散区域包括P型掺杂区域，并且所述多个成点的基极扩散区域每一个包括N型掺杂区域。
3、根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述连续的发射极扩散区域被使用硼掺杂并且所述多个成点的基极扩散区域被使用磷掺杂。
4、根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一绝缘体层位于所述第二金属栅和所述连续的发射极扩散区域之间，并且包括至少另一个接触孔，通过其所述第二金属栅电耦合到所述连续的发射极扩散区域。
5、根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，穿过所述第一绝缘体层的所述至少两个接触孔每一个的直径小于所述多个成点的基极扩散区域中的成点的基极扩散区域的直径。
6、根据权利要求1所述的太阳能电池，还包括所述第一金属栅和所述第一绝缘体之间的第二绝缘体，其中，所述第一金属栅通过穿过所述第一和第二绝缘体层的至少两个接触孔电耦合到所述至少两个成点的基极扩散区域。
7、根据权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述多个成点的基极扩散区域被周期性地布置在所述太阳能电池的背面中。
8、一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：
在衬底的第一表面上形成第一掺杂层，所述第一掺杂层包括多个开口，通过其暴露衬底的部分；
至少在所述第一掺杂层中的所述多个开口中形成第二掺杂层；
从所述第一掺杂层扩散第一掺杂物，以在太阳能电池的背面中形成连续的发射极扩散区域，所述发射极扩散区域被配置为收集太阳能电池中的少数电荷载流子；
从所述多个开口中形成的所述第二掺杂层扩散第二掺杂物，以在太阳能电池的背面中形成多个基极扩散区域，所述多个基极扩散区域被配置为收集太阳能电池中的多数电荷载流子；
在所述太阳能电池的背面上形成第一金属栅，所述第一金属栅被电耦合到所述发射极扩散区域；并且
在所述太阳能电池的背面上形成第二金属栅，所述第二金属栅被电耦合到所述多个基极扩散区域中的基极扩散区域。
9、根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二掺杂层也形成在所述第一掺杂层上。
10、根据权利要求8所述的方法，其中，所述衬底包括N型硅晶片。
11、根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一掺杂物包括P型掺杂物并且所述第二掺杂物包括N型掺杂物。
12、根据权利要求8所述的方法，其中，所述多个开口的每一个具有点的形状。
13、根据权利要求8所述的方法，还包括：在所述第二金属栅和所述发射极扩散区域之间形成绝缘体层，所述绝缘体层包括接触孔，通过其所述第二金属栅电耦合到所述发射极扩散区域。
14、根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一和第二掺杂层包括二氧化硅。
15、一种太阳能电池，包括：
多个基极扩散区域，被配置为在太阳能电池的背面收集多数电荷载流子；
连续的发射极扩散区域，被配置为在太阳能电池的背面收集少数电荷载流子，所述连续的发射极扩散区域围绕所述多个基极扩散区域中的每一个基极扩散区域；
第一金属栅，电耦合到所述多个基极扩散区域中的至少一个基极扩散区域；和
第二金属栅，电耦合到所述连续的发射极扩散区域。
16、根据权利要求15所述的太阳能电池，其中，所述多个基极扩散区域每一个包括非矩形形状。
17、根据权利要求15所述的太阳能电池，还包括位于所述第一金属栅和所述至少一个基极扩散区域之间的第一绝缘体层，所述第一金属栅通过第一绝缘体层中的接触孔电耦合到所述至少一个基极扩散区域。
18、根据权利要求17所述的太阳能电池，还包括所述第一绝缘体层和所述第一金属栅之间的第二绝缘体层，所述第一金属栅通过穿过所述第一和第二绝缘体层的接触孔电耦合到所述至少一个基极扩散区域。
19、根据权利要求15所述的太阳能电池，其中，所述第一和第二金属栅被形成在所述太阳能电池的背面上。
20、根据权利要求15所述的太阳能电池，其中，所述多个基极扩散区域和所述连续的发射极扩散区域被形成在N型硅晶片中。
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