JP2017037899A - 太陽電池セル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1導電型の基板10と、基板10の受光面10aと反対側に形成された第1導電型拡散領域12と、第2導電型拡散領域11と、基板10の受光面10aと反対側の面を覆うi型非晶質層13と、i型非晶質層13上の第1導電型拡散領域12上に対応する位置に設けられた第1導電型の非晶質層15と、i型非晶質層13上の第2導電型拡散領域11上に対応する位置に設けられた第2導電型の非晶質層14と、第1導電型の非晶質層15上に設けられた第1の電極17と、第2導電型の非晶質層14上に設けられた第2の電極16を有する。
【選択図】図1
Description
図1は、本実施の形態に係る太陽電池セルを示す模式的断面図であり、また受光面側の反射防止膜やパッシベーション構造は省略している。半導体基板であるn型単結晶シリコンウェハ10の受光面とは反対側の面10bに第1導電型であるホウ素(B)などのp型のドーパントが拡散されたp型拡散領域11と、第2導電型であるリン(P)などのn型ドーパントが拡散されたn型拡散領域12が選択的に形成されている。
図3から図7は、本実施の形態に係る太陽電池セルの製造方法を示す模式的断面図である。図3に示すように、太陽電池セル1に使用される半導体基板として、n型単結晶シリコンウェハ10を準備する。n型単結晶シリコンウェハ10の受光面側の面10aには凹凸加工や反射防止膜を形成されているが、ここでは図示しない。一方、n型単結晶シリコンウェハ10の受光面とは反対側の面10bには、p型拡散領域11およびn型拡散領域12が形成されている。
続いて、図7に示すように、メタルマスク19を外した後、p型アモルファスシリコン層およびn型アモルファスシリコン層上に電極形成用のメタルマスク20をセットし、p型アモルファスシリコン層およびn型アモルファスシリコン層上のほぼ中央にスパッタ法で電極を形成することにより、太陽電池セル1を形成することができる。
図8から図12は、本実施の形態に係る太陽電池セルの製造方法を示す模式的断面図である。まず、図4に示した実施の形態2と同様にして、n型単結晶シリコンウェハ10を準備し、受光面と反対側の裏面の拡散層上にi型アモルファスシリコン層13を形成する。
図13から図16は、本実施の形態に係る太陽電池セルの製造方法を示す模式的断面図である。まず、図4に示した実施の形態2と同様にして、n型単結晶シリコンウェハ10を準備し、受光面と反対側の裏面の拡散層上にi型アモルファスシリコン層13を形成する。
10…n型単結晶シリコンウェハ
11…p型拡散領域
12…n型拡散領域
13、23、33…i型アモルファスシリコン層
14、24、34…p型アモルファスシリコン層
15、25、35…n型アモルファスシリコン層
16、26、36…p電極
17、27、37…n電極
18、19、20、21…メタルマスク
Claims (5)
- 第1導電型の基板と、
前記基板の受光面と反対側に形成された第1導電型拡散領域と、
前記基板の受光面と反対側に形成された第2導電型拡散領域と、
前記基板の前記第1導電型拡散領域上および前記第2導電型拡散領域上に設けられ、前記基板の受光面と反対側の面を覆うi型非晶質層と、
前記i型非晶質層上の前記第1導電型拡散領域上に対応する位置に設けられた第1導電型の非晶質層と、
前記i型非晶質層上の前記第2導電型拡散領域上に対応する位置に設けられた第2導電型の非晶質層と、
前記第1導電型の非晶質層上に設けられた第1の電極と、
前記第2導電型の非晶質層上に設けられた第2の電極を有する太陽電池セル。 - 前記i型非晶質層は、1nm以上10nm以下の厚みである請求項1記載の太陽電池セル。
- 前記i型非晶質層は、前記基板の受光面とは反対側の面全面に形成された請求項1また2に記載の太陽電池セル。
- 前記第1導電型拡散領域は、前記第2導電型拡散領域を包囲するように形成された請求項1から請求項3のいずれかに記載の太陽電池セル。
- 前記第1の電極は前記第1導電型の非晶質層の端部から30μm以上離れて形成されるとともに、前記第2の電極は前記第2導電型の非晶質層の端部から30μm以上離れて形成された請求項1から請求項4のいずれかに記載の太陽電池セル。
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