CN117650188B - 太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统 - Google Patents
太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117650188B CN117650188B CN202410118651.4A CN202410118651A CN117650188B CN 117650188 B CN117650188 B CN 117650188B CN 202410118651 A CN202410118651 A CN 202410118651A CN 117650188 B CN117650188 B CN 117650188B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- emitter
- sub
- layer
- semiconductor substrate
- solar cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 80
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 74
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims description 54
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 24
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 17
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical group [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 description 38
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 16
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 14
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 13
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 10
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 8
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 polyethylene octene Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005202 decontamination Methods 0.000 description 1
- 230000003588 decontaminative effect Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Abstract
本申请涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统。太阳电池包括：半导体基底，具有相对设置的第一面和第二面；半导体基底上设有沿第一方向相邻排布的第一导电区和第二导电区，第一导电区包括沿第一方向相邻排布的第一子区和第二子区，第一子区与第二导电区相接；第一方向垂直于半导体基底的厚度方向；第一发射极，设于第一面上，且位于第一导电区；绝缘层，设于第一发射极上，且位于第一子区；以及第二发射极，设于第一面上；第二发射极包括相连接的第一子发射极和第二子发射极，第一子发射极位于第二导电区，第二子发射极设于绝缘层上；其中，第一发射极与第一子发射极电性导通。本申请能够防止热斑效应。
Description
技术领域
本申请涉及太阳电池技术领域，特别是涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统。
背景技术
太阳电池是通过光电效应直接把光能转化成电能的装置。一般来讲，使用半导体加工技术在基板的表面附近形成p-n结而在半导体晶片或基板上制造太阳电池。
其中，全背接触太阳电池的p-n结设置在基板的一面，并且P掺杂区和N掺杂区沿着基板的表面交替排列。照射在基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板主体中形成电子-空穴对。电子-空穴对迁移至基板一面的P掺杂区和N掺杂区，从而使掺杂区之间生成电压差。将掺杂区通过金属电极连接至与太阳电池耦接的外部电路，以将电流从太阳电池引导至外部电路。在相关的全背接触太阳电池技术中，通过在相邻的P型和N型掺杂区域之间设置沟槽提供隔离防止漏电和提高光电转换效率。然而，这种太阳电池易受热斑效应影响而损坏。
发明内容
基于此，有必要针对上述问题，提供一种太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统。
第一方面，本申请实施例提供一种太阳电池，包括：
半导体基底，具有相对设置的第一面和第二面；所述半导体基底上设有沿第一方向相邻排布的第一导电区和第二导电区，所述第一导电区包括沿所述第一方向相邻排布的第一子区和第二子区，所述第一子区与所述第二导电区相接；所述第一方向垂直于所述半导体基底的厚度方向；
第一发射极，设于所述第一面上，且位于所述第一导电区；
绝缘层，设于所述第一发射极上，且位于所述第一子区；以及
第二发射极，设于所述第一面上；所述第二发射极包括相连接的第一子发射极和第二子发射极，所述第一子发射极位于所述第二导电区，所述第二子发射极设于所述绝缘层上；其中，所述第一发射极与所述第一子发射极电性导通。
在其中一个实施例中，所述第一面包括位于所述第一导电区的第一子面和位于所述第二导电区的第二子面，所述第一子面与所述第二面之间的最小距离大于所述第二子面与所述第二面之间的最小距离；
所述第一发射极设于所述第一子面上，所述第一子发射极设于所述第二子面上；沿所述第一方向，所述第一发射极在第一平面上的正投影与所述第一子发射极在第一平面上的正投影具有交叠区域；所述第一发射极靠近所述第二导电区一侧的侧壁与所述第一子发射极电性导通；所述第一平面平行于所述半导体基底的厚度方向，且垂直于所述第一方向。
在其中一个实施例中，所述太阳电池还包括：
第一隧穿层，设于所述第一发射极与所述半导体基底之间；以及
第二隧穿层，设于所述第二发射极与所述半导体基底之间；
其中，部分所述第二隧穿层设于所述第一发射极靠近所述第二导电区一侧的侧壁上，且位于所述第一发射极与所述第一子发射极之间。
在其中一个实施例中，所述第二隧穿层包括：
第一子隧穿层，设于所述第二子面上；以及
第二子隧穿层，设于所述第一发射极靠近所述第二导电区的一侧，且位于所述第一发射极与所述第一子发射极之间。
在其中一个实施例中，所述第一子隧穿层与所述第二子隧穿层相间隔；
其中，所述第一子发射极至少覆盖所述第一子隧穿层远离所述半导体基底一侧的表面，所述第一隧穿层靠近所述第二导电区一侧的侧壁，及所述第二子隧穿层靠近所述第二导电区一侧的侧壁。
在其中一个实施例中，所述第二子隧穿层一端与所述第一子隧穿层连接，另一端朝远离所述半导体基底的方向延伸；
所述第二子隧穿层至少覆盖所述第一隧穿层靠近所述第二导电区一侧的侧壁，所述第一发射极靠近所述第二导电区一侧的侧壁，及所述绝缘层靠近所述第二导电区一侧的侧壁；
所述第二隧穿层还包括与所述第二子隧穿层连接的第三子隧穿层：所述第三子隧穿层设于所述绝缘层与所述第二子发射极之间。
在其中一个实施例中，所述太阳电池还包括：
第一电极，设于所述第一发射极远离所述半导体基底的一侧，且与所述第一发射极电连接；其中，所述第一电极与所述绝缘层相间隔；以及
第二电极，设于所述第二发射极远离所述半导体基底的一侧，且与所述第二发射极电连接。
在其中一个实施例中，所述绝缘层靠近所述第一电极的一侧与所述第一发射极的中心之间具有第一间距，所述第一间距介于3μm-10000μm。
在其中一个实施例中，所述绝缘层沿所述第一方向的尺寸为第一尺寸W，所述第一尺寸W满足如下关系：
0＜W＜L
其中，L为所述第一电极靠近所述绝缘层一侧的侧壁与所述第一发射极靠近所述第二导电区一侧的侧壁之间的距离。
在其中一个实施例中，所述第一发射极的厚度介于5nm-2500nm；
和/或，所述第二发射极的厚度介于5nm-2500nm。
在其中一个实施例中，所述第一发射极中还掺杂氧、氮、碳的一种或者多种组合；
和/或，所述第二发射极中还掺杂氧、氮、碳的一种或者多种组合。
在其中一个实施例中，所述绝缘层为含硅氧介质层。
在其中一个实施例中，所述太阳电池还包括：
第一钝化层，设于所述第一发射极远离所述半导体基底的一侧，及所述第二发射极远离所述半导体基底的一侧；
第一减反层，设于所述第一钝化层远离所述半导体基底的一侧；
第二钝化层，设于所述第二面上；
第二减反层，设于所述第二钝化层远离所述半导体基底的一侧。
第二方面，本申请实施例提供一种太阳电池的制备方法，包括：
提供半导体基底；所述半导体基底具有相对设置的第一面和第二面，所述半导体基底上设有沿第一方向相邻排布的第一导电区和第二导电区；所述第一导电区包括沿所述第一方向相邻排布的第一子区和第二子区，所述第一子区与所述第二导电区相接；所述第一方向垂直于所述半导体基底的厚度方向；
于所述第一面上形成第一发射极和第二发射极，并于所述第一子区的所述第一发射极上形成绝缘层；其中，所述第一发射极位于所述第一导电区；所述第二发射极包括相连接的第一子发射极和第二子发射极，所述第一子发射极位于所述第二导电区，所述第二子发射极设于所述绝缘层上；所述第一发射极与所述第一子发射极电性导通。
第三方面，本申请实施例提供一种光伏组件，包括第一方面任一实施例中的太阳电池。
第四方面，本申请实施例提供一种光伏系统，包括第三方面中的光伏组件。
本申请实施例提供的太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统，通过在第一发射极上设置绝缘层，使第二发射极的第一子发射极位于第二导电区，第二发射极的第二子发射极位于绝缘层上，并使第一发射极与第一子发射极之间电性导通，以形成有漏电路径。如此，一方面，当一个串联支路中的某个太阳电池被遮蔽导致不工作时，该太阳电池上的漏电路径可以供该串联支路中的电流通过，防止光伏组件产生热斑效应，提升了太阳电池的寿命；另一方面，由于绝缘层位于第二子发射极与第一发射极之间，可以减少第一发射极和第二发射极之间的漏电面积，从而降低漏电流，有利于提高太阳电池的效率；再一方面，在太阳电池的制备过程中，绝缘层还可以对第一发射极形成保护，降低制备工艺对第一发射极的损耗，从而提高第一发射极的结构完整性，进而有利于提高太阳电池的性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或示例性实施例中的技术方案，下面将对实施例或示例性实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施例提供的一种太阳电池的局部截面结构示意图。
图2为图1所示太阳电池的局部结构的尺寸示意图。
图3为本申请一实施例提供的另一种太阳电池的局部截面结构示意图。
图4为本申请一实施例提供的一种太阳电池的制备方法的流程示意图。
附图标记：
1、太阳电池；11、半导体基底；11a、第一面；11a1、第一子面；11a2、第二子面；11b、第二面；11c、第一导电区；11c1、第一子区；11c2、第二子区；11d、第二导电区；121、第一发射极；122、第二发射极；1221、第一子发射极；1222、第二子发射极；13、绝缘层；141、第一隧穿层；142、第二隧穿层；1421、第一子隧穿层；1422、第二子隧穿层；1423、第三子隧穿层；151、第一电极；152、第二电极；16、第一钝化层；17、第一减反层；18、第二钝化层；19、第二减反层。
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分，这些元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分与另一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分。因此，在不脱离本申请教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层、掺杂类型或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
这里参考作为本申请的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述申请的实施例，这样可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的所示形状的变化。因此，本申请的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造技术导致的形状偏差。例如，显示为矩形的注入区在其边缘通常具有圆的或弯曲特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元改变。同样，通过注入形成的埋藏区可导致该埋藏区和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。因此，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不表示器件的区的实际形状，且并不限定本申请的范围。
第一方面，参照图1和图2所示，本申请实施例提供一种太阳电池1，该太阳电池1包括半导体基底11、第一发射极121、绝缘层13和第二发射极122。半导体基底11具有相对设置的第一面11a和第二面11b，在这里，第一面11a指太阳电池1在工作时半导体基底11朝向太阳的一面，第二面11b指太阳电池1在工作时半导体基底11背离太阳的一面。半导体基底11上设有沿第一方向X相邻排布的第一导电区11c和第二导电区11d，第一导电区11c包括沿第一方向X相邻排布的第一子区11c1和第二子区11c2，第一子区11c1与第二导电区11d相接；第一方向X垂直于半导体基底11的厚度方向。第一发射极121设于第一面11a上，且位于第一导电区11c。绝缘层13设于第一发射极121上，且位于第一子区11c1。第二发射极122设于第一面11a上，第二发射极122包括相连接的第一子发射极1221和第二子发射极1222，第一子发射极1221位于第二导电区11d，第二子发射极1222设于绝缘层13上。其中，第一发射极121与第一子发射极1221电性导通。可以理解的是，第一发射极121与第一子发射极1221电性导通可以在二者之间形成漏电路径。
在这里，第一发射极121与第一子发射极1221电性导通可以通过以下两种方式实现，一是第一发射极121与第一子发射极1221直接接触，使二者实现电性导通；二是第一发射极121与第一子发射极1221之间设置有中间媒介，该中间媒介能够将第一发射极121中的电流传导至第一子发射极1221，或者将第一子发射极1221中的电流传导至第一发射极121。
可以理解的是，太阳电池1还包括第一电极151和第二电极152，第一电极151与第一发射极121电连接，第二电极152与第二发射极122电连接。由于第一发射极121与第一子发射极1221电性导通，即第一发射极121与第二发射极122电性导通，因此，在太阳电池1上可以形成如下漏电路径：电流依次由第一电极151、第一发射极121、第二发射极122传导至第二电极152，或者，电流依次由第二电极152、第二发射极122、第一发射极121传导至第一电极151。如此，当一个串联支路中的某个太阳电池1被遮蔽导致不工作时，该太阳电池1上的漏电路径可以供该串联支路中的电流通过，防止光伏组件产生热斑效应，提升了太阳电池1的寿命。
此外，通过在第一发射极121的上方设置绝缘层13，使绝缘层13位于第一发射极121的顶表面与第二子发射极1222之间，可以减少第一发射极121和第二发射极122之间的漏电面积，从而降低漏电流，有利于提高太阳电池1的工作效率。进一步地，在太阳电池1的制备过程中，绝缘层13还可以对第一发射极121形成保护，降低制备工艺对第一发射极121的损耗，从而提高第一发射极121的结构完整性，进而有利于提高太阳电池1的性能。
需要说明的是，第一发射极121具有第一导电类型，第二发射极122具有第二导电类型，第一导电类型和第二导电类型中的一者为P型，另一者为N型。
需要说明的是，半导体基底11上可以设有多个第一导电区11c和多个第二导电区11d，该多个第一导电区11c和该多个第二导电区11d沿第一方向X交替排布，即：相邻的两个第二导电区11d之间设有一个第一导电区11c，相邻的两个第一导电区11c之间设有一个第二导电区11d。相邻的第一导电区11c和第二导电区11d相接。
进一步地，每一第一导电区11c设有第一发射极121，每一第二导电区11d设有第二发射极122，每一第一发射极121上设有第一电极151，每一第二发射极122上设有第二电极152。若一个第一发射极121沿第一方向X的两侧均设有第二发射极122，那么该第一发射极121沿第一方向X的两端均设有绝缘层13。
在其中一个实施例中，如图1所示，第一面11a包括位于第一导电区11c的第一子面11a1和位于第二导电区11d的第二子面11a2，第一子面11a1与第二面11b之间的最小距离大于第二子面11a2与第二面11b之间的最小距离。在这里，也可以理解为：第一子面11a1的平均高度高于第二子面11a2的平均高度。
第一发射极121设于第一子面11a1上，第一子发射极1221设于第二子面11a2上。沿第一方向X，第一发射极121在第一平面上的正投影与第一子发射极1221在第一平面上的正投影具有交叠区域，第一平面平行于半导体基底11的厚度方向，且垂直于第一方向X。第一发射极121靠近第二导电区11d一侧的侧壁与第一子发射极1221电性导通。在图1中，第一平面为竖直平面。
在其中一个实施例中，太阳电池1还包括第一隧穿层141和第二隧穿层142，第一隧穿层141设于第一发射极121与半导体基底11之间，第二隧穿层142设于第二发射极122与半导体基底11之间。其中，部分第二隧穿层142设于第一发射极121靠近第二导电区11d一侧的侧壁上，且位于第一发射极121与第一子发射极1221之间。
通过设置第一隧穿层141和第二隧穿层142，能够降低半导体基底11与第一发射极121或第二发射极122之间的界面态密度，降低载流子复合几率，提高太阳电池1效率。进一步地，部分第二隧穿层142位于第一发射极121与第一子发射极1221之间，该部分第二隧穿层142也构成了漏电流路径的一部分。
在其中一个实施例中，参照图1和图3所示，第二隧穿层142包括第一子隧穿层1421和第二子隧穿层1422，第一子隧穿层1421设于第二子面11a2上，第二子隧穿层1422设于第一发射极121靠近第二导电区11d的一侧，且位于第一发射极121与第一子发射极1221之间。具体地，第二子隧穿层1422设于第一发射极121靠近第二导电区11d一侧的侧壁上。如此，第二子隧穿层1422也构成漏电流路径的一部分，即：漏电流在传导的过程中会经过第二子隧穿层1422。
在其中一个实施例中，参照图1所示，第一子隧穿层1421与第二子隧穿层1422相间隔，即：第一子隧穿层1421和第二子隧穿层1422并未连接。进一步地，第一子发射极1221至少覆盖第一子隧穿层1421远离半导体基底11一侧的表面，第一隧穿层141靠近第二导电区11d一侧的侧壁，及第二子隧穿层1422靠近第二导电区11d一侧的侧壁。
需要说明的是，在制作太阳电池1的过程中，先制作第一发射极121和第一隧穿层141，再制作第二隧穿层142和第二发射极122。采用热氧化工艺制作第二隧穿层142时，第一隧穿层141的侧表面不会生长第二隧穿层142，从而使第一隧穿层141的侧表面裸露，在制作第二发射极122的过程中，第二发射极122将第一隧穿层141的侧表面覆盖。
在其中一个实施例中，参照图3所示，第二子隧穿层1422一端与第一子隧穿层1421连接，另一端朝远离半导体基底11的方向延伸。第二子隧穿层1422至少覆盖第一隧穿层141靠近第二导电区11d一侧的侧壁，第一发射极121靠近第二导电区11d一侧的侧壁，及绝缘层13靠近第二导电区11d一侧的侧壁。第二隧穿层142还包括与第二子隧穿层1422连接的第三子隧穿层1423，第三子隧穿层1423设于绝缘层13与第二子发射极1222之间。
如此，通过薄膜沉积工艺制作第二隧穿层142时，可以形成连续的膜层，从而覆盖第二子面11a2、覆盖第一隧穿层141靠近第二导电区11d一侧的侧壁、第一发射极121靠近第二导电区11d一侧的侧壁、绝缘层13靠近第二导电区11d一侧的侧壁、及绝缘层13远离半导体基底11一侧的表面。
在其中一个实施例中，参照图1和图2所示，太阳电池1还包括第一电极151和第二电极152，第一电极151设于第一发射极121远离半导体基底11的一侧，且与第一发射极121电连接；其中，第一电极151与绝缘层13相间隔。第二电极152设于第二发射极122远离半导体基底11的一侧，且与第二发射极122电连接。
在这里，第一电极151与绝缘层13相间隔指：绝缘层13靠近第一电极151的一侧表面与第一电极151靠近绝缘层13的一侧表面具有间距。如此，在制作第一电极151的过程中，采用激光在第一发射极121的上方进行开口时，保证了开口具有一定的空间，能够制作第一电极151，并使第一电极151与第一发射极121形成较好的欧姆接触。
在其中一个实施例中，参照图2所示，绝缘层13靠近第一电极151的一侧表面与第一发射极121的中心之间具有第一间距S，第一间距S介于3μm-10000μm。示例性地，第一间距S可以是3μm、30μm、40μm、55μm、65μm、80μm、90μm、100μm、1000μm、10000μm或介于上述任意两者之间的数值。
一般地，第一电极151的中心与第一发射极121的中心重合，或者，第一电极151的中心与第一发射极121的中心近似重合，即：第一电极151的中心与第一发射极121的中心之间的偏差不大。通过使第一间距S的数值位于上述范围内，保证了激光开口具有一定的空间，能够制作第一电极151，并使第一电极151与第一发射极121形成较好的欧姆接触。
在其中一个实施例中，绝缘层13沿第一方向X的尺寸为第一尺寸W，第一尺寸W满足如下关系：
0＜W＜L
其中，L为第一电极151靠近绝缘层13一侧的侧壁与第一发射极121靠近第二导电区11d一侧的侧壁之间的距离。在这里，第一尺寸W可以理解为绝缘层13的宽度。
如此，一方面能够保证第一发射极121的上方保留有绝缘层13；另一方面保证了激光开口具有一定的空间，能够制作第一电极151，并使第一电极151与第一发射极121形成较好的欧姆接触。
在其中一个实施例中，第一发射极121的厚度介于5nm-2500nm。示例性地，第一发射极121的厚度可以为5nnm、10nm、50nm、80nm、100nm、125nm、150nm、180nm、220nm、245nm、250nm、500nm、1000nm、1500nm、2000nm、2500nm或介于上述任意两者之间的数值。通过使第一发射极121的厚度位于上述范围内，一方面能够保证第一电极151与第一发射极121的电连接；另一方面能够提高第一发射极121的电阻，降低漏电流，从而提高太阳电池1的性能。
在其中一个实施例中，第二发射极122的厚度介于5nm-2500nm。示例性地，第二发射极122的厚度可以为5nnm、10nm、50nm、80nm、100nm、125nm、150nm、180nm、220nm、245nm、250nm、500nm、1000nm、1500nm、2000nm、2500nm或介于上述任意两者之间的数值。通过使第二发射极122的厚度位于上述范围内，一方面能够保证第一电极151与第二发射极122的电连接；另一方面能够提高第二发射极122的电阻，降低漏电流，从而提高太阳电池1的性能。
在其中一个实施例中，第一发射极121中掺杂氧、氮、碳的一种或者多种组合。可以理解的是，第一发射极121中除了掺杂n型掺杂剂（或p型掺杂剂）之外，还可以掺杂氧、氮、碳中的至少一种。如此，有利于提高第一发射极121的电阻，降低漏电流，从而提高太阳电池1的性能。
在其中一个实施例中，第二发射极122中掺杂氧、氮、碳的一种或者多种组合。可以理解的是，第二发射极122中除了掺杂n型掺杂剂（或p型掺杂剂）之外，还可以掺杂氧、氮、和碳中的至少一种。如此，有利于提高第二发射极122的电阻，降低漏电流，从而提高太阳电池1的性能。
可以理解的是，第一发射极121和第二发射极122中也可以不掺杂氧、氮和碳。
在其中一个实施例中，绝缘层13为含硅氧介质层。可以理解的是，第一发射极121上的硅氧介质层可以是第一发射极121制作过程中形成的副产物，如此，将副产物作为绝缘层13，能够降低太阳电池1的制作成本。
在其中一个实施例中，太阳电池1还包括第一钝化层16、第一减反层17、第二钝化层18和第二减反层19。第一钝化层16设于第一发射极121远离半导体基底11的一侧，及第二发射极122远离半导体基底11的一侧；第一减反层17设于第一钝化层16远离半导体基底11的一侧；第二钝化层18设于第二面11b上；第二减反层19设于第二钝化层18远离半导体基底11的一侧。
在其中一个实施例中，第一发射极121和第二发射极122的材质为多晶硅。在本申请实施例中，第一发射极121为掺杂有p型掺杂剂的多晶硅薄膜，第二发射极122为掺杂有n型掺杂剂的多晶硅薄膜。
在其中一个实施例中，第一发射极121中的掺杂浓度介于5×1018㎝-3至5×1020㎝-3。示例性地，第一发射极121中的掺杂浓度可以为5×1018㎝-3、8×1018㎝-3、1×1019㎝-3、5×1020㎝-3或介于上述任意两个数值之间。
在其中一个实施例中，第二发射极122中的掺杂浓度介于1×1019㎝-3至5×1020㎝-3。示例性地，第二发射极122中的掺杂浓度可以为1×1019㎝-3、5×1019㎝-3、5×1020㎝-3或介于上述任意两个数值之间。
在其中一个实施例中，第一隧穿层141的厚度介于0.5nm-3nm。示例性地，第一隧穿层141的厚度可以是0.5nm、1nm、1.5nm、2.1nm、2.6nm、3nm或介于上述任意两个数值之间。
在其中一个实施例中，第二隧穿层142的厚度介于0.5nm-3nm。示例性地，第二隧穿层142的厚度可以是0.5nm、1nm、1.5nm、2.1nm、2.6nm、3nm或介于上述任意两个数值之间。
在其中一个实施例中，半导体基底11的厚度介于30μm-300μm。示例性地，半导体基底11的厚度可以是30μm、80μm、120μm、160μm、220μm、260μm、300μm或介于上述任意两个数值之间。
在其中一个实施例中，半导体基底11的电阻率介于0.1Ω·cm-50Ω·cm。示例性地，半导体基底11的电阻率可以是0.1Ω·cm、5Ω·cm、12Ω·cm、25Ω·cm、35Ω·cm、45Ω·cm、50Ω·cm或介于上述任意两个数值之间。
在其中一个实施例中，第一钝化层16的材质可以包括氧化铝、氮化硅等。
在其中一个实施例中，第二钝化层18的材质可以包括氧化铝、氮化硅等。
在其中一个实施例中，第一减反层17的材质可以包括氮化硅、氧化钛、氟化镁等。
在其中一个实施例中，第二减反层19的材质可以包括氮化硅、氧化钛、氟化镁等。
第二方面，参照图4所示，本申请实施例提供一种太阳电池的制备方法，该制备方法可以用于制备第一方面中的太阳电池，具体地，该制备方法具体包括如下步骤：
S100：提供半导体基底。半导体基底具有相对设置的第一面和第二面，半导体基底上设有沿第一方向相邻排布的第一导电区和第二导电区；第一导电区包括沿第一方向相邻排布的第一子区和第二子区，第一子区与第二导电区相接。第一方向垂直于半导体基底的厚度方向。示例性地，半导体基底的材质可以为硅。可以理解的是，在该步骤中，可以使用去污液去除半导体基底上的污染物。在一个示例中，去污液为碱溶液。
S200：于第一面上形成第一发射极和第二发射极，并于第一子区的第一发射极上形成绝缘层。其中，第一发射极位于第一导电区；第二发射极包括相连接的第一子发射极和第二子发射极，第一子发射极位于第二导电区，第二子发射极设于绝缘层上；第一发射极与第一子发射极电性导通，以形成漏电路径。
本申请实施例提供的太阳电池及其制备方法，通过在第一发射极上设置绝缘层，使第二发射极的第一子发射极位于第二导电区，第二发射极的第二子发射极位于绝缘层上，并使第一发射极与第一子发射极之间形成有漏电路径。如此，一方面，当一个串联支路中的某个太阳电池被遮蔽导致不工作时，该太阳电池上的漏电路径可以供该串联支路中的电流通过，防止光伏组件产生热斑效应，提升了太阳电池的寿命；另一方面，由于绝缘层位于第二子发射极与第一发射极之间，可以减少第一发射极和第二发射极之间的漏电面积，从而降低漏电流，有利于提高太阳电池的效率；再一方面，在太阳电池的制备过程中，绝缘层还可以对第一发射极形成保护，降低制备工艺对第一发射极的损耗，从而提高第一发射极的结构完整性，进而有利于提高太阳电池的性能。
在其中一个实施例中，S200具体包括如下步骤：
S210：于第一面上形成层叠的第一隧穿材料层、第一发射极材料层和第一含硅氧介质材料层，并对半导体基底进行第一热处理。
示例性地，可以采用等离子体氧化工艺或热氧化工艺制作第一隧穿材料层。示例性地，第一发射极材料层可以通过以下两种方法制作，第一种方法为采用PECVD（PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积）工艺制作第一发射极材料层，该第一发射极材料层含有掺杂元素（例如硼或者磷）；然后可以采用PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积）工艺在第一发射极材料层上沉积第一含硅氧介质材料层。第二种方法为采用LPCVD（Low PressureChemical Vapor Deposition，低压化学气相沉积）工艺制作第一发射极材料层，该第一发射极材料层可以含有掺杂元素（例如硼或者磷），也可以不含掺杂元素（例如硼或者磷）。
示例性地，可以在700℃-1100℃下进行第一热处理。若采用前文中的第一种方法制作第一发射极材料层，则该第一热处理工序将第一发射极材料层包含的掺杂元素（例如硼或者磷）激活，第一含硅氧介质材料层起到保护作用。若采用前文中的第二种方法制作第一发射极材料层，则可再分为两种情况，一种情况是第一发射极材料层含有掺杂元素（例如硼或者磷），该掺杂元素在第一热处理中被激活，同时在第一热处理过程中通过高温氧化方式形成第一含硅氧介质材料层；第二种情况是第一发射极材料层不含有掺杂元素（例如硼或者磷），则第一热处理过程中需要从外部引入掺杂元素到第一发射极材料层中，例如通过硼扩散或者磷扩散，同时在第一热处理过程中形成第一含硅氧介质材料层。
在以上申请实施例中，第一隧穿材料层的材料为氧化硅，第一发射极材料层的材质在初始沉积后为微晶非晶硅混合材料。在第一热处理过程中，微晶非晶混合材料会进一步晶化，从而形成含有掺杂剂的晶化硅材料层。
S220：去除第二导电区的第一隧穿材料层、第一发射极材料层和第一含硅氧介质材料层。示例性地，可以采用激光和腐蚀溶液去除上述材料。
S230：于第一面上形成层叠的第二隧穿材料层、第二发射极材料层和第二含硅氧介质材料层，并对半导体基底进行第二热处理。
示例性地，可以采用等离子体氧化工艺或热氧化工艺制作第二隧穿材料层。示例性地，第二发射极材料层可以通过以下两种方法制作，第一种方法为采用PECVD（PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积）工艺制作第二发射极材料层，该第二发射极材料层含有掺杂元素（与第一发射极材料层不同类型的掺杂元素，例如第一发射极材料层的掺杂元素为硼，则第二发射极材料层的掺杂元素为磷，反之亦然）；然后可以采用PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积）工艺在第二发射极材料层上沉积第二含硅氧介质材料层。第二种方法为采用LPCVD（Low Pressure Chemical Vapor Deposition，低压化学气相沉积）工艺制作第二发射极材料层，该第二发射极材料层可以含有掺杂元素（与第一发射极材料层的掺杂元素的类型不同，例如第一发射极材料层的掺杂元素为硼，则第二发射极材料层的掺杂元素为磷，反之亦然），也可以不含掺杂元素（例如硼或者磷）。
示例性地，可以在700℃-1100℃下进行第二热处理。若采用前文中的第一种方法制作第二发射极材料层，则该第二热处理工序将第二发射极材料层包含的掺杂元素（与第一发射极材料层的掺杂元素的类型不同，例如第一发射极材料层的掺杂元素为硼，则第二发射极材料层的掺杂元素为磷，反之亦然）被激活，第二含硅氧介质材料层起到保护作用。若采用前文中的第二种方法制作第二发射极材料层，则可再分为两种情况，一种情况是第二发射极材料层含有掺杂元素（与第一发射极材料层的掺杂元素的类型不同，例如第一发射极材料层的掺杂元素为硼，则第二发射极材料层的掺杂元素为磷，反之亦然），该掺杂元素在第二热处理中被激活，同时在第二热处理过程中通过高温氧化方式形成第二含硅氧介质材料层；第二种情况是第二发射极材料层不含有掺杂元素（例如硼或者磷），则第二热处理过程中需要从外部引入掺杂元素到第二发射极材料层中，例如通过硼扩散或者磷扩散，注意此处的掺杂元素与第一发射极材料层中的掺杂元素为不同类型的掺杂元素，例如第一发射极材料层的掺杂元素为硼，则第二发射极材料层的掺杂元素为磷，反之亦然。同时在第二热处理过程中形成第二含硅氧介质材料层。
在以上申请实施例中，第二隧穿材料层的材料为氧化硅，第二发射极材料层的材质在初始沉积后为微晶非晶硅混合材料。在第二热处理过程中，微晶非晶混合材料会进一步晶化，从而形成含有掺杂剂的晶化硅材料层。
S240：去除第二子区的第二隧穿材料层、第二发射极材料层和第二含硅氧介质材料层。示例性地，可以采用激光和腐蚀溶液去除上述材料。
S250：去除第二含硅氧介质材料层。如此，可以形成第一隧穿层、第一发射极、绝缘层、第二隧穿层和第二发射极。其中，残留在第一发射极上方的第一含硅氧介质材料层形成绝缘层。
在其中一个实施例中，该制备方法还包括如下步骤：
S300：于第一面上形成第一钝化层，于第二面上形成第二钝化层。
S400：于第一钝化层上形成第一减反层，于第二钝化层上形成第二减反层。
S500：在第一面上形成第一电极和第二电极。具体地，可以在第一发射极对应的区域、第二发射极对应的区域印刷导电浆料，然后进行烧结，在烧结的过程中，第一电极烧穿第一钝化层和第一减反层与第一发射极接触，第二电极烧穿第二钝化层和第二减反层与第二发射极接触。
应该理解的是，在本申请实施例中，附图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
第三方面，本申请实施例提供一种光伏组件，包括第一方面任一实施例中的太阳电池。
示例性地，该光伏组件包括多个太阳电池，多个太阳电池可通过焊带而串焊在一起，从而将单个太阳电池产生的电能进行汇集以便进行后续的输送。当然，太阳电池之间可以间隔排布，也可以采用叠瓦形式堆叠在一起。
进一步地，光伏组件还包括封装层和盖板（未图示），封装层用于覆盖电池串的表面，盖板用于覆盖封装层远离电池串的表面。太阳电池以整片或者多分片的形式电连接形成多个电池串，多个电池串以串联和/或并联的方式进行电连接。具体地，在一些实施例中，多个电池串之间可以通过导电带电连接。封装层覆盖太阳电池的表面。示例性地，封装层可以为乙烯-乙酸乙烯共聚物胶膜、聚乙烯辛烯共弹性体胶膜或者聚对苯二甲酸乙二醇酯胶膜等有机封装胶膜。盖板可以为玻璃盖板、塑料盖板等具有透光功能的盖板。
第四方面，本申请实施例提供一种光伏系统，包括第三方面中的光伏组件。
具体地，光伏系统可应用在光伏电站中，例如地面电站、屋顶电站、水面电站等，也可应用在利用太阳能进行发电的设备或者装置上，例如用户太阳能电源、太阳能路灯、太阳能汽车、太阳能建筑等等。当然，可以理解的是，光伏系统的应用场景不限于此，也即是说，光伏系统可应用在需要采用太阳能进行发电的所有领域中。以光伏发电系统网为例，光伏系统可包括光伏阵列、汇流箱和逆变器，光伏阵列可为多个光伏组件的阵列组合，例如，多个光伏组件可组成多个光伏阵列，光伏阵列连接汇流箱，汇流箱可对光伏阵列所产生的电流进行汇流，汇流后的电流流经逆变器转换成市电电网要求的交流电之后接入市电网络以实现太阳能供电。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (15)
1.一种太阳电池，其特征在于，包括：
半导体基底，具有相对设置的第一面和第二面；所述半导体基底上设有沿第一方向相邻排布的第一导电区和第二导电区，所述第一导电区包括沿所述第一方向相邻排布的第一子区和第二子区，所述第一子区与所述第二导电区相接；所述第一方向垂直于所述半导体基底的厚度方向；
第一发射极，设于所述第一面上，且位于所述第一导电区；
绝缘层，设于所述第一发射极上，且位于所述第一子区；以及
第二发射极，设于所述第一面上；所述第二发射极包括相连接的第一子发射极和第二子发射极，所述第一子发射极位于所述第二导电区，所述第二子发射极设于所述绝缘层上；其中，所述第一发射极与所述第一子发射极电性导通；
所述第一发射极中还掺杂氧、氮、碳的一种或者多种组合，以增大所述第一发射极的电阻；和/或，所述第二发射极中还掺杂氧、氮、碳的一种或者多种组合，以增大所述第二发射极的电阻。
2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第一面包括位于所述第一导电区的第一子面和位于所述第二导电区的第二子面，所述第一子面与所述第二面之间的最小距离大于所述第二子面与所述第二面之间的最小距离；
所述第一发射极设于所述第一子面上，所述第一子发射极设于所述第二子面上；
沿所述第一方向，所述第一发射极在第一平面上的正投影与所述第一子发射极在第一平面上的正投影具有交叠区域；所述第一发射极靠近所述第二导电区一侧的侧壁与所述第一子发射极电性导通；所述第一平面平行于所述半导体基底的厚度方向，且垂直于所述第一方向。
3.根据权利要求2所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池还包括：
第一隧穿层，设于所述第一发射极与所述半导体基底之间；以及
第二隧穿层，设于所述第二发射极与所述半导体基底之间；
其中，部分所述第二隧穿层设于所述第一发射极靠近所述第二导电区一侧的侧壁上，且位于所述第一发射极与所述第一子发射极之间。
4.根据权利要求3所述的太阳电池，其特征在于，所述第二隧穿层包括：
第一子隧穿层，设于所述第二子面上；以及
第二子隧穿层，设于所述第一发射极靠近所述第二导电区的一侧，且位于所述第一发射极与所述第一子发射极之间。
5.根据权利要求4所述的太阳电池，其特征在于，所述第一子隧穿层与所述第二子隧穿层相间隔；
其中，所述第一子发射极至少覆盖所述第一子隧穿层远离所述半导体基底一侧的表面，所述第一隧穿层靠近所述第二导电区一侧的侧壁，及所述第二子隧穿层靠近所述第二导电区一侧的侧壁。
6.根据权利要求4所述的太阳电池，其特征在于，所述第二子隧穿层一端与所述第一子隧穿层连接，另一端朝远离所述半导体基底的方向延伸；
所述第二子隧穿层至少覆盖所述第一隧穿层靠近所述第二导电区一侧的侧壁，所述第一发射极靠近所述第二导电区一侧的侧壁，及所述绝缘层靠近所述第二导电区一侧的侧壁；
所述第二隧穿层还包括与所述第二子隧穿层连接的第三子隧穿层：所述第三子隧穿层设于所述绝缘层与所述第二子发射极之间。
7.根据权利要求1-6任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池还包括：
第一电极，设于所述第一发射极远离所述半导体基底的一侧，且与所述第一发射极电连接；其中，所述第一电极与所述绝缘层相间隔；以及
第二电极，设于所述第二发射极远离所述半导体基底的一侧，且与所述第二发射极电连接。
8.根据权利要求7所述的太阳电池，其特征在于，所述绝缘层靠近所述第一电极的一侧与所述第一发射极的中心之间具有第一间距，所述第一间距介于3μm-10000μm。
9.根据权利要求7所述的太阳电池，其特征在于，所述绝缘层沿所述第一方向的尺寸为第一尺寸W，所述第一尺寸W满足如下关系：
0＜W＜L
其中，L为所述第一电极靠近所述绝缘层一侧的侧壁与所述第一发射极靠近所述第二导电区一侧的侧壁之间的距离。
10.根据权利要求1-6任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述第一发射极的厚度介于5nm-2500nm；
和/或，所述第二发射极的厚度介于5nm-2500nm。
11.根据权利要求1-6任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述绝缘层为含硅氧介质层。
12.根据权利要求1-6任一项所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池还包括：
第一钝化层，设于所述第一发射极远离所述半导体基底的一侧，及所述第二发射极远离所述半导体基底的一侧；
第一减反层，设于所述第一钝化层远离所述半导体基底的一侧；
第二钝化层，设于所述第二面上；
第二减反层，设于所述第二钝化层远离所述半导体基底的一侧。
13.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底；所述半导体基底具有相对设置的第一面和第二面，所述半导体基底上设有沿第一方向相邻排布的第一导电区和第二导电区；所述第一导电区包括沿所述第一方向相邻排布的第一子区和第二子区，所述第一子区与所述第二导电区相接；所述第一方向垂直于所述半导体基底的厚度方向；
于所述第一面上形成第一发射极和第二发射极，并于所述第一子区的所述第一发射极上形成绝缘层；其中，所述第一发射极位于所述第一导电区；所述第二发射极包括相连接的第一子发射极和第二子发射极，所述第一子发射极位于所述第二导电区，所述第二子发射极设于所述绝缘层上；所述第一发射极与所述第一子发射极电性导通；所述第一发射极中还掺杂氧、氮、碳的一种或者多种组合，以增大所述第一发射极的电阻；和/或，所述第二发射极中还掺杂氧、氮、碳的一种或者多种组合，以增大所述第二发射极的电阻。
14.一种光伏组件，其特征在于，包括如权利要求1-12任一项所述的太阳电池。
15.一种光伏系统，其特征在于，包括如权利要求14所述的光伏组件。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410118651.4A CN117650188B (zh) | 2024-01-29 | 太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410118651.4A CN117650188B (zh) | 2024-01-29 | 太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117650188A CN117650188A (zh) | 2024-03-05 |
| CN117650188B true CN117650188B (zh) | 2024-06-04 |
Family
ID=
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105122460A (zh) * | 2013-03-21 | 2015-12-02 | 荷兰能源研究中心基金会 | 太阳能电池及制造这种太阳能电池的方法 |
| CN114122162A (zh) * | 2014-09-19 | 2022-03-01 | 太阳能公司 | 具有区分开的p型和n型架构并且包含点状扩散的太阳能电池发射极区的制造 |
| WO2023050823A1 (zh) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种背接触电池 |
| CN115939240A (zh) * | 2022-12-01 | 2023-04-07 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 一种背接触电池及其制造方法、光伏组件 |
| CN116525708A (zh) * | 2023-07-05 | 2023-08-01 | 福建金石能源有限公司 | 正面宽带隙掺杂的联合钝化背接触太阳电池及其制备方法 |
| CN117423762A (zh) * | 2023-12-15 | 2024-01-19 | 天合光能股份有限公司 | 太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统 |
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105122460A (zh) * | 2013-03-21 | 2015-12-02 | 荷兰能源研究中心基金会 | 太阳能电池及制造这种太阳能电池的方法 |
| CN114122162A (zh) * | 2014-09-19 | 2022-03-01 | 太阳能公司 | 具有区分开的p型和n型架构并且包含点状扩散的太阳能电池发射极区的制造 |
| WO2023050823A1 (zh) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种背接触电池 |
| CN115939240A (zh) * | 2022-12-01 | 2023-04-07 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 一种背接触电池及其制造方法、光伏组件 |
| CN116525708A (zh) * | 2023-07-05 | 2023-08-01 | 福建金石能源有限公司 | 正面宽带隙掺杂的联合钝化背接触太阳电池及其制备方法 |
| CN117423762A (zh) * | 2023-12-15 | 2024-01-19 | 天合光能股份有限公司 | 太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10573764B2 (en) | Solar cell with reduced base diffusion area | |
| KR101000064B1 (ko) | 이종접합 태양전지 및 그 제조방법 | |
| CN115241298B (zh) | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 | |
| US9269839B2 (en) | Solar cell and method of manufacturing the same | |
| US20130220396A1 (en) | Photovoltaic Device and Module with Improved Passivation and a Method of Manufacturing | |
| US20110017258A1 (en) | Solar cell and fabrication method thereof | |
| US4090213A (en) | Induced junction solar cell and method of fabrication | |
| KR20100107258A (ko) | 태양전지 및 그 제조방법 | |
| EP2538447B1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| US20130160840A1 (en) | Solar cell | |
| TW201725746A (zh) | 串接式太陽電池及其製造方法以及太陽面板 | |
| KR102547804B1 (ko) | 양면 수광형 실리콘 태양전지 및 그 제조 방법 | |
| CN117423762A (zh) | 太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统 | |
| KR101238988B1 (ko) | 후면전극형 태양전지 및 그 제조방법 | |
| CN117650188B (zh) | 太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统 | |
| KR101348848B1 (ko) | 후면전극형 태양전지의 제조방법 | |
| CN215183999U (zh) | 一种应用于隧穿型太阳能电池上的接触结构及带有该接触结构的太阳能电池 | |
| CN117650188A (zh) | 太阳电池及其制备方法、光伏组件、光伏系统 | |
| KR20180127597A (ko) | 후면접합 실리콘 태양전지 및 이를 제조하는 방법 | |
| KR20120009562A (ko) | 태양 전지 및 이의 제조 방법 | |
| KR20150061169A (ko) | 태양 전지 및 이의 제조 방법 | |
| JP7248856B1 (ja) | 太陽電池および太陽電池の製造方法、光起電力モジュール | |
| KR101335195B1 (ko) | 후면전극형 태양전지 및 그 제조방법 | |
| KR101178344B1 (ko) | 후면전극형 태양전지 및 그 제조방법 | |
| CN117276361B (zh) | 太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant |