KR101034318B1 - 태양전지 및 태양전지 제조방법 - Google Patents

태양전지 및 태양전지 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101034318B1
KR101034318B1 KR1020090117129A KR20090117129A KR101034318B1 KR 101034318 B1 KR101034318 B1 KR 101034318B1 KR 1020090117129 A KR1020090117129 A KR 1020090117129A KR 20090117129 A KR20090117129 A KR 20090117129A KR 101034318 B1 KR101034318 B1 KR 101034318B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
upper electrode
substrate
hole
forming
silicon substrate
Prior art date
Application number
KR1020090117129A
Other languages
English (en)
Inventor
조규봉
노정필
김기원
Original Assignee
넥스콘 테크놀러지 주식회사
경상대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 넥스콘 테크놀러지 주식회사, 경상대학교산학협력단 filed Critical 넥스콘 테크놀러지 주식회사
Priority to KR1020090117129A priority Critical patent/KR101034318B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101034318B1 publication Critical patent/KR101034318B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

태양전지가 개시된다. 본 태양전지는, 빛 에너지를 전기 에너지를 변환하는 기판, 기판을 수직 방향으로 관통하는 홀. 및, 기판의 표면에서 홀을 중심으로 방사형 형태를 갖는 상부 전극을 포함한다.
태양전지, 전극, 방사형, 스크린 프린트, 홀

Description

태양전지 및 태양전지 제조방법{SOLAR CELL AND METHOD OF MANUFACTURING SOLAR CELL}
본 발명은 태양전지 및 태양전지 제조방법에 관한 것으로, 태양전지를 관통하는 홀 및 홀을 중심으로 방사형 형태의 전극을 형성하여, 태양전지 상부에 형성되는 전극의 면적을 최소화한 태양전지 및 태양전지 제조방법에 관한 것이다.
최근 세계적으로 친환경에너지원의 개발, CO2 배출의 감소의무 그리고 고유가시대와 맞물려, 풍력, 태양광, 연료전지 및 조력발전 등과 같은 신재생 에너지원이 크게 증대되고 있다.
이 중 태양전지는 태양열을 이용하여 터빈을 회전시키는데 필요한 증기를 발생시키는 태양열 전지와, 반도체 성질을 이용하여 태양빛을 전기에너지로 변화시키는 태양광 전지가 있으며, 일반적으로 태양전지라고 하면 태양광 전지를 일컫는다. 이하에서는 태양광 전지를 태양전지라고 칭한다.
도 8을 참고하면, 태양전지는 다이오드와 같이 P형 반도체와 N 형 반도체의 접합 구조를 가지며, 태양전지에 빛이 입사되면 빛과 태양전지의 반도체를 구성하 는 물질과의 상호 작용으로 - 전하를 띤 전자와 전자가 빠져나가 + 전하를 띤 정공이 발생하게 되고, 이들이 이동하면서 전류가 흐르게 된다. 이와 같은 동작을 광 기전력 효과(photovoltaic effect)라 하는데, 태양전지를 구성하는 P형 반도체 및 N형 반도체 중 전자는 N형 반도체 쪽으로, 정공은 P형 반도체 쪽으로 끌어 당겨져 각각 N형 반도체 및 P 형 반도체와 접합한 전극으로 이동하게 된다.
도 8은 종래의 태양전지의 단면을 도시한 도면이다.
도 8을 참고하면, 종래의 태양전지는 N형 반도체에서 발생한 전자를 집적하기 위한 전극(40, 50)을 포함한다. 그러나, 태양전지의 수광 영역에 형성되는 전극은 태양전지 내에 빛의 투과를 방해한다는 점에서, 태양전지의 효율은 태양전지의 표면상에 형성되는 전극의 면적에 영향을 받는다.
그러나, 종래의 태양전지의 전극(40, 50)은 비교적 넓은 면적을 갖는 컬렉터 라인(40)이 태양전지의 표면상에 위치한다는 점에서, 태양전지 표면에서 전극이 차지하는 면적을 최소화하는 데 어려운 점이 있었다.
상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 본 발명의 목적은, 태양전지를 관통하는 홀 및 홀을 중심으로 방사형 형태의 전극을 형성하여, 태양전지 표면에 형성되는 전극의 면적을 최소화한 태양전지 및 태양전지 제조방법을 제공하는 데 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지는, 빛 에너지를 전기 에너지를 변환하는 기판, 상기 기판을 수직 방향으로 관통하는 홀, 및, 상기 기판의 표면에서 상기 홀을 중심으로 방사형 형태를 갖는 상부 전극을 포함한다.
이 경우, 상기 상부 전극은, 상기 홀을 중심으로 상기 기판의 가장자리 방향으로 배치되는 라인 형태의 복수의 제1 전극을 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 상부 전극은,상기 복수의 제1 전극 각각과 수직되는 방향으로 연결되는 복수의 제2 전극을 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 상부 전극은, 상기 복수의 제1 전극과 연결되며, 상기 홀을 중심으로 갖는 원형의 복수의 제2 전극을 더 포함할 수도 있다.
이 경우, 상기 제2 전극은, 상기 제1 전극의 폭보다 좁은 폭을 갖는 것이 바람직하다.
한편, 본 태양전지는, 상기 기판의 하부에 배치되는 하부 전극, 및, 상기 홀 표면을 절연하는 절연층을 더 포함하고, 상기 홀은, 상기 상부 전극과 전기적으로 연결되는 것이 바람직하다.
한편, 상기 기판은, 제1 도전형 실리콘 기판, 및, 상기 제1 도전형 실리콘 기판과 반대 도전형을 가지며, 상기 제1 도전형 실리콘 기판과 P-N 접합을 이루는 제2 도전형 실리콘 기판을 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 제1 도전형 실리콘 기판은, P형 실리콘 기판인 것이 바람직하다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 제조방법은, 빛 에너지를 전기 에너지로 변환하는 기판을 구비하는 단계, 상기 기판의 수직 방향에 홀을 형성하는 단계, 상기 기판의 하부에 하부 전극을 형성하는 단계, 상기 홀 표면을 절연하는 절연층을 형성하는 단계, 및, 상기 기판의 상부 표면에 상기 홀을 중심으로 방사형 형태를 갖는 상부 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
이 경우, 상기 상부 전극을 형성하는 단계는, 스크린 프린팅 방식으로 상기 상부 전극을 형성하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 상부 전극을 형성하는 단계는, 상기 상부 전극이 상기 홀을 중심으로 상기 기판의 가장자리 방향으로 배치되는 복수의 제1 전극을 갖도록, 상기 상부 전극을 형성하는 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 상부 전극을 형성하는 단계는, 상기 상부 전극이 상기 복수의 제1 전극 각각과 수직되는 방향으로 연결된 복수의 제2 전극을 더 갖도록, 상기 상부 전극을 형성하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 상부 전극을 형성하는 단계는, 상기 상부 전극이 상기 복수의 제1 전극과 연결되며, 상기 홀을 중심으로 갖는 원형 형태의 복수의 제2 전극을 더 갖도록 상기 상부 전극을 형성하는 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 상부 전극을 형성하는 단계는, 상기 제2 전극이 상기 제1 전극의 폭보다 좁은 폭을 갖도록 상기 상부 전극을 형성하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 기판을 구비하는 단계는, P-N 접합을 이루는 제1 도전형 실리콘 기판 및 제2 도전형 실리콘 기판을 구비하는 것이 바람직하다.
본 실시예에 따른 태양전지 및 태양전지의 제조방법은, 방사형 형태의 상부 전극을 갖는다는 점에서, 비교적 넓은 폭을 갖는 컬렉터 라인의 면적을 축소할 수 있게 되어, 태양전지의 수광 영역에서의 전극이 차지하는 면적을 최소화할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 태양전지 및 태양전지의 제조방법은, 상부 전극에서 모인 전하를 홀을 통하여 태양전지의 하부로 출력할 수 있게 된다는 점에서, 태양전지의 수광 영역 상에 전원 출력을 위한 솔더를 생성할 필요가 없게 되어, 수광 영역에서의 전극이 차지하는 면적을 더욱 최소화할 수 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 구성을 도시한 도면이다.
도 1을 참고하면, 본 실시예에 따른 태양전지(100)는 기판(110, 120), 홀(130), 상부 전극(140), 하부 전극(150), 및 절연막(160)을 포함한다.
기판(110, 120)은 빛 에너지를 전기 에너지로 변환한다. 구체적으로, 기판(110, 120)은 단결정 실리콘 태양전지, 다결정 실리콘 태양전지, 비정질 실리콘 태양전지, 화합물 태양전지 및 염료감응형 태양전지에 이용되는 기판일 수 있다. 이하에서는 N-P 접합을 이루는 실리콘 기판을 이용하여 설명하지만, 본원의 기판이 N-P 접합을 이루는 실리콘 기판에만 적용되는 것은 아님을 밝힌다.
구체적으로, 기판(110, 120)은 제1 도전형 실리콘 기판(110) 및 제2 도전형 실리콘 기판(120)으로 구현될 수 있다. 여기서, 제1 도전형 실리콘 기판(110) 및 제2 도전형 실리콘 기판(120)은 서로 다른 도전형을 갖는 실리콘 기판이다. 구체적으로, 제1 도전형 실리콘 기판(110)이 N형 실리콘 기판인 경우, 제2 도전형 실리콘 기판(120)은 P형 실리콘 기판일 수 있다. 반대로 제1 도전형 실리콘 기판(110)이 P형 실리콘 기판인 경우, 제2 도전형 실리콘 기판(120)은 N형 실리콘 기판일 수 있다.
그리고, 제1 도전형 실리콘 기판(110)과 제2 도전형 실리콘 기판(120)은 P-N 접합을 이룬다. 구체적으로, 제2 도전형 실리콘 기판(120)이 P형 실리콘 기판인 경우, 제2 도전형 실리콘 기판(120) 상에 P, As, Sb 등의 5족 원소를 도핑하여 N형 도전층을 형성함으로써, 제1 도전형 실리콘 기판(110) 및 제2 도전형 실리콘 기판(120)이 P-N 접합을 갖도록 할 수 있다. 구현시에는 P형 실리콘 기판 상에 N형 실리콘 기판을 적층하고, 가열함으로써 P-N 접합을 갖는 실리콘 기판을 이용할 수도 있다. 본 실시 예에서는 P-N 접합을 이루는 실리콘 기판에 대해서만 설명하였지만, 구현시에는 P-I-N 접합을 이루는 실리콘 기판 및 상술한 바와 같은 다른 기판을 이용하는 형태로도 구현될 수 있다.
홀(130)은 기판(110, 120)을 수직하는 방향으로 관통한다. 구체적으로, P-N 접합을 이루는 제1 도전형 실리콘 기판(110) 및 제2 도전형 실리콘 기판(120)에 레이저 방식, 식각 방식 또는 기계적 천공 방식을 이용하여 제1도전형 실리콘 기판(110) 및 제2 도전형 실리콘 기판(120)을 수직으로 관통하는 홀(130)을 형성할 수 있다.
그리고, 홀(130)은 도전물질(180)을 포함할 수 있다. 구체적으로, 홀(130)은 절연층(160)을 통하여 표면이 절연되며, 절연된 홀(130) 내부에 도전물질(180)이 채워질 수 있다. 그리고, 도전물질(180)은 상부 전극(140)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 본 실시 예에 따른 태양전지(100)는 태양전지(100)에서 생성되는 전원을 태양전지(100)의 하부에서 출력할 수 있게 된다.
상부 전극(140)은 기판(110, 120)의 표면에서 홀을 중심으로 방사형 형태를 갖는다. 구체적으로, 상부 전극(140)은 홀(130)을 중심으로 제1 도전형 실리콘 기판(110)의 가장자리 방향으로 배치되는 라인 형태의 복수의 제1 전극을 포함할 수 있다. 그리고, 상부 전극(140)은 복수의 제1 전극 및 복수의 제1 전극 각각과 수직되는 방향으로 연결되는 복수의 제2 전극을 포함할 수도 있다. 또한, 상부 전극(140)은 복수의 제1 전극 및 홀을 중심으로 갖는 원형의 복수의 제2 전극을 포함할 수도 있다. 상부 전극(140)의 다양한 형태에 대해서는 도 5 내지 7을 참고하여 후술한다.
하부 전극(150)은 기판(110, 120)의 하부에 배치된다. 구체적으로, 하부 전극(150)은 제2 도전형 실리콘 표면(120)에 배치된다.
절연층(160)은 홀(130)의 표면을 절연한다. 구체적으로, 절연층(160)은 하부 전극(150)과 상부 전극(140) 및 도전 물질(180) 사이를 절연할 수 있다. 구현시에는 도 1에 도시된 바와 같이 홀(130)의 표면뿐만 아니라 하부 전극(150)의 상부까지 절연하는 형태로 구현될 수 있다.
이상과 같이 본 실시예에 따른 태양전지(100)는 방사형 형태의 상부 전극을 갖는다는 점에서, 비교적 넓은 폭을 갖는 컬렉터 라인의 면적을 축소할 수 있게 되어, 태양전지의 수광 영역에서의 전극이 차지하는 면적을 최소화할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 태양전지(100)는 상부 전극(140)에서 모인 전하를 홀(130)을 통하여 태양전지(100)의 하부로 출력할 수 있게 된다는 점에서, 태양전지(100)의 수광 영역 상에 전원 출력을 위한 솔더를 생성할 필요가 없게 되어, 수광 영역에서의 전극이 차지하는 면적을 더욱 최소화할 수 있다.
도 2 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조 과정을 설명하기 위한 도면이다. 이하에서는 도 2 및 도 3을 참고하여 태양전지의 제조 과정을 설명한다. 한편, 이하에서는 본원에 적용될 수 있는 기판 중 P-N 접합을 이루는 실리콘 기판을 이용하여 본 실시예에 따른 태양전지를 제조하는 과정을 설명하나, 상술한 바와 같이 P-N 접합을 이루는 실리콘 기판 이외의 다른 기판을 이용하여, 아래의 공정을 변경하여 구현할 수 있음을 밝혀둔다.
먼저, 도 2a 및 도 3a를 참고하면, 제2 도전형 실리콘 기판(120)을 구비한다. 제2 도전형 실리콘 기판(120)은 P형 및 N형 실리콘 기판이 모두 사용될 수 있다. 그 중 P형 실리콘 기판이 소수 캐리어의 수명 및 모빌리티가 크다는 점에서, P형 실리콘 기판을 이용하는 것이 좋다. 따라서, 이하에서는 제2 도전형 실리콘 기판(120)이 P형 실리콘 기판인 것을 전제로 하여 설명한다.
다음 공정으로, 도 2b 및 3b에 도시된 바와 같이, P-N 접합을 갖는 실리콘 기판(110, 120)을 형성한다 구체적으로, P형 실리콘 기판에는 B, Ga, In 등의 3족 원소들이 도핑되어 있는바, 제2 도전형 실리콘 기판(120) 상에 P, As, Sb 등의 5족 원소를 도핑함으로써, P-N 접합을 갖는 제1 도전형 실리콘 기판(110) 및 제2 도전형 실리콘 기판(120)을 형성할 수 있다.
다음 공정으로, 도 2c 및 3c에 도시된 바와 같이, P-N 접합이 이루어진 제1 도전형 실리콘 기판(110) 및 제2 도전형 실리콘 기판(120)에 홀을 형성한다. 구체적으로, 레이저 방식, 식각 방식 및 기계적 천공 방식 등을 이용하여 제1 도전형 실리콘 기판(110) 및 제2 도전형 실리콘 기판(120)의 수직하는 방향을 갖는 홀(130)을 형성할 수 있다.
다음 공정으로, 도 2d 및 3d에 도시된 바와 같이, 제2 도전형 실리콘 기판(120) 표면에 하부 전극(150)을 형성한다. 구체적으로, 박막공정 방식, 도포 방식, 스퍼터링 방식, 도금 방식 또는 프린팅 방식 등의 방식을 이용하여, 제2 도전형 실리콘 기판(120)의 표면에 하부 전극(150)을 형성할 수 있다.
다음 공정으로, 도 2e 및 3e에 도시된 바와 같이, 홀(130)의 표면에 절연막(160)을 형성한다. 구체적으로, 폴리머, 산화물, 질화물을 이용하여, 홀(130)의 표면에 절연막(160)을 형성할 수 있다. 이때, 형성되는 절연막(160)은 홀(130)의 표면뿐만 아니라, 하부 전극(150)의 상부 영역에도 형성될 수 있다.
다음 공정으로, 도 2f 및 3f에 도시된 바와 같이, 도전물질(180) 및 솔더(170)를 형성한다. 구체적으로, 박막공정 방식, 도포 방식, 스퍼터링 방식, 도금 방식 등의 방식을 이용하여, 홀(130)에 도전물질(180)을 충진하고, 하부 전극(150)의 일 측면에 태양전지(100)의 전원을 출력하기 위한 솔더(170)를 형성할 수 있다.
한편, 구현시에는 상부 전극(140)을 형성하는 공정 전에, 제1 도전형 실리콘 기판(110) 상부에 반사 방지막을 형성하는 공정을 수행할 수 있다.
다음 공정으로, 도 2g 및 도 3g에 도시된 바와 같이, 기판(110,120)의 상부 표면에 상부 전극(140)을 형성한다. 구체적으로, 스크린 프린팅 방식을 이용하여, 제1 도전형 실리콘 기판(110)의 상부에 홀을 중심으로 방사형 형태를 갖는 상부 전극(140)을 형성할 수 있다.
한편, 구현시에는 도 1 및 도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같은 상부 전극(140)의 형태로 기판(110, 120)의 상부 표면을 에칭하고, 에칭된 표면에 전기도금 또는 스퍼터링을 수행하여 상부 전극(140)을 형성할 수도 있다.
이때, 형성되는 상부 전극(140)은 다양한 방사형태를 가질 수 있으며, 그 예에 대해서는 도 4 내지 도 6을 참고하여 설명한다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 상부 전극의 다양한 형태를 도시한 도면이다.
도 4를 참고하면, 상부 전극(140)은 홀(130)을 중심으로 기판(110, 120)의 가장자리 방향으로 배치되는 라인 형태의 복수의 제1 전극을 포함한다. 도시된 예에서는 4 개의 도전 라인을 포함하는 실시예에 대해만 설명하였지만, 4개 이상의 도전 라인을 이용하여 상부 전극(140)을 구현할 수도 있다.
도 5를 참고하면, 상부 전극(140)은 홀(130)을 중심으로 기판(110, 120)의 가장 자리 방향으로 배치되는 라인 형태의 복수의 제1 전극 및 복수의 도전 라인 각각과 수직되는 방향으로 연결되는 복수의 제2 전극을 포함할 수 있다. 도시된 예에서는 복수의 제2 전극이 같은 길이를 갖는 형태로 도시하였지만, 구현시에는 복 수의 제2 전극이 홀과의 거리에 비례하여 다른 길이를 갖는 형태로도 구현될 수 있다.
한편, 복수의 제2 전극은 도 1에 도시된 바와 같은 형태를 가질 수도 있다. 구체적으로, 복수의 제2 전극은 복수의 제1 전극과 연결되며, 홀을 중심으로 갖는 원형 형태일 수 있다.
또한, 구현시에는 제2 전극의 폭을 제1 전극의 폭보다 좁게 하여, 상부 전극(140)의 전극 면적을 더욱 줄일 수 있다.
도 6을 참고하면, 태양전지(100)는 두 개의 홀(130)을 포함하며, 상부 전극(140)은 각각의 홀에 대해서 방사형 형태를 가질 수 있다. 이때, 도 6에 도시된 두 개의 홀은 도 4 및 도 5에 도시된 홀의 크기보다 작은 형태로 구현될 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조 과정을 설명하기 위한 흐름도이다.
먼저, 빛 에너지를 전기 에너지로 변환하는 기판을 구비한다(S710). 구체적으로, P-N 접합을 이루는 제1 도전형 실리콘 기판 및 제2 도전형 실리콘 기판을 구비할 수 있다. 구현시에는 P 형 실리콘 기판 상에 N형 실리콘 기판을 적층하고, 가열 처리를 수행하여 P-N 접합을 이루는 실리콘 기판을 구비할 수 있으며, P-I-N 접항을 이루는 비정질 실리콘 기판, 화합물 기판, 염료 감응형 기판등을 구비할 수 있다.
그 다음, 구비된 기판에 홀을 형성한다(S720). 구체적으로, 레이저 방식, 기계적 천공 등의 방식을 이용하여 기판에 수직하는 홀을 형성할 수 있다.
그 다음, 기판의 하부에 하부 전극을 형성한다(S730). 구체적으로, 박막공정 방식, 도포 방식, 스핀 코팅 방식, 도금 방식, 프린팅 방식 등을 이용하여 기판의 하부에 하부 전극을 형성할 수 있다.
그 다음, 홀 표면을 절연하는 절연층을 형성한다(S740). 구체적으로, 폴리머, 산화물, 질화물 등을 이용하여, 홀 표면을 절연하는 절연층을 형성할 수 있다. 이때, 하부 전극(150)의 표면을 함께 절연하는 절연층을 형성할 수도 있다.
그 다음, 홀 내부를 도전물질로 충진하고, 하부 전극에 대한 솔더를 형성한다(S750).구체적으로, 다양한 도전성 물질을 이용하여 홀 내부를 충진하고, 하부 전극의 소정 영역에 태양전지(100)의 전원을 출력할 솔더를 형성할 수 있다.
그 다음, 기판의 상부에 홀을 중심으로 방사형 형태의 상부 전극을 형성한다(S760). 구체적으로, 기판의 상부 표면에 도 1 및 도 4 내지 6과 관련하여 설명한 바와 같은 상부 전극이 형성되도록 스크린 프린팅 또는 '에칭 및 도금 공정'을 수행할 수 있다. 구현시에는 상부 전극을 형성하기 전에 반사 방지막을 기판의 상부 표면에 형성한 이후에, 상부 전극을 형성하는 형태로도 구현될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특징의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형 실시 예들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 구성을 도시한 도면,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조 과정에 따른 단면도,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조 과정에 따른 측면도,
도 4 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 상부 전극의 다양한 형태를 도시한 도면,
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조 과정을 설명하기 위한 흐름도, 그리고,
도 8은 종래의 태양전지의 구성을 도시한 도면이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
100: 태양전지 110: 제1 도전형 실리콘 기판
120: 제2 도전형 실리콘 기판 130: 홀
140: 상부 전극 150: 하부 전극
160: 절연막

Claims (15)

  1. 태양전지에 있어서,
    빛 에너지를 전기 에너지를 변환하는 기판;
    상기 기판을 수직 방향으로 관통하는 홀; 및
    상기 기판의 표면에서 상기 홀을 중심으로 방사형 형태를 갖는 상부 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 상부 전극은,
    상기 홀을 중심으로 상기 기판의 가장자리 방향으로 배치되는 라인 형태의 복수의 제1 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 상부 전극은,
    상기 복수의 제1 전극 각각과 수직되는 방향으로 연결되는 복수의 제2 전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 상부 전극은,
    상기 복수의 제1 전극과 연결되며, 상기 홀을 중심으로 갖는 원형의 복수의 제2 전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  5. 제 3항 또는 제4항에 있어서,
    상기 제2 전극은, 상기 제1 전극의 폭보다 좁은 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 기판의 하부에 배치되는 하부 전극; 및
    상기 홀 표면을 절연하는 절연층;을 더 포함하고,
    상기 홀은, 상기 상부 전극과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 기판은,
    제1 도전형 실리콘 기판; 및
    상기 제1 도전형 실리콘 기판과 반대 도전형을 가지며, 상기 제1 도전형 실리콘 기판과 P-N 접합을 이루는 제2 도전형 실리콘 기판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 도전형 실리콘 기판은, P형 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 태양전지.
  9. 태양전지의 제조방법에 있어서,
    빛 에너지를 전기 에너지로 변환하는 기판을 구비하는 단계;
    상기 기판의 수직 방향에 홀을 형성하는 단계;
    상기 기판의 하부에 하부 전극을 형성하는 단계;
    상기 홀 표면을 절연하는 절연층을 형성하는 단계; 및
    상기 기판의 상부 표면에 상기 홀을 중심으로 방사형 형태를 갖는 상부 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 태양전지의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 상부 전극을 형성하는 단계는, 스크린 프린팅 방식으로 상기 상부 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 상부 전극을 형성하는 단계는,
    상기 상부 전극이 상기 홀을 중심으로 상기 기판의 가장자리 방향으로 배치되는 복수의 제1 전극을 갖도록, 상기 상부 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 상부 전극을 형성하는 단계는,
    상기 상부 전극이 상기 복수의 제1 전극 각각과 수직되는 방향으로 연결된 복수의 제2 전극을 더 갖도록, 상기 상부 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 상부 전극을 형성하는 단계는,
    상기 상부 전극이 상기 복수의 제1 전극과 연결되며, 상기 홀을 중심으로 갖는 원형 형태의 복수의 제2 전극을 더 갖도록 상기 상부 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 상부 전극을 형성하는 단계는,
    상기 제2 전극이 상기 제1 전극의 폭보다 좁은 폭을 갖도록 상기 상부 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 기판을 구비하는 단계는,
    P-N 접합을 이루는 제1 도전형 실리콘 기판 및 제2 도전형 실리콘 기판을 구비하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법.
KR1020090117129A 2009-11-30 2009-11-30 태양전지 및 태양전지 제조방법 KR101034318B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090117129A KR101034318B1 (ko) 2009-11-30 2009-11-30 태양전지 및 태양전지 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090117129A KR101034318B1 (ko) 2009-11-30 2009-11-30 태양전지 및 태양전지 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101034318B1 true KR101034318B1 (ko) 2011-05-16

Family

ID=44365958

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090117129A KR101034318B1 (ko) 2009-11-30 2009-11-30 태양전지 및 태양전지 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101034318B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101295625B1 (ko) 2011-09-07 2013-08-14 넥스콘 테크놀러지 주식회사 태양전지 조립체
KR101895842B1 (ko) 2017-06-19 2018-09-07 주식회사 광명전기 투과형 플렉서블 태양 전지 모듈 및 이의 제조 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06342924A (ja) * 1992-12-28 1994-12-13 Fuji Electric Co Ltd 薄膜太陽電池およびその製造方法
JP2000114556A (ja) 1998-09-30 2000-04-21 Sharp Corp 太陽電池およびその製造方法
JP2007073933A (ja) 2004-09-09 2007-03-22 Hokkaido Univ 太陽電池および光電変換素子

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06342924A (ja) * 1992-12-28 1994-12-13 Fuji Electric Co Ltd 薄膜太陽電池およびその製造方法
JP2000114556A (ja) 1998-09-30 2000-04-21 Sharp Corp 太陽電池およびその製造方法
JP2007073933A (ja) 2004-09-09 2007-03-22 Hokkaido Univ 太陽電池および光電変換素子

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101295625B1 (ko) 2011-09-07 2013-08-14 넥스콘 테크놀러지 주식회사 태양전지 조립체
KR101895842B1 (ko) 2017-06-19 2018-09-07 주식회사 광명전기 투과형 플렉서블 태양 전지 모듈 및 이의 제조 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101000064B1 (ko) 이종접합 태양전지 및 그 제조방법
KR101627217B1 (ko) 태양전지 및 그 제조방법
US8134217B2 (en) Bypass diode for a solar cell
US8569614B2 (en) Solar cell and method of manufacturing the same
US20140295612A1 (en) Solar cell and manufacturing method thereof
CN103208557A (zh) 太阳能电池的制作方法及太阳能电池
KR101612133B1 (ko) Mwt형 태양전지 및 그 제조방법
US8536447B2 (en) Electrode of solar cell and fabricating method thereof
KR101662526B1 (ko) 태양전지모듈 및 그 제조방법
EP2450969A2 (en) Photovoltaic power-generating apparatus
US10141467B2 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
KR101284271B1 (ko) 태양전지의 제조방법 및 그를 이용하여 제조된 태양전지
KR101034318B1 (ko) 태양전지 및 태양전지 제조방법
KR20090105482A (ko) 반도체 나노소재를 이용한 광전 변환 장치 및 그 제조 방법
KR20120129013A (ko) 후면전극형 태양전지 및 그 제조방법
US20120291864A1 (en) Solar cell and solar cell fabrication method
KR101198438B1 (ko) 양면 수광형 국부화 에미터 태양전지 및 그 제조 방법
JP2013513965A (ja) 裏面電界型のヘテロ接合太陽電池及びその製造方法
KR101295625B1 (ko) 태양전지 조립체
KR100968879B1 (ko) 태양전지 및 그 제조방법
CN103367550B (zh) 一种背接触太阳电池及其制备方法
CN206225370U (zh) 高效perl太阳能电池
TW201640688A (zh) 太陽能電池
KR101261794B1 (ko) 전후면전계 태양전지 및 그 제조방법
JP3190735U (ja) 光電変換装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150506

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160503

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180521

Year of fee payment: 8