CN103208557A - 太阳能电池的制作方法及太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种太阳能电池的制作方法包括：获得一PN结构；在PN结构的基底材料的表面上形成第一钝化层和减反射层，在PN结构的基底材料的背面上形成第二钝化层；形成第一类接触孔和第二类接触孔；在该第二钝化层上形成第一金属层以使该第一类接触孔和该第二类接触孔被该第一金属填充；在该第一金属层上形成第二金属层；将叠置的第一金属层和第二金属层分割为第一类电极和第二类电极，其中该第一类电极通过该第一类接触孔中的第一金属连接至该P+掺杂区域，该第二类电极通过该第二类接触孔中的第一金属连接至该N+掺杂区域。本发明还公开了一种太阳能电池。本发明简化了工艺步骤，仅仅采用了一次掩膜，成本大大降低。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池的制作方法及太阳能电池，特别是涉及一种背接触太阳能电池的制作方法及背接触太阳能电池。
背景技术
新能源是二十一世纪世界经济发展中最具决定力的五大技术领域之一。太阳能是一种清洁、高效和永不衰竭的新能源。在新世纪中，各国政府都将太阳能资源利用作为国家可持续发展战略的重要内容。而光伏发电具有安全可靠、无噪声、无污染、制约少、故障率低、维护简便等优点。
近几年，国际光伏发电迅猛发展，太阳能晶片供不应求，于是提高太阳能晶片的光电转化效率和太阳能晶片的生产能力成为重要的课题。太阳能电池受光照后，电池吸收一个能量大于带隙宽度的入射光子后产生电子-空穴对，电子和空穴分别激发到导带与价带的高能态。在激发后的瞬间，电子和空穴在激发态的能量位置取决于入射光子的能量。处于高能态的光生载流子很快与晶格相互作用，将能量交给声子而回落到导带底与价带顶，这过程也称作热化过程，热化过程使高能光子的能量损失了一部分。热化过程后，光生载流子的输运过程(势垒区或扩散区)中将有复合损失。最后的电压输出又有一次压降，压降来源于与电极材料的功函数的差异。由上述分析，太阳能电池效率受材料、器件结构及制备工艺的影响，包括电池的光损失、材料的有限迁移率、复合损失、串联电阻和旁路电阻损失等。对于一定的材料，电池结构与制备工艺的改进对提高光电转换效率是重要的。一种可行的实现低成本高效率太阳电池方案是聚光太阳电池。聚光太阳电池可以大大节约材料成本，明显提高太阳电池效率。采用正面结结构的太阳电池，为了满足聚光电池电流密度更大的特点，必须大大增加正面栅线密度，这会反过来影响栅线遮光率，减小短路电流。一种可行的解决遮光损失的方案就是背接触结构太阳电池，也叫背结电池。背接触结构太阳能电池的掺杂区域和金半接触区域全部集成在太阳电池背面，背面电极占据背表面很大部分，减小了接触电阻损失。另外，电流流动方向垂直于结区，这就进一步消除了正面结构横向电流流动造成的电阻损失，这样就会同时满足高强度聚焦正面受光和高光电转换效率的要求。背接触太阳能电池也有利于电池封装，进一步降低成本。
但是由于背结电池的PN结靠近电池背面，而少数载流子必须扩散通过整个硅片厚度才能达到背面结区，所以这种电池设计就需要格外高的少子寿命的硅片作为基底材料，否则少子还未扩散到背面结区就被复合掉了，这样电池的效率就会大大下降。IBC(interdigitated back contact)太阳能电池是最早研究的背结电池，最初主要用于聚光系统中，任丙彦等的背接触硅太阳能电池研究进展(材料导报2008年9月第22卷第9期)中介绍了各种背接触硅太阳能电池的结构和制作工艺，以IBC太阳能电池为例，SUNPOWER公司制作的IBC太阳能电池的最高转换效率可达24％，然后由于其采用了光刻工艺，由于光刻所带来的复杂操作使得其成本难以下降，给民用或者普通场合的商业化应用造成困难。为了降低成本，也有利用掩模板来形成交叉排列的P+区和N+区，但是在制作过程中必须用到多张掩模板，不仅增加了制作成本，由于光刻技术需要精确校准因此还产生了采用不同掩模板需要校准的问题，为制作过程带来了不少难度。
发明内容
本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中制作IBC太阳能电池需要采用光刻工艺、制作成本较高以及热扩散的掺杂工艺无法精确控制掺杂离子的浓度和掺杂均匀性的缺陷，提供一种制程步骤少、无需光刻机、成本较低、能够精确控制掺杂均匀性和掺杂剂量、光电转换效率较高的太阳能电池的制作方法及太阳能电池。
本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：
一种太阳能电池的制作方法，其特点在于，其包括以下步骤：
获得一PN结构，其中，该PN结构的基底材料的背面中具有P+掺杂区域和N+掺杂区域，且该P+掺杂区域和该N+掺杂区域互不接触，该PN结构通过以下方法获得：
方法1：
步骤S1、在一N型基底的背面中形成一N+掺杂层；
步骤S2、在该N+掺杂层上通过丝网印刷的方式形成一掩膜，其中，未被该掩膜覆盖的区域为开放区域；
步骤S3、采用湿法化学法蚀刻该开放区域的N+掺杂层直至该N型基底，并在该掩膜上方靠近该开放区域的一端的该N+掺杂层中形成侧蚀(undercut，此字原义是指早期人工伐木时，以斧头自树根两侧处，采上下斜口方式将大树逐渐砍断，谓之Undercut。后来在PCB(印刷电路板)中是指用于蚀刻制程中，当板面导体在阻剂的掩护下进行喷蚀时，理论上蚀刻液会垂直向下或向上进行攻击，但因药水的作用并无方向性，故也会产生侧蚀，造成侧蚀后导体线路在截面上，显现出两侧的内陷，称为Undercut)，其中蚀刻深度大于该N+掺杂层的厚度；
步骤S4、加速P型离子并通过离子注入的方式将该P型离子从该N型基底的表面的该开放区域注入至N型基底中以形成该P+掺杂区域；
步骤S5、去除该掩膜以获得该PN结构，其中该N+掺杂区域为未经蚀刻的该N+掺杂层；或者，
方法2：
步骤SP1、在一N型基底的背面中形成一P+掺杂层；
步骤SP2、在该P+掺杂层上通过丝网印刷的方式形成一掩膜，其中，未被该掩膜覆盖的区域为开放区域；
步骤SP3、采用湿法化学法蚀刻该开放区域的P+掺杂层直至该N型基底，并在该掩膜上方靠近该开放区域的一端的该P+掺杂层中形成侧蚀，其中蚀刻深度大于该P+掺杂层的厚度；
步骤SP4、加速N型离子并通过离子注入的方式将该N型离子从该N型基底的表面的该开放区域注入至N型基底中以形成该N+掺杂区域；
步骤SP5、去除该掩膜以获得该PN结构，其中该P+掺杂区域为未经蚀刻的该P+掺杂层；
获得该PN结构之后，在该PN结构的基底材料的表面上形成一第一钝化层以及在该第一钝化层上形成一减反射层，在该PN结构的基底材料的背面上形成一第二钝化层；
在该第二钝化层中与该P+掺杂区域对应的区域形成第一类接触孔，以及在该第二钝化层中与该N+掺杂区域对应的区域形成第二类接触孔；
采用一第一金属在该第二钝化层上形成一第一金属层以使该第一类接触孔和该第二类接触孔被该第一金属填充，并烧结该第一金属层；
采用一第二金属在该第一金属层上形成一第二金属层；
将叠置的该第一金属层和该第二金属层分割为第一类电极和第二类电极，其中该第一类电极通过该第一类接触孔中的第一金属连接至该P+掺杂区域，该第二类电极通过该第二类接触孔中的第一金属连接至该N+掺杂区域。
这里所说的侧蚀(undercut)是指在蚀刻该开放区域的N+掺杂层或P+掺杂层的过程中，除了该开放区域正下方的N+掺杂层或P+掺杂层被完全蚀刻掉之外(即正向蚀刻)，由于外延扩散的原因，该掩膜下方靠近该开放区域的一端的该N+掺杂层或该P+掺杂层也被侧向蚀刻掉一小部分，业内称之为侧蚀。这里所谓的正向指垂直于基底平面的方向，侧向即指平行于基底平面的方向。
优选地，将叠置的该第一金属层、该第二金属层分割为第一类电极和第二类电极，其中该第一类电极通过该第一类接触孔中的第一金属连接至该P+掺杂区域，该第二类电极通过该第二类接触孔中的第一金属连接至该N+掺杂区域。
也就是说，在形成该第一类电极和该第二类电极的过程中，可以先淀积一第一金属的薄层，然后烧结该第一金属层，之后再在该第一金属层上淀积一层较厚的第二金属层，此时，该第一类电极和该第二类电极为叠置的第一金属层和第二金属层。
优选地，步骤S1中通过热扩散或者离子注入的方式形成该N+掺杂层使该N+掺杂层的方块电阻为20-200Ω/□；
步骤SP1中通过热扩散或者离子注入的方式形成该P+掺杂层使该P+掺杂层的方块电阻为40-200Ω/□。
优选地，步骤S2中和步骤SP2中该掩膜的厚度为1-50μm并且由光刻胶制成。
优选地，步骤S3中和步骤SP3中所形成的侧蚀的深度至少为2μm。
优选地，步骤S3中，被蚀刻的N型基底的深度至少为2μm或者至少为该N+掺杂层厚度的3倍；
步骤SP3中，被蚀刻的N型基底的深度至少为2μm或者至少为该P+掺杂层厚度的3倍。
优选地，步骤S4中该P型离子被加速至500eV-50keV以形成方块电阻为40-200Ω/□的P+掺杂区域；
步骤SP4中该N型离子被加速至500eV-50keV以形成方块电阻为20-200Ω/□的N+掺杂区域。
优选地，方法1中形成该N+掺杂层的同时、形成该N+掺杂层之前或者形成该N+掺杂层之后还包括以下步骤：
在该N型基底的表面中形成一表面N+掺杂层；
方法2中形成该P+掺杂层的同时、形成该P+掺杂层之前或者形成该P+掺杂层之后还包括以下步骤：
在该N型基底的表面中形成或一表面N+掺杂层。
优选地，通过热扩散的方法形成该表面N+掺杂层。
优选地，通过PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法)形成该第一钝化层和该减反射层，该第一钝化层为氧化硅、碳化硅、氧化铝、氮化硅和非晶硅薄膜中的一种或多种的叠层，该减反射层为氮化硅薄膜；和/或，
通过PECVD形成该第二钝化层，该第二钝化层为氧化硅、碳化硅、氧化铝、氮化硅和非晶硅薄膜中的一种或多种的叠层。
优选地，通过激光切割的方法形成该第一类接触孔和该第二类接触孔；和/或，通过激光切割的方法分割如上所述的叠置的该第一金属层和该第二金属层以形成该第一类电极和该第二类电极。
优选地，该第一金属为镍，该第二金属为铜。
本发明还提供一种太阳能电池，其特点在于，其包括：
一PN结构，其中，该PN结构的基底材料的背面中具有P+掺杂区域和N+掺杂区域，且该P+掺杂区域和该N+掺杂区域互不接触；
形成于该PN结构的基底材料的表面上的一第一钝化层以及形成于该第一钝化层上一减反射层；
形成于该PN结构的基底材料的背面上的一第二钝化层；
第一类接触孔与第二类接触孔，其中，该第一类接触孔形成于该第二钝化层中与该P+掺杂区域对应的区域，该第二类接触孔形成于该第二钝化层中与该N+掺杂区域对应的区域；
填充于该第一类接触孔和该第二类接触孔中的一第一金属；
形成于该第二钝化层上的第一类电极和第二类电极，其中该第一类电极通过该第一类接触孔中的第一金属连接至该P+掺杂区域，该第二类电极通过该第二类接触孔中的第一金属连接至该N+掺杂区域，其中该第一类电极和该第二类电极均由该第一金属以及一叠置于该第一金属之上的第二金属制成。
优选地，该第一类电极和该第二类电极均由该第一金属、该第二金属制成。
优选地，该PN结构还包括：形成于该N型基底的表面中的一表面N+掺杂层。
优选地，该N+掺杂区域与该P+掺杂区域的最小距离至少为2μm。
优选地，该N+掺杂区域的方块电阻为20-200Ω/□，和/或，该P+掺杂区域的方块电阻为40-200Ω/□。
优选地，该第一钝化层为氧化硅、碳化硅、氧化铝、氮化硅和非晶硅薄膜中的一种或多种的叠层，该减反射层为氮化硅薄膜；和/或，
该第二钝化层为氧化硅、碳化硅、氧化铝、氮化硅和非晶硅薄膜中的一种或多种的叠层。
优选地，该第一金属为镍，该第二金属为铜。
优选地，该太阳能电池通过如上所述的太阳能电池的制作方法制得。
本发明的积极进步效果在于：
1、比起采用光刻工艺制作背结电池而言，本发明简化了工艺步骤，由于仅仅采用了一次掩膜，因此无需购买光刻机，成本大大降低，另外制作流程中无需使用多张掩模板，解决了掩模板校准问题的同时还大大降低了制作成本。
2、本发明中P+掺杂区域与N+掺杂区域之间具有N型基底材料作为缓冲层，使得PN结之间不会因为耗尽层太薄而导致被击穿，由此提高了该太阳能电池的使用寿命。
3、本发明中P+掺杂区域与N+掺杂区域之间作为缓冲层的N型基底材料的最小宽度为2μm，采用纯粹机械加工方法制得的掩模板很难做到这样的精度，即使能做到，这样的掩模板也是价格高昂，本发明通过控制掩膜以及N+掺杂层或P+掺杂层的厚度，并且采用蚀刻开放区域的N+掺杂层或P+掺杂层的方式，自然形成符合上述最小宽度的侧蚀结构，不仅省去了购买价格高昂的掩模板的成本，进一步降低了制作成本。
4、采用离子注入进行掺杂形成P+掺杂区域和/或N+掺杂区域，掺杂离子的浓度得到了精确的控制，比起热扩散工艺的掺杂而言对提高光电转换的效率更有利。
附图说明
图1-10为本发明的实施例1-4的太阳能电池制作方法的分解步骤示意图。
具体实施方式
下面结合附图给出本发明较佳实施例，以详细说明本发明的技术方案。
实施例1
参考图1，在该N型基底1的表面中形成一表面N+掺杂层2，具体来说，通过热扩散的方法形成该表面N+掺杂层2。其中，该N型基底1的表面为绒面以增加太阳光的利用率。
参考图2，在一N型基1的背面中形成一N+掺杂层3，其中通过热扩散的方式形成该N+掺杂层3，本实施例中，采用BBr3作为扩散源，该N+掺杂层3为BSG(硼硅玻璃)。
参考图3，在该N+掺杂层3上通过丝网印刷的方式形成一掩膜4，其中，未被该掩膜4覆盖的区域为开放区域。其中，该掩膜的厚度为10μm并且由光刻胶制成。
参考图4，采用湿法化学法蚀刻该开放区域的N+掺杂层3直至该N型基底1，并在该掩膜4上方靠近该开放区域的一端的该N+掺杂层3中形成侧蚀41，其中蚀刻深度大于该N+掺杂层的厚度。也就是说，该开放区域正上方的N+掺杂层被完全去除，并且该N型基底也被蚀刻掉一薄层，其中所形成的侧蚀的深度w1为2μm，被蚀刻的N型基底的深度为2μm。
参考图5，加速硼离子至500eV并通过离子注入的方式将该硼离子从该N型基底的表面的该开放区域注入至N型基底1中以形成方块电阻为40Ω/□的P+掺杂区域5。
参考图6，去除该掩膜4以获得一PN结构，其中该N+掺杂区域为未经蚀刻的该N+掺杂层。
参考图7，获得如图6所示的PN结构之后，在该PN结构的表面上形成一第一钝化层以及在该第一钝化层上形成一减反射层7，在该PN结构的背面上形成一第二钝化层，其中该第一钝化层和该第二钝化层均以附图标记6表示，具体来说，通过PECVD形成该第一钝化层6和该减反射层7，该第一钝化层6为二氧化硅薄膜，该减反射层7为氮化硅薄膜，以及通过PECVD形成该第二钝化层6，该第二钝化层6为氮化硅薄膜。
参考图8，在该第二钝化层中与该P+掺杂区域对应的区域形成第一类接触孔，以及在该第二钝化层中与该N+掺杂区域对应的区域形成第二类接触孔，具体而言，通过激光切割的方法形成该第一类接触孔和该第二类接触孔，其中该第一类接触孔和该第二类接触孔均以附图标记61表示。
参考图9，采用金属镍在该第二钝化层上形成一第一金属层以使该第一类接触孔和该第二类接触孔被该金属镍填充，并烧结该第一金属层。之后，采用金属铜在该第一金属层上形成一第二金属层，在本实施例中，以附图标记8表示该第一金属层和该第二金属层的叠层。
参考图10，利用激光分割的方法将叠置的该第一金属层和该第二金属层分割为第一类电极82和第二类电极81，其中该第一类电极82通过该第一类接触孔中的金属镍连接至该P+掺杂区域5，该第二类电极81通过该第二类接触孔中的金属镍连接至该N+掺杂区域，即该第一类电极82为阳电极，该第二类电极81为阴电极，由此，得到如图10所示的太阳能电池。
实施例2
实施例2的原理和步骤均与实施例1相同，不同之处仅在于：
参考图3，该掩膜的厚度为40μm。
参考图4，所形成的侧蚀的深度w1为5μm，被蚀刻的N型基底的深度为3μm。
参考图5，加速硼离子至50keV并通过离子注入的方式将该硼离子从该N型基底的表面的该开放区域注入至N型基底1中以形成方块电阻为200Ω/□的P+掺杂区域5。
参考图9，采用金属镍在该第二钝化层上形成一第一金属层以使该第一类接触孔和该第二类接触孔被该金属镍填充，并烧结该第一金属层。之后，采用金属铜在该第一金属层上形成一第二金属层，在本实施例中，以附图标记8表示该第一金属层和该第二金属层的叠层。
参考图10，将叠置的该第一金属层、该第二金属层分割为第一类电极和第二类电极，其中该第一类电极82通过该第一类接触孔中的金属镍连接至该P+掺杂区域5，该第二类电极81通过该第二类接触孔中的金属镍连接至该N+掺杂区域。
其余未提及部分均与实施例1相同。
实施例3
实施例3的原理和步骤均与实施例1相同，不同之处仅在于：
参考图4，所形成的侧蚀的深度w1为3μm，被蚀刻的N型基底的深度为该N+掺杂层3厚度的3倍。
参考图5，加速硼离子至30keV并通过离子注入的方式将该硼离子从该N型基底的表面的该开放区域注入至N型基底1中以形成方块电阻为100Ω/□的P+掺杂区域5。
其余未提及部分均与实施例1相同。
实施例4
实施例4的原理和步骤均与实施例1相同，不同之处仅在于：
参考图2，通过离子注入的方式在该N型基底1的背面形成一P+掺杂层并使该P+掺杂层的方块电阻为40Ω/□，此时，图2中的附图标记3表示该P+掺杂层。之后形成侧蚀的步骤同实施例1所述。
参考图5，将磷离子加速至50keV通过离子注入的方式注入至该N型基底1的背面中以形成方块电阻为20Ω/□的N+掺杂区域，此时以附图标记5表示该N+掺杂区域。
之后的步骤均与实施例1相同。也就是说，在本实施例中，制作该PN结构时调换了形成N+掺杂区域和形成P+掺杂区域的步骤。
为了清楚地显示各个掺杂区域，附图中各个掺杂区域的大小并非按比例描绘，本领域技术人员应当理解附图中的比例并非对本发明的限制。另外，上述的表面和背面也都是相对而言的，这样的表述是为了描述的方便，也不应当理解为对本发明的限制。
虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，这些仅是举例说明，本发明的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本发明的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本发明的保护范围。
Claims (20)
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，其包括以下步骤：
获得一PN结构，其中，该PN结构的基底材料的背面中具有P+掺杂区域和N+掺杂区域，且该P+掺杂区域和该N+掺杂区域互不接触，该PN结构通过以下方法获得：
方法1：
步骤S1、在一N型基底的背面中形成一N+掺杂层；
步骤S2、在该N+掺杂层上通过丝网印刷的方式形成一掩膜，其中，未被该掩膜覆盖的区域为开放区域；
步骤S3、采用湿法化学法蚀刻该开放区域的N+掺杂层直至该N型基底，并在该掩膜上方靠近该开放区域的一端的该N+掺杂层中形成侧蚀，其中蚀刻深度大于该N+掺杂层的厚度；
步骤S4、加速P型离子并通过离子注入的方式将该P型离子从该N型基底的表面的该开放区域注入至N型基底中以形成该P+掺杂区域；
步骤S5、去除该掩膜以获得该PN结构，其中该N+掺杂区域为未经蚀刻的该N+掺杂层；或者，
方法2：
步骤SP1、在一N型基底的背面中形成一P+掺杂层；
步骤SP2、在该P+掺杂层上通过丝网印刷的方式形成一掩膜，其中，未被该掩膜覆盖的区域为开放区域；
步骤SP3、采用湿法化学法蚀刻该开放区域的P+掺杂层直至该N型基底，并在该掩膜上方靠近该开放区域的一端的该P+掺杂层中形成侧蚀，其中蚀刻深度大于该P+掺杂层的厚度；
步骤SP4、加速N型离子并通过离子注入的方式将该N型离子从该N型基底的表面的该开放区域注入至N型基底中以形成该N+掺杂区域；
步骤SP5、去除该掩膜以获得该PN结构，其中该P+掺杂区域为未经蚀刻的该P+掺杂层；
获得该PN结构之后，在该PN结构的基底材料的表面上形成一第一钝化层以及在该第一钝化层上形成一减反射层，在该PN结构的基底材料的背面上形成一第二钝化层；
在该第二钝化层中与该P+掺杂区域对应的区域形成第一类接触孔，以及在该第二钝化层中与该N+掺杂区域对应的区域形成第二类接触孔；
采用一第一金属在该第二钝化层上形成一第一金属层以使该第一类接触孔和该第二类接触孔被该第一金属填充；
采用一第二金属在该第一金属层上形成一第二金属层；
将叠置的该第一金属层和该第二金属层分割为第一类电极和第二类电极，其中该第一类电极通过该第一类接触孔中的第一金属连接至该P+掺杂区域，该第二类电极通过该第二类接触孔中的第一金属连接至该N+掺杂区域。
2.如权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，将叠置的该第一金属层、该第二金属层分割为第一类电极和第二类电极，其中该第一类电极通过该第一类接触孔第一类接触孔中的第一金属连接至该P+掺杂区域，该第二类电极通过该第二类接触孔中的第一金属连接至该N+掺杂区域。
3.如权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，
步骤S1中通过热扩散或者离子注入的方式形成该N+掺杂层使该N+掺杂层的方块电阻为20-200Ω/□；
步骤SP1中通过热扩散或者离子注入的方式形成该P+掺杂层使该P+掺杂层的方块电阻为40-200Ω/□。
4.如权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S2中和步骤SP2中该掩膜的厚度为1-50μm并且由光刻胶制成。
5.如权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S3中和步骤SP3中所形成的侧蚀的深度至少为2μm。
6.如权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，
步骤S3中，被蚀刻的N型基底的深度至少为2μm或者至少为该N+掺杂层厚度的3倍；
步骤SP3中，被蚀刻的N型基底的深度至少为2μm或者至少为该P+掺杂层厚度的3倍。
7.如权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，
步骤S4中该P型离子被加速至500eV-50keV以形成方块电阻为40-200Ω/□的P+掺杂区域；
步骤SP4中该N型离子被加速至500eV-50keV以形成方块电阻为20-200Ω/□的N+掺杂区域。
8.如权利要求1-7中任意一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，
方法1中形成该N+掺杂层的同时、形成该N+掺杂层之前或者形成该N+掺杂层之后还包括以下步骤：
在该N型基底的表面中形成一表面N+掺杂层；
方法2中形成该P+掺杂层的同时、形成该P+掺杂层之前或者形成该P+掺杂层之后还包括以下步骤：
在该N型基底的表面中形成或一表面N+掺杂层。
9.如权利要求8所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，通过热扩散的方法形成该表面N+掺杂层。
10.如权利要求1-9中任意一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，
通过PECVD形成该第一钝化层和该减反射层，该第一钝化层为氧化硅、碳化硅、氧化铝、氮化硅和非晶硅薄膜中的一种或多种的叠层，该减反射层为氮化硅薄膜；和/或，
通过PECVD形成该第二钝化层，该第二钝化层为氧化硅、碳化硅、氧化铝、氮化硅和非晶硅薄膜中的一种或多种的叠层。
11.如权利要求1-9中任意一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，通过激光切割的方法形成该第一类接触孔和该第二类接触孔；和/或，通过激光切割的方法分割叠置的该第一金属层和该第二金属层以形成该第一类电极和该第二类电极。
12.如权利要求1-9中任意一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，该第一金属为镍，该第二金属为铜。
13.一种太阳能电池，其特征在于，其包括：
一PN结构，其中，该PN结构的基底材料的背面中具有P+掺杂区域和N+掺杂区域，且该P+掺杂区域和该N+掺杂区域互不接触；
形成于该PN结构的基底材料的表面上的一第一钝化层以及形成于该第一钝化层上一减反射层；
形成于该PN结构的基底材料的背面上的一第二钝化层；
第一类接触孔与第二类接触孔，其中，该第一类接触孔形成于该第二钝化层中与该P+掺杂区域对应的区域，该第二类接触孔形成于该第二钝化层中与该N+掺杂区域对应的区域；
填充于该第一类接触孔和该第二类接触孔中的一第一金属；
形成于该第二钝化层上的第一类电极和第二类电极，其中该第一类电极通过该第一类接触孔中的第一金属连接至该P+掺杂区域，该第二类电极通过该第二类接触孔中的第一金属连接至该N+掺杂区域，其中该第一类电极和该第二类电极均由该第一金属以及一叠置于该第一金属之上的第二金属制成。
14.如权利要求13所述的太阳能电池，其特征在于，该第一类电极和该第二类电极均由该第一金属、该第二金属制成。
15.如权利要求13所述的太阳能电池，其特征在于，该PN结构还包括：形成于该N型基底的表面中的一表面N+掺杂层。
16.如权利要求13所述的太阳能电池，其特征在于，该N+掺杂区域与该P+掺杂区域的最小距离至少为2μm。
17.如权利要求13所述的太阳能电池，其特征在于，该N+掺杂区域的方块电阻为20-200Ω/□，和/或，该P+掺杂区域的方块电阻为40-200Ω/□。
18.如权利要求13-17中任意一项所述的太阳能电池，其特征在于，
该第一钝化层为氧化硅、碳化硅、氧化铝、氮化硅和非晶硅薄膜中的一种或多种的叠层，该减反射层为氮化硅薄膜；和/或，
该第二钝化层为氧化硅、碳化硅、氧化铝、氮化硅和非晶硅薄膜中的一种或多种的叠层。
19.如权利要求13-17中任意一项所述的太阳能电池，其特征在于，该第一金属为镍，该第二金属为铜。
20.如权利要求13-17中任意一项所述的太阳能电池，其特征在于，该太阳能电池通过如权利要求1-12中任意一项所述的太阳能电池的制作方法制得。
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