CN101477308A - 负型光刻胶组合物及使用其制造阵列基板的方法 - Google Patents

负型光刻胶组合物及使用其制造阵列基板的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101477308A
CN101477308A CNA2008101906643A CN200810190664A CN101477308A CN 101477308 A CN101477308 A CN 101477308A CN A2008101906643 A CNA2008101906643 A CN A2008101906643A CN 200810190664 A CN200810190664 A CN 200810190664A CN 101477308 A CN101477308 A CN 101477308A
Authority
CN
China
Prior art keywords
negative photoresist
photoresist composition
methyl
composition
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2008101906643A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101477308B (zh
Inventor
姜勋
金载星
郑壤镐
李羲国
龟山泰弘
瑞穗右二
金宗铁
崔世振
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Techno Semichem Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd, Techno Semichem Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN101477308A publication Critical patent/CN101477308A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101477308B publication Critical patent/CN101477308B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106—Binder containing
    • Y10S430/111—Polymer of unsaturated acid or ester

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

本发明提供负型光刻胶组合物及使用其制造阵列基板的方法。负型光刻胶组合物包括：包含含有乙烯不饱和键的乙烯不饱和化合物和光聚合引发剂的能光固化组合物；包含通过热交联的碱溶性树脂的热固性组合物；和有机溶剂。该负型光刻胶组合物改善稳定性、感光度、在进行显影操作后的可分离性，并减少残留物以改善有机绝缘层的可靠性。此外，负型光刻胶组合物改善有机绝缘层的透射率并减小色坐标的变化以改善显示装置的显示质量。

Description

负型光刻胶组合物及使用其制造阵列基板的方法
技术领域
本发明涉及负型光刻胶组合物和使用该负型光刻胶组合物制造阵列基板的方法。更具体而言，本发明涉及可用于液晶显示(“LCD”)装置的有机绝缘层的负型光刻胶组合物和使用该负型光刻胶组合物制造阵列基板的方法。
背景技术
常规的LCD装置包括具有薄膜晶体管(“TFT”)的阵列基板，其为操作LCD装置显示面板的像素的开关元件。TFT通过钝化层保护。有机绝缘层形成于钝化层上以使基板平坦化，由此改善电阻-电容(“RC”)延迟和开口率。
用于有机绝缘层的组合物包括正型光刻胶组合物和负型光刻胶组合物。正型光刻胶组合物包含作为光敏剂的1，2-醌重氮(1，2-quinone diazide)化合物。然而，在形成有机绝缘层时，1，2-醌重氮化合物被加热，使得1，2-醌重氮化合物为红色。因而，像素对于可见光的透光率减小。
负型光刻胶组合物不像正型光刻胶组合物那样变色，并且与正型光刻胶组合物相比，其具有高的感光度。然而，在进行了曝光操作后，在显影操作中，显影溶液容易导致负型光刻胶组合物中的溶胀。因而，分辨率以及有机绝缘层与基板之间的粘附力降低。为了解决负型光刻胶组合物的问题，对于显影溶液的有机绝缘层的溶解性和亲和力已被减小。
然而，减小对于显影溶液的有机绝缘层的溶解性和亲和力可导致问题，例如，可分离性可降低，并且可形成残留物。因而，可降低LCD装置的显示质量。
具体实施方式
本发明已努力解决上述问题，并且本发明的各方面提供能够改善感光度的负型光刻胶组合物和使用上述负型光刻胶组合物制造阵列基板的方法。
在示例性实施方式中，本发明提供负型光刻胶组合物，其包括：包含含有乙烯不饱和键的乙烯不饱和化合物和光聚合引发剂的能光固化组合物、包含通过热交联的碱溶性树脂的热固性组合物、和有机溶剂。
根据示例性实施方式，该热固性组合物进一步包含热交联剂。
根据示例性实施方式，该光聚合引发剂响应具有约300nm～约450nm的波长的光产生自由基(radical)。
在另一示例性实施方式中，本发明提供制造阵列基板的方法，该方法包括：在基础基板上形成包括栅极线和栅电极的栅极图案；在具有该栅极图案的该基础基板上形成源极图案，该源极图案包括数据线、源电极、和与该源电极间隔开的漏电极；通过涂覆负型光刻胶组合物在具有该源极图案的该基础基板上形成有机绝缘层，该负型光刻胶组合物包括：包含含有乙烯不饱和键的乙烯不饱和化合物和光聚合引发剂的能光固化组合物、包含通过热交联的碱溶性树脂的热固性组合物、和有机溶剂；和在该有机绝缘层上形成像素电极，该像素电极电连接到该漏电极。
根据示例性实施方式，形成该有机绝缘层包括将涂覆在该基础基板上的该负型光刻胶组合物曝光，并将该负型光刻胶组合物显影。
根据示例性实施方式，该光包括约300nm～约450nm的波长。
根据示例性实施方式，形成该有机绝缘层进一步包括在将该负型光刻胶组合物显影后加热该负型光刻胶组合物。
根据示例性实施方式，加热该负型光刻胶组合物在约200℃～约300℃的温度下进行。
根据示例性实施方式，该有机绝缘层包含对应于该漏电极末端的开口。
根据示例性实施方式，该方法进一步包括在该源极图案与该有机绝缘层之间形成钝化层；和
通过使用该具有开口的有机绝缘层作为蚀刻掩模去除该钝化层的一部分以使该源电极暴露。
根据上述示例性实施方式，根据本发明示例性实施方式的负型光刻胶组合物改善稳定性、感光度、分辨率、图案粘附力和可分离性，并且能够形成具有所需形状的图案。此外，该负型光刻胶组合物减少残留物以改善有机绝缘层的可靠性。
此外，该负型光刻胶组合物的改善的感光度减少曝光过程所需的时间以改善制造效率。
此外，该负型光刻胶组合物改善有机绝缘层的透射率并减小色坐标的变化以改善显示装置的显示质量。
附图说明
当结合附图考虑时，从以下详细描述，本发明的上述和/或其它方面、特征和优点将变得更加明晰，在附图中：
图1是说明根据本发明制造阵列基板的方法的形成栅极图案的操作的示例性实施方式的横截面图。
图2是说明根据本发明制造阵列基板的方法的形成栅极绝缘层和沟道图案的操作的示例性实施方式的横截面图。
图3是说明根据本发明制造阵列基板的方法的形成源极图案的操作的示例性实施方式的横截面图。
图4是说明根据本发明制造阵列基板的方法的形成有机绝缘层的操作的示例性实施方式的横截面图。
图5是说明根据本发明制造阵列基板的方法的将有机绝缘层显影的操作的横截面图。
图6是说明根据本发明制造阵列基板的方法的形成像素电极的操作的示例性实施方式的横截面图。
具体实施方式
在下文中参照其中示出了本发明的示例性实施方式的附图更全面地描述本发明。然而，本发明可以许多不同的形式体现，并且不应解释为限于本文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式，使得该公开内容彻底且完整，并将本发明的范围全面地传达给本领域技术人员。在附图中，为了清楚起见，可能放大了层及区域的尺寸和相对尺寸。
应理解，当一元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、与另一元件或层“连接”或“结合”时，该元件或层可直接在所述另一元件或层上、与所述另一元件或层连接或结合，或者可存在中间元件或层。相反，当一元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、与另一元件或层“直接连接”或“直接结合”时，则不存在中间元件或层。相同的标记始终是指相同的元件。本文中所使用的术语“和/或”包括相关列举项目的一个或多个的任何和全部组合。
应理解，尽管术语第一、第二、第三等可用在本文中描述不同的元件、组分、区域、层和/或部分，但这些元件、组分、区域、层和/或部分不应被这些术语所限制。这些术语仅用来使一个元件、组分、区域、层或部分区别于另一区域、层或部分。因此，以下讨论的第一元件、组分、区域、层或部分可称为第二元件、组分、区域、层或部分，而不背离本发明的教导。
为了便于说明，在本文中可使用空间相对术语如“在......之下”、“在......下面”、“下部”、“在......之上”、“上部”等来说明如图所示的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。应理解，除图中所示的方位以外，空间相对术语还意图包括在使用中或工作中的设备的不同方位。例如，如果翻转图中的设备，则被描述为“在”其它元件或特征“下面”或“之下”的元件将被定向在其它元件或特征的“上方”。因此，示例性术语“在......下面”可包括在......之上和在......下面两种方位。设备可以其它方式定向(旋转90度或在其它取向上)，并且相应地解释本文中所使用的空间相对描述词。
本文中所用的术语仅出于描述具体实施方式的目的，而非意图限制本发明。除非上下文清楚地另作说明，本文中所使用的单数形式的“一个(种)”和“所述”也意图包括复数形式。还应理解，当用在本说明书中时，术语“包含”和/或“包括”规定存在所述特征、整体(integer)、步骤、操作、元件和/或组分，但不排除存在或添加一种或多种其它的特征、整体、步骤、操作、元件、组分和/或它们的组。
在此参考横截面图描述本发明的实施方式，所述横截面图为本发明的理想化的实施方式(以及中间结构)的示意图。如此，预期由于例如制造技术和/或公差而引起与这些图的形状的偏离。因而，本发明的实施方式不应解释为限于在此所图示的区域的具体形状，而是包括由例如制造所造成的形状上的偏差。例如，图示为矩形的植入(implanted)区域通常具有圆形或曲线特征和/或具有在其边缘处的植入浓度梯度而不是从植入区域到非植入区域的二元变化。同样，由植入形成的掩埋区可导致在介于掩埋区和穿过其发生植入的表面之间的区域中的一些植入。因而，图中所示的区域在本质上是示意性的，并且它们的形状不意图图示设备的区域的实际形状，并且不意图限制本发明的范围。
除非另外定义，在本文中所使用的所有术语(包括技术和科学术语)的含义与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同。还应理解，术语，例如在常用字典中定义的那些，应被解释为其含义与它们在相关领域背景中的含义一致，并且除非在本文中特别定义，否则将不对所述术语进行理想化或过于形式化的解释。
在下文中，仅为了说明的目的，“(甲基)丙烯酰基”表示“丙烯酰基”和/或“甲基丙烯酰基”。
根据本发明示例性实施方式的光刻胶组合物包括：包含含有乙烯不饱和键的乙烯不饱和化合物和光聚合引发剂的能光固化组合物、包含通过热交联的碱溶性树脂的热固性组合物、和有机溶剂。
在能光固化组合物中，乙烯不饱和化合物包含至少一个乙烯不饱和键。乙烯不饱和化合物的乙烯不饱和键与由光聚合引发剂产生的自由基反应以便引发聚合，使得乙烯不饱和化合物光聚合。
根据示例性实施方式，乙烯不饱和化合物包括不饱和羧酸、不饱和羧酸酯、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯酰胺等。根据示例性实施方式，不饱和羧酸包括(甲基)丙烯酸、巴豆酸、异巴豆酸、马来酸、衣康酸、柠康酸等。不饱和羧酸酯包括(甲基)丙烯酸酯、巴豆酸酯、异巴豆酸酯、马来酸酯、衣康酸酯、柠康酸酯等。根据示例性实施方式，这些可单独或以其组合使用。
此外，根据示例性实施方式，乙烯不饱和化合物包括不饱和羧酸与多羟基化合物的合成产物、含有(甲基)丙烯酰氧基的磷酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯等。这些可单独或以其组合使用。根据示例性实施方式，不饱和羧酸与多羟基化合物的合成产物包括(甲基)丙烯酸酯、巴豆酸酯、异巴豆酸酯、马来酸酯、衣康酸酯、柠康酸酯等。这些可单独或以其组合使用。
根据示例性实施方式，(甲基)丙烯酸酯包括乙二醇(甲基)丙烯酸酯、二甘醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷环氧乙烷加成的三(甲基)丙烯酸酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯、甘油三(甲基)丙烯酸酯、甘油丙烷环氧乙烷加成的三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、双酚A二(甲基)丙烯酸酯、双酚A双[氧乙烯(oxyethylene)(甲基)丙烯酸酯]、双酚A双[缩水甘油醚(甲基)丙烯酸酯]等。这些可单独或以其组合使用。
根据示例性实施方式，巴豆酸酯包括乙二醇巴豆酸酯、二甘醇二巴豆酸酯、丙二醇二巴豆酸酯、三羟甲基丙烷二巴豆酸酯、三羟甲基丙烷三巴豆酸酯、三羟甲基丙烷环氧乙烷加成的三巴豆酸酯、甘油二巴豆酸酯、甘油三巴豆酸酯、甘油丙烷环氧乙烷加成的三巴豆酸酯、季戊四醇二巴豆酸酯、季戊四醇三巴豆酸酯、季戊四醇四巴豆酸酯、二季戊四醇五巴豆酸酯、二季戊四醇六巴豆酸酯、双酚A二巴豆酸酯、双酚A双[氧乙烯巴豆酸酯]、双酚A双[缩水甘油醚巴豆酸酯]等。这些可单独或以其组合使用。
根据示例性实施方式，异巴豆酸酯包括乙二醇异巴豆酸酯、二甘醇二异巴豆酸酯、丙二醇二异巴豆酸酯、三羟甲基丙烷二异巴豆酸酯、三羟甲基丙烷三异巴豆酸酯、三羟甲基丙烷环氧乙烷加成的三异巴豆酸酯、甘油二异巴豆酸酯、甘油三异巴豆酸酯、甘油丙烷环氧乙烷加成的三异巴豆酸酯、季戊四醇二异巴豆酸酯、季戊四醇三异巴豆酸酯、季戊四醇四异巴豆酸酯、二季戊四醇五异巴豆酸酯、二季戊四醇六异巴豆酸酯、双酚A二异巴豆酸酯、双酚A双[氧乙烯异巴豆酸酯]、双酚A双[缩水甘油醚异巴豆酸酯]等。这些可单独或以其组合使用。
根据示例性实施方式，马来酸酯包括乙二醇马来酸酯、二甘醇二马来酸酯、丙二醇二马来酸酯、三羟甲基丙烷二马来酸酯、三羟甲基丙烷三马来酸酯、三羟甲基丙烷环氧乙烷加成的三马来酸酯、甘油二马来酸酯、甘油三马来酸酯、甘油丙烷环氧乙烷加成的三马来酸酯、季戊四醇二马来酸酯、季戊四醇三马来酸酯、季戊四醇四马来酸酯、二季戊四醇五马来酸酯、二季戊四醇六马来酸酯、双酚A二马来酸酯、双酚A双[氧乙烯马来酸酯]、双酚A双[缩水甘油醚马来酸酯]等。这些可单独或以其组合使用。
根据示例性实施方式，衣康酸酯包括乙二醇衣康酸酯、二甘醇二衣康酸酯、丙二醇二衣康酸酯、三羟甲基丙烷二衣康酸酯、三羟甲基丙烷三衣康酸酯、三羟甲基丙烷环氧乙烷加成的三衣康酸酯、甘油二衣康酸酯、甘油三衣康酸酯、甘油丙烷环氧乙烷加成的三衣康酸酯、季戊四醇二衣康酸酯、季戊四醇三衣康酸酯、季戊四醇四衣康酸酯、二季戊四醇五衣康酸酯、二季戊四醇六衣康酸酯、双酚A二衣康酸酯、双酚A双[氧乙烯衣康酸酯]、双酚A双[缩水甘油醚衣康酸酯]等。这些可单独或以其组合使用。
根据示例性实施方式，柠康酸酯包括乙二醇柠康酸酯、二甘醇二柠康酸酯、丙二醇二柠康酸酯、三羟甲基丙烷二柠康酸酯、三羟甲基丙烷三柠康酸酯、三羟甲基丙烷环氧乙烷加成的三柠康酸酯、甘油二柠康酸酯、甘油三柠康酸酯、甘油丙烷环氧乙烷加成的三柠康酸酯、季戊四醇二柠康酸酯、季戊四醇三柠康酸酯、季戊四醇四柠康酸酯、二季戊四醇五柠康酸酯、二季戊四醇六柠康酸酯、双酚A二柠康酸酯、双酚A双[氧乙烯柠康酸酯]、双酚A双[缩水甘油醚柠康酸酯]等。这些可单独或以其组合使用。
根据示例性实施方式，含有(甲基)丙烯酰氧基的磷酸酯包括(甲基)丙烯酰氧亚乙基磷酸酯、双[(甲基)丙烯酰氧亚乙基]磷酸酯、(甲基)丙烯酰氧亚乙基二醇磷酸酯等。这些可单独或以其组合使用。
根据示例性实施方式，氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯包括羟基(甲基)丙烯酸酯化合物与多异氰酸酯化合物的合成产物。特别地，根据示例性实施方式，氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯包括UX-2201、UX-3204、UX-4101、UX-6101、UX-7101、UX-8101(商品名，由Nippon ChemicalIndustrial Co.，Ltd.，Japan制造)、UN-7200A、UN-55200A、UN-7600、UN-3320HS(商品名，由NegamiChemical Industrial Co.，Ltd.，Japan制造)、Ebecryl 210、Ebecryl 220、Ebecryl230、Ebecryl 270、Ebecryl 1290(商品名，由Daicel-Cytec Company，Ltd.，Japan制造)、AGROR4060(商品名，由Bayer Japan，Japan制造)等。这些可单独或以其组合使用。
根据示例性实施方式，环氧(甲基)丙烯酸酯包括多环氧(polyepoxy)化合物与(甲基)丙烯酸或羟基(甲基)丙烯酸酯的合成产物。特别地，根据示例性实施方式，环氧(甲基)丙烯酸酯包括R-115、R-130、ZAR-1035、ZFR-1122、ZFR-1401H(商品名，由Nippon Chemical Industrial Co.，Ltd.，Japan制造)、Epoxy Ester 40EM、Epoxy Ester 70PA、Epoxy Ester 200PA、Epoxy Ester80MFA、Epoxy Ester 3002M、Epoxy Ester 3002A、Epoxy Ester 3000M、EpoxyEster 3000A(商品名，由Kyoeisha Chemical Co.，Ltd.，Japan制造)、DA-111、DA-212、DA-250、DA-314、DA-721、DA-722、DA-911M、DA-920、DA-931、DA-201、DM-811、DM-832、DM-851(商品名，由Nagase ChemteX Corp.，Japan制造)、Ebecryl 3700、Ebecryl 3708(商品名，由Daicel-Cytec Company，Ltd.，Japan制造)等。这些可单独或以其组合使用。
考虑到聚合、交联等，乙烯不饱和化合物各自包含至少两个乙烯不饱和键。根据示例性实施方式，乙烯不饱和化合物包括含有至少两个(甲基)丙烯酸酯基团的(甲基)丙烯酸酯、含有(甲基)丙烯酰氧基的磷酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。更优选地，乙烯不饱和化合物的实例可包括双酚A二(甲基)丙烯酸酯、双酚A双[氧乙烯(甲基)丙烯酸酯]、双酚A双[缩水甘油醚(甲基)丙烯酸酯]等。这些可单独或以其组合使用。
在示例性实施方式中，乙烯不饱和化合物包括由下列化学式1表示的化合物。
<化学式1>
Figure A200810190664D00121
在化学式1中，R1、R2、R3和R4独立地表示氢原子或具有1～4个碳原子的烷基(其中x和y独立地表示1～10的自然数，并且m和n独立地表示1～10的自然数)。根据示例性实施方式，该烷基包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基等。
或者，根据另一示例性实施方式，乙烯不饱和化合物包括由下列化学式2表示的化合物。
<化学式2>
Figure A200810190664D00122
在化学式2中，R5、R6、R7、R8、R9和R10独立地表示氢原子或具有1～4个碳原子的烷基。根据示例性实施方式，该烷基包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基等。
或者，根据另一示例性实施方式，乙烯不饱和化合物包括由下列化学式3表示的化合物。
<化学式3>
Figure A200810190664D00131
在化学式3中，R11、R12、R13、R14和R15独立地表示氢原子或具有1～4个碳原子的烷基。根据示例性实施方式，该烷基包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基等。
根据示例性实施方式，当乙烯不饱和化合物的含量小于基于能光固化组合物总重量的约70重量％时，负型光刻胶组合物的感光度减小。根据示例性实施方式，当乙烯不饱和化合物的含量大于约99.5重量％时，图案横截面的形状再现性减小，并且残留率(residual rate)也减小。因而，乙烯不饱和化合物的含量在基于能光固化组合物总重量的约70重量％～约99.5重量％的范围内。根据当前的示例性实施方式，乙烯不饱和化合物的含量在基于能光固化组合物总重量的约80重量％～约99重量％的范围内。
根据示例性实施方式，光聚合引发剂通过曝光产生自由基以使乙烯不饱和化合物聚合。聚合引发剂最大限度地吸收具有预定波长的光，所述光由在曝光操作中使用的曝光装置产生。例如，根据本发明的示例性实施方式，光聚合引发剂有效地吸收具有约300nm～约450nm波长的光以产生自由基。
根据示例性实施方式，光聚合引发剂包括卤甲基化的三嗪衍生物如2-(4-甲氧基苯基)-4，6-双(三氯甲基)-s-三嗪、2-(4-甲氧基萘基)-4，6-双(三氯甲基)-s-三嗪、2-(4-乙氧基萘基)-4，6-双(三氯甲基)-s-三嗪、2-(4-乙氧羰基萘基)-4，6-双(三氯甲基)-s-三嗪等；卤甲基化的噁二唑衍生物；咪唑衍生物如2-(邻氯苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚体、2-(邻氯苯基)-4，5-双(3′-甲氧基苯基)咪唑二聚体、2-(邻氟苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚体、2-(邻甲基苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚体、2-(邻甲氧基苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚体等；安息香、安息香烷基醚如安息香甲醚、安息香苯醚、安息香异丁醚、安息香异丙醚等；蒽醌衍生物如2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-叔丁基蒽醌、1-氯蒽醌等；苯并蒽酮衍生物；二苯甲酮衍生物如二苯甲酮、米蚩酮(Michler′s ketone)、2-甲基二苯甲酮、3-甲基二苯甲酮、4-甲基二苯甲酮、2-氯二苯甲酮、4-溴二苯甲酮、2-羧基二苯甲酮等；乙酰苯衍生物如2，2-二甲氧基-2-苯基乙酰苯、2，2-二乙氧基乙酰苯、1-羟基环己基苯基酮、α-羟基-2-甲基苯基丙酮、1-羟基-1-甲基乙基-(对异丙基苯基)酮、1-羟基-1-(对十二烷基苯基)酮、2-甲基-(4′-(甲硫基)苯基)-2-吗啉代-1-丙酮、1，1，1-三氯甲基-(对丁基苯基)酮等；噻吨酮衍生物如噻吨酮、2-乙基噻吨酮、2-异丙基噻吨酮、2-氯噻吨酮、2，4-二甲基噻吨酮、2，4-二乙基噻吨酮、2，4-二异丙基噻吨酮等；苯甲酸酯衍生物如对二甲氨基苯甲酸乙酯、对二乙氨基苯甲酸乙酯等；吖啶衍生物如9-苯基吖啶、9-(对甲氧基苯基)吖啶等；非那啶(phenadine)衍生物如9，10-二甲基苯并非那啶等；二茂钛衍生物如二-环戊二烯基-钛-二-氯化物、二-环戊二烯基-钛-苯基、二-环戊二烯基-钛-双-2，3，4，5，6-五氟苯-1-基、二-环戊二烯基-钛-双-2，3，5，6-四氟苯-1-基、二-环戊二烯基-钛-双-2，4，6-三氟苯-1-基、二-环戊二烯基-钛-2，6-二-氟苯-1-基、二-环戊二烯基-钛-2，4-二-氟苯-1-基、二-甲基环戊二烯基-钛-双-2，3，4，5，6-五氟苯-1-基、二-甲基环戊二烯基-钛-双-2，6-二-氟苯-1-基、二-环戊二烯基-钛-2，6-二-氟-3-(吡喃-1-基)-苯-1-基等；a-氨基烷基苯基酮化合物如2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代丙烷-1-基、2-苄基-2-二甲氨基-1-(4-吗啉代苯基)丁酮-1-酮、2-苄基-2二甲氨基-1-(4-吗啉代苯基)丁烷-1-酮、4-二甲氨基乙基苯甲酸酯、4-二甲氨基苯丙酮、2-乙基己基-1，4-二甲氨基苯甲酸酯、2，5-双(4-二乙氨基苯亚甲基)环己酮、7-二乙氨基-3-(4-二乙氨基苯甲酰基)香豆素、4-(二乙氨基)查尔酮等；酰基膦氧化物化合物如2，4，6-三甲基苯甲酰基-二苯基-膦氧化物、双(2，4，6-三甲基苯甲酰基)-苯基膦氧化物等；肟酯化合物如1，2-辛烷二酮、1-[4-(苯硫基)苯基]-2-(邻苯甲酰基肟)、乙酮(ethanone)等。这些可单独或以其组合使用。
根据示例性实施方式，当光聚合引发剂的含量小于基于能光固化组合物总重量的约0.5重量％时，负型光刻胶组合物的感光度减小。此外，根据示例性实施方式，当光聚合引发剂的含量大于约30％时，形成残留物。因而，光聚合引发剂的含量为基于能光固化组合物总重量的约0.5重量％～约30重量％。根据示例性实施方式，光聚合引发剂的含量为约1重量％～约20重量％。
关于热固性组合物，碱溶性树脂通过热进行交联，并且可溶于碱性溶剂中。根据示例性实施方式，碱溶性树脂不包含具有形成三角形的两个碳原子和一个氧原子的环氧基团。碱溶性树脂包含可交联取代基，例如羧基、羟基。碱溶性树脂通过曝光操作中提供的热进行交联。根据示例性实施方式，热固性组合物进一步包含容许容易地形成交联的热交联剂。
根据示例性实施方式，碱溶性树脂包括通过使第一组与第二组反应制备的共聚物，所述第一组包括(甲基)丙烯酸、对羟基苯乙烯、间羟基苯乙烯、邻羟基苯乙烯、(甲基)丙烯酸2-羟乙酯等，所述第二组包括苯乙烯；a-甲基苯乙烯；含有烷基的烷基(甲基)丙烯酸酯，如甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、正丙基(甲基)丙烯酸酯、正丁基(甲基)丙烯酸酯、异丁基(甲基)丙烯酸酯、正戊基(甲基)丙烯酸酯、正己基(甲基)丙烯酸酯、正癸基(甲基)丙烯酸酯、2-乙基己基(甲基)丙烯酸酯、环己基(甲基)丙烯酸酯、三环癸烷基(甲基)丙烯酸酯等；含有羟基的烷基(甲基)丙烯酸酯，如羟甲基(甲基)丙烯酸酯、羟乙基(甲基)丙烯酸酯等；含有环氧基团的烷基(甲基)丙烯酸酯，如缩水甘油基(甲基)丙烯酸酯等；含有芳基的烷基(甲基)丙烯酸酯，如苄基(甲基)丙烯酸酯等；含有氨基的烷基(甲基)丙烯酸酯，如N，N-二甲氨基乙基(甲基)丙烯酸酯等。这些可单独或以其组合使用。
在示例性实施方式中，碱溶性树脂包括由下列化学式4表示的化合物。
<化学式4>
Figure A200810190664D00151
在化学式4中，R16、R17和R18独立地表示氢原子或具有1～4个碳原子的烷基(其中a、b和c独立地表示1～99，并且a、b和c的总和为100)。例如，根据示例性实施方式，该烷基包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基等。
或者，根据另一示例性实施方式，碱溶性树脂包括由下列化学式5表示的化合物。
<化学式5>
Figure A200810190664D00161
在化学式5中，R19、R20、R21、R22和R23独立地表示氢原子或具有1～4个碳原子的烷基(其中p、q、r、s和t独立地表示1～99，并且p、q、r、s和t的总和为100)。例如，根据示例性实施方式，该烷基包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基等。
根据示例性实施方式，当由凝胶渗透色谱法(“GPC”)测量时，碱溶性树脂具有约5,000～约50,000的按聚苯乙烯折算的(polystyrene-reduced)重均分子量。
根据示例性实施方式，碱溶性树脂在约200℃～约300℃的温度下交联。
当碱溶性树脂的含量小于基于热固性组合物总重量的约60重量％时，图案横截面的形状再现性降低，并且耐热性降低。根据示例性实施方式，当碱溶性树脂的含量大于约99.9重量％时，感光度和在显影溶液中的溶解速率降低。因而，根据示例性实施方式，碱溶性树脂的含量在基于热固性组合物总重量的约60重量％～约99.9重量％的范围内，且优选在约70重量％～约98重量％范围内。
根据示例性实施方式，热固性组合物进一步包含热交联剂。热交联剂与曝光后残留的未反应物质反应，使得未反应物质的量减少。根据示例性实施方式，热交联剂包括含有环氧的化合物、含氮化合物等。这些可单独或以其组合使用。
根据示例性实施方式，含有环氧的化合物包括(多)缩水甘油醚化合物、(多)缩水甘油酯化合物、(多)缩水甘油基胺化合物等。这些可单独或以其组合使用。
根据示例性实施方式，(多)缩水甘油醚化合物通过将单羟基化合物或多羟基化合物与表氯醇反应制备。(多)缩水甘油醚化合物包括聚乙二醇的二缩水甘油醚环氧、双(4-羟基苯基)的二缩水甘油醚环氧、双(3，5-二甲基-4-羟基苯基)的二缩水甘油醚环氧、双酚F的二缩水甘油醚环氧、双酚A的二缩水甘油醚环氧、四甲基双酚A的二缩水甘油醚环氧、环氧乙烷加成的双酚A的二缩水甘油醚环氧、二羟基芴环氧、二羟基亚烷基氧基芴环氧、双酚A/乙醛酚醛清漆环氧(bisphenol-A/aldehyde novolak epoxy)、酚醛清漆环氧(phenol novolak epoxy)、甲酚酚醛清漆环氧等。
(多)缩水甘油酯化合物通过将(多)羧酸化合物与表氯醇反应制备。根据示例性实施方式，(多)缩水甘油酯化合物包括六氢邻苯二甲酸的二缩水甘油酯环氧、邻苯二甲酸的二缩水甘油酯环氧等。(多)缩水甘油基胺化合物通过将(多)氨基化合物与表氯醇反应制备。根据示例性实施方式，(多)氨基化合物包括双(4-氨基苯基)甲烷的缩水甘油基胺环氧、异氰酸的三缩水甘油基胺环氧。这些可单独或以其组合使用。
根据示例性实施方式，含氮化合物包括通过将福尔马林与三聚氰胺、苯并胍胺、甘脲、尿素等、它们的烷基衍生物等反应制备的化合物等。这些可单独或以其组合使用。
根据示例性实施方式，通过将福尔马林与三聚氰胺及其烷基衍生物反应制备的化合物包括Cymel 300、Cymel 301、Cymel 303、Cymel 350、Cymel 736、Cymel 738、Cymel 370、Cymel 771、Cymel 325、Cymel 327、Cymel 703、Cymel 701、Cymel 266、Cymel 267、Cymel 285、Cymel 232、Cymel 235、Cymel 238、Cymel 1141、Cymel 272、Cymel 254、Cymel 202、Cymel 1156、Cymel 1158(商品名，由Cytec Industries Inc.，Japan制造)、Nikalac E-2151、Nikalac MW-100LM、Nikalac MX-750LM(商品名，由Sanwa Chemical Co.，Ltd.，Japan制造)等。通过将福尔马林与苯并胍胺及其烷基衍生物反应制备的化合物的实例可包括Cymel 1123、Cymel 1125、Cymel 1128(商品名，由CytecIndustries Inc.，Japan制造)、Nikalac MX-270(商品名，由Sanwa Chemical Co.，Ltd.，Japan制造)等。根据示例性实施方式，通过将福尔马林与尿素及其烷基衍生物反应制备的化合物包括UFR 65300(商品名，由Cytec Industries Inc.，Japan制造)、Nikalac MX-290(商品名，由Sanwa Chemical Co.，Ltd.，Japan制造)等。这些可单独或以其组合使用。
根据示例性实施方式，当热交联剂的含量小于基于热固性组合物总重量的约0.1重量％时，有机层的硬度减小，并且未反应的残留物增加地形成于有机层中，使得脱气的量增加。根据示例性实施方式，当热交联剂的量大于约40重量％时，分辨率可恶化。因而，根据示例性实施方式，热交联剂的含量在基于热固性组合物总重量的约0.1重量％～约40重量％的范围内，并且优选在约2重量％～约30重量％的范围内。
关于有机溶剂，根据示例性实施方式，有机溶剂包括甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丁基溶纤剂、二甘醇单甲醚、丙二醇单乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、丙二醇单甲醚乙酸酯、甲乙酮、甲基异丁基酮、环己酮、甲苯、氯仿、二氯甲烷、乙酸乙酯、乳酸乙酯、乳酸甲酯、3-甲氧基甲基丙酸酯、3-乙氧基乙基丙酸酯、丙二醇单甲醚、甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、四氢呋喃、二甘醇二甲醚、乙酸甲氧基丁酯、索尔维索(Solvesso)、卡必醇等。这些可单独或以其组合使用。
有机溶剂的沸点在约100℃～约200℃的范围内，优选在约120℃～约170℃的范围内。
根据示例性实施方式，当热固性组合物的含量相对于约100重量份的能光固化组合物小于约50重量份时，有机层的硬度减小。当热固性组合物的含量相对于约100重量份的能光固化组合物大于约200重量份时，分辨率恶化。因而，热固性组合物的含量在相对于约100重量份的能光固化组合物的约50重量份～约200重量份的范围内，并且优选在约70重量份～约120重量份的范围内。
包括热固性组合物和能光固化组合物的负型光刻胶组合物的固体含量在约5重量％～约60重量％的范围内，并且优选在约10重量％～约50重量％的范围内。
根据示例性实施方式，有机溶剂的含量为基于负型光刻胶组合物总重量的约40重量％～约95重量％，并且优选在约50重量％～约90重量％的范围内。当负型光刻胶组合物的固体含量小于约5重量％时，负型光刻胶组合物的粘度减小，使得负型光刻胶组合物在基底上的滴落可难以控制。当负型光刻胶组合物的固体含量大于约60重量％时，负型光刻胶组合物的粘度增加，使得负型光刻胶组合物在基底上的涂覆可难以控制。
根据本发明的示例性实施方式的负型光刻胶组合物可改善感光度、分辨率、粘附力和在进行操作以形成具有所需图案后的可分离性，并减少形成于有机绝缘层中的残留物以改善有机绝缘层的可靠性。此外，负型光刻胶组合物形成具有高透射率的有机绝缘层并减少显示装置色坐标的变化，由此改善显示装置的显示质量。
在下文中，参照仅用于说明目的的实施例描述根据本发明的示例性实施方式的负型光刻胶组合物。本发明不受下列实施例限制并可相应改变。
实施例1
将(A)与(B)混合，其中(A)为约100重量份的能光固化组合物，其包含约93.2重量％的由下列化学式6表示的乙烯不饱和化合物、约3.9重量％的由下列化学式7表示的光聚合引发剂和约2.9重量％的2-巯基苯并噻唑，(B)为约100重量份的热固性组合物，其包含约94.1重量％的由下列化学式8表示的碱溶性树脂和约5.9重量％的由下列化学式9表示的热交联剂树脂。将该混合物的固体内容物溶解在约370重量份的丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMAc)中以制备负型光刻胶组合物。该负型光刻胶组合物的固体含量为约35重量％。
<化学式6>
Figure A200810190664D00191
在化学式6中，m表示2，并且n表示3。根据示例性实施方式，由化学式6表示的化合物包括Light Ester BP-2EM(商品名，由Kyoeisha ChemicalCo.，Ltd.，Japan制造)。
<化学式7>
<化学式8>
Figure A200810190664D00201
在化学式8中，a表示50，b表示20，并且c表示30。重均分子量为约17,000。
<化学式9>
根据示例性实施方式，由化学式9表示的化合物包括NikalacMW-100LM(商品名，由Sanwa Chemical Co.，Ltd.，Japan制造)。
实施例2
将(A)与(B)混合，其中(A)为约100重量份的能光固化组合物，其包含约93.2重量％的由下列化学式10表示的乙烯不饱和化合物、约3.9重量％的由化学式7表示的光聚合引发剂和约2.9重量％的2-巯基苯并噻唑，(B)为约100重量份的热固性组合物，其包含约94.1重量％的由化学式8表示的碱溶性树脂和约5.9重量％的由化学式9表示的热交联剂树脂。将该混合物的固体内容物溶解在约370重量份的丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMAc)中以制备负型光刻胶组合物。该负型光刻胶组合物的固体含量为约35重量％。
<化学式10>
Figure A200810190664D00211
根据示例性实施方式，由化学式10表示的化合物包括Kayarad DPHA(商品名，由Nippon Kayaku Co.，Ltd.，Japan制造)。
实施例3
将(A)与(B)混合，其中(A)为约100重量份的能光固化组合物，其包含约93.2重量％的由化学式6表示的乙烯不饱和化合物、约3.9重量％的由化学式7表示的光聚合引发剂和约2.9重量％的2-巯基苯并噻唑，(B)为约100重量份的热固性组合物，其包含约94.1重量％的由下列化学式11表示的碱溶性树脂和约5.9重量％的由化学式9表示的热交联剂树脂。将该混合物的固体内容物溶解在约370重量份的丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMAc)中以制备负型光刻胶组合物。该负型光刻胶组合物的固体含量为约35重量％。
<化学式11>
Figure A200810190664D00212
在化学式11中，p表示33，q表示16，r表示11，s表示26并且t表示14。重均分子量为约45,000。
对比例1
将(A)与(B)混合，其中(A)为约100重量份的能光固化组合物，其包含约93.2重量％的由化学式6表示的乙烯不饱和化合物、约3.9重量％的由化学式7表示的光聚合引发剂和约2.9重量％的2-巯基苯并噻唑，(B)为约93重量份的热固性组合物，其包含约100重量％的由化学式8表示的碱溶性树脂。将该混合物的固体内容物溶解在约370重量份的丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMAc)中以制备负型光刻胶组合物。该负型光刻胶组合物的固体含量为约34重量％。
对比例2
将(A)与(B)混合，其中(A)为约100重量份的能光固化组合物，其包含约93.2重量％的由化学式10表示的乙烯不饱和化合物、约3.9重量％的由化学式7表示的光聚合引发剂和约2.9重量％的2-巯基苯并噻唑，(B)为约93重量份的热固性组合物，其包含约100重量％的由下列化学式12表示的碱溶性树脂。将该混合物的固体内容物溶解在约370重量份的丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMAc)中以制备负型光刻胶组合物。该负型光刻胶组合物的固体含量为约34重量％。
<化学式12>
在化学式12中，e表示30，f表示20，g表示30并且h表示20。重均分子量为约17,000。
对比例3
将(A)与(B)混合，其中(A)为约14重量份的能光固化组合物，其包含约57重量％的由化学式7表示的乙烯不饱和化合物以及约43重量％的2-巯基苯并噻唑，(B)为约208重量份的热固性组合物，其包含约94.1重量％的由化学式8表示的碱溶性树脂和约5.9重量％的由化学式9表示的热交联剂树脂。将该混合物的固体内容物溶解在约848重量份的丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMAc)中以制备负型光刻胶组合物。
对比例4
准备作为正型光刻胶组合物的PC-411B(商品名，由JSR Corp.，Japan制造)。
实验一光刻胶组合物的评价
将实施例1～3和对比例1～4的光刻胶组合物分别涂覆在基础基板上、预烘烤、曝光和显影以形成有机层。此后，测量各有机层的透射率、颜色、最小曝光量、脱气量、分辨率、图案形状、残留物、可分离性和硬度。由此获得的结果说明于下表1中。
基础基板为玻璃基板。有机层的厚度为约4μm。将有机层在约90℃的温度下预烘烤约90秒。通过旋涂方法将光刻胶组合物涂覆在基础基板上。在曝光过程中使用具有宽度为约10μm～约50μm的图案的掩模。通过使用设置于掩模上的高压汞灯将有机层曝光。将具有有机层的基础基板浸渍在温度为约25℃的约0.4重量％的氢氧化四甲基铵溶液中约70秒。此后，通过去离子(DI)水漂洗具有有机层的基础基板以形成图案。通过约50mJ/cm2的光量将图案曝光，然后将其在烘箱中在220℃的温度下加热约1小时。在有机层显影后，将其浸渍在温度为约60℃的N-甲基吡咯烷酮中约10分钟，然后评价图案分离的容易程度。根据JIS K-5400测量有机层的硬度。
表1
 
实施例1 实施例2 实施例3 对比例1 对比例2 对比例3 对比例4
透射率(％) 92 93 92 93 89 - 88
颜色 透明 透明 透明 透明 透明 透明 黄色
最小曝光量(mJ/cm2) 70 70 70 70 140 - 300
脱气(％) 20 8 10 60 70 140 100
 
分辨率(μm) 5 5 7 5 5 - 5
图案形状 良好 良好 良好 良好 良好 - 良好
残留物 少许 少许 少许 少许 少许 - 少许
可分离性 良好 良好 良好 良好 良好 - 良好
硬度 3H 5H 5H 小于H 3H - 3H
在表1中，透射率由通过使用UV3100PC分光计(商品名，Shimadzu Corp.，Japan)测量有机层在约300nm～约900nm的波长范围内的最小透射率的结果获得。参照表1，可注意到，与对比例4的有机层相比，实施例1～3及对比例1和2具有更大的透射率。此外，可注意到，与使用含有环氧基团的碱溶性树脂的对比例2的有机层相比，实施例1～3的有机层具有更大的透射率。
参照表1，对比例4的有机层在显影后显示黄色，因为对比例4的负型光刻胶组合物使用重氮萘醌作为光敏剂，重氮萘醌含有显示红色的偶氮基团。然而，实施例1～3和对比例1～3的有机层是透明的。因而，可注意到实施例1～3和对比例1～3的有机层可减小显示装置色坐标的变化。
在对比例4的有机层的情况下，最小曝光量表示当有机层在曝光后没有残留时所需的曝光量。为了确定实施例1～3和对比例1～3的有机层的最小曝光量，通过高压汞灯将有机层分别曝光，所述光具有根据约10mJ/cm2～约100mJ/cm2的范围除以2^(1/2)所得的各区间(interval)确定的曝光量。此后，将具有有机层的基础基板浸渍在温度为约25℃的约0.4重量％的氢氧化四甲基铵溶液中约70秒，然后漂洗。此后，测量残留有机层的厚度。将由此获得的结果对于区间的曝光量绘图。最小曝光量表示当该区间与前一区间之间的厚度差小于10％的该区间的曝光量。
参照表1，可注意到，由实施例1～3的有机层形成图案所需的最小曝光量小于由对比例2和4的有机层形成图案所需的最小曝光量。由于对比例3的光刻胶组合物不包含通过光聚合的树脂，因此对比例3的有机层不能形成图案。参照表1，可注意到，负型光刻胶组合物的感光度大于正型光刻胶组合物的感光度。
脱气表示在有机层在约240℃的温度下加热约30分钟的同时通过GCMS-QP5050A气相色谱质谱仪(商品名，Shimadzu Corp.，Japan)测量的低分子量物质的量。参照表1，可注意到，包含乙烯不饱和化合物的实施例1～3的有机层的脱气比对比例1、2和4的有机层的脱气少得多。
当有机层的硬度等于或大于约3H时，有机层可具有足够的硬度以作为基板的保护层。参照表1，实施例1～3的有机层的硬度水平大于对比例1的有机层的硬度水平。
在下文中，参照图1、2、3、4、5和6描述根据本发明的示例性实施方式的制造阵列基板的方法。
图1是说明根据本发明的示例性实施方式形成栅极图案的操作的横截面图。
参照图1，在基础基板110上形成栅极金属层，并将栅极金属层图案化以形成包括栅极线、从该栅极线延伸的栅电极120和存储线路的栅极图案。根据示例性实施方式，通过光刻法将栅极金属层图案化。
图2是说明根据本发明的示例性实施方式形成栅极绝缘层和沟道图案的操作的横截面图。
参照图2，在具有栅极图案的基础基板110上形成栅极绝缘层130。根据示例性实施方式，用于栅极绝缘层130的材料包括氮化硅、氧化硅等。
通过在具有栅极绝缘层130的基础基板110上顺序形成半导体层142和欧姆接触层144而形成沟道图案140。根据示例性实施方式，用于半导体层142的材料包括无定形硅(a-Si)。根据示例性实施方式，用于欧姆接触层144的材料包括以高浓度向其中植入n-型杂质的n+无定形硅(n+a-Si)。通过光刻操作将半导体层142和欧姆接触层144图案化以形成沟道图案140。
图3是说明根据本发明的示例性实施方式形成源极图案的操作的横截面图。
参照图3，在具有沟道图案140的基础基板110上形成源极金属层。将源极金属层图案化以形成包括与栅极线交叉的数据线、从数据线延伸的源电极152和与源电极152隔开的漏电极154的源极图案150。根据示例性实施方式，用于将源金属层图案化的掩模不同于用于形成沟道图案140的掩模。
或者，根据示例性实施方式，通过使用用于形成沟道图案140的掩模形成源极图案150。例如，半导体层142、欧姆接触层144和源极金属层顺次形成于具有栅极绝缘层130的基础基板110上。此后，通过使用具有狭缝部分或半透射部分的掩模在源极金属层上形成光图案(photopattern)。通过使用该光图案将源极金属层、欧姆接触层144和半导体层142图案化以由此形成沟道图案140和源极图案。
图4是说明根据本发明的示例性实施方式形成有机绝缘层的操作的横截面图。
参照图4，钝化层160形成于具有源极图案150的基础基板110上。将负型光刻胶组合物涂覆在钝化层160上以形成有机绝缘层170。
根据示例性实施方式，钝化层160的材料包括氮化硅、氧化硅等。
根据示例性实施方式，负型光刻胶组合物包括：包含含有乙烯不饱和键的乙烯不饱和化合物和光聚合引发剂的能光固化组合物、包含通过热交联的碱溶性树脂的热固性组合物、和有机溶剂。该负型光刻胶组合物进一步包括热交联剂。该光聚合引发剂响应具有300nm～约450nm的波长范围的光产生自由基。
例如，该负型光刻胶组合物可包括：(A)约100重量份的能光固化组合物，其包含约93.2重量％的由上述化学式6表示的乙烯不饱和化合物、约3.9重量％的由上述化学式7表示的光聚合引发剂和约2.9重量％的2-巯基苯并噻唑；和(B)约100重量份的热固性组合物，其包含约94.1重量％的由上述化学式8表示的碱溶性树脂和约5.9重量％的由上述化学式9表示的热交联剂树脂。可将该混合物的固体内容物溶解在约370重量份的丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMAc)中以制备负型光刻胶组合物。该负型光刻胶组合物的固体含量可为约35重量％。该负型光刻胶组合物与上面说明的本发明的实施例基本相同。因而，省略任何进一步的解释。
根据示例性实施方式，将负型光刻胶组合物滴落并涂覆在具有钝化层160的基础基板110上(例如，参见图4)。根据示例性实施方式，通过使用涂覆装置例如旋涂器、线锭(wire bar)、流涂机、辊涂机、喷雾器涂覆负型光刻胶组合物。负型光刻胶组合物的厚度可为约0.5μm～约5μm。
此后，干燥涂覆在基础基板110上的负型光刻胶组合物。根据示例性实施方式，通过使用真空干燥器、热板、红外炉、对流炉等在约40℃～约150℃的温度下进行干燥操作约10秒～约600秒。
如图4所示，将掩模MASK设置在涂覆于基础基板110上的负型光刻胶组合物上，并通过掩模MASK将光照射到负型光刻胶组合物上。掩模MASK包括对应于漏电极154末端的光阻挡部件10以及对应于像素的除漏电极154末端外的剩余区域的透射部件20。根据示例性实施方式，用于曝光操作的灯包括灯光源如氙灯、卤素灯、钨灯、高压汞灯、超高压汞灯、金属卤化物灯、中压汞灯、低压汞灯等；和激光光源如氩离子激光器、镱-铝-石榴石(YAG)激光器、受激准分子激光器、氮激光器等。根据示例性实施方式，使用提供具有约300nm～约450nm波长的光的高压汞灯。
当将光照射到负型光刻胶组合物上时，光聚合引发剂产生自由基以使乙烯不饱和化合物聚合。
负型光刻胶组合物具有改善的吸收光的能力。因而，该负型光刻胶组合物减少曝光操作所需的时间。例如，与常规的正型光刻胶组合物相比，曝光操作所需的时间减少2/3。可通过使用光作为热能将负型光刻胶组合物的热固性组合物固化。因而，曝光的一部分负型光刻胶组合物固化，并且对应于光阻挡部件10的剩余部分的负型光刻胶组合物没有固化。因而，在钝化层160上形成有机绝缘层170。
图5是说明根据本发明的示例性实施方式将有机绝缘层显影的操作的横截面图。
参照图5，将有机绝缘层170显影以形成开口172。形成于漏电极154上的钝化层160通过该穿过有机绝缘层170形成的开口暴露。
根据示例性实施方式，用于显影操作的显影溶液包括碱溶液。例如，显影溶液包括无机碱化合物如碳酸钠、碳酸氢钠、碳酸钾、碳酸氢钾、硅酸钠、硅酸钾、氢氧化钠、氢氧化钾等；有机碱化合物如二乙醇胺、三乙胺、三乙醇胺、氢氧化四甲基铵等。这些可单独或以其组合使用。显影溶液进一步包括表面活性剂、含水有机溶剂、润湿剂、含有羟基或羧基的低分子量化合物。表面活性剂包括含有萘磺酸钠、苯磺酸钠等的离子表面活性剂；含有聚氧化烯基团的非离子表面活性剂；和含有四烷基铵基团的阳离子表面活性剂。根据示例性实施方式，通过浸渍、喷雾、刷擦(brushing)、超声波等将有机绝缘层170在约10℃～约50℃的温度下显影。负型光刻胶组合物减少在显影后在开口172附近形成的残留物。
此后，通过具有开口172的有机绝缘层170蚀刻钝化层160以形成穿过钝化层160的孔162。孔162与开口172重叠。例如，根据示例性实施方式，干法蚀刻钝化层160，使得漏电极154的末端通过孔162暴露。开口172和孔162形成接触孔CNT。
或者，根据另一示例性实施方式，在形成钝化层160并然后将其蚀刻以形成孔162后，形成有机绝缘层170并然后将其图案化以形成开口172以形成接触孔CNT。因而，独立地使用用于将钝化层160图案化的掩模和用于将有机绝缘层170图案化的掩模。
此后，加热基础基板110以进行固化操作。例如，通过热板、红外炉、对流炉等在约200℃～约300℃的温度下加热基础基板110约30秒～约540分钟。通过固化操作将残留在有机绝缘层170中的未反应物质固化。因而，减少有机绝缘层170的脱气。有机绝缘层170具有等于或大于约3H的硬度。因而，化学和/或物理保护栅极图案和源极图案150。此外，将阵列基板平坦化。
图6是说明根据本发明的示例性实施方式形成像素电极的操作的横截面图。
参照图6，在有机绝缘层170上形成透明电极层。将透明电极层图案化以形成通过接触孔CNT与漏电极154相接触并电连接的像素电极180。根据示例性实施方式，用于像素电极180的材料包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。
尽管已经参照本发明的一些示例性实施方式展示和描述了本发明，但本领域技术人员应理解，在不背离由所附权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，可在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (17)

1.负型光刻胶组合物，包括：
包含具有乙烯不饱和键的乙烯不饱和化合物和光聚合引发剂的能光固化组合物；
包含通过热交联的碱溶性树脂的热固性组合物；和
有机溶剂。
2.权利要求1的负型光刻胶组合物，其中所述乙烯不饱和化合物包含至少两个(甲基)丙烯酸酯基团。
3.权利要求1的负型光刻胶组合物，其中所述碱溶性树脂包括由选自包括(甲基)丙烯酸、对羟基苯乙烯、间羟基苯乙烯、邻羟基苯乙烯和(甲基)丙烯酸2-羟乙酯的组的至少一种和选自包括苯乙烯、含有烷基的烷基(甲基)丙烯酸酯、含有羟基的烷基(甲基)丙烯酸酯、含有环氧基团的烷基(甲基)丙烯酸酯、含有芳基的烷基(甲基)丙烯酸酯、含有氨基的烷基(甲基)丙烯酸酯的组的至少一种聚合的共聚物。
4.权利要求1的负型光刻胶组合物，其中所述碱溶性树脂包括由下式表示的化合物，其中R16、R17和R18独立地表示氢原子或具有1～4个碳原子的烷基(其中a、b和c独立地表示1～99，并且a、b和c的总和为100)，
Figure A200810190664C00021
5.权利要求1的负型光刻胶组合物，其中所述碱溶性树脂包括由下式表示的化合物，其中R19、R20、R21、R22和R23独立地表示氢原子或具有1～4个碳原子的烷基(其中p、q、r、s和t独立地表示1～99，并且p、q、r、s和t的总和为100)，
Figure A200810190664C00031
6.权利要求1的负型光刻胶组合物，其中所述碱溶性树脂具有约5,000～约50,000的重均分子量。
7.权利要求1的负型光刻胶组合物，其中基于所述负型光刻胶组合物，所述能光固化组合物与所述热固性组合物之和为约5重量％～约60重量％。
8.权利要求1的负型光刻胶组合物，其中所述能光固化组合物与所述热固性组合物的重量比为约1:0.5～约1:2。
9.权利要求1的负型光刻胶组合物，其中所述热固性组合物进一步包含热交联剂以将所述碱溶性树脂连接。
10.权利要求1的负型光刻胶组合物，其中所述光聚合引发剂由于波长约300nm～约450nm的光而产生自由基。
11.制造阵列基板的方法，该方法包括：
在基础基板上形成包括栅极线和栅电极的栅极图案；
在具有所述栅极图案的所述基础基板上形成源极图案，所述源极图案包括数据线、源电极和与所述源电极隔开的漏电极；
通过涂覆负型光刻胶组合物在具有所述源极图案的所述基础基板上形成有机绝缘层，所述负型光刻胶组合物包括：包含含有乙烯不饱和键的乙烯不饱和化合物和光聚合引发剂的能光固化组合物、包含通过热交联的碱溶性树脂的热固性组合物、和有机溶剂；
在所述有机绝缘层上形成像素电极，所述像素电极电连接到所述漏电极。
12.权利要求11的方法，其中形成所述有机绝缘层包括：
将涂覆在所述基础基板上的所述负型光刻胶组合物曝光；和
将所述负型光刻胶组合物显影。
13.权利要求12的方法，其中所述光包括约300nm～约450nm的波长。
14.权利要求12的方法，其中形成所述有机绝缘层进一步包括在将所述负型光刻胶组合物显影后加热所述负型光刻胶组合物。
15.权利要求14的方法，其中加热所述负型光刻胶组合物在约200℃～约300℃的温度下进行。
16.权利要求11的方法，其中所述有机绝缘层包括对应于所述漏电极的末端的开口。
17.权利要求16的方法，进一步包括：
在所述源极图案与所述有机绝缘层之间形成钝化层；和
通过使用所述具有开口的有机绝缘层作为蚀刻掩模去除所述钝化层的一部分以使所述源电极暴露。
CN2008101906643A 2008-01-04 2008-12-26 负型光刻胶组合物及使用其制造阵列基板的方法 Expired - Fee Related CN101477308B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080001246A KR101430533B1 (ko) 2008-01-04 2008-01-04 네거티브 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 어레이기판의 제조 방법
KR1246/08 2008-01-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101477308A true CN101477308A (zh) 2009-07-08
CN101477308B CN101477308B (zh) 2013-08-07

Family

ID=40838043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101906643A Expired - Fee Related CN101477308B (zh) 2008-01-04 2008-12-26 负型光刻胶组合物及使用其制造阵列基板的方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8092981B2 (zh)
KR (1) KR101430533B1 (zh)
CN (1) CN101477308B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101807553A (zh) * 2010-03-18 2010-08-18 信利半导体有限公司 一种具有oc材料的tft array板的制备方法
CN102566271A (zh) * 2010-12-10 2012-07-11 住友化学株式会社 感光性树脂组合物
CN102766047A (zh) * 2012-07-04 2012-11-07 北京京东方光电科技有限公司 含苯环的化合物、封框胶及其制备方法和应用
CN103246112A (zh) * 2012-02-01 2013-08-14 三星显示有限公司 液晶显示器
CN103571419A (zh) * 2012-08-03 2014-02-12 北京京东方光电科技有限公司 一种用于多维电场模式液晶面板的封框胶及其制作方法
CN103698977A (zh) * 2012-09-27 2014-04-02 奇美实业股份有限公司 感光性树脂组成物、保护膜及具有保护膜的元件
CN111253563A (zh) * 2020-01-14 2020-06-09 浙江大学 一种聚碳酸酯作为紫外光刻胶材料的应用

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101319920B1 (ko) * 2009-12-17 2013-10-18 제일모직주식회사 컬러필터용 잉크 조성물 및 이를 이용하여 제조된 컬러필터
KR101572976B1 (ko) * 2010-01-19 2015-12-01 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
TWI556958B (zh) * 2010-09-14 2016-11-11 東京應化工業股份有限公司 基質劑及含嵌段共聚物之層的圖型形成方法
US20130052381A1 (en) * 2011-08-22 2013-02-28 Robert R. Gallucci Polyepoxides and epoxy resins and methods for the manufacture and use thereof
US20130053489A1 (en) 2011-08-22 2013-02-28 Robert R. Gallucci Polyetherimide compositions and methods for the manufacture and use thereof
US8906594B2 (en) * 2012-06-15 2014-12-09 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Negative-working thick film photoresist
US9012126B2 (en) 2012-06-15 2015-04-21 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Positive photosensitive material
TWI516871B (zh) * 2013-10-25 2016-01-11 臺灣永光化學工業股份有限公司 負型厚膜光阻組成物及其用途
TWI647532B (zh) * 2014-07-01 2019-01-11 南韓商東友精細化工有限公司 光敏樹脂組成物
KR102348876B1 (ko) * 2015-07-29 2022-01-10 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
JP6527052B2 (ja) * 2015-08-28 2019-06-05 富士フイルム株式会社 転写フィルム、静電容量型入力装置の電極保護膜、積層体、積層体の製造方法および静電容量型入力装置
US10095110B2 (en) * 2015-11-26 2018-10-09 Jsr Corporation Photosensitive resin composition, method for forming resist pattern, and method for producing metallic pattern
JP2017173525A (ja) * 2016-03-23 2017-09-28 三菱ケミカル株式会社 絶縁膜用感光性樹脂組成物、硬化物、および画像表示装置
JP2017173526A (ja) * 2016-03-23 2017-09-28 三菱ケミカル株式会社 絶縁膜用感光性樹脂組成物、絶縁膜、および画像表示装置
TWI731961B (zh) 2016-04-19 2021-07-01 德商馬克專利公司 正向感光材料及形成正向凸紋影像之方法
CN110066391A (zh) * 2018-01-24 2019-07-30 常州强力先端电子材料有限公司 改性感光树脂及其应用
JP7274496B2 (ja) 2018-03-23 2023-05-16 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ネガ作動型超厚膜フォトレジスト
US11673984B2 (en) * 2018-03-23 2023-06-13 Zeon Corporation Binder composition for non-aqueous secondary battery electrode, conductive material paste composition for non-aqueous secondary battery electrode, slurry composition for non-aqueous secondary battery electrode, electrode for non-aqueous secondary battery, and non-aqueous secondary battery

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5723262A (en) * 1993-06-07 1998-03-03 Ajinomoto Co., Inc. Resin composition
US5948514A (en) * 1995-06-06 1999-09-07 Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Photocurable thermosettting resin composition developable with aqueous alkali solution
JP2000162732A (ja) * 1998-11-30 2000-06-16 Fuji Photo Film Co Ltd 熱現像感光材料
CN1547683A (zh) * 2001-07-26 2004-11-17 �������⻯ѧƷ�ع����޹�˾ 光敏性树脂组合物
CN1770012A (zh) * 2004-09-29 2006-05-10 住友化学株式会社 着色感光性树脂组合物

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2809676A1 (de) * 1978-03-07 1979-09-20 Bayer Ag Fremdvernetzbare, wasserverduennbare acrylatharzbindemittel
JPS6135883A (ja) * 1984-07-27 1986-02-20 Dainippon Ink & Chem Inc 自動車の上塗り塗装法
JPS6462375A (en) * 1987-09-02 1989-03-08 Arakawa Chem Ind Liquid photosolder resist ink composition of alkali development type
US6316172B1 (en) * 1998-09-29 2001-11-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Heat-developable photographic light-sensitive material and heat-development method thereof
WO2001072857A1 (fr) * 2000-03-29 2001-10-04 Kanagawa University Resines durcissables aux radiations actiniques, leur procede de preparation et composition de resines thermodurcissables
JP4651800B2 (ja) 2000-10-24 2011-03-16 富士フイルム株式会社 層間絶縁膜用ネガ型感光性熱硬化性転写材料、層間絶縁膜の形成方法、ハイアパーチャー型液晶表示装置及びその製造方法
JP2003188183A (ja) 2001-12-20 2003-07-04 Fujitsu Display Technologies Corp 薄膜トランジスタ装置、その製造方法及び液晶表示装置
KR100684365B1 (ko) 2003-04-30 2007-02-20 주식회사 삼양이엠에스 음성 레지스트 조성물을 이용한 고개구율 박막 트랜지스터(tft) 액정표시소자의 유기절연막 형성방법
KR20050071885A (ko) 2004-01-05 2005-07-08 삼성전자주식회사 절연막용 네가티브형 감광성 수지조성물 및 이를 사용한절연막
WO2006043638A1 (ja) * 2004-10-20 2006-04-27 Mitsubishi Chemical Corporation 感光性組成物、画像形成材料、画像形成材、及び画像形成方法
JP4934353B2 (ja) 2005-06-10 2012-05-16 ドンジン セミケム カンパニー リミテッド ネガティブ感光性樹脂組成物
JP5256647B2 (ja) * 2006-05-31 2013-08-07 三菱化学株式会社 保護膜用熱硬化性組成物、硬化物、及び液晶表示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5723262A (en) * 1993-06-07 1998-03-03 Ajinomoto Co., Inc. Resin composition
US5948514A (en) * 1995-06-06 1999-09-07 Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Photocurable thermosettting resin composition developable with aqueous alkali solution
JP2000162732A (ja) * 1998-11-30 2000-06-16 Fuji Photo Film Co Ltd 熱現像感光材料
CN1547683A (zh) * 2001-07-26 2004-11-17 �������⻯ѧƷ�ع����޹�˾ 光敏性树脂组合物
CN1770012A (zh) * 2004-09-29 2006-05-10 住友化学株式会社 着色感光性树脂组合物

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101807553A (zh) * 2010-03-18 2010-08-18 信利半导体有限公司 一种具有oc材料的tft array板的制备方法
CN101807553B (zh) * 2010-03-18 2013-05-01 信利半导体有限公司 一种具有感光性树脂薄膜材料的tft阵列板的制备方法
CN102566271A (zh) * 2010-12-10 2012-07-11 住友化学株式会社 感光性树脂组合物
CN103246112A (zh) * 2012-02-01 2013-08-14 三星显示有限公司 液晶显示器
CN102766047A (zh) * 2012-07-04 2012-11-07 北京京东方光电科技有限公司 含苯环的化合物、封框胶及其制备方法和应用
US9227906B2 (en) 2012-07-04 2016-01-05 Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Benzene ring containing compound, sealing gel, process for preparing same and use thereof
CN103571419A (zh) * 2012-08-03 2014-02-12 北京京东方光电科技有限公司 一种用于多维电场模式液晶面板的封框胶及其制作方法
CN103571419B (zh) * 2012-08-03 2015-04-29 北京京东方光电科技有限公司 一种用于多维电场模式液晶面板的封框胶及其制作方法
CN103698977A (zh) * 2012-09-27 2014-04-02 奇美实业股份有限公司 感光性树脂组成物、保护膜及具有保护膜的元件
CN103698977B (zh) * 2012-09-27 2017-01-04 奇美实业股份有限公司 感光性树脂组成物、保护膜及具有保护膜的元件
CN111253563A (zh) * 2020-01-14 2020-06-09 浙江大学 一种聚碳酸酯作为紫外光刻胶材料的应用

Also Published As

Publication number Publication date
US20090176337A1 (en) 2009-07-09
KR101430533B1 (ko) 2014-08-22
KR20090075405A (ko) 2009-07-08
US8092981B2 (en) 2012-01-10
CN101477308B (zh) 2013-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101477308B (zh) 负型光刻胶组合物及使用其制造阵列基板的方法
JP4826918B2 (ja) 光重合性組成物
US7297452B2 (en) Photosensitive resin composition, thin film panel made with photosensitive composition, and method for manufacturing thin film panel
CN101390017B (zh) 保护膜用热固性组合物、固化物以及液晶显示装置
KR101579270B1 (ko) 플루오렌 골격을 갖는 광중합성 폴리머를 이용한 감광성 조성물
CN101395535B (zh) 保护膜用热固性组合物、固化物以及液晶显示装置
KR102006046B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 경화물, 층간 절연막, tft 액티브 매트릭스 기판 및 액정 표시 장치
ATE444316T1 (de) Organische antireflexbeschichtungszusammensetzungen für die fortgeschrittene mikrolithographie
JPH04156402A (ja) カラーフィルター
US20110294243A1 (en) Photoresist composition and method of forming photoresist pattern using the same
US8519408B2 (en) Method of fabricating a thin film transistor substrate and a photosensitive composition used in the thin film transistor substrate
CN101395534A (zh) 保护膜用热固性组合物、固化物以及液晶显示装置
JP2006336016A (ja) 感光性樹脂組成物と、これを用いた薄膜トランジスタ基板の製造方法、及び共通電極基板の製造方法
JP4992518B2 (ja) 光重合性組成物
JP2012195580A (ja) 電界効果トランジスタのゲート絶縁層用組成物、ゲート絶縁層、電界効果トランジスタ及び表示パネル
KR102378162B1 (ko) 네거티브형 감광성 수지 조성물, 격벽 및 광학 소자
KR102507584B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 경화막, 적층체, 터치패널용 부재 및 경화막의 제조 방법
KR20070081805A (ko) 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 박막 패터닝 방법과이를 이용한 액정 표시 패널의 제조 방법
US6372403B1 (en) Photosensitive resin composition
KR20060105632A (ko) 감방사선성 수지 조성물, 이것으로부터 형성된 돌기 및스페이서, 및 이들을 구비하는 액정 표시 소자
TWI771355B (zh) 負型感光性樹脂組合物
KR20060105630A (ko) 감방사선성 수지 조성물, 이것으로부터 형성된 돌기 및스페이서, 및 이들을 구비하는 액정 표시 소자
JP4771086B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物、積層体及びその製造方法
JPWO2007026629A1 (ja) 感光性樹脂組成物、スペーサー、カラーフィルター及び液晶表示装置
TW576851B (en) Composition for forming film used for light diffusing-reflective substrate, light diffuse-reflective substrate and preparation method thereof, and liquid crystal display

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Effective date: 20121109

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20121109

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Applicant after: Samsung Display Co.,Ltd.

Applicant after: Techno Semichem Co., Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Applicant before: Samsung Electronics Co.,Ltd.

Applicant before: Techno Semichem Co., Ltd.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130807

Termination date: 20201226

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee