CN101427397B - 多重掺杂剂发射层oled - Google Patents

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Abstract

有机发光器件，其包含阳极、阴极和位于阳极和阴极之间的发射层，提供了基质化合物、在室温下能够发射磷光的第一化合物和在室温下能够发射磷光的第二化合物。当将合适的电压经过阳极和阴极施加时，至少95％的来自器件的发射由第二化合物产生。

Description

多重掺杂剂发射层OLED
研究协议
要求的发明由代表的和/或与以下参加者中的一个或几个联合成的大学-组织研究协议进行：普林斯顿大学，南加利福尼亚大学和环球显示公司。本协议是有效的且在要求的发明更新之前，要求的发明作为协议范围内承担的行为的结果进行。
技术领域
本发明涉及有机发光器件(OLED)，且更特别的涉及具有发射层的、包含至少两种掺杂剂的多重掺杂的OLED，其中每种掺杂剂在室温下能够发射磷光，且来自器件的发射仅为发射磷光化合物中的一种的发射。
背景技术
由于许多的原因，利用有机材料的光电器件变得日益值得关注。其中用于制备这种器件的许多材料相对昂贵，因此有机光电器件比无机器件具有潜在的成本优点。此外，有机材料内在的性质，例如柔性可以使他们更好的适用于特殊的应用，例如在柔性基质上制作。有机光电器件的实例包括有机发光器件(OLED)，有机光电晶体管，有机光电池和有机光电探测器。对于OLED，有机材料可以具有比常规材料更有利的性能。例如，有机发射层(EML)发光的波长通常可以容易的与合适的掺杂剂调和。
这里使用的词语“有机的”包括可以用于制造有机光电器件的聚合材料和小分子有机物质。“小分子”指的是任何不是聚合物的有机材料，且“小分子”实际上可以使非常大的。在一些情况中小分子可以包括重复单元。例如，使用长链烷基作为取代基不会从“小分子”类中除去分子。小分子还可以混合到聚合物中，例如作为聚合物主链上的侧基或作为主链的一部分。小分子还可以用作由一系列建立在核心部分上的化学框架组成的树枝体的核心部分。树枝体的核心部分可以是荧光性的或磷光性的小分子发射体。树枝体可以是“小分子”，且认为通常用于OLED领域的所有树枝体均为小分子。通常，小分子具有定义明确的单独分子量的化学式，而聚合物具有分子与分子可以不同的化学式和分力量。这里使用的“有机”包括烃基和杂原子取代的烃基配体的金属络合物。
当将电压经过器件施加时，OLED利用发光的薄有机膜。OLED日益变成用于应用中令人感兴趣的技术，例如平面板显示器、照明和背面照明。U.S.专利Nos.5,844,363，6,303,238和5,707,745中描述了许多OLED材料和构造，这里通过参考文献将它们完全引入。
OLED器件通常(但不总是)指的是通过至少一个电极发射光，且一个或几个透明电极可以用在有机光电器件中。例如，透明电极材料，例如氧化铟锡(ITO)可以用作底部电极。也可以使用例如通过参考文献完全引入的在U.S.专利Nos.5,703,436和5,707,745中描述的透明顶端电极。对于设计发光仅通过底部电极的器件，顶端电极不必是透明的，并且可以包含具有高电导率的厚的和反射性的金属层。同样的，对于设计发光仅通过顶端电极的器件，底部电极可以是不透明的和/或反射性的。在电极不必是透明的情况下，使用更厚的层会提供更好的导电率，且使用反射性电极通过将光反射回透明电极可以增加通过其它电极的发光的量。还可以制作完全透明的器件，其中两个电极都是透明的。还可以制作侧面发光的OLED，且在这种器件中一个或两个电极可以是不透明的或反射性的。
这里使用的“顶端”意味着离基质最远，而“底部”意味着离基质最近。例如，对于具有两个电极的器件，底部电极为与基质最近的电极，且通常其为首先制造的电极。底部电极具有两个表面，底部表面与衬底最近，且顶端表面离衬底较远。在第一层描述为“配置在第二层之上”的情况下，第一层配置在离衬底更远的地方。第一层和第二层之间可以有其它层，除非另有说明第一层与第二层是“物理接触的”。即使其中有不同的有机层，例如阴极也可以描述为“配置在阳极之上的”。
这里使用的“溶液可处理的”表示能够在液体介质中溶解、分散或传送和/或从液体介质中沉淀出来，以溶液或悬浮液的形式。
这里使用的且通常本领域技术人员理解的，如果第一能量水平与真空能量水平接近，第一“最高占用的分子轨道”(HOMO)或“最低未占用的分子轨道”(LUMO)能量水平比第二HOMO或LUMO能量水平“更多”或“更高”。由于测量离子化的潜能(IP)作为相对于真空水平的负能量，对应于IP的较高HOMO能量水平具有较小的绝对值(更小的负IP)。同样的，较高的LUMO能量水平对应于具有较小的绝对值的电子亲和性(EA)(更小的负EA)。在常规的能量水平图表上，在顶端具有真空水平，材料的LUMO能量水平比相同材料的HOMO能量水平更高。“较高的”HOMO或LUMO能量水平看来比“较低的”HOMO或LUMO能量水平与这种图表的顶端更接近。U.S.专利6/893,743公开了一种包含基质和基质上夹在阳极和阴极之间的发光层的OLED。发光层包含至少具有电子转移或空穴转移性质的基质材料，在室温下能够磷光发射的化合物A，以及在室温下能够荧光发射或磷光发射化合物B，其具有比化合物A的最大光发射更长的最大光发射波长。OLED的最大光发射归因于化合物B，且归因于化合物B的光发射通过化合物A加强以提高光发射效率。在化合物B为荧光化合物的情况中，根据报道，可以防止OLED的老化退化。但是该专利没有公开全部或实质上全部的OLED发射是由化合物B产生的。
U.S.专利No.6,515,298公开了一种含有系统间的交叉试剂的OLED。在一个公开的实施方案中，荧光发射剂的荧光效率通过结合荧光发射剂和磷光感光剂加强，其中磷光感光剂用作系统间的交叉试剂。在第二个公开的实施方案中，磷光发射剂的磷光效率通过磷光发射剂和基质以及系统间交叉试剂的联合而加强，其中基质和实际都具有单线旋转多样性。在公开的第三个实施方案中，ISC试剂的薄层放置在OLED的HTL和ETL之间，其中ISC试剂具有与在再结合部位的材料的放射线相交迭的光学吸收光谱。磷光材料的效率的增强没有公开。
D′Andrade等人的High Efficiency Yellow Double-DopedOrganic Light-Emitting Devices Based on Phosphor-Sensitizedfluorescence。Applied Physics Letters79(2001)1045-1047页公开了利用磷光感光剂的高效荧光OLED。双重掺杂的荧光红(DCM)和磷光绿(Irppy)通过磷光绿发射剂激活了荧光红发射，加强了荧光红OLED效率。
Feng等人的Proceedings of SPIE-The International Societyof Optical Engineering，4105(2001)30-36页公开了用于白光发射(颜色的混合)的双掺杂的荧光红和荧光蓝发射剂。
Kawamura等人的Journal of Applied Physics，92，1，(2002)87-93页公开了在聚合物PKK基质中利用三种蓝色、黄色和红色磷光发射剂的白光器件。
D′Andrade等人的Electrophosphorescent White-LightEmitting Device with a Triple Doped Emissive Layer，AdvancedMaterials，16，7，(2004)624-628页和Controlling ExcitonDiffusion in Multilayer White Phosphorescent Organic LightEmitting Devices，Advanced Materials，14，2，(2002)147-151页公开了在真空沉积的OLED中两种或三种磷光发射剂的混合物，其中所有沉积的发射剂为器件贡献了白光发射。
发明内容
本发明涉及一种包含阳极、阴极和发射层的有机发光器件，其中发射层位于阳极和阴极之间。发射层含有基质化合物，室温下能够发射磷光的第一化合物，以及室温下能够发射磷光的第二化合物。在根据本发明的器件中，其中当将至少一个电压经过阳极和阴极施加时，存在至少一个使来自器件的至少95％的发射由第二化合物产生的具有至少10cd/m2亮度的电压。优选地，第一化合物为带电荷的化合物，且可以是带电子的化合物或带空穴的化合物。优选该器件具有CIE，即实质上与第二器件的相同的CIE坐标，其中第二器件与本发明的器件的不同之处仅在于第二器件具有不含第一化合物的发射层。本发明的有机发光器件的发射层优选通过气相沉积或溶液沉积技术形成。
器件的外量子效率优选高于第二器件的外量子效率，其中第二器件与该器件的不同之处仅在于第二器件具有不含第一化合物的发射层。第二器件可以具有与该器件的第二化合物相等的第二化合物的掺杂百分比。同样的，该器件优选具有比第二器件更长的寿命，其中第二器件与该器件的不同之处仅在于第二器件具有不含第一化合物的发射层。更优选该器件的寿命是第二器件的至少3倍，且对于根据本发明的特定优选的器件，器件的寿命为第二器件的约3到约4倍。
第一和第二化合物能够以任何有用的量存在于发射层中。优选第一化合物以基于发射层的约3.5到约40摩尔％且更优选为约15摩尔％的量存在。第二化合物优选以基于发射层的约3到20摩尔％且更优选为约4.5摩尔％的量存在。
当将电压经过阳极和阴极施加时，优选至少99％的来自器件的发射由第二化合物产生。更优选当将电压经过阳极和阴极施加时，实质上所有来自器件的发射均由第二化合物产生。
优选的器件包括红-绿器件，其中第一化合物为绿色磷光化合物，且第二化合物发出红色磷光发射。优选第一和第二化合物中的至少一种为有机金属化合物。根据本发明的OLED包括其中第一化合物为绿色-1，铱(III)三[2-(联苯-3-基)-4-叔丁基吡啶]，且第二化合物为红色-1、二[5-苯基-3′-甲基(2-苯基喹啉)]乙酰丙酮铱(III)的器件，且更优选地，发射层通过溶液处理沉积，例如旋转涂布。根据本发明的OLED包括其中第一化合物优选为绿色-2，铱(III)三(3-甲基-2-苯基吡啶)，且第二化合物优选为红色-2，二[3′-甲基-(2-苯基喹啉)]乙酰丙酮铱(III)的器件。根据本发明的OLED包括其中第一化合物优选为绿色-2且第二化合物优选为红色-3，二(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱III的器件。除了红色和绿色的其它发出颜色的磷光化合物可以用于本发明。例如，包含蓝色磷光化合物作为第一化合物的双重掺杂的OLED也在本发明的范围内。
根据本发明的OLED包括含有阳极、阴极和发射层的有机发光器件，其中发射层位于阳极和阴极之间，且发射层包含基质化合物，室温下能够发射磷光的第一化合物以及室温下能够发射磷光的第二化合物。当将至少一个电压经过阳极和阴极施加时，存在至少一个使器件具有实质上与第二器件相同的CIE的电压，其中第二器件与该器件的不同之处仅在于第二器件具有不含第一化合物的发射层。
根据本发明的OLED包括含有阳极、阴极和发射层的有机发光器件，其中发射层位于阳极和阴极之间。发射层包含基质化合物，室温下能够发射磷光的第一化合物和室温下能够发射磷光的第二化合物。在器件的正常亮度范围内来自器件的至少95％的发射由第二化合物产生。
根据本发明的OLED包括含有阳极、阴极和发射层的有机发光器件，其中发射层位于阳极和阴极之间，且发射层包含基质化合物，室温下能够发射磷光的第一化合物和室温下能够发射磷光的第二化合物。该器件具有实质上具有在器件正常亮度范围内的与第二器件相同的CIE，其中第二器件与第一器件的不同之处仅在于第二器件具有不含第一化合物的发射层。
本发明还涉及一种从有机发光器件产生光发射的方法。该方法包括获得一种根据本发明的有机发光器件，且将电压经过该器件的阳极和阴极施加，其中该电压足以产生亮度至少为10cd/m2的来自器件的发射，且其中至少95％的发射由第二化合物产生。
根据本发明的方法包括用于从有机发光器件产生光发射的方法。该方法包括获得根据本发明的有机发光器件，且将足以产生来自器件的发射的电压经过阳极和阴极施加，其中该器件的发射具有实质上与第二器件相同的CIE，第二器件与该器件的不同之处仅在于第二器件具有不含第一化合物的发射层。
在根据本发明的OLED中，非发射掺杂剂的三重能量大于或等于发射掺杂剂的三重能量。优选地，非发射掺杂剂具有介于基质的HOMO水平和发射掺杂剂的HOMO水平之间的HOMO水平，且优选非发射掺杂剂具有介于基质的LUMO水平和发射掺杂剂的LUMO水平之间的LUMO水平。这里使用的“非发射掺杂剂”指的是产生不超过器件总发射的5％的掺杂剂，且优选实质上不产生发射。
附图说明
图1说明了具有单独电子转移、空穴转移和发射层以及其它层的有机发光器件；
图2说明了不具有单独电子转移层的反向有机发光器件；
图3说明了实施例1和2以及对比例1的溶液沉积器件的结构；
图4说明了实施例1和2以及对比例1器件的作为亮度函数的发光效率的对比；
图5说明了实施例1和2以及对比例1器件的作为亮度函数的外量子效率的对比；
图6说明了实施例1和2以及对比例1器件的作为电压函数的电流密度的对比；
图7说明了实施例1和2以及对比例1器件的作为电压函数的亮度的对比；
图8说明了实施例1和2以及对比例1器件的电致发光光谱的对比；
图9说明了实施例1和2以及对比例1器件的寿命的对比；
图10说明了实施例3和对比例2的气相沉积器件的结构；
图11说明了实施例3和对比例2器件的作为亮度函数的发光效率的对比；
图12说明了实施例3和对比例2器件的作为亮度函数的外量子效率的对比；
图13说明了实施例3和对比例2器件的作为电压函数的电流密度的对比；
图14说明了实施例3和对比例2器件的作为电压函数的亮度的对比；
图15说明了实施例3和对比例2器件的电致发光光谱的对比；
图16说明了实施例3和对比例2器件的寿命的对比；
图17说明了实施例4和对比例3的气相沉积器件的结构；
图18说明了实施例4和对比例3器件的作为亮度函数的发光效率的对比；
图19说明了实施例4和对比例3器件的作为亮度函数的外量子效率的对比；
图20说明了实施例4和对比例3器件的作为电压函数的电流密度的对比；
图21说明了实施例4和对比例3器件的作为电压函数的亮度的对比；
图22说明了实施例4和对比例3器件的电致发光光谱的对比；
图23说明了用于实施例1、2和3以及对比例1和2中的化合物的结构；
图24说明了用于实施例4和对比例3中的化合物的结构；
图25说明了实施例5到11以及对比例4和5的气相沉积器件的结构；以及
图26说明了实施例5和9的六苯基三亚苯基(HPT)阻挡层材料的结构。
具体实施方式
通常，OLED包含至少一个沉积在阳极和阴极之间且与阳极和阴极电连接的有机层。当应用电流时，阳极将空穴且阴极将电子注入有机层中。注入的空穴和电子各自向相反电荷的电极移动。当电子和空穴停留在相同的分子上时，就形成了位于电极-空穴对的具有激发能量态的“激子”。当激子通过光发射机理松弛下来时就会发光。在一些情况中，激子可以位于激态原子或激态络合物上。非辐射机理，例如热松弛也可以发生，但是通常考虑为不希望的。
例如U.S.专利No.4,769,292公开了使用由它们的单重态(“荧光”)发光的发射分子的初始OLED，其通过参考文献完全引入。荧光发射通常在少于10纳秒的时间框架内发生。
最近，具有由三重态发光(“磷光”)的发射材料的OLED得到了展示。Baldo等人的＂Highly Efficient Phosphorescent Emissionfrom Organic Electroluminescent Devices，＂Nature，395卷，151-154，1998；(“Baldo-I”)和Ba l do等人的＂Veryhigh-efficiencygreen organic light-emitting devices based onelectrophosphorescence，＂Appl.Phys.Lett.，75卷，No.1，4-6(1999)(＂Baldo-II＂)通过参考文献而完全引入。因为跃迁需要旋转状态的改变，因此磷光可以指的是“被禁止的”跃迁，且量子力学表明这种跃迁是不利的。结果，磷光通常发生在超过至少10纳秒的时间框架内，且典型的超过100纳秒。如果磷光的正常辐射寿命太长，三重态会通过非辐射机理衰减，因此就不会发光。有机磷光还经常在非常低的温度下在具有孤对电子的含有杂原子的分子中观察到。2，2′-二吡啶就是这样的分子。非辐射性衰减机理典型的是温度依赖的，因此典型的在液氮温度下表现出磷光的有机材料在室温下并不表现出磷光。但是正如Baldo论证的，这一问题可以通过选择在室温下发出磷光的磷光性化合物来应付。代表性发射层包括掺杂的或未掺杂的磷光有机金属材料，例如U.S.专利Nos.6,303,238和6,310,360；U.S.专利申请公开Nos.2002-0034656；2002-0182441；2003-0072964；和WO-02/074015中公开的内容。
通常认为OLED中的激子以约3：1的比值形成，即约75％的三重态和约25％的单重态。参见通过参考文献完全引入的Adachi等人的＂Nearly100％Internal Phosphorescent Efficiency In An OrganicLight Emitting Device，＂J.Appl.Phys.，90，5048(2001)。在许多情况中，单重态激子可以通过“系统间交叉”轻易的将它们的能量迁移为三重激发态，而三重态激子并不容易将它们的能量迁移为单重激发态。结果，100％的外量子效率在理论上采用磷光性OLED是可能的。在磷光器件中，三重态激子的能量通常损失给加热器件的无辐射衰减过程，导致更低的外量子效率。例如在通过参考文献完全引入的U.S.专利No.6,303,238中公开了使用磷光材料的OLED从三重激发态发光。
磷光可以先于从三重激发态跃迁到中间非三重状态，由此发生发射衰减。例如，配位到镧系元素的有机分子通常从位于镧系金属的激发态发出磷光。但是，这些材料并不直接从三重激发态发出磷光，而是从居于镧系金属离子中心的原子激发态发出磷光。二酮铕络合物举例说明了这些类型物种的一组。
来自三重态的磷光可以通过限制，优选通过连接近程附近的有机分子到高原子级的原子加强而超过荧光。这种成为重原子效应的现象通过已知的旋转轨道耦合的机理形成。这种磷光跃迁可以从有机金属分子的激发的金属到配体电荷转移(MLCT)状态中观察到，例如三(2-苯基吡啶)铱(III)。
这里使用的词语“三重能量”指的是对应于给出的材料的磷光光谱中可辨别的最高能量特征的能量。最高能量特征不必是磷光光谱中具有最大强度的峰值，且可以是例如这个峰的高能侧上的清楚的肩峰的局部最大值。
这里使用的词语“有机金属”通常是本领域技术人员可理解的且正如例如在Gary L.Miessler和Donald A.Tarr，Prentice Hall(1998)的＂Inorganic Chemistry＂(第二版)中给出的。因此有机金属一词指的是具有通过碳-金属键连接在金属上的有机基团的化合物。这类物质并不包括实质仅具有来自杂原子供体连接的本身为配位化合物的物质，例如胺的金属络合物，卤化物，假卤化物(CN等)以及类似物。在实际中，除了一种或几种与有机物种连接的碳-金属之外，有机金属化合物通常含有一种或几种来自杂原子的供体连接。与金属物种相连的碳-金属指的是直接连接在金属和有机基团的碳原子之间的，例如苯基，烷基，烯基等，但是并不指的是与“无机碳”相连的金属，例如CN或CO中的碳。
图1显示了一种有机发光器件100。该图不必按照比例绘制，器件100可以包括衬底110，阳极115，空穴注入层120，空穴传输层125，电子阻挡层130，发射层135，空穴阻挡层140，电子传输层145，电子注入层150，保护层155和阴极160。阴极160为具有第一导电层162和第二导电层164的混合阴极。器件100可以通过按照顺序沉积所述的层制造。
衬底110可以是任何合适的提供期望结构性质的衬底。衬底110可以是柔性的或刚性的。衬底110可以是透明的，半透明的或不透明的。塑料和玻璃是优选的刚性基质材料的实例。塑料和金属箔是优选的柔性基质材料的实例。为了有助于电路的制造，衬底110可以是半导体材料。例如，衬底110可以是在其上制造电路的硅晶片，能够控制之后沉积在衬底上的OLED。也可以使用其它衬底。衬底110的材料和厚度可以选择以获得期望的结构和光学性质。
阳极115可以是任何合适的充分导电的将空穴传输到有机层的阳极。阳极115的材料优选具有高于约4eV的功函(“高功函材料”)。优选的阳极材料包括导电金属氧化物，例如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)，氧化铝锌(AlZnO)和金属。阳极115(和衬底110)可以是充分透明的以形成底部发光的器件。优选的透明衬底和阳极联合为沉积在玻璃或塑料(衬底)上的市售获得的ITO(阳极)。通过参考文献完全引入的美国专利Nos.5,844,363和6,602,540B2公开了柔性和透明的衬底-阳极联合。阳极115可以是不透明的和/或反射性的。反射性阳极115可以优选一些顶端发光的器件以增加来自器件的顶端的发光量。阳极115的材料和厚度可以选择以获得期望的导电和光学性质。在阳极115是透明的情况中，对于特别材料的厚度范围为厚到足以提供期望的导电性，且薄到足以提供期望的透明度。也可以使用其它阳极材料和结构。
空穴传输层125可以包括能够传输空穴的材料。空穴传输层130可以固有的(未掺杂的)或掺杂的。掺杂可以用于加强导电性。α-NPD和TPD是固有的空穴传输层的实例。p-掺杂的空穴传输层的实例为以50：1的摩尔比掺杂有F4-TCNQ的m-MTDATA，正如通过参考文献完全引入的Forrest等人的美国专利申请公开No.2003-02309890公开的内容。也可以使用其它空穴传输层。
发射层135可以包括当电流穿过阳极115和阴极160时能够发光的有机材料。虽然也可以使用荧光发射材料，但是优选发射层135含有磷光发射材料。磷光材料是优选的，因为较高的发光效率与这种材料相关。发射层135还可以包含能够传输电子和/或空穴的，用可以捕获电子、空穴和/或激子的发射材料掺杂的基质材料，因此来自发射材料的激子通过光发射机理松弛。发射层135可以含有结合了传输和发射性质的单独的材料。不论发射材料是掺杂剂或主要成分，发射层135可以含有其它材料，例如调节发射材料的发射的掺杂剂。发射层135可以包括多种联合的能够发出期望光谱的发射材料。磷光发射材料的实例包括Ir(ppy)3。荧光发射材料的实例包括DCM和DMQA。基质材料的实例包括Alq3，CBP和mCP。通过参考文献完全引入的Thompson等人的U.S.专利No.6,303,238公开了发射和基质材料的实例。发射材料可以用多种方法包括在发射层135中。例如，发射小分子可以混合到聚合物中。这可以通过多种方法完成：通过将小分子掺杂到聚合物中或者作为单独的和独特的分子物种；或者通过将下分子混入聚合物的主链，以形成共聚物；或者通过连接小分子将其作为聚合物上的侧基。其它发射层材料和结构也可以使用。例如下分子发射材料可以作为树枝体的核心存在。
许多有用的发射材料包括一种或几种连接于金属中心的配体。如果其直接贡献有机金属发射材料的光活性性质，配体指的是“光活性的”。与金属相协同，当光子发光时，“光活性”配体可以提供来自其的能量水平和电子移动的能量水平。其它的配体可以指的是“辅助的”。辅助的配体可以改变分子的光活性性质，例如通过改变光活性配体的能量水平，但是辅助的配体并不直接提供包括在光发射中的能量水平。在一个分子中为光活性的配体在另一个中可以是辅助的。这些光活性和辅助的定义不受理论的限制。
电子传输层145可以包括能够传输电子的材料。电子传输层145可以时固有的(未掺杂的)或掺杂的。掺杂可以加强导电性。Alq3是固有电子传输层的实例。通过参考文献完全引入的Forrest等人的美国专利申请公开No.2003-02309890公开了n-掺杂的电子传输层的实例为1:1摩尔比的用Li掺杂的BPhen。也可以使用其它电子传输层。
电子传输层的带电荷组分可以选择因此电子可以从阴极充分注入电子传输层的LUMO(最低未占用分子轨道)能量水平。“带电荷组分”为造成实际上传输电子的LUMO能量水平的组分。这种组分可以是基础材料或者它可以是掺杂剂。有机材料的LUMO能量水平通常其他正在于材料的电子亲和性和阴极的相对电子注入效率通常可以借助阴极材料的功函表征。这一位这优选的电子传输层和邻近的阴极的性质借助带电荷的ETL组分的电子亲和性和阴极材料的功函详细说明。特别的，为了获得高电子注入效率，阴极材料的功函优选不多于电子传输层带电荷组分电子亲和性的约0.75eV，更优选不多于约0.5eV。同样的考虑应用于其中注入电子的任何层。
阴极160可以是任何本领域技术人员已知的合适的材料或材料的联合，因此阴极160能够传到电子并将它们注入器件100的有机层。阴极160可以是透明的或不透明的，且可以是反射性的。金属和金属氧化物是合适的阴极材料的实例。阴极160可以是单独的层，或者具有混合结构。图1显示了具有薄金属层162和厚导电金属氧化物层164的混合阴极160。在混合阴极中，优选用于厚层164的材料包括ITO，IZO和其它本领域技术人员已知的其它材料。通过参考文献完全引入的U.S.专利Nos.5,703,436，5,707,745，6,548,956B2和6,576,134B2公开了包括混合阴极的阴极实例，其具有金属如Mg：Ag的薄层与覆盖于其上的透明的导电的溅射沉积的ITO层。不论其是否是单层阴极160，阴极160与下方的有机层接触的部分，混合阴极的薄金属层162或一些其它的部分优选用具有低于约4eV功函的材料制成(“低功函材料”)。也可以使用其它阴极材料和结构。
阻挡层可用于减少电荷载体数(电子或空穴)和/或离开发射层的激子。电子阻挡层130可以布置在发射层135和空穴传输层125之间，以便在空穴传输层125方向上阻挡来自离开发射层135的电子。同样的空穴阻挡层140可以布置在发射层135和电子传输层145之间，以便在电子传输层145的方向上阻挡来自离开发射层135的空穴。阻挡层还可以用于阻挡由发射层扩散出来的激子。在通过参考文献完全引入的Forrest等人的美国专利No.6,097,147和美国专利申请公开No.2003-02309890中详细描述了该理论和阻挡层的使用。
这里使用的且本领域技术人员理解的“阻挡层”一词表示提供了显著抑制电荷载体的传输和/或穿过器件的激子的屏障层，而没有提出该层必须完全阻挡电荷载体和/或激子。在器件中存在这种阻挡层会导致与相同的缺少阻挡层的器件相比实质上更高的效率。此外阻挡层还可以用于将发射限制在期望的OLED的区域中。
通常注入层包含可以提高将电荷载子从一个层例如电极或有机层注入相邻的有机层的材料。注入层还可以执行电荷传输功能。在器件100中，空穴注入层120可以是任何提高从阳极115将空穴注入空穴传输层125的层。CuPc为可以用作来自ITO阳极115和其它阳极的空穴注入层的材料的实例。在器件100中，电子注入层150可以是提高将电子注入到电子传输层145的任何层。LiF/Al为可以用作来自邻近层的电子传输层的电子注入层的材料的实例。其它的材料或材料的联合也可以用作注入层。取决于特殊器件的构造，注入层可以布置在与那些器件100中所示不同的位置。通过参考文献完全引入的Lu等人的U.S.专利申请系列No.09/931,948提供了更多的注入层实例。空穴注入层可以含有溶液沉积材料，例如旋转涂布的聚合物，例如PEDOT：PSS，或者可以是气相沉积的小分子材料，例如CuPc或MTDATA。
空穴注入层(HIL)可以使阳极表面平坦或潮湿以便提供足够的从阳极到空穴注入材料中的空穴注入。空穴注入层还可以含有具有顺利调协HOMO(最高占用分子轨道)能量水平的电荷承载组分，正如通过这里描述的它们相对的离子化潜能(IP)，以及HIL一侧上邻近的阳极层和HIL相反一侧上的空穴传输层。“电荷承载组分”是造成实际上传输空穴的HOMO能量水平的材料。这种组分可以是HIL的基础材料，或者它可以是掺杂剂。使用掺杂的HIL允许为了它的电性质选择掺杂剂，且为了形态性质选择基质，例如潮湿，柔性，刚性等。HIL材料优选的性质为空穴可以是足以从阳极到HIL材料中注入的性质。特别的，HIL的电荷承载组分的IP优选大于阳极材料的IP不到0.7eV。更优选地，电荷承载组分的IP大于阳极材料不到约0.5eV。同样的考虑应用于任何将空穴注入其中的层。HIL材料进一步与典型的用于OLED的空穴传输层的常规的空穴传输材料相区别，在于这种HIL材料可以具有实质上小于常规空穴传输材料的空穴导电性的空穴导电性。本发明的HIL的厚度可以是足以帮助阳极层的平面平坦或湿润的厚度。例如，小到10nm的HIL厚度对于非常平滑的阳极表面是可接受的。但是，由于阳极表面倾向于非常粗糙，高达50nm的HIL厚度在一些情况中可以是所期望的。
保护层可以在之后的制作过程中用于保护其下的层。例如，用于制造金属或金属氧化物顶端电极的过程可以损害有机层，且保护层可以用于减少或消除这种损害。在器件100中，保护层155可以在制造阴极160期间减少对其下方的有机层的损害。优选地，保护层具有用于传输(器件100中的电子)的载体类型的高载体活动性，因此它并不显著的增加器件100的操作电压。CuPc、BCP和不同的金属酞菁燃料为可以用于保护层中的材料的实例。也可以使用其它的材料或材料的联合。由于发生的制造过程在有机保护层160沉积之后，保护层155的厚度优选对其下方的层足以存在极少或没有损害的厚度，因此不至于厚到显著的增加器件100的操作电压。保护层155可以是掺杂的以增加它的导电性。例如CuPc或BCP保护层160可以是用Li掺杂的。可以在通过参考文献引入的Lu等人的U.S.专利申请系列No.09/931,948中发现更详细的保护层的描述。
图2显示了反向OLED200。该器件包括衬底210，阴极215，发射层220，空穴传输层225和阳极230。器件200可以通过按顺序沉积所述的层制造。由于大多数普通的OLED构造具有布置在阳极之上的阴极，且器件200具有布置在阳极230之下的阴极215，器件200可以指的是“反向”OLED。对应于器件100的与那些所述材料相同的材料可以用于器件200对应的层中。图2提供了一个怎样可以从器件100的结构中省略一些层的实例。
图1和2中说明的普通成层结构通过非限制性实例提供，且可以理解的是本发明的实施方案可以用于与其它结构有关的广泛的多样性。所述的特殊的材料和结构实质上是典型的，且其它材料和结构也可以使用。功能性OLED可以用不同的方法通过联合所述不同的层，或者基于设计、性能和成本的因素层可以完全省略而获得。其它所述非特定的层也可以包括在内，可以使用除了那些所述特定的材料之外的材料。虽然这里提供的实例中的许多描述了不同的由单独材料组成的层，可以理解的是材料的联合，例如基质和掺杂剂的混合物或更普通的混合物也可以使用。此外，这些层可以具有不同的亚层。这里给出的不同的层的名称并不规定为严格的限制。例如，在器件200中，空穴传输层225传输空穴并将空穴注入发射层220中，且可以描述为空穴传输层或空穴注入层。在一个实施方案中，OLED可以描述为具有布置在阴极和阳极之间的“有机层”。这一有机层可以包含单独的层，或进一步包含所述不同有机材料的多重层，例如对应于图1和2。
没有特别描述的结构和材料也可以使用，例如包含聚合性材料(PLED)的OLED，例如通过参考文献完全引入的Friend等人的U.S.专利No.5,247,190中公开的内容。通过进一步的实例，可以使用具有单独有机层的OLED。OLED可以是多层的，例如通过参考文献完全引入的Forrest等人的U.S.专利No.5,707,745中描述的。OLED的结构可以背离图1和2中描述的普通成层结构。例如，衬底可以包括成角度反射的表面以增强外耦合，例如通过参考文献完全引入的Forrest等人的U.S.专利No.6,091,195和Bulovic等人的U.S.专利No.5,834,893中描述的台地结构。
除非另有说明，不同实施方案的任何层可以通过合适的方法沉积。对于有机层，优选的方法包括热蒸发，喷墨，例如通过参考文献完全引入的U.S.专利Nos.6,013,982和6,087,196，有机气相沉积(OVPD)，例如通过参考文献完全引入的Forrest等人的U.S.专利No.6,337,102，以及通过有机蒸汽喷射印刷(OVJP)，例如通过参考文献完全引入的U.S.专利申请No.10/233,470。其它合适的沉积方法包括旋转涂布和其它溶液基的方法。溶液基方法优选在氮气或惰性气氛中进行。对于其它层，优选的方法包括热蒸发。优选的模式方法包括穿过模板的沉积，冷焊接例如通过参考文献完全引入的U.S.专利Nos.6,294,398和6,468,819中描述的，以及与一些沉积方法相关的模式例如墨水喷射和OVJP。也可以使用其它的方法。沉积的材料可以改进以使它们与特别的沉积方法相容。例如，取代基例如烷基和芳基，支链的或非支链的，且优选含有至少3个碳原子，可以用于小分子中以加强它们进行溶液加工的能力。具有20个碳原子或更多的取代基也可以使用，且3-20个碳原子是优选的范围。具有不对称结构的材料比那些具有对称结构的材料有更好的加工性，因为不对称的材料可以具有更低的结晶倾向。树枝体取代基可以用于加强小分子进行溶液加工的能力。
这里公开的分子可以用许多不同的方法取代而并不背离本发明的范围。例如，取代基可以加入到具有三个双齿配体的配合物中，例如在取代基加入后，一种或几种双齿配体连接在一起以形成例如四齿的或六齿的配体。其它的这种连接也可以形成。由于本领域技术人员通常所理解的“螯合效应”，可以认为这种类型的连接可以增加相对于没有连接的相似化合物的稳定性。
根据本发明的实施方案制造的器件可以混合到广泛的多种消费产品中，包括扁平的面板显示器，计算机，电视，宣传板，用于室内的室外照明和/或信号的灯，加盖显示器，完全透明的显示器，柔性显示器，激光印刷机，电话，电池电话，个人数字辅助(PDA)，膝上型计算机，数码相机，便携式摄像机，反光镜，微型显示器，车辆，大面积的墙壁，剧场或体育馆的屏幕或标记物。不同的控制机理可以用于控制根据本发明制造的控制器件，包括被动的基质和活性基质。许多器件倾向于在令人舒适的温度范围内使用，例如18℃到30℃，且更优选在室温下(约20到25℃)使用。
这里描述的材料和结构可以应用于器件中而不是OLED中。例如，其它光电子器件，如有机太阳能电池和有机光探测器可以使用这些材料和结构。更一般的，有机器件例如有机晶体管可以使用该材料和结构。
优选地，根据本发明的OLED为多重掺杂的OLED。在多重掺杂的OLED中，至少一种额外的电荷传输掺杂剂，优选磷光掺杂剂包括在磷光OLED(PHOLED)的发射层中，形成具有至少两种磷光掺杂剂的发射层。那些本领域的技术人员可以理解本发明并不仅限于两种掺杂剂，因此在器件的发射层中可以使用多于两种的掺杂剂。两种或几种磷光掺杂剂的使用显著改进了器件的性能，包括器件的发光效率，稳定性和寿命。特别的，器件的寿命被典型的加强，与相应的单独掺杂的器件相比，仅用一种磷光掺杂剂掺杂，在相同或相似波长上省略，因此寿命优选为单独掺杂的器件寿命的至少3倍，且更优选该寿命通过一个因素增加至少约3到4倍。这里使用的“相应的单独掺杂的器件”为OLED，其具有仅包含单独掺杂剂的发射层，该单独掺杂剂与多重掺杂的器件中的发射掺杂剂相同。
在这种根据本发明的多重掺杂的器件中，器件发射的CIE坐标优选实质上与那些具有仅包含一种用于本发明器件中的掺杂剂的单独掺杂的器件的发射相同。也就是，如果存在于单独掺杂的器件和多重掺杂的器件中的掺杂剂是发射性的，且至少一种额外的掺杂剂优选为非发射性的，器件的发射实质上是相同的。优选地，本发明的多重掺杂的器件的发射为具有最低能量发射的掺杂剂的发射，即掺杂剂具有最长波长的掺杂剂。
根据本发明的多重掺杂的器件可以通过蒸汽热蒸发(VTE)和溶液沉积过程制备。每个掺杂剂的有用的量可以用于本发明的多重掺杂的OLED中。优选地，第一化合物以基于发射层的约3.5到约40摩尔％的量存在，且更优选为约15摩尔％。优选地，第二化合物以基于发射层的约3到约20摩尔％的量存在，优选为约4.5摩尔％。
发射掺杂剂的量可以保持在约在相应的单独掺杂的器件中发现的水平，因此至少一种额外的掺杂剂的添加增加了器件发射层中掺杂剂的量。在根据本发明的某些优选的器件中，发射掺杂剂的量与相应的单独掺杂的器件的掺杂剂的量约相等。优选地，非发射掺杂剂的量与发射掺杂剂的量的比值为约1:1到约8:1。
与单独掺杂的器件相比具有改进性能的多重掺杂的磷光OLED也可以用约比相应的单独掺杂的器件中的发射掺杂剂的量更多的最大量的掺杂剂制造。在根据本发明的某些优选的器件中包含两种磷光掺杂剂，每种掺杂剂的量为相应的单独掺杂的器件中掺杂剂用量的约50到500摩尔％。
典型的OLED具有“正常的发光范围”，在其范围内器件的CIE特征并没有显著的改变。优选地，x和y CIE坐标的变化不超过正常亮度范围的0.04CIE单位，更优选不超过0.03个CIE单位，且最优选不超过0.02个CIE单位。对于有源矩阵OLED(AMOLED)，亮度范围优选为10到5000cd/m2。对于无源矩阵OLED(PMOLED)，峰值亮度光范围优选为10到150000cd/m2。对于照明应用，亮度范围优选为10到10000cd/m2。改变应用于器件的电压改变了发光强度，且当将某一范围的电压应用于器件时，对于任何给出的器件均提供可正常的亮度范围。对于给定的器件，提供正常亮度范围的电压范围可以指的是器件的“正常操作电压范围”。
本领域技术人员可以理解，有可能获得具有与正常亮度范围发光不同的CIE的发射。不受理论的限制，因为磷光发射分子上的激子具有有限的寿命，这种情况可以发生。结果，给定数量的磷光分子在最大速率下由激子产生光子。如果将高于所需提供在器件的正常亮度范围内的发射的电压应用于器件，激子产生的速率会超过器件中磷光分子从激子制备光子的速率。结果为过量的激子会发现其它来自器件中其它分子的发射途径，这就不具有指定发射分子的特征CIE坐标。当这种不想要的发射发生到显著的程度时，通过器件发光的CIE坐标作为亮度和/或电压的函数而变化。但是，在根据本发明的器件中，当将在该范围内的电压应用于器件时，存在具有期望的正常亮度范围内的亮度的CIE坐标器件发光的电压范围。
根据本发明的器件具有包含能够在室温下发射磷光的第一和第二化合物的发射层。在本发明的器件的正常亮度范围，大多数如果不是所有的发射仅由第二化合物产生。不受限制本发明范围的理论的限制，可以认为没有发出显著的量的光的第一化合物影响了在发射层中具有注入物种的电荷的传输，电荷的捕获，激子的形成，和/或激子间的相互反应。优选地，在正常亮度范围内的至少95％的来自器件的发射由第二掺杂剂产生。也就是，在根据本发明优选的器件中，存在至少一个使至少95％的来自器件的发射由第二化合物产生的具有至少10cd/m2的亮度的电压。
根据本发明的多重掺杂的磷光OLED与单掺杂的器件相比具有改进的性能，还可以用比相应的单掺杂的器件中发射掺杂剂的量更多的最大掺杂剂的总量制造，其中发射掺杂剂以少于相应的单掺杂的器件中掺杂剂的量存在。
本发明特别优选的器件包括双重掺杂的红-绿器件，具有比单掺杂的红色器件显著更长的寿命。这种器件优选具有实质上与相应的单掺杂的器件相同的发射光谱，因此双重掺杂的红-绿器件的CIE坐标实质上与那些单掺杂的红色器件的相同。典型的，通过器件发出的颜色为具有较低能量发射的发射掺杂剂，且因此，发射光谱的峰具有比非发射的掺杂剂更长的波长，这样双重掺杂的红-绿器件的发射是红色的。更优选地，双重掺杂的红-绿器件的光谱实质上与相应的单掺杂的器件的相同。值得注意的是，在一些实例中，由于由非发射掺杂剂的存在所导致的再结合区和/或发射层的偶极矩的差异，双重掺杂的器件与单掺杂的器件的发射相比存在较小的差别。通过溶液沉积和VTE加工制备的多重掺杂器件的寿命和稳定性通常得到了改进，优选与单掺杂的器件相比有至少约50％，而对器件的初始性能没有任何影响。优选地，在优选的红-绿器件中，寿命和稳定性可以通过至少3倍改进，且更优选为与单掺杂的红色器件相比至少约3到约4倍，而对器件的初始性能没有任何影响。
可以理解的是这里描述的不同实施例仅仅是实施例，且并不倾向于限制本发明的范围。例如，这里描述的许多材料和结构可以用其它材料和结构代替而不背离本发明的精神。可以理解的是关于为什么本发明的工作并不倾向于被限制的不同的理论。例如，设计电荷转移的理论并不倾向于限制。
材料定义
这里使用的缩写指的是以下材料：
CBP：       4，4′-N，N-二咔唑-联苯
m-MTDATA：  4，4′，4＂-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺
Alq3：      8-三-羟基喹啉铝
Bphen：     4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲
n-BPhen：   n-掺杂的BPhen(用锂掺杂)
F4-TCNQ：   四氟-四氰基-醌二甲烷
p-MTDATA：  p-掺杂的m-MTDATA(用F4-TCNQ掺杂)
Ir(ppy)3：  三(2-苯基嘧啶)-铱
Ir(ppz)3：  三(1-苯基吡唑，N，C(2′)铱(III)
BCP：       2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲
TAZ：       3-苯基-4-(1′-萘基)-5-苯基-1，2，4-三唑
CuPc        铜酞菁
ITO：       氧化铟锡
NPD：       N，N′-联苯-N-N′-二(1-萘基)-联苯胺
TPD：       N，N′-联苯-N-N′-二(3-甲苯基)-联苯胺
BAlq：      铝(III)二(2-甲基-8-羟基喹啉)4-苯基酚
mCP：       1，3-N，N-二咔唑-苯
DCM：       4-(二氰基乙烯)-6-(4-二甲基氨基苯乙烯基-2-甲基)-4H-吡喃
DMQA：     N，N′-二甲基喹吖啶酮
PEDOT：PSS 聚(3，4-乙烯基二氧噻吩)与聚苯乙烯磺酸盐(PSS)的水性分散体
实施例
以下非限制性实施例仅用于说明本发明优选的实施方案，并不解释为限制通过从属权利要求限定的本发明的范围。用于举例的器件的化合物的化学结构有图23、24和26提供，这里使用的且用于说明图23、24和26：
红色-1为二[5′-苯基-3-甲基(2-苯基喹啉)]乙酰丙酮铱(III)；
绿色-1为铱(III)三[2-(联苯-3-基)-4-叔丁基吡啶]；
红色-2为二[3-甲基(2-苯基喹啉)]乙酰丙酮铱(III)；
绿色-2为铱(III)三(3-甲基-2-苯基吡啶)；
红色-3为二(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱(III)；
HTL-1为4，4′-二[N-(1-萘基-4-苯乙烯基氨基)]联苯；
HIL-1为铱(III)三(3-甲基-2-苯基吡啶)；以及
基质-1为3，5-二(N-咔唑)联苯。
实施例和对比例的所有气相沉积的层通过高真空(<10-7托)热蒸发沉积。所有器件中阳极电极为
Figure G2007800140664D00221
的氧化铟锡(ITO)。阴极由
Figure G2007800140664D00222
的LiF与随后的
Figure G2007800140664D00223
A1组成。制备后立即将所有的器件在氮气手套箱(<1ppm的H2O和O2)中用环氧树脂密封盖子的玻璃包封，且湿气获得器也混合在包封体中。操作寿命测试在室温下在恒定的直流电中进行。
溶液沉积器件
发出红光、溶液沉积的多重掺杂的OLED用绿色磷光掺杂剂绿色-1作为非发射掺杂剂和红色-1作为红色磷光掺杂剂与作为基质的基质-1制备。为了对比，使用红色-1作为基质-1中的发射掺杂剂制备相应的单掺杂的器件。器件的结构如图3所示。具有双重掺杂发射层的实施例1和2的特殊的器件结构如下。
实施例1
ITO/CuPc/HTL-1/基质-1:绿色-1:红色-1(88:6:6)/BAlq/Alq/LiF:Al
实施例2
ITO/CuPc/HTL-1/基质-1:绿色-1:红色-1(80:10:10)/BAlq/Alq/LiF:Al
具有单掺杂发射层的对比例1的器件的特殊器件结构如下。
对比例1
ITO/CuPc/HTL-1/基质-1:红色-1(88:12)/BAlq/Alq/LiF:Al
实施例1和2以及对比例1的每个器件通过如下的旋转涂布制备：
CuPc的
Figure G2007800140664D00231
空穴注入层(HIL)通过VTE沉积在基质上的
Figure G2007800140664D00232
的ITO阳极上。
HTL-1的空穴传输层(HTL)由1％的甲苯溶液在2000rpm下旋转涂布，且之后在电热盘上在200℃下烘烤30分钟；
发射层由0.75％的甲苯溶液旋转涂布，且之后在电热盘上在100℃下烘烤60分钟；以及
然后将每一部分器件放置在真空室中，其中BAlq/Alq/LiF/Al通过热蒸发沉积，提供具有如图3所示结构的器件：
ITO(
Figure G2007800140664D00233
)/CuPc(
Figure G2007800140664D00234
)/HTL-1(
Figure G2007800140664D00235
)/基质-1:掺杂剂(
Figure G2007800140664D00236
)/Balq()/Alq(
Figure G2007800140664D00238
)/LiF(
Figure G2007800140664D00239
)/Al(
Figure G2007800140664D002310
)
实施例1和2以及对比例1的每一个器件的性能列于表1中。
表1
 
实施例1 实施例2 对比例1
发射红色掺杂剂，重量％ 红色-16％ 红色-110％ 红色-112％
非发射绿色掺杂剂，重量％ 绿色-16％ 绿色-16％ －
CIE 0.66，0.34 0.65，0.34 0.67，0.33
电压*，V 9.1 8.5 8.6
发光效率*，cd/A 9.3 5.4 8.4
E.Q.E.*，％ 9.2 5.4 9.3
能量效率*，Im/W 3.2 2.0 3.0
L0＝500cd/m2下的L80％，h 160 215 50
*在100cd/m2下
图4到7说明了根据本发明的溶液加工的多重掺杂的器件的改进的性能。对于实施例1和2以及对比例1的每个器件，图4说明了作为亮度函数的发光效率，图5说明了作为亮度函数的外量子效率，图6说明了作为电压函数的电流密度，图7说明了作为电压函数的亮度。实施例2的器件说明当掺杂剂的总量超过某一值时改进的性能可以达到上限。但是如图9所示，实施例1和2的多重掺杂的器件的寿命都明显的超过了对比例1的单掺杂的器件的寿命。
图8清楚的证明了CIE坐标以及因此实施例1和实施例2的多重掺杂的器件的颜色实质上与对比例1中的那些单掺杂的器件的相同。
气相沉积器件
发出红光的气相沉积的器件用绿色磷光掺杂剂绿色-2作为非发射掺杂剂且用红色-2作为磷光红色掺杂剂在CBP基质中制备。为了对比，相应的发出红光的单掺杂的器件用红色-2和CBP基质制备。器件的结构如图10所示。具有双重掺杂的发射层的实施例3的器件的特殊器件结构如下。
实施例3
ITO/CuPc/NPD/CBP:绿色-2(20％):红色-2(12％)/BAlq/Alq/LiF:Al
具有单掺杂发射层的对比例2的器件的特殊器件结构如下。
对比例2
ITO/CuPc/NPD/CBP:红色-2(12％)/BAlq/Alq/LiF:Al
实施例3和对比例2的器件的所有层用VTE沉积，以提供具有图10所示的结构的器件：
Figure G2007800140664D00251
/CuPc(100
Figure G2007800140664D00252
)/NPD(400
Figure G2007800140664D00253
)/CBP：掺杂剂(300
Figure G2007800140664D00254
)/Balq(150
Figure G2007800140664D00255
)/Alq(400
Figure G2007800140664D00256
)/LiF(10
Figure G2007800140664D00257
)/Al(1000
Figure G2007800140664D00258
)。
实施例3和对比例2的每个器件的性能列于表2中。
表2
 
实施例3 对比例2
发射红色掺杂剂，重量％ 红色-212％ 红色-212％
非发射绿色掺杂剂，重量％ 绿色-220％ －
CIE 0.65，0.35 0.65，0.35
电压*，V 7.2 6.5
发光效率*，cd/A 14.3 12.9
E.Q.E.*，％ 13.1 12.2
能量效率*，Im/W 6.3 6.2
40mA/cm2下100小时寿命测试后的相对亮度，％ 94.40％ 89.90％
*在100cd/m2下
根据本发明的VTE沉积的多重掺杂的器件的改进性能如图11到14所示。对于实施例3和对比例2的每一个器件，图11说明了作为亮度函数的发光效率，图12说明了作为亮度函数的外量子效率，图13说明了作为电压函数的电流密度，图14说明了作为电压函数的亮度。在实施例2中观察到的性能改进的限制在实施例3中没有观察到，说明可以提供改进性能上限的掺杂剂的量在实施例3的器件中并不存在。此外，如图16所示，实施例3的多重掺杂的器件的寿命明显超过了对比例2中单掺杂的器件的寿命。
图15清楚的表明CIE坐标和因此实施例3的多重掺杂的器件的颜色实质上与对比例2中那些单掺杂的器件的相同。
发出红光的气相沉积的器件使用绿色磷光掺杂剂绿色-2作为非发射掺杂剂和红色-3作为磷光红色掺杂剂在CBP基质中制备。为了对比，相应的发红光的单掺杂的器件用红色-3和CBP基质制备。器件的结构如图17所示。具有双重掺杂的发射层的实施例4的器件的特殊器件结构如下。
实施例4
ITO/HIL-1/NPD/CBP:绿色-2(20％):红色-3(12％)/BAlq/Alq
具有单掺杂发射层的对比例2的器件的特殊器件结构如下。
对比例3
ITO/HIL-1/NPD/CBP:红色-3(12％)/BAlq/Alq
实施例4和对比例3的器件的所有层用VTE沉积，以提供具有图17所示的结构的器件：
ITO(1200
Figure G2007800140664D00261
)/HIL-1(100
Figure G2007800140664D00262
)/NPD(400
Figure G2007800140664D00263
)/CBP：掺杂剂(300
Figure G2007800140664D00264
)/Balq(150
Figure G2007800140664D00265
)/Alq(400
Figure G2007800140664D00266
)/LiF(10
Figure G2007800140664D00267
)/Al(1000
Figure G2007800140664D00268
)。
实施例4和对比例3的每个器件的性能列于表3中。
表3
 
实施例4 对比例3
发射红色掺杂剂，重量％ 红色-312％ 红色-312％
非发射绿色掺杂剂，重量％ 绿色-220％ －
CIE 0.68，0.32 0.67，0.32
电压*，V 5.6 5.8
发光效率*，cd/A 11.6 8.6
E.Q.E.*，％ 15.5 11.3
能量效率*，Im/W 6.5 4.7
*在100cd/m2下
根据本发明的VTE沉积的多重掺杂的器件改进的性能进一步用图18到21说明。对于实施例4和对比例3的每个器件，图18说明了作为亮度参数的发光效率，图19说明了作为亮度函数的外量子效率，图20说明了作为电压函数的电流密度，图21说明了作为电压函数的亮度。
图22清楚的表明了CIE坐标和因此实施例4的多重掺杂的器件的颜色实质上与对比例3的那些单掺杂的器件的相同。
发出红光的气相沉积的OLED用绿色磷光掺杂剂绿色-2作为非发射掺杂剂并用红色-2作为磷光红色掺杂剂在BAlq基质中制备。为了对比，相应的发红光的单掺杂的器件使用红色-2和BAlq基质制备。器件的结构如图25所示。具有双重掺杂的发射层的实施例5、6、7、8的器件的特殊器件结构如下。
实施例5、6、7、8
ITO(
Figure G2007800140664D00271
)/HIL-1(100
Figure G2007800140664D00272
)/NPD(400
Figure G2007800140664D00273
)/BAlq:绿色-2(x％)：红色-2(y％)/BL(即便存在)/Alq/LiF:Al。
具有单掺杂发射层的对比例4的器件的特殊器件结构如下。
对比例4
ITO()/HIL-1(100
Figure G2007800140664D00275
)/NPD(400
Figure G2007800140664D00276
)/BAlq：红色-2(12％)(300
Figure G2007800140664D00277
)/Alq()/LiF：Al
实施例5、6、7、8和对比例4的器件的所有层使用VTE沉积。实施例5、6、7、8和对比例4的每个器件的性能列于表4中。
表4带有红色-2发射体的双重掺杂的和单掺杂的红色BAlq基质器件的性能
Figure G2007800140664D00279
*在500尼特下
实施例5、6、7和8的根据本发明的VTE沉积的多重掺杂的器件的改进的性能与对比例4的对比如表4所示。数据表明双重掺杂的器件的发光效率和寿命明显超过单掺杂器件中的那些性质。
发出红光的气相沉积的OLED用绿色磷光掺杂剂绿色-2作为非发射掺杂剂并用红色-3作为磷光红色掺杂剂在BAlq基质中制备。为了对比，相应的发红光的单掺杂的器件用红色-3和BAlq基质制备。器件的结构如图25所示。具有双重掺杂的发射层的实施例9、10和11的器件的特殊器件结构如下。
实施例9、10、11
ITO(
Figure G2007800140664D00282
)/HIL-1(
Figure G2007800140664D00283
)/NPD(400)/BAlq:绿色-2(x％):红色-3(y％)/BL(如果存在)/Alq/LiF:Al
具有单掺杂发射层的对比例5的器件的特殊器件结构如下。
对比例5
ITO()/HIL-1(100
Figure G2007800140664D00286
)/NPD(400
Figure G2007800140664D00287
)/BAlq:红色-3(12％)(300)/Alq(550
Figure G2007800140664D00289
)/LiF:Al
实施例9、10和11以及对比例5的器件的所有层用VTE沉积。实施例9、10和11以及对比例5的器件的性能列于表5中。
表5
表5带有红色-3发光体的双重掺杂的和单掺杂的红色器件的性能
Figure G2007800140664D00291
*在500尼特下
实施例9、10和11以及对比例5的根据本发明的VTE沉积的多重掺杂器件的改进的性能如表5所示。数据表明双重掺杂器件的发光效率和寿命的结合明显超过三掺杂器件中的那些性质。
本发明用相关的特别的实施例和优选的实施方案描述，应当理解的时本发明并不限于这些实施例和实施方案。因此要求的本发明包括这里描述的来自特别的实施例和优选的实施方案的变化，这对本领域的技术人员是显而易见的。

Claims (37)

1.有机发光器件，其含有阳极、阴极和发射层，其中发射层位于阳极和阴极之间，且发射层包含：
基质化合物；
室温下能够发射绿色或蓝色磷光的第一化合物；和
以至少3重量％的量存在的、室温下能够发射红色磷光的第二化合物，其中第一化合物的三重能量大于第二化合物的三重能量；
其中在器件的正常亮度范围内来自器件的至少95％的发射由第二化合物产生，其中有机发光器件缺少阻挡层。
2.权利要求1的有机发光器件，其中第一化合物为带电荷的化合物。
3.权利要求1的有机发光器件，其中第一化合物为带电子的化合物。
4.权利要求1的有机发光器件，其中第一化合物为带空穴的化合物。
5.权利要求1的有机发光器件，其中该器件具有实质上与第二器件相同的CIE坐标，其中第二器件与该器件的不同之处仅在于第二器件具有不含第一化合物的发射层。
6.权利要求1的有机发光器件，其中该器件具有比第二器件更高的外量子效率，其中第二器件与该器件的不同之处仅在于第二器件具有不含第一化合物的发射层。
7.权利要求6的有机发光器件，其中第二器件的第二化合物的掺杂百分比与该器件的第二化合物的掺杂百分比相等。
8.权利要求1的有机发光器件，其中该器件具有比第二器件更长的寿命，其中第二器件与该器件的不同之处仅在于第二器件具有不含第一化合物的发射层。
9.权利要求1的有机发光器件，其中第一化合物以基于发射层的3.5到40摩尔％的量存在。
10.权利要求1的有机发光器件，其中第一化合物以基于发射层的15摩尔％的量存在。
11.权利要求1的有机发光器件，其中第二化合物以基于发射层的3到20摩尔％的量存在。
12.权利要求1的有机发光器件，其中第二化合物以基于发射层的4.5摩尔％的量存在。
13.权利要求1的有机发光器件，其中当将至少一个电压经过阳极和阴极施加时，来自器件的至少99％的发射由第二化合物产生。
14.权利要求1的有机发光器件，其中当将至少一个电压经过阳极和阴极施加时，实质上来自器件的所有发射由第二化合物产生。
15.权利要求1的有机发光器件，其中当第一化合物发射时，发射为绿色磷光发射。
16.权利要求1的有机发光器件，其中第二化合物发出红色磷光发射。
17.权利要求1的有机发光器件，其中当第一化合物发射时，发射为蓝色磷光发射。
18.权利要求1的有机发光器件，其中第一化合物为铱(III)三[2-(联苯-3-基)-4-叔丁基吡啶]，且第二化合物为二[5-苯基-3′-甲基(2-苯基喹啉)]乙酰丙酮铱(III)。
19.权利要求1的有机发光器件，其中第一化合物为铱(III)三(3-甲基-2-苯基吡啶)，且第二化合物为二[3′-甲基-(2-苯基喹啉)]乙酰丙酮铱(III)。
20.权利要求1的有机发光器件，其中第一化合物具有在基质的HOMO水平和第二化合物的HOMO水平之间的HOMO水平。
21.权利要求1的有机发光器件，其中第一化合物具有在基质的LUMO水平和第二化合物的LUMO水平之间的LUMO水平。
22.一种制备权利要求1的有机发光器件的方法，其包括溶液沉积发射层。
23.一种制备权利要求1的有机发光器件的方法，其包括气相沉积发射层。
24.有机发光器件，其含有阳极，阴极和发射层，其中发射层位于阳极和阴极之间，且发射层包含：
基质化合物；
室温下能够发射绿色或蓝色磷光的第一化合物；和
以至少3重量％的量存在的、室温下能够发射红色磷光的第二化合物，其中第一化合物的三重能量大于第二化合物的三重能量，其中有机发光器件缺少阻挡层；
其中在器件的正常亮度范围内来自器件的至少95％的发射由第二化合物产生，其中器件具有在器件的正常发光范围内实质上与第二器件相同的CIE坐标，其中第二器件与该器件的不同之处仅在于第二器件具有不含第一化合物的发射层。
25.权利要求24的有机发光器件，其中第一化合物为带电荷的化合物。
26.权利要求24的有机发光器件，其中第一化合物为带电子的化合物。
27.权利要求24的有机发光器件，其中第一化合物为带空穴的化合物。
28.权利要求24的有机发光器件，其中该器件具有比第二器件更高的外量子效率。
29.权利要求24的有机发光器件，其中该器件具有比第二器件更长的寿命。
30.权利要求24的有机发光器件，其中第一化合物以基于发射层的3.5到40摩尔％的量存在。
31.权利要求24的有机发光器件，其中第一化合物以基于发射层的15摩尔％的量存在。
32.权利要求24的有机发光器件，其中第二化合物以基于发射层的3到20摩尔％的量存在。
33.权利要求24的有机发光器件，其中第二化合物以基于发射层的4.5摩尔％的量存在。
34.权利要求24的有机发光器件，其中当第一化合物发射时，发射为绿色磷光发射。
35.权利要求24的有机发光器件，其中第二化合物和该器件发出红色磷光发射。
36.权利要求24的有机发光器件，其中第一化合物具有在基质的HOMO水平和第二化合物的HOMO水平之间的HOMO水平。
37.权利要求24的有机发光器件，其中第一化合物具有在基质的LUMO水平和第二化合物的LUMO水平之间的LUMO水平。
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Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007143197A2 (en) 2006-06-02 2007-12-13 Qd Vision, Inc. Light-emitting devices and displays with improved performance
US9951438B2 (en) 2006-03-07 2018-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US9701899B2 (en) 2006-03-07 2017-07-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
WO2007117698A2 (en) 2006-04-07 2007-10-18 Qd Vision, Inc. Composition including material, methods of depositing material, articles including same and systems for depositing material
CN101931056B (zh) 2006-06-01 2014-07-09 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光器件和电子器件
WO2008111947A1 (en) 2006-06-24 2008-09-18 Qd Vision, Inc. Methods and articles including nanomaterial
US9397308B2 (en) 2006-12-04 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
WO2009014590A2 (en) 2007-06-25 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Compositions and methods including depositing nanomaterial
WO2009099425A2 (en) * 2008-02-07 2009-08-13 Qd Vision, Inc. Flexible devices including semiconductor nanocrystals, arrays, and methods
US20100033082A1 (en) * 2008-08-07 2010-02-11 General Electric Company Method of Manufacture of a Multi-Layer Phosphorescent Organic Light Emitting Device, and Articles Thereof
DE102008063589A1 (de) * 2008-10-07 2010-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
US9461253B2 (en) * 2008-12-10 2016-10-04 Udc Ireland Limited Organic electroluminescence device and luminescence apparatus
DE102008063470A1 (de) 2008-12-17 2010-07-01 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
KR101101940B1 (ko) * 2009-04-09 2012-01-02 단국대학교 산학협력단 이중 도핑을 이용한 고효율 진적색 인광 유기발광소자 및 그 제조 방법
CN102421858A (zh) * 2009-06-22 2012-04-18 默克专利有限公司 导电制剂
JP4523990B1 (ja) 2009-08-31 2010-08-11 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子用材料及び有機電界発光素子
JP5489610B2 (ja) * 2009-09-17 2014-05-14 キヤノン株式会社 有機ｅｌ素子
JP5479009B2 (ja) * 2009-09-24 2014-04-23 キヤノン株式会社 有機発光素子
JP4644751B1 (ja) * 2010-01-15 2011-03-02 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
US8288187B2 (en) * 2010-01-20 2012-10-16 Universal Display Corporation Electroluminescent devices for lighting applications
KR101805144B1 (ko) 2010-06-14 2017-12-05 노발레드 게엠베하 유기 발광 장치
JP5886858B2 (ja) * 2010-08-24 2016-03-16 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーＥ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ Ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ 光活性組成物、およびその組成物を用いて作製した電子デバイス
DE102010048497A1 (de) * 2010-10-14 2012-04-19 Merck Patent Gmbh Formulierungen für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102010054893A1 (de) 2010-12-17 2012-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende organisch-elektronische Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE102010055901A1 (de) * 2010-12-23 2012-06-28 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
CN102136550B (zh) * 2011-01-27 2013-04-24 电子科技大学 一种白光有机电致发光器件及其制备方法
US10079349B2 (en) * 2011-05-27 2018-09-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10158089B2 (en) * 2011-05-27 2018-12-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP2014523410A (ja) * 2011-06-08 2014-09-11 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション ヘテロレプティックイリジウムカルベン錯体及びそれを用いた発光デバイス
US9252377B2 (en) * 2011-07-14 2016-02-02 Universal Display Corporation Inorganic hosts in OLEDs
US10211413B2 (en) * 2012-01-17 2019-02-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP5926580B2 (ja) 2012-03-01 2016-05-25 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子、有機電界発光素子用材料、並びに、該素子を用いた発光装置、表示装置、照明装置及び該素子に用いられる化合物
JP6076153B2 (ja) 2012-04-20 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置
JP6367386B2 (ja) * 2012-04-20 2018-08-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、照明装置、発光装置、表示装置、電子機器
US9773985B2 (en) * 2012-05-21 2017-09-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9929325B2 (en) 2012-06-05 2018-03-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting device including quantum dots
US9502672B2 (en) * 2012-06-21 2016-11-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9725476B2 (en) * 2012-07-09 2017-08-08 Universal Display Corporation Silylated metal complexes
US9540329B2 (en) * 2012-07-19 2017-01-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102204794B1 (ko) 2012-08-10 2021-01-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기 및 조명 장치
US9978958B2 (en) * 2012-08-24 2018-05-22 Universal Display Corporation Phosphorescent emitters with phenylimidazole ligands
US8957579B2 (en) 2012-09-14 2015-02-17 Universal Display Corporation Low image sticking OLED display
US9748500B2 (en) 2015-01-15 2017-08-29 Universal Display Corporation Organic light emitting materials
US9634264B2 (en) 2012-11-09 2017-04-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9685617B2 (en) * 2012-11-09 2017-06-20 Universal Display Corporation Organic electronuminescent materials and devices
US10367154B2 (en) * 2013-02-21 2019-07-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP6845009B2 (ja) 2013-03-15 2021-03-17 ケアウェア コーポレイション 光及び超音波トランスデューサデバイス
US10199581B2 (en) * 2013-07-01 2019-02-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10074806B2 (en) 2013-08-20 2018-09-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9831437B2 (en) 2013-08-20 2017-11-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10457699B2 (en) 2014-05-02 2019-10-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2016084648A1 (ja) * 2014-11-25 2016-06-02 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、それが具備された照明装置及び表示装置
US20180182980A1 (en) * 2015-06-03 2018-06-28 Udc Ireland Limited Highly efficient oled devices with very short decay times
JP3223608U (ja) 2016-05-26 2019-10-24 サンディエゴ ステイト ユニバーシティ リサーチ ファンデーション パルス状紫色光又は青色光を用いる微生物の光による死滅
KR102504132B1 (ko) * 2017-08-21 2023-02-28 삼성디스플레이 주식회사 유기금속 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 및 상기 유기 발광 소자를 포함한 발광 장치
US11020605B2 (en) 2018-05-29 2021-06-01 Carewear Corp. Method and system for irradiating tissue with pulsed blue and red light to reduce muscle fatigue, enhance wound healing and tissue repair, and reduce pain
CN111081890A (zh) * 2019-12-16 2020-04-28 华南理工大学 一种磷光敏化荧光白光有机发光二极管及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1531380A (zh) * 2003-03-13 2004-09-22 ����Sdi��ʽ���� 有机电致发光显示器件

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4769292A (en) * 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
US5703436A (en) * 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US6548956B2 (en) * 1994-12-13 2003-04-15 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5707745A (en) * 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US5844363A (en) * 1997-01-23 1998-12-01 The Trustees Of Princeton Univ. Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices
US5834893A (en) * 1996-12-23 1998-11-10 The Trustees Of Princeton University High efficiency organic light emitting devices with light directing structures
US6303238B1 (en) * 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
US6830828B2 (en) * 1998-09-14 2004-12-14 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
US6097147A (en) * 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
GB9822963D0 (en) * 1998-10-20 1998-12-16 Agner Erik Improvements in or relating to chromatography
US6310360B1 (en) * 1999-07-21 2001-10-30 The Trustees Of Princeton University Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices
US6294398B1 (en) * 1999-11-23 2001-09-25 The Trustees Of Princeton University Method for patterning devices
JP4290858B2 (ja) * 2000-06-12 2009-07-08 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
US6939624B2 (en) * 2000-08-11 2005-09-06 Universal Display Corporation Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence
US6893743B2 (en) * 2000-10-04 2005-05-17 Mitsubishi Chemical Corporation Organic electroluminescent device
JP4039023B2 (ja) * 2000-10-04 2008-01-30 三菱化学株式会社 有機電界発光素子
JP2002184581A (ja) * 2000-12-13 2002-06-28 Sanyo Electric Co Ltd 有機発光素子
JP4035372B2 (ja) * 2001-06-15 2008-01-23 キヤノン株式会社 発光素子
US7071615B2 (en) * 2001-08-20 2006-07-04 Universal Display Corporation Transparent electrodes
US6835469B2 (en) * 2001-10-17 2004-12-28 The University Of Southern California Phosphorescent compounds and devices comprising the same
US20030230980A1 (en) * 2002-06-18 2003-12-18 Forrest Stephen R Very low voltage, high efficiency phosphorescent oled in a p-i-n structure
CN100340630C (zh) * 2002-08-16 2007-10-03 南加利福尼亚大学 有机发光材料和器件
TW556446B (en) * 2002-09-11 2003-10-01 Opto Tech Corp Organic light-emitting device and the manufacturing method thereof
KR100509603B1 (ko) * 2002-12-28 2005-08-22 삼성에스디아이 주식회사 적색 발광 화합물 및 이를 채용한 유기 전계 발광 소자
JP4455211B2 (ja) * 2003-08-29 2010-04-21 キヤノン株式会社 発光素子及び表示装置
US7279232B2 (en) * 2004-01-26 2007-10-09 Universal Display Corporation Electroluminescent stability
JP4546203B2 (ja) * 2004-06-15 2010-09-15 キヤノン株式会社 発光素子
JP4721668B2 (ja) * 2004-07-29 2011-07-13 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
TWI398188B (zh) * 2004-08-31 2013-06-01 Showa Denko Kk A luminous body, and a lighting and display device using the luminous body
JP4110160B2 (ja) * 2004-09-29 2008-07-02 キヤノン株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子、及びディスプレイ装置
US7579773B2 (en) * 2006-06-05 2009-08-25 The Trustees Of Princeton University Organic light-emitting device with a phosphor-sensitized fluorescent emission layer

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1531380A (zh) * 2003-03-13 2004-09-22 ����Sdi��ʽ���� 有机电致发光显示器件

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