CN101385119A - 低噪声半导体光电探测器 - Google Patents

低噪声半导体光电探测器 Download PDF

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Abstract

光电子探测器由基本上被电介质表面包围的半导体材料块体形成。对至少一个表面施加钝化工艺以降低载流子在上述表面上的发生率和复合。光电流被从形成于掺杂区上的至少一个电触点中读出，该掺杂区的表面整个位于钝化表面上。通过下列方法之一降低来自未钝化表面的不期望的漏电流，(a)将未钝化表面从由至少两个结形成的光采集接触器分离；(b)将未钝化表面掺杂到非常高的水平，至少等于半导体状态的导带或价带密度；(c)通过施加电场，在未钝化表面上形成累积或逆温层。对所有的掺杂区形成电接触，并施加偏压使得在所有结两侧保持反向偏压。

Description

低噪声半导体光电探测器
交叉引用相关申请
[0001]该专利申请是由J.Bude等人在2003年6月3日提交的系列号为10/453,037的美国专利申请的部分继续申请，其标题为“具有降低的激活区缺陷和独特接触设计的半导体器件”，该专利进而要求J.Bude等人在2002年12月18日提交的系列号为60/434,359的美国临时申请的优先权。在此引入前述申请10/453,037和60/434,359的每一个，作为参考。
政府利益声明
[0002]美国政府拥有源于NSF Award DMI-0450487的本发明的一定权利。
技术领域
[0003]本发明涉及用于可见和红外光的半导体光电探测器，并且尤其是涉及低噪声半导体光电探测器及其制造方法。
背景技术
[0004]半导体光电探测器广泛用于可见及红外光探测。它们利用内部光电子效应，通过光子吸收在半导体内产生电子-空穴对并推动器件内的电导通，从而导致探测器的触点处的对应电流。上述探测器以单个形式或光谱学的线性阵列或用于成像的二维(2-D)阵列形成。
[0005]为了产生高灵敏度的探测器，需要低噪声。低噪声要求光电二极管内的漏电流的所有源应当最大可能程度地抑制。半导体光电二极管内的漏电流通过各种机制产生，包括表面陷阱处的漏电流、穿过块体陷阱或缺陷的漏电流、位于半导体内的价带和导带之间的量子力学隧道效应、通过热能、冲击电离以及结扩散电流自发的电子-空穴产生。
[0006]可以通过采用中等掺杂水平和低电压降低隧道漏电流。可以通过使用高纯材料以及通过使用避免晶体缺陷诸如堆垛层错、孪晶以及位错的形成的生长技术降低体漏电流。在由间接能带隙材料诸如硅或锗制成的探测器内，自发的电子-空穴产生和冲击电离是可以忽略的。当已经降低了所有上述漏电机制，表面漏和扩散电流成为主要的泄漏机制。
[0007]表面泄漏由半导体和接触它的任何电介质表面之间的界面处的陷阱导致。陷阱通常因在半导体晶格终结时产生的悬空键而引发。两种类型的表面漏电可以通过以下区分：漏电在耗尽区相交于表面的地方产生，以及在半导体连接表面的地方的漏电被掺杂和电荷中和。在两种情况下，无论电子-空穴对什么时候在表面上的陷阱处产生，并且电子和空穴到达不同的结，使电流在外部电路中流动，漏电都将产生。在耗尽表面处的漏电与本征载流子浓度成正比，并因此与温度的相关关系式为(-Eg/2kT)，其中Eg是半导体能带隙。掺杂界面处的漏电按照exp(-Eg/kT)而变化，并通常更低。利用光电效应的半导体光电探测器，诸如P-N光电二极管，不能避免耗尽层横切半导体表面。耗尽层越大，表面泄漏越多。未耗尽表面也将导致漏电流，即使发现某些手段抑制了耗尽表面处的漏电。
[0008]扩散电流是二极管的本征方面，不能被消除，尽管其可以被降低。无论偏压何时被施加到二极管，其都产生。施加的电压干扰了二极管结的边缘处的少数载流子浓度，使其偏离其平衡值。触点处的少数载流子浓度总是等于其平衡值。因此，在结和触点之间存在着少数载流子梯度，从而产生了少数载流子的稳定扩散电流。在反向偏压(光电二极管正常运作的条件)下，少数载流子从触点流向结，在此它们被电场持续地扫除以在结的另一侧成为多数载流子。
[0009]所有的上述漏电流的源与通过入射光产生的光电流相对抗，并因此与信号相对抗，降低了信噪比。
[0010]用硅形成的光电二极管利用了高度优化的硅/二氧化硅表面。具有极低的表面复合速率的上述表面被称为钝化表面。上述光电二极管广泛用于CCD和CMOS成像器。然而，希望的是用除了硅以外的其他材料形成光电二极管，以利用具有波长对硅来说不敏感的光，例如红外光，形成图像。
[0011]锗是一种可以用于形成红外敏感光电二极管的材料。已经报道锗光电二极管具有对于许多应用来说不期望的高的暗电流。已报道的在硅上生长的锗二极管的漏电流密度是1mA/cm2。这大致等于由亮日光产生的光电流，并代表了高水平的漏电。已经报道了形成于块状锗中的漏电低10-100倍的锗二极管，但这仍然不足够用于室内成像或微光条件。为了形成低漏探测器，需要改进的器件和工艺。
发明内容
[0012]根据本发明，低噪声光电探测器包括基本上由电介质材料包围的半导体材料块体。一部分块体表面通过高质量电介质钝化，一部分未钝化。半导体块体包括作为光电探测器运行的p-n结，以使漏电流最小化，p-n结(包括耗尽区)与表面相交的未钝化部分内的半导体表面，并且通过下列的一个或多个使来自未钝化表面的漏电流最小化：1)块体包括表面和光电流收集器之间的电路径中的相反极性的p-n结(n-p和p-n)，2)块体包括与电介质接触的高度掺杂区；3)在薄电介质外掺杂的半导体提供与界面相邻的电荷积累区。
附图说明
[0013]结合附图考虑现在将要描述的说明性的实施例，本发明的本性、优势和各种附加性的特征将更加充分地显现。
[0014]图1a是根据本发明的低噪声光电二极管的第一实施例的横切面图。
[0015]图1b显示了图1a光电二极管的平面图。
[0016]图2a、2b和2c显示了产生图1a和1b的光电二极管的工艺顺序。
[0017]图3a和3b分别显示了低噪声光电二极管的第二实施例的横切面图和平面图。
[0018]图4a、4b和4c显示了产生图3的光电探测器的示例工艺顺序。
[0019]图5a到5e显示了产生图3的探测器的替换性的工艺顺序。
[0020]图6a和6b显示了第三低噪声光电二极管的横切面和平面图。
[0021]图7a到7g显示了产生图6的探测器的工艺顺序。
[0022]图8(现有技术)显示了有助于理解本发明的有利的附加性特征的光电二极管的传统触点示意图。
[0023]以及图9A和9B示出了本发明的不同实施例如何被合并到低噪声光电探测器中的。
[0024]应当理解的是上述附图是用于说明本发明的概念，且不是按比例绘制的。
具体实施方式
[0023]图1a(横切面)和1b(平面图)示出了低噪声半导体光电探测器。半导体块体10基本上被一种或多种电介质材料包围。半导体表面的第一部分被钝化，第二部分未被钝化。此处，具有低表面复合速率的高质量电介质12形成于半导体10的顶表面上，以使顶表面钝化。块体周边被不使外围表面钝化的低质量电介质20所包围。半导体块体10是掺杂的p型。n型区域14形成于块体内，周边被p型层所包围并在n型和p型层之间形成结24。第二p型层16形成于n型层14内，周边被n型层所包围并在内p型和n型层(16，14)之间形成结22。欧姆金属触点30、32和34形成到所有掺杂半导体层(16、14和10)。在触点30上探测光电流，并将其相对触点32加偏压，使得反向偏压存在于结22上。将偏压施加到触点34上，使得在结24两侧存在零或反向偏压。
[0024]p-n结22、24(包括其各自的耗尽区)在各自的横切区22A、24A中与块体10的表面相交。通过使上述横切区保持在半导体表面的钝化部分内，使漏电流最小化。
[0025]然而，在上述实施例中，在内部的未钝化电介质表面40处产生的载流子必须横贯相反极性(p到n以及n到p)的两个结，以到达区域16和触点30。如果载流子是空穴，它将优先停留在p型层10内并在触点34处被收集。如果它是电子，它将进入n型层14内，然后将优先在那停留，并在触点32处被收集。因此，在未钝化表面处产生的两种类型的载流子将被阻止到达光收集触点30。
[0026]为了改善量子效率对结构的进一步优化是对中间掺杂层(在本实例中为n型)进行分级，使得掺杂在阱的中心附近较低，在边缘附近较高。这对产生于n型区内的光载流子来说造成了势垒，使得由n区14光生的空穴将优先在中心“p”触点30处而不是在外围“p”触点34处被收集。如果掺杂由离子注入而产生的话，上述分级的掺杂断面很可能自然地发生，但是可以通过注入能量和剂量的判断选择来增强上述效应。
[0027]尽管已经将器件描述为p-n-p，应当理解的是通过适当的掺杂选择，相应的n-p-n实现同样有效。
[0028]通过图2a、2b和2c示出了产生图1器件的工艺顺序。通过，例如，前面提及的序列号为10/453,037的美国申请中所披露的技术(在此引入，作为参考)，在电介质层20内部的腔内形成半导体块体10。然后，对半导体10的顶表面进行钝化工艺，以产生高质量的电介质层12。上述方法为本领域的技术人员所知。对于硅来说，可以通过在表面生长高质量的氧化硅电介质实现钝化。对于锗来说，利用氮氧化锗可以产生高度钝化的表面，如在参考文献中说明的那样。
[0029]参照图2b，然后将光刻胶50施加到晶片上，在半导体块体上方形成开口。注入N型离子，诸如磷或砷，以形成n型层14。如果想要强烈分级的断面，如上所述，可以使用一系列链锁(chained)注入，将高剂量、高能量和较低剂量、较低能量注入合并起来。然后除去第一层的光刻胶。
[0030]如图2c中所示，然后沉积并构图第二层级光刻胶52，以在n型层14的内部的上方形成空穴。注入P型离子，诸如硼，以形成p型层16。除去第二层级光刻胶。然后，利用为本领域技术人员所熟悉的方法，形成到半导体表面的欧姆触点。
[0031]图3a(横切面)和图3b(平面图)显示了根据本发明的第二光电探测器。半导体块体210是p型掺杂，表面的一部分被以高质量电介质212钝化。N型层242产生于块体内部。在块体210的表面周围，产生了重掺杂的p型层244。掺杂应当至少与材料中的态密度一样高，以抑制电介质/半导体界面240周围的载流子产生。形成到n型层的触点250，光电流被从上述触点读出。形成到p型层的p型触点252，并且施加偏压，使得n型和p型区之间的结被反向偏压。
[0032]通过图4a、4b和4c示出了产生图3器件的工艺顺序。p型掺杂的晶体半导体块体210被电介质材料220包围。然后，对半导体210的暴露的顶表面施加钝化工艺，以产生高质量的电介质层212(钝化可以在注入后进行以节省步骤)。上述方法为本领域的技术人员所知。对于半导体锗来说，可以利用氮氧化锗(如在，例如参考文献中所阐明的那样)产生高度钝化的表面。沉积并构图光刻胶层260以保护大多数半导体区。然后，进行离子注入以在侧面周围产生高水平的p型掺杂244，并去除光刻胶。
[0033]如图4b所示，进行了第二离子注入，对能量进行调整使得注入的峰值靠近掺杂层的底部。通过上述注入的组合，在半导体/电介质界面240周围产生了连续的高水平的掺杂。沉积(图4c)并构图第二层级光刻胶262，以在轻掺杂的块体内部产生空穴。通过离子注入形成n型层242，以产生二极管的阴极。以通常的方式形成到n型和p型层的金属触点。
[0034]图5a-e中示出了上述器件的替代的工艺顺序。在生长半导体填充电介质层220内的腔之前，沉积掺杂有高水平硼的第二电介质层270以涂敷电介质腔的内部(图5a)。如前面那样(图5b)形成半导体块体210。在半导体顶表面上形成高质量的电介质层212(图5c)。在上述或随后的热处理过程中，硼从电介质270的表面扩散出来进入半导体210，从而形成重硼掺杂区244。然后利用光刻胶262对器件进行掩模并构图，在半导体上方留有一个孔，通过该孔将n型掺杂剂注入以形成n型层242(图5d)。以通常的方式产生到n区和p区的触点。
[0035]如果表面掺杂层244宽度不足以允许触点容易地形成，可以利用补充掩模272和离子注入(图5e)以在可以制作触点的顶表面上产生附加的p型掺杂274。
[0036]尽管已经将器件描述为p-n，应当理解的是通过适当的掺杂选择，相应的n-p方案同样是可实施的。
[0037]图6a、6b中示出了低噪声光电探测器的第三实施例。晶体半导体块体310掺杂的p型周边被低质量电介质材料320包围。具有低发生和复合速率的高质量电介质312使半导体块体的顶表面钝化。围绕电介质320的外部的是重掺杂有与半导体块体310的极性相同的多晶硅半导体316。通过适当选择电介质层320的厚度，“空穴”的累积层将在晶体半导体310和电介质层320之间的界面340上形成。N型区域342形成于块体内，周边被p型层包围，并在n型和p型层之间形成结324。P型块体310和n型区域342应当具有足够高的掺杂水平，以不被耗尽可迁移的载流子。形成高度掺杂的p型区域344使得其在界面340处触及累积层。分别形成到掺杂的半导体层342和310的欧姆金属触点350、352。在中心触点350上探测相对于352来说被偏压的光电流，使得反向偏压存在于结324上。
[0038]图7a-g中显示了产生图6的探测器的工艺顺序。制备的电介质腔300被以多晶硅半导体层316涂敷。该层可以像其通过原位掺杂生长的那样被掺杂，或可以随后通过将其暴露于适当的气体或离子注入而进行掺杂。然后，在多晶硅半导体层316上沉积电介质层320(图7b)。选择电介质层320的厚度以允许多晶硅掺杂层的场将空穴吸引到晶体半导体的表面，晶体半导体将在后续形成，并保证电介质针孔失效不危及半导体块体310的外延生长。厚度优选处于5-50nm范围内。然后有利地通过前面提及的序列号为10/453,037的专利中披露的技术形成晶体半导体块体310。在晶体半导体块体310上形成高质量电介质层312(如前所述)(图7d)。沉积并构图抗蚀剂掩模362，以在半导体块体310上方形成孔(图7e)。注入n型离子以形成n型层342。除去抗蚀剂。沉积并构图抗蚀剂掩模364，以形成连接半导体310的外围的孔(图7f)。注入p型离子以形成p型层344。除去抗蚀剂。在图7e中，表面电介质和多晶硅被从场除去。以通常的方式形成到n型和p型掺杂区域的触点。
[0039]尽管已经利用空穴的累积层描述了图6的实施例，也可以通过掺杂与块体310相对的多晶硅层316产生反型层。那么，掺杂区域344也应当是n型的，并且应当在顶表面上形成到p型块体310的分离的触点。
[0040]同样应当理解本发明的范畴也包括与图6相似具有所有极相反的对应的器件。
[0041]可以通过将图3b或图6b与图8的传统光电二极管比较看出此处所描述的光电二极管的进一步的特征。在图3b和6b中，环形掺杂区仅在一点处被接触。这是显而易见的设计决策。在图8中所示的传统的触点示意图中，有许多接触区，其覆盖着光否则可以进入器件的区域的大部分。传统知识教导我们环形区域应当完全被金属接触，以使接触电阻最小化。与通孔形成设计规则相一致，应当使尽可能多的通孔从金属层沉下来到半导体层。相比而言，申请人此处已经认识到每个触点有助于二极管的扩散电流，以及触点的数量实际上应当被最小化。在大多数光电探测器运行的低电流水平下，接触电阻是不重要的。更重要的是限制与信号竞争的暗电流。仿真显示将方形探测器中的触点数量从28降低到4个(每个角一个)，会将扩散电流降低大约10倍。进一步将触点的数量降低到仅1，会导致扩散电流的进一步降低。因此，此处所描述类型的低噪声光电探测器优势在于具有可获得的实际上被触点覆盖的重掺杂区的不大于30％，优选不大于大约25％。
[0042]同样，将结合图1、3和6描述的方案中的2或多个合并到单一器件中是可行的。例如，一个未钝化的表面可以通过图1的方案被中和(neutralize)，其他未钝化的表面通过图3和等等的方案被中和。
[0043]图9a(横切面)和图9b(平面图)示例了上述合并。半导体块体410掺杂的p型在顶表面具有钝化电介质412，在侧面和底部具有未钝化电介质420。通过例如离子注入在垂直方向上形成双结，使得n型层444将器件的上面和低p半部分分隔开来。重n型掺杂446用于降低沿侧壁440的少数载流子密度。它也产生了从n-触点452到埋入式n层444的导通路径446。光电流在触点450上被读取。阱的底部p部分可以从下面被接触。该器件合并双结技术以中和底部，并且合并重掺杂技术以中和侧壁。
[0044]现在可以看出本发明的一方面是包括半导体材料块体的低噪声光电探测器。块体具有基本上被电介质材料包围并包括被钝化的第一部分和未被钝化的第二部分的表面。块体也包括被掺杂了第一类型导电性(p或n)的第一区和被掺杂了第二导电性(n或p)的第二区，这两个区形成了第一p-n结。
[0045]第一p-n结在位于块体表面的被钝化部分内的横切区内与块体的表面相交，并且通过下列一个或多个使器件适应以使来自块体表面的未钝化的第二部分的漏电流最小化：
[0046]1)块体包括第三掺杂区以在未钝化表面(或其部分)和第一区之间的路径上形成第二p-n结，第二p-n结具有与第一结相反的极性，
[0047]2)与未钝化表面部分相邻的半导体块体的区域是高度掺杂的，以抑制未钝化表面处的载流子的生成，以及
[0048]3)高度掺杂的半导体位于与半导体表面的未钝化部分相邻的电介质周围并与之接触，以在未钝化表面形成累积层或反型层。
[0049]尽管上述包括许多具体的实例，上述不应当被理解成对本发明范畴的限制，而是几个优选实施例的实例。因此，不应当通过所说明的实施例，而应当通过追加的权利要求及其合法的等效物决定本发明的范畴。

Claims (21)

1.一种低噪声光电探测器，包括:
具有基本上被电介质材料包围的表面的半导体材料块体，
该表面包括被钝化的第一部分和未被钝化的第二部分，
该块体包括掺杂了第一类型导电性(p或n)的第一区、周边地围绕第一区且被掺杂了第二导电性(n或p)并与第一区形成第一p-n结的第二区、以及掺杂了第一类型导电性(p或n)且周边地围绕第二区并与第二区形成第二p-n结的第三区；
所述第一和第二p-n结与位于被钝化表面的第一部分内的横切区中的块体的表面相交，
到第一区、第二区和第三区的各自的欧姆触点，用于收集光生电流并对第一和第二p-n结施加偏压，由此在半导体表面的未钝化部分处产生的载流子被阻止通过相反极性的结到达第一区。
2.权利要求1的光电探测器，其中半导体块体的第一区被掺杂成p型导电性，第二区被掺杂成n型导电性以及第三区被掺杂以p型导电性。
3.权利要求1的光电探测器，其中半导体块体的第一区被掺杂成n型导电性，第二区被掺杂成p型导电性以及第三区被掺杂以n型导电性。
4.权利要求1的光电探测器，其中半导体材料块体包括基本上用钝化电介质覆盖的表面部分并且对钝化表面形成到第一、第二和第三区的触点。
5.权利要求1的光电探测器，其中第二区的掺杂被分级使得在第二区中产生的光生载流子将优先被到第一区的触点收集。
6.权利要求1的光电探测器，其中所述触点覆盖少于30％的重掺杂接触区的暴露区域。
7.制造权利要求1的光电探测器的方法，包括以下步骤:
提供具有腔的电介质层；
在腔内形成具有第一类型导电性的半导体块体；
以电介质层对半导体块体的暴露表面进行钝化；
对半导体块体内的第二区进行注入掺杂；
对第二区内的第一区进行注入掺杂；以及
形成金属触点。
8.一种低噪声光电探测器，包括:
具有基本上被电介质材料环绕的表面的半导体材料主体，
该表面包括被钝化的第一部分和未被钝化的第二部分；
该块体包括掺杂了第一类型导电性(p或n)的第一区、周边地围绕第一区且被掺杂了第二导电性(n或p)并与第一区形成第一p-n结的第二区、以及掺杂了第一类型导电性(p或n)且周边地围绕第二区并与第二区形成第二p-n结的第三区；
第一p-n结，与位于被钝化的块体表面的第一部分内的横切区中的块体的表面相交；
该第三区被高度掺杂成第二类型导电性以抑制在未钝化表面处的载流子发生；以及
到第一区、第二区和第三区的各自的欧姆触点。
9.制造权利要求8的光电探测器的方法，包括以下步骤:
提供具有腔的电介质层；
以掺杂剂涂敷腔；
在掺杂剂涂敷的腔内形成具有第一类型的导电性的半导体块体；
以电介质层对半导体块体的暴露表面进行钝化；
离子注入第一区；以及
形成金属触点。
10.制造权利要求8的光电探测器的方法，包括以下步骤:
提供基本上被电介质周边地包围的半导体块体；
在半导体块体的顶表面上形成钝化电介质层；
通过离子注入形成第一、第二和第三区；以及
形成对外部和内部区域的各自的金属触点。
11.制造权利要求8的光电探测器的方法，包括以下步骤:
提供包括用于外部区的掺杂剂的电介质材料的腔；
在腔内形成半导体材料块体，从而掺杂外部区；
在半导体块体的顶表面上形成钝化的电介质层；
通过离子注入形成第一区；以及
形成到外部和内部区域的各自的金属触点。
12.一种低噪声光电探测器，包括:
具有基本上被电介质材料环绕的表面的半导体材料主体，
该表面包括被钝化的第一部分和未被钝化的第二部分；
该块体包括掺杂了第一类型导电性(p或n)的第一区、周边地围绕第一区且被掺杂了第二导电性(n或p)并与第一区形成第一p-n结的第二区；
p-n结，与位于被钝化的块体的表面的第一部分内的块体的表面相交；
到第一区、第二区和第三区的各自的欧姆触点；以及
与未被钝化的半导体表面的第二部分周围的电介质接触的高度掺杂的半导体材料，其中半导体内掺杂剂的浓度和电介质的厚度促进累积层或反型层在电介质与半导体表面的第二部分的界面处形成。
13.权利要求12的光电探测器，其中第一类型导电性是p型，第二类型导电性是n型。
14.权利要求12的光电探测器，其中第一类型导电性是n型，第二类型导电性是p型。
15.权利要求12的光电探测器，其中半导体材料块体包括基本上被覆盖以钝化电介质的表面，并且对所述表面形成到内部和边界区域的触点。
16.权利要求12的光电探测器，其中边界区域接触累积或反型层。
17.权利要求12的光电探测器，其中半导体包括多晶硅或锗。
18.制造权利要求12的光电探测器的方法，包括以下步骤:
提供具有腔的第一电介质层；
以被掺杂的多晶半导体层涂敷腔；
在掺杂的多晶半导体层上沉积第二电介质层，第二电介质层的厚度被选择为允许累积层或反型层的形成；
在涂敷的腔内形成半导体块体；
在半导体块体的顶表面上形成钝化电介质层；
通过离子注入形成内部区和边界区；以及
形成到内部和边界区的各自的金属触点。
19.一种低噪声光电探测器，包括:
半导体块体，该块体包括掺杂成第一类型导电性(p或n)的外部区、掺杂成第二类型导电性(n或p)的内部区、以及高度掺杂成第一类型导电性且与外部区接触的接触区；
该块体进一步包括形成于外部区和内部区之间的p-n结；以及
到接触区和内部区的各自的金属触点；
其中不超过30％并且优选不超过25％的高度掺杂区的暴露区域被金属触点所覆盖。
20.一种低噪声光电探测器，包括具有基本上被电介质材料围绕的表面的半导体材料块体，并包括被钝化的第一部分和未被钝化的第二部分；
该块体包括掺杂成第一类型导电性(p或n)的第一区和被掺杂成第二导电性(n或p)的第二区，这两个区形成第一p-n结；
第一p-n结与位于被钝化的块体表面的第一部分内的横切区中的块体的表面相交；并且
该器件适合于通过下列一个或多个而使来自块体表面的未钝化的第二部分的漏电流最小化:
1)该块体包括第三掺杂区以在未钝化表面或其一部分和第一区之间的路径中形成第二p-n结，第二p-n结具有与第一结相反的极性，
2)与未钝化表面部分相邻的半导体块体的区域或者它的一部分被高度掺杂以抑制未钝化表面处的载流子的生成，以及
3)高度掺杂的半导体被设置为与半导体表面的未钝化部分相邻的电介质接触，以在未钝化表面上形成累积层或反型层。
21.一种低噪声光电探测器，包括:
周边被电介质材料围绕的半导体块体；
该半导体块体包括高度掺杂成第一类型导电性(p或n)的外边界区、掺杂成第二导电性(n或p)的中间区、掺杂成第二导电性的下部区、被掺杂成第一类型导电性且从下部区分割中间区并与外边界区接触的区域；高度掺杂成第二导电性的内部区；
该块体进一步包括位于中间区和外边界区之间的p-n结和位于底层区和下部区之间的p-n结，
在中间区和外边界区之间的结仅与被钝化的表面相交。
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
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C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20090311