DE102012216814A1 - Infrarot-Fotosensor - Google Patents

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Abstract

Eine Thermodiode für einen Fotosensor einer Thermokamera umfasst ein Halbleitersubstrat mit einer Oberfläche und zwei dotierte, voneinander beabstandete Strukturen an der Oberfläche. Ferner ist eine Einrichtung zur Beeinflussung eines Stroms zwischen der ersten und der zweiten Struktur vorgesehen, um eine Stromdichte in einem oberflächennahen Bereich zu verringern und in einem oberflächenfernen Bereich zu erhöhen. Ferner ist eine Topologie mit einer ebenen Absorptionsschicht vorgeschlagen. Die vorgeschlagenen Maßnahmen haben zum Ziel, eine rauscharme Diode für Thermoanwendungen zu realisieren.

Description

  • Die Erfindung betrifft einen Fotosensor für eine Thermokamera. Insbesondere betrifft die Erfindung eine thermisch empfindliche Diode für den Fotosensor.
  • Eine Thermografiekamera zur ortsaufgelösten Temperaturmessung verwendet eine thermisch empfindliche Sensoranordnung, bei der eine Wärme-Eigenstrahlung eines Objekts mittels einer für Infrarotstrahlung durchlässigen Linse auf eine Anordnung von thermisch empfindlichen Sensorelementen abgebildet wird. Langwellige Infrarotstrahlung (LWIR) beispielsweise umfasst Wellenlängen im Bereich von ca. 8 bis 14 µm. Durch die Infrarotstrahlung erwärmen sich die Sensorelemente um Beträge in der Größenordnung von wenigen mK. Eine ungekühlte Sensoranordnung für Wärmeeigenstrahlung kann kostengünstig auf der Basis von thermisch empfindlichen Dioden aus Silizium-PN-Übergängen realisiert werden. Die durch die Infrarotstrahlung bewirkte Erwärmung des Sensorelements führt zu einer Änderung der Strom-Spannungs-Kennlinie eines Sensorelements, welche durch eine möglichst rauscharme Elektronik ausgewertet werden kann.
  • Für die praktische Anwendbarkeit eines solchen Sensorelements sind weitere Randbedingungen einzuhalten. Um einen ungewünschten Wärmeabfluss von dem Sensorelement zu minimieren, kann das Sensorelement beispielsweise auf mikromechanische Weise freigestellt werden. Dadurch können eine Erwärmung des Sensorelements und damit das Signal erhöht werden, sodass ein hohes Signal-Rausch-Verhältnis erzielt werden kann. Die thermische Auflösung des Sensors kann dadurch gesteigert werden. Ferner müssen die einzelnen Sensorelemente eine größere Ausdehnung als die verwendete Wellenlänge von ca. 8 µm aufweisen, üblich sind Oberflächen von ca. 12 µm2. Außerdem sollte jedes Sensorelement eine geeignete Absorptionsschicht besitzen, um eine möglichst gute Absorption der aufzunehmenden Infrarotstrahlung zu gewährleisten. Hierzu kann beispielsweise Siliziumdioxid verwendet werden. Zusätzlich sollte eine ausreichende mechanische Stabilität des Sensorelements gegenüber Erschütterungen angestrebt werden. Bei der Konstruktion eines rauscharmen Sensorelements für den Fotosensor einer Thermokamera ist die Beachtung dieser Randbedingungen essenziell, sodass übliche Methoden zur Verbesserung eines Signal-Rausch-Verhältnisses des Sensorelements unter Umständen nicht anwendbar sind.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Thermodiode für einen Fotosensor einer Thermokamera anzugeben, wobei die Thermodiode ein möglichst geringes Rauschen zeigt. Eine weitere Aufgabe der Erfindung liegt in der Angabe eines korrespondierenden Fotosensors. Die Erfindung löst diese Aufgaben mittels einer Thermodiode und eines Fotosensors mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche. Unteransprüche geben bevorzugte Ausführungsformen wieder.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Eine erfindungsgemäße Thermodiode für einen Fotosensor einer Thermokamera umfasst ein Halbleitersubstrat mit einer Oberfläche und zwei dotierte, voneinander beabstandete Strukturen an der Oberfläche. Ferner ist eine Einrichtung zur Beeinflussung eines Stroms zwischen der ersten und der zweiten Struktur vorgesehen, um eine Stromdichte in einem oberflächennahen Bereich zu verringern und in einem oberflächenfernen Bereich zu erhöhen.
  • Zur Durchführung einer Messung kann die Thermodiode von einem externen Strom durchflossen oder an eine externe Spannung angelegt werden. Eintreffende Infrarotstrahlung verändert die Spannungs-Strom-Kennlinie (U/I-Kennlinie), so dass auf der Basis der Veränderung auf die Strahlung geschlossen werden kann.
  • Das Rauschen der Thermodiode umfasst üblicherweise thermisches Rauschen, Schrotrauschen und 1/f-Rauschen. Das 1/f-Rauschen der Thermodiode wird insbesondere hervorgerufen durch Strukturdefekte innerhalb des Halbleitermaterials bzw. an einer Grenzfläche des Halbleitermaterials der Thermodiode. Solche Defekte ("traps") können Ladungsträger einfangen, wobei die Verweildauer von eingefangenen Ladungsträgern höchst unterschiedlich sein kann. Das Ein- bzw. Austreten eines Ladungsträgers aus einem solchen Defekt verändert den durch die Thermodiode fließenden Strom und erzeugt so ein Stromrauschen. Durch eine große Anzahl von Defekten mit unterschiedlichen Zuständen addieren sich die Spektren der Einflüsse aller Defekte zu einem gesamten Spektrum, das eine 1/f-Charakteristik zeigt. Die Amplitude des 1/f-Rauschens nimmt mit steigender Frequenz ab, wobei sich die Rauschleistungsdichte üblicherweise bei Verdoppelung der Frequenz halbiert.
  • Da die beschriebenen Defekte insbesondere im Bereich der Oberfläche eines Halbleitersubstrats auftreten, kann insbesondere das 1/f-Rauschen reduziert werden, indem der durch die Thermodiode fließende Strom von der Oberfläche weg in tiefere Schichten des Halbleitersubstrats gelenkt wird. Dadurch kann das Signal-Rausch-Verhältnis der Thermodiode verbessert sein, wodurch eine vergrößerte thermische Auflösung der Thermodiode bzw. eines Fotosensors mit einer Vielzahl solcher Thermodioden erreicht werden kann.
  • In einer ersten Variante umfasst die Einrichtung noch eine dritte dotierte Struktur, die zwischen der ersten und der zweiten dotierten Struktur an der Oberfläche angeordnet ist. Bevorzugterweise ist die dritte dotierte Struktur mit keinem weiteren elektrischen Potenzial verbunden und führt insbesondere nicht zu einer elektrischen Kontaktierung, die außerhalb der Thermodiode mit einem elektrischen oder elektronischen Element verbunden werden kann. Eine solche Struktur wird auch als potentialfrei oder "floating" bezeichnet. Die dritte dotierte Struktur bildet einen PN-Übergang mit dem umgebenden Halbleitersubstrat, sodass im Bereich des PN-Übergangs ein elektrisches Feld ausgebildet wird. Dieses Feld kann bewirken, dass ein durch das Halbleitersubstrat fließender Strom in diesem Bereich verringert ist. Der Stromfluss zwischen der ersten und der zweiten dotierten Struktur kann dadurch in eine tiefer liegende Schicht des Halbleitersubstrats umgelenkt werden.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform erstreckt sich die dritte Struktur wenigstens 100 nm unter die Oberfläche des Halbleitersubstrats. Dadurch kann eine ausreichende Umlenkung des Stroms in tiefere Schichten des Halbleitersubstrats realisiert werden.
  • Die Thermodiode kann kreisförmig aufgebaut sein, wobei die zweite Struktur die erste Struktur in einem konstanten Abstand umschließt. Dabei kann die dritte Struktur zwischen den ersten beiden Strukturen konzentrisch angeordnet sein, sodass die zweite und die dritte Struktur die erste Struktur konzentrisch umschließen. Durch den kreisförmigen Aufbau der Thermodiode kann die Oberfläche des Halbleitersubstrats verbessert ausgenutzt werden. Dabei kann die kreisförmige dritte Struktur effizient zur Umlenkung des Stroms zwischen der ersten und der zweiten Struktur in tiefere Halbleiterschichten unterstützen.
  • In einer anderen Variante, die mit der vorgenannten Variante kombinierbar ist, umfasst die Einrichtung einen dotierten Sockel unter der ersten oder der zweiten Struktur, wobei sich die Dotierung wenigstens 1 µm unter die Oberfläche des Halbleitersubstrats erstreckt. Während übliche dotierte Strukturen an der Oberfläche des Halbleitersubstrats eine Dicke von einigen 10 bis maximal 100 nm aufweisen, kann durch die Ausbildung einer Tiefenstruktur von 1 µm und mehr der Stromfluss in tieferen Schichten des Halbleitersubstrats begünstigt werden. Dabei kann der Diodenstrom auf eine vergrößerte Querschnittsfläche zwischen dem Sockel und dem Halbleitersubstrat verteilt werden. Ein Anteil des Stroms, der in einer oberflächennahen Schicht des Halbleitersubstrats fließt, kann dadurch zugunsten eines in tieferen Schichten fließenden Stroms verringert werden. In einer bevorzugten Ausführungsform kann sich der Sockel auch in eine größere Tiefe erstrecken, beispielsweise ca. 3 bis 5 µm.
  • In einer ersten Ausführungsform ist der Sockel einstückig mit der ersten bzw. zweiten Struktur ausgebildet. Anders ausgedrückt, reicht die erste bzw. zweite dotierte Struktur bis in die angegebene Tiefe des Halbleitersubstrats.
  • In einer anderen Ausführungsform kann der Sockel unterschiedlich zur ersten bzw. zweiten Struktur dotiert sein. Dies erlaubt die Verwendung eines dotierten Halbleitersubstrats bzw. einer Schicht dotierten Halbleitersubstrats auf dem undotierten Halbleitersubstrat. Außerdem kann der Sockel separat von der ersten bzw. zweiten dotierten Struktur herstellbar sein, wodurch ein Herstellungsprozess erleichtert sein kann.
  • Es kann eine Absorptionsschicht zur Abdeckung der Strukturen und des zwischen ihnen liegenden Bereichs an der Oberfläche des Halbleitersubstrats vorgesehen sein, wobei die Absorptionsschicht eine prozessbedingt modulierte Dicke, insbesondere eine gleichmäßige Dicke, aufweist. Die Absorptionsschicht kann beispielsweise Siliziumdioxid umfassen, um eine Absorption der zu detektierenden Infrarotstrahlung zu verbessern. Durch die Ausbildung der Absorptionsschicht in einer einheitlichen Dicke kann die Dichte von Defekten an der Grenzfläche zwischen der Absorptionsschicht und einer benachbarten Schicht verringert sein. Außerdem können unterschiedliche Strompfade gleichmäßigere Längen aufweisen, das heißt, eine Varianz der Längen aller Strompfade kann verringert sein. Das 1/f-Rauschen kann dadurch insgesamt verringert sein.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform kann eine Oberfläche der Absorptionsschicht eben sein. Ferner kann die Schichtdicke der Absorptionsschicht 50 nm nicht übersteigen. In einer bevorzugten Ausführungsform kann die Absorptionsschicht eine Schichtdicke von nicht mehr als 20 nm erreichen. Durch eine verringerte Schichtdicke kann sich eine reduzierte Störstellendichte ergeben, wodurch das 1/f-Rauschen insgesamt verringert sein kann.
  • Die Thermodiode ist bevorzugterweise zur Bereitstellung einer durch elektromagnetische Strahlung im Infrarotbereich beeinflussten Strom-Spannungs-Kennlinie zwischen der ersten und der zweiten Struktur eingerichtet. Insbesondere können der mittlere oder nahe Infrarotbereich abgedeckt sein. In einer Ausführungsform wird mittlere Infrarotstrahlung in einem Bereich von ca. 8 bis 14 µm Wellenlänge ausgewertet.
  • Ein erfindungsgemäßer Fotosensor für eine Thermokamera, insbesondere im Infrarotbereich, umfasst wenigstens eine Thermodiode des oben beschriebenen Typs.
  • Kurze Beschreibung der Figuren
  • Die Erfindung wird nun mit Bezug auf die beigefügten Figuren genauer beschrieben, in denen:
  • 1 eine Thermodiode auf einem Halbleitersubstrat;
  • 2 eine Thermodiode mit einem Feldring;
  • 3 eine Thermodiode mit Sockel;
  • 4 eine Thermodiode mit Sockel und einem tiefen Feldring, und
  • 5 einen Fotosensor mit Thermodioden nach einer der 1 bis 4 darstellt.
  • Genaue Beschreibung von Ausführungsbeispielen
  • 1 zeigt eine Thermodiode 100. In 1A ist eine Draufsicht und in 1B eine seitliche Ansicht der Thermodiode 100 dargestellt. In der dargestellten, bevorzugten Ausführungsform ist ein konzentrischer, insbesondere kreisförmig konzentrischer Aufbau gewählt. In anderen Ausführungsformen können auch andere konzentrische oder lineare Aufbauten verwendet werden.
  • Ein Substrat 105 von Halbleitermaterial, beispielsweise Silizium (Si), weist eine Oberfläche 110 auf, auf der eine erste dotierte Struktur 115 und eine zweite dotierte Struktur 120 angeordnet sind. Dabei können die Strukturen 115 und 120 an der Oberfläche 110 in das Substrat 105 eingebettet sein, wie in 1B dargestellt ist. Bevorzugterweise sind die Strukturen 115 und 120 sowie der zwischen ihnen liegende Bereich der Oberfläche 110 des Substrats 105 mit einer Absorptionsschicht 125 nach oben abgedeckt. Die Absorptionsschicht 125 kann beispielsweise aus Siliziumdioxid (SiO2) gebildet sein.
  • Die Strukturen 115 und 120 sind mit unterschiedlicher Polarität dotiert, beispielsweise kann die erste Struktur 115 N-dotiert sein, während die zweite Struktur 120 P-dotiert ist. Eine umgekehrte Dotierung ist ebenfalls möglich. Dadurch ergibt sich zwischen den Strukturen 115 und 120 eine Diode. In der dargestellten, konzentrischen Aufbauweise ist die Diode zwischen der äußeren Struktur 120 und der inneren Struktur 115 gebildet, weshalb aus Symmetriegründen in 1B zwei Dioden symbolisch eingezeichnet sind. Funktional handelt es sich dabei jedoch nur um eine einzige Diode.
  • Fällt elektromagnetische Strahlung, insbesondere im Infrarotbereich, auf die Anordnung, so wird dadurch eine Änderung der U/I-Kennlinie zwischen den Strukturen 115 und 120 bewirkt. Bei gegebenem Strom ist die Spannungsänderung abhängig von der Intensität der elektromagnetischen Strahlung, sodass auf der Basis der Spannungsänderung die Strahlung bestimmt werden kann. die Spannungsänderung wird üblicherweise mittels eines geeigneten Messverstärkers, der mit den Bereichen 115 und 120 verbunden ist, verstärkt und ausgewertet. Ein Fotosensor für eine Thermokamera kann durch eine Vielzahl nebeneinander liegender Thermodioden 100 gebildet werden.
  • Um ein 1/f-Rauschen der Thermodiode 100 zu verringern, ist es vorgesehen, die Absorptionsschicht 125 möglichst dünn auszubilden. In einer Ausführungsform kann die Dicke der Absorptionsschicht 125 nicht mehr als ca. 50 nm oder bevorzugt ca. 20 nm dick sein. Ferner ist es bevorzugt, dass die obere Oberfläche der Absorptionsschicht 125 eben ist. Dabei kann die Absorptionsschicht 125 bevorzugterweise eine einheitliche Dicke aufweisen. Durch die beschriebene Ausbildung der Absorptionsschicht 125 kann die Defektdichte im Bereich der Grenzfläche zwischen der Absorptionsschicht 125 und den angrenzenden Schichten 105, 115 und 120 verringert sein.
  • 2 zeigt eine Thermodiode 100 in einer weiteren Ausführungsform. In Anlehnung an die Darstellung von 1B ist eine Thermodiode 100 dargestellt, die zusätzlich eine potentialfreie dritte Struktur 130 aufweist, die zwischen der ersten Struktur 115 und der zweiten Struktur 120 angeordnet ist. In der dargestellten, konzentrischen Ausführungsform umschließt die dritte Struktur 130 wie die zweite Struktur 120 die erste Struktur 115, sodass die dritte dotierte Struktur 130 als Feldring bezeichnet werden kann. Wie die erste Struktur 115 und die zweite Struktur 120 ist die dritte Struktur 130 durch ein dotiertes Halbleitermaterial gebildet, wobei in bevorzugter Weise die Dotierung der äußeren, zweiten Struktur 120 übernommen wird. Es kann jedoch auch eine andere Dotierung verwendet werden.
  • Die dritte Struktur 130 ist, im Unterschied zu den Strukturen 115 und 120, nicht dazu eingerichtet, mit einem weiteren elektrischen oder elektronischen Element verbunden zu werden. Insbesondere ist keine Metall- oder sonstige Kontaktierungsfläche zur Verbindung der dritten Struktur 130 vorgesehen. Zwischen der dritten dotierten Struktur 130 und dem umgebenden Material, hier dem Substrat 105, bildet sich ein PN-Übergang, an welchem sich bei Stromfluss zwischen den Strukturen 115 und 120 ein elektrisches Feld aufbauen kann, welches einen Stromfluss nahe an der dritten Struktur 130 behindert. Eine Dichte des fließenden Stroms nahe der Oberfläche 110 des Substrats 105 wird dadurch verringert, während die Stromdichte in tieferen Schichten des Substrats 105 erhöht wird. In den tieferen Schichten ist mit einer geringeren Anzahl Defektstellen zu rechnen, weshalb durch die Ablenkung des Stroms in tiefere Schichten des Substrats 105 das 1/f-Rauschen der Thermodiode 100 verringert werden kann.
  • 3 zeigt eine Thermodiode 100 in einer weiteren Ausführungsform. Entsprechend der Darstellung der 1B und 2 ist eine Variante dargestellt, bei der unterhalb der zweiten dotierten Struktur 120 ein Sockel 140 angeordnet ist. In einer anderen Ausführungsform kann der Sockel 140 auch unterhalb der ersten dotierten Struktur 115 angeordnet sein.
  • Der Sockel 140 setzt die zweite dotierte Struktur 120 nach unten in Richtung tieferer Schichten des Substrats 105 fort. In einer Ausführungsform kann der Sockel 140 einstückig mit der zweiten Struktur 120 ausgebildet sein. Anders ausgedrückt kann die zweite dotierte Struktur 120 bis in größere Tiefen des Substrats 105 reichen. Diese Tiefe ist in einer bevorzugten Ausführungsform 100 bis mehrere 100 nm groß und kann 1 µm oder mehr unter der Oberfläche 110 erreichen.
  • In der dargestellten Ausführungsform ist der Sockel 140 aus einem Halbleitermaterial gefertigt, welches anders als die zweite Struktur 120 dotiert ist. Außerdem ist der Sockel 140 in ein dotiertes Substrat 145 eingebettet, welches den oberen Abschnitt des Substrats 105 bildet. In der dargestellten, exemplarischen Ausführungsform ist die erste Struktur 115 N+-dotiert, die zweite Struktur 120 P+, der Sockel 140 Pwell und das dotierte Substrat 145 Nwell. Andere Ausführungsformen, insbesondere mit an allen Elementen invertierter Polarität, sind ebenfalls möglich. Durch den Sockel 140 wird eine Oberfläche vergrößert, an der Kontakt zum umgebenden Substrat 105 bzw. dotierten Substrat 145 besteht. Der Diodenstrom zwischen der ersten Struktur 115 und der zweiten Struktur 120 kann dadurch auf eine größere Querschnittsfläche verteilt werden, wodurch die Stromdichte absolut verringert werden kann. Insgesamt kann durch die gezeigte Anordnung ein vergrößerter Anteil des Diodenstroms in tieferen Schichten des Substrats 105 bzw. des dotierten Substrats 145 fließen, wo weniger Defekte den Stromfluss behindern können.
  • 4 zeigt eine Thermodiode 100 in noch einer weiteren Ausführungsform basiert auf der in 2 dargestellten Ausführungsform, wobei ohne Beschränkung der Allgemeinheit der Sockel 140 und das dotierte Substrat 145 der in 3 gezeigten Ausführungsform ebenfalls dargestellt sind. Die im Rahmen dieser Erfindung vorgestellten Merkmale der unterschiedlichen Ausführungsformen können beliebig miteinander kombiniert werden, um eine möglichst rauscharme Thermodiode 100 bereitzustellen.
  • In der dargestellten Ausführungsform ist die dritte dotierte Struktur 130 besonders tief ausgeführt, vorzugsweise 100 bis mehrere 100 nm. In einer Ausführungsform kann die dritte Struktur eine Dicke von 1 µm oder auch mehr erreichen. Durch die gezeigte, besonders tiefe Ausbildung der dritten Struktur 130 kann der Effekt der Umleitung des Diodenstroms in tiefere Bereiche des Substrats 105 bzw. des dotierten Substrats 145 weiter gefördert werden. In Kombination mit dem gezeigten Sockel 140 kann diese Umleitung auf besonders effiziente Weise gelingen, sodass die Thermodiode 100 einen besonders kleinen 1/f-Rauschanteil und damit ein verringertes Rauschen aufweisen kann.
  • 5 zeigt einen Fotosensor 150 mit Thermodioden 100. Die Thermodioden 100 sind bevorzugt auf die oben beschriebene Weise konzentrisch und rund ausgeführt. In der dargestellten Ausführungsform umfassen die Thermodioden 100 jeweils einen Feldring in Form der dritten dotierten Struktur 130, es kann jedoch auch eine andere der beschriebenen Ausführungsformen bzw. eine Kombination der beschriebenen Ausführungsformen verwendet werden. Die Thermodioden 100 sind auf einem gemeinsamen Substrat 105 angeordnet, wobei die Thermodioden 100 auch einzeln oder in Gruppen mikromechanisch vom Substrat 105 freigestellt sein können.
  • Bevorzugterweise ist die Kantenlänge von Thermodioden 100, die einem Bildelement (picture element, „pixel“) des Fotosensors 150 zugeordnet sind, wenigstens so groß wie die Wellenlänge des zu detektierenden Infrarotlichts. Im mittleren Infrarotbereich (MWIR) kann die Kantenlänge ca. 3–5 µm und im langwelligen Infrarotbereich (LWIR) ca. 8–14 µm betragen. Dabei können einem Bildelement eine oder mehrere Thermodioden 100 zugeordnet sein.
  • Der Fotosensor 150 kann zur Bildgebung von elektromagnetischer Strahlung, insbesondere Infrarotstrahlung, verwendet werden. Mittels des Fotosensors 150 kann auf einfache Weise und unter Hinzunahme von nur wenigen weiteren Komponenten eine Thermokamera 155 bereitgestellt werden.

Claims (12)

  1. Thermodiode (100) für einen Fotosensor (150) einer Thermokamera (155), umfassend: – ein Halbleitersubstrat (105) mit einer Oberfläche (110); – eine erste dotierte Struktur (115) an der Oberfläche (110); – eine zweite dotierte Struktur (120) an der Oberfläche (110), – wobei die ersten beiden Strukturen (115, 120) an der Oberfläche (110) voneinander beabstandet sind, gekennzeichnet durch – eine Einrichtung (130, 140) zur Beeinflussung eines Stroms zwischen der ersten (115) und der zweiten Struktur (120) derart, dass eine Stromdichte in einem oberflächennahen Bereich verringert und in einem oberflächenfernen Bereich erhöht ist.
  2. Thermodiode (100) nach Anspruch 1, wobei die Einrichtung eine dritte dotierte Struktur (130) umfasst, die zwischen der ersten (115) und der zweiten dotierten Struktur (120) an der Oberfläche (110) angeordnet ist.
  3. Thermodiode (100) nach Anspruch 2, wobei sich die dritte Struktur (130) wenigstens 100 nm unter die Oberfläche (110) des Halbleitersubstrats (105) erstreckt.
  4. Thermodiode (100) nach einem der Ansprüche 2 oder 3, wobei die zweite (120) und die dritte Struktur (130) die erste Struktur (115) konzentrisch umschließen.
  5. Thermodiode (100) nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Einrichtung einen dotierten Sockel (140) unter der ersten (115) oder zweiten Struktur (120) umfasst, wobei sich die Dotierung (140) wenigstens 1 µm unter die Oberfläche (110) des Halbleitersubstrats (105) erstreckt.
  6. Thermodiode (100) nach Anspruch 4, wobei der Sockel (140) einstückig mit der ersten (115) bzw. zweiten Struktur (120) ausgebildet ist.
  7. Thermodiode (100) nach Anspruch 4, wobei der Sockel (140) unterschiedlich zur ersten (115) bzw. zweiten Struktur (120) dotiert ist.
  8. Thermodiode (100) nach einem der vorangehenden Ansprüche, ferner umfassend eine Absorptionsschicht (125) zur Abdeckung der Strukturen (115, 120, 130) und des zwischen ihnen liegenden Bereichs der Oberfläche (110) des Halbleitersubstrats (105), wobei die Absorptionsschicht (125) einheitliche Dicke aufweist.
  9. Thermodiode (100) nach Anspruch 8, wobei eine Oberfläche (110) der Absorptionsschicht (125) eben ist.
  10. Thermodiode (100) nach Anspruch 8 oder 9, wobei die Schichtdicke der Absorptionsschicht (125) 50 nm nicht übersteigt.
  11. Thermodiode (100) nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Thermodiode (100) zur Bereitstellung einer durch elektromagnetische Strahlung im Infrarotbereich beeinflussten Strom-Spannungs-Kennlinie zwischen der ersten (115) und der zweiten Struktur (120) eingerichtet ist.
  12. Fotosensor (150) für eine Thermokamera (155), wobei der Fotosensor (150) wenigstens eine Thermodiode (100) nach einem der vorangehenden Ansprüche umfasst.
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