WO2009023881A1 - Vorrichtung zum umwandeln infraroter strahlung in elektrischen strom - Google Patents
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Definitions
- the invention relates to a device for converting infrared radiation into electrical current with a photodiode, which has two each connected to an electrode semiconductor layers with a heterojunction, one of which consists of a doped inorganic semiconductor.
- Photodiodes for converting infrared radiation into electrical current are known in various embodiments.
- indium gallium arsenide detectors are characterized by a relatively high sensitivity in the infrared range, while platinum silicide detectors are particularly suitable for the local resolution of infrared radiation in a two-dimensional array, as required for infrared cameras.
- the disadvantage of indium gallium arsenide detectors is the space requirement and the low sensitivity of platinum silicide detectors.
- the invention is therefore based on the object, a device of the type described for converting infrared radiation into electrical current in such a way that the requirements both in terms of space-saving the two-dimensional arrangement as well as in terms of high sensitivity can be advantageously linked together.
- the invention achieves the stated object in that the inorganic semiconductor layer forms the heterojunction with an organic semiconductor layer and that a cooling device is associated with the two semiconductor layers.
- the inorganic semiconductor layer consists of a p-doped silicon layer, which is preferably based on an organic semiconductor layer of a fullerene forms a hetero-transition.
- the fullerene derivative for example a soluble PCBM, is used as the organic semiconductor in this connection, the fullerene derivative can be applied as a thin film to a p-doped silicon substrate in a low-cost manner in a rotary coating.
- thermodiode For cooling the photodiode according to the invention, different measures can be taken. If direct cooling is to be provided, then the use of Peltier elements is recommended.
- Fig. 1 shows a device according to the invention for converting infrared radiation into electricity in a schematic section
- the device for converting infrared radiation into electrical current has a photodiode which comprises an inorganic semiconductor layer 1 and an organic semiconductor layer 1, which is applied to this semiconductor layer 1 to form a heterojunction.
- Layer 2 is composed, wherein the semiconductor layers 1 and 2 are each connected to an electrode 3.4.
- the inorganic semiconductor layer 1 consists of a p-doped silicon substrate. This silicon substrate is doped with boron and has a charge carrier density of at least 10 17 cm -3 .
- a fullerene derivative, namely a soluble PCBM is applied by a spin coating in a thickness of approximately 150 nm 100 nm are deposited on the semiconductor layers 1 and 2.
- the photodiode can be cooled in a conventional manner with the aid of a Peltier element, which is not shown for reasons of clarity, however from the side of the inorganic semiconductor layer 1.
- the silicon substrate acts as a filter for the exciting radiation, so that because of the size of the bandgap of the silicon, the radiation range can be utilized only to 1.2 eV Radiation is limited by the electronic structure created by the boundary layer between the ano organic semiconductor layer 1 and the organic semiconductor layer 2 used. In the present case of a silicon-fullerene combination results in a limiting energy of about 0.4 eV.
- FIG. 2 shows the average photocurrent I as a function of the radiation energy E, namely at different temperatures. While the radiant energy is plotted on the abscissa in eV, only reference values for the maximum current on the ordinate are given for the photocurrent. As can be seen from the individual current curves, the course of the photocurrent I depends on the particular temperature of the photodiode. Curve 5 shows the photocurrent curve at 13 K, which is dependent on the excitation energy, and curves 6, 7 and 8 show the photocurrent curve at 100 K, 150 K and 175 K. Curve 9 shows the course of the photocurrent at 200 K.
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Abstract
Es wird eine Vorrichtung zum Umwandeln infraroter Strahlung in elektrischen Strom mit einer Photodiode beschrieben, die zwei je an eine Elektrode (3, 4) angeschlossene Halbleiterschichten (1, 2) mit einem Hetero-Übergang aufweist, von denen eine aus einem dotierten anorganischen Halbleiter besteht. Um eine vorteilhafte Detektierung zu sichern, wird vorgeschlagen, daß die anorganische Halbleiterschicht (1) mit einer organischen Halbleiterschicht (2) den Hetero-Übergang bildet und daß den beiden Halbleiterschichten (1, 2) eine Kühleinrichtung zugeordnet ist.
Description
Vorrichtung zum Umwandeln infraroter Strahlung in elektrischen Strom
Technisches Gebiet
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum Umwandeln infraroter Strahlung in elektrischen Strom mit einer Photodiode, die zwei je an eine Elektrode angeschlossene Halbleiterschichten mit einem Hetero-Übergang aufweist, von denen eine aus einem dotierten anorganischen Halbleiter besteht.
Stand der Technik
Photodioden zur Umwandlung infraroter Strahlung in elektrischen Strom sind in unterschiedlichen Ausführungsformen bekannt. So zeichnen sich beispielsweise Indium-Gallium-Arsenid-Detektoren durch eine vergleichsweise hohe Empfindlichkeit im Infrarotbereich aus, während sich Platin-Silizid-Detektoren besonders zur örtlichen Auflösung von Infrarotstrahlungen in einer zweidimensionalen Anordnung eignen, wie dies bei Infrarot-Kameras gefordert wird. Nachteilig bei Indium-Gallium-Arsenid-Detektoren ist vor allem der Platzbedarf und bei Platin-Silizid-Detektoren die geringe Empfindlichkeit.
Darstellung der Erfindung
Der Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung der eingangs geschilderten Art zum Umwandeln infraroter Strahlung in elektrischen Strom so auszugestalten, daß die Anforderungen sowohl hinsichtlich einer platzsparen-
den, zweidimensionalen Anordnung als auch bezüglich einer hohen Empfindlichkeit vorteilhaft miteinander verknüpft werden können.
Die Erfindung löst die gestellte Aufgabe dadurch, daß die anorganische Halbleiterschicht mit einer organischen Halbleiterschicht den Hetero-Übergang bildet und daß den beiden Halbleiterschichten eine Kühleinrichtung zugeordnet ist.
Durch diese Maßnahmen gelingt es in überraschender weise trotz eines einfachen, platzsparenden Aufbaus der Photodiode eine hohe Empfindlichkeit des Photostromes gegenüber der erregenden Strahlung insbesondere im mittleren Infrarotbereich sicherzustellen, allerdings nur, wenn die Photodiode entsprechend gekühlt wird. Photodioden mit einem Hetero-Übergang zwischen einem anorganischen Halbleiter und einem organischen Halbleiter wurden bereits für photovoltaische Zwecke vorgeschlagen (JP 06244440 A), doch kann für den Photostrom dieser voltaischen Photodioden keine Abhängigkeit von einer Infrarotstrahlung festgestellt werden. Dies ist in überraschender Weise erst möglich, wenn die Halbleiterschichten gekühlt werden. Mit zunehmender Kühlung steigt der auf einer Absorption der Strahlung im Infrarotbereich beruhende Photostrom an und kann zum Detektieren infraroter Strahlung genützt werden. Bei Raumtemperatur wird lediglich der unmittelbar durch die Strahlungsabsorption in der anorganischen Halbleiterschicht erregte und damit von der Bandlücke des anorganischen Halbleiters abhängige Photostrom gemessen, während bei niedrigeren Temperaturen die durch die Infrarotstrahlung angeregten Ladungsträger vermehrt vom Valenzband des anorganischen Halbleiters in das Leitungsband des organischen Halbleiters als auch von gebundenen Zuständen im organischen Halbleiter in dessen Leitungsband übertreten und zufolge des wirksamen elektrischen Feldes über die angeschlossene Elektrode abgeführt werden.
Obwohl unterschiedliche anorganische und organische Halbleiter zum Aufbau einer erfindungsgemäßen Photodiode eingesetzt werden können, weil es vor allem auf das Verhältnis der Bandlücke des dotierten anorganischen Halblei-
ters zur Energiebarriere zwischen dem Valenzband des anorganischen und dem Leitungsband des organischen Halbleiters sowie der elektronischen Struktur des organischen Halbleiters ankommt, ergeben sich besonders einfache Konstruktionsbedingungen, wenn die anorganische Halbleiterschicht aus einer p-dotierten Siliziumschicht besteht, die vorzugsweise mit einer organischen Halbleiterschicht auf der Basis eines Fullerens einen Hetero-Übergang bildet. Wird in diesem Zusammenhang ein Fullerenderivat, beispielsweise ein lösliches PCBM, als organischer Halbleiter eingesetzt, so kann auf ein p-dotiertes Siliziumsubstrat in wenig aufwendiger Art das Fullerenderivat in einer Rotati- onsbeschichtung als dünner Film aufgebracht werden.
Zur Kühlung der erfindungsgemäßen Photodiode können unterschiedliche Maßnahmen getroffen werden. Soll eine unmittelbare Kühlung vorgesehen werden, so empfiehlt sich der Einsatz von Peltier-Elementen.
Kurze Beschreibung der Zeichnung
In der Zeichnung ist der Erfindungsgegenstand beispielsweise dargestellt. Es zeigen
Fig. 1 eine erfindungsgemäße Vorrichtung zur Umwandlung infraroter Strahlung in elektrischen Strom in einem schematischen Schnitt und
Fig. 2 den Verlauf des Photostroms in Abhängigkeit von der Anregungsenergie der Strahlung bei verschiedenen Temperaturen.
Weg zur Ausführung der Erfindung
Wie aus der Fig. 1 ersichtlich ist, weist die Vorrichtung zur Umwandlung infraroter Strahlung in elektrischen Strom eine Photodiode auf, die aus einer anorganischen Halbleiterschicht 1 und einer unter Ausbildung eines HeteroÜbergangs auf diese Halbleiterschicht 1 aufgebrachten organischen Halbleiter-
schicht 2 zusammengesetzt ist, wobei die bei den Halbleiterschichten 1 und 2 je an eine Elektrode 3,4 angeschlossen sind. Gemäß dem gewählten Ausführungsbeispiel besteht die anorganische Halbleiterschicht 1 aus einem p- dotierten Siliziumsubstrat. Dieses Siliziumsubstrat ist mit Bohr dotiert und weist eine Ladungsträgerdichte von mindestens 1017 cm"3 auf. Auf dieses Siliziumsubstrat ist ein Fullerenderivat, nämlich ein lösbares PCBM, durch eine Rotati- onsbeschichtung in einer Dicke von ca. 150 nm aufgebracht. Die Elektroden 3 und 4 bestehen aus Aluminium und sind in einer Dicke von ca. 100 nm auf die Halbleiterschichten 1 und 2 aufgedampft. Die Photodiode kann in herkömmlicher Weise mit Hilfe eines Peltier-Elementes gekühlt werden, was jedoch aus Übersichtlichkeitsgründen nicht dargestellt ist. Die Beleuchtung der Photodiode erfolgt von der Seite der anorganischen Halbleiterschicht 1 her. Dies bedeutet, daß das Siliziumsubstrat als Filter für die anregende Strahlung wirksam wird, so daß wegen der Größe der Bandlücke des Siliziums der Strahlungsbereich nur bis 1,2 eV genützt werden kann. Nach unten wird die erfaßbare Strahlung durch die elektronische Struktur begrenzt, die durch die Grenzschicht zwischen der anorganischen Halbleiterschicht 1 und der verwendeten organischen Halbleiterschicht 2 gebildet wird. Im vorliegenden Fall einer Silizium-Fulleren- Kombination ergibt sich eine Grenzenergie von ca. 0,4 eV.
In der Fig. 2 ist der gemittelte Photostrom I in Abhängigkeit von der Strahlungsenergie E dargestellt, und zwar bei unterschiedlichen Temperaturen. Während die Strahlungsenergie auf der Abszisse in eV aufgetragen ist, wird für den Photostrom lediglich Bezugswerten zum maximalen Strom auf der Ordinate angegeben. Wie sich aus den einzelnen Stromkurven ergibt, ist der Verlauf des Photostroms I von der jeweiligen Temperatur der Photodiode abhängig. So zeigen die Kurve 5 den von der Anregungsenergie abhängigen Photostromverlauf bei 13 K und die Kurven 6, 7 und 8 den Photostromverlauf bei 100 K, 150 K und 175 K. Die Kurve 9 gibt den Verlauf des Photostroms bei 200 K wieder. Aus dieser Darstellung ergibt sich, daß beispielsweise bei 200 K der für viele Anwendungen besonders interessante Infrarotbereich zwischen 0,6 und 1 eV kaum erfaßt werden kann, weil der Photostrom gemäß der Kurve 9 in diesem Bereich klein ausfällt und kaum über das Rauschniveau ansteigt. Mit abneh-
mender Temperatur wird der durch die Infrarotstrahlung angeregte Photostrom überproportional größer, wie dies die Kurven 8 und 7 für eine Diodentemperatur von 175 K und 150 K veranschaulichen. Ab einer Diodentemperatur von 100 K (Kurve 6) können für kleiner werdende Temperaturbereiche praktisch gleichbleibende Anregungsbedingungen vorausgesetzt werden.
Es zeigt sich somit, daß mit einer Abkühlung der anmeldungsgemäßen Photodiode der Infrarotbereich mit einer hohen Empfindlichkeit detektiert werden kann, und zwar mit einem einfachen Diodenaufbau, vorzugsweise auf einem Siliziumsubstrat.
Claims
1. Vorrichtung zum Umwandeln infraroter Strahlung in elektrischen Strom mit einer Photodiode, die zwei je an eine Elektrode angeschlossene Halbleiterschichten mit einem Hetero-Übergang aufweist, von denen eine aus einem dotierten anorganischen Halbleiter besteht, dadurch gekennzeichnet, daß die anorganische Halbleiterschicht (1) mit einer organischen Halbleiterschicht (2) den Hetero-Übergang bildet und daß den beiden Halbleiterschichten (1 , 2) eine Kühleinrichtung zugeordnet ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß die anorganische Halbleiterschicht (1) aus einer p-dotierten Siliziumschicht besteht.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die organische Halbleiterschicht (2) auf der Basis eines Fullerens aufgebaut ist.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Kühleinrichtung aus einem Peltier-Element besteht.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016015077A1 (de) | 2014-07-29 | 2016-02-04 | Universität Linz | Optoelektronischer infrarotsensor |
| WO2020027670A1 (en) | 2018-07-31 | 2020-02-06 | Fibrain Spółka Z Ograniczoną.Odpowiedzialnoscią. | Near infrared detector |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102522505B (zh) * | 2012-01-14 | 2014-08-20 | 西安电子科技大学 | 无机与有机混合太阳能电池 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0028022A2 (de) * | 1979-10-25 | 1981-05-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Infrarotempfindlicher x-y-CCD-Sensor und Verfahren zu seiner Herstellung |
| WO1999036960A1 (en) * | 1998-01-14 | 1999-07-22 | Hollandse Signaalapparaten B.V. | Cooling device for an infrared detector |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5818051A (en) * | 1996-04-04 | 1998-10-06 | Raytheon Ti Systems, Inc. | Multiple color infrared detector |
| US6080988A (en) * | 1996-12-20 | 2000-06-27 | Nikon Corporation | Optically readable radiation-displacement-conversion devices and methods, and image-rendering apparatus and methods employing same |
| US6339219B1 (en) * | 1998-06-20 | 2002-01-15 | Nikon Corporation | Radiation imaging device and radiation detector |
| US7800194B2 (en) * | 2002-04-23 | 2010-09-21 | Freedman Philip D | Thin film photodetector, method and system |
| IL156744A (en) * | 2003-07-02 | 2011-02-28 | Semi Conductor Devices An Elbit Systems Rafael Partnership | Depletion-less photodiode with suppressed dark current |
| US8247801B2 (en) * | 2006-03-31 | 2012-08-21 | Imec | Organic semi-conductor photo-detecting device |
| US7687870B2 (en) * | 2006-12-29 | 2010-03-30 | Panasonic Corporation | Laterally configured electrooptical devices |
| US20080236643A1 (en) * | 2007-04-02 | 2008-10-02 | Li John H | Thermoelectric composite semiconductor |
| US20090020700A1 (en) * | 2007-07-17 | 2009-01-22 | Locheed Martin Corporation | Method and device for generating an electrical signal in response to light |
-
2007
- 2007-08-23 WO PCT/AT2007/000402 patent/WO2009023881A1/de active Application Filing
- 2007-08-23 US US12/733,203 patent/US20100140661A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0028022A2 (de) * | 1979-10-25 | 1981-05-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Infrarotempfindlicher x-y-CCD-Sensor und Verfahren zu seiner Herstellung |
| WO1999036960A1 (en) * | 1998-01-14 | 1999-07-22 | Hollandse Signaalapparaten B.V. | Cooling device for an infrared detector |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| KOJIMA N ET AL: "ANALYSIS OF PHOTOVOLTAIC PROPERTIES OF C60-SI HETEROJUNCTION SOLAR CELLS", JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS, TOKYO, JP, vol. 39, no. 3A, PART 01, 1 March 2000 (2000-03-01), pages 1176 - 1179, XP001048261, ISSN: 0021-4922 * |
| RUSSELL T ET AL: "COMBINED PHOTOVOLTAINC/THERMAL COLLECTOR PANELS OF IMPROVED DESIGN", PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE. KISSIMMEE, MAY 12 - 15, 1981; [PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE], NEW YORK, IEEE, US, vol. CONF. 15, 12 May 1981 (1981-05-12), pages 990 - 996, XP002029877 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016015077A1 (de) | 2014-07-29 | 2016-02-04 | Universität Linz | Optoelektronischer infrarotsensor |
| WO2020027670A1 (en) | 2018-07-31 | 2020-02-06 | Fibrain Spółka Z Ograniczoną.Odpowiedzialnoscią. | Near infrared detector |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20100140661A1 (en) | 2010-06-10 |
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