JP3032027B2 - 半導体受光素子及びその組立方法 - Google Patents
半導体受光素子及びその組立方法Info
- Publication number
- JP3032027B2 JP3032027B2 JP3038205A JP3820591A JP3032027B2 JP 3032027 B2 JP3032027 B2 JP 3032027B2 JP 3038205 A JP3038205 A JP 3038205A JP 3820591 A JP3820591 A JP 3820591A JP 3032027 B2 JP3032027 B2 JP 3032027B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- receiving element
- semiconductor light
- light receiving
- optical fiber
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体受光素子及びその
組立方法に係り、特に裏面入射型半導体受光素子及びそ
の裏面入射型半導体受光素子と前記光ファイバとの結合
調心方法に関する。裏面入射型半導体受光素子はｐｎ接
合面積を小さくすることができ、またフロント側電極下
の容量を小さくし端子間容量を減少させることができる
ため、高速性に優れている。従って、近年の光通信の高
速化に伴い、半導体受光素子の主流となってきている。
組立方法に係り、特に裏面入射型半導体受光素子及びそ
の裏面入射型半導体受光素子と前記光ファイバとの結合
調心方法に関する。裏面入射型半導体受光素子はｐｎ接
合面積を小さくすることができ、またフロント側電極下
の容量を小さくし端子間容量を減少させることができる
ため、高速性に優れている。従って、近年の光通信の高
速化に伴い、半導体受光素子の主流となってきている。
【０００２】
【従来の技術】従来の裏面入射型半導体受光素子の断面
を図４に示す。ｎ型半導体基板５２表面にｐ型不純物領
域５４が形成され、ｐｎ接合面を形成している。ｎ型半
導体基板５２及びｐ型不純物領域５４表面にはパッシベ
ーション膜５６が形成され、ｐ型不純物領域５４上のパ
ッシベーション膜５６に開口されたコンタクト窓を介し
てｐ側電極５８が形成されている。また、ｎ型半導体基
板５２裏面にはｎ側電極６０が設けられているが、この
ｎ側電極６０の中央部にはファイバ光入射用窓６２が設
けられている。
を図４に示す。ｎ型半導体基板５２表面にｐ型不純物領
域５４が形成され、ｐｎ接合面を形成している。ｎ型半
導体基板５２及びｐ型不純物領域５４表面にはパッシベ
ーション膜５６が形成され、ｐ型不純物領域５４上のパ
ッシベーション膜５６に開口されたコンタクト窓を介し
てｐ側電極５８が形成されている。また、ｎ型半導体基
板５２裏面にはｎ側電極６０が設けられているが、この
ｎ側電極６０の中央部にはファイバ光入射用窓６２が設
けられている。
【０００３】このように従来の裏面入射型半導体受光素
子においては、ｐ側電極５８がｎ型半導体基板５２とｐ
型不純物領域５４とのｐｎ接合面の中心部に形成されて
いる。このため、裏面入射型半導体受光素子の光ファイ
バ付きアセンブリを行なう場合、この裏面入射型半導体
受光素子をセラミック基板等に固定した後、光ファイバ
を半導体基板５２裏面のファイバ光入射用窓６２近傍に
設置し、この光ファイバから光を入射しながら光ファイ
バを水平方向及び垂直方向に３次元的に移動させ、裏面
入射型半導体受光素子に流れる光電流をモニタしながら
裏面入射型半導体受光素子と光ファイバとの結合調心を
行なうという方法が用いられてきた。
子においては、ｐ側電極５８がｎ型半導体基板５２とｐ
型不純物領域５４とのｐｎ接合面の中心部に形成されて
いる。このため、裏面入射型半導体受光素子の光ファイ
バ付きアセンブリを行なう場合、この裏面入射型半導体
受光素子をセラミック基板等に固定した後、光ファイバ
を半導体基板５２裏面のファイバ光入射用窓６２近傍に
設置し、この光ファイバから光を入射しながら光ファイ
バを水平方向及び垂直方向に３次元的に移動させ、裏面
入射型半導体受光素子に流れる光電流をモニタしながら
裏面入射型半導体受光素子と光ファイバとの結合調心を
行なうという方法が用いられてきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな裏面入射型半導体受光素子の光ファイバ付きアセン
ブリにおける調心方法は、目で見ながらするのではなく
光電流を頼りに行なう方法であるため、非常に困難かつ
煩雑である。また、このような調心方法では将来のアセ
ンブリの全自動化に対応することが困難である。
うな裏面入射型半導体受光素子の光ファイバ付きアセン
ブリにおける調心方法は、目で見ながらするのではなく
光電流を頼りに行なう方法であるため、非常に困難かつ
煩雑である。また、このような調心方法では将来のアセ
ンブリの全自動化に対応することが困難である。
【０００５】そこで本発明は、将来的な光ファイバ付き
アセンブリ工程の全自動化を考慮しつつ、光ファイバの
結合調心を簡易化することができる裏面入射型半導体受
光素子及びそれを用いた組立方法を提供することを目的
とする。
アセンブリ工程の全自動化を考慮しつつ、光ファイバの
結合調心を簡易化することができる裏面入射型半導体受
光素子及びそれを用いた組立方法を提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。図１（ａ）において、ｎ型半導体基板２表面
にｐ型不純物領域４が形成され、ｐｎ接合面を形成して
いる。ｎ型半導体基板２及びｐ型不純物領域４表面には
パッシベーション膜６が形成されている。そしてｐ型不
純物領域４上のパッシベーション膜６に開口されたコン
タクト窓を介してｐ側電極８が形成されている。このと
きｐ側電極８がｎ型半導体基板２とｐ型不純物領域４と
のｐｎ接合面、即ち受光面の中心部からずれた位置に設
けられている点に本発明の特徴がある。また、ｎ型半導
体基板２裏面にはｎ側電極１０が設けられている。そし
てこのｎ側電極１０の中央部には、裏面から光を入射す
るためのファイバ光入射用窓１２が設けられている。
図である。図１（ａ）において、ｎ型半導体基板２表面
にｐ型不純物領域４が形成され、ｐｎ接合面を形成して
いる。ｎ型半導体基板２及びｐ型不純物領域４表面には
パッシベーション膜６が形成されている。そしてｐ型不
純物領域４上のパッシベーション膜６に開口されたコン
タクト窓を介してｐ側電極８が形成されている。このと
きｐ側電極８がｎ型半導体基板２とｐ型不純物領域４と
のｐｎ接合面、即ち受光面の中心部からずれた位置に設
けられている点に本発明の特徴がある。また、ｎ型半導
体基板２裏面にはｎ側電極１０が設けられている。そし
てこのｎ側電極１０の中央部には、裏面から光を入射す
るためのファイバ光入射用窓１２が設けられている。
【０００７】次に、この裏面入射型半導体受光素子を用
いて、光ファイバとの結合調心を行なう場合について説
明する。まず、光ファイバ１４をファイバ光入射用窓１
２近傍に設置した後、光ファイバ１４から所定の波長の
光を入射する。この入射光の波長は、裏面入射型半導体
受光素子を構成する結晶が吸収できない波長に設定す
る。このため、入射光は裏面入射型半導体受光素子を透
過する。そしてこの透過光によるスポット１６が、図１
（ｂ）に示されるように、裏面入射型半導体受光素子の
上面から視覚的に観察される。
いて、光ファイバとの結合調心を行なう場合について説
明する。まず、光ファイバ１４をファイバ光入射用窓１
２近傍に設置した後、光ファイバ１４から所定の波長の
光を入射する。この入射光の波長は、裏面入射型半導体
受光素子を構成する結晶が吸収できない波長に設定す
る。このため、入射光は裏面入射型半導体受光素子を透
過する。そしてこの透過光によるスポット１６が、図１
（ｂ）に示されるように、裏面入射型半導体受光素子の
上面から視覚的に観察される。
【０００８】従って、光ファイバ１４を水平方向及び垂
直方向に３次元的に移動させながらこのスポット１６を
視覚的にモニタ観察することにより、このスポット１６
が所望の大きさでｐｎ接合面の中心部に位置するように
容易に調心することができる。勿論、このときｐ側電極
８はｐｎ接合面の中央部よりずれているため、ｐ側電極
８の存在がスポット１６の位置確認を邪魔するようなこ
とはない。
直方向に３次元的に移動させながらこのスポット１６を
視覚的にモニタ観察することにより、このスポット１６
が所望の大きさでｐｎ接合面の中心部に位置するように
容易に調心することができる。勿論、このときｐ側電極
８はｐｎ接合面の中央部よりずれているため、ｐ側電極
８の存在がスポット１６の位置確認を邪魔するようなこ
とはない。
【０００９】
【作用】本発明は、裏面入射型半導体受光素子のｐ側電
極８をｎ型半導体基板２とｐ型不純物領域４とのｐｎ接
合面、即ち受光面の中央部からずれた位置に設け、裏面
入射型半導体受光素子を構成する結晶が吸収できない波
長の光を光ファイバ１４から入射することにより、この
入射光のスポット１６を裏面入射型半導体受光素子の上
面から視覚的にモニタ観察しつつ光ファイバ１４の調心
を行なうことができる。このため、裏面入射型半導体受
光素子と光ファイバ１４との調心を容易にかつ正確に行
なうことができる。
極８をｎ型半導体基板２とｐ型不純物領域４とのｐｎ接
合面、即ち受光面の中央部からずれた位置に設け、裏面
入射型半導体受光素子を構成する結晶が吸収できない波
長の光を光ファイバ１４から入射することにより、この
入射光のスポット１６を裏面入射型半導体受光素子の上
面から視覚的にモニタ観察しつつ光ファイバ１４の調心
を行なうことができる。このため、裏面入射型半導体受
光素子と光ファイバ１４との調心を容易にかつ正確に行
なうことができる。
【００１０】
【実施例】図２は本発明の一実施例による裏面入射型半
導体受光素子とそれを用いた光ファイバの調心方法を説
明するための図である。図２（ａ）は裏面入射型半導体
受光素子の上面から見た平面図、図２（ｂ）はその断面
図である。
導体受光素子とそれを用いた光ファイバの調心方法を説
明するための図である。図２（ａ）は裏面入射型半導体
受光素子の上面から見た平面図、図２（ｂ）はその断面
図である。
【００１１】ｎ型ＩｎＰ基板２２上にＩｎＧａＡｓ光吸
収層２４が形成されている。また、このＧａＡｓ光吸収
層２４上にはｐ- 型ＩｎＰ層２６が形成され、このｐ-
型ＩｎＰ層２６表面にはｐ+ 型ＩｎＰ層２８が形成され
ている。こうしてｐ+ 型ＩｎＰ層２８、ｐ- 型ＩｎＰ層
２６、ＧａＡｓ光吸収層２４、ｎ型ＩｎＰ基板２２によ
ってｐｉｎ接合構造が形成されている。
収層２４が形成されている。また、このＧａＡｓ光吸収
層２４上にはｐ- 型ＩｎＰ層２６が形成され、このｐ-
型ＩｎＰ層２６表面にはｐ+ 型ＩｎＰ層２８が形成され
ている。こうしてｐ+ 型ＩｎＰ層２８、ｐ- 型ＩｎＰ層
２６、ＧａＡｓ光吸収層２４、ｎ型ＩｎＰ基板２２によ
ってｐｉｎ接合構造が形成されている。
【００１２】また、ｐ- 型ＩｎＰ層２６及びｐ+ 型Ｉｎ
Ｐ層２８表面にはパッシベーション膜３０が形成されて
いる。そしてｐ+ 型ＩｎＰ層２８上のパッシベーション
膜３０に開口されたコンタクト窓を介して、ｐ+ 型Ｉｎ
Ｐ層２８に接続するフロント電極としてのｐ側電極３２
が形成されている。このときｐ側電極３２は、ｐ+ 型Ｉ
ｎＰ層２８とｐ- 型ＩｎＰ層２６との接合面、即ち受光
面の中央部からずれた位置に形成されている点に本実施
例の特徴がある。更に、ｎ型ＩｎＰ基板２２裏面にはｎ
側電極３４が形成され、そのｎ側電極３４の中央部には
ファイバ光入射用窓３６が設けられている。
Ｐ層２８表面にはパッシベーション膜３０が形成されて
いる。そしてｐ+ 型ＩｎＰ層２８上のパッシベーション
膜３０に開口されたコンタクト窓を介して、ｐ+ 型Ｉｎ
Ｐ層２８に接続するフロント電極としてのｐ側電極３２
が形成されている。このときｐ側電極３２は、ｐ+ 型Ｉ
ｎＰ層２８とｐ- 型ＩｎＰ層２６との接合面、即ち受光
面の中央部からずれた位置に形成されている点に本実施
例の特徴がある。更に、ｎ型ＩｎＰ基板２２裏面にはｎ
側電極３４が形成され、そのｎ側電極３４の中央部には
ファイバ光入射用窓３６が設けられている。
【００１３】次に、この裏面入射型半導体受光素子を用
いて、光ファイバ付きアセンブリを行なう場合について
説明する。まず、裏面入射型半導体受光素子をマウント
用セラミック基板３８上に設置する。このときｎ側電極
３４とセラミック基板３８とを接触させ、セラミック基
板３８に開口されたファイバ光入射用窓と裏面入射型半
導体受光素子のファイバ光入射用窓３６とが一致するよ
うに固定する。
いて、光ファイバ付きアセンブリを行なう場合について
説明する。まず、裏面入射型半導体受光素子をマウント
用セラミック基板３８上に設置する。このときｎ側電極
３４とセラミック基板３８とを接触させ、セラミック基
板３８に開口されたファイバ光入射用窓と裏面入射型半
導体受光素子のファイバ光入射用窓３６とが一致するよ
うに固定する。
【００１４】次いで、光ファイバ４０をファイバ光入射
用窓３６近傍に設置した後、光ファイバ４０から例えば
波長０．６μｍ以下の光を入射する。このとき裏面入射
型半導体受光素子を構成するｎ型ＩｎＰ基板２２等はそ
のバンドギャップに規定されて波長１．３μｍ乃至１．
５５μｍの光は吸収するが、波長０．６μｍ以下の光は
吸収されることなく透過する。従って、この入射光は裏
面入射型半導体受光素子の上面から、例えばこの波長の
光を感知するカメラ等を用いることによって視覚的に観
察することができる。即ち、図１（ｂ）に示されるよう
なスポット４２が観察される。
用窓３６近傍に設置した後、光ファイバ４０から例えば
波長０．６μｍ以下の光を入射する。このとき裏面入射
型半導体受光素子を構成するｎ型ＩｎＰ基板２２等はそ
のバンドギャップに規定されて波長１．３μｍ乃至１．
５５μｍの光は吸収するが、波長０．６μｍ以下の光は
吸収されることなく透過する。従って、この入射光は裏
面入射型半導体受光素子の上面から、例えばこの波長の
光を感知するカメラ等を用いることによって視覚的に観
察することができる。即ち、図１（ｂ）に示されるよう
なスポット４２が観察される。
【００１５】従って、光ファイバ４０をセラミック基板
３８と水平方向及び垂直方向に３次元的に移動させなが
らこのスポット４２を視覚的にモニタ観察することによ
り、このスポット４２が所望の大きさをもってｐｎ接合
面の中心部に位置するように調心することができる。こ
のときｐ側電極３２が受光面の中央部よりずれているた
め、ｐ側電極３２によって妨げられることなくスポット
４２の位置を確認することができる。そして所定の位置
及び所定の大きさのスポット４２が得られた段階で、光
ファイバ４０をセラミック基板３８に固定する。
３８と水平方向及び垂直方向に３次元的に移動させなが
らこのスポット４２を視覚的にモニタ観察することによ
り、このスポット４２が所望の大きさをもってｐｎ接合
面の中心部に位置するように調心することができる。こ
のときｐ側電極３２が受光面の中央部よりずれているた
め、ｐ側電極３２によって妨げられることなくスポット
４２の位置を確認することができる。そして所定の位置
及び所定の大きさのスポット４２が得られた段階で、光
ファイバ４０をセラミック基板３８に固定する。
【００１６】このように本実施例によれば、裏面入射型
半導体受光素子のｐ側電極３２を受光面の中央部からず
れた位置に設け、ｎ型ＩｎＰ基板２２等によって吸収さ
れない波長０．６μｍ以下の光を光ファイバ４０から入
射することにより、この入射光のスポット４２を裏面入
射型半導体受光素子の上面から所定のカメラ等を用いて
視覚的にモニタ観察しつつ光ファイバ１４との調心を行
なうことができる。このため、調心の簡易化、正確化を
実現し、将来のアセンブリの全自動化に途を開くことが
できる。例えば光ファイバを固定した後、チップを基板
上に自動ダイシングするときにスポットをモニタ観察し
ながらマウントすることもできる。
半導体受光素子のｐ側電極３２を受光面の中央部からず
れた位置に設け、ｎ型ＩｎＰ基板２２等によって吸収さ
れない波長０．６μｍ以下の光を光ファイバ４０から入
射することにより、この入射光のスポット４２を裏面入
射型半導体受光素子の上面から所定のカメラ等を用いて
視覚的にモニタ観察しつつ光ファイバ１４との調心を行
なうことができる。このため、調心の簡易化、正確化を
実現し、将来のアセンブリの全自動化に途を開くことが
できる。例えば光ファイバを固定した後、チップを基板
上に自動ダイシングするときにスポットをモニタ観察し
ながらマウントすることもできる。
【００１７】なお、上記実施例においては、ｐ側電極３
２を受光面の中央部からずれた位置に設けたが、フロン
ト電極としてのｐ側電極３２の形状を工夫することによ
っても同様の効果を奏することができる。例えば図３
（ａ）に示されるように、ｐ側電極３２ａの大きさがス
ポット４２の大きさよりも小さい場合にはスポット４２
の中央に位置させてもよい。また。図３（ｂ）に示され
るように、ｐ側電極３２を細長形状にしたり、図３
（ｃ）に示されるように十字形状にしたりしてもよい。
要は、ｐ側電極が所定のスポット４２の大きさを全て覆
いつくさないようにすればよい。従って、ｐ側電極の形
状は、これら以外にも様々な形状が考えられる。
２を受光面の中央部からずれた位置に設けたが、フロン
ト電極としてのｐ側電極３２の形状を工夫することによ
っても同様の効果を奏することができる。例えば図３
（ａ）に示されるように、ｐ側電極３２ａの大きさがス
ポット４２の大きさよりも小さい場合にはスポット４２
の中央に位置させてもよい。また。図３（ｂ）に示され
るように、ｐ側電極３２を細長形状にしたり、図３
（ｃ）に示されるように十字形状にしたりしてもよい。
要は、ｐ側電極が所定のスポット４２の大きさを全て覆
いつくさないようにすればよい。従って、ｐ側電極の形
状は、これら以外にも様々な形状が考えられる。
【００１８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、第１導電
型の半導体基板と、半導体基板に設けられた第２導電型
の不純物領域と、不純物領域上に形成された第１の電極
と、半導体基板裏面に形成され、ファイバ光入射用窓を
有する第２の電極とを具備する半導体受光素子におい
て、第１の電極が、前記半導体基板と前記不純物領域と
のｐｎ接合面の一部のみを覆っており、前記ｐｎ接合面
の中心からずれた位置に設けられていることにより、光
ファイバから所定の波長の光を半導体受光素子に入射
し、半導体受光素子を透過した光が形成するスポットを
半導体受光素子上面から視覚的にモニタしつつ光ファイ
バとの結合調心を行なうことができるため、調心作業の
簡易化、正確化を実現することができる。
型の半導体基板と、半導体基板に設けられた第２導電型
の不純物領域と、不純物領域上に形成された第１の電極
と、半導体基板裏面に形成され、ファイバ光入射用窓を
有する第２の電極とを具備する半導体受光素子におい
て、第１の電極が、前記半導体基板と前記不純物領域と
のｐｎ接合面の一部のみを覆っており、前記ｐｎ接合面
の中心からずれた位置に設けられていることにより、光
ファイバから所定の波長の光を半導体受光素子に入射
し、半導体受光素子を透過した光が形成するスポットを
半導体受光素子上面から視覚的にモニタしつつ光ファイ
バとの結合調心を行なうことができるため、調心作業の
簡易化、正確化を実現することができる。
【００１９】これにより、ファイバ付きアセンブリを容
易にかつ正確に行なうことができ、信頼性及び生産性を
向上させるばかりでなく、将来のアセンブリの全自動化
に途を開くことができる。
易にかつ正確に行なうことができ、信頼性及び生産性を
向上させるばかりでなく、将来のアセンブリの全自動化
に途を開くことができる。
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】本発明の一実施例による裏面入射型半導体受光
素子及びその光ファイバ付きアセンブリを説明するため
の図である。
素子及びその光ファイバ付きアセンブリを説明するため
の図である。
【図３】本発明の他の実施例による裏面入射型半導体受
光素子のフロント電極の位置及び大きさを説明するため
の図である。
光素子のフロント電極の位置及び大きさを説明するため
の図である。
【図４】従来の裏面入射型半導体受光素子を示す断面図
である。
である。
２…ｎ型半導体基板 ４…ｐ型不純物領域 ６…パッシベーション膜 ８…ｐ側電極 １０…ｎ側電極 １２…ファイバ光入射用窓 １４…光ファイバ １６…スポット ２２…ｎ型ＩｎＰ基板 ２４…ＩｎＧａＡｓ光吸収層 ２６…ｐ- 型ＩｎＰ層 ２８…ｐ+ 型ＩｎＰ層 ３０…パッシベーション膜 ３２、３２ａ、３２ｂ、３２ｃ…ｐ側電極 ３４…ｎ側電極 ３６…ファイバ光入射用窓 ３８…セラミック基板 ４０…光ファイバ ４２…スポット ５２…ｎ型半導体基板 ５４…ｐ型不純物領域 ５６…パッシベーション膜 ５８…ｐ側電極 ６０…ｎ側電極 ６２…ファイバ光入射用窓
Claims (2)
- 【請求項１】 第１導電型の半導体基板と、前記半導体
基板に設けられた第２導電型の不純物領域と、前記不純
物領域上に形成された第１の電極と、前記半導体基板裏
面に形成され、ファイバ光入射用窓を有する第２の電極
とを具備する半導体受光素子において、 前記第１の電極が、前記半導体基板と前記不純物領域と
のｐｎ接合面の一部のみを覆っており、前記ｐｎ接合面
の中心からずれた位置に設けられていることを特徴とす
る半導体受光素子。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体受光素子の前記フ
ァイバ光入射用窓近傍に光ファイバを設置し、 前記光ファイバから所定の波長の光を前記半導体受光素
子に入射し、 前記半導体受光素子を透過した光が形成するスポットを
前記半導体受光素子上面から視覚的にモニタしつつ前記
光ファイバを３次元的に移動させて、前記半導体受光素
子と前記光ファイバとの結合調心を行なうことを特徴と
する半導体受光素子の組立方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3038205A JP3032027B2 (ja) | 1991-03-05 | 1991-03-05 | 半導体受光素子及びその組立方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3038205A JP3032027B2 (ja) | 1991-03-05 | 1991-03-05 | 半導体受光素子及びその組立方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04276666A JPH04276666A (ja) | 1992-10-01 |
| JP3032027B2 true JP3032027B2 (ja) | 2000-04-10 |
Family
ID=12518831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3038205A Expired - Fee Related JP3032027B2 (ja) | 1991-03-05 | 1991-03-05 | 半導体受光素子及びその組立方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3032027B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7288825B2 (en) | 2002-12-18 | 2007-10-30 | Noble Peak Vision Corp. | Low-noise semiconductor photodetectors |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62230065A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光器 |
| JPH02105585A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
-
1991
- 1991-03-05 JP JP3038205A patent/JP3032027B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04276666A (ja) | 1992-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101019807B1 (ko) | 포토 다이오드 어레이, 그 제조 방법, 및 방사선 검출기 | |
| US5701374A (en) | Integrated optical module including a waveguide and a photoreception device | |
| US6340831B1 (en) | Photodiode and photodiode module | |
| JP2665784B2 (ja) | 複数の光学ファイバおよびレーザーのための装着装置 | |
| US5412229A (en) | Semiconductor light detecting device making use of a photodiode chip | |
| JPH03220782A (ja) | 半導体受光装置 | |
| JP3734939B2 (ja) | 受光素子及び受光素子モジュ−ル | |
| KR20060061294A (ko) | 이면 입사형 광검출 소자 | |
| CA2030008C (en) | Light-receiving device | |
| US6828541B2 (en) | Light receiving element array having isolated pin photodiodes | |
| CN100466301C (zh) | 半导体受光元件及其制造方法 | |
| JP3032027B2 (ja) | 半導体受光素子及びその組立方法 | |
| JP4096469B2 (ja) | 光受信モジュール及び光受信モジュールの製造方法 | |
| JP2002319669A (ja) | 裏面入射型ホトダイオード及びホトダイオードアレイ | |
| JP5571749B2 (ja) | 受光部品および光受信モジュールの製造方法 | |
| US5841565A (en) | Semiconductor device, light-receiving module and method for manufacturing same | |
| JPH0595123A (ja) | 光受信モジユール | |
| JPH1168144A (ja) | 受光素子およびその製造方法 | |
| JPH0593827A (ja) | 光受信モジユール | |
| DE10357135B4 (de) | Fotodetektor mit Transimpendanzverstärker und Auswerteelektronik in monolithischer Integration und Herstellungsverfahren | |
| JPH05206500A (ja) | 光電変換モジュール | |
| US20030075672A1 (en) | Method and apparatus for coupling optical fiber with photodetectors | |
| JPH02119273A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPS60225808A (ja) | 光素子 | |
| JPH04296065A (ja) | 半導体受光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000201 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080210 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090210 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090210 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100210 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110210 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |