JPH0595123A - 光受信モジユール - Google Patents
光受信モジユールInfo
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- JPH0595123A JPH0595123A JP3255382A JP25538291A JPH0595123A JP H0595123 A JPH0595123 A JP H0595123A JP 3255382 A JP3255382 A JP 3255382A JP 25538291 A JP25538291 A JP 25538291A JP H0595123 A JPH0595123 A JP H0595123A
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- JP
- Japan
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- light receiving
- semiconductor substrate
- optical
- optical fiber
- receiving element
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
- B23Q7/00—Arrangements for handling work specially combined with or arranged in, or specially adapted for use in connection with, machine tools, e.g. for conveying, loading, positioning, discharging, sorting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Feeding Of Workpieces (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光ファイバーと受光素子との光結合を良好且
つ均一化することができると共に、生産性向上を図るの
に優れた構造を有する光受信モジュールを提供すること
を目的とする。 【構成】 半導体基板の一端面に設けられた受光素子
と、該受光素子に対向する該半導体基板の裏面に形成さ
れた溝と、伝送される光を、終端部に形成された傾斜面
で反射して上記受光素子の受光面に上記半導体基板の裏
面側から入射させるように配置して上記溝内に固着され
た光ファイバーとを具備し、溝に固着された光ファイバ
ーを伝送してきた光信号を傾斜面で反射して半導体基板
の裏面側から受光素子に入射させる構造とした。
つ均一化することができると共に、生産性向上を図るの
に優れた構造を有する光受信モジュールを提供すること
を目的とする。 【構成】 半導体基板の一端面に設けられた受光素子
と、該受光素子に対向する該半導体基板の裏面に形成さ
れた溝と、伝送される光を、終端部に形成された傾斜面
で反射して上記受光素子の受光面に上記半導体基板の裏
面側から入射させるように配置して上記溝内に固着され
た光ファイバーとを具備し、溝に固着された光ファイバ
ーを伝送してきた光信号を傾斜面で反射して半導体基板
の裏面側から受光素子に入射させる構造とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ファイバ通信に用い
られる光受信モジュールに関する。
られる光受信モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】光受信モジュールとして、信学技報Ｖｏ
ｌ．９１，Ｎｏ２０１（ＯＱＥ９１−６０〜６８）に開
示されたものが知られている。従来、かかる光受信モジ
ュールは、図６や図７に示す構造となっていた。
ｌ．９１，Ｎｏ２０１（ＯＱＥ９１−６０〜６８）に開
示されたものが知られている。従来、かかる光受信モジ
ュールは、図６や図７に示す構造となっていた。
【０００３】図６に示す光受信モジュールは、下側パッ
ケージ２の内部に受光素子４とプリアンプ回路を形成し
たＩＣチップ６を固着し、光ファイバー８をその終端部
が受光素子４の受光面に対向するようにして上側パッケ
ージ１０に垂直に固定すると共に、下側パッケージ２と
上側パッケージ１０を密封して外部からの光の漏れ入射
を阻止する構造となっている。
ケージ２の内部に受光素子４とプリアンプ回路を形成し
たＩＣチップ６を固着し、光ファイバー８をその終端部
が受光素子４の受光面に対向するようにして上側パッケ
ージ１０に垂直に固定すると共に、下側パッケージ２と
上側パッケージ１０を密封して外部からの光の漏れ入射
を阻止する構造となっている。
【０００４】そして、光ファイバー８を伝送して来た光
を受光素子４で受光して電気信号に変換し、更に電気信
号をＩＣチップ６のプリアンプ回路で増幅して、リード
端子１２を介して出力する。
を受光素子４で受光して電気信号に変換し、更に電気信
号をＩＣチップ６のプリアンプ回路で増幅して、リード
端子１２を介して出力する。
【０００５】一方、図７に示す光受信モジュールは、外
部からの光の漏れ入射を阻止するために密封した構造を
有するパッケージ１４の内部に、受光素子１６とプリア
ンプ回路を形成したＩＣチップ１８を固着し、受光素子
１６の受光面に対して光ファイバー２０の終端部を平行
に配置した構造となっている。更に、光ファイバー２０
の終端部は斜めに研磨され、光ファイバー２０を伝送し
て来た光を該研磨面２２で反射して受光素子１６の受光
面に入射させる形状となっている。
部からの光の漏れ入射を阻止するために密封した構造を
有するパッケージ１４の内部に、受光素子１６とプリア
ンプ回路を形成したＩＣチップ１８を固着し、受光素子
１６の受光面に対して光ファイバー２０の終端部を平行
に配置した構造となっている。更に、光ファイバー２０
の終端部は斜めに研磨され、光ファイバー２０を伝送し
て来た光を該研磨面２２で反射して受光素子１６の受光
面に入射させる形状となっている。
【０００６】そして、受光素子１６で光電変換した電気
信号をＩＣチップ１８のプリアンプ回路で増幅して、リ
ード端子（図示せず）を介して出力する。
信号をＩＣチップ１８のプリアンプ回路で増幅して、リ
ード端子（図示せず）を介して出力する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構造を有する従来の光受信モジュールにあっては、
パッケージにＩＣチップ、受光素子及び光ファイバーを
個々独立に配置して固着することで一体化する構造とな
っており、夫々の部品の位置決め精度が光ファイバーと
受光素子との対向精度を決定するので、受光感度のばら
つきを招来したり、規定通りの受光感度を得るように製
造するとが煩雑であることから、生産性の向上が図れな
いという問題があった。
うな構造を有する従来の光受信モジュールにあっては、
パッケージにＩＣチップ、受光素子及び光ファイバーを
個々独立に配置して固着することで一体化する構造とな
っており、夫々の部品の位置決め精度が光ファイバーと
受光素子との対向精度を決定するので、受光感度のばら
つきを招来したり、規定通りの受光感度を得るように製
造するとが煩雑であることから、生産性の向上が図れな
いという問題があった。
【０００８】特に、複数の光ファイバーとそれに対応す
る複数の受光素子をアレー状に配列して並列通信を行う
ようにした光受信モジュールにあっては、光ファイバー
と受光素子との光結合を全ての組合せについて良好且つ
均一にしなければならないことから、極めて高い機械精
度が必要となり、歩止まり等の点で十分な生産性が得ら
れない問題があった。
る複数の受光素子をアレー状に配列して並列通信を行う
ようにした光受信モジュールにあっては、光ファイバー
と受光素子との光結合を全ての組合せについて良好且つ
均一にしなければならないことから、極めて高い機械精
度が必要となり、歩止まり等の点で十分な生産性が得ら
れない問題があった。
【０００９】本発明はこのような従来の課題に鑑みて成
されたものであり、光ファイバーと受光素子との光結合
を良好且つ均一に設定することができると共に、生産性
向上を図るのに優れた構造を有する光受信モジュールを
提供することを目的とする。
されたものであり、光ファイバーと受光素子との光結合
を良好且つ均一に設定することができると共に、生産性
向上を図るのに優れた構造を有する光受信モジュールを
提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明は、半導体基板の一面に設けられた受光
素子と、該受光素子に対向する該半導体基板の裏面に形
成された溝と、伝送される光信号を、終端部に形成され
た傾斜面で反射して上記受光素子の受光面に上記半導体
基板の裏面側から入射させるように配置して上記溝内に
固着された光ファイバーとを具備する構造とした。
るために本発明は、半導体基板の一面に設けられた受光
素子と、該受光素子に対向する該半導体基板の裏面に形
成された溝と、伝送される光信号を、終端部に形成され
た傾斜面で反射して上記受光素子の受光面に上記半導体
基板の裏面側から入射させるように配置して上記溝内に
固着された光ファイバーとを具備する構造とした。
【００１１】又、半導体基板の一面に設けられた複数の
受光素子と、これらの受光素子に対向する該半導体基板
の裏面に形成された複数の溝と、伝送される光信号を、
終端部に形成された傾斜面で反射して上記夫々の受光素
子の受光面に上記半導体基板の裏面側から入射させるよ
うに配置して上記夫々の溝内に個々独立に固着された複
数の光ファイバーとを具備することにより、複数の光通
信を行う光受信モジュールを構成した。
受光素子と、これらの受光素子に対向する該半導体基板
の裏面に形成された複数の溝と、伝送される光信号を、
終端部に形成された傾斜面で反射して上記夫々の受光素
子の受光面に上記半導体基板の裏面側から入射させるよ
うに配置して上記夫々の溝内に個々独立に固着された複
数の光ファイバーとを具備することにより、複数の光通
信を行う光受信モジュールを構成した。
【００１２】更に、上記溝を、フォト・マスク及び食刻
処理によって形成することとした。
処理によって形成することとした。
【００１３】
【作用】このような構成によれば、上記溝に固着された
光ファイバーを伝送してきた光信号を上記傾斜面で反射
して半導体基板の裏面側から受光素子に入射させ、光フ
ァイバーと受光素子との間での極めて高精度の光結合を
実現することができ、更に、機械的な可動部分を排除す
ることができることから耐久性に優れている。
光ファイバーを伝送してきた光信号を上記傾斜面で反射
して半導体基板の裏面側から受光素子に入射させ、光フ
ァイバーと受光素子との間での極めて高精度の光結合を
実現することができ、更に、機械的な可動部分を排除す
ることができることから耐久性に優れている。
【００１４】又、周知のプレーナ・プロセス等を適用し
て製造することにより、高い位置決め精度で上記溝を形
成することができるので、特性の向上及び均一化を容易
に実現でき、生産性の向上を図ることができる。
て製造することにより、高い位置決め精度で上記溝を形
成することができるので、特性の向上及び均一化を容易
に実現でき、生産性の向上を図ることができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明による光受信モジュールの一実
施例を図面と共に説明する。
施例を図面と共に説明する。
【００１６】図１は、１本の光ファイバーで伝送されて
くる光信号を１個の受光素子で受信する基本的な光受信
モジュールを示す。図１において、インジウム・リン結
晶の半導体基板２４の上面に受光素子２６を設け、半導
体基板２４の裏面に形成された長溝２８内に光ファイバ
ー３０を嵌め込んで固着し、光ファイバー３０で伝送さ
れてくる光信号を半導体基板２４の裏面側から上面の受
光素子２６に入射させる構造となっている。
くる光信号を１個の受光素子で受信する基本的な光受信
モジュールを示す。図１において、インジウム・リン結
晶の半導体基板２４の上面に受光素子２６を設け、半導
体基板２４の裏面に形成された長溝２８内に光ファイバ
ー３０を嵌め込んで固着し、光ファイバー３０で伝送さ
れてくる光信号を半導体基板２４の裏面側から上面の受
光素子２６に入射させる構造となっている。
【００１７】ここで、受光素子２６は、基本的にはガリ
ウム・インジウム・砒素層にｐｎ接合を形成したｐｉｎ
型フォトダイオード、又はアバランシェフォトダイオー
ドが適用され、受光径が３０μｍないし８０μｍ程度に
設定されている。
ウム・インジウム・砒素層にｐｎ接合を形成したｐｉｎ
型フォトダイオード、又はアバランシェフォトダイオー
ドが適用され、受光径が３０μｍないし８０μｍ程度に
設定されている。
【００１８】長溝２８は、半導体基板２４の裏面に化学
的ウェットエッチングによる食刻で約５０μｍ程度の深
さに形成され、更に、長溝２８の終端段部３２が受光素
子２６の受光面のほぼ垂下位置となるように設計されて
いる。
的ウェットエッチングによる食刻で約５０μｍ程度の深
さに形成され、更に、長溝２８の終端段部３２が受光素
子２６の受光面のほぼ垂下位置となるように設計されて
いる。
【００１９】光ファイバー３０の終端部には、研磨によ
って約４５°の傾斜面３４が形成されており、光ファイ
バー３０中を伝送してきた光信号を傾斜面３４で反射し
て側端方向へ放射する形状となっている。更に、光ファ
イバー３０を長溝２８に嵌め込むと共に、光ファイバー
３０の終端部を長溝２８の終端段部３２に当接すること
で位置決めし、そして、光ファイバー３０中を伝送して
きた光信号を傾斜面３４で反射して受光素子２６の受光
面の方向へ放射するように傾斜面３４を外側に向け、図
２及び図３に示すように、光ファイバー３０を熱硬化性
接着剤や半田３６によって長溝２８内に固着している。
って約４５°の傾斜面３４が形成されており、光ファイ
バー３０中を伝送してきた光信号を傾斜面３４で反射し
て側端方向へ放射する形状となっている。更に、光ファ
イバー３０を長溝２８に嵌め込むと共に、光ファイバー
３０の終端部を長溝２８の終端段部３２に当接すること
で位置決めし、そして、光ファイバー３０中を伝送して
きた光信号を傾斜面３４で反射して受光素子２６の受光
面の方向へ放射するように傾斜面３４を外側に向け、図
２及び図３に示すように、光ファイバー３０を熱硬化性
接着剤や半田３６によって長溝２８内に固着している。
【００２０】そして、受光素子２６と光ファイバー３０
を一体に固着した半導体基板２４全体を、外部からの光
の侵入を阻止するように密封した構造のパッケージ（図
示せず）内に収納し、更に、受光素子２６が光電変換し
た電気信号を増幅するためのプリアンプ回路を形成した
ＩＣチップ（図示せず）等も同時に該パッケージ内に設
けられる。
を一体に固着した半導体基板２４全体を、外部からの光
の侵入を阻止するように密封した構造のパッケージ（図
示せず）内に収納し、更に、受光素子２６が光電変換し
た電気信号を増幅するためのプリアンプ回路を形成した
ＩＣチップ（図示せず）等も同時に該パッケージ内に設
けられる。
【００２１】次に、かかる構造の光受信モジュールの製
造工程を図４のフローチャートに従って説明する。
造工程を図４のフローチャートに従って説明する。
【００２２】まず、第１の工程Ａでは、半導体基板２４
の裏面に両面マスクアライナを用いて、長溝２８を形成
すべき面を除く残余の面にフォトレジストを塗設する。
尚、長溝２８の終端部が受光素子２６の受光面とほぼ対
向する位置となるように設計される。
の裏面に両面マスクアライナを用いて、長溝２８を形成
すべき面を除く残余の面にフォトレジストを塗設する。
尚、長溝２８の終端部が受光素子２６の受光面とほぼ対
向する位置となるように設計される。
【００２３】次の第２の工程Ｂでは、このフォトレジス
トをエッチングマスクとして、例えば、硫酸と過酸化水
素水から成るエッチング液を用いた化学的ウェットエッ
チングにより、フォトレジスト以外の部分を約５０μｍ
程度の深さに食刻した後、フォトレジストを除去する。
この処理により、長溝２８が形成される。
トをエッチングマスクとして、例えば、硫酸と過酸化水
素水から成るエッチング液を用いた化学的ウェットエッ
チングにより、フォトレジスト以外の部分を約５０μｍ
程度の深さに食刻した後、フォトレジストを除去する。
この処理により、長溝２８が形成される。
【００２４】次の第３の工程Ｃでは、光ファイバー３０
の傾斜面３４による光の反射方向が受光素子２６の方向
となるように配置して、光ファイバー３０を長溝２８に
嵌め込み、接着材等によって半導体基板２４の裏面に固
着し、更にパッケージ内に組み込むことで組立工程を完
了する。
の傾斜面３４による光の反射方向が受光素子２６の方向
となるように配置して、光ファイバー３０を長溝２８に
嵌め込み、接着材等によって半導体基板２４の裏面に固
着し、更にパッケージ内に組み込むことで組立工程を完
了する。
【００２５】この実施例の構造及びこれらの処理工程に
よれば、受光素子２６と傾斜面３４との対向精度を、周
知の基本的なプレーナ・プロセス等によって、容易に１
μｍ以内に設定することが可能であることから、光ファ
イバー３０と受光素子２６の間での極めて高精度の光結
合を実現することができ、更に、機械的な可動部分を排
除することができることから、耐久性にも優れている。
よれば、受光素子２６と傾斜面３４との対向精度を、周
知の基本的なプレーナ・プロセス等によって、容易に１
μｍ以内に設定することが可能であることから、光ファ
イバー３０と受光素子２６の間での極めて高精度の光結
合を実現することができ、更に、機械的な可動部分を排
除することができることから、耐久性にも優れている。
【００２６】次に、他の実施例を図５と共に説明する。
この実施例は、半導体基板３８の上面にアレー状に設け
られた複数の受光素子群４０の夫々の受光素子の受光面
に対向するように、前述の第１の実施例と同様に製造工
程を適用することによって、半導体基板３８の裏面に複
数の長溝を形成し、これらの長溝に光ファイバー群４２
を固着している。
この実施例は、半導体基板３８の上面にアレー状に設け
られた複数の受光素子群４０の夫々の受光素子の受光面
に対向するように、前述の第１の実施例と同様に製造工
程を適用することによって、半導体基板３８の裏面に複
数の長溝を形成し、これらの長溝に光ファイバー群４２
を固着している。
【００２７】ここで、光ファイバー群４２の各光ファイ
バーの終端部には、図１に示したのと同様に、傾斜面が
形成され、各長溝に固着された各光ファイバーを伝送し
てきた光信号をこれらの傾斜面で反射して夫々所定の受
光素子に入射させる構造となっている。そして、各受光
素子で光電変換した電気信号を、個々独立に設けられた
プリアンプ回路で増幅し、ボンディングワイヤーを介し
て所定のリード端子に出力するように成っており、更
に、全体を外部光の入射を阻止する密閉パッケージ内に
収納している。
バーの終端部には、図１に示したのと同様に、傾斜面が
形成され、各長溝に固着された各光ファイバーを伝送し
てきた光信号をこれらの傾斜面で反射して夫々所定の受
光素子に入射させる構造となっている。そして、各受光
素子で光電変換した電気信号を、個々独立に設けられた
プリアンプ回路で増幅し、ボンディングワイヤーを介し
て所定のリード端子に出力するように成っており、更
に、全体を外部光の入射を阻止する密閉パッケージ内に
収納している。
【００２８】この実施例に示すように、本発明は、複数
の光通信を並列処理する光受信モジュールに適用でき、
優れた光結合と耐久性に優れた並列処理型の光受信モジ
ュールを実現する上で極めて優れた技術を提供するもの
である。
の光通信を並列処理する光受信モジュールに適用でき、
優れた光結合と耐久性に優れた並列処理型の光受信モジ
ュールを実現する上で極めて優れた技術を提供するもの
である。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体基板の一面に設けられた受光素子と、該受光素子
に対向する該半導体基板の裏面に形成された溝と、伝送
される光を、終端部に形成された傾斜面で反射して上記
受光素子の受光面に上記半導体基板の裏面側から入射さ
せるように配置して上記溝内に固着された光ファイバー
とを具備し、溝に固着された光ファイバーを伝送してき
た光信号を傾斜面で反射して半導体基板の裏面側から受
光素子に入射させる構造としたので、光ファイバーと受
光素子との間での極めて高精度の光結合を実現すること
ができ、更に、機械的な可動部分を排除することができ
ることから耐久性に優れている。
半導体基板の一面に設けられた受光素子と、該受光素子
に対向する該半導体基板の裏面に形成された溝と、伝送
される光を、終端部に形成された傾斜面で反射して上記
受光素子の受光面に上記半導体基板の裏面側から入射さ
せるように配置して上記溝内に固着された光ファイバー
とを具備し、溝に固着された光ファイバーを伝送してき
た光信号を傾斜面で反射して半導体基板の裏面側から受
光素子に入射させる構造としたので、光ファイバーと受
光素子との間での極めて高精度の光結合を実現すること
ができ、更に、機械的な可動部分を排除することができ
ることから耐久性に優れている。
【００３０】又、周知のプレーナ・プロセス等を適用し
て製造することにより、高い位置決め精度で上記溝を形
成することができるので、特性の向上及び均一化を容易
に実現でき、生産性の向上を図ることができる。特に、
優れた光結合と耐久性が要求される並列処理型の光受信
モジュールに適用した場合に、極めて優れた技術を提供
することができる。
て製造することにより、高い位置決め精度で上記溝を形
成することができるので、特性の向上及び均一化を容易
に実現でき、生産性の向上を図ることができる。特に、
優れた光結合と耐久性が要求される並列処理型の光受信
モジュールに適用した場合に、極めて優れた技術を提供
することができる。
【図１】一実施例の要部縦断面構造を示す縦断面図であ
る。
る。
【図２】図１のＸ−Ｘ線矢視断面図である。
【図３】一実施例の半導体基板の裏面から見た構造を示
す背面図である。
す背面図である。
【図４】製造工程を説明するためのフローチャートであ
る。
る。
【図５】他の実施例の外観構造を示す斜視図である。
【図６】従来例の構造を概略的に示す断面図である。
【図７】他の従来例の構造を概略的に示す断面図であ
る。
る。
２４，３８…半導体基板、２６…受光素子、２８…長
溝、３０…光ファイバー ３２…終端段部、３４…傾斜面、４０…受光素子群、４
２…光ファイバー群
溝、３０…光ファイバー ３２…終端段部、３４…傾斜面、４０…受光素子群、４
２…光ファイバー群
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板の一面に設けられた受光素子
と、 該受光素子に対向する該半導体基板の裏面に形成された
溝と、 伝送される光信号を、終端部に形成された傾斜面で反射
して上記受光素子の受光面に上記半導体基板の裏面側か
ら入射させるように配置して上記溝内に固着された光フ
ァイバーと、 を具備する光受信モジュール。 - 【請求項２】 半導体基板の一面に設けられた複数の受
光素子と、 これらの受光素子に対向する該半導体基板の裏面に形成
された複数の溝と、 伝送される光信号を、終端部に形成された傾斜面で反射
して上記夫々の受光素子の受光面に上記半導体基板の裏
面側から入射させるように配置して上記夫々の溝内に個
々独立に固着された複数の光ファイバーと、 を具備する光受信モジュール。 - 【請求項３】 前記溝は、フォト・マスク及び食刻処理
によって形成される請求項１又は請求項２の光受信モジ
ュール。
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1991
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- 1991-10-02 KR KR1019910018109A patent/KR940005309B1/ko not_active IP Right Cessation
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