JPH02150089A - オプトエレクトロニク送・受信装置 - Google Patents
オプトエレクトロニク送・受信装置Info
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- JPH02150089A JPH02150089A JP1256917A JP25691789A JPH02150089A JP H02150089 A JPH02150089 A JP H02150089A JP 1256917 A JP1256917 A JP 1256917A JP 25691789 A JP25691789 A JP 25691789A JP H02150089 A JPH02150089 A JP H02150089A
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- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 49
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 45
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 14
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 4
- ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N $l^{3}-silane;platinum Chemical compound [SiH3].[Pt] ZXEYZECDXFPJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 3
- 229910021339 platinum silicide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- KUOQKNXMTDVQDA-UHFFFAOYSA-N [N]=O.[Si]=O Chemical compound [N]=O.[Si]=O KUOQKNXMTDVQDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 2
- 229910021340 platinum monosilicide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 210000002105 tongue Anatomy 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/40—Transceivers
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4246—Bidirectionally operating package structures
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/43—Arrangements comprising a plurality of opto-electronic elements and associated optical interconnections
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光送信器と、光受信器と、波長選択性ビーム
スプリッタ−と、接続ファイバーを備えた光結合器と、
光送信器のための駆動回路および光受信器のための前置
増幅器回路を含む制御装置とを備えたオプトエレクトロ
ニク送・受信装置に関する。
スプリッタ−と、接続ファイバーを備えた光結合器と、
光送信器のための駆動回路および光受信器のための前置
増幅器回路を含む制御装置とを備えたオプトエレクトロ
ニク送・受信装置に関する。
オプティカルおよびオプトエレクトロニク送・受信機能
を有する光導波路デバイスの構成は比較的費用が掛かる
。というのは、非常に種々異なっている機能はハイブリ
ッド構成によって纏められる種々異なった材料を必要と
するからである。このことは特に高帯域加入者ステーシ
ランの接続デバイスである両方向性送・受信（ジーール
に当てはまる。このような変換器がコスト的に良好に製
作可能になるならば、この技術は高範囲に亘って使用さ
れるようになるであろう。
を有する光導波路デバイスの構成は比較的費用が掛かる
。というのは、非常に種々異なっている機能はハイブリ
ッド構成によって纏められる種々異なった材料を必要と
するからである。このことは特に高帯域加入者ステーシ
ランの接続デバイスである両方向性送・受信（ジーール
に当てはまる。このような変換器がコスト的に良好に製
作可能になるならば、この技術は高範囲に亘って使用さ
れるようになるであろう。
この種の送・受信装置を出来る限り僅かな費用でもって
実現することは既に行われている。その場合、現在開発
が行われているいわゆるフリービームモジュールが得ら
れる０種々異なった材料から成る非常に多くの部品を有
するマウント技術に関するこの解決方法の他に、■−Ｖ
族化合物半導体から成るオプティカルおよびオプトエレ
クトロニクチップを用いたマルチチップ方法を用いてこ
の問題を克服することも行われている。
実現することは既に行われている。その場合、現在開発
が行われているいわゆるフリービームモジュールが得ら
れる０種々異なった材料から成る非常に多くの部品を有
するマウント技術に関するこの解決方法の他に、■−Ｖ
族化合物半導体から成るオプティカルおよびオプトエレ
クトロニクチップを用いたマルチチップ方法を用いてこ
の問題を克服することも行われている。
本発明は、冒頭で述べた種類のオプトエレクトロニク送
・受信装置において、出来る限り多数の個別部品を、構
成技術が僅かな費用で済みかつ経済的に製作可能であり
従ってコスト的に良好である半導体デバイス内に組込む
か集積することを課題とする。
・受信装置において、出来る限り多数の個別部品を、構
成技術が僅かな費用で済みかつ経済的に製作可能であり
従ってコスト的に良好である半導体デバイス内に組込む
か集積することを課題とする。
この課題を解決するために、本発明は、光送信器が■−
ｖ族化合物半導体材料から構成されたレーザチップとし
てシリコンウェハ内に設けられ、光受信器が■−Ｖ族化
合物半導体材料から構成された受光ダイオードとして前
記シリコンウェハ内に設けられるか、または金属・半導
体ダイオードとしてシリコンウェハ内にモノリシックに
集積され、シリコンウェハ内には波長選択性ビームスプ
リッタ−と、制御装置と、光ガイドのために必要な光導
体と、光結合器とがモノリシックに集積されることを特
徴とする。
ｖ族化合物半導体材料から構成されたレーザチップとし
てシリコンウェハ内に設けられ、光受信器が■−Ｖ族化
合物半導体材料から構成された受光ダイオードとして前
記シリコンウェハ内に設けられるか、または金属・半導
体ダイオードとしてシリコンウェハ内にモノリシックに
集積され、シリコンウェハ内には波長選択性ビームスプ
リッタ−と、制御装置と、光ガイドのために必要な光導
体と、光結合器とがモノリシックに集積されることを特
徴とする。
本発明の有利な実施態様は請求項２以下に記載されてい
る。
る。
本発明によって得られる利点は特に、多数の個別部品の
代わりに、オプトエレクトロニク送・受信装置が十分な
モノリシックシリコン構成技術にて製作されることにあ
る。その際、第１の透過ウィンドーの当該波長範囲（約
１．３μｍ）および第２の透過ウィンドーの当該波長範
囲（約１．５μｍ）ではシリコンはほぼ完全に透明であ
るということが利用される。このシリコン構成技術は必
要な機械的、光学的および電子的機能を出来る限り集積
化するためにシリコンマイク−メカニクス技術およびＩ
Ｃ技術を使用する。このことからチップとして使用する
ことの出来るモジュールは高々２個、つまりエレクトロ
オプティク変換器（レーザ）および必要な場合にはオプ
トエレクトロニク変換器（受光ダイオード）にすぎない
、これらのチップは必要な場合には増幅器機能を含むこ
とも出来る。
代わりに、オプトエレクトロニク送・受信装置が十分な
モノリシックシリコン構成技術にて製作されることにあ
る。その際、第１の透過ウィンドーの当該波長範囲（約
１．３μｍ）および第２の透過ウィンドーの当該波長範
囲（約１．５μｍ）ではシリコンはほぼ完全に透明であ
るということが利用される。このシリコン構成技術は必
要な機械的、光学的および電子的機能を出来る限り集積
化するためにシリコンマイク−メカニクス技術およびＩ
Ｃ技術を使用する。このことからチップとして使用する
ことの出来るモジュールは高々２個、つまりエレクトロ
オプティク変換器（レーザ）および必要な場合にはオプ
トエレクトロニク変換器（受光ダイオード）にすぎない
、これらのチップは必要な場合には増幅器機能を含むこ
とも出来る。
内部設置または外部設置されるチップは■−Ｖ族半導体
材料、特にＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰから構成される。
材料、特にＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰから構成される。
シリコン内でのその他の機能は次の通りである。
〔光ガイド〕シリコン内に光学的に有効にドーピングさ
れた層またはシリコン−酸化物−窒素酸化物層を備えた
シリコン細片としてまたは条帯状導体としてシリコン上
に形成された誘電体光導体によって行われる。
れた層またはシリコン−酸化物−窒素酸化物層を備えた
シリコン細片としてまたは条帯状導体としてシリコン上
に形成された誘電体光導体によって行われる。
〔ファイバー内への光入射〕ファイバーの固定のための
窪みまたは溝を用いたシリコン−光導体組合わせによっ
て行われる。突合わせ結合原理（バット・カップリング
）が使用される。または、光結合器は光導波路の舌片状
端部と接続ファイバーとをファイバーのスプライシング
にて接合した溶接接合部でもよい。
窪みまたは溝を用いたシリコン−光導体組合わせによっ
て行われる。突合わせ結合原理（バット・カップリング
）が使用される。または、光結合器は光導波路の舌片状
端部と接続ファイバーとをファイバーのスプライシング
にて接合した溶接接合部でもよい。
〔光の東線化〕シリコンマイクロメカニクス手段によっ
て製作可能であるレンズまたはフレネル光学素子によっ
て行われる。
て製作可能であるレンズまたはフレネル光学素子によっ
て行われる。
（電流の案内ならびに電気的絶縁）ＩＣ技術に基づいて
シリコンに内部設置または外部設置された導体路および
絶縁手段によって行われる。
シリコンに内部設置または外部設置された導体路および
絶縁手段によって行われる。
〔光パワーの測定および変換〕受光ダイオードまたはモ
ニター用ダイオードが金属−半導体ダイオードとして、
特に白金シリサイドシッットキーバリャーダイオードと
してシリコンウェハ内に設けられる。または、熱に変換
されたレーザチップ光線に感応する基本センサとして拡
散シリコン領域、ダイオードまたはトランジスタを備え
てブリッジ回路内に組込まれたボロメータ−１もしくは
シリコン内に集積されたレーザチップの温度測定手段を
使用することが出来る。
ニター用ダイオードが金属−半導体ダイオードとして、
特に白金シリサイドシッットキーバリャーダイオードと
してシリコンウェハ内に設けられる。または、熱に変換
されたレーザチップ光線に感応する基本センサとして拡
散シリコン領域、ダイオードまたはトランジスタを備え
てブリッジ回路内に組込まれたボロメータ−１もしくは
シリコン内に集積されたレーザチップの温度測定手段を
使用することが出来る。
〔光のフィルタリングまたは遮蔽〕シリコン上の金属層
および誘電体層、もしくはシリコン表面の光学的格子に
よつて行われる。異なった波長のために必要なフィルタ
リング（ＷＤＭ−Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ−Ｄｉｖｔｓｉ
ｏｎ−ＭｕｌｔｉｐＩｅｘｉｎｇ−Ｆｉｌ’ｔｅｒ、波
長分割マルチブレクシングフィルター）はシリコン内に
導波路を備えた方向性結合器としてまたは表面格子とし
て実現することが出来る。
および誘電体層、もしくはシリコン表面の光学的格子に
よつて行われる。異なった波長のために必要なフィルタ
リング（ＷＤＭ−Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ−Ｄｉｖｔｓｉ
ｏｎ−ＭｕｌｔｉｐＩｅｘｉｎｇ−Ｆｉｌ’ｔｅｒ、波
長分割マルチブレクシングフィルター）はシリコン内に
導波路を備えた方向性結合器としてまたは表面格子とし
て実現することが出来る。
〔電気信号の増幅〕受光ダイオードにおけるようなまた
は高帯域増幅器のシリコン内への通常の集積化における
ような金属−半導体−ＰｔＳｉ技術のトランジスタによ
って行われる。
は高帯域増幅器のシリコン内への通常の集積化における
ような金属−半導体−ＰｔＳｉ技術のトランジスタによ
って行われる。
特に有利なことは、部品を（ウェハと共に）製作するこ
とができ、かつ同様に事前検査もしくは経年変化試験を
行うことが出来ることである。完全な機能部品だけが組
立てによって再加工される。
とができ、かつ同様に事前検査もしくは経年変化試験を
行うことが出来ることである。完全な機能部品だけが組
立てによって再加工される。
従って補修は回避される。
完成品装置はヒートシンクとしても使用される例えば底
板上に組立てられる。この底板はカバーとして外側へ向
くキャップを担持し、かつ光導波路のホルダーを担持し
ている。
板上に組立てられる。この底板はカバーとして外側へ向
くキャップを担持し、かつ光導波路のホルダーを担持し
ている。
さらに、完成品装置は底板およびヒートシンクとして使
用されかつファイバーホルダーおよびコネクタホルダー
を含むリードフレーム条帯上に組立てられる。このよう
な装置は特に高周波数の要求に対しても特にコスト的に
良好に構成することが出来る。というのは、高帯域モジ
ュールのデータ量は１ギガビット／秒以上の範囲にまで
広がうているからである。リードフレーム構成における
装置のカプセル化は金属−セラミックス技術にて、例え
ばガラス化または接着されたセラミックキャップおよず
金属キャップを用いて、またはファイバーホルダー内に
簡単に入れることの出来るプラスチックケースによって
行うことが出来る。プラスチックケースの場合には、シ
リコン基体と特に同様にシリコンから成るカバーとが設
けられる。
用されかつファイバーホルダーおよびコネクタホルダー
を含むリードフレーム条帯上に組立てられる。このよう
な装置は特に高周波数の要求に対しても特にコスト的に
良好に構成することが出来る。というのは、高帯域モジ
ュールのデータ量は１ギガビット／秒以上の範囲にまで
広がうているからである。リードフレーム構成における
装置のカプセル化は金属−セラミックス技術にて、例え
ばガラス化または接着されたセラミックキャップおよず
金属キャップを用いて、またはファイバーホルダー内に
簡単に入れることの出来るプラスチックケースによって
行うことが出来る。プラスチックケースの場合には、シ
リコン基体と特に同様にシリコンから成るカバーとが設
けられる。
部品のためのマウント技術としては特にグイボンディン
グとワイヤボンディングとを組合わせて使用することが
好ましい。
グとワイヤボンディングとを組合わせて使用することが
好ましい。
さらに、今日のモジュール構成技術を補うために本発明
によるシリコン構成技術は金属−半導体トランジスタお
よび金属−半導体ダイオードを使用出来るようにしたと
いう利点が奏される。
によるシリコン構成技術は金属−半導体トランジスタお
よび金属−半導体ダイオードを使用出来るようにしたと
いう利点が奏される。
（実施例〕
次に、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
図は本発明の一実施例を示す概略図である。
図示されたオプトエレクトロニク送・受信装置は主とし
て光送信器としてのレーザチップ１と、光受信器として
のフォトダイオードチップ２とから構成されている。チ
ップ１．２は両チップまたは一方のレーザチップｌが■
−Ｖ族化合物半導体、特にＩ ｎ Ｐ ／ Ｉ ｎ Ｇ
ａ Ａ ｓ Ｐから構成され、シリコンウェハ３内に
設けられ、このシリコンウェハに例えば接着によって固
定されている。シリコンウェハ３内にモノリシックに集
積可能な構成要素として、光受信器２は金属−半導体ダ
イオード、特に白金シリサイド・シッットキーバリャー
ダイオードとしてもウェハ３内に設けることが出来る。
て光送信器としてのレーザチップ１と、光受信器として
のフォトダイオードチップ２とから構成されている。チ
ップ１．２は両チップまたは一方のレーザチップｌが■
−Ｖ族化合物半導体、特にＩ ｎ Ｐ ／ Ｉ ｎ Ｇ
ａ Ａ ｓ Ｐから構成され、シリコンウェハ３内に
設けられ、このシリコンウェハに例えば接着によって固
定されている。シリコンウェハ３内にモノリシックに集
積可能な構成要素として、光受信器２は金属−半導体ダ
イオード、特に白金シリサイド・シッットキーバリャー
ダイオードとしてもウェハ３内に設けることが出来る。
光入射および光出射のために光導波路として単一モード
形接続ファイバー・９が備えられている。接続ファイバ
ー９を固定するためにシリコンウェハ３には、異方性エ
ツチングによって製作可能である例えば■形溝が形成さ
れている。シリコンウェハ３内に集積されている光導波
路７に接続ファイバー９を結合するための光結合器８と
して、例えば“バットカプラー（Ｂｕｔｔ Ｃｏｕｐ
ｌｅｒ）”または導波路舌片が使用され、これらはファ
イバー９に溶接される。他の適当な結合または固定手段
としては、′サーモソニック（Ｔｈｅｒｍｏｓｏｎｉｃ
）”または“ネイルヘッド（Ｎａｔｌｈｅａｄ）”結合
（ボンディング）が知られている。
形接続ファイバー・９が備えられている。接続ファイバ
ー９を固定するためにシリコンウェハ３には、異方性エ
ツチングによって製作可能である例えば■形溝が形成さ
れている。シリコンウェハ３内に集積されている光導波
路７に接続ファイバー９を結合するための光結合器８と
して、例えば“バットカプラー（Ｂｕｔｔ Ｃｏｕｐ
ｌｅｒ）”または導波路舌片が使用され、これらはファ
イバー９に溶接される。他の適当な結合または固定手段
としては、′サーモソニック（Ｔｈｅｒｍｏｓｏｎｉｃ
）”または“ネイルヘッド（Ｎａｔｌｈｅａｄ）”結合
（ボンディング）が知られている。
装置のために必要な他の構成要素はシリコンウェハ３内
にモノリシックに集積される。波長選択性ビームスプリ
ッタ−４として方向性結合器または他の適当な波長マル
チプレクサ／デマルチプレクサが使用される。レーザダ
イオードｌの駆動回路５ならびに受光ダイオード２の増
幅器回路６はシリコンウェハ３内にモノリシックに集積
されている。調節器段と駆動段とを含む駆動回路５のた
めの電気信号入力端には符号１０が付され、モニター用
ダイオード１３の電気モニター用出力端には符号１１が
付されている。受光ダイオード２の前置増幅器回路６の
電気出力端には符号１２が付されている。送信器チップ
１と光導波路７との光結合１４、および受信器チップ２
と光導波路７との光結合１４は、例えば多層式ブレーナ
形導波路カプラー、チーバードカプラーまたはグレーテ
ィングカプラーによって行われる。
にモノリシックに集積される。波長選択性ビームスプリ
ッタ−４として方向性結合器または他の適当な波長マル
チプレクサ／デマルチプレクサが使用される。レーザダ
イオードｌの駆動回路５ならびに受光ダイオード２の増
幅器回路６はシリコンウェハ３内にモノリシックに集積
されている。調節器段と駆動段とを含む駆動回路５のた
めの電気信号入力端には符号１０が付され、モニター用
ダイオード１３の電気モニター用出力端には符号１１が
付されている。受光ダイオード２の前置増幅器回路６の
電気出力端には符号１２が付されている。送信器チップ
１と光導波路７との光結合１４、および受信器チップ２
と光導波路７との光結合１４は、例えば多層式ブレーナ
形導波路カプラー、チーバードカプラーまたはグレーテ
ィングカプラーによって行われる。
図は本発明の一実施例を示す概略図である。
ｌ・・・光送信器
２・・・光受信器
３・・・シリコンウェハ
４・・・波長選択性ビームスプリッタ−５・・・駆動回
路 ６・・・増幅器回路 ７・・・光導波路 ８・・・光結合器 ９・・・ファイバー １０・・・電気信号入力端 １１・・・電気モニター用出力端 １２・・・電気出力端 １３・・・モニター用ダイオード
路 ６・・・増幅器回路 ７・・・光導波路 ８・・・光結合器 ９・・・ファイバー １０・・・電気信号入力端 １１・・・電気モニター用出力端 １２・・・電気出力端 １３・・・モニター用ダイオード
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）光送信器と、光受信器と、波長選択性ビームスプリ
ッターと、接続ファイバーを備えた光結合器と、前記光
送信器のための駆動回路および前記光受信器のための前
置増幅器回路を含む制御装置とを備えたオプトエレクト
ロニク送・受信装置において、前記光送信器（１）はI
II−Ｖ族化合物半導体材料から構成されたレーザチップ
としてシリコンウェハ（３）内に設けられ、前記光受信
器（２）はIII−Ｖ族化合物半導体材料から構成された
受光ダイオードとして前記シリコンウェハ（３）内に設
けられるか、または金属・半導体ダイオードとして前記
シリコンウェハ（３）内にモノリシックに集積され、前
記シリコンウェハ（３）内には前記波長選択性ビームス
プリッター（４）と、前記制御装置（５、６）と、光ガ
イドのために必要な光導体（７）と、前記光結合器（８
）とがモノリシックに集積されることを特徴とするオプ
トエレクトロニク送・受信装置。 ２）光導波路（７）はシリコン内に光学的に有効にドー
ピングされた層またはシリコン−酸化物−窒素酸化物層
を備えたシリコン細片としてまたは条帯状導体としてシ
リコン上に形成されることを特徴とする請求項１記載の
装置。 ３）前記光結合器（８）は前記接続ファイバー（９）を
固定するために前記シリコンウェハ（３）に設けられた
窪みまたは溝を用いたシリコン−光導体（７）組合わせ
を含むことを特徴とする請求項１または２記載の装置。 ４）前記光結合器（８）は突合わせ結合原理（バット・
カップリング）を使用することを特徴とする請求項１な
いし３の１つに記載の装置。 ５）前記光結合器（８）は前記光導波路（７）の舌片状
端部と前記接続ファイバー（９）とをファイバーのスプ
ライシングにて接合した溶接接合部であることを特徴と
する請求項１ないし３の１つに記載の装置。 ６）前記波長選択性ビームスプリッター（４）は方向性
結合器または表面格子であることを特徴とする請求項１
ないし５の１つに記載の装置。 ７）光パワーの測定および変換のために前記制御装置（
５、６）内に集積されたモニター用ダイオード（１３）
またはボロメーターが使用されることを特徴とする請求
項１ないし６の１つに記載の装置。 ８）必要な電気導体路はＩＣ技術に基づいて前記シリコ
ンウェハ（３）内に集積されることを特徴とする請求項
１ないし７の１つに記載の装置。 ９）電気信号の増幅のために金属−半導体−ＰｔＳｉ技
術によるトランジスタまたは高帯域増幅器が前記シリコ
ンウェハ（３）内にモノリシックに集積されることを特
徴とする請求項１ないし８の１つに記載の装置。 １０）前記III−Ｖ族化合物半導体材料はＩｎＰ／Ｉｎ
ＧａＡｓＰであることを特徴とする請求項１ないし９の
１つに記載の装置。 １１）前記駆動装置（５）はレーザダイオードチップ（
１）内に、前記前置増幅器回路（６）は前記受光ダイオ
ードチップ（２）内に集積されることを特徴とする請求
項１ないし１０の１つに記載の装置。 １２）前記シリコンウェハ（３）内にモノリシックに集
積された金属−半導体ダイオードとして形成された前記
受光ダイオード（２）またはモニター用ダイオード（１
３）は白金シリサイドショットキーバリヤーダイオード
であることを特徴とする請求項１ないし１１の１つに記
載の装置。 １３）完成品装置はオプトエレクトロニク送・受信モジ
ュールとして使用するために底板またはリードフレーム
上に設けられてカプセル化されると共に、光導波路接続
端子が設けられることを特徴とする請求項１ないし１２
の１つに記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3833311A DE3833311A1 (de) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | Optoelektronische sende- und empfangsvorrichtung |
| DE3833311.2 | 1988-09-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02150089A true JPH02150089A (ja) | 1990-06-08 |
Family
ID=6364112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP1256917A Pending JPH02150089A (ja) | 1988-09-30 | 1989-09-28 | オプトエレクトロニク送・受信装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
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| US (1) | US4989935A (ja) |
| JP (1) | JPH02150089A (ja) |
| DE (1) | DE3833311A1 (ja) |
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