JPS62234432A - 双方向光伝送方法とその装置 - Google Patents
双方向光伝送方法とその装置Info
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- JPS62234432A JPS62234432A JP61076791A JP7679186A JPS62234432A JP S62234432 A JPS62234432 A JP S62234432A JP 61076791 A JP61076791 A JP 61076791A JP 7679186 A JP7679186 A JP 7679186A JP S62234432 A JPS62234432 A JP S62234432A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、少なくとも２本の光ファイバを用い、それぞ
れの光ファイバ内を、一方向に光信号を伝送する双方向
光伝送方法とその装置に関するものである。
れの光ファイバ内を、一方向に光信号を伝送する双方向
光伝送方法とその装置に関するものである。
光ファイバ通信において、双方向伝送は経済化や提供サ
ービスの拡張化の上で重要な技術である。
ービスの拡張化の上で重要な技術である。
従来の双方向光伝送方式には第５図に示すように、１本
の光ファイバ１を用い波長多重により双方向伝送を行う
方式（平山他「光通信要覧Ｊ ｐ６３６゜科学新聞社発
行、１９８４年８月）と、第６図に示すように２本の光
ファイバ１−１．１−２を用い、同一波長の光信号をそ
れぞれ一方向に伝送することにより双方向伝送を行う方
式（光応用システム技術研究組合発行「わが国の光応用
システムの現状に関する調査研究」、昭和５８年３月）
とがある。
の光ファイバ１を用い波長多重により双方向伝送を行う
方式（平山他「光通信要覧Ｊ ｐ６３６゜科学新聞社発
行、１９８４年８月）と、第６図に示すように２本の光
ファイバ１−１．１−２を用い、同一波長の光信号をそ
れぞれ一方向に伝送することにより双方向伝送を行う方
式（光応用システム技術研究組合発行「わが国の光応用
システムの現状に関する調査研究」、昭和５８年３月）
とがある。
第５°図に示した双方向光伝送方式は、光合分波器２−
１および２−２を用いて波長多重を行っているため、光
ファイバ１が１本でよいという特徴がある。しかし、上
記光合分波器は、ガラスブロックに干渉膜フィルタを貼
付けた個別部品で構成されており、非常に高価である。
１および２−２を用いて波長多重を行っているため、光
ファイバ１が１本でよいという特徴がある。しかし、上
記光合分波器は、ガラスブロックに干渉膜フィルタを貼
付けた個別部品で構成されており、非常に高価である。
通過損失が一対向で５〜６ｄＢもあり大きく、光集積化
が難しいという問題点がある。また、上記方式では、異
った波長λいλ２の発光素子３−１．３−２（発光ダイ
オード、あるいは半導体レーザ）および異った波長感度
特性を有する受光素子５−１．５−２（ホトダイオード
、あるいはアバランシェホトダイオード）を用いなけれ
ばならず、光モジュールの量産が難しい。さらに、発光
素子３−１（あるいは３−２）と受光素子５−１（ある
いは５−２）を同一基板上にモノリシックに形成するこ
とが難しい。また、受光素子５−１．５−２は、光合分
波器の損失を補うために感度がよい構造に設計しなけれ
ばならず、発光素子と同一プロセスで形成することが難
しい。
が難しいという問題点がある。また、上記方式では、異
った波長λいλ２の発光素子３−１．３−２（発光ダイ
オード、あるいは半導体レーザ）および異った波長感度
特性を有する受光素子５−１．５−２（ホトダイオード
、あるいはアバランシェホトダイオード）を用いなけれ
ばならず、光モジュールの量産が難しい。さらに、発光
素子３−１（あるいは３−２）と受光素子５−１（ある
いは５−２）を同一基板上にモノリシックに形成するこ
とが難しい。また、受光素子５−１．５−２は、光合分
波器の損失を補うために感度がよい構造に設計しなけれ
ばならず、発光素子と同一プロセスで形成することが難
しい。
第６図に示す双方向光伝送方式は、光合分波器を用いな
い代りに、光ファイバを２本（１−１，１−２）用いて
双方向光伝送させるものであり、光合分波器の通過損失
分だけ長距離伝送を行うことができる。光ファイバを２
本用いているので現状ではコスト高になるが、将来、光
ファイバは銅線なみになると予想されるので、有望な方
式になる可能性がある。しかし、従来考えられている方
式は、受光素子５−２に個別部品形のホトダイオードあ
るいはアバランシェホトダイオードを用い、また、発光
素子３−１にも個別部品形の発光ダイオードあるいは半
導体レーザを用いている。そのため、光モジユール構造
も組立て調整を必要とする高価なものである。また、上
記発光素子と受光素子とは構造が異るので、本質的に同
一プロセスで作ることが難しい。たとえ将来、光集積化
ができたとしても、複雑なプロセスを経て作らなければ
ならないため、非常に高価なものになる可能性が大きい
。したがって本発明の目的は、簡単なプロセスによりモ
ノリシック状に光集積化が可能な低コストの光モジュー
ルを用いた。双方向光伝送方法とその装置を得ることに
ある。
い代りに、光ファイバを２本（１−１，１−２）用いて
双方向光伝送させるものであり、光合分波器の通過損失
分だけ長距離伝送を行うことができる。光ファイバを２
本用いているので現状ではコスト高になるが、将来、光
ファイバは銅線なみになると予想されるので、有望な方
式になる可能性がある。しかし、従来考えられている方
式は、受光素子５−２に個別部品形のホトダイオードあ
るいはアバランシェホトダイオードを用い、また、発光
素子３−１にも個別部品形の発光ダイオードあるいは半
導体レーザを用いている。そのため、光モジユール構造
も組立て調整を必要とする高価なものである。また、上
記発光素子と受光素子とは構造が異るので、本質的に同
一プロセスで作ることが難しい。たとえ将来、光集積化
ができたとしても、複雑なプロセスを経て作らなければ
ならないため、非常に高価なものになる可能性が大きい
。したがって本発明の目的は、簡単なプロセスによりモ
ノリシック状に光集積化が可能な低コストの光モジュー
ルを用いた。双方向光伝送方法とその装置を得ることに
ある。
送信部と受信部とを有する光モジュールＡおよび光モジ
ュールＢを少なくとも２本の光ファイバ１−１および１
−２で接続し、上記各光ファイバ内をそれぞれ反対方向
に光信号を伝送する双方向光伝送装置において、上記送
信部は光伝搬軸に沿って半導体レーザＬ３．Ｌい光ファ
イバ１−１（あるいは１−２）を順次配置し、半導体レ
ーザＬ３には情報信号を駆動回路を通して印加し、その
出射光を光ファイバ１−１（あるいは１−２）内へ伝送
し、半導体レーザＬ４は半導体レーザＬ３の出射光モニ
タ用受光素子として用いる。上記受光部は光伝搬軸に沿
って光ファイバ１−２（あるいは１−１）、半導体レー
ザＬ１．Ｌ２を順次配置し、半導体レーザＬ１には注入
電流を供給して、光ファイバ１−２（あるいは１−１）
内を伝搬してきた光信号を増幅させる増幅素子として作
用させ、半導体レーザＬ２は上記増幅光信号を受光する
受光素子として用いるようにしたものである。
ュールＢを少なくとも２本の光ファイバ１−１および１
−２で接続し、上記各光ファイバ内をそれぞれ反対方向
に光信号を伝送する双方向光伝送装置において、上記送
信部は光伝搬軸に沿って半導体レーザＬ３．Ｌい光ファ
イバ１−１（あるいは１−２）を順次配置し、半導体レ
ーザＬ３には情報信号を駆動回路を通して印加し、その
出射光を光ファイバ１−１（あるいは１−２）内へ伝送
し、半導体レーザＬ４は半導体レーザＬ３の出射光モニ
タ用受光素子として用いる。上記受光部は光伝搬軸に沿
って光ファイバ１−２（あるいは１−１）、半導体レー
ザＬ１．Ｌ２を順次配置し、半導体レーザＬ１には注入
電流を供給して、光ファイバ１−２（あるいは１−１）
内を伝搬してきた光信号を増幅させる増幅素子として作
用させ、半導体レーザＬ２は上記増幅光信号を受光する
受光素子として用いるようにしたものである。
本発明は、簡単なプロセスにより、モノリシック状に光
集積化を達成することをねらいとしている。しかし、上
記のねらいを、通常の半導体レーザや受光素子を用いて
、同一基板上にモノリシック状に形成し、かつ２本の並
列に配置された光ファイバに結合させることは困難であ
った。したがって上記素子をすべて半導体レーザ構造と
し、１つは半導体レーザとして用い、１つは増幅素子と
して、また１つは半導体レーザのモニタ光受光用受光素
子として、さらに１つは情報信号受光用の受光素子とし
て用いるようにしたものである。なお、上記情報信号受
光用の受光素子における感度不足は、その前に設けた増
幅素子で補うようにしたものである。
集積化を達成することをねらいとしている。しかし、上
記のねらいを、通常の半導体レーザや受光素子を用いて
、同一基板上にモノリシック状に形成し、かつ２本の並
列に配置された光ファイバに結合させることは困難であ
った。したがって上記素子をすべて半導体レーザ構造と
し、１つは半導体レーザとして用い、１つは増幅素子と
して、また１つは半導体レーザのモニタ光受光用受光素
子として、さらに１つは情報信号受光用の受光素子とし
て用いるようにしたものである。なお、上記情報信号受
光用の受光素子における感度不足は、その前に設けた増
幅素子で補うようにしたものである。
つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する。
第１図は本発明による双方向光伝送装置の一実施例を示
す構成図、第２図は上記実施例に用いる光モジュールの
一例を示す図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は右側面図、
（ｃ）は断面図、第３図（ａ）は上記実施例に用いる半
導体レーザを示す図、（ｂ）は上記実施例の半導体レー
ザ構造の受光素子を示す図、（ｃ）は上記受光素子の特
性を示す図、第４図は本発明の他の実施例を示す構成図
である。第１図において、光モジュールの構成はＡ局側
およびＢ局側ともに同じである。Ａ局側からＢ局側への
情報伝送は光ファイバ１−１を用い。
す構成図、第２図は上記実施例に用いる光モジュールの
一例を示す図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は右側面図、
（ｃ）は断面図、第３図（ａ）は上記実施例に用いる半
導体レーザを示す図、（ｂ）は上記実施例の半導体レー
ザ構造の受光素子を示す図、（ｃ）は上記受光素子の特
性を示す図、第４図は本発明の他の実施例を示す構成図
である。第１図において、光モジュールの構成はＡ局側
およびＢ局側ともに同じである。Ａ局側からＢ局側への
情報伝送は光ファイバ１−１を用い。
波長λ１の光信号により行う。逆にＢ局側からＡ局側へ
の情報伝送は光ファイバ１−２を用い、波長λ、の光信
号により行う。半導体レーザ７は情報信号伝送用光源で
あり、この場合、対向端面により共振器を構成する半導
体レーザ（以下ＬＤと略称する）を用いた。８はＬＤ７
と同一構造のＬＤであり、ＬＤ８は電流供給回路９より
注入電流を供給し、上記ＬＤ８に入射した波長λ１の光
信号を増幅させる増幅素子として使用した。半導体レー
ザ型受光素子ＩＯもＬＤ７と同じであるが、上記ＬＤ７
の出射光モニタ用受光素子として使用した。上記半導体
レーザ型受光素子１０とＬＤ７との間の間隔は結合効率
を高くとるために狭い方が望ましいが、あまり近接させ
ると、半導体レーザと受光素子との電気的漏話特性が劣
化するという問題がある。１０数−から１００数十−の
範囲から選べばよい。半導体レーザ型受光索子１１も」
二記半導体レーザ型受光素子ＩＯと同じ＜、ＬＤを受光
素子として使用したものである。すなわち、ＬＤ８で増
幅された光信号を受光するものである。半導体レーザ型
受光素子１１とＬＤ８との間隔も上記ＬＤ７と半導体レ
ーザ型受光素子１０との間隔のように、非常に狭くしで
ある。上記構成では、ＬＤ８の増幅素子を用いることに
より、従来のホトダイオード、アバランシェホトダイオ
ードのような高感度受光素子を用いなくてもよくなり、
Ｌｒ）を受光素子として使うことが可能になる。すなわ
ち、光モジュールを同一構造のＬＤ４個で構成できるの
で、ＬＤＤ造プロセスを利用するだけの簡単なプロセス
により製作することができる。そのため、モノリシック
光集積化が可能で、がっ低コスト生産が実現可能になる
。なお第１図において、情報信号は駆動回路４−１を通
してＬＤ７に加えられ、逆にＬＤ型型光光素子１１通し
て再生される。またＬＤ型型光光素子１０より検出され
、電気信号に変換された信号はＬＤ８に帰還され、ＬＤ
８の先出カー走化などに寄与する。
の情報伝送は光ファイバ１−２を用い、波長λ、の光信
号により行う。半導体レーザ７は情報信号伝送用光源で
あり、この場合、対向端面により共振器を構成する半導
体レーザ（以下ＬＤと略称する）を用いた。８はＬＤ７
と同一構造のＬＤであり、ＬＤ８は電流供給回路９より
注入電流を供給し、上記ＬＤ８に入射した波長λ１の光
信号を増幅させる増幅素子として使用した。半導体レー
ザ型受光素子ＩＯもＬＤ７と同じであるが、上記ＬＤ７
の出射光モニタ用受光素子として使用した。上記半導体
レーザ型受光素子１０とＬＤ７との間の間隔は結合効率
を高くとるために狭い方が望ましいが、あまり近接させ
ると、半導体レーザと受光素子との電気的漏話特性が劣
化するという問題がある。１０数−から１００数十−の
範囲から選べばよい。半導体レーザ型受光索子１１も」
二記半導体レーザ型受光素子ＩＯと同じ＜、ＬＤを受光
素子として使用したものである。すなわち、ＬＤ８で増
幅された光信号を受光するものである。半導体レーザ型
受光素子１１とＬＤ８との間隔も上記ＬＤ７と半導体レ
ーザ型受光素子１０との間隔のように、非常に狭くしで
ある。上記構成では、ＬＤ８の増幅素子を用いることに
より、従来のホトダイオード、アバランシェホトダイオ
ードのような高感度受光素子を用いなくてもよくなり、
Ｌｒ）を受光素子として使うことが可能になる。すなわ
ち、光モジュールを同一構造のＬＤ４個で構成できるの
で、ＬＤＤ造プロセスを利用するだけの簡単なプロセス
により製作することができる。そのため、モノリシック
光集積化が可能で、がっ低コスト生産が実現可能になる
。なお第１図において、情報信号は駆動回路４−１を通
してＬＤ７に加えられ、逆にＬＤ型型光光素子１１通し
て再生される。またＬＤ型型光光素子１０より検出され
、電気信号に変換された信号はＬＤ８に帰還され、ＬＤ
８の先出カー走化などに寄与する。
第２図は本発明の双方向伝送方式に用いる光モジュール
の先部分だけを示した構成図であり、（ａ）は上面図、
（ｂ）は右側面図、（ｃ）は上記（ａ）のＡ−Ａ’断面
図をそれぞれ示している。
の先部分だけを示した構成図であり、（ａ）は上面図、
（ｂ）は右側面図、（ｃ）は上記（ａ）のＡ−Ａ’断面
図をそれぞれ示している。
ＬＤ７、ＬＤＤ幅器８、ＬＤ型受光素子ｔｏ、 １１が
形成されている。駆動回路４−３、電流供給回路９、他
車化回路、符号化回路、等価増幅回路、複合化回路、識
別再生回路、などの電気回路も形成されるが、第２図で
は示していない。半導体装置１２（本実施例ではＩｎＰ
基板）上に、ＩｎＰバッファ層１３、ＩｎＰクラッド層
１４、ＩｎＧａＡｓＰ光導波層１５．ＩｎＧａＡｓＰ活
性層１６、ＩｎＰクラッド層１７が積層された構造であ
る。１８は溝であり、ドライエツチングにより形成する
。上記溝１８は端面１９−１と、 ２０−１．１９−２
と２０−２とで共振器を構成するように、はぼ垂直にエ
ツチングする。端面１９−１．１９−２はへき開面であ
る。なお電極は当然崩成するが、上記第２図では省略し
ている。同図から明らかなように、非常にシンプルな構
造であり、また従来のＬＤを製造するプロセスにより一
貫して作れるので、低コスト化が可能である。さらに、
一度に大量生産できるため、この面からも低コスト化が
期待できる。
形成されている。駆動回路４−３、電流供給回路９、他
車化回路、符号化回路、等価増幅回路、複合化回路、識
別再生回路、などの電気回路も形成されるが、第２図で
は示していない。半導体装置１２（本実施例ではＩｎＰ
基板）上に、ＩｎＰバッファ層１３、ＩｎＰクラッド層
１４、ＩｎＧａＡｓＰ光導波層１５．ＩｎＧａＡｓＰ活
性層１６、ＩｎＰクラッド層１７が積層された構造であ
る。１８は溝であり、ドライエツチングにより形成する
。上記溝１８は端面１９−１と、 ２０−１．１９−２
と２０−２とで共振器を構成するように、はぼ垂直にエ
ツチングする。端面１９−１．１９−２はへき開面であ
る。なお電極は当然崩成するが、上記第２図では省略し
ている。同図から明らかなように、非常にシンプルな構
造であり、また従来のＬＤを製造するプロセスにより一
貫して作れるので、低コスト化が可能である。さらに、
一度に大量生産できるため、この面からも低コスト化が
期待できる。
本発明は上記実施例に限定されない１例えば、半導体基
板１２にはＧａＡｓ基板でもよい。第３図はＧ ａ Ａ
ｓ基板上に半導体レーザ（同図（ａ））と受光素子（
同図（ｂ））を形成した場合の特性（同図（Ｃ））を示
したものである。上記は活性層の厚さが０．０６７ｍ、
半導体レーザの長さが２００．、受光素子の長さが１０
５．、半導体レーザと受光素子との間隔を１１０−とし
、半導体レーザの駆動電流ＩＬに対する半導体レーザの
出射光出力をＰＦ、受光素子の負荷抵抗３．２にΩの両
端電圧ＶＭとの関係を示している。第３図（Ｃ）に示す
特性から判るように、上記受光素子の受光効率は低いが
、受光素子として十分使えることが明らかである。なお
、受光素子の長さが半導体レーザの長さに比して短かい
のは、あまり長くすると吸収損失による感度劣化、高周
波特性の劣化などを生じるためである。したがって、本
発明は同一基板上に半導体レーザを４個形成させるが、
その構造、寸法はそれぞれ同じである必要はなく、最適
特性を得るように定めればよい。なお１寸法が違うこと
によるプロセスの複雑さはほとんど問題にならない。ま
た上記の理由から、光ファイバ１−１および１−２内を
伝搬させる波長は若干変ってもよい。
板１２にはＧａＡｓ基板でもよい。第３図はＧ ａ Ａ
ｓ基板上に半導体レーザ（同図（ａ））と受光素子（
同図（ｂ））を形成した場合の特性（同図（Ｃ））を示
したものである。上記は活性層の厚さが０．０６７ｍ、
半導体レーザの長さが２００．、受光素子の長さが１０
５．、半導体レーザと受光素子との間隔を１１０−とし
、半導体レーザの駆動電流ＩＬに対する半導体レーザの
出射光出力をＰＦ、受光素子の負荷抵抗３．２にΩの両
端電圧ＶＭとの関係を示している。第３図（Ｃ）に示す
特性から判るように、上記受光素子の受光効率は低いが
、受光素子として十分使えることが明らかである。なお
、受光素子の長さが半導体レーザの長さに比して短かい
のは、あまり長くすると吸収損失による感度劣化、高周
波特性の劣化などを生じるためである。したがって、本
発明は同一基板上に半導体レーザを４個形成させるが、
その構造、寸法はそれぞれ同じである必要はなく、最適
特性を得るように定めればよい。なお１寸法が違うこと
によるプロセスの複雑さはほとんど問題にならない。ま
た上記の理由から、光ファイバ１−１および１−２内を
伝搬させる波長は若干変ってもよい。
例えば、第４図のように、Ａ局側とＢ局側の光モジュー
ルの構成を変えてもよい、すなわち、Ａ局側では波長λ
、とλ２の光信号を用いてＢ局側へ伝送し、Ｂ局側では
波長λ、の光信号を用いてＡ局側へ伝送するもので、光
ファイバは１−１．１−２．１−３の３本を用いた例で
ある。このように光ファイバは送、受信光モジュール＋
ｌｆｔを接続するのに用い、Ａ局およびＢ局側ともに送
信および受信部は少なくとも１個設ける構成からなる。
ルの構成を変えてもよい、すなわち、Ａ局側では波長λ
、とλ２の光信号を用いてＢ局側へ伝送し、Ｂ局側では
波長λ、の光信号を用いてＡ局側へ伝送するもので、光
ファイバは１−１．１−２．１−３の３本を用いた例で
ある。このように光ファイバは送、受信光モジュール＋
ｌｆｔを接続するのに用い、Ａ局およびＢ局側ともに送
信および受信部は少なくとも１個設ける構成からなる。
そして、光ファイバ内を伝搬させる波長は同じか。
あるいは異っていてもよい。波長が異っていると、局内
での送信部と受光部間の光の漏話を低減することができ
る。
での送信部と受光部間の光の漏話を低減することができ
る。
上記のように本発明による双方向光伝送方法およびその
装置は、光モジュールＡの送信部と光モジュールＢの受
光部、および上記光モジュールＢの送信部と光モジュー
ルＡの受光部とを、それぞれ別の光ファイバで接続した
双方向光伝送方法において、上記光モジュールＡおよび
Ｂの受光部は、光軸に沿って２個の半導体レーザＬ、、
Ｌ、を順次設け、上記半導体レーザＬ１には注入電流
を供給して増幅機能をもたせ、上記半導体レーザＬ２を
受光素子として用いることにより、低コストでモノリシ
ック状に光集積化ができる光モジュールを用いた双方向
光伝送装置およびその方法を実現することができる。ま
た、上記光モジュールは光集積化されるので、小型にで
き信頼性を向上させることができる。
装置は、光モジュールＡの送信部と光モジュールＢの受
光部、および上記光モジュールＢの送信部と光モジュー
ルＡの受光部とを、それぞれ別の光ファイバで接続した
双方向光伝送方法において、上記光モジュールＡおよび
Ｂの受光部は、光軸に沿って２個の半導体レーザＬ、、
Ｌ、を順次設け、上記半導体レーザＬ１には注入電流
を供給して増幅機能をもたせ、上記半導体レーザＬ２を
受光素子として用いることにより、低コストでモノリシ
ック状に光集積化ができる光モジュールを用いた双方向
光伝送装置およびその方法を実現することができる。ま
た、上記光モジュールは光集積化されるので、小型にで
き信頼性を向上させることができる。
第１図は本発明による双方向光伝送装置の一実施例を示
す構成図、第２図は上記実施例に用いる光モジュールの
一例を示す図で、（ａ）は上面図。 （ｂ）は側面図、（ｃ）は断面図、第３図（ａ）は上記
実施例に用いる半導体レーザを示す図、（ｂ）は上記実
施例の半導体レーザ構造の受光素子を示す図、（Ｃ）は
上記受光素子の特性を示す図、第４図は本発明の他の実
施例を示す構成図、第５図は光合分波器を用いた従来の
双方向光伝送装置の構成図、第６図は光合分波器を用い
ない従来の双方向光伝送装置の構成図である。 １−１．１−２・・・光ファイバ ４−１・・・駆動回路 ７・・・半導体レーザＬ３
８・・・半導体レーザＬ、 ９・・・電流供給回路Ｉ
Ｏ・・・半導体レーザＬ４１１・・・半導体レーザＬ２
１２・・・半導体基板
す構成図、第２図は上記実施例に用いる光モジュールの
一例を示す図で、（ａ）は上面図。 （ｂ）は側面図、（ｃ）は断面図、第３図（ａ）は上記
実施例に用いる半導体レーザを示す図、（ｂ）は上記実
施例の半導体レーザ構造の受光素子を示す図、（Ｃ）は
上記受光素子の特性を示す図、第４図は本発明の他の実
施例を示す構成図、第５図は光合分波器を用いた従来の
双方向光伝送装置の構成図、第６図は光合分波器を用い
ない従来の双方向光伝送装置の構成図である。 １−１．１−２・・・光ファイバ ４−１・・・駆動回路 ７・・・半導体レーザＬ３
８・・・半導体レーザＬ、 ９・・・電流供給回路Ｉ
Ｏ・・・半導体レーザＬ４１１・・・半導体レーザＬ２
１２・・・半導体基板
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光モジュールＡには少なくとも１個づつの送信部と
受光部とを設け、光モジュールＢにも少なくとも１個づ
つの受光部と送信部とを設け、上記光モジュールＡ、Ｂ
間の送信部と受光部とを光ファイバで接続した双方向光
伝送方法において、上記受光部には光軸に沿って２個の
半導体レーザＬ＿１、Ｌ＿２を順次設け、上記半導体レ
ーザＬ＿１には注入電流を供給して増幅機能をもたせ、
上記半導体レーザＬ＿２を受光素子として用いることを
特徴とする双方向光伝送方法。 ２、上記光モジュールＡおよびＢの送信部は、順次光軸
に沿って設けた２個の半導体レーザＬ＿３、Ｌ＿４を有
し、上記半導体レーザＬ＿３には情報信号を駆動回路を
通して印加し、上記半導体レーザＬ＿４は上記半導体レ
ーザＬ＿３の後方出射検出用受光素子として用いること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載した双方向光
伝送方法。 ３、上記光ファイバは、少なくとも２本よりなり、それ
ぞれの光ファイバ内を伝搬する光信号の波長が異ってい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項
に記載した双方向光伝送方法。 ４、光モジュールＡの送信部と光モジュールＢの受光部
、および上記光モジュールＢの送信部と光モジュールＡ
の受光部とを、それぞれ別の光ファイバで接続した双方
向光伝送装置において、上記光モジュールＡおよびＢの
受光部は、上記光ファイバのあとに半導体レーザＬ＿１
、Ｌ＿２を順次光軸に沿って設け、上記半導体レーザＬ
＿１に電流供給回路を設けたことを特徴とする双方向光
伝送装置。 ５、上記光モジュールＡおよびＢの送信部は、上記光フ
ァイバの前に半導体レーザＬ＿３、Ｌ＿４を光軸に沿っ
て順次設け、上記半導体レーザＬ＿３に情報信号を印加
する駆動回路を設けたことを特徴とする特許請求の範囲
第４項に記載した双方向光伝送装置。 ６、上記光モジュールは、同一半導体基板上に形成した
ものであることを特徴とする特許請求の範囲第４項また
は第５項に記載した双方向光伝送装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61076791A JPS62234432A (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | 双方向光伝送方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61076791A JPS62234432A (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | 双方向光伝送方法とその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62234432A true JPS62234432A (ja) | 1987-10-14 |
Family
ID=13615446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61076791A Pending JPS62234432A (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | 双方向光伝送方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62234432A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5138475A (en) * | 1990-03-26 | 1992-08-11 | At&T Bell Laboratories | Dc-coupled optical data link utilizing differential transmission |
| US20130173263A1 (en) * | 2010-09-17 | 2013-07-04 | Panasonic Corporation | Quantization device and quantization method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58170138A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-06 | Nec Corp | 光増幅受信装置 |
| JPS6046088A (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-12 | Nec Corp | 光増幅回路 |
| JPS6119187A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光集積回路素子 |
-
1986
- 1986-04-04 JP JP61076791A patent/JPS62234432A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58170138A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-06 | Nec Corp | 光増幅受信装置 |
| JPS6046088A (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-12 | Nec Corp | 光増幅回路 |
| JPS6119187A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光集積回路素子 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5138475A (en) * | 1990-03-26 | 1992-08-11 | At&T Bell Laboratories | Dc-coupled optical data link utilizing differential transmission |
| US20130173263A1 (en) * | 2010-09-17 | 2013-07-04 | Panasonic Corporation | Quantization device and quantization method |
| US9135919B2 (en) * | 2010-09-17 | 2015-09-15 | Panasonic Intellectual Property Corporation Of America | Quantization device and quantization method |
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