JPS62230065A - 半導体受光器 - Google Patents
半導体受光器Info
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- JPS62230065A JPS62230065A JP61073363A JP7336386A JPS62230065A JP S62230065 A JPS62230065 A JP S62230065A JP 61073363 A JP61073363 A JP 61073363A JP 7336386 A JP7336386 A JP 7336386A JP S62230065 A JPS62230065 A JP S62230065A
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- Japan
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- groove
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- fiber
- optical fiber
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4214—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光ファイバを用いた光通１Ｍシステムにお
いて、光ファイバによって伝送された信号光を光′電変
換素子を用いて′電気信号に変換する半導体受光器に関
するものである。
いて、光ファイバによって伝送された信号光を光′電変
換素子を用いて′電気信号に変換する半導体受光器に関
するものである。
第４図は、従来の半導体受光器の構成例を示すものであ
る。第４図に示プねた半導体受光器において、光ファイ
バ（１１によってパッケージ（５）内に伝送された１Ｍ
号光（２）は、斜め研諦された光ファイバ端（３）にお
いて反射され、光ファイバ（１１から下方に放射される
。光ファイバ（１）から放射さねた信号光（２１はパッ
ケージ（５１内部に設けられた光電変換素子（４１に入
射し、１を気侶号に変換される。漏速に変調された信号
光（２１に対しても光１に変換素子り４）が応答するた
めに１通常は、光電変換素子（４）の活性知域ｉｔｓを
伏〈シ、九電変換素子（４）内に生ずる寄生容ｉ＃、を
低減する方法がとられる。したがって、光ファイバ（１
）から放射された信号光（２）が有効に前述の狭い活性
餠域四罠入射するよう９元ファイバ＋１１と光電変換素
子（４）は配置されている。
る。第４図に示プねた半導体受光器において、光ファイ
バ（１１によってパッケージ（５）内に伝送された１Ｍ
号光（２）は、斜め研諦された光ファイバ端（３）にお
いて反射され、光ファイバ（１１から下方に放射される
。光ファイバ（１）から放射さねた信号光（２１はパッ
ケージ（５１内部に設けられた光電変換素子（４１に入
射し、１を気侶号に変換される。漏速に変調された信号
光（２１に対しても光１に変換素子り４）が応答するた
めに１通常は、光電変換素子（４）の活性知域ｉｔｓを
伏〈シ、九電変換素子（４）内に生ずる寄生容ｉ＃、を
低減する方法がとられる。したがって、光ファイバ（１
）から放射された信号光（２）が有効に前述の狭い活性
餠域四罠入射するよう９元ファイバ＋１１と光電変換素
子（４）は配置されている。
従来の半導体受光器においては、光ファイバ（１１と光
電変換素子（４１はそれぞれ別々にパッケージ（５）に
固定されていたために１組立時に光ファ・イバｆｌ＋と
光電変ｙ８紫子（４）の３＠方向の位置合わせが必要で
あった。
電変換素子（４１はそれぞれ別々にパッケージ（５）に
固定されていたために１組立時に光ファ・イバｆｌ＋と
光電変ｙ８紫子（４）の３＠方向の位置合わせが必要で
あった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたものであり０組立時に必要な光ファイバと光７Ｉｔ
変櫓素子間の位置付わせの方向を１軸方向のみに低減し
た半導体受光器を得ることを目的とする。
れたものであり０組立時に必要な光ファイバと光７Ｉｔ
変櫓素子間の位置付わせの方向を１軸方向のみに低減し
た半導体受光器を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体受光器は、光電変換素子の端面に
、その活性領域に対応したＶミゾを設けたものである。
、その活性領域に対応したＶミゾを設けたものである。
この発明においては、光電変換素子の端面のｖミゾに光
ファイバを押し当てれば、このＶミゾの軸方向以外の光
ファイバと光電変換素子の位置の自由度はなくなり、こ
のとき光電変換素子においてｖミゾと活性領域の相対位
置が適切に保たれていれは、光ファイバが位置合わせし
なければならないの？ｉＶミゾの軸方向のみで良い。
ファイバを押し当てれば、このＶミゾの軸方向以外の光
ファイバと光電変換素子の位置の自由度はなくなり、こ
のとき光電変換素子においてｖミゾと活性領域の相対位
置が適切に保たれていれは、光ファイバが位置合わせし
なければならないの？ｉＶミゾの軸方向のみで良い。
以Ｆ、この発明の一実施例を図に用いて説明する。第１
図は、活性領域に対向し７てｖミゾを設けた光電変？素
子のＶ「面図の例である。第１図は例えば、米津宏雄著
“光通信素子工学“（工学図薔体式会社１９８４年発行
）ｐｐ３７１−３７２に示された裏面人躬プレーナ型ｎ
＋−ｖ族多元粘晶ＰＩＮフォトダイオードにおいて、入
射面側にＶミゾを設けたもので、（６）はｎ電極、（７
）はｎ −Ｉ ｎ ｐ基稙、（８１はｎ−ＩｎＰバッフ
ァ層、（９）はｎ−−Ｉｎ ＧａｘＡｓｆｆｊｌ、
α１は５ｉＮＩｓ’ｉ、（１υ −ｘ はｐ”−Ｉ ｎ １−ＸＧａ ｘＡ ｓ Ｒ、Ｑ２はｐ
【極、ａ３は入射光、 Ｑ４はｖミゾである。この光電
変換素子において、入射光（１３１が電気信号に変換さ
れる活性層は、 ｐ” −Ｉ ｎ １−ＸＧａ ｘＡ
ｓ Ｒｌｔ ０１１であり、上〕１１の文献によりは、
この大きざが１００μｍのもので、（ｌｌｎｓｅｃ程ｔ
の立ち上がり、立ち下がり跨間を持つ光！変換素子が得
られる。なお、このような半が体の所定の位置にｖミゾ
を鞘度良く設けることは、栄導体の加工を扱う技術分野
においては周知の技術で容易に実現できる。
図は、活性領域に対向し７てｖミゾを設けた光電変？素
子のＶ「面図の例である。第１図は例えば、米津宏雄著
“光通信素子工学“（工学図薔体式会社１９８４年発行
）ｐｐ３７１−３７２に示された裏面人躬プレーナ型ｎ
＋−ｖ族多元粘晶ＰＩＮフォトダイオードにおいて、入
射面側にＶミゾを設けたもので、（６）はｎ電極、（７
）はｎ −Ｉ ｎ ｐ基稙、（８１はｎ−ＩｎＰバッフ
ァ層、（９）はｎ−−Ｉｎ ＧａｘＡｓｆｆｊｌ、
α１は５ｉＮＩｓ’ｉ、（１υ −ｘ はｐ”−Ｉ ｎ １−ＸＧａ ｘＡ ｓ Ｒ、Ｑ２はｐ
【極、ａ３は入射光、 Ｑ４はｖミゾである。この光電
変換素子において、入射光（１３１が電気信号に変換さ
れる活性層は、 ｐ” −Ｉ ｎ １−ＸＧａ ｘＡ
ｓ Ｒｌｔ ０１１であり、上〕１１の文献によりは、
この大きざが１００μｍのもので、（ｌｌｎｓｅｃ程ｔ
の立ち上がり、立ち下がり跨間を持つ光！変換素子が得
られる。なお、このような半が体の所定の位置にｖミゾ
を鞘度良く設けることは、栄導体の加工を扱う技術分野
においては周知の技術で容易に実現できる。
第２図は９本発明に係る半導体受光器において、入射面
に■ミゾを有する光電変換素子と光ファイバとの組合わ
せ状態を示す図である。光電変換素子（４）において、
■ミゾＩと活性像域ａ９は対向するように設けられてお
り、光ファイバ＋１１から放射される信号光（２）が活
性領域ｔｔＳに効率よく入射するには、光ファイバｉｌ
ｌ ｆ Ｖミゾα４に押当てなからＶミゾＩの軸方向に
位置合わせするだけで良い。
に■ミゾを有する光電変換素子と光ファイバとの組合わ
せ状態を示す図である。光電変換素子（４）において、
■ミゾＩと活性像域ａ９は対向するように設けられてお
り、光ファイバ＋１１から放射される信号光（２）が活
性領域ｔｔＳに効率よく入射するには、光ファイバｉｌ
ｌ ｆ Ｖミゾα４に押当てなからＶミゾＩの軸方向に
位置合わせするだけで良い。
ＷＪ３図は１本発明に係る半導体受光器の構成例を表わ
す図である。信号光（２）を伝送する光ファイバ＋１＋
の先端は、■ミゾ（１４）を有する光電変換素子（４）
の■ミゾα４に接しており、光ファイバ（１１から放射
された信号光（２）は、光ファイバｆ１１ ′５ｒＶミ
ゾＩの軸方向に位置合わせするだけで活性層ｔ、Ｓ罠効
率良く入射する。
す図である。信号光（２）を伝送する光ファイバ＋１＋
の先端は、■ミゾ（１４）を有する光電変換素子（４）
の■ミゾα４に接しており、光ファイバ（１１から放射
された信号光（２）は、光ファイバｆ１１ ′５ｒＶミ
ゾＩの軸方向に位置合わせするだけで活性層ｔ、Ｓ罠効
率良く入射する。
ところで、上記説明は、■ミゾを有する光電ｆ！素子と
して、ＩｎＧａＡｓ による多面入射形ＰＩＮフォトダ
イオードを例に挙げたが、この他に、入射面から活性領
域の間に十分な厚みがあり、入射面側にＶミゾを設ける
余地のある光電ダ亨素子であればこの発明が応用できる
ことはいう呼でもない。
して、ＩｎＧａＡｓ による多面入射形ＰＩＮフォトダ
イオードを例に挙げたが、この他に、入射面から活性領
域の間に十分な厚みがあり、入射面側にＶミゾを設ける
余地のある光電ダ亨素子であればこの発明が応用できる
ことはいう呼でもない。
以上のように、この発明によれば、光電変換素子の活性
領域に対向して入射面９１＋１に設けられたｖミゾに、
伝送された信号光を放射する光ファイバラ接して固定す
る構造となっているので、光電変換素子と光ファイバの
位置合わせが容易となる効果がある。
領域に対向して入射面９１＋１に設けられたｖミゾに、
伝送された信号光を放射する光ファイバラ接して固定す
る構造となっているので、光電変換素子と光ファイバの
位置合わせが容易となる効果がある。
第１図は、この発明の一実施例における活性領域に対向
してｖミゾを設けた光電変換素子の断面因の例、第２図
は、この発明に係る半導体受光器において、入射面にｖ
ミゾを有する光電変１１！素子と光ファイバとの組合わ
せ状態を示す図、第３図はこの発明に係る半導体受光器
の構成例を表わす図、第４図は従来の半導体受元器の構
成例を示す図である。 図において、（１１は光ファイバ、（２）は信号光。 （３）は斜め研磨された光ファイバ端、（４）は光電変
換素子、 ＋１４１は■ミゾ、 ＵＳは油付領域である
。 なお１図中、同一符号は同−又は相当部分を示している
。
してｖミゾを設けた光電変換素子の断面因の例、第２図
は、この発明に係る半導体受光器において、入射面にｖ
ミゾを有する光電変１１！素子と光ファイバとの組合わ
せ状態を示す図、第３図はこの発明に係る半導体受光器
の構成例を表わす図、第４図は従来の半導体受元器の構
成例を示す図である。 図において、（１１は光ファイバ、（２）は信号光。 （３）は斜め研磨された光ファイバ端、（４）は光電変
換素子、 ＋１４１は■ミゾ、 ＵＳは油付領域である
。 なお１図中、同一符号は同−又は相当部分を示している
。
Claims (1)
- 斜め研磨された端面を持ち、前記端面の逆方向から伝送
された信号光を前記端面の反射によって外部へ放射する
光ファイバと、前記の放射された信号光を受光し、光電
変換する半導体を有する半導体受光器において、光電変
換する半導体の入射面上に前記の半導体の活性領域に対
向してＶミゾを設け、光ファイバを前記のＶミゾに接し
て設けたことを特徴とする半導体受光器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61073363A JPS62230065A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 半導体受光器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61073363A JPS62230065A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 半導体受光器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62230065A true JPS62230065A (ja) | 1987-10-08 |
Family
ID=13516016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61073363A Pending JPS62230065A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 半導体受光器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62230065A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04276666A (ja) * | 1991-03-05 | 1992-10-01 | Fujitsu Ltd | 半導体受光素子及びその組立方法 |
| JPH05152599A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-18 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| US5357103A (en) * | 1991-10-02 | 1994-10-18 | Sumitomo Electric Industries, Inc. | Light receiving module with optical fiber coupling |
| WO2003044504A3 (en) * | 2001-11-19 | 2003-11-27 | Denselight Semiconductors Pte | Optical probe for wafer scale testing of light-electrical (l-i-v) performance of optoelectronic devices |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP61073363A patent/JPS62230065A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04276666A (ja) * | 1991-03-05 | 1992-10-01 | Fujitsu Ltd | 半導体受光素子及びその組立方法 |
| US5357103A (en) * | 1991-10-02 | 1994-10-18 | Sumitomo Electric Industries, Inc. | Light receiving module with optical fiber coupling |
| JPH05152599A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-18 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| WO2003044504A3 (en) * | 2001-11-19 | 2003-11-27 | Denselight Semiconductors Pte | Optical probe for wafer scale testing of light-electrical (l-i-v) performance of optoelectronic devices |
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